指纹感测装置的制作方法

1.本发明涉及一种图像感测装置，更具体来说涉及一种指纹感测装置。


背景技术：

2.指纹传感器广泛应用于各种电子装置中，例如手机、笔记本计算机及个人数字助理(personal digital assistant，pda)等，以进行指纹识别。在使用光学指纹传感器进行指纹识别期间，在适当的曝光时间捕获的指纹图像对于指纹识别的准确性至关重要。在相关技术中为了提高指纹图像质量，可增加光照度或曝光时间。然而，通过增加光照度或曝光时间，指纹图像的指纹特征可能会由于过度曝光而模糊，从而影响指纹识别的准确性。


技术实现要素：

3.本发明涉及一种指纹感测装置，能够提高指纹图像质量并保持指纹识别的准确性。
4.本发明提供一种指纹感测装置，包括多个像素块。像素块排列成阵列。像素块中的每一者均包括转换增益。转换增益中的至少两者是不同的，且位于阵列的中心位置的像素块具有最小的转换增益。
5.在本发明的实施例中，像素块包括多个第一像素块及多个第二像素块。第一像素块形成阵列中所包括的子阵列。第一像素块中的每一者包括第一转换增益。第二像素块位于子阵列周围。第二像素块中的每一者包括第二转换增益。第二转换增益大于第一转换增益，且第一像素块包括位于阵列的中心位置的像素块。
6.在本发明的实施例中，像素块包括第一像素块及多个第二像素块。第一像素块包括第一转换增益。第二像素块位于第一像素块周围。第二像素块中的每一者包括第二转换增益。第二转换增益大于第一转换增益。第一个像素块是位于阵列的中心位置的像素块。
7.在本发明的实施例中，像素块还包括多个第三像素块。第三像素块位于第二像素块周围。第三像素块中的每一者包括第三转换增益。第三转换增益大于第二转换增益。
8.在本发明的实施例中，像素块包括第一像素块、多个第二像素块及多个第三像素块。第一像素块包括第一转换增益。第二像素块位于第一像素块周围。第二像素块中的每一者包括第二转换增益。第三像素块位于第一像素块周围。第三像素块中的每一者包括第三转换增益。第三转换增益大于第二转换增益。第二转换增益大于第一转换增益。第一像素块是位于阵列的中心位置的像素块。
9.在本发明的实施例中，第二像素块及第三像素块交替地排列在阵列的第一环形区中。第一环形区环绕第一像素块。
10.在本发明的实施例中，第二像素块位于阵列的水平方向及垂直方向上且位于第一像素块旁边。
11.在本发明的实施例中，第二像素块中的任意两者在阵列的水平方向及垂直方向上不相邻。
12.在本发明的实施例中，第三像素块位于阵列的对角线方向上且位于第一像素块旁边。
13.在本发明的实施例中，第三像素块中的任意两者在阵列的水平方向及垂直方向上不相邻。
14.在本发明的实施例中，像素块还包括多个第四像素块及多个第五像素块。第四像素块位于阵列的第二环形区中。第四像素块中的每一者包括第四转换增益。第五像素块位于第二环形区中。第五像素块中的每一者包括第五转换增益。第五转换增益大于第四转换增益。第四转换增益大于第三转换增益。第二环形区环绕第一环形区。
15.在本发明的实施例中，第四像素块位于阵列的水平方向及垂直方向上。
16.在本发明的实施例中，第四像素块中的至少两者在阵列的水平方向及垂直方向上相邻。
17.在本发明的实施例中，第五像素块位于阵列的对角线方向上。
18.在本发明的实施例中，第五像素块中的任意两者在阵列的水平方向及垂直方向上不相邻。
19.在本发明的实施例中，像素块中的每一者包括多个像素电路，且像素电路中的每一者包括相同的转换增益。
20.在本发明的实施例中，像素电路中的每一者包括光电二极管及转移晶体管。光电二极管包括第一端及第二端。光电二极管的第一端耦合到第一电压。转移晶体管包括第一端、第二端及控制端。转移晶体管的第一端耦合到光电二极管的第二端。转移晶体管的第二端耦合到相应的像素电路的浮动节点。转移晶体管的控制端耦合到第一控制信号。
21.在本发明的实施例中，转移晶体管根据转换增益将从光电二极管产生的电子转换成浮动节点处的感测电压。转换增益是根据浮动节点处的电容值进行确定的。
22.在本发明的实施例中，像素电路中的每一者还包括复位晶体管及源极跟随器。复位晶体管包括第一端、第二端及控制端。复位晶体管的第一端耦合到第二电压。复位晶体管的第二端耦合到浮动节点。复位晶体管的控制端耦合到第二控制信号。源极跟随器包括第一端、第二端及控制端。源极跟随器的第一端耦合到第三电压。源极跟随器的第二端经由感测线耦合到输出电路。源极跟随器的控制端耦合到浮动节点。
23.在本发明的实施例中，像素电路中的每一者还包括行选择(row selecting)晶体管。行选择晶体管包括第一端、第二端及控制端。行选择晶体管的第一端耦合到源极跟随器的第二端。行选择晶体管的第二端耦合到感测线。行选择晶体管的控制端耦合到第三控制信号。
24.在本发明的实施例中，像素块的转换增益符合底下分布：cg(r)＝cg(center)+f(r)，且cg(r)》cg(center)，其中cg(r)是位于阵列的指定位置的像素块的转换增益，cg(center)是位于阵列的中心位置的像素块的转换增益且具有最小的转换增益，且f(r)是随半径r变化的变量，且半径r是阵列的中心位置与指定位置之间的距离。
25.为使上述内容更易于理解，以下将结合图式详细阐述多个实施例。
附图说明
26.本文包括附图以提供对本公开的进一步理解，且附图被并入本说明书并构成本说
明书的一部分。图式示出本公开的示例性实施例且与本说明一起用于阐释本公开的原理。
27.图1是根据本发明实施例的指纹感测装置的示意图。
28.图2是根据本发明实施例的像素电路的示意图。
29.图3是根据本发明实施例的传感器阵列的示意图。
30.图4是根据本发明另一实施例的传感器阵列的示意图。
31.图5是根据本发明另一实施例的传感器阵列的示意图。
32.图6是根据本发明实施例的指纹图像的示意图。
33.图7是图6所示的线a-a’上的信号强度的分布图。
34.[符号的说明]
[0035]
100：指纹感测装置
[0036]
110：传感器阵列
[0037]
121：感测信号
[0038]
130：模拟前端(afe)电路
[0039]
131：图像信号
[0040]
160：模数转换器(adc)
[0041]
200：像素电路
[0042]
210：转移晶体管/晶体管
[0043]
220：复位晶体管/晶体管
[0044]
230：源极跟随器/晶体管
[0045]
240：行选择晶体管/晶体管
[0046]
360、460、560：传感器阵列
[0047]
362、462、562：像素块
[0048]
362_1、462_1、562_1：第一像素块/像素块
[0049]
362_2、462_2、562_2：第二像素块
[0050]
362_3、562_3：第三像素块
[0051]
562_4：第四像素块
[0052]
562_5：第五像素块
[0053]
600、700、800：阵列
[0054]
610：第一环形区
[0055]
620：第二环形区
[0056]
701、702：区域
[0057]
710：子阵列
[0058]
900：输出电路
[0059]
910：感测线
[0060]
a-a’：线
[0061]
avdd1：第三电压/电压
[0062]
avdd2：第二电压/电压
[0063]
c1：中心
[0064]
c2、c3：圆
[0065]
ca：电容值
[0066]
cg1：第一转换增益/最小转换增益/转换增益
[0067]
cg2：第二转换增益/转换增益
[0068]
cg3：第三转换增益/转换增益
[0069]
cg4：第四转换增益/转换增益
[0070]
cg5：第五转换增益/转换增益
[0071]
cn1、cn2：暗角
[0072]
cv1、cv2：曲线
[0073]
d：数字输出码
[0074]
d1、d2：对角线方向
[0075]
fim：指纹图像
[0076]
fn：浮动节点
[0077]
gnd：接地电压(第一电压)
[0078]
pd：光电二极管
[0079]
rst：第二控制信号
[0080]
r：半径
[0081]
txl：第一控制信号
[0082]
vs：感测电压
[0083]
x：水平方向
[0084]
y：垂直方向
具体实施方式
[0085]
应理解，可使用其他实施例且可在不背离本公开的范围的情况下作出结构改变。此外，应理解，本文中所使用的短语及术语是用于说明目的而不应被视为进行限制。本文中使用“包含(including)”、“包括(comprising)”或“具有(having)”及其变化形式意在囊括其后所列的项及其等效形式以及附加项。除非另有限制，否则用语“连接(connected)”、“耦合(coupled)”及“安装(mounted)”以及其变化形式在本文中是以广泛意义使用且囊括直接及间接的连接、耦合及安装。
[0086]
图1是根据本发明实施例的指纹感测装置的示意图。参照图1，指纹感测装置100包括传感器阵列110、模拟前端(analog-front-end，afe)电路130及模数转换器(analog-to-digital converter，adc)160。传感器阵列110可包括以行列形式排列的多个像素，且传感器阵列110被配置成对用户的指纹进行感测。举例来说，传感器阵列110可为光学传感器阵列，光学传感器阵列通过传感器阵列110的像素来捕获用户指纹的图像以产生感测信号。
[0087]
afe电路130耦合到传感器阵列110，且被配置成基于从传感器阵列110输出的感测信号121来产生图像信号131。afe电路130可对感测信号121实行处理操作以产生图像信号131。举例来说，afe电路130可对感测信号121实行采样操作、放大操作和/或补偿操作以降低噪声并提高感测信号121的信号质量。afe电路130被配置成将图像信号131输出到adc 160。本公开不旨在对afe电路130的电路结构及操作进行限制。
[0088]
adc 160的输入端耦合到afe电路130以接收图像信号131。adc 160被配置成将作
为模拟信号的图像信号131转换成数字输出码d。数字输出码d是通过传感器阵列110感测的用户指纹的数字表示形式。数字输出码d被输出到adc 160的下一级电路来进行指纹识别。
[0089]
图1的实施例仅是基于本公开之精神的一种用作示例说明，对于所述领域中的技术人员来说，可以在电路与电路之间，元件与元件之间增加必要之电路或元件，如增加噪声过滤电路或是稳压电路。
[0090]
图2是根据本发明实施例的像素电路的示意图。参照图1及图2，图1的传感器阵列110包括排列成阵列的多个像素，且像素中的每一者可具有如图2所示的电路结构。像素电路200包括光电二极管pd、转移晶体管210、复位晶体管220、源极跟随器230及行选择晶体管240。图2所示的电路结构用作示例，而不旨在对本发明进行限制。
[0091]
具体来说，光电二极管pd包括第一端及第二端。光电二极管pd的第一端耦合到接地电压gnd(第一电压)。光电二极管pd的第二端耦合到转移晶体管210。转移晶体管包括第一端、第二端及控制端。转移晶体管210的第一端耦合到光电二极管pd的第二端。转移晶体管210的第二端耦合到相应的像素电路200的浮动节点fn。转移晶体管210的控制端耦合到第一控制信号txl。第一控制信号txl对转移晶体管210的导通状态进行控制。转移晶体管210由第一控制信号txl导通，以在曝光期间进行信号转换。
[0092]
复位晶体管220包括第一端、第二端及控制端。复位晶体管220的第一端耦合到第二电压avdd2。复位晶体管220的第二端耦合到浮动节点fn。复位晶体管220的控制端耦合到第二控制信号rst。第二控制信号rst对复位晶体管220的导通状态进行控制。复位晶体管220由第二控制信号rst导通，以在复位期间将浮动节点fn复位。源极跟随器230包括第一端、第二端及控制端。源极跟随器230的第一端耦合到第三电压avdd1。源极跟随器230的第二端经由感测线910耦合到输出电路900。源极跟随器230的控制端耦合到浮动节点fn。
[0093]
行选择晶体管240包括第一端、第二端及控制端。行选择晶体管240的第一端耦合到源极跟随器230的第二端。行选择晶体管240的第二端耦合到感测线910。行选择晶体管240的控制端耦合到第三控制信号rsl。第三控制信号rsl对行选择晶体管240的导通状态进行控制。行选择晶体管240在读出期间由第三控制信号rsl导通，且因此感测信号121经由感测线910从像素电路200输出到输出电路900。在一实施例中，输出电路900可包括afe电路130和/或用于进行信号处理的其他电路。
[0094]
在本实施例中，转移晶体管210根据转换增益cg将从光电二极管pd产生的电子转换成浮动节点fn处的感测电压vs，且转换增益cg是根据浮动节点fn处的电容值ca来确定的。举例来说，根据公式vs＝q/ca来确定感测电压vs，其中q表示从光电二极管pd产生的电子量，且ca表示浮动节点fn处的电容值。转换增益cg被定义为1/ca，即电容值ca的倒数，因此转换增益cg是根据浮动节点fn处的电容值ca来确定的。
[0095]
在本实施例中，浮动节点fn处的电容值ca可为浮动节点fn处的结电容器(junction capacitor)、源极跟随器230的控制端处的总电容器、复位晶体管220的控制端与第二端之间的电容器、和/或晶体管210、晶体管220、晶体管230、晶体管240、浮动节点fn以及电压avdd1、电压avdd2的金属布线的寄生电容的等效电容值。另外，浮动节点fn处的电容值ca也可通过附加的金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)电容器和/或附加的金属布线进行调整。
[0096]
图3是根据本发明实施例的传感器阵列的示意图。参照图3，传感器阵列360可包括
多个像素块362。像素块362排列成阵列800。像素块362中的每一者包括转换增益。像素块362中的每一者包括如图2所示的多个像素电路200，且位于同一像素块中的像素电路200中的每一者包括相同的转换增益。像素块362中的每一者所包括的转换增益被标记在相应的块中。在本实施例中，转换增益cg1、转换增益cg2与转换增益cg3是不同的，且位于阵列800的中心位置的像素块362_1具有最小的转换增益cg1。也就是说，转换增益cg1、转换增益cg2与转换增益cg3中的至少两者是不同的。
[0097]
具体来说，像素块362包括第一像素块362_1、多个第二像素块362_2及多个第三像素块362_3。第一像素块362_1包括第一转换增益cg1。第二像素块362_2包括第二转换增益cg2。第三像素块362_3包括第三转换增益cg3。第二像素块362_2位于第一像素块362_1周围。第三像素块362_3位于第二像素块362_2周围。从另一方面来看，第一像素块与第二像素块形成阵列中所包括的子阵列，且第三像素块362_3位于子阵列周围。
[0098]
如图3所示，转换增益cg1、转换增益cg2及转换增益cg3的分布是基于同心圆的概念进行设计。圆c2及圆c3的中心c1是阵列800的中心位置。位于阵列800的中心位置的第一像素块362_1具有第一转换增益cg1。位于圆c2上的第二像素块362_2包括第二转换增益cg2。位于圆c3上的第三像素块362_3包括第三转换增益cg3。第三转换增益cg3大于第二转换增益cg2，且第二转换增益cg2大于第一转换增益cg1，即cg3》cg2》cg1。也就是说，位于阵列800的中心位置的第一像素块362_1具有最小的转换增益cg1。
[0099]
因此，可根据以下公式来设计转换增益的分布：cg(r)＝cg(center)+f(r)，且cg(r)》cg(center)，其中cg(r)是位于阵列的特定位置的像素块的转换增益，且cg(center)是位于阵列的中心位置的像素块的转换增益且具有最小的转换增益。另外，f(r)是随半径r变化的变量，且半径r是阵列的中心位置与指定位置之间的距离。指定位置例如是指与阵列的中心位置之间的距离为r的位置。
[0100]
图4是根据本发明另一实施例的传感器阵列的示意图。参照图4，传感器阵列460可包括多个像素块462。像素块462排列成阵列700。像素块462中的每一者包括转换增益。像素块462中的每一者所包括的转换增益被标记在相应的块中。在本实施例中，转换增益cg1与转换增益cg2是不同的，且位于阵列700的中心位置的像素块462_1具有最小的转换增益cg1。也就是说，转换增益的分布可简化为两级转换增益。
[0101]
具体来说，像素块462包括多个第一像素块462_1及多个第二像素块462_2。第一像素块462_1形成阵列700中所包括的子阵列710。第一像素块462_1包括位于阵列700的中心位置的像素块。第二像素块462_2位于子阵列710周围。第一像素块462_1包括第一转换增益cg1，且第二像素块462_2包括第二转换增益cg2。在本实施例中，第二转换增益cg2大于第一转换增益cg1，即cg2》cg1。
[0102]
图5是根据本发明另一实施例的传感器阵列的示意图。参照图5，传感器阵列560可包括多个像素块562。像素块562排列成阵列600。像素块562中的每一者包括转换增益。像素块562中的每一者所包括的转换增益被标记在相应的块中。在本实施例中，转换增益cg1、转换增益cg2、转换增益cg3、转换增益cg4与转换增益cg5是不同的，且位于阵列600的中心位置的像素块562_1具有最小的转换增益cg1。也就是说，转换增益cg1、转换增益cg2、转换增益cg3、转换增益cg4与转换增益cg5中的至少两者是不同的。
[0103]
具体来说，像素块562包括第一像素块562_1、多个第二像素块562_2、多个第三像
素块562_3、多个第四像素块562_4及多个第五像素块562_5。位于阵列600的中心位置的第一像素块562_1具有第一转换增益cg1。第二像素块562_2包括第二转换增益cg2。第三像素块562_3包括第三转换增益cg3。第四像素块562_4包括第四转换增益cg4。第五像素块562_5包括第五转换增益cg5。第五转换增益cg5大于第四转换增益cg4，且第四转换增益cg4大于第三转换增益cg3，即cg5》cg4》cg3。第三转换增益cg3大于第二转换增益cg2，且第二转换增益cg2大于第一转换增益cg1，即cg3》cg2》cg1。也就是说，位于阵列600的中心位置的第一像素块462_1具有最小的转换增益cg1。
[0104]
参照图5，第二像素块562_2及第三像素块562_3位于第一像素块562_1周围。也就是说，第二像素块562_2及第三像素块562_3交替地排列在阵列600的第一环形区610中，且第一环形区610环绕第一像素块562_1。举例来说，第二像素块562_2位于阵列600的水平方向x及垂直方向y上且位于第一像素块562_1旁边，且第二像素块562_2中的任意两者在阵列600的水平方向x及垂直方向y上不相邻。另外，第三像素块562_3位于阵列600的对角线方向d1及对角线方向d2上且位于第一像素块562_1旁边，且第三像素块562_3中的任意两者在阵列600的水平方向x及垂直方向y上不相邻。
[0105]
另一方面，第四像素块562_4及第五像素块562_5位于第一环形区610周围。也就是说，第四像素块562_4及第五像素块562_5位于阵列600的第二环形区620中，且第二环形区620环绕第一环形区610。举例来说，第四像素块562_4位于阵列600的水平方向x及垂直方向y上，且第四像素块562_4中的至少两者在阵列600的水平方向x及垂直方向y上相邻。另外，第五像素块562_5位于阵列600的对角线方向d1及对角线方向d2上，且第五像素块562_5中的任意两者在阵列600的水平方向x及垂直方向y上不相邻。上述每一像素块会符合公式cg(r)＝cg(center)+f(r)，转换增益cg的变化由中心第一像素块562_1往外围增大，以同心圆的方式递增，举例而言，在对角线方向d1及对角线方向d2上，转换增益符合cg5》cg3》cg1，以及在水平方向x及垂直方向y上，转换增益符合cg4》cg2》cg1。
[0106]
图6是根据本发明实施例的指纹图像的示意图。图7是图6所示的线a-a’上的信号强度的分布图。在图7中，横轴表示图6所示的线a-a’的宽度，且纵轴表示信号强度。参照图1、图6及图7，图6的指纹图像fim是使用光学指纹传感器(例如，图1的指纹感测装置100)捕获的图像，且从传感器阵列110输出的感测信号121可通过如图3至图5中示出的梯度转换增益设计来增强。
[0107]
举例来说，曲线cv1是通过梯度转换增益设计进行增强的感测信号121的信号强度分布曲线，而曲线cv2是未被增强的分布曲线。在通过梯度转换增益设计增强之后，可提高区域701及区域702的信号强度，且曲线cv1的中心峰值仍保持不变。因此，指纹图像fim的线a-a’上存在的两个暗角cn1及cn2处的图像亮度可得到增强，且指纹图像fim的中心区域处的图像亮度不变。
[0108]
综上所述，在本发明的实施例中，根据梯度转换增益设计，像素块的转换增益中的至少两者是不同的，且位于传感器阵列的中心位置的像素块具有最小的转换增益。从传感器阵列输出的感测信号可通过梯度转换增益设计来增强。在感测信号增强后，指纹图像的暗角区的信号强度可提高，而指纹图像的中心部分的信号强度仍保持不变。因此，指纹图像的指纹特征也不会由于过度曝光而模糊，可提高指纹图像质量，并保持指纹识别的准确性。
[0109]
对于所述领域中的技术人员来说，在不背离本公开的范围或精神的条件下，可对
本公开的实施例进行各种修改及改变。鉴于以上所述，本公开旨在涵盖落入随附权利要求书及其等效内容的范围内的修改及变化。

技术特征：
1.一种指纹感测装置，包括：多个像素块，排列成阵列，且各所述像素块包括转换增益，其中所述转换增益中的至少两者是不同的，且位于所述阵列的中心位置的所述像素块具有最小的转换增益。2.根据权利要求1所述的指纹感测装置，其中所述多个像素块包括：多个第一像素块，形成所述阵列中所包括的子阵列，且各所述第一像素块包括第一转换增益；以及多个第二像素块，位于所述子阵列周围，且各所述第二像素块包括第二转换增益，其中所述第二转换增益大于所述第一转换增益，且所述多个第一像素块包括位于所述阵列的所述中心位置的所述像素块。3.根据权利要求1所述的指纹感测装置，其中所述多个像素块包括：第一像素块，包括第一转换增益；以及多个第二像素块，位于所述第一像素块周围，且各所述第二像素块包括第二转换增益，其中所述第二转换增益大于所述第一转换增益，且所述第一像素块是位于所述阵列的所述中心位置的所述像素块。4.根据权利要求3所述的指纹感测装置，其中所述多个像素块还包括：多个第三像素块，位于所述多个第二像素块周围，且各所述第三像素块包括第三转换增益，其中所述第三转换增益大于所述第二转换增益。5.根据权利要求1所述的指纹感测装置，其中所述多个像素块包括：第一像素块，包括第一转换增益；多个第二像素块，位于所述第一像素块周围，且各所述第二像素块包括第二转换增益；以及多个第三像素块，位于所述第一像素块周围，且各所述第三像素块包括第三转换增益，其中所述第三转换增益大于所述第二转换增益，所述第二转换增益大于所述第一转换增益，且所述第一像素块是位于所述阵列的所述中心位置的所述像素块。6.根据权利要求5所述的指纹感测装置，其中所述多个第二像素块及所述多个第三像素块交替地排列在所述阵列的第一环形区中，且所述第一环形区环绕所述第一像素块。7.根据权利要求6所述的指纹感测装置，其中所述多个第二像素块位于所述阵列的水平方向及垂直方向上且位于所述第一像素块旁边。8.根据权利要求7所述的指纹感测装置，其中所述多个第二像素块中的任意两者在所述阵列的所述水平方向及所述垂直方向上不相邻。9.根据权利要求6所述的指纹感测装置，其中所述多个第三像素块位于所述阵列的对角线方向上且位于所述第一像素块旁边。10.根据权利要求9所述的指纹感测装置，其中所述多个第三像素块中的任意两者在所述阵列的水平方向及垂直方向上不相邻。11.根据权利要求6所述的指纹感测装置，其中所述多个像素块还包括：多个第四像素块，位于所述阵列的第二环形区中，且各所述第四像素块包括第四转换增益；以及多个第五像素块，位于所述第二环形区中，且各所述第五像素块包括第五转换增益，
其中所述第五转换增益大于所述第四转换增益，所述第四转换增益大于所述第三转换增益，且所述第二环形区环绕所述第一环形区。12.根据权利要求11所述的指纹感测装置，其中所述多个第四像素块位于所述阵列的水平方向及垂直方向上。13.根据权利要求12所述的指纹感测装置，其中所述多个第四像素块中的至少两者在所述阵列的所述水平方向及所述垂直方向上相邻。14.根据权利要求11所述的指纹感测装置，其中所述多个第五像素块位于所述阵列的对角线方向上。15.根据权利要求14所述的指纹感测装置，其中所述多个第五像素块中的任意两者在所述阵列的水平方向及垂直方向上不相邻。16.根据权利要求1所述的指纹感测装置，其中各所述像素块包括多个像素电路，且各所述像素电路包括相同的转换增益。17.根据权利要求16所述的指纹感测装置，其中各所述像素电路包括：光电二极管，包括第一端及第二端，其中所述光电二极管的所述第一端耦合到第一电压；以及转移晶体管，包括第一端、第二端及控制端，其中所述转移晶体管的所述第一端耦合到所述光电二极管的所述第二端，所述转移晶体管的所述第二端耦合到相应的所述像素电路的浮动节点，且所述转移晶体管的所述控制端耦合到第一控制信号。18.根据权利要求17所述的指纹感测装置，其中所述转移晶体管根据所述转换增益将从所述光电二极管产生的电子转换成所述浮动节点处的感测电压，且所述转换增益是根据所述浮动节点处的电容值进行确定的。19.根据权利要求17所述的指纹感测装置，其中各所述像素电路还包括：复位晶体管，包括第一端、第二端及控制端，其中所述复位晶体管的所述第一端耦合到第二电压，所述复位晶体管的所述第二端耦合到所述浮动节点，且所述复位晶体管的所述控制端耦合到第二控制信号；以及源极跟随器，包括第一端、第二端及控制端，其中所述源极跟随器的所述第一端耦合到第三电压，所述源极跟随器的所述第二端经由感测线耦合到输出电路，且所述源极跟随器的所述控制端耦合到所述浮动节点。20.根据权利要求19所述的指纹感测装置，其中各所述像素电路还包括：行选择晶体管，包括第一端、第二端及控制端，其中所述行选择晶体管的所述第一端耦合到所述源极跟随器的所述第二端，所述行选择晶体管的所述第二端耦合到所述感测线，且所述行选择晶体管的所述控制端耦合到第三控制信号。21.根据权利要求1所述的指纹感测装置，其中所述像素块的转换增益符合底下分布：cg(r)＝cg(center)+f(r)，且cg(r)>cg(center)，其中cg(r)是位于所述阵列的指定位置的像素块的转换增益，cg(center)是位于所述阵列的中心位置的像素块的转换增益且具有最小的转换增益，且f(r)是随半径r变化的变量，且半径r是所述阵列的所述中心位置与所述指定位置之间的距离。

技术总结
一种指纹感测装置，包括多个像素块。多个像素块排列成阵列。各像素块包括转换增益。转换增益中的至少两者是不同的，且位于阵列的中心位置的像素块具有最小的转换增益。心位置的像素块具有最小的转换增益。心位置的像素块具有最小的转换增益。


技术研发人员：王淑芳 黄东海
受保护的技术使用者：联咏科技股份有限公司
技术研发日：2022.08.01
技术公布日：2023/8/1