声表面波谐振器的制作方法

1.本技术涉及声表面波器件技术领域，特别涉及一种声表面波谐振器。


背景技术：

2.声表面波谐振器已广泛应用于通信、医疗、卫星、交通等领域，但是传统的声表面波谐振器受制于材料本身的限制，不能充分满足高端声表面波产品的性能要求。基于复合键合结构的声表面波谐振器集大带宽、低插损、低温漂、大功率以及高带外抑制等优点而备受关注，但是复合键合结构也会引起诸多寄生问题，例如高阶杂波响应，这将恶化滤波器的带外抑制，也会引起双工器或射频模块之间的模式串扰，极大地影响通信装置的性能。
3.专利文献cn110402539b公开了一种在由硅构成的支承基板上层叠有氧化硅膜以及由钽酸锂构成的压电体以及叉指换能器电极的声表面波谐振器，通过适当设置氧化硅膜的厚度、压电体的厚度和角度以及叉指换能器电极的厚度以实现抑制其具有的第1高阶模式的响应、第2高阶模式的响应以及第3高阶模式的响应中的至少一个。
4.专利文献cn113794458a公开了一种在具有压电层的复合膜层中设置凹槽阵列图形的声表面波谐振器，通过调节图形的深度与径向大小，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波。
5.然而，上述专利文献cn110402539b公开的方案在设计上过于复杂；上述专利文献cn113794458a公开的方案则在工艺上过于复杂，不利于产品的生产成本控制；因此，需要一种更加简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波谐振器。


技术实现要素：

6.本技术的目的是提供一种声表面波谐振器，以解决上述现有的基于压电薄膜的声表面波谐振器存在的设计过于复杂、工艺过于复杂以及生产成本较高的问题。
7.为实现上述目的，本技术采用的技术方案为：
8.第一方面，本技术提供了一种声表面波谐振器，包括：
9.支承基板；
10.直接地或间接地设置在所述支承基板上的压电膜；以及
11.设置在所述压电膜上的叉指换能器电极；
12.其中，所述叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。
13.在一种可能的实现方式中，所述压电膜直接地设置在所述支承基板上；或所述压电膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在所述支承基板上；或所述压电膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在俘获材料膜上，所述俘获材料膜直接地设置在所述支承基板上。
14.在一种可能的实现方式中，在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述压电膜中传播的体波的声速低；在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述压电膜中传播的体波的声速高。
15.在一种可能的实现方式中，所述俘获材料膜由在非晶硅、多晶硅、非晶锗或多晶锗中的一种材料或多种材料组合形成。
16.在一种可能的实现方式中，所述叉指换能器电极包括：
17.相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指；以及
18.在所述第一电极指、所述第二电极指延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；
19.其中，多根所述第一电极指和多根所述第二电极指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与所述第二汇流条间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与所述第一汇流条间隔对置。
20.在一种可能的实现方式中，所述叉指换能器电极包括：
21.由多个不同金属材料薄膜层叠而成的m个子层，其中m≥2。
22.在一种可能的实现方式中，所述压电膜为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。
23.第二方面，本技术提供了一种滤波器装置，所述滤波器装置与天线连接，所述滤波器装置包括串联臂声表面波谐振器以及并联臂声表面波谐振器，所述串联臂声表面波谐振器以及所述并联臂声表面波谐振器中的至少一个声表面波谐振器是上述任一所述的声表面波谐振器。
24.第三方面，本技术提供了一种多工器，包括：
25.天线端子，其与天线连接；以及
26.多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是上述滤波器装置。
27.本技术提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
28.通过设置支承基板、直接地或者间接地设置在支承基板上的压电膜，以及设置在压电膜上的叉指换能器电极，并且该叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。在此情况下，通过调节该叉指换能器电极的占空比，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力，提供了一种更加简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波谐振器。
附图说明
29.附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
30.图1示出了本技术实施例一提供的声表面波谐振器的俯视图；
31.图2示出了图1的a-a’剖视示意图；
32.图3示出了本技术实施例一提供的声表面波谐振器在不同的占空比时的导纳-频率曲线图；
33.图4示出了本技术实施例二提供的声表面波谐振器的俯视图；
34.图5示出了图4的b-b’剖视示意图；
35.图6示出了本技术实施例二提供的声表面波谐振器在不同的占空比时的导纳-频率曲线图；
36.图7示出了本技术实施例三提供的声表面波谐振器的俯视图；
37.图8示出了图7的c-c’剖视示意图；
38.图9示出了本技术实施例三提供的声表面波谐振器在不同的占空比时的导纳-频率曲线图；
39.图10示出了根据本技术实施例三提供的具有不同占空比的声表面波谐振器组合搭建的不同滤波器的阻抗-频率曲线图；
40.图11示出了本技术实施例四提供的声表面波谐振器的俯视图；
41.图12示出了图11的d-d’剖视示意图；
42.图13示出了本技术实施例四提供的声表面波谐振器在不同的占空比时的导纳-频率曲线图。
具体实施方式
43.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
44.其中，相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是本技术说明书附图中的方向，词语“底面”和“顶面”、“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本技术说明书的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。
45.下面结合附图和实施例对本技术作更进一步的说明。
46.实施例一
47.请参阅图1至图2，图1示出了本技术实施例一提供的声表面波谐振器100的俯视图，图2示出了图1的a-a’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为声表面波谐振器100的高度方向。
48.具体来说，上述声表面波谐振器100包括支承基板104、直接设置在支承基板104上的压电膜101以及直接设置在压电膜101上的叉指换能器电极105和反射栅电极。
49.在本技术实施例中，支承基板104实现为厚500μm的sic(碳化硅)基底，压电膜101实现为厚400nm的42
°
yx-钽酸锂薄膜，叉指换能器电极105和反射栅电极实现为主要由铝电极构成的多层复合电极。
50.值得注意的是，此处，在支承基板104中传播的体波的声速比在压电膜101中传播的体波的声速高。
51.具体地，叉指换能器电极105包括相互交错插入的多根第一电极指107和多根第二电极指108，以及在第一电极指107、第二电极指108延伸方向上相互对置的第一汇流条109和第二汇流条110，多根第一电极指107和多根第二电极指108都具有各自的第一端部和第二端部；多根第一电极指107的第一端部与第一汇流条109直接连接，多根第一电极指107的
第二端部与第二汇流条110间隔对置；多根第二电极指108的第一端部与第二汇流条110直接连接，多根第二电极指108的第二端部与第一汇流条109间隔对置。
52.进一步地，反射栅电极包括反射栅电极一106a和反射栅电极二106b，每一个反射栅电极都包括多根反射栅电极指以及在多根反射栅电极指延伸方向上相互对置的第三汇流条和第四汇流条，多根反射栅电极指都具有各自的第一端部和第二端部，反射栅电极指的第一端部与第三汇流条直接连接，反射栅电极指的第二端部与第四汇流条直接连接。
53.在此情况下，定义叉指换能器电极105中的任一根电极指的沿x轴方向的宽度尺寸为电极指宽度a，定义叉指换能器电极105中的任两根相邻电极指的沿x轴方向的距离尺寸为电极指周期p，定义叉指换能器电极105中的任一根电极指的占空比duty＝a/p。
54.在本实施例中，上述反射栅电极一106a和反射栅电极二106b的反射栅电极指根数均为40根。
55.在本实施例中，叉指换能器电极105中的电极指周期p为1.0μm；多根第一电极指107和多根第二电极指108的总数量为200根，所述多根第一电极指107和多根第二电极指108均包括较薄的ti粘附层和较厚的al主体层。
56.图3示出了本技术实施例一提供的声表面波谐振器100在不同的占空比时的导纳-频率曲线图，其叉指换能器电极105的占空比duty为0.2至0.7，可以看出，该系列的声表面波谐振器100的谐振频率约为2380mhz，在3200mhz附近呈现高端杂波，在5700mhz以上的频率呈现高端杂波。
57.值得注意的是，当叉指换能器电极105的占空比duty为0.35至0.55范围内时，声表面波谐振器100在5700mhz以上的高端杂波得到了明显抑制。在一个示例中，上述叉指换能器电极105的占空比设置为大于等于0.35且小于等于0.55。优选地，上述叉指换能器电极105的占空比设置为大于等于0.35且小于等于0.45。
58.可以理解的是，包含这种声表面波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以通过调节叉指换能器电极的占空比来减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力。
59.实施例二
60.请参阅图4至图5，图4示出了本技术实施例二提供的声表面波谐振器200的俯视图，图5示出了图4的b-b’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为声表面波谐振器200的高度方向。
61.具体来说，上述声表面波谐振器200包括支承基板204、直接设置在支承基板204上的低声速材料膜202、直接设置在低声速材料膜202上的压电膜201以及直接设置在压电膜201上的叉指换能器电极205和反射栅电极。
62.在本技术实施例中，支承基板204实现为厚550μm的si(硅)基底，低声速材料膜202实现为厚300nm的sio2(二氧化硅)薄膜，压电膜201实现为厚600nm的42
°
yx-钽酸锂薄膜，叉指换能器电极205和反射栅电极实现为主要由铝电极构成的多层复合电极。
63.值得注意的是，此处，在支承基板204中传播的体波的声速比在压电膜201中传播的体波的声速高，在低声速材料膜202中传播的体波的声速比在压电膜201中传播的体波的声速低。
64.具体地，叉指换能器电极205包括相互交错插入的多根第一电极指207和多根第二电极指208，以及在第一电极指207、第二电极指208延伸方向上相互对置的第一汇流条209和第二汇流条210，多根第一电极指207和多根第二电极指208都具有各自的第一端部和第二端部；多根第一电极指207的第一端部与第一汇流条209直接连接，多根第一电极指207的第二端部与第二汇流条210间隔对置；多根第二电极指208的第一端部与第二汇流条210直接连接，多根第二电极指208的第二端部与第一汇流条209间隔对置。
65.进一步地，反射栅电极包括反射栅电极一206a和反射栅电极二206b，每一个反射栅电极都包括多根反射栅电极指以及在多根反射栅电极指延伸方向上相互对置的第三汇流条和第四汇流条，多根反射栅电极指都具有各自的第一端部和第二端部，反射栅电极指的第一端部与第三汇流条直接连接，反射栅电极指的第二端部与第四汇流条直接连接。
66.在此情况下，定义叉指换能器电极205中的任一根电极指的沿x轴方向的宽度尺寸为电极指宽度a，定义叉指换能器电极205中的任两根相邻电极指的沿x轴方向的距离尺寸为电极指周期p，定义叉指换能器电极205中的任一根电极指的占空比duty＝a/p。
67.在本实施例中，上述反射栅电极一206a和反射栅电极二206b的反射栅电极指根数均为20根。
68.在本实施例中，叉指换能器电极205中的电极指周期p为1.0μm；多根第一电极指207和多根第二电极指208的总数量为100根，所述多根第一电极指207和多根第二电极指208均包括较薄的ti粘附层和较厚的al主体层。
69.图6示出了本技术实施例二提供的声表面波谐振器200在不同的占空比时的导纳-频率曲线图，其叉指换能器电极205的占空比duty为0.2至0.7，可以看出，该系列的声表面波谐振器200的谐振频率约为2100mhz，在2700mhz和4000mhz附近呈现高端杂波，在5600mhz以上的频率呈现高端杂波。
70.值得注意的是，当叉指换能器电极205的占空比duty为0.35至0.55范围内时，声表面波谐振器200在5600mhz以上的高端杂波得到了明显抑制。在一个示例中，上述叉指换能器电极205的占空比设置为大于等于0.35且小于等于0.55。优选地，上述叉指换能器电极205的占空比设置为大于等于0.35且小于等于0.45。
71.可以理解的是，包含这种声表面波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以通过调节叉指换能器电极的占空比来减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力。
72.实施例三
73.请参阅图7至图9，图7示出了本技术实施例三提供的声表面波谐振器300的俯视图，图8示出了图7的c-c’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为声表面波谐振器300的高度方向。
74.具体来说，上述声表面波谐振器300包括支承基板304、直接设置在支承基板304上的俘获材料膜303，直接设置在俘获材料膜303上的低声速材料膜302、直接设置在低声速材料膜302上的压电膜301以及直接设置在压电膜301上的叉指换能器电极305和反射栅电极。
75.在本技术实施例中，支承基板304实现为厚500μm的si(硅)基底，俘获材料膜303实现为厚1000nm的多晶硅薄膜，低声速材料膜302实现为厚300nm的sio2(二氧化硅)薄膜，压
电膜301实现为厚300nm的32
°
yx-铌酸锂薄膜，叉指换能器电极305和反射栅电极实现为主要由铝电极构成的多层复合电极。
76.值得注意的是，此处，在支承基板304中传播的体波的声速比在压电膜301中传播的体波的声速高，在低声速材料膜302中传播的体波的声速比在压电膜301中传播的体波的声速低。
77.具体地，叉指换能器电极305包括相互交错插入的多根第一电极指307和多根第二电极指308，以及在第一电极指307、第二电极指308延伸方向上相互对置的第一汇流条309和第二汇流条310，多根第一电极指307和多根第二电极指308都具有各自的第一端部和第二端部；多根第一电极指307的第一端部与第一汇流条309直接连接，多根第一电极指307的第二端部与第二汇流条310间隔对置；多根第二电极指308的第一端部与第二汇流条310直接连接，多根第二电极指308的第二端部与第一汇流条309间隔对置。
78.进一步地，反射栅电极包括反射栅电极一306a和反射栅电极二306b，每一个反射栅电极都包括多根反射栅电极指以及在多根反射栅电极指延伸方向上相互对置的第三汇流条和第四汇流条，多根反射栅电极指都具有各自的第一端部和第二端部，反射栅电极指的第一端部与第三汇流条直接连接，反射栅电极指的第二端部与第四汇流条直接连接。
79.在此情况下，定义叉指换能器电极305中的任一根电极指的沿x轴方向的宽度尺寸为电极指宽度a，定义叉指换能器电极305中的任两根相邻电极指的沿x轴方向的距离尺寸为电极指周期p，定义叉指换能器电极305中的任一根电极指的占空比duty＝a/p。
80.在本实施例中，上述反射栅电极一306a和反射栅电极二306b的反射栅电极指根数均为40根。
81.在本实施例中，叉指换能器电极305中的电极指周期p为1.0μm；多根第一电极指307和多根第二电极指308的总数量为160根，所述多根第一电极指307和多根第二电极指308均包括较薄的ti粘附层和较厚的al主体层。
82.图9示出了本技术实施例三提供的声表面波谐振器300在不同的占空比时的导纳-频率曲线图，其叉指换能器电极305的占空比duty为0.2至0.7，可以看出，该系列的声表面波谐振器300的谐振频率约为2100mhz，在2300mhz和2800mhz附近呈现较小的高端杂波，在5000mhz以上的频率呈现高端杂波。
83.值得注意的是，当叉指换能器电极305的占空比duty为0.35至0.55范围内时，声表面波谐振器300在5000mhz以上的高端杂波得到了明显抑制。在一个示例中，上述叉指换能器电极305的占空比设置为大于等于0.35且小于等于0.55。优选地，上述叉指换能器电极305的占空比设置为大于等于0.35且小于等于0.45。
84.可以理解的是，包含这种声表面波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以通过调节叉指换能器电极的占空比来减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力。
85.图10示出了根据本技术实施例三提供的具有不同占空比的声表面波谐振器组合搭建的不同滤波器的阻抗-频率曲线图。
86.如图10(a)所示为基于图8和图9中的占空比duty为0.2的声表面波谐振器组合搭建的滤波器，容易看出，由于声表面波谐振器在6600mhz和7400mhz附近存在高阶杂波，导致由其搭建的滤波器在相应频段附近存在带外抑制的明显恶化；如图10(c)所示为基于图8和
图9中的占空比duty为0.7的声表面波谐振器组合搭建的滤波器，容易看出，由于声表面波谐振器在5300mhz和7300mhz附近存在高阶杂波，导致由其搭建的滤波器在相应频段附近存在带外抑制的明显恶化；如图10(b)所示为基于图8和图9中的占空比duty为0.4的声表面波谐振器组合搭建的滤波器，容易看出，由于声表面波谐振器在高于4000mhz的频段较好地抑制了高阶杂波，从而使得由其搭建的滤波器在相应频段呈现良好的带外抑制性能。
87.实施例四
88.请参阅图11至图13，图11示出了本技术实施例四提供的声表面波谐振器400的俯视图，图12示出了图11的d-d’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为声表面波谐振器400的高度方向。
89.具体来说，上述声表面波谐振器400包括支承基板404、直接设置在支承基板404上的俘获材料膜403，直接设置在俘获材料膜403上的低声速材料膜402、直接设置在低声速材料膜402上的压电膜401以及直接设置在压电膜401上的叉指换能器电极405和反射栅电极。
90.在本技术实施例中，支承基板404实现为厚500μm的si(硅)基底，俘获材料膜403实现为厚1000nm的多晶硅薄膜，低声速材料膜402实现为厚300nm的sio2(二氧化硅)薄膜，压电膜401实现为厚400nm的32
°
yx-铌酸锂薄膜，叉指换能器电极405和反射栅电极实现为主要由铜电极构成的多层复合电极。
91.值得注意的是，此处，在支承基板404中传播的体波的声速比在压电膜401中传播的体波的声速高，在低声速材料膜402中传播的体波的声速比在压电膜401中传播的体波的声速低。
92.具体地，叉指换能器电极405包括相互交错插入的多根第一电极指407和多根第二电极指408，以及在第一电极指407、第二电极指408延伸方向上相互对置的第一汇流条409和第二汇流条410，多根第一电极指407和多根第二电极指408都具有各自的第一端部和第二端部；多根第一电极指407的第一端部与第一汇流条409直接连接，多根第一电极指407的第二端部与第二汇流条410间隔对置；多根第二电极指408的第一端部与第二汇流条410直接连接，多根第二电极指408的第二端部与第一汇流条409间隔对置。
93.进一步地，反射栅电极包括反射栅电极一406a和反射栅电极二406b，每一个反射栅电极都包括多根反射栅电极指以及在多根反射栅电极指延伸方向上相互对置的第三汇流条和第四汇流条，多根反射栅电极指都具有各自的第一端部和第二端部，反射栅电极指的第一端部与第三汇流条直接连接，反射栅电极指的第二端部与第四汇流条直接连接。
94.在此情况下，定义叉指换能器电极405中的任一根电极指的沿x轴方向的宽度尺寸为电极指宽度a，定义叉指换能器电极405中的任两根相邻电极指的沿x轴方向的距离尺寸为电极指周期p，定义叉指换能器电极405中的任一根电极指的占空比duty＝a/p。
95.在本实施例中，上述反射栅电极一406a和反射栅电极二406b的反射栅电极指根数均为40根。
96.在本实施例中，叉指换能器电极405中的电极指周期p为1.0μm；多根第一电极指407和多根第二电极指408的总数量为200根，所述多根第一电极指407和多根第二电极指408均包括较薄的ti粘附层、较厚的cu主体层和较薄的ti抗氧化层。
97.图13示出了本技术实施例四提供的声表面波谐振器400在不同的占空比时的导
纳-频率曲线图，其叉指换能器电极405的占空比duty为0.2至0.7，可以看出，该系列的声表面波谐振器400的谐振频率约为1700mhz，在2200mhz和2800mhz附近呈现较小的高端杂波，在4100mhz以上的频率呈现高端杂波。
98.值得注意的是，当叉指换能器电极405的占空比duty为0.35至0.55范围内时，声表面波谐振器400在4100mhz以上的高端杂波得到了明显抑制。在一个示例中，上述叉指换能器电极405的占空比设置为大于等于0.35且小于等于0.55。优选地，上述叉指换能器电极405的占空比设置为大于等于0.35且小于等于0.45。
99.可以理解的是，包含这种声表面波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以通过调节叉指换能器电极的占空比来减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力。
100.综上所述，对于基于压电膜/支承基板层叠结构、压电膜/低声速材料膜/支承基板层叠结构、压电膜/低声速材料膜/俘获材料膜/支承基板层叠结构的声表面波谐振器，无论压电膜采用钽酸锂薄膜还是铌酸锂薄膜，无论叉指换能器电极采用铜电极还是铝电极，当设置叉指换能器电极的占空比duty为0.35至0.55范围内时，均能有效抑制谐振器的在远离谐振频率的高端杂波，很好地佐证了本技术结构的有效性，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广应用。
101.在本技术公开的实施例中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明公开的实施例中的具体含义。
102.以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。

技术特征：
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：支承基板；直接地或间接地设置在所述支承基板上的压电膜；以及设置在所述压电膜上的叉指换能器电极；其中，所述叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于：所述压电膜直接地设置在所述支承基板上；或所述压电膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在所述支承基板上；或所述压电膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在俘获材料膜上，所述俘获材料膜直接地设置在所述支承基板上。3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于：在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述压电膜中传播的体波的声速低；在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述压电膜中传播的体波的声速高。4.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于：所述俘获材料膜由在非晶硅、多晶硅、非晶锗或多晶锗中的一种材料或多种材料组合形成。5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器电极包括：相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指；以及在所述第一电极指、所述第二电极指延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；其中，多根所述第一电极指和多根所述第二电极指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与所述第二汇流条间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与所述第一汇流条间隔对置。6.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器电极包括：由多个不同金属材料薄膜层叠而成的m个子层，其中m≥2。7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于：所述压电膜为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。8.一种滤波器装置，所述滤波器装置与天线连接，所述滤波器装置包括串联臂声表面波谐振器以及并联臂声表面波谐振器，所述串联臂声表面波谐振器以及所述并联臂声表面波谐振器中的至少一个声表面波谐振器是权利要求1至7中任一所述的声表面波谐振器。9.一种多工器，包括：天线端子，其与天线连接；以及多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是权利要求8所述的滤波器装置。

技术总结
本申请关于一种声表面波谐振器，涉及声表面波器件领域。该声表面波谐振器包括支承基板、直接地或间接地设置在支承基板上的压电膜、以及设置在压电膜上的叉指换能器电极；其中，叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。在此情况下，通过调节该叉指换能器电极的占空比，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力，提供了一种更加简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波谐振器。面波谐振器。面波谐振器。


技术研发人员：傅肃磊 窦韶旭 许志斌 陆增天 王为标 刘平
受保护的技术使用者：无锡市好达电子股份有限公司
技术研发日：2023.04.17
技术公布日：2023/8/1