一种基于磁子流效应的存储器

1.本发明属于存储器领域，更具体地，涉及一种基于磁子流效应的存储器。


背景技术：

2.5g通讯设施是实现人机物互联的网络基础设施，5g通讯的要求包括峰值速率达到10gbps，频谱效率比imt-a提升3倍，移动性达500公里/小时，时延低至1毫秒，用户体验数据率达到100mbps，连接密度每平方公里达到106个，能效比imt-a提升100倍，流量密度每平方米达到10mbps。在5g通讯日益普及的今天，6g技术的研发已经提上日程，在如此巨大的数据量下，对快速稳定的存储和数据处理技术提出了新的挑战。根据信息存储介质和方法，目前的存储技术主要有三种，分别是半导体存储、磁存储和光存储。其中，磁存储技术相对于其它两种技术具有数据存储密度高和非易失性等优势，是目前广泛关注的存储技术之一。
3.基于巨磁阻效应(giant magneto resistance，gmr)和隧穿磁电阻效应(tunnel magneto resistance，tmr)的自旋阀是目前主流的磁存储结构。自旋阀的成功之处在于相较于传统的电子器件，更多的利用到了电子自旋属性，但未能摆脱电子器件高功耗、易发热的缺点。自旋属性的传输可以不依赖于电子的移动，为了进一步减少电荷移动产生的能量损耗，磁子结被提出。磁子结主体架构采用了绝缘体材料，需要采用重金属才能表征磁子流大小，极大减少了了电子传输引起的热效应和能量损失，通过改变两层磁性绝缘层的相对磁化方向的取向以调控内部磁子流的大小。基于gmr和tmr效应的自旋阀通过电阻值变化反映开关状态，而基于磁子流的磁子结主要通过逆自旋霍尔效应电压变化表征。
4.采用自旋轨道力矩(spin orbit torque，sot)翻转磁矩是利用与铁磁层相邻的材料中流过的电流在rashba-edelstein效应和自旋霍尔效应的共同作用下，会在二者界面处自旋极化产生净自旋流，净自旋流将角动量传递至铁磁层，从而翻转铁磁层的磁矩。专利文献cn109585644a提出了一种在自旋轨道转矩耦合层上设置有磁阻隧道结，当在自旋轨道转矩耦合层中通入电流时，在电流方向上，磁阻隧道结的一侧与另一侧存在温度差，在该温度差作用下实现sot-mram磁矩的定向翻转。目前磁子结中磁子流的激发方式为温度梯度激励，温度梯度激励是指当在磁体中存在温度差时，在磁体中沿着温度梯度方向会产生磁子流。采用温度差用于磁矩翻转或者作为磁子结的动力源，易引起器件发热，提高能量损失。而声体波(bulk acoustic wave，baw)同样可以高效节能的进行磁子流激励，替代温度梯度激励作为磁子结动力源。


技术实现要素：

5.针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种基于磁子流效应的存储器，旨在解决现有的基于自旋阀结构和温度差磁子结的存储器均存在高功耗和易发热的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供了一种基于磁子流效应的存储器，包括：拓扑绝缘体单元、磁子结单元和声体波激励单元；拓扑绝缘体单元、磁子结单元和声体波激励单元从下到上依次位于衬底上；
7.拓扑绝缘体单元包括拓扑绝缘体层和电极层；电极层为在拓扑绝缘体层通入电流的电极；拓扑绝缘体层用于当通入电流时利用自旋轨道力矩翻转邻近的铁磁层；
8.磁子结单元由下至上包括第一铁磁绝缘体层、反铁磁绝缘体层、第二铁磁绝缘体层和重金属层；第一铁磁绝缘体层用于在拓扑绝缘体层产生的自旋轨道力矩的作用下改变磁矩朝向；第二铁磁绝缘体层的磁矩保持不变；重金属层用于将第二铁磁绝缘体层中传输过来的磁子流以磁子结的逆自旋霍尔效应电压的形式表现；反铁磁绝缘体层用于将第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层隔开；
9.声体波激励单元包括从下而上的第一金属电极层、压电层和第二金属电极层；第一金属电极层和第二金属电极层为可以施加交变电压的电极，压电层用于在交变电压下产生声体波，声体波向下传输，在磁子结单元中激发磁子流；
10.其中，当第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同的磁矩方向，则在声体波激励的作用下磁子结的逆自旋霍尔电压为高电平，在拓扑绝缘体层通入电流第一铁磁绝缘体层磁矩发生翻转后，停止向拓扑绝缘体层通入电流，此时在声体波激励的作用下磁子结的逆自旋霍尔电压为低电平；当第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相反的磁矩方向，则在声体波激励的作用下磁子结的逆自旋霍尔电压在拓扑绝缘体层通入电流前后由低电平转变为高电平。
11.进一步优选地，拓扑绝缘体层通过磁控溅射或分子束外延的方式在衬底上生长，拓扑绝缘体层上方设置的电极通过磁控溅射法、电子束蒸发镀膜或热蒸发镀膜的方式生长。
12.进一步优选地，拓扑绝缘体层为bi
x
sb
1-x
、bi2se3、sb2te3或bi2te3；电极为al、cr、cu、mo或ag；其中，0＜x＜1；
13.进一步优选地，第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层为y3fe5o
12
、cofe2o4或nife2o4；反铁磁绝缘体层为nio、fe2o3、cr2o3、mgo、mno、feo、coo、bifeo3、lamno3、la2cuo4、tmfeo3、zncr2o4、f2、cucl2、fecl2、mnf2、fef2或knif3；重金属层为v、cr、cu、nb、mo、ru、rh、pd、ag、hf、ta、w、re、ir、pt或au。
14.进一步优选地，重金属层通过磁控溅射镀膜法、热蒸发镀膜法或电子束蒸发镀膜法沉积，再通过光刻图形化制备。
15.进一步优选地，第一金属电极层和第二金属电极层通过磁控溅射镀膜法、热蒸发镀膜法或电子束蒸发镀膜法沉积制备；压电层通过磁控溅射方法沉积，再通过光刻图形化制备。
16.进一步优选地，第一金属电极层和第二金属电极层为v、cr cu、nb、mo、ru、rh、pd、ag、hf、ta、w、re、ir、pt或au；压电层为pzt、aln或pvdf。
17.进一步优选地，衬底的厚度为500μm，拓扑绝缘体层厚度为5nm～15nm；电极厚度为20nm～50nm。
18.进一步优选地，第一铁磁绝缘体层厚度为20nm～30nm，反铁磁绝缘层厚度为5nm～20nm；第二铁磁绝缘体层为40nm～50nm；重金属层厚度为5nm～20nm。
19.进一步优选地，第一金属电极层的厚度为20nm～100nm；第二金属电极层的厚度为20nm～100nm；压电层的厚度为20nm～100nm。
20.总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下
21.有益效果：
22.本发明提供了一种基于磁子流效应的存储器，包括拓扑绝缘体单元、磁子结单元和声体波激励单元，其中，一方面，声体波激励单元包括第一金属电极层、压电层和第二金属电极层，在第一金属电极层和第二金属电极层上施加交变电压，压电层产生声体波，声体波向下传输，在磁子结单元中产生磁子流，以声体波激励作为磁子结单元动力，采用声体波激励磁子结可以有效解决存储器的发热问题，降低存储器的能量损失；拓扑绝缘体单元包括拓扑绝缘体层和电极层；另一方面，拓扑绝缘体层用于当通入电流时利用自旋轨道力矩翻转第一铁磁绝缘体层的磁矩朝向，可以极大的提高磁矩翻转效率；本发明提供了一种高效率、低功耗的基于磁子流效应的新型存储器。
附图说明
23.图1是本发明实施例提供的sot-磁子结-baw各层分离结构示意图；
24.图2是本发明实施例提供的采用的拓扑绝缘体单元示意图；
25.图3是本发明实施例提供的磁子结单元示意图；
26.图4是本发明实施例提供的第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层中初始状态下具有相同磁矩方向的示意图；
27.图5是本发明实施例提供的在拓扑绝缘体层2中通入电流后，第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层的磁矩方向示意图；
28.图6是本发明实施例提供的声体波激励单元示意图；
29.图7是本发明实施例提供的两层铁磁绝缘体层磁矩方向不同情况下的逆自旋霍尔电压示意图；
30.在所有附图中，相同的附图标记用以表示相同的元件或结构，其中：
31.1-衬底，2-拓扑绝缘体层，3-电极层，4-第一铁磁绝缘体层；5-反铁磁绝缘体层；6-第二铁磁绝缘体层；7-重金属层；8-第二金属电极层；9-压电层；10-第一金属电极层。
具体实施方式
32.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
33.针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明的目的在于提供一种基于磁子流效应的存储器，利用拓扑绝缘体调整磁子结单元第一铁磁绝缘层的磁矩方向，采用声体波激励单元的动力源，实现高效节能的存储器件。
34.其中，拓扑绝缘体具有较大的自旋霍尔角(spin hall angle)，自旋霍尔角越大，相同电流密度下界面处积累的极化自旋流就越多，越有利于翻转磁矩，同时利用声子-磁子相互作用，采用向磁子结中注入声体波激励磁子流的方法进一步降低器件发热和能量损失。
35.本发明提供了一种sot-磁子结-baw的存储器，包括：衬底、自下而上位于衬底上的拓扑绝缘体单元、磁子结单元和声体波激励单元，其中，声体波作为磁子结动力源，在拓扑绝缘体中通入电流，调整磁子结第一铁磁绝缘体层磁矩朝向，进而调控磁子结逆自旋霍尔
效应电压以实现数据存储的目的；基于拓扑绝缘体调控磁矩的声体波激励磁子结结构简称为：sot-磁子结-baw或sot-磁子结-baw器件；
36.进一步优选地，衬底包括但不限于硅衬底；
37.拓扑绝缘体层通过磁控溅射或分子束外延的方式在衬底上生长，当拓扑绝缘体层中通入电流时，在自旋轨道力矩作用下翻转第一铁磁绝缘体层磁矩；
38.进一步优选地，拓扑绝缘体层为合金化合物材料，具体包括但不限于bi
x
sb
1-x
、bi2se3、sb2te3或bi2te3；其中，0＜x＜1；
39.拓扑绝缘体层上方设置有电极，电极通过磁控溅射、电子束蒸发镀膜或热蒸发镀膜的方式在拓扑绝缘体层上生长，具体包括但不限于al、cr、cu、mo或ag；
40.磁子结单元包含自下而上位于拓扑绝缘体层上的第一铁磁绝缘体层、反铁磁绝缘体层、第二铁磁绝缘体层和重金属层；磁子结单元所包含的第一铁磁绝缘体层磁矩朝向可以被邻近的拓扑绝缘体层调整，而第二铁磁绝缘体层保持不变的磁矩朝向，以构造第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层相同或相反的磁矩朝向；
41.进一步优选地，第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层均包括但不限于y3fe5o
12
、cofe2o4和nife2o4层；
42.进一步优选地，反铁磁绝缘体层为含氧化和物材料或含卤素化合物材料，具体包括但不限于nio、fe2o3、cr2o3、mgo、mno、feo、coo、bifeo3、lamno3、la2cuo4、tmfeo3、zncr2o4、f2、cucl2、fecl2、mnf2、fef2和knif3；
43.进一步优选地，重金属层具体包括但不限于v、cr、cu、nb、mo、ru、rh、pd、ag、hf、ta、w、re、ir、pt或au；
44.磁子结中重金属层通过磁控溅射镀膜、热蒸发镀膜或电子束蒸发镀膜等方式沉积，后续再通过光刻图形化，用于测试逆自旋霍尔效应，表征磁子结的高低电平；
45.声体波激励单元自下而上包括第一金属层、压电层和第二金属层；在第一金属层和第二金属层施加交变电压，将随之在压电层中产生声体波，并且声体波向下方的磁子结中传递；
46.声体波激励单元中金属层通过磁控溅射镀膜、热蒸发镀膜或电子束蒸发镀膜等方式沉积，压电层将通过磁控溅射方式沉积，后续再通过光刻图形化；
47.进一步优选地，声体波激励单元中金属层具体包括但不限于v、cr cu、nb、mo、ru、rh、pd、ag、hf、ta、w、re、ir、pt或au；压电层为压电材料，具体包括但不限于pzt、aln或pvdf。
48.实施例
49.如图1所示，本发明中存储器包括：声体波激励单元、磁子结单元和拓扑绝缘体单元；
50.拓扑绝缘体单元包括拓扑绝缘体层2和电极层3；
51.位于最底层衬底1上方的拓扑绝缘体层2；对拓扑绝缘体层2进行材料设计，可以保证其具有很大自旋霍尔角的同时，实现高的电导率，更有效的对磁子结单元中的第一铁磁绝缘体层4磁矩进行翻转；在对拓扑绝缘体层2施加电流时，电流会对邻近的磁子结单元中第一铁磁绝缘体层4的磁矩产生一个自旋轨道力矩，在该自旋轨道力矩的作用下，磁矩会随之发生翻转，衬底1为硅衬底；拓扑绝缘体层2具体为bi
x
sb
1-x
，在一些实例中，拓扑绝缘体层2还可以是bi2se3、sb2te3或bi2te3等；
52.衬底1具体厚度为500μm；拓扑绝缘体层2具体厚度为10nm，在一些实例中，拓扑绝缘体层厚度还可以是5nm～15nm；
53.电极3具体厚度为30nm，在一些实例中，拓扑绝缘体层厚度还可以是20nm～50nm；
54.磁子结单元包括第一铁磁绝缘体层4、反铁磁绝缘层5、第二铁磁绝缘体层6和重金属层7；最上层的重金属层7可以将第二铁磁绝缘体层6中传输来的磁子流以逆自旋霍尔效应电压的形式表现，通过拓扑绝缘体层2调节第一铁磁绝缘体层4磁矩朝向，整个器件可以在高、低逆自旋霍尔电压的状态进行调节；
55.第一铁磁绝缘体层4和第二铁磁绝缘体层6可以为y3fe5o
12
、cofe2o4和nife2o4；反铁磁绝缘体层5为含氧化合物材料或卤素化合物材料，具体包括但不限于nio、fe2o3、cr2o3、mgo、mno、feo、coo、bifeo3、lamno3、la2cuo4、tmfeo3、zncr2o4、f2、cucl2、fecl2、mnf2、fef2和knif3；
56.第一铁磁绝缘体层4具体厚度为20nm，在一些实例中，第一铁磁绝缘体层4厚度可以是20nm～30nm，反铁磁绝缘层5厚度为10nm。在一些实例中，反铁磁绝缘体层厚度还可以是5nm～20nm；第二铁磁绝缘体层6具体厚度为40nm；在一些实例中，第二铁磁绝缘体层6厚度还可以是40nm～50nm；磁子结单元中各层均通过磁控溅射法依次沉积；在一些实例中，磁子结各层还可以通过脉冲激光沉积(pld)、分子束外延(mbe)等方法沉积；
57.重金属层7具体厚度为10nm；在一些实例中，重金属层7厚度还可以是5nm～20nm；重金属层7通过磁控溅射沉积在第二铁磁绝缘体层6表面；在一些实例中，重金属层7还可以通过电子束蒸发(e-beam)、热蒸发等方法沉积；
58.第二金属电极层8具体厚度为50nm。在一些实例中，第二金属电极层8还可以是20nm～100nm；第二金属电极层8通过磁控溅射法沉积在第二铁磁绝缘体层7表面；在一些实例中，第二金属电极层8还可以通过电子束蒸发(e-beam)和热蒸发等方法沉积；
59.压电层9具体厚度为50nm，在一些实例中，压电层厚度还可以是20nm～100nm；压电层9材料通过磁控溅射法沉积在第二金属电极层8表面；
60.第一金属电极层10具体厚度为50nm，在一些实例中，第一金属电极层10厚度还可以是20nm～100nm；第一金属电极层10通过磁控溅射法沉积在压电层9表面。在一些实例中，第一金属电极层10还可以通过电子束蒸发(e-beam)和热蒸发等方法沉积；
61.本发明提供的sot-磁子结-baw的存储器的制备方法，包括以下步骤：
62.在硅衬底1上采用磁控溅射制备一层bi
x
sb
1-x
，通过控制bi靶和sb靶溅射源功率的不同以控制相应的元素比例；
63.在生长好的上述拓扑绝缘体层上采用磁控溅射法依次制备第一铁磁绝缘体层、反铁磁绝缘层、第二铁磁绝缘体层和重金属层；
64.在第二铁磁绝缘层上采用磁控溅射法依次制备第二金属电极层、压电层和第一金属电极层。
65.图2为拓扑绝缘体单元，通过磁控溅射法在硅衬底上依次生长不同厚度的拓扑绝缘体层材料bi
x
sb
1-x
和电极层3；
66.图3为磁子结单元，通过第二铁磁绝缘体层6上的重金属层7测量磁子结单元中的磁子流大小；
67.磁子结效应原理如图1所示，从上至下依次为声体波激励单元、磁子结单元、拓扑
绝缘体单元和衬底；其中，声体波激励单元包括第一金属电极层、压电层和第二金属电极层；磁子结单元包括重金属层、第一铁磁绝缘体层、反铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层；拓扑绝缘体单元包括拓扑绝缘体层和衬底；假设磁子结中第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层中初始状态下具有相同的磁矩方向，如图4所示，在拓扑绝缘体层2中通入电流后，在自旋轨道力矩作用下将翻转第一铁磁绝缘体层4中的磁矩，与第二铁磁绝缘体层6反向，如图5所示。若在施加声体波激励的情况下，逆自旋霍尔效应电压也将由高电位转向低电位；
68.声体波激励单元的结构如图6所示，通过第一金属电极层10和第二金属电极层8施加交变电压，压电层9随之产生对应的声体波；
69.sot-磁子结-baw在两层铁磁绝缘体层磁矩方向不同情况下的逆自旋霍尔电压如下：当两层铁磁绝缘体层中的磁矩方向相同的时候，如图7的平行线所示；呈现高电平状态；当两层铁磁绝缘体层中的磁矩方向相反时，呈现低电平状态；
70.综上所述，该实施例可以形成sot-磁子结-baw结构，通过拓扑绝缘体调整磁子结磁矩朝向，以声体波激励作为磁子结动力源，形成具有实际应用价值的高效率低功耗的存储器件原型；
71.除了采用上述实施例中具有的磁子结单元的具体材料和结构外，也可以采用其它具有类似效应的材料以及磁子结结构。
72.本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种基于磁子流效应的存储器，其特征在于，包括：拓扑绝缘体单元、磁子结单元和声体波激励单元；所述拓扑绝缘体单元、磁子结单元和声体波激励单元从下到上依次位于衬底上；所述拓扑绝缘体单元包括拓扑绝缘体层和电极层；所述电极层为在拓扑绝缘体层通入电流的电极；所述拓扑绝缘体层用于当通入电流时利用自旋轨道力矩翻转邻近的铁磁层；所述磁子结单元由下至上包括第一铁磁绝缘体层、反铁磁绝缘体层、第二铁磁绝缘体层和重金属层；所述第一铁磁绝缘体层用于在拓扑绝缘体层产生的自旋轨道力矩的作用下改变磁矩朝向；所述第二铁磁绝缘体层的磁矩保持不变；所述重金属层用于将第二铁磁绝缘体层中传输过来的磁子流以磁子结的逆自旋霍尔效应电压的形式表现；所述反铁磁绝缘体层用于将第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层隔开；所述声体波激励单元包括从下而上的第一金属电极层、压电层和第二金属电极层；所述第一金属电极层和所述第二金属电极层为施加交变电压的电极；所述压电层用于在交变电压作用下产生声体波，所述声体波向下传输，在磁子结单元中产生磁子流；其中，当第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同的磁矩方向，在声体波激励的作用下磁子结的逆自旋霍尔电压为高电平，在拓扑绝缘体层通入电流，第一铁磁绝缘体层磁矩发生翻转后，停止向拓扑绝缘体层通入电流，在声体波激励的作用下磁子结的逆自旋霍尔电压为低电平；当第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相反的磁矩方向，则在声体波激励的作用下磁子结的逆自旋霍尔电压在拓扑绝缘体层通入电流前后由低电平转变为高电平。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述拓扑绝缘体层通过磁控溅射或分子束外延的方式在衬底上生长，所述拓扑绝缘体层上方设置的电极通过磁控溅射法、电子束蒸发镀膜或热蒸发镀膜的方式生长。3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述拓扑绝缘体层为bi
x
sb
1-x
、bi2se3、sb2te3或bi2te3；电极为al、cr、cu、mo或ag；其中，0＜x＜1。4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一铁磁绝缘体和第二铁磁绝缘体层为y3fe5o
12
、cofe2o4或nife2o4；所述反铁磁绝缘体层为nio、fe2o3、cr2o3、mgo、mno、feo、coo、bifeo3、lamno3、la2cuo4、tmfeo3、zncr2o4、f2、cucl2、fecl2、mnf2、fef2或knif3；所述重金属层为v、cr、cu、nb、mo、ru、rh、pd、ag、hf、ta、w、re、ir、pt或au。5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述重金属层通过磁控溅射镀膜法、热蒸发镀膜法或电子束蒸发镀膜法沉积，再通过光刻图形化制备。6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一金属电极层和第二金属电极层通过磁控溅射镀膜法、热蒸发镀膜法或电子束蒸发镀膜法沉积制备；所述压电层通过磁控溅射方法沉积，再通过光刻图形化制备。7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第一金属电极层和所述第二金属电极层为v、cr cu、nb、mo、ru、rh、pd、ag、hf、ta、w、re、ir、pt或au；所述压电层为pzt、aln或pvdf。8.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述衬底的厚度为500μm，所述拓扑绝缘体层厚度为5nm～15nm；所述电极厚度为20nm～50nm。9.根据权利要求4或5所述的存储器，其特征在于，所述第一铁磁绝缘体层厚度为20nm
～30nm，所述反铁磁绝缘层厚度为5nm～20nm；所述第二铁磁绝缘体层为40nm～50nm；所述重金属层厚度为5nm～20nm。10.根据权利要求6或7所述的存储器，其特征在于，所述第一金属电极层的厚度为20nm～100nm；所述第二金属电极层的厚度为20nm～100nm；所述压电层的厚度为20nm～100nm。

技术总结
本发明提供了一种基于磁子流效应的存储器，属于存储器领域，包括衬底、拓扑绝缘体单元、磁子结单元和声体波激励单元；其中磁子结单元由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层、第二铁磁绝缘体层以及重金属层；声体波激励单元用于向磁子结单元提供声体波激励，借助声子-磁子相互作用以激发磁子结单元中磁子流，磁子结单元中的重金属层可以将磁子流以逆自旋霍尔效应电压的形式体现，拓扑绝缘体改变磁子结单元中第一铁磁绝缘体层的磁矩排列方向，进而调节磁子结单元中磁子流的大小，从而实现该磁子结单元的高电平与低电平。本发明利用拓扑绝缘体翻转磁子结单元磁矩，以声体波激励驱动磁子结，是一种新型存储器件结构。是一种新型存储器件结构。是一种新型存储器件结构。


技术研发人员：傅邱云 凌寒冰 叶钊
受保护的技术使用者：深圳华中科技大学研究院
技术研发日：2023.04.21
技术公布日：2023/8/1