一种化学放大型I线光刻胶及其制备与使用方法与流程

一种化学放大型i线光刻胶及其制备与使用方法
技术领域
1.本发明涉及光刻胶技术领域，具体为一种化学放大型i线光刻胶及其制备与使用方法。


背景技术：

2.所谓光刻胶，是指通过紫外光、电子束、离子束、x射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐刻蚀薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3中主要成分组成的对光敏感的混合液体。随着集成电路及器件的研制开发，在大规模集成电路、超大规模集成电路中光刻胶的分辨率越来越高。
3.光刻胶对光敏感，光刻胶的保质期比较短，尤其是高档光刻胶，一般保质期在六个月以内。而且由于光能和热能都可以激活光刻胶，所以存储和运输都必须在密闭、低温、不透光的环境中。一旦超过存储器或者存储温度范围，正性胶会发生感光延迟，负性胶就会发生交联。


技术实现要素：

4.本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种化学放大型i线光刻胶及其制备与使用方法，以解决化学放大型i线光刻胶能量稳定性问题。
5.为了实现本发明之目的，本技术提供以下技术方案。
6.在第一方面中，本技术提供一种化学放大型i线光刻胶，所述光刻胶包括以下质量百分比的各组分：
[0007][0008][0009]
其中，所述聚合物树脂为聚羟基苯乙烯类聚合物树脂。
[0010]
在第一方面的一种实施方式中，所述聚羟基苯乙烯类聚合物树脂包括第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂和第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂；
[0011]
所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂为羟基苯乙烯化合物、苯乙烯化合物和丙烯酸叔丁酯化合物的共聚物；所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂为羟基苯乙烯化合物、苯乙烯化合物和对甲氧基苯乙烯化合物的共聚物。
[0012]
在第一方面的一种实施方式中，所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的质量为光刻胶的8～17.5％，所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的质量为光刻胶的2～2.5％。
[0013]
在第一方面的一种实施方式中，所述光刻胶还包括如下技术特征中的至少一项：
[0014]
a1)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂重均分子量为15000～26000；
[0015]
a2)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的分子量分布系数为pdi《2.5；
[0016]
a3)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂由如下摩尔比的各组分共聚得到：
[0017]
羟基苯乙烯化合物50～70％；
[0018]
苯乙烯化合物10～30％；
[0019]
丙烯酸叔丁酯化合物补足100％；
[0020]
a4)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的重均分子量为8000～15000；
[0021]
a5)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的分子量分布系数为pdi《2.5；
[0022]
a6)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂由如下摩尔比的各组分共聚得到：
[0023]
羟基苯乙烯化合物60～80％；
[0024]
苯乙烯化合物5～15％；
[0025]
对甲氧基苯乙烯化合物补足100％。
[0026]
在第一方面的一种实施方式中，所述光刻胶还包括如下技术特征中的至少一项：
[0027]
b1)所述光酸选自离子型光酸或非离子型光酸中的至少一种；
[0028]
b2)所述酸猝灭剂选自三乙醇胺、四丁基氢氧化铵、三(3,6二氧杂庚基)胺、三辛胺、三异丙醇胺、三乙烯二胺、2-乙基-n,n-双(2-乙己基)-1-己胺、2-苯基苯并咪唑或二苯胺中的至少一种；
[0029]
b3)所述稳定剂选自抗氧化剂中的至少一种；
[0030]
b4)所述流平剂选自3m氟碳表面活性剂fc-4430或特洛伊troysols366中的至少一种；
[0031]
b5)所述溶剂选自丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乳酸乙酯、苯甲醚、丙二醇单醋酸酯、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、二缩乙二醇甲乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇或γ-丁内脂中的至少一种。
[0032]
在第一方面的一种实施方式中，所述离子型光酸选自以下通式：
[0033][0034]
式1中，r1为c
1-c4的烷基；
[0035]
式2中，r2为羟基或c
1-c4的烷氧基，r3为氢原子、羟基或c
1-c4的烷氧基，r4和r5各自独立地为c
1-c4的烷基，或r4与r5可键结而形成c
5-c8的环，r6为c
1-c4的全氟烷基；
[0036]
进一步地，所述离子型光酸选自以下结构中的至少一种：
[0037][0038][0039]
在第一方面的一种实施方式中，所述非离子型光酸选自以下通式：
[0040][0041]
式3中，r3为氢原子、苯氧基、c
1-c4的烷基或含有磺酸酯基的c
2-c
10
的烷基，r4为r5为c
1-c4全氟烷基或全氟苯基；
[0042]
式4中，r6为c
1-c4的烷基或c
1-c6的烷氧基，r7为连接键或r8为c
1-c4的烷基、甲苯基或三氟甲基苯基。
[0043]
进一步地，所述非离子型光酸选自以下结构中的一种：
[0044][0045][0046]
在第一方面的一种实施方式中，所述抗氧化剂选自以下通式：
[0047][0048]
式5中，p1为c
1-c4的烷基、c
1-c4的烷氧基、c
4-c
10
的叔烷基或如式7的基团，其中p
11
、p
12
各自独立地为c
1-c4的烷基；
[0049]
式6中，p2为c
1-c4的烷基，n为2-4的正整数。
[0050][0051]
进一步地，所述抗氧化剂选自以下结构中的至少一种：
[0052][0053][0054]
在第二方面中，本技术提供一种如上所述化学放大型i线光刻胶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将所述聚合物树脂、所述光酸、所述酸猝灭剂、所述稳定剂、所述流平剂以及所述溶剂按比例混合后，过滤得到所述化学放大型i线光刻胶。
[0055]
在第二方面的一种实施方式中，所述过滤采用的1μm+0.45μm两道尼龙膜。
[0056]
在第三方面中，本技术提供一种如上述化学放大型i线光刻胶的使用方法，所述使用方法包括如下步骤：将所述化学放大型i线光刻胶涂布在si基材上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影，得到光刻图案。
[0057]
在第三方面的一种实施方式中，所述使用方法还包括如下技术特征中的一项：
[0058]
c1)所述前烘的温度为110～150℃，如130℃，前烘的时间为40～100s，如90s；
[0059]
c2)所述曝光能量为105～235ms；
[0060]
c3)所述后烘的温度为90～120℃，如120℃，后烘的时间为40～100s，如90s；
[0061]
c4)所述显影采用的显影液包括2.38％四甲基氢氧化铵(tmah)。
[0062]
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：在光刻胶配方中添加稳定剂，可以有效解决化学放大型i线光刻胶能量不稳定的问题，大大改善了化学放大型i线光刻胶长期储存不稳定的问题；本发明采用酚类化合物作为稳定剂，能够有效地防止溶剂尤其是丙二醇甲
醚醋酸酯的劣化分解产酸，在光刻胶储存稳定方面效果优异，且酚类化合物价格便宜。
附图说明
[0063]
图1a为实施例1所得光刻胶在常温储存环境下储存后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0064]
图1b为实施例1所得光刻胶在低温储存环境下储存后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0065]
图1c为实施例1所得光刻胶在烘箱老化一天后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0066]
图1d为实施例1所得光刻胶在烘箱老化三天后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0067]
图1e为实施例1所得光刻胶在烘箱老化五天后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0068]
图2a为实施例2所得光刻胶在常温储存环境下储存后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0069]
图2b为实施例2所得光刻胶在低温储存环境下储存后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0070]
图2c为实施例2所得光刻胶在烘箱老化一天后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0071]
图2d为实施例2所得光刻胶在烘箱老化三天后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0072]
图2e为实施例2所得光刻胶在烘箱老化五天后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0073]
图3a为对比例1所得光刻胶在常温储存环境下储存后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0074]
图3b为对比例1所得光刻胶在低温储存环境下储存后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0075]
图3c为对比例1所得光刻胶在烘箱老化一天后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0076]
图3d为对比例1所得光刻胶在烘箱老化三天后在不同能量下使用得到的光刻图案；
[0077]
图3e为对比例1所得光刻胶在烘箱老化五天后在不同能量下使用得到的光刻图案。
具体实施方式
[0078]
除非另有说明、从上下文暗示或属于现有技术的惯例，否则本技术中所有的份数和百分比都基于重量，且所用的测试和表征方法都是与本技术的提交日期同步的。在适用的情况下，本技术中涉及的任何专利、专利申请或公开的内容全部结合于此作为参考，且其等价的同族专利也引入作为参考，特别这些文献所披露的关于本领域中的合成技术、产物
和加工设计、聚合物、共聚单体、引发剂或催化剂等的定义。如果现有技术中披露的具体术语的定义与本技术中提供的任何定义不一致，则以本技术中提供的术语定义为准。
[0079]
本技术中的数字范围是近似值，因此除非另有说明，否则其可包括范围以外的数值。数值范围包括以1个单位增加的从下限值到上限值的所有数值，条件是在任意较低值与任意较高值之间存在至少2个单位的间隔。例如，如果记载组分、物理或其它性质(如分子量，熔体指数等)是100至1000，意味着明确列举了所有的单个数值，例如100，101,102等，以及所有的子范围，例如100到166,155到170,198到200等。对于包含小于1的数值或者包含大于1的分数(例如1.1，1.5等)的范围，则适当地将1个单位看作0.0001，0.001，0.01或者0.1。对于包含小于10(例如1到5)的个位数的范围，通常将1个单位看作0.1.这些仅仅是想要表达的内容的具体示例，并且所列举的最低值与最高值之间的数值的所有可能的组合都被认为清楚记载在本技术中。本技术内的数值范围尤其提供了含钙填料含量，搅拌温度，以及这些组分的各种特征和性质。
[0080]
关于化学化合物使用时，除非明确地说明，否则单数包括所有的异构形式，反之亦然(例如，“己烷”单独地或共同地包括己烷的全部异构体)。另外，除非明确地说明，否则用“一个”，“一种”或“该”形容的名词也包括其复数形式。
[0081]
术语“包含”，“包括”，“具有”以及它们的派生词不排除任何其它的组分、步骤或过程的存在，且与这些其它的组分、步骤或过程是否在本技术中披露无关。为消除任何疑问，除非明确说明，否则本技术中所有使用术语“包含”，“包括”，或“具有”的组合物可以包含任何附加的添加剂、辅料或化合物。相反，除了对操作性能所必要的那些，术语“基本上由
……
组成”将任何其他组分、步骤或过程排除在任何该术语下文叙述的范围之外。术语“由
……
组成”不包括未具体描述或列出的任何组分、步骤或过程。除非明确说明，否则术语“或”指列出的单独成员或其任何组合。
[0082]
在本发明中，所采用的设备和原料等均可从市场购得或是本领域常用的。下述实施例中的方法，如无特别说明，均为本领域的常规方法。
[0083]
下面实施例和对比例使用的第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂r1通过如下合成方法获得：
[0084]
在氮气保护下，向500ml的四口烧瓶中依次加入4-乙酰氧基苯乙烯(asm)(97.2g，0.6mol)、苯乙烯(st)(20.6g，0.2mol)和丙烯酸叔丁脂(tba)(25.4g，0.2mol)，然后加入3.8g的引发剂偶氮二异丁腈(aibn)，四氢呋喃为溶剂，然后在65-70℃下反应18h。反应产物去保护基后，得到4-羟基苯乙烯-苯乙烯-丙烯酸丁酯三元共聚物，其重均分子量mw为25700，其分子量分布系数mw/mn为2.3。
[0085]
下面实施例和对比例使用的第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂r2通过如下合成方法获得：
[0086]
在氮气保护下，向500ml的四口烧瓶中依次加入4-乙酰氧基苯乙烯(asm)(104.9g，0.647mol)、苯乙烯(st)(9.6g，0.092mol)和对甲氧基苯乙烯(most)(10.3g，0.077mol)，然后加入14.3g的引发剂偶氮二异丁腈(aibn),四氢呋喃为溶剂，然后在65-70℃下反应18h反应产物去保护基后，得到4-羟基苯乙烯-苯乙烯-对甲氧基苯乙烯三元共聚物，其重均分子量mw为12300，其分子量分布系数mw/mn为2.2。
[0087]
实施例
[0088]
下面将对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
[0089]
实施例1
[0090]
一种化学放大型i线光刻胶，包括以下质量份(总100份计)的各组分：
[0091][0092]
光刻胶的制备过程如下：按照配方加入各组分，混合搅拌均匀后，经1μm+0.45μm两道尼龙膜过滤后完成所需光刻胶的制备；然后将光刻胶分为五份，使用五种条件进行储存用来模拟长期储存环境，分别为常温(-c)、低温(-l)、45℃烘箱老化一天(-h1)、45℃烘箱老化三天(-h3)和45℃烘箱老化五天(-h5)。
[0093]
将制备得到的光刻胶按照如下方法进行使用：
[0094]
在si基材上经过匀胶，涂布光刻胶6000a，在130℃热盘上前烘90s，后采用i-line曝光机i-9进行曝光，然后在120℃热盘上后烘90s，待晶片冷却到室温后使用2.38％的tmah显影液显影40s，最后用去离子水冲洗30s，得到所需的光刻图案。得到光刻图案如图1a～图1e中所示，然后根据能量与对应的cd对应的曲线得出600nmcd所需能量，即为eop，如表1-6所示。
[0095]
实施例2
[0096]
一种化学放大型i线光刻胶，包括以下质量份(总100份计)的各组分：
[0097][0098]
上述光刻胶的制备方法与实施例1相同，上述光刻胶的使用方法与实施例1相同。将得到的光刻胶图案如图2a～图2e中所示，然后根据能量与对应的cd对应的曲线得出600nmcd所需能量，即为eop，如表2-6所示。
[0099]
对比例1
[0100]
一种化学放大型i线光刻胶，包括以下质量份(总100份计)的各组分：
[0101][0102][0103]
上述光刻胶的制备方法与实施例1相同，上述光刻胶的使用方法与实施例1相同。将得到的光刻胶图案如图3a～图3e中所示，然后根据能量与对应的cd对应的曲线得出600nmcd所需能量，即为eop，如表3-6所示。
[0104]
实施例1中的五种储存环境的光刻胶得到的光刻图案如下：
[0105]
表1-1(常温)
[0106]
energy/ms150160170180190cd/nm545.1571.4604.8631.8645.5
[0107]
表1-2(低温)
[0108]
energy/ms150160170180190cd/nm543.1571.8606.4618641
[0109]
表1-3(45℃烘箱老化一天)
[0110]
energy/ms150160170180190cd/nm514.5553.9586.6619.8649.7
[0111]
表1-4(45℃烘箱老化三天)
[0112]
energy/ms150160170180190cd/nm541.9573.7596.2619.8640.3
[0113]
表1-5(45℃烘箱老化五天)
[0114]
energy/ms150160170180190cd/nm542.5575.3605.8633.9670
[0115]
表1-6(cd为600nm所需能量)
[0116][0117][0118]
实施例2中的五种储存环境的光刻胶得到的光刻图案如下：
[0119]
表2-1(常温)
[0120]
energy/ms135150165180195cd/nm523561.7597.5641.5666.4
[0121]
表2-2(低温)
[0122]
energy/ms135150165180195cd/nm512.5553.4597.9634.7673.2
[0123]
表2-3(45℃烘箱老化一天)
[0124]
energy/ms135150165180195cd/nm502.1557.7598.3646.8678.8
[0125]
表2-4(45℃烘箱老化三天)
[0126]
energy/ms135150165180195cd/nm497.6552.5610.4649.9684.4
[0127]
表2-5(45℃烘箱老化五天)
[0128]
energy/ms135150165180195cd/nm494.4543.9591.4633.2675.7
[0129]
表2-6(cd为600nm所需能量)
[0130][0131]
对比例1中的五种储存环境的光刻胶得到的光刻图案如下：
[0132]
表3-1(常温)
[0133][0134][0135]
表3-2(低温)
[0136]
energy/ms150160170180190cd/nm509.3554.1587.9609.1624.3
[0137]
表3-3(45℃烘箱老化一天)
[0138]
energy/ms150160170180190cd/nm551.3591.6620.3647.2661.9
[0139]
表3-4(45℃烘箱老化三天)
[0140]
energy/ms140150160170180cd/nm530.3599.6638.1664.4695
[0141]
表3-5(45℃烘箱老化五天)
[0142]
energy/ms150160170180190cd/nm574.8599626.8651.5663
[0143]
表3-6(cd为600nm所需能量)
[0144][0145]
实施例1、实施例2以及对比例1形成光刻胶图案的结论如表4
[0146]
表4
[0147][0148][0149]
根据上述实施例1～2以及对比例1目标cd(600nm)所需能量eop的稳定性来看，加入稳定剂的实施例1～2能量稳定性大有改善；但是对比两个实施例而言，实施例2加入稳定剂的量过多导致图形存在部分黑点残余，故实施例1的能量稳定性和光刻图形都优于实施例2。
[0150]
上述结果表明，在光刻胶配方中添加适量的稳定剂，可以有效解决化学放大型i线光刻胶能量不稳定的问题，通过调整稳定剂的使用量，可以获得同时具有能量稳定和光刻
图形较优的光刻胶。
[0151]
上述对实施例的描述是为了便于本技术领域的普通技术人员能理解和应用本技术。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其它实施例中而不必付出创造性的劳动。因此，本技术不限于这里的实施例，本领域技术人员根据本技术披露的内容，在不脱离本技术范围和精神的情况下做出的改进和修改都本技术的范围之内。

技术特征：
1.一种化学放大型i线光刻胶，其特征在于，所述光刻胶包括以下质量百分比的各组分：其中，所述聚合物树脂为聚羟基苯乙烯类聚合物树脂。2.如权利要求1所述的化学放大型i线光刻胶，其特征在于，所述聚羟基苯乙烯类聚合物树脂包括第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂和第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂；所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂为羟基苯乙烯化合物、苯乙烯化合物和丙烯酸叔丁酯化合物的共聚物；所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂为羟基苯乙烯化合物、苯乙烯化合物和对甲氧基苯乙烯化合物的共聚物。3.如权利要求2所述的化学放大型i线光刻胶，其特征在于，所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的质量为光刻胶的8～17.5％，所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的质量为光刻胶的2～2.5％。4.如权利要求2所述的化学放大型i线光刻胶，其特征在于，还包括如下技术特征中的至少一项：a1)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂重均分子量为15000～26000；a2)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的分子量分布系数为pdi<2.5；a3)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂由如下摩尔比的各组分共聚得到：羟基苯乙烯化合物50～70％；苯乙烯化合物10～30％；丙烯酸叔丁酯化合物补足100％；a4)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的重均分子量为8000～15000；a5)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的分子量分布系数为pdi<2.5；a6)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂由如下摩尔比的各组分共聚得到：羟基苯乙烯化合物60～80％；苯乙烯化合物5～15％；对甲氧基苯乙烯化合物补足100％。5.如权利要求1所述的化学放大型i线光刻胶，其特征在于，所述光刻胶还包括如下技术特征中的至少一项：b1)所述光酸选自离子型光酸或非离子型光酸中的至少一种；b2)所述酸猝灭剂选自三乙醇胺、四丁基氢氧化铵、三(3,6二氧杂庚基)胺、三辛胺、三异丙醇胺、三乙烯二胺、2-乙基-n,n-双(2-乙己基)-1-己胺、2-苯基苯并咪唑或二苯胺中的至少一种；
b3)所述稳定剂选自抗氧化剂中的至少一种；b4)所述流平剂选自3m氟碳表面活性剂fc-4430或特洛伊troysol s366中的至少一种；b5)所述溶剂选自丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乳酸乙酯、苯甲醚、丙二醇单醋酸酯、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、二缩乙二醇甲乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇或γ-丁内脂中的至少一种。6.如权利要求5所述的化学放大型i线光刻胶，其特征在于，所述光刻胶还包括如下技术特征中的至少一项：c1)所述离子型光酸选自以下通式：c1)所述离子型光酸选自以下通式：式1中，r1为c
1-c4的烷基；式2中，r2为羟基或c
1-c4的烷氧基，r3为氢原子、羟基或c
1-c4的烷氧基，r4和r5各自独立地为c
1-c4的烷基，或r4与r5可键结形成c
5-c8的环，r6为c
1-c4的全氟烷基；c2)所述非离子型光酸选自以下通式：式3中，r3为氢原子、苯氧基、c
1-c4的烷基或含有磺酸酯基的c
2-c
10
的烷基，r4为r5为c
1-c4全氟烷基或全氟苯基；式4中，r6为c
1-c4的烷基或c
1-c6的烷氧基，r7为连接键或r8为c
1-c4的烷基、甲苯基或三氟甲基苯基；c3)所述抗氧化剂选自以下通式：
式5中，p1为c
1-c4的烷基、c
1-c4的烷氧基、c
4-c
10
的叔烷基或如式7的基团，其中，p
11
、p
12
各自独立地为c
1-c4的烷基；式6中，p2为c
1-c4的烷基，n为2-4的正整数。4的正整数。7.如权利要求6所述的化学放大型i线光刻胶，其特征在于，所述光刻胶还包括如下技术特征中的至少一项：d1)所述离子型光酸选自以下结构中的至少一种：
d2)所述非离子型光酸选自以下结构中的一种：
d3)所述抗氧化剂选自以下结构中的至少一种：8.一种如权利要求1-7任一所述的化学放大型i线光刻胶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：将所述聚合物树脂、所述光酸、所述酸猝灭剂、所述稳定剂、所述流平剂以及所述溶剂按比例混合后，过滤得到所述化学放大型i线光刻胶。9.如权利要求8所述的化学放大型i线光刻胶的制备方法，其特征在于，所述过滤采用的1μm+0.45μm两道尼龙膜。10.一种如权利要求1-7任一所述的化学放大型i线光刻胶的使用方法，其特征在于，所述使用方法包括如下步骤：将所述化学放大型i线光刻胶涂布在si基材上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影，得到光刻图案。

技术总结
本发明涉及一种化学放大型I线光刻胶及其制备与使用方法，该光刻胶包括以下质量百分比的各组分：聚合物树脂，光刻胶的10～20％；光酸，聚合物树脂的2～10％；酸猝灭剂，光酸的8～30％；稳定剂，聚合物树脂的0.5～15％；流平剂，光刻胶的0.05～0.5％；溶剂，补足100％；其中，聚合物树脂为聚羟基苯乙烯类聚合物树脂。制备方法包括以下步骤：将化学放大型I线光刻胶的各组分按比例混合。使用方法包括以下步骤：将化学放大型I线光刻胶涂布在Si基材上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影。本发明提供的光刻胶可以有效解决化学放大型I线光刻胶的能量稳定性问题。性问题。


技术研发人员：傅志伟 谈云龙 王德炜 潘新刚 梅崇余
受保护的技术使用者：徐州博康信息化学品有限公司
技术研发日：2022.12.29
技术公布日：2023/7/31