显示装置和制造显示装置的方法

1.本公开的实施方式的各方面总体上涉及用于显示图像的显示装置和制造显示装置的方法。


背景技术：

2.显示装置以各种方式制造以及使用。显示装置可显示图像以向用户提供视觉信息。这种显示装置可包括使用液晶层发射光的液晶显示装置、使用无机发光二极管发射光的无机发光显示装置和使用有机发光二极管发射光的有机发光显示装置。
3.为了使用这种显示装置来显示高质量图像，可能期望在有限的显示区域中排列更多数量的像素。
4.在本背景技术部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此，其可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

5.本公开的一个或多个实施方式涉及用于显示图像的显示装置。
6.本公开的一个或多个实施方式涉及制造显示装置的方法。
7.根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管，阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表面的平坦区域。开关晶体管包括第一有源层、第一栅电极以及第一上电极和第二上电极，第一有源层在阻挡层上，第一有源层的至少一部分位于沟槽区域处，第一有源层包括沟道区域以及在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域，第一栅电极在第一有源层上，第一上电极和第二上电极在第一有源层上并且连接到第一有源层。
8.在实施方式中，沟道区域可位于沟槽区域中。
9.在实施方式中，沟槽区域可包括第一子沟槽区域、第二子沟槽区域和在第一子沟槽区域与第二子沟槽区域之间的鳍状区域。第一有源层可覆盖鳍状区域，并且可填充第一子沟槽区域的至少一部分和第二子沟槽区域的至少一部分。
10.在实施方式中，沟道区域可覆盖鳍状区域。
11.在实施方式中，驱动晶体管可包括在阻挡层的平坦区域上的第二有源层、在第二有源层上的第二栅电极以及在第二有源层上并连接到第二有源层的第三上电极和第四上电极。
12.在实施方式中，显示装置还可包括在阻挡层与第二有源层之间并与第二有源层重叠的下电极，并且下电极可通过第三上电极连接到第二有源层。
13.在实施方式中，显示装置还可包括在第三上电极上并电连接到第三上电极的发光元件。
14.在实施方式中，显示装置还可包括在衬底与阻挡层之间的蚀刻停止件。
15.在实施方式中，蚀刻停止件可包括选自由氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化铪、氧化钛和氧化锆构成的集群中的至少一种。
16.在实施方式中，蚀刻停止件可包括选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅构成的集群中的至少一种。
17.在实施方式中，沟槽区域可暴露衬底。
18.在实施方式中，显示装置还可包括在第一有源层与阻挡层之间的第一绝缘层、在第一有源层上与沟道区域重叠的第二绝缘层、覆盖第一栅电极、源区域和漏区域的第三绝缘层以及在第三绝缘层上覆盖第一上电极和第二上电极的第四绝缘层。第一栅电极可与第二绝缘层重叠。
19.在实施方式中，第三绝缘层可覆盖第一栅电极的侧表面和第二绝缘层的侧表面。
20.根据本公开的一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：在衬底上顺序地形成蚀刻之前的阻挡层和下导电层；在下导电层上形成光致抗蚀剂层；使用包括阻挡区域(在下文中可被称为无色调区域)、半色调区域和全色调区域的半色调掩模来曝光光致抗蚀剂层；在与全色调区域对应地曝光的区域中，通过对下导电层和蚀刻之前的阻挡层进行蚀刻来形成沟槽区域；去除在与半色调区域对应地曝光的区域中的光致抗蚀剂层；部分地去除在与阻挡区域对应地曝光的区域中的光致抗蚀剂层；通过对在与半色调区域对应地曝光的区域中的下导电层和在与全色调区域对应地曝光的区域中的光致抗蚀剂层进行蚀刻来形成下电极；形成开关晶体管，开关晶体管的至少一部分填充沟槽区域；以及在下电极上形成驱动晶体管。
21.在实施方式中，方法还可包括在形成蚀刻之前的阻挡层之前在衬底上形成蚀刻停止件。
22.在实施方式中，形成驱动晶体管可包括：在下电极上形成第一有源层，第一有源层具有平坦形状；在第一有源层上形成第一栅电极；以及形成在第一有源层上并且连接到第一有源层的第一上电极和第二上电极。
23.在实施方式中，方法还可包括形成在驱动晶体管上并且连接到驱动晶体管的发光元件。
24.在实施方式中，第一上电极可将下电极和第一有源层彼此连接，并且发光元件可连接到第一上电极。
25.在实施方式中，形成开关晶体管可包括：形成第二有源层，第二有源层的沟道区域的至少一部分位于沟槽区域中；在第二有源层上形成第二栅电极；以及形成在第二有源层上并且连接到第二有源层的第三上电极和第四上电极。
26.在实施方式中，形成沟槽区域可包括：形成第一子沟槽区域、第二子沟槽区域和在第一子沟槽区域与第二子沟槽区域之间的鳍状区域。
27.在实施方式中，形成开关晶体管可包括：形成第二有源层，第二有源层包括覆盖鳍状区域的沟道区域、与沟道区域的一端相邻并且位于第一子沟槽区域中的源区域以及与沟道区域的另一端相邻并且位于第二子沟槽区域中的漏区域；在第二有源层上形成第二栅电极；以及形成在第二有源层上并且连接到第二有源层的第三上电极和第四上电极。
28.在实施方式中，形成沟槽区域可包括：对蚀刻之前的阻挡层进行蚀刻以暴露沟槽区域中的衬底。
29.在实施方式中，形成沟槽区域可包括：在与全色调区域对应地曝光的区域中，同期对蚀刻之前的阻挡层和下导电层进行蚀刻。
30.根据本公开的一个或多个实施方式，因为第一有源层的至少一部分可布置在沟槽区域处(例如，在沟槽区域中或在沟槽区域上)，所以可在可保持或基本上保持第一有源层的长度的同时减小平面视图中开关晶体管的面积。相应地，可减小像素的面积，并且可在相同面积(例如，相同大小的区域)处(例如，在相同面积(例如，相同大小的区域)中或在相同面积(例如，相同大小的区域)上)布置更多像素。
31.然而，本公开不限于上述方面和特征，并且将理解的是，上面的一般描述和下面的详细描述两者被提供为实例，并且旨在提供如权利要求及其等同物中限定的本公开的方面和特征的进一步解释。
附图说明
32.通过参照附图的示出性、非限制性的实施方式的下面的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其它的方面和特征。
33.图1是示出根据实施方式的显示装置的平面视图。
34.图2是根据实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。
35.图3是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。
36.图4至图14是示出根据实施方式的制造图1的显示装置的方法的各种工艺的剖视图。
37.图15是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。
38.图16至图26是示出根据另一实施方式的制造图1的显示装置的方法的各种工艺的剖视图。
39.图27是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。
40.图28是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。
41.图29至图36是示出根据另一实施方式的制造图1的显示装置的方法的各种工艺的剖视图。
42.图37是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。
43.图38至图45是示出根据另一实施方式的制造图1的显示装置的方法的各种工艺的剖视图。
具体实施方式
44.在下文中，将参照附图对实施方式更详细地描述，在附图中类似的附图标记始终是指类似的元件。然而，本公开可以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于本文中所示的实施方式。相反，这些实施方式被提供为实例以使得本公开将为透彻和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本公开的方面和特征。相应地，为了本公开的方面和特征的完整理解对本领域普通技术人员不必要的工艺、元件和技术可不被描述。除非另有注释，否则在整个附图和书面描述中，类似的附图标记表示类似的元件，并且因此，其冗余描述可不重复。
45.当某实施方式可以不同方式实现时，具体工艺顺序可与描述的顺序不同。例如，两
个连续描述的工艺可同时或基本上同时执行，或者可以与描述的顺序相反的顺序执行。
46.在附图中，为了清楚，元件、层和区的相对尺寸可被夸大和/或简化。空间相对术语诸如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“下面(under)”、“上方(above)”、“上(upper)”和类似词可在本文中出于解释的便利而用于描述如图中所示的一个元件或者特征与另一元件或者特征(另一些元件或者特征)的关系。将理解的是，除了图中所示的取向以外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或者特征“下方(below)”或“之下(beneath)”或“下面(under)”的元件将随后被取向在其它元件或特征“上方(above)”。因此，示例术语“下方(below)”和“下面(under)”能够涵盖上方和下方的取向两者。装置可以其它方式取向(例如，旋转90度或者在其它取向处)，并且在本文中所使用的空间相对描述词应被相应地解释。
47.将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区、层或者部分与另一元件、部件、区、层或者部分区分开。因此，以下描述的第一元件、部件、区、层或者部分能够在不背离本公开的精神和范围的情况下被称作第二元件、部件、区、层或者部分。
48.将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或者“联接到”另一元件或层时，该元件或层能够直接在另一元件或层上、直接连接到或者直接联接到另一元件或层，或者可存在一个或多个居间元件或ipa2208kr0960sd
49.居间层。相似地，当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时，其可直接电连接到另一层、区域或元件，和/或可在一个或多个居间层、居间区域或居间元件介于其间的情况下间接地电连接。此外，也将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件或层能够为两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可存在一个或多个居间元件或居间层。
50.本文中所使用的专业用语出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在对本公开的限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”和“一(an)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和“具有(having)”在本说明书中使用时，说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或者多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或者添加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如，表述“a和/或b”表示a、b、或a和b。当诸如
“……
中的至少一个”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件，并且不修饰该列中的个别元件。例如，表述“a、b或c中的至少一个”、“a、b和c中的至少一个”和“选自由a、b和c构成的集群中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部、或者其变体。
51.如本文中所使用的，术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及相似术语被用作近似的术语且不被用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施方式时“可(may)”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使
用(used)”可被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。此外，术语“示例性”旨在是指实例或者图示。
52.除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属的领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确如此限定，否则术语(诸如常用词典中限定的那些)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来解释。
53.图1是示出根据实施方式的显示装置的平面视图。
54.参照图1，显示装置dd可包括显示区域da和非显示区域nda。非显示区域nda可布置为围绕显示区域da(例如，在显示区域da的外围周围)。然而，非显示区域nda可布置为与显示区域da的至少一侧相邻。
55.在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)可布置有多个像素p。多个像素p可包括驱动元件(例如，晶体管)和连接到驱动元件的发光元件(例如，有机发光二极管)。发光元件可从驱动元件接收信号以发射光。这样，显示装置dd可通过从多个像素p发射光来显示图像。相应地，多个像素p可大致布置在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)。例如，多个像素p可以矩阵形式排列在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)。
56.在非显示区域nda处(例如，在非显示区域nda中或在非显示区域nda上)可布置有驱动部(例如，驱动器)。驱动部可包括数据驱动部(例如，数据驱动器)、栅极驱动部(例如，栅极驱动器或扫描驱动器)、发射驱动部(例如，发射驱动器)、电源电压发生器、时序控制器和/或类似物。多个像素p可基于从驱动部接收的信号来发射光。
57.图2是根据实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。
58.参照图1和图2，显示装置dd可包括衬底sub、阻挡层bar、下电极bml、缓冲层buf、第一开关晶体管swt1、第一驱动晶体管drt1、栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild、钝化层pvx、通孔绝缘层via、发光元件和像素限定层pdl。
59.第一开关晶体管swt1可包括第一有源层act1、第一栅电极gat1、第一上电极se1和第二上电极de1。第一驱动晶体管drt1可包括第二有源层act2、第二栅电极gat2、第三上电极se2和第四上电极de2。发光元件可包括阳极ano、发光层el和阴极cath。
60.衬底sub可包括玻璃或塑料。当衬底sub由玻璃制成时，衬底sub可具有刚性。然而，即使衬底sub由玻璃制成，衬底sub也可通过对玻璃进行图案化而具有延展性。当衬底sub由塑料制成时，衬底sub可具有柔性。塑料的实例可包括(例如，可为)聚酰亚胺。此外，各种合适的材料可用作衬底sub的材料。
61.阻挡层bar可布置在衬底sub上。阻挡层bar可包括沟槽区域tr和围绕沟槽区域tr(例如，在沟槽区域tr的外围周围)的平坦区域ft。如图2中所示，在一些实施方式中，沟槽区域tr可穿透阻挡层bar的整个厚度以暴露衬底sub，但本公开不限于此。阻挡层bar可包括无机绝缘材料。无机绝缘材料的实例可包括(例如，可为)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似物。这些无机绝缘材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
62.下电极bml可布置在阻挡层bar的平坦区域ft上。下电极bml可从第一驱动晶体管drt1下面(例如，底下)连接到第一驱动晶体管drt1。此外，下电极bml可电连接到阳极ano。
下电极bml可将信号发送到驱动元件和/或发光元件。下电极bml可包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料和/或类似物。可用作下电极bml的材料的实例可包括(例如，可为)银、含银合金、钼、含钼合金、铝、含铝合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、镍、铬、氮化铬、钛、钽、铂、钪、氧化铟锡、氧化铟锌和/或类似物。这些材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
63.缓冲层buf可布置在阻挡层bar上以覆盖下电极bml。缓冲层buf可布置在沟槽区域tr处(例如，在沟槽区域tr中或在沟槽区域tr上)。缓冲层buf可包括无机绝缘材料。无机绝缘材料的实例可包括(例如，可为)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似物。这些无机绝缘材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。缓冲层buf可防止或基本上防止金属原子和/或杂质扩散到第一有源层act1和第二有源层act2中。此外，缓冲层buf可控制在用于形成第一有源层act1和第二有源层act2的结晶工艺期间提供到第一有源层act1和第二有源层act2的热的速率。
64.第一有源层act1和第二有源层act2可布置在缓冲层buf上。第一有源层act1可包括第一源区域sa1、第一沟道区域ch1和第一漏区域da1。第一源区域sa1和第一漏区域da1可布置在平坦区域ft上。第一沟道区域ch1的至少一部分可布置在沟槽区域tr处(例如，在沟槽区域tr中或在沟槽区域tr上)。如图2中所示，在平面视图中，第一沟道区域ch1的整体(例如，所有)可与沟槽区域tr重叠。然而，本公开不限于此。例如，第一沟道区域ch1的至少一部分可与平坦区域ft重叠。
65.第二有源层act2可布置在下电极bml上。例如，第二有源层act2可与下电极bml重叠。相应地，第一驱动晶体管drt1可确保饱和以及驱动范围。第二有源层act2可包括第二源区域sa2、第二沟道区域ch2和第二漏区域da2。第二有源层act2可具有平坦或基本上平坦的形状。
66.因为第一有源层act1的第一沟道区域ch1布置在沟槽区域tr处(例如，在沟槽区域tr中或在沟槽区域tr上)，所以可在保持或基本上保持第一沟道区域ch1的长度的同时减小平面视图中第一开关晶体管swt1的面积。相应地，显示装置dd可在保持或基本上保持第一开关晶体管swt1的性能的同时包括减小的平面视图中像素p的面积。
67.第一有源层act1和第二有源层act2可包括硅半导体。硅半导体的实例可包括(例如，可为)非晶硅、多晶硅和/或类似物。作为另一实例，第一有源层act1和第二有源层act2可包括氧化物半导体。氧化物半导体的实例可包括(例如，可为)氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化铟锌和/或类似物。
68.栅极绝缘层gi可布置在第一有源层act1和第二有源层act2上。栅极绝缘层gi可布置为仅与第一沟道区域ch1和第二沟道区域ch2重叠。与第一有源层act1重叠的栅极绝缘层gi可布置在沟槽区域tr处(例如，在沟槽区域tr中或在沟槽区域tr上)。栅极绝缘层gi可包括无机绝缘材料。无机绝缘材料的实例可包括(例如，可为)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似物。这些无机绝缘材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
69.第一栅电极gat1和第二栅电极gat2可布置在栅极绝缘层gi上。第一栅电极gat1和第二栅电极gat2可布置为与栅极绝缘层gi重叠。相应地，在通过用掺杂剂对第一源区域sa1、第二源区域sa2、第一漏区域da1和第二漏区域da2进行掺杂来形成它们的工艺中，第一栅电极gat1和第二栅电极gat2可用作掩模。第一栅电极gat1和第二栅电极gat2可包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料和/或类似物。可用作第一栅电极gat1和第二栅电极
gat2的材料的实例可包括(例如，可为)银、含银合金、钼、含钼合金、铝、含铝合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、镍、铬、氮化铬、钛、钽、铂、钪、氧化铟锡、氧化铟锌和/或类似物。这些材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
70.层间绝缘层ild可布置在缓冲层buf上，以覆盖第一有源层act1、第二有源层act2、第一栅电极gat1和第二栅电极gat2。例如，层间绝缘层ild可覆盖第一有源层act1的第一源区域sa1和第一漏区域da1。作为另一实例，层间绝缘层ild可覆盖第二有源层act2的第二源区域sa2和第二漏区域da2。在这种情况下，层间绝缘层ild可覆盖第一栅电极gat1的侧表面和栅极绝缘层gi的侧表面。层间绝缘层ild可包括无机绝缘材料。无机绝缘材料的实例可包括(例如，可为)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似物。这些无机绝缘材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
71.第一上电极se1、第二上电极de1、第三上电极se2和第四上电极de2可布置在层间绝缘层ild上。第一上电极se1可通过接触孔连接到第一源区域sa1。第二上电极de1可通过接触孔连接到第一漏区域da1。第三上电极se2可通过接触孔连接到第二源区域sa2。第四上电极de2可通过接触孔连接到第二漏区域da2。第一上电极se1和第二上电极de1可基于施加到第一栅电极gat1的信号而彼此电连接。第三上电极se2和第四上电极de2可基于施加到第二栅电极gat2的信号而彼此电连接。第一上电极se1、第二上电极de1、第三上电极se2和第四上电极de2可包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料和/或类似物。可用作第一上电极se1、第二上电极de1、第三上电极se2和第四上电极de2的材料的实例可包括(例如，可为)银、含银合金、钼、含钼合金、铝、含铝合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、镍、铬、氮化铬、钛、钽、铂、钪、氧化铟锡、氧化铟锌和/或类似物。这些材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
72.钝化层pvx可布置在层间绝缘层ild上，以覆盖第一上电极se1、第二上电极de1、第三上电极se2和第四上电极de2。钝化层pvx可包括无机绝缘材料。无机绝缘材料的实例可包括(例如，可为)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似物。这些无机绝缘材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
73.通孔绝缘层via可布置在钝化层pvx上。通孔绝缘层via可包括有机绝缘材料。有机绝缘材料的实例可包括(例如，可为)光致抗蚀剂、聚丙烯酸型树脂、聚酰亚胺型树脂、丙烯酸树脂和/或类似物。这些有机绝缘材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
74.然而，本公开不限于此，并且在一些实施方式中，可省略(例如，可不布置)钝化层pvx。在这种情况下，通孔绝缘层via可布置在层间绝缘层ild上，以覆盖第一上电极se1、第二上电极de1、第三上电极se2和第四上电极de2。
75.阳极ano可布置在通孔绝缘层via上。阳极ano可通过接触孔连接到第一驱动晶体管drt1。例如，阳极ano可通过接触孔连接到第三上电极se2。阳极ano可包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料和/或类似物。可用作阳极ano的材料的实例可包括(例如，可为)银、含银合金、钼、含钼合金、铝、含铝合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、镍、铬、氮化铬、钛、钽、铂、钪、氧化铟锡、氧化铟锌和/或类似物。这些材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
76.像素限定层pdl可布置在通孔绝缘层via上。在像素限定层pdl中可形成有暴露阳极ano的开口。像素限定层pdl可包括有机绝缘材料。
77.发光层el可布置在阳极ano和像素限定层pdl上。发光层el可包括用于发射合适颜色(例如，预定或预设颜色)的光的有机材料。例如，发光层el可包括用于发射蓝色光的有机材料。在这种情况下，发光层el可具有多个蓝色有机发光层堆叠的结构。例如，发光层el可具有三个蓝色有机发光层堆叠的结构。
78.作为另一实例，发光层el可具有多个蓝色有机发光层和用于发射不同颜色的光的有机发光层堆叠的结构。例如，发光层el可具有三个蓝色有机发光层和一个绿色有机发光层堆叠的结构。
79.阴极cath可布置在发光层el上。阴极cath可包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料和/或类似物。可用作阴极cath的材料的实例可包括(例如，可为)银、含银合金、钼、含钼合金、铝、含铝合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、镍、铬、氮化铬、钛、钽、铂、钪、氧化铟锡、氧化铟锌和/或类似物。这些材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
80.图3是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。图3可与图2相同或基本上相同，除了阻挡层bar的沟槽区域tr可不暴露衬底sub之外。除了沟槽区域tr之外，图3中所示的其它元件可与以上参照图2描述的元件相同或基本上相同，并且因此，可不重复其冗余描述。
81.如图3中所示，在一些实施方式中，沟槽区域tr可部分穿透阻挡层bar的厚度，以使得可不暴露衬底sub。虽然有源层(例如，第一有源层act1)被示出为布置在图2和图3的沟槽区域tr处(例如，在沟槽区域tr中或在沟槽区域tr上)，但不仅有源层，而且其它合适的元件可布置在沟槽区域tr处(例如，在沟槽区域tr中或在沟槽区域tr上)以减小平面视图中像素的面积。例如，显示装置dd还可包括电容器，并且包括在电容器中的电极可布置在沟槽区域tr处(例如，在沟槽区域tr中或在沟槽区域tr上)。
82.图4至图14是示出根据实施方式的制造图1的显示装置的方法的各种工艺的剖视图。
83.参照图4，可将阻挡层bar和下导电层hbml布置在衬底sub上。在下导电层hbml上可大面积布置光致抗蚀剂层pr。光致抗蚀剂层pr可使用半色调掩模被曝光。半色调掩模可包括全色调区域、半色调区域和无色调区域。在制造显示装置的方法的描述中，阻挡层bar可是指蚀刻之前的阻挡层bar。
84.可通过曝光工艺和显影工艺去除光致抗蚀剂层pr的与全色调区域对应的第一区域fta。可通过曝光工艺和显影工艺部分地去除光致抗蚀剂层pr的与半色调区域对应的第二区域hta。光致抗蚀剂层pr的与无色调区域对应的第三区域nta可不被去除。
85.参照图4和图5，可通过蚀刻工艺去除阻挡层bar和下导电层hbml的与第一区域fta重叠的区域。相应地，可形成沟槽区域tr。阻挡层bar和下导电层hbml可通过相同或基本上相同的工艺彼此同期(例如，同步)蚀刻。
86.参照图4和图6，可去除第二区域hta中的光致抗蚀剂层pr。在这种情况下，可部分地去除第三区域nta中的光致抗蚀剂层pr。可通过灰化工艺或剥离工艺来去除光致抗蚀剂层pr。
87.参照图4和图7，可对下导电层hbml进行蚀刻。在这种情况下，可对第二区域hta中的下导电层hbml进行蚀刻，并且可对第三区域nta中的光致抗蚀剂层pr进行蚀刻。相应地，可形成下电极bml。
88.参照图8，可在平坦区域ft和沟槽区域tr上大面积布置缓冲层buf。缓冲层buf可布置为覆盖下电极bml。缓冲层buf可沿沟槽区域tr的轮廓布置在沟槽区域tr中。
89.参照图9，可在缓冲层buf上形成第一有源层act1和第二有源层act2。第一有源层act1和第二有源层act2可通过对施涂在缓冲层buf上的半导体材料进行图案化来形成。在这种情况下，第一有源层act1的至少一部分可布置在沟槽区域tr中，并且第二有源层act2可布置为与平坦区域ft上的下电极bml重叠。第一有源层act1可沿沟槽区域tr的轮廓布置在沟槽区域tr中，并且第二有源层act2可布置为具有平坦或基本上平坦的形状。
90.参照图10，可形成栅极绝缘层gi、第一栅电极gat1和第二栅电极gat2。栅极绝缘层gi可形成为在第一有源层act1上与第一有源层act1的部分重叠，并且可形成为在第二有源层act2上与第二有源层act2的部分重叠。第一栅电极gat1可形成为在栅极绝缘层gi上与第一有源层act1的部分重叠，并且第二栅电极gat2可形成为在栅极绝缘层gi上与第二有源层act2的部分重叠。
91.可用掺杂剂对第一有源层act1的相对端和第二有源层act2的相对端进行掺杂。在这种情况下，当用掺杂剂对第一有源层act1进行掺杂时，第一栅电极gat1可用作掩模，并且当用掺杂剂对第二有源层act2进行掺杂时，第二栅电极gat2可用作掩膜。相应地，仅第一有源层act1的相对端和第二有源层act2的相对端可掺杂有掺杂剂。因此，可形成第一源区域sa1、第一漏区域da1、第二源区域sa2和第二漏区域da2。
92.参照图11，可在缓冲层buf上布置层间绝缘层ild。层间绝缘层ild可布置为覆盖第一源区域sa1、第一漏区域da1、第二源区域sa2、第二漏区域da2、第一栅电极gat1和第二栅电极gat2。在这种情况下，层间绝缘层ild可覆盖栅极绝缘层gi的侧表面。可在层间绝缘层ild中形成暴露第一源区域sa1、第一漏区域da1、第二源区域sa2和第二漏区域da2的接触孔。
93.参照图12，可在层间绝缘层ild上将第一上电极se1、第二上电极de1、第三上电极se2和第四上电极de2形成为填充接触孔。第一上电极se1、第二上电极de1、第三上电极se2和第四上电极de2可通过对形成在层间绝缘层ild上的导电层进行图案化来形成。
94.参照图13，可在层间绝缘层ild上形成钝化层pvx，并且可在钝化层pvx上形成通孔绝缘层via。此后，可形成暴露第三上电极se2的接触孔，并且可在通孔绝缘层via上将阳极ano形成为填充接触孔。可在通孔绝缘层via上将像素限定层pdl布置为限定有暴露阳极ano的开口。
95.参照图14，可在像素限定层pdl和阳极ano上形成发光层el，并且可在发光层el上形成阴极cath。
96.根据制造显示装置的方法的一个或多个实施方式，第一开关晶体管swt1的第一有源层act1可沿沟槽区域tr的轮廓布置在沟槽区域tr处(例如，在沟槽区域tr中或在沟槽区域tr上)。相应地，可在可保持或基本上保持第一沟道区域ch1的长度的同时减小平面视图中第一开关晶体管swt1的面积。相应地，可减小平面视图中像素p的面积，并且可在相同面积中(例如，在相同大小的区域中)布置更多像素p。
97.图15是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。图15可与图2相同或基本上相同，除了还包括蚀刻停止件ets之外。除了蚀刻停止件ets之外，图15中所示的其它元件可与以上参照图2描述的元件相同或基本上相同，并且因此，可不重复其冗余描述，并且
可在下文中主要描述图2和图15的实施方式之间的差异。
98.参照图15，在一些实施方式中，蚀刻停止件ets可进一步布置在衬底sub与阻挡层bar之间。相应地，当在阻挡层bar中形成沟槽区域tr时，蚀刻停止件ets可防止或基本上防止由于过度蚀刻而对衬底sub的损坏。此外，蚀刻停止件ets可用于帮助沟槽区域tr具有均匀或基本上均匀的深度。
99.在实施方式中，蚀刻停止件ets可包括无机绝缘材料。无机绝缘材料的实例可包括(例如，可为)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似物。这些无机绝缘材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。作为另一实例，蚀刻停止件ets可包括氧化物。氧化物的实例可包括(例如，可为)氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化铪、氧化钛、氧化锆和/或类似物。这些氧化物可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
100.图16至图26是示出根据另一实施方式的制造图1的显示装置的方法的各种工艺的剖视图。
101.图16至图26中所示的方法可与图4至图14中所示的方法相同或基本上相同，除了还形成蚀刻停止件ets之外。例如，如图16中所示，可在衬底sub上布置蚀刻停止件ets、阻挡层bar和下导电层hbml，并且可在下导电层hbml上大面积布置光致抗蚀剂层pr。此后，图16至图26中所示的方法可与以上参照图4至图14描述的方法相同或基本上相同，并且因此，将不重复其冗余描述。
102.图27是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。
103.参照图1和图27，显示装置dd可包括衬底sub、阻挡层bar、下电极bml、缓冲层buf、第二开关晶体管swt2、第二驱动晶体管drt2、栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild、钝化层pvx、通孔绝缘层via、发光元件和像素限定层pdl。
104.第二开关晶体管swt2可包括第三有源层act3、第三栅电极gat3、第五上电极se3和第六上电极de3。第二驱动晶体管drt2可包括第四有源层act4、第四栅电极gat4、第七上电极se4和第八上电极de4。发光元件可包括阳极ano、发光层el和阴极cath。
105.阻挡层bar可布置在衬底sub上。阻挡层bar可包括沟槽区域和平坦区域ft。沟槽区域可包括第一子沟槽区域str1、第二子沟槽区域str2和鳍状区域fin。鳍状区域fin可布置在第一子沟槽区域str1与第二子沟槽区域str2之间。如图27中所示，在一些实施方式中，第一子沟槽区域str1和第二子沟槽区域str2可穿透阻挡层bar的整个厚度以暴露衬底sub，但本公开不限于此。
106.下电极bml可布置在阻挡层bar上。下电极bml可布置在阻挡层bar的平坦区域ft上。
107.缓冲层buf可布置在衬底sub和阻挡层bar上。缓冲层buf可布置为覆盖沟槽区域和平坦区域ft。
108.第三有源层act3可布置在缓冲层buf上。第三有源层act3可包括第三源区域sa3、第三沟道区域ch3和第三漏区域da3。第三沟道区域ch3可布置为覆盖鳍状区域fin。在这种情况下，第三沟道区域ch3的部分可布置在第一子沟槽区域str1处(例如，在第一子沟槽区域str1中或在第一子沟槽区域str1上)，并且第三沟道区域ch3的另一部分可布置在第二子沟槽区域str2处(例如，在第二子沟槽区域str2中或在第二子沟槽区域str2上)。这样，第三沟道区域ch3覆盖鳍状区域fin，并且布置在第一子沟槽区域str1和第二子沟槽区域str2处
(例如，在第一子沟槽区域str1和第二子沟槽区域str2中或在第一子沟槽区域str1和第二子沟槽区域str2上)，以使得可在保持或基本上保持第三沟道区域ch3的长度的同时减小平面视图中第三沟道区域ch3的面积。相应地，可减小平面视图中像素p的面积，并且可在相同区域(例如，相同大小的区域)中布置更多的像素p。
109.第四有源层act4可布置在缓冲层buf上。第四有源层act4可包括第四源区域sa4、第四沟道区域ch4和第四漏区域da4。第四有源层act4可布置在平坦区域ft上。相应地，第四有源层act4可具有平坦或基本上平坦的形状。第四有源层act4可布置为与下电极bml重叠。相应地，第二驱动晶体管drt2可确保饱和以及驱动范围。
110.栅极绝缘层gi和第三栅电极gat3可在第三有源层act3上布置为与第三沟道区域ch3重叠。此外，栅极绝缘层gi和第四栅电极gat4可在第四有源层act4上布置为与第四沟道区域ch4重叠。
111.层间绝缘层ild可布置为覆盖第三源区域sa3、第三栅电极gat3、第三漏区域da3、第四源区域sa4、第四栅电极gat4和第四漏区域da4。在这种情况下，层间绝缘层ild可覆盖栅极绝缘层gi的侧表面。
112.第五上电极se3、第六上电极de3、第七上电极se4和第八上电极de4可布置在层间绝缘层ild上。第五上电极se3和第六上电极de3可通过接触孔连接到第三源区域sa3和第三漏区域da3。第七上电极se4和第八上电极de4可通过接触孔连接到第四源区域sa4和第四漏区域da4。
113.图27中所示的钝化层pvx、通孔绝缘层via、发光元件和像素限定层pdl可与以上参照图2描述的钝化层pvx、通孔绝缘层via、发光元件和像素限定层pdl相同或基本上相同，并且因此，将不重复其冗余描述。
114.图28是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。图28可与图27相同或基本上相同，除了第一子沟槽区域str1和第二子沟槽区域str2可不暴露衬底sub之外。除了第一子沟槽区域str1和第二子沟槽区域str2之外，图28中所示的其它元件可与以上参照图27描述的元件相同或基本上相同，并且因此，可不重复其冗余描述。
115.如图28中所示，在一些实施方式中，第一子沟槽区域str1和第二子沟槽区域str2可部分穿透阻挡层bar的厚度，以使得可不暴露衬底sub。
116.图29至图36是示出根据另一实施方式的制造图1的显示装置的方法的各种工艺的剖视图。
117.参照图29，可在衬底sub上顺序地堆叠阻挡层bar和下导电层hbml。在下导电层hbml上大面积形成光致抗蚀剂层pr，并且光致抗蚀剂层pr可通过使用半色调掩模被曝光，以便通过显影工艺被选择性去除。半色调掩模可包括全色调区域、半色调区域和无色调区域。
118.光致抗蚀剂层pr的与全色调区域对应的第一区域fta可通过曝光工艺被曝光，以便通过显影工艺被完全去除。光致抗蚀剂层pr的与半色调区域对应的第二区域hta可通过曝光工艺被曝光，以便通过显影工艺被部分地去除。通过曝光工艺和显影工艺，光致抗蚀剂层pr的与无色调区域对应的第三区域nta可被曝光而不被去除。
119.参照图30，可通过蚀刻工艺去除与第一区域fta重叠的区域中的阻挡层bar和下导电层hbml。相应地，可在阻挡层bar中形成沟槽区域和平坦区域ft。沟槽区域可包括第一子
沟槽区域str1、第二子沟槽区域str2和鳍状区域fin。阻挡层bar和下导电层hbml可通过相同或基本上相同的工艺彼此同期(例如，同步)蚀刻。
120.参照图31，可完全去除第二区域hta中的光致抗蚀剂层pr，并且可通过灰化工艺或剥离工艺部分地去除第三区域nta中的光致抗蚀剂层pr。
121.参照图32，可去除鳍状区域fin中的下导电层hbml，并且可通过蚀刻工艺完全去除第三区域nta中的光致抗蚀剂层pr。相应地，可形成下电极bml。
122.参照图33，可在阻挡层bar上将缓冲层buf形成为覆盖下电极bml。
123.参照图34，可将第三有源层act3形成为覆盖鳍状区域fin。第三有源层act3的部分可布置在第一子沟槽区域str1处(例如，在第一子沟槽区域str1中或在第一子沟槽区域str1上)，并且第三有源层act3的另一部分可布置在第二子沟槽区域str2处(例如，在第二子沟槽区域str2中或在第二子沟槽区域str2上)。换句话说，第三有源层act3可沿沟槽区域的轮廓布置。
124.可在平坦区域ft上布置第四有源层act4。第四有源层act4可具有平坦或基本上平坦的形状。
125.图35和图36中所示的工艺可与以上参照图10至图14描述的工艺相同或基本上相同，并且因此，将不重复其冗余描述。
126.图37是根据另一实施方式的沿图1的线i-i'截取的剖视图。图37可与图27相同或基本上相同，除了还包括蚀刻停止件ets之外。除了蚀刻停止件ets之外，图37中所示的其它元件可与以上参照图27描述的元件相同或基本上相同，并且因此，可不重复其冗余描述，并且可在下文中主要描述图27和图37的实施方式之间的差异。
127.参照图37，蚀刻停止件ets可布置在衬底sub与阻挡层bar之间。因此，当在阻挡层bar中形成沟槽区域tr时，蚀刻停止件ets可防止或基本上防止由于过度蚀刻而对衬底sub的损坏。此外，蚀刻停止件ets可用于帮助沟槽区域tr具有均匀或基本上均匀的深度。
128.在实施方式中，蚀刻停止件ets可包括无机绝缘材料。无机绝缘材料的实例可包括(例如，可为)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似物。这些无机绝缘材料可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。作为另一实例，蚀刻停止件ets可包括氧化物。氧化物的实例可包括(例如，可为)氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化铪、氧化钛、氧化锆和/或类似物。这些氧化物可单独使用或以彼此任何合适的组合使用。
129.图38至图45是示出根据另一实施方式的制造图1的显示装置的方法的各种工艺的剖视图。
130.图38至图45中所示的方法可与图29至图36中所示的方法相同或基本上相同，除了还形成蚀刻停止件ets之外。例如，如图38中所示，可在衬底sub上顺序地形成蚀刻停止件ets、阻挡层bar和下导电层hbml，并且可在下导电层hbml上大面积布置光致抗蚀剂层pr。此后，图38至图45中所示的方法可与以上参照图29至图36描述的方法相同或基本上相同，并且因此，将不重复其冗余描述。
131.尽管已描述了一些实施方式，但本领域技术人员将轻易领会的是，在不背离本公开的精神和范围的情况下，在实施方式中各种修改是可能的。将理解的是，除非另有描述，否则每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。因此，如对本领域普通技术人员显而易见的，除非另有具体指示，否则结合
特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，将理解的是，前面的内容为示出性的各种示例实施方式，并且将不被解释为限于本文中公开的具体实施方式，并且对公开的实施方式以及其它示例实施方式的各种修改旨在包括在如随附的权利要求及其等同物中所限定的本公开的精神和范围内。

技术特征：
1.一种显示装置，包括：衬底；阻挡层，所述阻挡层在所述衬底上，并且包括：沟槽区域，所述沟槽区域在朝向所述衬底的方向上凹陷；以及平坦区域，所述平坦区域围绕所述沟槽区域，并且具有平坦的上表面；以及开关晶体管和驱动晶体管，所述开关晶体管和所述驱动晶体管在所述阻挡层上，其中，所述开关晶体管包括：第一有源层，所述第一有源层在所述阻挡层上，所述第一有源层的至少一部分位于所述沟槽区域处，所述第一有源层包括沟道区域以及在所述沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域；第一栅电极，所述第一栅电极在所述第一有源层上；以及第一上电极和第二上电极，所述第一上电极和所述第二上电极在所述第一有源层上并且连接到所述第一有源层。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟道区域位于所述沟槽区域中。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽区域包括第一子沟槽区域、第二子沟槽区域和在所述第一子沟槽区域与所述第二子沟槽区域之间的鳍状区域，并且其中，所述第一有源层覆盖所述鳍状区域，并且填充所述第一子沟槽区域的至少一部分和所述第二子沟槽区域的至少一部分。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述沟道区域覆盖所述鳍状区域。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管包括：第二有源层，所述第二有源层在所述阻挡层的所述平坦区域上；第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二有源层上；以及第三上电极和第四上电极，所述第三上电极和所述第四上电极在所述第二有源层上并且连接到所述第二有源层。6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：下电极，所述下电极在所述阻挡层与所述第二有源层之间，并且与所述第二有源层重叠，并且其中，所述下电极通过所述第三上电极连接到所述第二有源层。7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：发光元件，所述发光元件在所述第三上电极上，并且电连接到所述第三上电极。8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：蚀刻停止件，所述蚀刻停止件在所述衬底与所述阻挡层之间。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括选自由氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化铪、氧化钛和氧化锆构成的集群中的至少一种。10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止件包括选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅构成的集群中的至少一种。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽区域暴露所述衬底。12.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一有源层与所述阻挡层之间；
第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一有源层上与所述沟道区域重叠；第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述第一栅电极、所述源区域和所述漏区域；以及第四绝缘层，所述第四绝缘层在所述第三绝缘层上覆盖所述第一上电极和所述第二上电极，其中，所述第一栅电极与所述第二绝缘层重叠。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第一栅电极的侧表面和所述第二绝缘层的侧表面。14.一种制造显示装置的方法，包括：在衬底上顺序地形成蚀刻之前的阻挡层和下导电层；在所述下导电层上形成光致抗蚀剂层；使用包括阻挡区域、半色调区域和全色调区域的半色调掩模来曝光所述光致抗蚀剂层；在与所述全色调区域对应地曝光的区域中，通过对所述下导电层和蚀刻之前的所述阻挡层进行蚀刻来形成沟槽区域；去除在与所述半色调区域对应地曝光的区域中的所述光致抗蚀剂层；部分地去除在与所述阻挡区域对应地曝光的区域中的所述光致抗蚀剂层；通过对在与所述半色调区域对应地曝光的所述区域中的所述下导电层和在与所述全色调区域对应地曝光的所述区域中的所述光致抗蚀剂层进行蚀刻来形成下电极；形成开关晶体管，所述开关晶体管的至少一部分填充所述沟槽区域；以及在所述下电极上形成驱动晶体管。15.根据权利要求14所述的方法，还包括：在形成蚀刻之前的所述阻挡层之前，在所述衬底上形成蚀刻停止件。16.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述驱动晶体管包括：在所述下电极上形成第一有源层，所述第一有源层具有平坦形状；在所述第一有源层上形成第一栅电极；以及形成在所述第一有源层上并且连接到所述第一有源层的第一上电极和第二上电极。17.根据权利要求16所述的方法，还包括：形成在所述驱动晶体管上并且连接到所述驱动晶体管的发光元件。18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一上电极将所述下电极和所述第一有源层彼此连接，并且所述发光元件连接到所述第一上电极。19.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述开关晶体管包括：形成第二有源层，所述第二有源层的沟道区域的至少一部分位于所述沟槽区域中；在所述第二有源层上形成第二栅电极；以及形成在所述第二有源层上并且连接到所述第二有源层的第三上电极和第四上电极。20.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述沟槽区域包括：形成第一子沟槽区域、第二子沟槽区域和在所述第一子沟槽区域与所述第二子沟槽区域之间的鳍状区域。21.根据权利要求20所述的方法，其中，形成所述开关晶体管包括：
形成第二有源层，所述第二有源层包括：沟道区域，所述沟道区域覆盖所述鳍状区域；源区域，所述源区域与所述沟道区域的一端相邻并且位于所述第一子沟槽区域中；以及漏区域，所述漏区域与所述沟道区域的另一端相邻并且位于所述第二子沟槽区域中；在所述第二有源层上形成第二栅电极；以及形成在所述第二有源层上并且连接到所述第二有源层的第三上电极和第四上电极。22.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述沟槽区域包括：对蚀刻之前的所述阻挡层进行蚀刻以暴露所述沟槽区域中的所述衬底。23.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述沟槽区域包括：在与所述全色调区域对应地曝光的所述区域中，同期对蚀刻之前的所述阻挡层和所述下导电层进行蚀刻。

技术总结
公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管，阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表面的平坦区域。开关晶体管包括第一有源层、第一栅电极以及第一上电极和第二上电极，第一有源层在阻挡层上，第一有源层的至少一部分位于沟槽区域处，第一有源层包括沟道区域以及在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域，第一栅电极在第一有源层上，第一上电极和第二上电极在第一有源层上并且连接到第一有源层。连接到第一有源层。连接到第一有源层。


技术研发人员：朴晙晳 塞伦特
受保护的技术使用者：汉阳大学校ERICA产学协力团
技术研发日：2023.01.19
技术公布日：2023/8/1