被加工物的加工方法与流程

1.本发明涉及对埋设有电极的被加工物进行加工的被加工物的加工方法。


背景技术：

2.在器件芯片的制造工艺中，使用在由相互交叉的多条间隔道(分割预定线)划分的多个区域内分别形成有器件的晶片。将该晶片沿着间隔道进行分割，由此得到分别具有器件的多个器件芯片。器件芯片组装于移动电话、个人计算机等各种电子设备。
3.另外，近年来，由于器件的高集成化，制造具有层叠的多个器件的器件芯片(层叠器件芯片)的技术实用化。例如将多个器件芯片层叠，并且利用上下贯通器件芯片的贯通电极(tsv：through-silicon via)将器件彼此连接，由此制造层叠器件芯片。当使用贯通电极时，与使用引线接合等的情况相比，能够缩短将器件彼此连接的布线，因此能够实现层叠器件芯片的小型化及处理速度的提高。
4.在制造利用贯通电极连接层叠的器件而得的层叠器件芯片时，使用具有贯通电极的晶片(参照专利文献1)。例如将具有贯通电极的多个晶片层叠并将各晶片所包含的器件彼此通过贯通电极连接，由此形成层叠晶片。将该层叠晶片沿着间隔道进行分割，由此得到多个层叠器件芯片。
5.专利文献1：日本特开2001-53218号公报
6.当在晶片等被加工物中形成贯通电极时，首先向形成于被加工物的正面侧的槽中填充导电性材料，由此形成埋设有电极的被加工物。然后，对被加工物的背面侧进行磨削而使埋设的电极在被加工物的背面侧露出，由此形成在厚度方向上贯通被加工物的贯通电极。
7.在被加工物的磨削中，使用磨削装置。磨削装置具有对被加工物进行保持的卡盘工作台以及对被加工物进行磨削的磨削单元，在磨削单元中安装有包含多个磨削磨具的磨削磨轮。将被加工物利用卡盘工作台进行保持，一边使卡盘工作台和磨削磨轮旋转一边使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，由此对被加工物的背面侧进行磨削。
8.但是，当将被加工物磨削至埋设的电极在被加工物的背面侧露出时，在磨削加工的最终阶段，磨削磨具与在被加工物的背面侧露出的电极接触。此时，有时由于高速旋转的磨削磨具而将电极拉长，产生从电极延伸的须状的毛刺。该毛刺有时会导致被加工物的背面侧的贯通电极的形状的破坏、相邻的电极间的短路等不良情况，成为器件芯片的品质降低的原因。


技术实现要素：

9.本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供能够抑制毛刺的残留的被加工物的加工方法。
10.根据本发明的一个方式，提供被加工物的加工方法，对埋设有电极的被加工物进行加工，其中，该被加工物的加工方法包含如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对该被
加工物的正面侧进行保持；磨削步骤，在该保持步骤之后，在使包含磨削磨具的磨削磨轮在第1方向上旋转的状态下，使该磨削磨具与该卡盘工作台所保持的该被加工物的背面侧接触，由此对该被加工物进行磨削而使该电极在该被加工物的背面侧露出；以及电极加工步骤，在该磨削步骤之后，在使该磨削磨轮在作为该第1方向的反方向的第2方向上旋转的状态下，使该磨削磨具与在该卡盘工作台所保持的该被加工物的背面侧露出的该电极接触，由此对该电极进行加工。
11.在本发明的一个方式的被加工物的加工方法中，在通过利用在第1方向上旋转的磨削磨轮对被加工物进行磨削而使电极在被加工物的背面侧露出之后，利用在作为第1方向的反方向的第2方向上旋转的磨削磨轮对电极进行加工。由此，将从电极延伸的毛刺缩小或去除，能够抑制磨削加工后的毛刺的残留。
附图说明
12.图1的(a)是示出被加工物的立体图，图1的(b)是示出被加工物的剖视图，图1的(c)是示出器件的立体图。
13.图2是示出磨削装置的立体图。
14.图3是示出卡盘工作台的剖视图。
15.图4是示出被加工物的加工方法的流程图。
16.图5是示出利用卡盘工作台对被加工物进行保持的磨削装置的侧视图。
17.图6的(a)是示出对被加工物进行磨削的磨削装置的侧视图，图6的(b)是示出使磨削磨具从被加工物离开的磨削装置的侧视图，图6的(c)是示出对电极进行加工的磨削装置的侧视图。
18.图7的(a)是示出磨削步骤中的被加工物的俯视图，图7的(b)是示出磨削步骤中的电极的俯视图。
19.图8的(a)是示出电极加工步骤中的被加工物的俯视图，图8的(b)是示出电极加工步骤中的电极的俯视图。
20.标号说明
21.11：被加工物；11a：正面(第1面)；11b：背面(第2面)；13：间隔道(分割预定线)；15：器件；17：电极；19：电极(通孔电极、贯通电极)；19a：毛刺；2：磨削装置；4：卡盘工作台(保持工作台)；4a：保持面；4b：保持区域；6：框体(主体部)；6a：上表面；6b：凹部；6c：流路；8：保持部件；8a：吸引面；10：磨削单元；12：主轴；14：安装座；16：磨削磨轮；18：磨轮基台；20：磨削磨具。
具体实施方式
22.以下，参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。首先，对能够通过本实施方式的被加工物的加工方法进行加工的被加工物的结构例进行说明。图1的(a)是示出被加工物11的立体图，图1的(b)是示出被加工物11的剖视图。
23.例如被加工物11是由单晶硅等半导体材料形成的圆盘状的晶片，其具有相互大致平行的正面(第1面)11a和背面(第2面)11b。被加工物11由按照相互交叉的方式呈格子状排列的多条间隔道(分割预定线)13划分成多个矩形状的区域。另外，在被加工物11的正面11a
侧的由间隔道13划分的多个区域内分别形成有ic(integrated circuit，集成电路)、lsi(large scale integration，大规模集成)、led(lightemitting diode，发光二极管)、mems(micro electro mechanical systems，微机电系统)器件等器件15。
24.不过，对于被加工物11的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如被加工物11可以是由硅以外的半导体(gaas、inp、gan、sic等)、玻璃、陶瓷、树脂、金属等形成的基板(晶片)。另外，对于器件15的种类、数量、形状、构造、大小、排列等也没有限制。
25.图1的(c)是示出器件15的立体图。例如器件15具有在器件15的正面露出且与其他布线、电极、器件等连接的多个电极17。另外，在电极17的正面上可以形成有凸块等连接电极。
26.另外，在被加工物11的由间隔道13划分的多个区域的内部分别埋设有多个电极(通孔电极、贯通电极)19。电极19沿着被加工物11的厚度方向呈柱状形成，与器件15的电极17等连接。对于电极19的材质没有限制，例如使用铜、钨、铝等导电性材料。
27.电极19分别从器件15朝向被加工物11的背面11b侧而形成，电极19的长度(高度)小于被加工物11的厚度。因此，电极19处于未在被加工物11的背面11b侧露出而埋设于被加工物11的内部的状态。另外，在被加工物11与电极19之间设置有将被加工物11与电极19绝缘的氧化硅膜等绝缘膜(未图示)。
28.例如在形成于被加工物11的正面11a侧的柱状的槽的内壁上形成了绝缘膜之后，向槽中填充导电性材料。由此，形成埋设有电极19的被加工物11。然后，在被加工物11的正面11a侧形成包含半导体元件、电极、布线、绝缘膜等的器件15，将器件15与电极19连接。
29.当对被加工物11的背面11b侧实施磨削加工而将被加工物11薄化时，电极19的下端在被加工物11的背面11b侧露出。其结果是，电极19成为沿厚度方向贯通被加工物11的贯通电极，能够将电极19与其他布线、电极、器件等连接。这样，形成具有贯通电极的被加工物11。
30.在被加工物11的磨削中，使用磨削装置。图2是示出磨削装置2的立体图。另外，在图2中，x轴方向(第1水平方向、前后方向)与y轴方向(第2水平方向、左右方向)是相互垂直的方向。另外，z轴方向(加工进给方向、铅垂方向、高度方向、上下方向)是与x轴方向和y轴方向垂直的方向。磨削装置2具有对被加工物11进行保持的卡盘工作台(保持工作台)4以及对被加工物11进行磨削的磨削单元10。
31.卡盘工作台4具有由sus(不锈钢)等金属、玻璃、陶瓷、树脂等形成的圆柱状的框体(主体部)6。在框体6的上表面6a侧的中央部设置有圆柱状的凹部6b。另外，在凹部6b中嵌入有由多孔陶瓷等多孔质部件构成的圆盘状的保持部件8。保持部件8包含从保持部件8的上表面连通到下表面的空孔(流路)。保持部件8的上表面构成当利用卡盘工作台4对被加工物11进行保持时吸引被加工物11的圆形的吸引面8a。
32.另外，凹部6b的深度和保持部件8的厚度大致设定成相同，框体6的上表面6a和保持部件8的吸引面8a大致配置于同一平面上。并且，通过框体6的上表面6a和保持部件8的吸引面8a，构成卡盘工作台4的保持面4a。保持面4a(吸引面8a)经由保持部件8所包含的空孔、形成于框体6的内部的流路6c(参照图3)、阀(未图示)等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。
33.在卡盘工作台4上连结有使卡盘工作台4沿着水平方向(xy平面方向)移动的移动
单元(未图示)。例如作为移动单元，使用滚珠丝杠式的移动机构或转台。另外，在卡盘工作台4上连结有使卡盘工作台4绕沿着与保持面4a垂直的方向设定的旋转轴线旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。
34.图3是示出卡盘工作台4的剖视图。卡盘工作台4的保持面4a形成为以保持面4a的中心为顶点的圆锥状，相对于保持面4a的径向略微地倾斜。并且，卡盘工作台4以略微倾斜的状态配置，以便将相当于保持面4a的一部分且从保持面4a的中心到外周缘的保持区域4b配置成与水平面平行。另外，卡盘工作台4的旋转轴线沿着与保持面4a的径向垂直的方向设定，相对于铅垂方向略微地倾斜。
35.另外，在图3中，为了便于说明，夸张地图示出保持面4a的倾斜，但实际的保持面4a的倾斜微小。例如在保持面4a的直径为290mm以上且310mm以下的程度的情况下，保持面4a的中心的高度位置与保持面4a的外周缘的高度位置的差(相当于圆锥的高度)设定成20μm以上且40μm以下的程度。
36.如图2所示，在卡盘工作台4的上方配置有磨削单元10。磨削单元10具有沿着z轴方向配置的圆柱状的主轴12。在主轴12的前端部(下端部)固定有由金属等形成的圆盘状的安装座14。另外，在主轴12的基端部(上端部)连结有使主轴12在双向上旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。
37.在安装座14的下表面侧安装有对被加工物11进行磨削的环状的磨削磨轮16。磨削磨轮16是能够相对于安装座14装卸的加工工具，例如通过螺栓等固定器具而固定于安装座14。
38.磨削磨轮16具有环状的磨轮基台18，该磨轮基台18由金属(铝、不锈钢等)、树脂等形成，形成为与安装座14大致相同直径。磨轮基台18的上表面侧固定于安装座14的下表面侧。另外，在磨轮基台18的下表面侧固定有多个磨削磨具20。
39.磨削磨具20通过将由金刚石、cbn(cubic boron nitride，立方氮化硼)等形成的磨粒利用金属结合剂、树脂结合剂、陶瓷结合剂等结合材料固定而形成。例如多个磨削磨具20形成为长方体状，沿着磨轮基台18的外周缘大致以等间隔呈环状排列。不过，对于磨削磨具20的材质、形状、构造、大小等没有限制。另外，磨削磨具20的数量和排列也可以任意地设定。
40.在磨削单元10上连结有使磨削单元10沿着z轴方向移动(升降)的滚珠丝杠式的移动机构(未图示)。另外，磨削磨轮16通过从与主轴12的基端部连结的旋转驱动源(未图示)经由主轴12和安装座14而传递的动力绕与z轴方向大致平行的旋转轴线旋转。
41.当使磨削磨轮16旋转时，多个磨削磨具20分别沿着与水平面(xy平面)大致平行的环状的旋转轨道(移动路径)移动。在使磨削磨轮16旋转的状态下，使磨削磨具20与卡盘工作台4所保持的被加工物11接触，由此对被加工物11进行磨削。
42.另外，在磨削单元10的内部或附近设置有提供纯水等液体(磨削液)的磨削液提供路(未图示)。在通过磨削单元10对被加工物11进行磨削时，将磨削液提供至被加工物11和磨削磨具20。由此，将被加工物11和磨削磨具20冷却，并且将由于磨削加工而产生的屑(磨削屑)冲掉。
43.接着，对使用了磨削装置2的被加工物11的加工方法的具体例进行说明。图4是示出被加工物的加工方法的流程图。本实施方式的被加工物的加工方法包含保持步骤s1、磨
削步骤s2和电极加工步骤s3。通过依次实施保持步骤s1、磨削步骤s2、电极加工步骤s3，使电极19(参照图1的(b)和图1的(c))在被加工物11的背面11b侧露出，并且将形成于电极19的毛刺去除。
44.首先，利用卡盘工作台4对被加工物11的正面11a侧进行保持(保持步骤s1)。图5是示出利用卡盘工作台4对被加工物11进行保持的磨削装置2的侧视图。
45.被加工物11按照正面11a侧与保持面4a面对而背面11b侧向上方露出的方式配置于卡盘工作台4上。此时，被加工物11配置成被加工物11的中心位置与保持面4a的中心位置重叠且由被加工物11覆盖整个吸引面8a(参照图2)。当在该状态下对保持面4a作用吸引源的吸引力(负压)时，通过卡盘工作台4对被加工物11进行吸引保持。
46.另外，严格来讲，如上所述，卡盘工作台4的保持面4a形成为圆锥状(参照图3)。因此，当利用卡盘工作台4对被加工物11进行保持时，被加工物11以沿着保持面4a略微变形的状态被保持。
47.另外，可以在被加工物11的正面11a侧粘贴对被加工物11进行保护的保护片。由此，将形成于被加工物11的正面11a侧的器件15(参照图1的(a)～图1的(c))通过保护片覆盖而进行保护。
48.例如作为保护片，使用包含形成为圆形的膜状的基材和设置于基材上的粘接层(糊料层)的带。基材由聚烯烃、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂形成。另外，粘接层由环氧系、丙烯酸系或橡胶系粘接剂等形成。并且，被加工物11隔着保护片而被卡盘工作台4的保持面4a保持。
49.接着，在使磨削磨轮16在第1方向上旋转的状态下，使磨削磨具20与卡盘工作台4所保持的被加工物11的背面11b侧接触，由此对被加工物11进行磨削而使电极19(参照图1的(b)和图1的(c))在被加工物11的背面11b侧露出(磨削步骤s2)。图6的(a)是示出对被加工物11进行磨削的磨削装置2的侧视图。
50.在磨削步骤s2中，首先调节卡盘工作台4与磨削磨轮16的位置关系。具体而言，按照被加工物11的中心与磨削磨具20的旋转轨道重叠的方式将卡盘工作台4定位于磨削单元10的下方。并且，使卡盘工作台4和磨削磨轮16分别以规定的转速在规定的方向上旋转。
51.例如在磨削步骤s2中，使卡盘工作台4和磨削磨轮16俯视顺时针地旋转。由此，磨削磨轮16在第1方向(箭头a所示的方向)上旋转。另外，卡盘工作台4的转速例如设定为60rpm以上且300rpm以下，磨削磨轮16的转速例如设定为3000rpm以上且6000rpm以下。
52.接着，在使卡盘工作台4和磨削磨轮16旋转的状态下，使磨削单元10沿着z轴方向下降，使被加工物11和磨削磨轮16相互接近。此时的磨削磨轮16的下降速度即卡盘工作台4(被加工物11)与磨削磨轮16在z轴方向上的相对的移动速度相当于加工进给速度(磨削进给速度)。加工进给速度例如设定为0.1μm/s以上且1μm/s以下。不过，加工进给速度可以根据被加工物11的种类和材质、磨削磨具20的材质、被加工物11的磨削量(磨削前后的被加工物11的厚度差)等而适当地设定。
53.当使磨削磨轮16下降时，旋转的磨削磨具20与卡盘工作台4所保持的被加工物11的背面11b侧接触。由此，被加工物11的背面11b侧被磨削而削去，被加工物11薄化。
54.图7的(a)是示出磨削步骤s2中的被加工物11的俯视图。在磨削步骤s2中，磨削磨具20接触被加工物11中的被卡盘工作台4的保持区域4b(参照图3)或保持区域4b附近的区
域支承的部分，将被加工物11沿着第1方向(箭头a所示的方向、从被加工物11的外周缘朝向中心的方向)呈圆弧状磨削。并且，通过卡盘工作台4的旋转，被加工物11的整个背面11b侧被磨削磨具20磨削。
55.当将被加工物11磨削至规定的厚度时，埋设在被加工物11中的电极19在被加工物11的背面11b侧露出。由此，电极19成为在厚度方向上贯通被加工物11的贯通电极，能够将电极19与其他布线、电极、器件等连接。
56.图7的(b)是示出磨削步骤s2中的电极19的俯视图。当将被加工物11磨削至电极19在被加工物11的背面11b侧露出时，在磨削步骤s2的最终阶段，磨削磨具20与电极19接触。此时，有时通过高速旋转的磨削磨具20将电极19拉伸，沿着磨削磨具20的旋转方向(图7的(a)的箭头a所示的方向)形成须状的毛刺19a。
57.毛刺19a形成为从电极19延伸且从电极19的外周缘探出。该毛刺19a会成为产生被加工物11的背面11b侧的电极19的形状的破坏、相邻的电极19间的短路等不良情况的原因。因此，在本实施方式中，在磨削步骤s2之后利用磨削磨轮16对电极19进行加工从而将毛刺19a缩小或去除。由此，能够抑制被加工物11中的毛刺19a的残留。
58.具体而言，首先在磨削步骤s2之后，使磨削单元10沿着z轴方向上升，使被加工物11与磨削磨具20相互离开。图6的(b)是示出使磨削磨具20从被加工物11离开的磨削装置2的侧视图。
59.另外，优选在被加工物11与磨削磨具20未接触的期间也维持卡盘工作台4的旋转。由此，能够削减在接下来的电极加工步骤s3中使卡盘工作台4以规定的转速旋转所需的时间。
60.接着，在使磨削磨轮16在第2方向上旋转的状态下，使磨削磨具20与在卡盘工作台4所保持的被加工物11的背面11b侧露出的电极19接触，由此对电极19进行加工(电极加工步骤s3)。图6的(c)是示出对电极19进行加工的磨削装置2的侧视图。
61.在电极加工步骤s3中，首先使主轴12在磨削步骤s2中的主轴12的旋转方向的反方向上旋转。由此，磨削磨轮16在作为第1方向的反方向的第2方向(箭头b所示的方向)上旋转。例如当在磨削步骤s2中使磨削磨轮16俯视顺时针地旋转的情况下，在电极加工步骤s3中使磨削磨轮16俯视逆时针地旋转。另外，卡盘工作台4的转速例如设定为60rpm以上且300rpm以下，磨削磨轮16的转速例如设定为3000rpm以上且6000rpm以下。
62.接着，在使卡盘工作台4和磨削磨轮16旋转的状态下，使磨削单元10沿着z轴方向下降，使被加工物11和磨削磨轮16相互接近。由此，旋转的磨削磨具20与在卡盘工作台4所保持的被加工物11的背面11b侧露出的电极19接触，电极19与被加工物11的背面11b侧一起被磨削。
63.另外，当如上述那样在磨削步骤s2之后预先使被加工物11与磨削磨具20离开时(参照图6的(b))，在电极加工步骤s3的实施前成为在被加工物11与磨削磨具20之间不产生摩擦的状态，将被加工物11和磨削磨具20冷却。由此，在电极加工步骤s3中不容易产生被加工物11的面焦烧等加工不良。另外，在电极加工步骤s3中，磨削磨具20从离开被加工物11的状态重新与被加工物11接触。此时，能够促进磨削磨具20的下表面侧的磨损，调整磨削磨具20的状态。
64.图8的(a)是示出电极加工步骤s3中的被加工物11的俯视图。在电极加工步骤s3
中，磨削磨具20接触被加工物11中的被卡盘工作台4的保持区域4b(参照图3)或保持区域4b的附近的区域支承的部分，将被加工物11沿着第2方向(箭头b所示的方向、从被加工物11的中心朝向外周缘的方向)呈圆弧状磨削。
65.另外，电极加工步骤s3中的磨削磨具20相对于被加工物11的移动方向(第2方向)与磨削步骤s2中的磨削磨具20相对于被加工物11的移动方向(第1方向)为反方向。因此，磨削磨具20按照磨削步骤s2的反方向磨削电极19。并且，通过卡盘工作台4的旋转，在被加工物11的背面11b侧露出的所有电极19被磨削磨具20加工。
66.图8的(b)是示出电极加工步骤s3中的电极19的俯视图。当使在第2方向上旋转的磨削磨具20与电极19接触时，磨削磨具20沿着毛刺19a的延伸方向的反方向(从毛刺19a的前端侧朝向基端侧的方向)与电极19接触。由此，将毛刺19a朝向电极19的中心侧逆抚，将毛刺19a缩小或去除。
67.另外，电极加工步骤s3是用于将毛刺19a缩小或去除的工序，未将被加工物11的薄化作为直接的目的。因此，电极加工步骤s3中的磨削条件可以在能够将毛刺19a缩小或去除的范围内自由地设定。
68.具体而言，电极加工步骤s3中的被加工物11的磨削量可以小于磨削步骤s2中的被加工物11的磨削量。由此，能够抑制被加工物11的过度磨削或新毛刺的产生。例如电极加工步骤s3中的被加工物11的磨削量可以设定为10μm以下，优选设定为5μm以下。
69.另外，电极加工步骤s3中的加工进给速度(磨削磨轮16的下降速度)可以小于磨削步骤s2中的加工进给速度。由此，能够降低在电极加工步骤s3中施加至磨削磨具20的负荷，容易将毛刺19a去除。例如电极加工步骤s3中的加工进给速度可以设定为1μm/s以下，优选设定为0.5μm/s以下。
70.上述磨削装置2对被加工物11的加工通过与磨削装置2连接的控制单元(未图示)进行控制。例如控制单元由计算机构成，该控制单元包含：进行磨削装置2的运转所需的运算的运算部；以及对磨削装置2的运转中使用的各种信息(数据、程序等)进行存储的存储部。运算部构成为包含cpu(central processing unit，中央处理器)等处理器。另外，存储部构成为包含rom(read only memory，只读存储器)、ram(random access memory，随机存取存储器)等存储器。
71.在控制单元的存储部(存储器)中存储有记述依次实施保持步骤s1、磨削步骤s2、电极加工步骤s3所需的磨削装置2的构成要素的一系列的动作的程序。并且，在实施被加工物11的加工时，控制单元从存储部读出程序并执行，将控制信号依次输出至磨削装置2的各构成要素。由此，控制磨削装置2的运转，自动地实施保持步骤s1、磨削步骤s2以及电极加工步骤s3。
72.如上所述，在本实施方式的被加工物的加工方法中，在通过利用在第1方向上旋转的磨削磨轮16对被加工物11进行磨削而使电极19在被加工物11的背面11b侧露出之后，利用在作为第1方向的反方向的第2方向上旋转的磨削磨轮16对电极19进行加工。由此，将从电极19延伸的毛刺缩小或去除，能够抑制磨削加工后的毛刺的残留。
73.另外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当地变更并实施。

技术特征：
1.一种被加工物的加工方法，对埋设有电极的被加工物进行加工，其特征在于，该被加工物的加工方法包含如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对该被加工物的正面侧进行保持；磨削步骤，在该保持步骤之后，在使包含磨削磨具的磨削磨轮在第1方向上旋转的状态下，使该磨削磨具与该卡盘工作台所保持的该被加工物的背面侧接触，由此对该被加工物进行磨削而使该电极在该被加工物的背面侧露出；以及电极加工步骤，在该磨削步骤之后，在使该磨削磨轮在作为该第1方向的反方向的第2方向上旋转的状态下，使该磨削磨具与在该卡盘工作台所保持的该被加工物的背面侧露出的该电极接触，由此对该电极进行加工。

技术总结
本发明提供被加工物的加工方法，能够抑制毛刺的残留。该电极加工步骤对埋设有电极的被加工物进行加工，其中，该被加工物的加工方法包含如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对被加工物的正面侧进行保持；磨削步骤，在保持步骤之后，在使包含磨削磨具的磨削磨轮在第1方向上旋转的状态下，使磨削磨具与卡盘工作台所保持的被加工物的背面侧接触，由此对被加工物进行磨削而使电极在被加工物的背面侧露出；以及电极加工步骤，在磨削步骤之后，在使磨削磨轮在作为第1方向的反方向的第2方向上旋转的状态下，使磨削磨具与在卡盘工作台所保持的被加工物的背面侧露出的电极接触，由此对电极进行加工。进行加工。进行加工。


技术研发人员：首藤大地
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2023.01.10
技术公布日：2023/7/31