显示装置和制造显示装置的方法与流程

显示装置和制造显示装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术基于并且要求于2022年1月26日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0011785号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施方式涉及显示装置和制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及在制造工艺期间具有低缺陷率的显示装置和制造显示装置的方法。


背景技术：

4.通常，诸如有机发光显示装置的显示装置包括像素电极、发射层和相对电极，以使得从发射层发射的光提取到外部并且显示图像。显示装置发射具有与施加到像素电极的电信号对应的亮度的光。为此，显示装置可包括焊盘，并且可经由焊盘接收来自集成电路设备和/或印刷电路板的信号。


技术实现要素：

5.然而，在根据相关技术的显示装置中，焊盘可能在形成焊盘之后的后工艺中损坏。
6.一个或多个实施方式包括在制造工艺期间具有低缺陷率的显示装置和制造显示装置的方法。然而，以上技术特征是示例性的，并且本公开的范围不限于此。
7.额外方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践所呈现的本公开的实施方式而习得。
8.根据实施方式，显示装置包括：衬底，衬底包括显示区域和在显示区域外部的外围区域；显示元件，显示元件排列在显示区域中；以及焊盘，焊盘排列在外围区域中，焊盘包括第一金属层、布置在第一金属层上的第二金属层、布置在第二金属层上并且与第二金属层面接触的第一金属氧化物层和布置在第一金属氧化物层上并且与第一金属氧化物层面接触的氧化物导电层。
9.氧化物导电层可包括氧化铟锡(ito)。
10.氧化物导电层可包括非晶ito。
11.第一金属氧化物层可包括第二金属层所包括的金属的氧化物。
12.氧化物导电层在朝向第一金属氧化物层的方向上的底表面可具有比上表面的面积小的面积，并且氧化物导电层的侧表面可相对于第一金属氧化物层的上表面倾斜。
13.第一金属氧化物层的上表面的面积可等于氧化物导电层在朝向第一金属氧化物层的方向上的底表面的面积。
14.显示装置还可包括第二金属氧化物层，第二金属氧化物层位于第二金属层上以定位在第一金属氧化物层外部。
15.第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可一体地形成为单个本体。
16.第一金属氧化物层可具有比第二金属氧化物层的厚度大的厚度。
17.第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可包括相同的材料。
18.第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可包括第二金属层所包括的金属的氧化物。
19.第二金属层可包括铜，并且第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可包括氧化铜。
20.氧化物导电层的上表面的面积可等于或小于第二金属层的上表面的面积。
21.氧化物导电层的底表面与侧表面之间的角度可大于90
°
且可小于或等于170
°
。
22.第一金属层可包括钛。
23.氧化物导电层可具有约至约的厚度。
24.第二金属层的底表面的面积可大于第二金属层的上表面的面积，并且第二金属层的侧表面可相对于第二金属层的底表面倾斜。
25.第二金属层的底表面与侧表面之间的角度可大于或等于约30
°
且小于或等于约70
°
。
26.显示装置还可包括薄膜晶体管，薄膜晶体管排列在显示区域中以电连接到显示元件并且可包括具有与焊盘的分层结构相同的分层结构的电极。
27.根据实施方式，制造显示装置的方法包括：在第一沉积簇的第一腔室中在衬底上沉积第一金属层形成层；在第一沉积簇的第二腔室中在第一金属层形成层上沉积第二金属层形成层；在第一沉积簇外部，清洁第二金属层形成层的上表面；在第三腔室中在第二金属层形成层之上沉积氧化物导电层形成层；以及通过同时图案化第一金属层形成层、第二金属层形成层和氧化物导电层形成层来形成焊盘。
28.形成焊盘可包括第一图案化工艺和第二图案化工艺，在第一图案化工艺中同时图案化第一金属层形成层、第二金属层形成层和氧化物导电层形成层，在第二图案化工艺中，通过图案化氧化物导电层形成层来形成氧化物导电层。
29.在第二图案化工艺中使用的蚀刻剂中包括的金属抑制剂的wt％可大于在第一图案化工艺中使用的蚀刻剂中包括的金属抑制剂的wt％。
30.第一金属层形成层可包括钛，第二金属层形成层可包括铜，并且氧化物导电层形成层可包括ito。
31.通过附图、权利要求书和详细描述，本公开的其它方面、特征和优点将变得更好理解。
附图说明
32.通过结合附图而作出的以下描述，本公开的某些实施方式的以上和其它方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
33.图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
34.图2是包括在图1的显示装置中的像素的等效电路图；
35.图3是示意性地示出图1中的部分a的放大图的平面图；
36.图4是示意性地示出图1的显示装置的一部分的剖视图；
37.图5至图10是示意性地示出制造图4的显示装置的工艺的剖视图；
38.图11是沿图3的线b-b
′
截取的显示装置的剖视图；
39.图12是示出根据ito厚度的每单位面积的针孔的数量的曲线图；
40.图13是示意性地示出根据实施方式的显示装置的区的剖视图；以及
41.图14是示出图13中的部分c的放大图的剖视图。
具体实施方式
42.现将详细地参照实施方式，实施方式的实例在附图中示出，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件。在这方面，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面通过参照图仅对实施方式进行描述，以解释本描述的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变体。
43.由于本公开允许各种改变和许多实施方式，因此将在附图中示出并且在书面描述中详细描述特定实施方式。为了获得充分理解、其优点和通过实现方式实现的目标，参照了用于示出一个或多个实施方式的附图。然而，实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。
44.下面将参照附图对实施方式进行更加详细的描述。相同或对应的那些部件被赋予相同的附图标记，而与图号无关，并且省略冗余解释。
45.应理解，当诸如层、膜、区或衬底的元件被称为放置在另一元件“上”时，该元件能够直接放置在另一元件上，或者也可存在有(多个)居间层。为了解释的便利，附图中的部件的尺寸可被放大。换句话说，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了解释的便利而被任意地示出，因此下面的实施方式不限于此。
46.x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。
47.如图1中所示，根据实施方式的显示装置包括显示面板10。可使用任何类型的显示装置，前提是显示装置包括显示面板10。例如，显示装置可表示各种设备，诸如智能电话、平板计算机、膝上型计算机、电视、广告牌等。
48.显示面板10包括显示区域da和定位在显示区域da的外部的外围区域pa。在图1中，显示区域da具有矩形形状。然而，一个或多个实施方式不限于此。显示区域da可具有各种形状，例如圆形形状、椭圆形形状、除矩形形状外的多边形形状、特定图形形状等。
49.显示区域da显示图像，并且可包括多个像素px。像素px中的每一个可包括诸如有机发光二极管的显示元件。例如，每个像素px可发射红色光、绿色光或蓝色光。像素px可连接到包括薄膜晶体管tft(参见图4)、存储电容器等的像素电路。像素电路可连接到配置为传输扫描信号的扫描线sl、与扫描线sl交叉并且配置为传输数据信号的数据线dl和配置为供给驱动电压的驱动电压线pl等。扫描线sl可在x方向上延伸，并且数据线dl和驱动电压线pl可在y方向上延伸。
50.像素px中的显示元件可发射对应于来自与其电连接的像素电路的电信号的亮度的光。显示区域da可经由从像素px发射的光来显示特定图像。如上所述，像素px可被限定为发射红色、绿色和蓝色中的一种颜色的光的发射区。
51.外围区域pa可为未排列像素px的区，并且可不显示图像。用于驱动像素px的电源线等可位于外围区域pa中。此外，外围区域pa可包括焊盘400，焊盘400电连接有包括驱动电路部的印刷电路板或诸如驱动器ic的集成电路元件。
52.显示面板10包括衬底100，并且因此可理解，衬底100包括显示区域da和外围区域pa。
53.在下文中，作为实例，根据实施方式的显示装置被描述为有机发光显示装置。然而，本公开的显示装置不限于此。例如，显示装置可包括无机发光显示装置、无机电致发光(el)显示装置或量子点发光显示装置。
54.图2是包括在图1的显示装置中的像素px的等效电路图。如图2中所示，像素px包括像素电路pc和电连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。
55.像素电路pc可包括第一晶体管t1、第二晶体管t2和存储电容器cst。第二晶体管t2是连接到扫描线sl和数据线dl的开关晶体管，并且根据从扫描线sl输入的开关信号导通，并且可将从数据线dl输入的数据信号传输到第一晶体管t1。存储电容器cst的一端电连接到第二晶体管t2，并且存储电容器cst的另一端电连接到驱动电压线pl。存储电容器cst可存储与从第二晶体管t2传输的电压和供给到驱动电压线pl的驱动电源电压elvdd之间的差对应的电压。
56.第一晶体管t1是电连接到驱动电压线pl和存储电容器cst的驱动晶体管，并且可与存储电容器cst中存储的电压的值对应地控制从驱动电压线pl流动到有机发光二极管oled的驱动电流的大小。有机发光二极管oled可根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管oled的相对电极530(参见图4)可接收电极电源电压elvss的供给。
57.图2示出了像素电路pc包括两个晶体管和一个存储电容器，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，薄膜晶体管的数量或存储电容器的数量可根据像素电路pc的设计而改变。
58.图3是示意性地示出图1中的部分a的放大图的平面图。如图3中所示，在外围区域pa中可排列有连接线1100。连接线1100可将显示区域da中的信号线(例如，数据线)电连接到焊盘400。连接线1100中的每一个可包括第一部分1101和第二部分1102，其中，第一部分1101在一个方向上延伸，以便将信号线电连接到焊盘400，并且第二部分1102排列在第一部分1101的端部处。
59.焊盘400可与连接线1100中的对应一个重叠。具体地，焊盘400可定位在连接线1100的第二部分1102上，并且与连接线1100的第二部分1102重叠。焊盘400可具有包括多个层的多层结构。这将稍后进行描述。
60.图4是示意性地示出图1的显示装置的一部分的剖视图。如图4中所示，根据实施方式的显示装置包括衬底100。衬底100可包括各种柔性或可弯曲材料。例如，衬底100可包括玻璃、金属或聚合物树脂。聚合物树脂可为聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。衬底100可进行各种修改，例如，衬底100可具有包括两个层和定位在两个层之间的阻挡层的多层结构，该两个层各自包括聚合物树脂并且阻挡层包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料。
61.在衬底100上可定位有显示元件和与显示元件电连接的薄膜晶体管tft。在图4中，
有机发光二极管oled定位在衬底100上作为显示元件。有机发光二极管oled电连接到薄膜晶体管tft可被理解为有机发光二极管oled的像素电极510电连接到薄膜晶体管tft。
62.薄膜晶体管tft包括包含有非晶硅、多晶硅、有机半导体材料或氧化物半导体材料的半导体层221。此外，薄膜晶体管tft可包括栅电极222、源电极440和/或漏电极430。栅电极222可具有包括各种导电材料的各种分层结构，例如，可包括mo层和al层。替代性地，栅电极222可包括tinx层、al层和/或ti层。源电极440和漏电极430也可具有包括各种导电材料的各种分层结构，例如，ti层、a1层和/或cu层。
63.为了确保半导体层221与栅电极222之间的绝缘性能，在半导体层221与栅电极222之间可定位有栅极绝缘层223，栅极绝缘层223包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在图4中，栅极绝缘层223被图案化成与栅电极222的形状相同的形状，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，栅极绝缘层223可具有与衬底100的整个表面对应的形状，并且可具有其中在预设位置处形成有接触孔的结构。
64.此外，在栅电极222上可布置有包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第二绝缘层il2，并且源电极440和漏电极430可布置在第二绝缘层il2上。源电极440和漏电极430可各自具有包括多个层的多层结构。这将稍后进行描述。
65.然而，一个或多个实施方式不限于此。例如，薄膜晶体管tft可仅包括源电极440和漏电极430中的一个，或者可不包括源电极440和漏电极430两者。例如，一个薄膜晶体管tft可不包括漏电极430，连接到以上薄膜晶体管tft的另一薄膜晶体管tft可不包括源电极440，并且这两个薄膜晶体管tft中的半导体层221可彼此连接。以上连接结构可产生与以下实例的效果相同的效果，在该实例中，一个薄膜晶体管包括源电极且另一个薄膜晶体管包括漏电极，并且一个薄膜晶体管的源电极连接到另一个薄膜晶体管的漏电极。
66.可通过化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)法来获得包括无机材料的绝缘层。这也将适用于稍后将描述的实施方式及其修改。
67.存储电容器cst可包括第一电极310和第二电极420。存储电容器cst的第一电极310可通过与形成栅电极222的工艺相同的工艺形成，并且可包括与栅电极222的材料相同的材料。在第一电极310下可布置有绝缘层312，绝缘层312包括与栅极绝缘层223的材料相同的材料。栅电极222下的栅极绝缘层223和第一电极310下的绝缘层312通过与栅电极222和第一电极310的掩模工艺(图案化工艺)相同的掩模工艺(图案化工艺)形成，并且因此，在平面图中栅极绝缘层223的形状与栅电极222的形状实质上相同，并且绝缘层312的形状可与第一电极310的形状实质上相同。与以上实例不同，绝缘层312可与栅极绝缘层223一体地形成为单个本体，并且可具有覆盖半导体层221并且对应于衬底100的整个表面的形状。
68.薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430以及存储电容器cst的第二电极420可在用于形成焊盘400的图案化工艺中一起形成。因此，与焊盘400一样，源电极440、漏电极430和第二电极420可包括多层结构。多层结构将稍后进行描述。
69.此外，在薄膜晶体管tft的半导体层221下可布置有下金属层210。下金属层210可电连接到源电极440和漏电极430中的一个。在图4中，下金属层210电连接到漏电极430。在这种情况下，如果需要，下金属层210可用作布线。然而，一个或多个实施方式不限于此。例如，下金属层210可不连接到薄膜晶体管tft。在这种情况下，下金属层210可具有孤立的形状。如果需要，驱动电压线pl可电连接到下金属层210，使得作为恒定电压的驱动电源电压
elvdd施加到下金属层210，或者电极电压线可电连接到下金属层210，使得作为恒定电压的电极电源电压elvss施加到下金属层210。在这种情况下，下金属层210可遮蔽薄膜晶体管tft。
70.下金属层210可包括选自铝(a1)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)和铜(cu)中的一种或多种材料。
71.在下金属层210与半导体层221之间可排列有第一绝缘层il1。例如，第一绝缘层il1可形成在衬底100的整个表面上，以覆盖下金属层210。在这种情况下，第一绝缘层il1可定位在存储电容器cst和焊盘400下。例如，第一绝缘层il1可包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一绝缘层il1可增加衬底100的上表面上的平坦度，或者可防止或减少杂质从衬底100渗透到薄膜晶体管tft的半导体层221中。
72.如上所述，第二绝缘层il2可布置在栅电极222上。第二绝缘层il2可形成在衬底100的整个表面上，以覆盖栅电极222。因此，源电极440和漏电极430可布置在第二绝缘层il2上。第二绝缘层il2可覆盖存储电容器cst的第一电极310，并且存储电容器cst的第二电极420和焊盘400可布置在第二绝缘层il2上。
73.例如，第二绝缘层il2可包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。替代性地，第二绝缘层il2可包括有机材料，并且可具有平坦的上表面。在后者中，例如，第二绝缘层il2可包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(bcb)或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机材料。
74.在源电极440和漏电极430上可布置有第三绝缘层il3。详细地，第三绝缘层il3可形成在衬底100的整个表面上，以覆盖源电极440、漏电极430和存储电容器cst的第二电极420。第三绝缘层il3可覆盖焊盘400。例如，第三绝缘层il3可包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
75.在第三绝缘层il3上可布置有有机绝缘层ol。如图4中所示，当有机发光二极管oled布置在薄膜晶体管tft上时，有机绝缘层ol可使覆盖薄膜晶体管tft的保护层的上部平坦化。例如，有机绝缘层ol可包括有机材料，诸如丙烯酸、bcb、hmdso等。在图4中，有机绝缘层ol具有单层结构，但有机绝缘层ol可具有诸如多层结构的各种修改。
76.在有机绝缘层ol上可定位有显示元件。如图4中所示的有机发光二极管oled可用作显示元件。例如，有机发光二极管oled可包括像素电极510、相对电极530和位于像素电极510与相对电极530之间的中间层520，中间层520包括发射层。像素电极510可经由在有机绝缘层ol中形成的接触孔与源电极440和漏电极430中的一个接触，以电连接到薄膜晶体管tft，如图4中所示。像素电极510包括透光导电层和反射层，透光导电层包括透射光的导电氧化物，例如ito、in2o3或izo，并且反射层包括诸如al或ag的金属。例如，像素电极510可具有包括ito/ag/ito的三层结构。
77.有机发光二极管oled的中间层520可包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层520包括低分子量材料时，中间层520可包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)等。当中间层520包括聚合物材料时，中间层520可包括htl和eml。以上层可通过沉积法、喷墨印刷法、丝网印刷法、激光诱导热成像(liti)法等形成。
78.然而，中间层520不限于此，并且可具有各种结构。此外，中间层520可一体地形成为遍及多个像素电极510的单个本体，或者可被图案化以对应多个像素电极510中的每一
个。
79.如图4中所示，相对电极530布置在显示区域da上方，并且可覆盖显示区域da。也就是说，相对电极530可一体地形成为相对于多个有机发光二极管oled的单个本体，并且对应于多个像素电极510。相对电极530可包括包含有ito、in2o3、izo等的透光导电层，并且可包括包含有诸如al、ag等的金属的半透射层。例如，相对电极530可包括包含有mgag的半透射层。
80.在有机绝缘层ol上可布置有像素限定层uil。像素限定层uil可具有对应于像素中的每一个的开口，即，至少暴露像素电极510的中心部分的开口，并且像素限定层uil限定像素。此外，如图4中所示，像素限定层uil可增加像素电极510的边缘与相对电极530之间的距离，并且防止从像素电极510的边缘生成电弧等。例如，像素限定层uil可包括有机材料，诸如聚酰亚胺、hmdso等。
81.由于有机发光二极管oled可能容易被外部湿气或氧气损坏，因此封装层600可覆盖有机发光二极管oled以保护有机发光二极管oled。封装层600可覆盖显示区域da，并且可延伸到显示区域da的外侧。如图4中所示，封装层600可包括第一无机封装层610、有机封装层620和第二无机封装层630。
82.第一无机封装层610覆盖相对电极530，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果需要，在第一无机封装层610与相对电极530之间可提供有诸如覆盖层等的其它层。由于第一无机封装层610沿其下部结构排列，如图4中所示，因此第一无机封装层610可具有不平坦的上表面。有机封装层620覆盖第一无机封装层610，并且与第一无机封装层610不同，可具有平坦的上表面。有机封装层620可包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷构成的组中的一种或多种材料。第二无机封装层630覆盖有机封装层620，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层630在其在显示区域da的外部上的边缘处与第一无机封装层610接触，并且有机封装层620可不暴露于外部。
83.焊盘400可排列在外围区域pa中。如上所述，焊盘400排列为与连接线1100(参见图3)的一部分重叠，并且可经由连接线1100与排列在显示区域da中的信号线电连接。在图4中，为了描述的便利，未示出连接线1100。焊盘400可具有包括多个层的多层结构。例如，焊盘400可包括第二金属层403、布置在第二金属层403下的第一金属层401、布置在第二金属层403之上的氧化物导电层407和布置在第二金属层403与氧化物导电层407之间的第一金属氧化物层405。稍后将详细描述焊盘400。
84.图5至图10是示意性地示出制造图4的显示装置的工艺的剖视图。详细地，图5至图10是示意性地示出制造薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430、存储电容器cst的第二电极420和焊盘400的工艺的剖视图。
85.如图5中所示，在衬底100上形成第一金属层形成层460，并且在第一金属层形成层460上形成第二金属层形成层470。第一金属层形成层460在第一沉积簇(first deposition cluster)的第一腔室中通过溅射法等形成在衬底100上，以对应于衬底100的整个表面，并且第二金属层形成层470可在第一沉积簇的第二腔室中通过溅射法等形成在第一金属层形成层460上，以对应于衬底100的整个表面。如上所述，第一金属层形成层460和第二金属层形成层470可在第一沉积簇中连续地沉积。第一金属层形成层460可包括钛，并且第二金属
层形成层470可包括铜。然而，一个或多个实施方式不限于此。例如，第二金属层形成层470可包括铝、银或金。
86.然后，将衬底100移出第一沉积簇，并且然后通过使用清洁设备清洁第二金属层形成层470等的上表面。例如，可通过将去离子水喷射到第二金属层形成层470等来清洁第二金属层形成层470，或者可在对其施加超声波的同时来清洁第二金属层形成层470。通过清洁工艺，如图6中所示，在第二金属层形成层470的上表面上形成第一金属氧化物层形成层480。当第二金属层形成层470的上表面被氧化时形成第一金属氧化物层形成层480。因此，第一金属氧化物层形成层480可包括第二金属层形成层470中包括的金属的氧化物材料。当第二金属层形成层470包括铜时，第一金属氧化物层形成层480可包括氧化铜。
87.如上所述，清洁第二金属层形成层470的上表面等，并且在此之后，在第二金属层形成层470之上，即，在第一金属氧化物层形成层480上形成氧化物导电层形成层490，如图7中所示。可在第三腔室中形成以上的氧化物导电层形成层490，并且第三腔室可包括在第一沉积簇中，或者可包括在不同于第一沉积簇的第二沉积簇中。氧化物导电层形成层490可包括氧化铟锡(ito)。详细地，氧化物导电层形成层490可包括非晶ito。
88.当第一金属层形成层460和第二金属层形成层470形成在第一沉积簇的第一腔室和第二腔室中时，第一腔室和第二腔室的温度可保持为非常高，并且第二金属层形成层470的表面温度也可保持为非常高。当在以上状态下直接形成包括ito的氧化物导电层形成层490时，在高温下形成的氧化物导电层形成层490包括结晶ito。
89.然而，在根据本实施方式的制造显示装置的工艺中，在第一沉积簇的第一腔室和第二腔室中形成第一金属层形成层460和第二金属层形成层470，并且在此之后，衬底100等移动到第一沉积簇的外部，并且通过使用清洁设备清洁第二金属层形成层470的上表面。此外，氧化物导电层形成层490形成在第三腔室中。因此，在第一金属氧化物层形成层480上形成的氧化物导电层形成层490可包括非晶ito。
90.在此之后，第一金属层形成层460、第二金属层形成层470、第一金属氧化物层形成层480和氧化物导电层形成层490同时被图案化，并且如图8中所示的焊盘400被形成。因此，焊盘400包括第一金属层401、布置在第一金属层401上的第二金属层403、布置在第二金属层403上并且与第二金属层403面接触的第一金属氧化物层405
′
和布置在第一金属氧化物层405
′
上并且与第一金属氧化物层405
′
面接触的氧化物导电层407
′
。第一金属层401包括钛，第二金属层403包括铜，第一金属氧化物层405
′
包括在第二金属层403中包括的金属的氧化物，即，氧化铜，并且氧化物导电层407
′
可包括ito，具体地，非晶ito。
91.在形成焊盘400的工艺期间，薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430以及存储电容器cst的第二电极420可与焊盘400一起同时形成。因此，与在焊盘400中一样，薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430以及存储电容器cst的第二电极420可包括多层结构。因此，源电极440的子层、漏电极430的子层431、433、435
′
和437
′
以及存储电容器cst的第二电极420的子层421、423、425
′
和427
′
可包括与作为焊盘400的子层的第一金属层401、第二金属层403、第一金属氧化物层405
′
和氧化物导电层407
′
的材料相同的材料。
92.此外，如图8中所示，在剖视图中，源电极440的子层、漏电极430的子层431、433、435
′
和437
′
以及存储电容器cst的第二电极420的子层421、423、425
′
和427
′
可具有与作为焊盘400的子层的第一金属层401、第二金属层403、第一金属氧化物层405
′
和氧化物导电层
407
′
的形状相似或相同的形状。这也将适用于稍后将描述的实施方式及其修改。
93.如上所述，第一金属层形成层460、第二金属层形成层470、第一金属氧化物层形成层480和氧化物导电层形成层490同时被图案化，并且如图8中所示的焊盘400被形成。这里，在焊盘400中，氧化物导电层407
′
可突出到第二金属层403和第一金属氧化物层405
′
外。除了焊盘400之外，这也可能发生在源电极440、漏电极430和存储电容器cst的第二电极420中。
94.包括非晶ito的氧化物导电层形成层490相对于蚀刻剂的蚀刻比率小于包括铜的第二金属层形成层470的蚀刻比率和包括氧化铜的第一金属氧化物层形成层480的蚀刻比率。因此，在作为第一蚀刻工艺的第一图案化工艺之后，包括非晶ito的氧化物导电层407
′
的边缘突出到包括铜的第二金属层403和第一金属氧化物层405
′
外，并且因此，氧化物导电层407
′
具有突起，例如，尖端。当第三绝缘层il3(参见图11)形成在具有尖端的氧化物导电层407
′
上时，由于氧化物导电层407
′
的尖端，第三绝缘层il3可能无法完全覆盖氧化物导电层407
′
的上表面和侧表面，并且因此，焊盘400的侧表面可能部分地被暴露。在这种情况下，当在其上形成布线或电极时，布线或电极可能无意地接触焊盘400的侧表面，并且可能发生例如与焊盘400电连接的缺陷。替代性地，氧化物导电层407
′
的尖端可能在制造工艺期间被切割，并且可能导致其中切割的尖端与其它布线接触并且产生布线之间的短路的缺陷。除了焊盘400之外，这也可能发生在源电极440、漏电极430和存储电容器cst的第二电极420中。
95.为了防止以上问题，当制造根据实施方式的显示装置时，如图9中所示，执行作为第二蚀刻工艺的第二图案化工艺以去除尖端。也就是说，第二图案化工艺是对通过第一图案化工艺从氧化物导电层形成层490形成的氧化物导电层407
′
进行蚀刻和图案化的工艺，并且具体地，可为从氧化物导电层407
′
中去除尖端的工艺。漏电极430的子层437
′
、存储电容器cst的第二电极420的子层427
′
和源电极440的子层也同时被图案化，并且因此，也可去除以上层的尖端。
96.在第二图案化工艺中使用的蚀刻剂可包括金属抑制剂，以便选择性地蚀刻包括非晶ito的氧化物导电层407
′
。如果需要，在第一图案化工艺中使用的蚀刻剂也可包括金属抑制剂，但金属抑制剂的量可相对小。也就是说，在第二图案化工艺中使用的蚀刻剂中包括的金属抑制剂的wt％可大于在第一图案化工艺中使用的蚀刻剂中包括的金属抑制剂的wt％。
97.通过以上工艺，可形成如图9中所示的焊盘400。因此，焊盘400包括第一金属层401、布置在第一金属层401上的第二金属层403、布置在第二金属层403上并且与第二金属层403面接触的第一金属氧化物层405以及布置在第一金属氧化物层405上并且与第一金属氧化物层405面接触的氧化物导电层407。第一金属层401包括钛，第二金属层403包括铜，第一金属氧化物层405包括第二金属层403中包括的金属的氧化物，即，氧化铜，并且氧化物导电层407可包括ito，具体地，非晶ito。氧化物导电层407可不包括突出到第二金属层403外的尖端。
98.通过以上工艺，薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430以及存储电容器cst的第二电极420可包括与焊盘400的多层结构相同或相似的多层结构。因此，源电极440的子层、漏电极430的子层431、433、435和437以及存储电容器cst的第二电极420的子层421、423、425和427可包括与作为焊盘400的子层的第一金属层401、第二金属层403、第一金属氧化物
层405和氧化物导电层407的材料相同的材料，并且可不具有尖端。
99.此外，在通过图案化工艺形成焊盘400等之后，通过清洁焊盘400的上表面等的工艺和在清洁工艺之后的制造工艺，第二金属层403等可与氧气、湿气等接触。因此，第二金属层403的暴露在外的表面可再次被氧化，并且如图10中所示，可形成定位在第二金属层403的侧表面部分等上的第二金属氧化物层406(参见图11)，以定位在第一金属氧化物层405外部。稍后将详细描述第二金属氧化物层406。
100.图11是沿图3的线b-b
′
截取的显示装置的剖视图，并且详细地示出了焊盘400的剖面结构。如图11中所示，氧化物导电层407中的在朝向第一金属氧化物层405的方向(-z方向)上的底表面407b的面积小于上表面407a的面积。此外，氧化物导电层407的侧表面407c相对于第一金属氧化物层405的上表面405a倾斜。
101.如上所述，焊盘400等通过作为第一蚀刻工艺的第一图案化工艺和作为第二蚀刻工艺的第二图案化工艺形成，在第一蚀刻工艺中第一金属层形成层460、第二金属层形成层470、第一金属氧化物层形成层480和氧化物导电层形成层490同时图案化。这里，因为包括氧化铜的第一金属氧化物层形成层480相对于图案化工艺中使用的蚀刻剂的蚀刻比率大于包括非晶ito的氧化物导电层形成层490的蚀刻比率，因此氧化物导电层形成层490的下部(在-z方向上)比其上部相对蚀刻更多。因此，氧化物导电层407的底表面407b在朝向第一金属氧化物层405的方向(-z方向)上的面积小于氧化物导电层407的上表面407a的面积。此外，氧化物导电层407的侧表面407c相对于第一金属氧化物层405的上表面405a倾斜。
102.在蚀刻工艺期间，氧化物导电层407的底表面407b的外部的第一金属氧化物层形成层480全部被去除。因此，第一金属氧化物层405仅位于氧化物导电层407的底表面407b与第二金属层403之间。因此，第一金属氧化物层405的上表面405a的面积与氧化物导电层407在朝向第一金属氧化物层405的方向(-z方向)上的底表面407b的面积实质上相同。此外，如上所述，第二金属层403的暴露表面在后工艺中再次被氧化，并且因此，在第二金属层403上形成第二金属氧化物层406，使得第二金属氧化物层406定位在第一金属氧化物层405外部。与第一金属氧化物层405中的一样，第二金属氧化物层406可包括第二金属层403中包括的金属的氧化物，即，氧化铜。也就是说，第一金属氧化物层405和第二金属氧化物层406可包括相同的材料。此外，第二金属氧化物层406可与第一金属氧化物层405一体地形成为单个本体。第二金属氧化物层406可包括定位在第二金属层403的上表面403a上以定位在第一金属氧化物层405外部的第2-1金属氧化物层406a和定位在第二金属层403的侧表面403c上的第2-2金属氧化物层406b。
103.这里，在制造显示装置的工艺期间，第一金属氧化物层405通过清洁第二金属层形成层470的上表面等的工艺形成，并且第二金属氧化物层406在与氧气或湿气接触时形成，并且因此，第一金属氧化物层405的厚度t1可大于第二金属氧化物层406的厚度t2。
104.此外，如以上参照图8和图9所述，当制造根据实施方式的显示装置时，执行作为第一蚀刻工艺的第一图案化工艺和作为第二蚀刻工艺的第二图案化工艺。第二图案化工艺是对通过第一图案化工艺形成的氧化物导电层407进行蚀刻和图案化的工艺，并且具体地可为从氧化物导电层407等去除尖端的工艺。因此，当在执行第二图案化工艺之前在氧化物导电层407上存在尖端时，氧化物导电层407的上表面407a的面积大于第二金属层403的上表面403a的面积，但是在执行第二图案化工艺之后，尖端从氧化物导电层407去除，使得氧化
物导电层407的上表面407a的面积可等于或小于第二金属层403的上表面403a的面积。
105.如上所述，在根据实施方式的制造显示装置的工艺中，在第一沉积簇的第一腔室和第二腔室中形成第一金属层形成层460和第二金属层形成层470，并且在此之后衬底100等移动到第一沉积簇的外部，并且通过使用清洁设备清洁第二金属层形成层470的上表面。此外，在第三腔室中形成氧化物导电层形成层490。
106.当在第一沉积簇的第一腔室和第二腔室中形成第一金属层形成层460和第二金属层形成层470时，第一腔室和第二腔室保持非常高的温度，并且第二金属层形成层470的表面温度也可保持在非常高的状态下。当在以上状态下直接形成包括ito的氧化物导电层形成层490时，在高温下形成的氧化物导电层形成层490包括结晶ito。结晶ito相对于蚀刻剂的蚀刻比率大于非晶ito的蚀刻比率。因此，当氧化物导电层形成层490包括结晶ito时，通过对氧化物导电层形成层490进行图案化而形成的氧化物导电层407具有非常大的尖端，这可能导致上述缺陷。
107.然而，在根据实施方式的制造显示装置的工艺中，在第一沉积簇的第一腔室和第二腔室中形成第一金属层形成层460和第二金属层形成层470，并且在此之后，衬底100等移动到第一沉积簇的外部，并且通过使用清洁设备清洁第二金属层形成层470的上表面。此外，在第三腔室中形成氧化物导电层形成层490。因此，氧化物导电层形成层490包括非晶ito，并且因此，可有效地防止或减少在制造工艺期间缺陷的生成。
108.如上所述，第一金属层形成层460、第二金属层形成层470、第一金属氧化物层形成层480和氧化物导电层形成层490同时被图案化，并且焊盘400被形成。图案化工艺包括第一图案化工艺和第二图案化工艺，并且第二图案化工艺是对通过第一图案化工艺形成的氧化物导电层407进行蚀刻和图案化的工艺，并且具体地，可为从氧化物导电层407去除尖端的工艺。在第二图案化工艺中，可蚀刻氧化物导电层407和第一金属氧化物层405，并且相对于在第二图案化工艺中使用的蚀刻剂，包括氧化铜的第一金属氧化物层405的蚀刻比率大于包括非晶ito的氧化物导电层407的蚀刻比率，并且因此，氧化物导电层407(在-z方向上)的下部比其上部被相对更多地蚀刻。因此，氧化物导电层407在朝向第一金属氧化物层405的方向(-z方向)上的底表面407b的面积小于上表面407a的面积。此外，氧化物导电层407的侧表面407c相对于第一金属氧化物层405的上表面405a倾斜。也就是说，在氧化物导电层407中由氧化物导电层407的底表面407b和侧表面407c形成的角度θ1大于90
°
且等于或小于170
°
。
109.氧化物导电层407的厚度t3可为约至约
110.由于包括非晶ito的氧化物导电层407可具有针孔，因此当氧化物导电层407具有小厚度时，在制造工艺期间在氧化物导电层407下的第一金属氧化物层405和/或第二金属层403可能被针孔暴露并且损坏。图12是示出当氧化物导电层407包括非晶ito时，根据氧化物导电层407的厚度的针孔的密度的曲线图。在曲线图中，横轴表示以为单位的氧化物导电层407的厚度，并且纵轴表示每单位面积(1mm2)的针孔的数量。如图12中所示，当氧化物导电层407的厚度为时，每单位面积的针孔的数量为1，当氧化物导电层407的厚度为时，每单位面积的针孔的数量为2，当氧化物导电层407的厚度为时，每单位面积的针孔的数量为3，并且当氧化物导电层407的厚度为时，每单位面积的针孔的数量为
5。也就是说，每单位面积的针孔的数量可保持为低的。然而，当氧化物导电层407的厚度为时，每单位面积的针孔的数量迅速增加到16，并且当氧化物导电层407的厚度为时，每单位面积的针孔的数量进一步增加到35。因此，氧化物导电层407的厚度t3需要为或更大。
111.这里，如图11中所示，氧化物导电层407的厚度t3表示氧化物导电层407中的被第三绝缘层il3覆盖的部分的厚度。在焊盘400中，即使当氧化物导电层407的厚度最初形成为或更大，在其中覆盖焊盘400的第三绝缘层il3被形成并且被部分地去除以使得第三绝缘层il3具有与焊盘400重叠的第一孔il3-h的图案化工艺期间以及在其中定位在第三绝缘层il3上的有机绝缘层ol被形成并且被部分地去除以使得有机绝缘层ol可具有与第三绝缘层il3的第一孔il3-h重叠的第二孔ol-h的图案化工艺期间，也可能去除氧化物导电层407的部分。因此，即使当包括在焊盘400中的氧化物导电层407最初形成为具有或更大的厚度时，在最终的显示装置中，焊盘400中的氧化物导电层407中的未被第三绝缘层il3、有机绝缘层ol等覆盖的部分的厚度也被减少，即，可为或更大。
112.此外，当氧化物导电层407的厚度t3增加时，在制造工艺中，氧化物导电层407可不包括非晶ito，而是可包括结晶ito。这是因为，当形成ito层并且其厚度增加时，在形成工艺期间形成有结晶ito层。具体地，当氧化物导电层407的厚度t3超过时，确认形成有结晶ito层。因此，氧化物导电层407的厚度t3需要为或更小。
113.第二金属层403(在-z方向上)的底表面403b的面积大于上表面403a的面积，并且第二金属层403的侧表面403c可相对于第二金属层403的底表面403b倾斜。这里，在第二金属层403中由第二金属层403的底表面403b和侧表面403c形成的角度θ2可大于或等于约30
°
且小于或等于约70
°
。当角度θ2小于30
°
时，第二金属层403(在+z方向上)的上表面403a的面积过度减少。因此，包括在焊盘400中的层之间的接合力可减少，并且层之间的分离可能发生。此外，当角度θ2超过70
°
时，覆盖焊盘400的第三绝缘层il3可能无法正确地覆盖第二金属层403上的第一金属氧化物层405的边缘。
114.以上描述了剖视图中的焊盘400的结构，但是以上描述也可适用于定位在显示区域da中的薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430以及存储电容器cst的第二电极420。如上所述，在制造工艺期间，通过使用与焊盘400的材料相同的材料，与焊盘400同时形成薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430以及存储电容器cst的第二电极420。这也将适用于稍后将描述的实施方式及其修改。
115.作为参照，定位在显示区域da中的薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430以及存储电容器cst的第二电极420被第三绝缘层il3、有机绝缘层ol等覆盖，并且因此，在形成之后的制造工艺期间，不额外地蚀刻定位在显示区域da中的薄膜晶体管tft的源电极440和漏电极430以及存储电容器cst的第二电极420的上部。因此，作为氧化物导电层的子层437和427的厚度可为约至约
116.如上所述的焊盘400可与连接线1100重叠。详细地，焊盘400可位于连接线1100的第二部分1102上，并且与连接线1100的第二部分1102重叠。此外，定位在焊盘400下并且覆盖连接线1100的第二部分1102的第二绝缘层il2可具有接触孔cnt，使得焊盘400可电连接到连接线1100的第二部分1102。
117.另一方面，如上所述，覆盖焊盘400的第三绝缘层il3包括与焊盘400重叠的第一孔il3-h，并且定位在第三绝缘层il3上的有机绝缘层ol可包括与第三绝缘层il3的第一孔il3-h重叠的第二孔ol-h。因此，焊盘400的上表面暴露于外部，并且可电连接到集成电路元件和/或印刷电路板。这里，有机绝缘层ol的第二孔ol-h可具有与第三绝缘层il3的第一孔il3-h的宽度不同的宽度。例如，如图11中所示，第二孔ol-h的宽度可小于第一孔il3-h的宽度。
118.在图11中，焊盘400的整个厚度相对均匀，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，如图13和图14中所示，其中，图13是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图，并且图14是示出图13中的部分c的放大图的剖视图，焊盘400的厚度可根据区段而改变。
119.如图13中所示，焊盘400可包括作为焊盘400的边缘的第一焊盘部分400p1和比第一焊盘部分400p1更靠近焊盘400的中心的第二焊盘部分。第二焊盘部分可包括第2-1焊盘部分400p2和第2-2焊盘部分400p3。第2-1焊盘部分400p2可比第2-2焊盘部分400p3更靠近第一焊盘部分400p1。
120.焊盘400的第一焊盘部分400p1可与第三绝缘层il3和有机绝缘层0l重叠。第2-1焊盘部分400p2可与第三绝缘层il3和有机绝缘层ol中的一个(例如，有机绝缘层ol)重叠。第2-2焊盘部分400p3可不与第三绝缘层il3和有机绝缘层ol两者重叠。也就是说，第2-2焊盘部分400p3可与第一孔il3-h和第二孔ol-h重叠，第2-1焊盘部分400p2可与第一孔il3-h和第二孔ol-h中的一个(例如，第一孔il3-h)重叠，并且第一焊盘部分400p1可不与第一孔il3-h和第二孔ol-h重叠。
121.第一焊盘部分400p1的厚度tp1可大于第2-1焊盘部分400p2的厚度tp2，并且第2-1焊盘部分400p2的厚度tp2可大于第2-2焊盘部分400p3的厚度tp3。可根据氧化物导电层407的厚度确定焊盘400中的部分的厚度。
122.如图14中所示，排列在焊盘400的最上层处的氧化物导电层407可具有根据区而改变的厚度。氧化物导电层407可包括分别对应于上述焊盘400的第一焊盘部分400p1、第2-1焊盘部分400p2和第2-2焊盘部分400p3的第一氧化物导电层部分407p1、第2-1氧化物导电层部分407p2和第2-2氧化物导电层部分407p3。
123.氧化物导电层407的第一氧化物导电层部分407p1可与第三绝缘层il3和有机绝缘层ol重叠。氧化物导电层407的第2-1氧化物导电层部分407p2可与第三绝缘层il3和有机绝缘层ol中的一个(例如，有机绝缘层ol)重叠。氧化物导电层407的第2-2氧化物导电层部分407p3可不与第三绝缘层il3和有机绝缘层ol两者重叠。也就是说，氧化物导电层407的第2-2氧化物导电层部分407p3与第一孔il3-h和第二孔ol-h同时重叠，氧化物导电层407的第2-1氧化物导电层部分407p2与第一孔il3-h和第二孔ol-h中的一个(例如，第一孔il3-h)重叠，并且氧化物导电层407的第一氧化物导电层部分407p1可不与第一孔il3-h和第二孔ol-h两者重叠。
124.氧化物导电层407中的第一氧化物导电层部分407p1的厚度t3可等于以上参照图11描述的厚度t3。也就是说，氧化物导电层407中的第一氧化物导电层部分407p1的厚度t3可为约至约相反，氧化物导电层407中的第2-1氧化物导电层部分407p2的厚度t3
′
可小于第一氧化物导电层部分407p1的厚度t3。第三绝缘层il3的第一孔il3-h可通过蚀
刻形成，并且在用于形成第一孔il3-h的蚀刻工艺中，氧化物导电层407部分丢失，并且因此，第2-1氧化物导电层部分407p2的厚度t3
′
可小于第一氧化物导电层部分407p1的厚度t3。
125.氧化物导电层407中的第2-2氧化物导电层部分407p3的厚度t3
″
可小于氧化物导电层407中的第2-1氧化物导电层部分407p2的厚度t3
′
。氧化物导电层407的第2-2氧化物导电层部分407p3可在如上所述的用于形成第一孔il3-h的蚀刻工艺期间初次丢失，并且在此之后可在用于形成显示装置的像素电极510等的蚀刻工艺期间二次丢失。因此，第2-2氧化物导电层部分407p3的厚度t3
″
可小于第2-1氧化物导电层部分407p2的厚度t3
′
和第一氧化物导电层部分407p1的厚度t3。因此，氧化物导电层407的第2-2氧化物导电层部分407p3的厚度t3
″
可为约至约
126.根据本公开的实施方式，可实现在制造工艺期间具有低缺陷率的显示装置和制造显示装置的方法。然而，一个或多个实施方式的范围不限于以上效果。
127.应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑，而用于出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参照图对一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如随附的权利要求书中限定的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的各种改变。

技术特征：
1.一种显示装置，包括：衬底，所述衬底包括显示区域和在所述显示区域外部的外围区域；显示元件，所述显示元件排列在所述显示区域中；以及焊盘，所述焊盘排列在所述外围区域中，所述焊盘包括：第一金属层，第二金属层，所述第二金属层布置在所述第一金属层上，第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层布置在所述第二金属层上并且与所述第二金属层面接触，以及氧化物导电层，所述氧化物导电层布置在所述第一金属氧化物层上并且与所述第一金属氧化物层面接触。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物导电层包括氧化铟锡。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物导电层包括非晶氧化铟锡。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一金属氧化物层包括所述第二金属层所包括的金属的氧化物。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物导电层在朝向所述第一金属氧化物层的方向上的底表面具有比所述氧化物导电层的上表面的面积小的面积，并且所述氧化物导电层的侧表面相对于所述第一金属氧化物层的上表面倾斜。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一金属氧化物层的所述上表面的面积等于所述氧化物导电层在朝向所述第一金属氧化物层的所述方向上的所述底表面的所述面积。7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括第二金属氧化物层，所述第二金属氧化物层在所述第二金属层上以定位在所述第一金属氧化物层外部。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层一体地形成为单个本体。9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一金属氧化物层具有比所述第二金属氧化物层的厚度大的厚度。10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层包括相同的材料。11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层包括所述第二金属层所包括的金属的氧化物。12.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二金属层包括铜，并且所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层包括氧化铜。13.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述氧化物导电层的所述上表面的所述面积等于或小于所述第二金属层的上表面的面积。14.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述氧化物导电层的所述底表面与所述侧表面之间的角度大于90
°
且小于或等于170
°
。15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一金属层包括钛。16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物导电层具有至的厚度。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二金属层的底表面的面积大于所述第二金属层的上表面的面积，并且所述第二金属层的侧表面相对于所述第二金属层的所述底表面倾斜。18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二金属层的所述底表面与所述侧表面之间的角度大于或等于30
°
且小于或等于70
°
。19.根据权利要求1所述的显示装置，还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管排列在所述显示区域中以电连接到所述显示元件并且包括具有与所述焊盘的分层结构相同的分层结构的电极。20.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在第一沉积簇的第一腔室中在衬底上沉积第一金属层形成层；在所述第一沉积簇的第二腔室中在所述第一金属层形成层上沉积第二金属层形成层；在所述第一沉积簇外部，清洁所述第二金属层形成层的上表面；在第三腔室中，在所述第二金属层形成层之上沉积氧化物导电层形成层；以及通过同时图案化所述第一金属层形成层、所述第二金属层形成层和所述氧化物导电层形成层来形成焊盘。21.根据权利要求20所述的方法，其中，形成所述焊盘包括：第一图案化工艺，在所述第一图案化工艺中，同时图案化所述第一金属层形成层、所述第二金属层形成层和所述氧化物导电层形成层；以及第二图案化工艺，在所述第二图案化工艺中，通过图案化所述氧化物导电层形成层来形成氧化物导电层。22.根据权利要求21所述的方法，其中，在所述第二图案化工艺中使用的蚀刻剂所包括的金属抑制剂的wt％大于在所述第一图案化工艺中使用的蚀刻剂所包括的金属抑制剂的wt％。23.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一金属层形成层包括钛，所述第二金属层形成层包括铜，以及所述氧化物导电层形成层包括氧化铟锡。

技术总结
提供了在制造工艺期间具有低缺陷率的显示装置和制造显示装置的方法，显示装置包括：衬底，衬底包括显示区域和在显示区域外部的外围区域；显示元件，显示元件排列在显示区域中；以及焊盘，焊盘排列在外围区域中并且包括第一金属层、布置在第一金属层上的第二金属层、布置在第二金属层上并且与第二金属层面接触的第一金属氧化物层以及布置在第一金属氧化物层上并且与第一金属氧化物层面接触的氧化物导电层。导电层。导电层。


技术研发人员：梁伸赫 金志训 姜东汉 李准起
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.01.13
技术公布日：2023/7/31