一种晶圆测试参数的筛选方法与流程

1.本发明涉及半导体集成电路测试领域，特别涉及一种晶圆测试参数的筛选方法。


背景技术：

2.随着集成电路面积越做越小，存储器的外围电路越做越简洁，这样对实际所需晶圆测试参数的选择提出更高的要求。
3.在当前存储器产品的cp测试(circuit probing或chip probing，裸晶针测；也称为wafer sort、wafer probing等，晶圆测试)时，需要筛选出最优的参数选择方案，但是，由于基准电流档位可调节但是无法量化以及cell(存储单元)窗口无法量化等原因，使得当前的筛选方法复杂、筛选所花费的时间多。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于，提供一种晶圆测试参数的筛选方法，可以降低晶圆测试参数在筛选时的复杂程度，并减少晶圆测试参数筛选所花费的时间。
5.为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆测试参数的筛选方法，包括以下步骤：
6.提供待测试晶圆，所述待测试晶圆包括多个晶粒；
7.在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中；以及
8.将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位。
9.可选的，所述测试结果包括测试通过和测试失败。
10.进一步的，当所述测试结果为测试通过时记作1，所述测试结果为测试失败时记作0。
11.可选的，“在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：
12.在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
13.对所述待测试晶圆进行烘烤工艺；
14.在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
15.在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个档位下均进行第i+1测试项目的测试，并将所有测试结果存储于所述晶圆中；以及
16.在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，m≥i，且m、n和i均为正整数。
17.进一步的，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包
括：
18.在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
19.在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；
20.在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；以及
21.在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。
22.进一步的，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：
23.在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
24.在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；
25.在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；以及
26.在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，i≥2。
27.进一步的，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个档位下均进行第i+1测试项目的测试，并将所有测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：
28.在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
29.在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；
30.在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
31.在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，i≥2。
32.进一步的，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：
33.在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
34.在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；
35.在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
36.在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。
37.可选的，将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位具体包括：
38.先将所有所述测试结果进行统计，再根据统计的所有所述测试结果绘制出测试结果的分布图。
39.进一步的，所述分布图包括离散图和直方图。
40.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
41.本发明提供一种晶圆测试参数的筛选方法，包括以下步骤：提供待测试晶圆，所述待测试晶圆包括多个晶粒；在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，其中，在第一测试项目和第二测试项目之间包括烘烤工艺，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中；以及将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位，以通过对基准电流及cell窗口均不可量化的存储器产品的研究，可通过一次完整项目的晶圆测试，得到基准电流档位与测试结果的分布图，从而直观反映产品特性，确定最终的cp筛选方案，本发明的筛选方法仅通过一次烘烤工艺，缩短了测试所需时间，减少筛选所花费的时间，还降低了晶圆测试参数的筛选时的复杂程度。
附图说明
42.图1为本发明一实施例提供的一种晶圆测试参数的筛选方法的流程示意图。
具体实施方式
43.如背景技术所述，当前晶圆测试参数的筛选方法包括：
44.首先，设置基准电流档位为0档位，在对晶圆的每个晶粒(die)进行第一测试项目的测试，再对所述晶圆进行bake(烘烤)工艺，最后对所述晶圆的所有晶粒分别进行第二测试项目至第m测试项目的测试；
45.接着，依次设置基准电流档位为1档位，在对晶圆的每个晶粒(die)进行第一测试项目的测试，再对所述晶圆进行bake(烘烤)工艺，最后对所述晶圆的所有晶粒分别进行第二测试项目至第m测试项目的测试；
46.接着，依次设置基准电流档位为l档位，在对晶圆的每个晶粒(die)进行第一测试项目的测试，再对所述晶圆进行bake(烘烤)工艺，最后对所述晶圆的所有晶粒分别进行第二测试项目至第m测试项目的测试；
47.接着，依次设置基准电流档位为l+1档位，在对晶圆的每个晶粒(die)进行第一测试项目的测试，再对所述晶圆进行bake(烘烤)工艺，最后对所述晶圆的所有晶粒分别进行第二测试项目至第m测试项目的测试；
48.接着，依次设置基准电流档位为n档位，在对晶圆的每个晶粒(die)进行第一测试项目的测试，再对所述晶圆进行bake(烘烤)工艺，最后对所述晶圆的所有晶粒分别进行第二测试项目至第m测试项目的测试，其中，n＞l，且n和l均为正整数；
49.接着，对所有所述晶粒的所有测试项目的测试结果进行统计，以获得最优的晶圆测试参数的筛选方法。
50.可知，以上方法需要进行n次bake工艺，使得当前的筛选方法较为复杂，筛选所花费的时间也较长。
51.为了解决以上问题，本发明提供一种晶圆测试参数的筛选方法，包括以下步骤：提供待测试晶圆，所述待测试晶圆包括多个晶粒；在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，其中，在第一测试项目和第二测试项目之间包括烘烤工艺，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中；以及将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位，以通过对基准电流及cell窗口均不可量化的存储器产品的研究，可通过一次完整项目的晶圆测试，得到基准电流档位与测试结果的分布图，从而直观反映产品特性，确定最终的cp筛选方案，本发明的筛选方法仅通过一次烘烤工艺，缩短了测试所需时间，减少筛选所花费的时间，还降低了晶圆测试参数的筛选时的复杂程度。
52.以下将对本发明的一种晶圆测试参数的筛选方法作进一步的详细描述。下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
53.为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
54.为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
55.图1为本实施例提供的一种晶圆测试参数的筛选方法的流程示意图。
56.如图1所示，本实施例提供一种晶圆测试参数的筛选方法，包括以下步骤：
57.步骤s1：提供待测试晶圆，所述待测试晶圆包括多个晶粒；
58.步骤s2：在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有测试项目的测试结果存储于所述晶圆中，其中，在第一测试项目和第二测试项目之间包括烘烤工艺；以及
59.步骤s3：将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位。
60.以下对本实施例提供的一种晶圆测试参数的筛选方法进行详细说明。
61.首先执行步骤s1，提供待测试晶圆，所述待测试晶圆包括多个晶粒。
62.在本步骤中，所述待测试晶圆为没有经过实际测试项目测试的新的存储器产品，这些存储器产品没有晶圆测试所需的最优的晶圆测试参数。
63.接着执行步骤s2，在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有测试项目的测试结果存储于所述晶圆中，其中，在第一测试项目和第二测试项目之间包括烘烤工艺，所述测试结果包括测试通过和测试失败。在本步骤中，当所述测试结果为测试通过时记作1，所述测试结果为测试失败时记作0。
64.本步骤具体包括以下步骤：
65.步骤s21，在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第一测试项目cp1的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。
66.详细的，首先，在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第一测试项目cp1的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；再在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第一测试项目cp1的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中l为正整数且大于0；再在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第一测试项目cp1的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；再在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第一测试项目cp1的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。本步骤可以对所述待测试晶圆中所有所述晶粒经过一道工序完成第一测试项目cp1的测试。
67.步骤s22，对所述待测试晶圆进行烘烤工艺，以提高所述存储器产品(晶粒)的数据保持能力。
68.步骤s23，在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第i测试项目cpi的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。
69.详细的，首先，在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第i测试项目cpi的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；再在基准电流档位l，对每个所述晶粒进行第i测试项目cpi的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中l为正整数且大于0；再在基准电流档位l+1，对每个所述晶粒进行第i测试项目cpi的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；再在基准电流档位n，对每个所述晶粒进行第i测试项目cpi的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，i≥2。本步骤可以对所述待测试晶圆中所有所述晶粒经过一道工序完成第i测试项目测试cpi的测试。
70.步骤s24，在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个档位下均进行第i+1测试项目的测试，并将所有测试结果存储于所述晶圆中。
71.详细的，首先，在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；再在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中l为正整数且大于0；再在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；再在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，i≥2。本步骤可以对所述待测试晶圆中所有所述晶粒经过一道工序完成第i+1测试项目测试的测试。
72.步骤s25，在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，m≥i，且为正整数。
73.详细的，首先，在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；再在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中l为正整数且大于0；再在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；再在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。本步骤可以对所述待测试晶圆中所有所述晶粒经过一
道工序完成第m测试项目测试的测试。
74.接着执行步骤s3，将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位。
75.本步骤具体包括：
76.先将所有所述测试结果进行统计，再根据统计的所有所述测试结果绘制出测试结果的分布图。
77.本步骤将每个所述颗粒在基准电流档位0至基准电流档位n下所有测试项目的测试结果进行统计，并得到完整的基准电流档位与测试结果的分布图，并将各测试项目在基准电流档位0至基准电流档位n中的测试通过的数量进行累计，以获得测试通过的数量最多者为对应测试项目的最优基准电流档位。
78.本实施例的晶圆测试参数的筛选方法，仅通过一次烘烤工艺，缩短了测试所需时间，减少筛选所花费的时间，还降低了晶圆测试参数的筛选时的复杂程度。
79.以下以待测试晶圆包括p个晶粒，在基准电流档位0至基准电流档位7下对第一测试项目cp1、第二测试项目cp2和第三测试项目cp3分别进行测试
·
如下表所示：
[0080][0081]
表一
[0082][0083]
表二
[0084]
其中，在表一中的每个数据为一颗晶粒在每个基准电流档位的测试结果，以第一行第一列的数据“00111000”为例，这八位数从左到右依次为基准电流档位0至基准电流档位7在第一测试项目cp1的测试结果，其中0为测试失败，1为测试通过，并通过表一可以整理出表二。
[0085]
在表二中的每个数据为对应测试项目在对应基准电流档位下累计的测试结果，其中以基准电流档位为3，测试项目为第一测试项目cp1的数据75为例，75则表示有75颗晶粒在基准电流档位为3下第一测试项目测试通过。本示例可以通过表二统计的测试结果直接
找到每个测试项目的最优基准电流档位，还可以根据表二的统计绘制出测试结果分布图(例如离散图、直方图等)，以通过分布图可以简单直观的找到每个测试项目的最优基准电流档位，从而直观反应出存储器产品的产品特性。根据以上表格即表二可以看出：实测时可以在基准电流档位为3下进行第一测试项目cp1的测试，在基准电流档位为3下进行第二测试项目cp2的测试，基准电流档位为4下进行第三测试项目cp3的测试，最终得到实际测试时晶圆测试参数的筛选方法。
[0086]
综上所述，本发明提供一种晶圆测试参数的筛选方法，可以通过对基准电流及cell窗口均不可量化的存储器产品的研究，可通过一次完整项目的晶圆测试，得到基准电流档位与测试结果的分布图，从而直观反映产品特性，确定最终的cp筛选方案，本发明的筛选方法仅通过一次烘烤工艺，缩短了测试所需时间，减少筛选所花费的时间，还降低了晶圆测试参数的筛选时的复杂程度。
[0087]
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0088]
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

技术特征：
1.一种晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待测试晶圆，所述待测试晶圆包括多个晶粒；在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中，其中，在第一测试项目和第二测试项目之间包括烘烤工艺；以及将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位。2.如权利要求1所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，所述测试结果包括测试通过和测试失败。3.如权利要求1所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，当所述测试结果为测试通过时记作1，所述测试结果为测试失败时记作0。4.如权利要求1所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；对所述待测试晶圆进行烘烤工艺；在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个档位下均进行第i+1测试项目的测试，并将所有测试结果存储于所述晶圆中；以及在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，m≥i，i≥2且m、n和i均为正整数。5.如权利要求4所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；以及在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。6.如权利要求4所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；
在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；以及在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，i≥2。7.如权利要求4所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个档位下均进行第i+1测试项目的测试，并将所有测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，i≥2。8.如权利要求4所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。9.如权利要求1所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位具体包括：先将所有所述测试结果进行统计，再根据统计的所有所述测试结果绘制出测试结果的分布图。10.如权利要求9所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，所述分布图包括离散图和直方图。

技术总结
本发明提供一种晶圆测试参数的筛选方法，包括：提供待测试晶圆，待测试晶圆包括多个晶粒；在全基准电流档位下对所有晶粒进行每个测试项目的测试，在第一测试项目和第二测试项目之间包括烘烤工艺，并将每个晶粒的所有测试项目的测试结果存储于晶圆中；以及将所有测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位，以通过对基准电流及cell窗口均不可量化的存储器产品的研究，可通过一次完整项目的晶圆测试，从而得到基准电流档位与测试结果的分布图，并直观反映产品特性，且仅通过一次烘烤工艺，缩短了测试所需时间，减少筛选所花费的时间，还降低了晶圆测试参数的筛选时的复杂程度。杂程度。杂程度。


技术研发人员：孙黎瑾
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2023.04.27
技术公布日：2023/8/1