一种电致变色器件的制作方法

1.本技术涉及电致变色领域，尤其涉及一种电致变色器件。


背景技术：

2.电致变色是指材料的光学属性(反射率、透过率、吸收率等)在外加电场的作用下发生稳定、可逆的颜色变化的现象，在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化。
3.现有的电致变色器件在外力的作用下，容易发生弯折或变形，易导致两侧的导电层相互接触，出现短路的现象。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种电致变色器件。
5.本技术提供如下技术方案：一种电致变色器件，包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；所述第一导电基底的边缘设有第一容纳槽，所述第二导电基底的边缘设有第二容纳槽，所述电致变色层的边缘设有两个以上第三容纳槽；所述第一容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与至少一个所述第三容纳槽重叠，且所述第一容纳槽和所述第三容纳槽连通形成一个第一凹槽；所述第一导电基底的边缘设有第一间隙区，所述电致变色层的边缘设有两个以上第二间隙区，所述第一间隙区与至少一个所述第二间隙区连通形成第一隔断区；所述第一隔断区间隔围设在所述第一凹槽的周向，以在所述第一凹槽和所述第一隔断区之间形成第一阻隔结构；所述第二容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与至少一个所述第三容纳槽重叠，且所述第二容纳槽和所述第三容纳槽连通形成一个第二凹槽；所述第二导电基底的边缘设有第三间隙区，所述第三间隙区与至少一个所述第二间隙区连通形成第二隔断区；所述第二隔断区间隔围设在所述第二凹槽的周向，以在所述第二凹槽和所述第二隔断区之间形成第二阻隔结构。
6.在本技术中，通过第一阻隔结构和第二阻隔结构的设置，在第一凹槽和第二凹槽周向形成阻隔支撑结构，一方面，阻隔结构可以对远离第一凹槽和第二凹槽一侧的导电基底和电致变色层形成支撑，防止其发生弯折而形成两侧导电基底的电接触情况，另一方面，阻隔结构还可以形成绝缘的孤岛结构，即便其发生弯折与第一凹槽或第二凹槽(投影)围设区域内的导电基底形成接触，但其与另一侧的导电基底之间通过隔断区隔断，因此亦不会形成两侧导电基底的短路电接触，从而提高了电致变色器件的使用可靠性及稳定性。
7.进一步地，所述第一容纳槽和所述第二容纳槽分别为多个，以形成多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽分别，且所述第一凹槽与所述第二凹槽交错设置。优选地，任意一个所述第一凹槽在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二凹槽之间具有间隙。由此，通过多个容纳槽的设置可以形成多个凹槽，多个凹槽可以对应布设多电极形式的汇流条，从而提升电致变色器件的变色效率；进一步地，使凹槽在同一平面的投影之间具有间隙，可以提升汇流条布设的便捷性，通常情况下，在该间隙处为第一导电基底、电致变色层和第二导电基底的重合区域，因此，通过该间隙可以形成两侧凹槽的错开，防止两侧布设的
汇流条之间形成电接触等情况的发生。
8.优选地，所述第一间隙区和所述第三间隙区分别为多个，以形成多个所述第一隔断区和多个所述第二隔断区。更优选地，所述第一阻隔结构和所述第二阻隔结构分别为多个。由此，可以在凹槽的周向均设置隔断区，从而在凹槽的周边均形成阻隔结构，可以进一步确保凹槽周边均有阻隔结构的支撑和阻隔作用，更加有效地防止短路情况的发生，从而进一步提高了电致变色器件的使用可靠性及稳定性。
9.进一步地，所述第一阻隔结构在第一方向的宽度与所述第一阻隔结构在第二方向的宽度的比值为x1，且0＜x1≤1；所述第二阻隔结构在第一方向的宽度与所述第二阻隔结构在第二方向的宽度的比值为x2，且0＜x2≤1。其中，所述在第一方向的宽度为所述第一阻隔结构或所述第二阻隔结构在所述第一方向的最小宽度。优选地，所述第一阻隔结构和所述第二阻隔结构的至少其一，在第一方向的宽度为1mm以上。更优选地，所述第一阻隔结构和所述第二阻隔结构的至少其一，在第一方向的宽度为2mm以上。再优选地，其中，x1＝x2。在这种情况下，可以提升电阻隔防短路效果，并且使阻隔结构在第一方向的宽度为1mm或2mm以上，则阻隔结构在第二方向的宽度也至少不小于1mm或2mm，由此，能够进一步确保阻隔结构起到更加有效的绝缘阻隔和支撑效果，进一步提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性；此外，通过x1和x2数值大小的限定，即可以使得阻隔结构在沿可视区方向的宽度小于沿非可视区方向的宽度，可以在保证可视区具有足够大的面积的同时，进一步提升阻隔效果，尤其是沿非可视区方向的阻隔效果。
10.进一步地，所述第一方向为非可视区的宽度方向且与可视区垂直，所述第二方向垂直于所述第一方向且与所述可视区平行。由此，通过第一方向和第二方向的垂直设置，可以分别在第一方向和第二方向上均设置第一阻隔结构和第二阻隔结构，从而更加有效地提升电致变色器件的防短路效果。
11.进一步地，所述第一阻隔结构在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二阻隔结构具有间隙。优选地，所述第一阻隔结构在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二阻隔结构部分重叠，形成重叠区域。由此，通过间隙的设置，可以更加便捷地实现阻隔结构的设置；进一步地，使阻隔结构(投影)之间形成重叠区域，可以使两侧的孤岛绝缘结构形成重叠，即使得重叠区域亦不能形成导电连接，从而能够隔断第一导电基底和第二导电基底的正面电接触(即第一导电基底朝向电致变色层的一面，与第二导电基底朝向电致变色层的一面形成电接触)，以更加有效地防止短路情况的发生。
12.进一步地，所述重叠区域在第一方向的宽度与所述第一阻隔结构在第一方向的宽度的比值为y1，且0＜y1≤1；所述重叠区域在第一方向的宽度与所述第二阻隔结构在第一方向的宽度的比值为y2，且0＜y2≤1；其中，所述重叠区域是所述第一阻隔结构和所述第二阻隔结构在第二方向上形成的重叠区域，所述第一阻隔结构或所述第二阻隔结构在所述第一方向的宽度为所述第一阻隔结构或所述第二阻隔结构在所述第一方向的最大宽度。优选地，所述第一阻隔结构和所述第二阻隔结构在第一方向的宽度不相同，即y1≠y2。更优选地，所述第一阻隔结构和所述第二阻隔结构在第一方向的宽度的差值不小于1mm。再优选地，所述第一阻隔结构和所述第二阻隔结构在第一方向的宽度的差值不小于2mm。在这种情况下，可以使得第一阻隔结构和第二阻隔结构在第一方向上不完全重合，即使得其中之一的阻隔结构在第一方向的宽度小于另一阻隔结构，从而可以保证其中之一的阻隔结构形成的边缘
区域被另一阻隔结构阻隔或支撑，避免形成新的短路风险区域，从而能够进一步确保阻隔结构起到更加有效的绝缘阻隔和支撑效果，进一步提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性。
13.进一步地，所述重叠区域在第二方向的宽度与所述第一阻隔结构在第二方向的宽度的比值为z1，且0＜z1＜1；和/或所述重叠区域在第二方向的宽度与所述第二阻隔结构在第二方向的宽度的比值为z2，且0＜z2＜1。进一步地，所述第一阻隔结构在所述第二方向的宽度与所述重叠区域在第二方向的宽度之间的差值不小于1mm；和/或所述第二阻隔结构在所述第二方向的宽度与所述重叠区域在第二方向的宽度之间的差值不小于1mm。优选地，所述第一阻隔结构在所述第二方向的宽度与所述重叠区域在第二方向的宽度之间的差值不小于2mm；和/或所述第二阻隔结构在所述第二方向的宽度与所述重叠区域在第二方向的宽度之间的差值不小于2mm。在这种情况下，可以使得第一阻隔结构和第二阻隔结构在第二方向上不完全重叠，进一步地，可以使阻隔结构靠近凹槽的一侧至重叠区域之间的距离为1mm以上或2mm以上等，即使阻隔结构的边缘保持1mm或2mm以上宽度，可以确保该边缘不会掉落的同时，还能保证足够的绝缘阻隔和支撑效果，提升电致变色器件的使用稳定性和可靠性。
14.进一步地，所述第一隔断区和所述第二隔断区内填充有绝缘胶。由此，通过绝缘胶的设置，一方面可以对导电基底和电致变色层形成横向支撑，另一方面也可以进一步确保隔断区形成了孤岛绝缘区域，进一步防止导电基底侧面和另一侧导电基底的正面之间的电接触，进一步提升防短路效果。
15.本技术的实施例具有如下优点：通过第一阻隔结构和第二阻隔结构在第一导电基底和第二导电基底之间形成阻隔，防止电致变色器件弯曲时，第一导电基底与第二导电基底接触，以避免出现短路的现象，从而提高了电致变色器件的安全性及稳定性。
16.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
18.图1示出了本技术的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图一；
19.图2示出了图1中a-a部的剖视图；
20.图3示出了图1中b部的放大图；
21.图4示出了图2中c部的放大图；
22.图5示出了本技术的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图二；
23.图6示出了图5中d部的放大图；
24.图7示出了本技术的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图三；
25.图8示出了图7中e部的放大图；
26.图9示出了本技术的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图四；
27.图10示出了图9中f部的放大图；
28.图11示出了本技术的一些实施例提供的一种电致变色器件的一视角的结构示意图五；
29.图12示出了图11中g部的放大图。
30.主要元件符号说明：
31.100-电致变色器件；110-第一导电基底；111-第一导电层；112-第一基底层；120-电致变色层；121-离子存储层；122-电致变色材料层；123-电解质层；130-第二导电基底；131-第二导电层；132-第二基底层；140-第一凹槽；150-第二凹槽；160-第一阻隔结构；170-第二阻隔结构；180-第一隔断区；190-第二隔断区；200-重叠区域。
具体实施方式
32.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
33.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
34.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
35.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
36.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在模板的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
37.如图1、图2和图4所示，本技术的一些实施例提供一种电致变色器件100，主要应用于电致变色领域。电致变色器件100包括依次层叠的第一导电基底110、电致变色层120和第二导电基底130。其中，第一导电基底110和第二导电基底130分别完全覆盖于电致变色层120。
38.在第一导电基底110的边缘设有第一容纳槽，第二导电基底130的边缘设有第二容纳槽，电致变色层120的边缘设有两个以上的第三容纳槽。需要说明的是，第一容纳槽、第二容纳槽和第三容纳槽的数量均可以是两个或两个以上任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。
39.第一容纳槽在电致变色层120所在平面的正投影与至少一个第三容纳槽重叠，且一个第一容纳槽和一个第三容纳槽连通形成一个第一凹槽140。
40.同时，在第一导电基底110的边缘设有第一间隙区，所述电致变色层120的边缘设有两个以上的第二间隙区，所述第一间隙区与至少一个所述第二间隙区连通形成第一隔断区180，第一隔断区180间隔围设在第一凹槽140的周向，以在第一凹槽140和第一隔断区180之间形成第一阻隔结构160。
41.需要说明的是，通过在第一导电基底110的边缘蚀刻或激光切割形成第一间隙区。可以理解的是，第一间隙区间隔围设在第一容纳槽的周向，并在第一间隙区和第一容纳槽之间形成第一阻隔部。同时，第二间隙区围设在第一容纳槽的周向，并在第二间隙区和第三容纳槽形成第二阻隔部，第一阻隔部和第二阻隔部即为第一阻隔结构160。以避免电致变色器件弯折时，第一导电基底110与第二导电基底130靠近电致变色层120的一侧接触发生短路情况，或电致变色层120远离第二导电基底130一侧与第二导电基底130靠近电致变色层120的一侧接触发生短路情况，从而提高电致变色器件的稳定性。
42.另外，第二容纳槽在电致变色层120所在平面的正投影与至少一个第三容纳槽重叠，且一个第二容纳槽和一个第三容纳槽连通形成一个第二凹槽150。
43.具体的，第一凹槽140和第二凹槽150在电致变色层120所在平面的正投影部分重叠或相互间隔，即第一凹槽140和第二凹槽150在电致变色层120的边缘形成相互交错的凹槽结构。
44.同时，在第二导电基底130的边缘设有第三间隙区，且第三间隙区与第二间隙区连通形成第二隔断区190，第二隔断区190间隔围设在第二凹槽150的周向，以第二凹槽150和第二隔断区190之间形成第二阻隔结构170。
45.需要说明的是，通过在第二导电基底130的边缘蚀刻或激光切割形成第三间隙区。可以理解的是，第三间隙区间隔围设在第二容纳槽的周向，并在第三间隙区和第二容纳槽之间形成第三阻隔部。同时，第二阻隔部和第三阻隔部即为第二阻隔结构170。以防止电致变色器件弯折时，第二导电基底130与第一导电基底110靠近电致变色层120的一侧接触发生短路情况，或电致变色层120远离第一导电基底110一侧与第一导电基底110靠近电致变色层120的一侧接触发生短路情况，从而提高电致变色器件的稳定性。
46.可以理解的是，第二阻隔结构170的材质包括第二导电基底130的材质和电致变色层120的材质。
47.在本技术的一些实施例中，第一容纳槽和第二容纳槽分别为多个。可以理解的是，第一容纳槽的数量和第二容纳槽的数量均可以是两个或两个以上任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。以形成多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽，且所述第一凹槽与所述第二凹槽交错设置。具体的，任意一个第一凹槽140在第二导电基底130所在平面的正投影与每一个第二凹槽150均具有间隙。以使外部电源的连接端子可经过第二凹槽与第一导电基底连接，同时外部电源的连接端子亦可经过第一凹槽与第二导电基底连接。使得分别
接入第一导电基底与第二导电基底上的外部电源的连接端子形成错位，提高第一导电基底和第二导电基底与外部电源连接的安全性和稳定性，避免短路。
48.其中，多个第一容纳槽相间隔的设置在第一导电基底110的边缘。具体的，在第一导电基底110的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第一容纳槽。
49.多个第二容纳槽相间隔的设置在第二导电基底130的边缘。具体的，在第二导电基底130的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第二容纳槽。需要说明的是，任意一个第二容纳槽在第一导电基底110所在平面的正投影与任意一个第一容纳槽具有间隙。
50.另外，多个第三容纳槽相间隔的设置在电致变色层120的边缘。具体的，在电致变色层120的边缘的每一侧均设有多个相间隔的第三容纳槽。
51.可以理解的是，在本技术的一些实施例中，第一容纳槽的数量与第二容纳槽的数量之和与第三容纳槽的数量相等。第一间隙区和第三间隙区可以分别与第一容纳槽和第二容纳槽的数量相匹配，即可以分别为多个，以形成多个第一隔断区和多个第二隔断区，由此，可以形成多个第一阻隔结构和多个第二阻隔结构。
52.需要说明的是，如图1所示，第一方向与第二方向相互垂直；其中，第一方向是指沿非可视区宽度方向且与可视区垂直，在二维平面内，第一方向例如可以为与电致变色器件100的边缘的任意一侧垂直的方向；第二方向是指与第一方向垂直的方向，即与可视区平行的方向，在二维平面内，第二方向例如可以为与电致变色器件100的边缘的任意一侧平行的方向。具体地，相对于电致变色器件100的边缘的上下侧而言(上下侧相互平行)，第一方向为垂直于该上下侧的方向，第二方向为平行于该上下侧的方向；相对于电致变色器件100的边缘的左右侧而言(左右侧相互平行)，第一方向为垂直于该左右侧的方向，第二方向为平行于该左右侧的方向。
53.由上述可知，在一些示例中，当电致变色器件100的边缘的上下侧和其左右侧相互垂直时，位于不同侧的所述第一方向和第二方向可以分别为垂直关系，即位于电致变色器件100的边缘的上下侧的第一方向，可以和位于电致变色器件100的边缘的左右侧的第一方向相互垂直；位于电致变色器件100的边缘的上下侧的第二方向，可以和位于电致变色器件100的边缘的左右侧的第二方向相互垂直。
54.如图3、图5、图6、图8、图10和图12所示，在本技术的一些实施例中，第一阻隔结构160在第一方向上的宽度与第一阻隔结构160在第二方向上的宽度的比值为x1，且0＜x1≤1。可以理解的是，x1可以是0到1之间的任意一数值，可根据实际情况具体设定。
55.例如，当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为1mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为2mm时，x1为0.5。
56.当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为2mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为2mm时，x1为1。
57.当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为1mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为10mm时，x1为0.1。
58.当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为2mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为10mm时，x1为0.2。
59.需要说明的是，第一阻隔结构160在第一方向上的宽度与第一阻隔结构160在第二方向上的宽度的比值可以是0.01、0.02、0.04、0.08、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、
0.9和1中的任意一比值，可根据实际情况具体设定。
60.其中，第一阻隔结构160在第一方向上的宽度是指，在第一方向上，且位于第一凹槽和第一隔断区之间的第一阻隔结构160远离电致变色层120的一侧到第一阻隔结构160靠近电致变色层120的一侧的垂直距离。此处，用于限定x数值大小时，在第一方向的宽度是指第一阻隔结构160在第一方向的最小宽度，即为第一阻隔结构160从靠近第一凹槽的一侧沿第一方向延伸至靠近可视区的一侧之间的垂直距离。
61.第一阻隔结构160在第二方向上的宽度是指，在第二方向上，且位于第一凹槽和第一隔断区之间的第一阻隔结构160在第二方向上远离第一凹槽140的一侧到第一阻隔结构160朝向第一凹槽140的一侧的垂直距离。
62.另外，第二阻隔结构170在第一方向上的宽度是指，在第一方向上，且位于第二凹槽和第二隔断区之间的第二阻隔结构170远离电致变色层120的一侧到第二阻隔结构170靠近电致变色层120的一侧的垂直距离。此处，用于限定x数值大小时，在第一方向的宽度是指第二阻隔结构170在第一方向的最小宽度，即为第二阻隔结构170从靠近第二凹槽的一侧沿第一方向延伸至靠近可视区的一侧之间的垂直距离。
63.第二阻隔结构170在第二方向上的宽度是指，在第二方向上，且位于第二凹槽和第二隔断区之间的第二阻隔结构170远离第二凹槽150的一侧到第二阻隔结构170朝向第二凹槽150的一侧的垂直距离。
64.另外，第二阻隔结构170在第一方向上的宽度与第二阻隔结构170在第二方向上的宽度的比值为x2，且0＜x2≤1。可以理解的是，x2，可以是0到1之间的任意一数值，可根据实际情况具体设定。
65.例如，当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为2mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为2mm时，x2为1。
66.当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为1mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为10mm时，x2为0.1。
67.需要说明的是，第二阻隔结构170在第一方向上的宽度与第二阻隔结构170在第二方向上的宽度的比值可以是0.01、0.02、0.04、0.08、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9和1中的任意一比值，可根据实际情况具体设定。
68.如图1和图3所示，在本技术的一些实施例中，当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为1mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为2mm时，即x1为0.5，且第二阻隔结构170在第一方向上的宽度为1mm，第二阻隔结构170在第二方向上的宽度为10mm，即x2为0.5。
69.当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为1mm时，第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为10mm，即x1为0.1。同理，当第二阻隔结构170在第一方向上的宽度为1mm时，第二阻隔结构170在第二方向上的宽度为10mm，即x2为0.1。
70.需要说明的是，通过增加第一阻隔结构和第二阻隔结构在第二方向上的宽度，即增加了第一阻隔结构与第二导电基底之间的接触面积，同时增加了第二阻隔结构与第一导电基底之间的接触面积，以提高第一阻隔结构在第二导电基底上的稳固性，同时提高第二阻隔结构在第一导电基底上的稳固性，避免第一阻隔结构和/或第二阻隔结构脱落，防止第一导电基底与第二导电基底接触形成短路，从而提高了电致变色器件的使用可靠性及稳定性。
71.另外，当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为2mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为10mm时，即x1为0.2。第二阻隔结构170在第一方向上的宽度为2mm时，第二阻隔结构170在第二方向上的宽度为10mm，即x2为0.2。
72.当第一阻隔结构160在第一方向上的宽度为4mm，且第一阻隔结构160在第二方向上的宽度为20mm时，x1仍然为0.2。第二阻隔结构170在第一方向上的宽度为4mm时，第二阻隔结构170在第二方向上的宽度为20mm，即x2仍然为0.2。
73.需要说明的是，在本技术的一些实施例中，通过减少第一阻隔结构在第一方向上的宽度，以增大电致变色层的有效变色面积，从而增大电致变色器件可视区的面积。同时，增大第一阻隔结构在第二方向上的宽度，以增加第一阻隔结构与第二导电基底之间的接触面积，以提高第一阻隔结构在第二导电基底上的稳固性。
74.同时，避免第一导电基底110的边缘侧边与第二导电基底130接触，或/和避免第二导电基底130的边缘侧边与第一导电基底110接触，或/和避免第一导电基底110的边缘侧边和第二导电基底130的边缘侧边接触，从而防止短路情况的发生，以提高电致变色器件的使用稳定性和可靠性。
75.另外，在本技术的一些实施例中，第一阻隔结构160在第二导电基底130所在平面的正投影与第二阻隔结构170具有间隙。可以理解的是，第一阻隔结构160和第二阻隔结构170在电致变色器件的边缘形成交错的阻隔结构，以防止第一导电基底110与第二导电基底130之间发生短路情况。
76.如图7至图12所示，在本技术的一些实施例中，为了提高电致变色器件的稳定性，避免出现短路现象，第一阻隔结构160在第二导电基底130所在平面的正投影与第二阻隔结构170部分重叠，形成重叠区域200。
77.需要说明的是，重叠区域200在电致变色层120所在平面的正投影位于第一凹槽140和第二凹槽150在电致变色层120所在平面的正投影之间，且重叠区域200分别与第一凹槽140和第二凹槽150具有间隙，使得分别接入第一导电基底与第二导电基底上的外部电源的连接端子形成错位，提高第一导电基底和第二导电基底与外部电源连接的安全性和稳定性。
78.其中，重叠区域200在第一方向的宽度与第一阻隔结构160在第一方向的宽度的比值为y1，且0＜y1≤1。可以理解的是，y1可以是0到1之间的任意一数值，可根据实际情况具体设定。可以理解的是，该比值可以是0.01、0.02、0.04、0.08、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9和1中的任意一比值，可根据实际情况具体设定。
79.另外，重叠区域200在第一方向的宽度与第二阻隔结构170在第一方向的宽度的比值为y2，且0＜y2≤1。可以理解的是，y2可以是0到1之间的任意一数值，可根据实际情况具体设定。可以理解的是，该比值可以是0.01、0.02、0.04、0.08、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9和1中的任意一比值，可根据实际情况具体设定。
80.具体的，重叠区域200的形状可以是矩形、正方形、三角形、圆弧形或异形中的任意一种，可根据实际情况具体设定。
81.需要说明的是，重叠区域200是第一阻隔结构160和第二阻隔结构170在第二方向上形成的重叠区域，第一阻隔结构160或第二阻隔结构170在第一方向的宽度为第一阻隔结构160或第二阻隔结构170在第一方向的最大宽度，即从第一阻隔结构160或第二阻隔结构
170靠近电致变色器件100边缘的一侧，沿第一方向延伸至靠近可视区的一侧之间的垂直距离。
82.在一些示例中，第一阻隔结构160和第二阻隔结构170在第一方向的宽度可以不相同，即y1≠y2。在另一些示例中，第一阻隔结构160和第二阻隔结构170在第一方向的宽度的差值可以不小于1mm或不小于2mm。
83.具体的，所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第一阻隔结构160靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离大于所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第二阻隔结构170靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离。或所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第一阻隔结构160靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离小于所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第二阻隔结构170靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离。或所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第一阻隔结构160靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离与所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第二阻隔结构170靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离相等，可根据实际情况具体设定。
84.通过对重叠区域200在第一方向上和第二方向上的宽度的调节，以增大电致变色器件100的变色区域，同时避免第一导电基底110的边缘侧边与第二导电基底130接触，和/或避免第二导电基底130的边缘侧边与第一导电基底110接触，以提高电致变色器件的稳定性。
85.如图7和图8所示，在本技术的一些实施例中，所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第一阻隔结构160靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离大于所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第二阻隔结构170靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离，以避免电致变色器件在第一方向上弯折时，第一导电基底与第二导电基底接触短路。同时保证重叠区域包括部分第一阻隔结构和部分第二阻隔结构，避免电致变色器侧边短路，从而提高第一导电基底和第二导电基底之间的稳定性。此时，y1小于y2，且y2等于1。
86.可以理解的是，在第一方向上，重叠区域200的宽度与所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第二阻隔结构170靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离相等。
87.或所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第一阻隔结构160靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离小于所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第二阻隔结构170靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离。此时，y1小于y2，且y1等于1，可根据实际情况具体设定。
88.如图9和图10所示，在本技术的一些实施例中，所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第一阻隔结构160靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离与所述重叠区域200远离所述电致变色层120的一侧到所述第二阻隔结构170靠近所述电致变色层120的一侧的垂直距离相等。
89.其中，第一阻隔结构160在第二方向上的一侧在电致变色层120所在平面的正投影为“l”字形，并与第二阻隔结构170在电致变色层120所在平面的正投影部分重叠。另外，第二阻隔结构170在第二方向上的一侧在电致变色层120所在平面的正投影为“l”字形，并与
第一阻隔结构160在电致变色层120所在平面的正投影部分重叠，且第一阻隔结构160在第二方向上的一侧与第二阻隔结构170在第二方向上的一侧具有间隙，在保证重叠区域200在第二方向上的宽度不变的情况下，减小了重叠区域200在第一方向上的宽度，不仅避免了第一导电基底110的侧边和第二导电基底130的侧边短路的情况，而且还增大电致变色层120的变色面积，从而提升了电致变色器件的变色面积。
90.如图11和图12所示，在本技术的一些实施例中，为了简化电致变色器件的切割工艺，使两侧切割图案更对称，第一阻隔结构160和第二阻隔结构170在电致变色层120所在平面的正投影形成的重叠区域200为等腰三角形结构或等边三角形结构，提高切割后的美观度，提高电致变色器件在变色过程中的美观性。
91.可以理解的是，此时，y1与y2相等，且y1和y2均小于1。
92.需要说明的是，在本技术的一些实施例中，为了电致变色器件的稳定性，将第一阻隔结构160的边缘和第二阻隔结构170的边缘均设置为倒圆角结构，避免直角尖端放电，以提高电致变色器件的稳定性。
93.另外，为了使在第二方向切割或蚀刻时，避开分别与第一导电基底和第二导电基底连接的汇流条，在本发明的一些实施例中，所述重叠区域在第一方向上的宽度不小于汇流条的宽度。需要说明的是，这里所说的汇流条的宽度是指汇流条在电致变色层所在平面的正投影与电致变色层重叠的区域在第一方向上的宽度，从而提高对第一导电基底和第二导电基底蚀刻或切割过程中的稳定性，从而提高电致变色器件的质量。
94.在本技术的一些实施例中，重叠区域200在第二方向上的宽度与第一阻隔结构160在第二方向上的宽度的比值为z1，且0＜z1＜1。可以理解的是，z1可以是0到1之间的任意一数值，可根据实际情况具体设定。具体的，该比值可以是0.01、0.02、0.04、0.08、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9和1中的任意一比值。
95.和/或重叠区域200在第二方向上的宽度与第二阻隔结构170在第二方向上的宽度的比值为z2，且0＜z2＜1。可以理解的是，z2可以是0到1之间的任意一数值，可根据实际情况具体设定。具体的，该比值可以是0.01、0.02、0.04、0.08、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9和1中的任意一比值。
96.例如，当任意相邻的第一凹槽和第二凹槽在电致变色层所在平面的正投影之间的间距为30mm时，重叠区域在第二方向上的最大宽度为26mm。此时，第一阻隔结构和第二阻隔结构在第二方向上的宽度均为28mm，以使第一阻隔结构相邻的第一凹槽之间的间距为2mm，第二阻隔结构相邻的第二凹槽之间的间距为2mm，以避免第一导电基底的侧边和第二导电基底的侧边接触短路，提高电致变色器件的稳定性。
97.可以理解的是，当任意相邻的第一凹槽和第二凹槽在电致变色层所在平面的正投影之间的间距为30mm时，重叠区域在第二方向上的宽度大于0mm，且不大于26mm，可根据实际情况具体设定。
98.在本技术的一些实施例中，为了防止电致变色器件短路的同时，增大电致变色层120的变色区域，第一阻隔结构160在第二方向上的宽度与重叠区域200在第二方向上的宽度之间的差值不小于2mm。
99.可以理解的是，第一阻隔结构160在第二方向上的宽度与第二阻隔结构170在第二方向上的宽度之间的差值为2mm。或第一阻隔结构160在第二方向上的宽度与第二阻隔结构
170在第二方向上的宽度之间的差值大于2mm。此时，通过调节第二阻隔结构170在第二方向上的宽度，以调节重叠区域200在第二方向上的宽度，从而更加有效的避免第一导电基底110的边缘与第二导电基底130接触，同时避免第二导电基底130的边缘与第一导电基底110接触，防止短路情况的发生，以提高电致变色器件的使用稳定性和可靠性。
100.同理的，在本技术的一些实施例中，第二阻隔结构170在第二方向上的宽度与重叠区域200在第二方向上的宽度之间的差值不小于2mm。
101.如图2和图4所示，在本技术的一些实施例中，第一导电基底110包括层叠的第一导电层111和第一基底层112，且第一基底层112层叠在第一导电层111远离电致变色层120的一侧。需要说明的是，第一基底层112完全覆盖于第一导电层111。
102.其中，第二导电基底130包括层叠的第二导电层131和第二基底层132，且第二基底层132层叠在第二导电层131远离电致变色层120的一侧。具体的，第二基底层132完全覆盖于第二导电层131。
103.另外，电致变色层120包括依次层叠的电致变色材料层122、电解质层123和离子存储层121，且电致变色材料层122和离子存储层121分别完全覆盖于电解质层123。由此，可以依次层叠设置形成电致变色器件，简化了电致变色器件的结构和制备工艺。
104.在本技术的一些实施例中，第一导电层111的边缘设有多个第一让位槽，第一让位槽为第一间隙区。具体的，一个第一让位槽与一个第三容纳槽形成一个第一隔断区180。
105.可以理解的是，第一隔断区180间隔环设在第一凹槽140的周向，并在第一隔断区180和第一凹槽140之间形成第一阻隔结构160，该第一阻隔结构160为非导电性的第一导电层111和部分电致变色层，并通过第一阻隔结构160防止第一导电层111与第二导电层131之间短接。
106.同时，在第二导电层131的边缘设有多个第二让位槽，第二让位槽为第三间隙区。具体的，一个第二让位槽与一个第三容纳槽形成一个第二隔断区190。
107.可以理解的是，通过在第二导电层131的边缘蚀刻第二让位槽，第二隔断区190间隔环设在第二凹槽150的周向，并在第二隔断区190和第二凹槽150之间形成第二阻隔结构170，该第二阻隔结构170为非导电性的第二导电层131和部分电致变色层，并通过第二阻隔结构170防止第二导电层131与第一导电层111之间短接，以提高电致变色器件的稳定性。
108.在本技术的一些实施例中，为了提高电致变色器件的稳定性，防止出现短路的情况，在第一隔断区180和第二隔断区190内填充有绝缘胶。在第一阻隔结构160和第二阻隔结构170提供支撑作用的同时，通过绝缘胶将第一导电基底110与第二导电基底130隔开，以提高电致变色器件受压发生形变过程中，第一导电基底110和第二导电基底130出现短接的情况，以第一导电基底110和第二导电基底130的稳定性，从而提高电致变色器件的稳定性。
109.需要说明的是，为了提高第一阻隔结构160和第二阻隔结构170的支撑效果，第一蚀刻区靠近第一阻隔结构160的一侧到第一蚀刻区远离第一阻隔结构160的一侧的垂直距离与第一阻隔结构的宽度之间的比值范围为0.02～0.5，可以是0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4和0.5中的任意一种。
110.另外，在第二蚀刻区靠近第二阻隔结构170的一侧到第二蚀刻区远离第二阻隔结构170的一侧的垂直距离与第二阻隔结构的宽度之间的比值范围为0.02～0.5，可以是0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4和0.5中的任意一种。可根
据实际情况具体设定。
111.在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。
112.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
113.以上实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。

技术特征：
1.一种电致变色器件，其特征在于，包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；所述第一导电基底的边缘设有第一容纳槽，所述第二导电基底的边缘设有第二容纳槽，所述电致变色层的边缘设有两个以上第三容纳槽；所述第一容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与至少一个所述第三容纳槽重叠，且所述第一容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第一凹槽；所述第一导电基底的边缘设有第一间隙区，所述电致变色层的边缘设有两个以上第二间隙区，所述第一间隙区与至少一个所述第二间隙区连通形成第一隔断区；所述第一隔断区间隔围设在所述第一凹槽的周向，以在所述第一凹槽和所述第一隔断区之间形成第一阻隔结构；所述第二容纳槽在所述电致变色层所在平面的正投影与至少一个所述第三容纳槽重叠，且所述第二容纳槽和所述第三容纳槽连通形成第二凹槽；所述第二导电基底的边缘设有第三间隙区，所述第三间隙区与至少一个所述第二间隙区连通形成第二隔断区；所述第二隔断区间隔围设在所述第二凹槽的周向，以在所述第二凹槽和所述第二隔断区之间形成第二阻隔结构。2.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一容纳槽和所述第二容纳槽分别为多个，以形成多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽，且所述第一凹槽与所述第二凹槽交错设置。3.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，任意一个所述第一凹槽在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二凹槽之间具有间隙。4.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一阻隔结构在所述第二导电基底所在平面的正投影与所述第二阻隔结构部分重叠，以形成重叠区域。5.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一阻隔结构在第一方向的宽度与所述第一阻隔结构在第二方向的宽度的比值为x1，且0＜x1≤1；所述第二阻隔结构在第一方向的宽度与所述第二阻隔结构在第二方向的宽度的比值为x2，且0＜x2≤1；其中，所述第一方向的宽度为所述第一阻隔结构或所述第二阻隔结构在所述第一方向的最小宽度。6.根据权利要求4所述的电致变色器件，其特征在于，所述重叠区域在第一方向的宽度与所述第一阻隔结构在第一方向的宽度的比值为y1，且0＜y1≤1；所述重叠区域在第一方向的宽度与所述第二阻隔结构在第一方向的宽度的比值为y2，且0＜y2≤1；其中，所述重叠区域是所述第一阻隔结构和所述第二阻隔结构在第二方向上形成的重叠区域，所述第一阻隔结构或所述第二阻隔结构在所述第一方向的宽度为所述第一阻隔结构或所述第二阻隔结构在所述第一方向的最大宽度。7.根据权利要求4所述的电致变色器件，其特征在于，所述重叠区域在第二方向的宽度与所述第一阻隔结构在第二方向的宽度的比值为z1，且0＜z1＜1；和/或所述重叠区域在第二方向的宽度与所述第二阻隔结构在第二方向的宽度的比值
为z2，且0＜z2＜1。8.根据权利要求4所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一阻隔结构在第二方向的宽度与所述重叠区域在第二方向的宽度之间的差值不小于2mm；和/或所述第二阻隔结构在所述第二方向的宽度与所述重叠区域在第二方向的宽度之间的差值不小于2mm。9.根据权利要求5或6所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一方向为非可视区的宽度方向且与可视区垂直，所述第二方向垂直于所述第一方向且与所述可视区平行。10.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一隔断区和所述第二隔断区内填充有绝缘胶。

技术总结
本申请提供一种电致变色器件，属于电致变色领域。电致变色器件包括依次层叠的第一导电基底、电致变色层和第二导电基底；第一间隙区与第二间隙区连通形成第一隔断区；第一隔断区间隔围设在第一凹槽的周向，以在第一凹槽和第一隔断区之间形成第一阻隔结构；第三间隙区与第二间隙区连通形成第二隔断区；第二隔断区间隔围设在第二凹槽的周向，以在第二凹槽和第二隔断区之间形成第二阻隔结构。本申请提供的电致变色器件，通过第一隔断区和第二隔断区避免第一导电基底与第二导电基底接触出现短路的现象，从而提高了电致变色器件的安全性及稳定性。性。性。


技术研发人员：刘振钊 彭靖俊 胡国阳
受保护的技术使用者：光羿智能科技（苏州）有限公司
技术研发日：2022.01.21
技术公布日：2023/7/31