一种接触功率测试方法及硬盘与流程

1.本发明涉及测试技术领域，尤其涉及一种接触功率测试方法及硬盘。


背景技术：

2.热飞行高度控制(tfc)技术现在广泛应用于硬盘驱动器(hdd，hard disk drive)行业，因为它可以实现一致的读/写间隔，提高存储密度，提高hdd可靠性。现有技术中hdd的tdp(touch down power，接触功率)测试，都是通过在slider(磁头滑块)读写线圈加电产生变形来控制飞高，从而测量touch down power。但是，现有tdp测试方法中hdd搭建测试环境比较复杂，同时需要反复试测，效率较低。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本发明提出了一种接触功率测试方法及硬盘，实现了硬盘磁头滑块的tdp离线测试，解决了tfc算法预测和仿真的不确定性，同时从测试机的鲁棒性，测试结果重复性，测试精度，与现有tfc算法的相关性相比均能满足测试需求。
4.基于上述目的，本发明实施例的一方面提供了一种接触功率测试方法，具体包括如下步骤：
5.将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面；
6.分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求；
7.获取加在所述磁头滑块的电压值，并调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘，获取接触功率。
8.在一些实施方式中，将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面包括：
9.通过第一激光器将第一激光垂直打在所述磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在所述磁头滑块的第二表面。
10.在一些实施方式中，分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置包括：
11.通过第一激光器调整第一激光在所述第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在所述第二表面的位置。
12.在一些实施方式中，调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘包括：
13.向大调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘。
14.在一些实施方式中，方法还包括：
15.读取使所述磁头滑块与所述磁盘接触的电压，并基于读取到的电压计算所述磁头滑块与所述模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的接触功率。
16.在一些实施方式中，还包括将计算出的接触功率，应用于以下场景中的一个或多个：
17.tfc算法开发和优化；
18.tfc失效分析；
19.微电子机械系统与磁头滑块组合动态性能性能预测；
20.磁头滑块模态识别。
21.在一些实施方式中，方法还包括：
22.在将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器之前，部署测试环境。
23.在一些实施方式中，部署测试环境包括：
24.将信号发生器与数据采集系统连接，并将所述信号发生器与所述数据采集系统分别与激光器连接，其中，
25.所述信号发生器用于向所述磁头滑块施加电压，以及输出模拟信号，
26.所述数据采集系统用于采集所述信号发生器加在所述磁头滑块上的电压；
27.所述激光器用于发射出激光。
28.在一些实施方式中，获取加在所述磁头滑块的电压值包括：
29.从所述数据采集系统读取所述信号发生器加在所述磁头滑块的电压值。
30.本发明实施例的另一方面，还提供了一种硬盘，硬盘的接触功率基于如下步骤进行测试：
31.将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面；
32.分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求；
33.获取加在所述磁头滑块的电压值，并调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘，获取接触功率。
34.在一些实施方式中，将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面包括：
35.通过第一激光器将第一激光垂直打在所述磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在所述磁头滑块的第二表面。
36.在一些实施方式中，分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置包括：
37.通过第一激光器调整第一激光在所述第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在所述第二表面的位置。
38.在一些实施方式中，调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘包括：
39.向大调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘。
40.在一些实施方式中，方法还包括：
41.读取使所述磁头滑块与所述磁盘接触的电压，并基于读取到的电压计算所述磁头滑块与所述模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的接触功率。
42.在一些实施方式中，还包括将计算出的接触功率，应用于以下场景中的一个或多
个：
43.tfc算法开发和优化；
44.tfc失效分析；
45.微电子机械系统与磁头滑块组合动态性能性能预测；
46.磁头滑块模态识别。
47.在一些实施方式中，方法还包括：
48.在将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器之前，部署测试环境。
49.在一些实施方式中，部署测试环境包括：
50.将信号发生器与数据采集系统连接，并将所述信号发生器与所述数据采集系统分别与激光器连接，其中，
51.所述信号发生器用于向所述磁头滑块施加电压，以及输出模拟信号，
52.所述数据采集系统用于采集所述信号发生器加在所述磁头滑块上的电压；
53.所述激光器用于发射出激光。
54.在一些实施方式中，获取加在所述磁头滑块的电压值包括：
55.从所述数据采集系统读取所述信号发生器加在所述磁头滑块的电压值。
56.本发明至少具有以下有益技术效果：实现了一种接触功率的离线测试方法，可以获取磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的功率临界值，无需反复测试，提高了硬盘接触功率测试的效率。
附图说明
57.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
58.图1为本发明提供的接触功率测试方法的一实施例的流程图；
59.图2为本发明提供的测试接触功率时磁头滑块的一实施例的模态示意图。
具体实施方式
60.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明实施例进一步详细说明。
61.需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。
62.以下描述了本公开的实施例。然而，应该理解，所公开的实施例仅仅是示例，并且其他实施例可以采取各种替代形式。附图不一定按比例绘制；某些功能可能被夸大或最小化以显示特定部件的细节。因此，本文公开的具体结构和功能细节不应被解释为限制性的，而仅仅是作为用于教导本领域技术人员以各种方式使用本技术的代表性基础。如本领域普通技术人员将理解的，参考任何一个附图所示出和描述的各种特征可以与一个或多个其他附图中所示的特征组合以产生没有明确示出或描述的实施例。所示特征的组合为典型应用
提供了代表性实施例。然而，与本公开的教导相一致的特征的各种组合和修改对于某些特定应用或实施方式可能是期望的。
63.在本技术中，关系术语，诸如第一和第二等等，仅用于将一个实体或动作与另一个实体或动作区分开，而不一定要求或暗示此类实体或动作之间的任何实际的这种关系或次序。术语“包含”或其任何其他变型意图覆盖非排他性的包括，使得包括一系列要素的过程、方法、物品或设备并不仅仅包括这些要素，还可以包括未明确列出或这类过程、方法、物品或设备所固有的其他要素。在没有更多的约束的情况下，前面带有“包含”的要素不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或设备中存在另外的相同要素。术语“和/或”当用于列举两个或更多个项目时意指本身可以采用所列项目中的任一个，或可以采用所列项目的两个或更多个的任何组合。
64.基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提出了接触功率测试方法。在如图1所示的实施例中，该方法包括如下步骤：
65.s10、将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面；
66.s20、分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求；
67.s30、获取加在所述磁头滑块的电压值，并调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘，获取接触功率。
68.具体的，将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并将两路激光分别垂直打在磁头滑块的第一表面和第二表面，其中，第一表面即磁头滑块的上表面，磁头滑块的下表面为与模拟磁盘驱动器接触的一面，第二表面即与磁头滑块的上表面相邻的侧面；分别调整两路激光在第一表面和第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求，模拟信号用于反应磁头滑块表面的震动信号，基于信号发生器观测该模拟信号，当信号发生器中观测到模拟信号满格或接近满格时，停止调整激光的位置；获取此时加在磁头滑块的电压值，并调节电压值直到磁头滑块接触到模拟磁盘驱动器的磁盘时获取此时的接触功率。
69.在本实施例中，实现了一种接触功率的离线测试方法，可以获取磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的功率临界值，无需反复测试，提高了硬盘接触功率测试的效率。
70.在一些实施方式中，将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面包括：
71.通过第一激光器将第一激光垂直打在所述磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在所述磁头滑块的第二表面。
72.具体的，将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并通过第一激光器将第一激光垂直打在磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在磁头滑块的第二表面，其中，第一表面即磁头滑块的上表面，磁头滑块的下表面为与模拟磁盘驱动器接触的一面，第二表面即与磁头滑块的上表面相邻的侧面；分别调整两路激光在第一表面和第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求，模拟信号用于反应磁头滑块表面的震动信号，基于信号发生器观测该模拟信号，当信号发生器中观测到模拟信号满格或接近满格时，停止调整激光的位置；获取此时加在磁头滑块的电压值，并调节电压值直到磁头滑块接触到模拟磁盘驱动器的磁盘时获取此时的接触功率。
73.在本实施例中，实现了一种接触功率的离线测试方法，可以获取磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的功率临界值，无需反复测试，提高了硬盘接触功率测试的效率。
74.在一些实施方式中，分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置包括：
75.通过第一激光器调整第一激光在所述第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在所述第二表面的位置。
76.具体的，将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并通过第一激光器将第一激光垂直打在磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在磁头滑块的第二表面，其中，第一表面即磁头滑块的上表面，磁头滑块的下表面为与模拟磁盘驱动器接触的一面，第二表面即与磁头滑块的上表面相邻的侧面；通过第一激光器调整第一激光在第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求，模拟信号用于反应磁头滑块表面的震动信号，基于信号发生器观测该模拟信号，当信号发生器中观测到模拟信号满格或接近满格时，停止调整激光的位置；获取此时加在磁头滑块的电压值，并调节电压值直到磁头滑块接触到模拟磁盘驱动器的磁盘时获取此时的接触功率。
77.在本实施例中，实现了一种接触功率的离线测试方法，可以获取磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的功率临界值，无需反复测试，提高了硬盘接触功率测试的效率。
78.在一些实施方式中，调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘包括：
79.向大调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘。
80.具体的，将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并通过第一激光器将第一激光垂直打在磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在磁头滑块的第二表面，其中，第一表面即磁头滑块的上表面，磁头滑块的下表面为与模拟磁盘驱动器接触的一面，第二表面即与磁头滑块的上表面相邻的侧面；通过第一激光器调整第一激光在第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求，模拟信号用于反应磁头滑块表面的震动信号，基于信号发生器观测该模拟信号，当信号发生器中观测到模拟信号满格或接近满格时，停止调整激光的位置；获取此时加在磁头滑块的电压值，并向大调节电压值直到磁头滑块接触到模拟磁盘驱动器的磁盘；读取使磁头滑块与磁盘接触的电压，并基于读取到的电压计算磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的接触功率。
81.在本实施例中，实现了一种接触功率的离线测试方法，可以获取磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的功率临界值，无需反复测试，提高了硬盘接触功率测试的效率。
82.在一些实施方式中，方法还包括：
83.读取使所述磁头滑块与所述磁盘接触的电压，并基于读取到的电压计算所述磁头滑块与所述模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的接触功率。
84.在一些实施方式中，还包括将计算出的接触功率，应用于以下场景中的一个或多个：
85.tfc算法开发和优化；
86.tfc失效分析；
87.微电子机械系统与磁头滑块组合动态性能性能预测；
88.磁头滑块模态识别。
89.具体的，tfc算法开发和优化指的是帮助传统tfc算法预测tdp和优化；tfc失效分析指的是划碟前后的power(功率)值和振动信号确认失效频率和失效模态；微电子机械系统(mems)与磁头滑块(slider)组合动态性能性能预测指的是slider安装在mems上的ptich/roll角度是否超出规定值。slider模态识别指的是通过激光返回的振动信号，通过提取振动频率，识别slider模态。
90.在一具体实施例，通过两路激光分别打到磁头滑块的lateral方向和vertical方向，两路激光分别可以用显示器监控聚焦的位置，通过调整激光器的高度和位置达到信号良好，在信号发生器上观测到信号满格或者接近满格的情况下，即表示信号良好。通过对磁头滑块加power的方法实现了tdp的测量。如图2所示，即为磁头滑块接触到磁盘时的频域示意图。
91.通过本发明实施例，可以实现tfc的稳定控制，提高了发生hdi(磁头磁碟接触界面)时的诊断效率；并且还可以当touch down发生时在频域识别slider模态。
92.在一些实施方式中，方法还包括：
93.在将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器之前，部署测试环境。
94.具体的，部署测试环境，并在测试环境部署好后，将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并通过第一激光器将第一激光垂直打在磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在磁头滑块的第二表面，其中，第一表面即磁头滑块的上表面，磁头滑块的下表面为与模拟磁盘驱动器接触的一面，第二表面即与磁头滑块的上表面相邻的侧面；通过第一激光器调整第一激光在第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求，模拟信号用于反应磁头滑块表面的震动信号，基于信号发生器观测该模拟信号，当信号发生器中观测到模拟信号满格或接近满格时，停止调整激光的位置；获取此时加在磁头滑块的电压值，并向大调节电压值直到磁头滑块接触到模拟磁盘驱动器的磁盘；读取使磁头滑块与磁盘接触的电压，并基于读取到的电压计算磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的接触功率。
95.在本实施例中，实现了一种接触功率的离线测试方法，可以获取磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的功率临界值，无需反复测试，提高了硬盘接触功率测试的效率；并且测试环境部署简单，可以快速实现。
96.在一些实施方式中，部署测试环境包括：
97.将信号发生器与数据采集系统连接，并将所述信号发生器与所述数据采集系统分别与激光器连接，其中，
98.所述信号发生器用于向所述磁头滑块施加电压，以及输出模拟信号，
99.所述数据采集系统用于采集所述信号发生器加在所述磁头滑块上的电压；
100.所述激光器用于发射出激光。
101.具体的，部署测试环境，将信号发生器与数据采集系统连接，并将信号发生器与数据采集系统分别与激光器连接，其中，信号发生器用于向磁头滑块施加电压，以及输出模拟信号，数据采集系统用于采集信号发生器加在磁头滑块上的电压；激光器用于发射出激光。
102.在测试环境部署好后，将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并通过第一激光器将
第一激光垂直打在磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在磁头滑块的第二表面，其中，第一表面即磁头滑块的上表面，磁头滑块的下表面为与模拟磁盘驱动器接触的一面，第二表面即与磁头滑块的上表面相邻的侧面；通过第一激光器调整第一激光在第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求，模拟信号用于反应磁头滑块表面的震动信号，基于信号发生器观测该模拟信号，当信号发生器中观测到模拟信号满格或接近满格时，停止调整激光的位置；基于数据采集系统从信号发生器获取此时加在磁头滑块的电压值，并通过信号发生器向大调节电压值直到磁头滑块接触到模拟磁盘驱动器的磁盘；读取使磁头滑块与磁盘接触的电压，并基于读取到的电压计算磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的接触功率。
103.在本实施例中，实现了一种接触功率的离线测试方法，可以获取磁头滑块与模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的功率临界值，无需反复测试，提高了硬盘接触功率测试的效率；并且测试环境部署简单，可以快速实现。
104.在一些实施方式中，获取加在所述磁头滑块的电压值包括：
105.从所述数据采集系统读取所述信号发生器加在所述磁头滑块的电压值。
106.基于同一发明构思，根据本发明的另一个方面，本发明的实施例还提供了一种硬盘，硬盘的接触功率基于如下步骤进行测试：
107.将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面；
108.分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求；
109.获取加在所述磁头滑块的电压值，并调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘，获取接触功率。
110.在一些实施方式中，将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面包括：
111.通过第一激光器将第一激光垂直打在所述磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在所述磁头滑块的第二表面。
112.在一些实施方式中，分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置包括：
113.通过第一激光器调整第一激光在所述第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在所述第二表面的位置。
114.在一些实施方式中，调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘包括：
115.向大调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘。
116.在一些实施方式中，方法还包括：
117.读取使所述磁头滑块与所述磁盘接触的电压，并基于读取到的电压计算所述磁头滑块与所述模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的接触功率。
118.在一些实施方式中，还包括将计算出的接触功率，应用于以下场景中的一个或多个：
119.tfc算法开发和优化；
120.tfc失效分析；
121.微电子机械系统与磁头滑块组合动态性能性能预测；
122.磁头滑块模态识别。
123.在一些实施方式中，方法还包括：
124.在将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器之前，部署测试环境。
125.在一些实施方式中，部署测试环境包括：
126.将信号发生器与数据采集系统连接，并将所述信号发生器与所述数据采集系统分别与激光器连接，其中，
127.所述信号发生器用于向所述磁头滑块施加电压，以及输出模拟信号，
128.所述数据采集系统用于采集所述信号发生器加在所述磁头滑块上的电压；
129.所述激光器用于发射出激光。
130.在一些实施方式中，获取加在所述磁头滑块的电压值包括：
131.从所述数据采集系统读取所述信号发生器加在所述磁头滑块的电压值。
132.以上是本发明公开的示例性实施例，但是应当注意，在不背离权利要求限定的本发明实施例公开的范围的前提下，可以进行多种改变和修改。根据这里描述的公开实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不需以任何特定顺序执行。上述本发明实施例公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。此外，尽管本发明实施例公开的元素可以以个体形式描述或要求，但除非明确限制为单数，也可以理解为多个。
133.权利要求中特别指出了被认为是新颖和非显而易见的特定组合和子组合。这些权利要求可涉及“一个”元件或“第一”元件或者类似特征。这样的权利要求应该被理解为包括一个或多个这种元件，既不要求也不排除两个或多个这种元件。描述的特征、功能、元件和/或特性的其它组合和子组合可以通过对当前权利要求的修改或者通过在本技术或相关申请中提出而主张权利。这样的权利要求，与原权利要求相比不论其更宽、更窄、等同或者不同，都应该被认为包括在本技术的主题中。
134.本技术中特别指出了被认为是新颖和非显而易见的特定组合和子组合。特定实施例可涉及“一个”元件或“第一”元件或者类似特征。这样的描述应该被理解为包括一个或多个这种元件，既不要求也不排除两个或多个这种元件。描述的特征、功能、元件和/或特性的其它组合和子组合可以通过对当前申请的修改或者通过在本技术或相关申请中提出而主张权利。这样的权利要求，与原权利要求相比不论其更宽、更窄、等同或者不同，都应该被认为包括在本技术的主题中。
135.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本发明实施例公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明实施例的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上的本发明实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本发明实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明实施例的保护范围之内。

技术特征：
1.一种接触功率测试方法，其特征在于，包括：将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面；分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求；获取加在所述磁头滑块的电压值，并调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘，获取接触功率，获取接触功率。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面包括：通过第一激光器将第一激光垂直打在所述磁头滑块的第一表面，并通过第二激光器将第二激光垂直打在所述磁头滑块的第二表面。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置包括：通过第一激光器调整第一激光在所述第一表面的位置，并通过第二激光器调整第二激光在所述第二表面的位置。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘包括：向大调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取接触功率包括：读取使所述磁头滑块与所述磁盘接触的电压，并基于读取到的电压计算所述磁头滑块与所述模拟磁盘驱动器的磁盘接触时的接触功率。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括将计算出的接触功率，应用于以下场景中的一个或多个：tfc算法开发和优化；tfc失效分析；微电子机械系统与磁头滑块组合动态性能性能预测；磁头滑块模态识别。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器之前，部署测试环境。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，部署测试环境包括：将信号发生器与数据采集系统连接，并将所述信号发生器与所述数据采集系统分别与激光器连接，其中，所述信号发生器用于向所述磁头滑块施加电压，以及输出模拟信号，所述数据采集系统用于采集所述信号发生器加在所述磁头滑块上的电压；所述激光器用于发射出激光。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，获取加在所述磁头滑块的电压值包括：从所述数据采集系统读取所述信号发生器加在所述磁头滑块的电压值。10.一种硬盘，其特征在于，硬盘的接触功率基于如下步骤进行测试：将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面
和第二表面；分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求；获取加在所述磁头滑块的电压值，并调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘，获取接触功率。

技术总结
本发明涉及测试技术领域，具体公开了一种接触功率测试方法及硬盘，接触功率测试方法包括：将磁头滑块置于模拟磁盘驱动器中，并将两路激光分别打在所述磁头滑块的第一表面和第二表面；分别调整两路激光在所述第一表面和所述第二表面的位置直到返回的模拟信号满足需求；获取加在所述磁头滑块的电压值，并调节所述电压值直到所述磁头滑块接触到所述模拟磁盘驱动器的磁盘，获取接触功率。通过本发明的方案，实现了一种接触功率的离线测试方法，无需反复测试，提高了硬盘接触功率测试的效率。提高了硬盘接触功率测试的效率。提高了硬盘接触功率测试的效率。


技术研发人员：聂璇 彭云武
受保护的技术使用者：苏州浪潮智能科技有限公司
技术研发日：2023.03.08
技术公布日：2023/7/31