一种GM管高压电路的制作方法

一种gm管高压电路
技术领域
1.本实用新型涉及gm管技术领域，特别是一种gm管高压电路。


背景技术：

2.在众多的辐射探测器中，最常用的是气体探测器、半导体探测器和闪烁体探测。气体探测器中的盖革-弥勒计数管(简称gm管)又是这其中最常用的探测器。gm管必须施以高压(上百伏)才可以工作，在当前高压电源设计中，通常是将变压器与倍压整流电路结合，先通过变压器的匝数比得到次级电压增大，再通过倍压整流电路进一步对变压器产生的高压进行倍压，产生一个较高的直流电压。但变压器与振荡电路的设计需要一定模拟电子技术基础，参数的选取往往依靠经验，这样就为电路的设计增加了难度；同时，变压器获得高压是通过增加变压器的变比(增加次级绕组匝数)，由于变压器绕组的层间寄生电容和线间寄生电容的影响，在工作中会产生很大的充放电电流和噪声


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种gm管高压电路，能够代替传统的变压器增压，实现交流高压的转化。
4.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种gm管高压电路，包括电源、冷光模块、倍压整流电路，所述电源与所述冷光模块的输入端连接，所述冷光模块的输出端与所述倍压整流电路的输入端连接，所述倍压整流电路的输出端与外部gm管连接。
5.进一步的，所述冷光模块包括u1芯片、电阻r1、电阻r2、电容c1、电容c2、电感l1、二极管d1，所述电源与所述电容c1的一端连接，所述电容c1的另一端接地，所述电感l1的一端与所述电源连接，所述电感l1的另一端与所述二极管d1的阳极、所述u1芯片的4号引脚连接，所述二极管d1的阴极与所述u1芯片的3号引脚、电容c2的一端连接，所述电容c2的另一端接地，所述电阻r1的一端与电源连接，所述电阻r1的另一端与所述u1芯片的2号引脚连接，所述u1芯片的1号引脚与所述电源连接，所述电阻r2的一端与所述电源连接，所述电阻r2的另一端与所述u1芯片的8号引脚连接，所述u1芯片的6号引脚与所述倍压整流电路的输入端连接，所述u1芯片的7号引脚与所述倍压整流电路的输入端连接，所述u1芯片的5号引脚接地。
6.进一步的，所述倍压整流电路包括二极管d2、二极管d3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d7、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8，所述二极管d2的阳极与所述u1芯片的6号引脚连接，所述二极管d2的阴极与所述电容c3的一端、所述二极管d3的阳极连接，所述电容c3的另一端与所述u1芯片的7号引脚、所述电容c5的一端、所述电容c7的一端连接，所述二级管d3的阴极与所述二极管d4的阳极、所述电容c4的一端连接，所述电容c4的另一端接地，所述二极管d4的阴极与所述电容c5的另一端、所述二极管d5的阳极连接，所述二极管d5的阴极与所述二极管d6的阳极、所述电容c6的一端连接，所述电容c6的另一端接地，所述二极管d6的阴极与所述二极管d7的阳极、所述电容c7的另一端连接，所述二极
管d7的阴极与所述外部gm管、所述电容c8的一端连接，所述电容c8的另一端接地。
7.进一步的，所述u1芯片的型号为hv830lg-g。
8.进一步的，所述电源为3v电源。
9.本实用新型的有益效果：本实用新型应用冷光ic与相关电路，代替传统的变压器增压，实现交流高压的转化，规避了原先由于变压器绕组的层间寄生电容和线间寄生电容的影响，在工作中会产生很大的充放电电流和噪声的问题，简化电路设计，提供一个较为简便的电路即可实现高压；同时，3v电源下所消耗的电流仅为几ma，降低了功耗，延长电池使用时间。
附图说明
10.图1为本实用新型的电路原理框图；
11.图2为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
12.下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
13.请参阅图1至图2，本实用新型提供了一实施例：一种gm管高压电路，包括电源、冷光模块、倍压整流电路，所述电源与所述冷光模块的输入端连接，所述冷光模块的输出端与所述倍压整流电路的输入端连接，所述倍压整流电路的输出端与外部gm管连接。3v电源为冷光模块供电，其由锂电池或干电池经由dc-dc电源得来；冷光模块由冷光ic及相关外围电路组成，得到一定频率的0/100v方波电压，输出的100v方波电压经过倍压整流电路，实现电压的倍压与直流化，在倍压电容c4上即可得到400v的高压，为gm管提供工作电压。
14.请继续参阅图1所示，本实用新型一实施例中，所述冷光模块包括u1芯片、电阻r1、电阻r2、电容c1、电容c2、电感l1、二极管d1，所述电源与所述电容c1的一端连接，所述电容c1的另一端接地，所述电感l1的一端与所述电源连接，所述电感l1的另一端与所述二极管d1的阳极、所述u1芯片的4号引脚连接，所述二极管d1的阴极与所述u1芯片的3号引脚、电容c2的一端连接，所述电容c2的另一端接地，所述电阻r1的一端与电源连接，所述电阻r1的另一端与所述u1芯片的2号引脚连接，所述u1芯片的1号引脚与所述电源连接，所述电阻r2的一端与所述电源连接，所述电阻r2的另一端与所述u1芯片的8号引脚连接，所述u1芯片的6号引脚与所述倍压整流电路的输入端连接，所述u1芯片的7号引脚与所述倍压整流电路的输入端连接，所述u1芯片的5号引脚接地。u1为专用的冷光驱动芯片，u1芯片的1号引脚为供电引脚，由3v电源直接供电，电容c1为该3v输入提供简单的滤波；通部接入电感l1、二极管d1、电容c2，加上u1芯片内部的驱动即可实现把输入的3v电源boost升压成100v直流电源，该100v存在于u1芯片的3号引脚相连的电容c2中；并通过u1芯片内部的开关管实现在6号、7号引脚交替输出100v、0v的方波信号，电阻r1可调节该boost振荡频率，外接电阻r2可调节6号引脚、7号引脚输出100v方波脉冲信号的频率。
15.请继续参阅图1所示，本实用新型一实施例中，所述倍压整流电路包括二极管d2、二极管d3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d7、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8，所述二极管d2的阳极与所述u1芯片的6号引脚连接，所述二极管d2的阴极与所述电容c3的一端、所述二极管d3的阳极连接，所述电容c3的另一端与所述u1芯片的7号引
脚、所述电容c5的一端、所述电容c7的一端连接，所述二级管d3的阴极与所述二极管d4的阳极、所述电容c4的一端连接，所述电容c4的另一端接地，所述二极管d4的阴极与所述电容c5的另一端、所述二极管d5的阳极连接，所述二极管d5的阴极与所述二极管d6的阳极、所述电容c6的一端连接，所述电容c6的另一端接地，所述二极管d6的阴极与所述二极管d7的阳极、所述电容c7的另一端连接，所述二极管d7的阴极与所述外部gm管、所述电容c8的一端连接，所述电容c8的另一端接地。二极管d2、二极管d3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d7和电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8连接的倍压电路的形式，该倍压电路的输入直接连接在u1芯片的输出6号引脚、7号引脚上，完成交流的100v转直流400v的功能，最终在电容c8上即可取得400v的直流高压，该400v的直流高压即可为gm管提供所需的工作电压。
16.请继续参阅图1所示，本实用新型一实施例中，所述u1芯片的型号为hv830lg-g。
17.请继续参阅图1所示，本实用新型一实施例中，所述电源为3v电源。3v电源下所消耗的电流仅为几ma，降低了功耗，延长电池使用时间。
18.本实用新型中所述u1芯片型号可以是hv830lg-g芯片，但不仅限于此。
19.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，不能理解为对本技术的限制，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。

技术特征：
1.一种gm管高压电路，其特征在于：包括电源、冷光模块、倍压整流电路，所述电源与所述冷光模块的输入端连接，所述冷光模块的输出端与所述倍压整流电路的输入端连接，所述倍压整流电路的输出端与外部gm管连接。2.根据权利要求1所述的一种gm管高压电路，其特征在于：所述冷光模块包括u1芯片、电阻r1、电阻r2+、电容c1、电容c2、电感l1、二极管d1，所述电源与所述电容c1的一端连接，所述电容c1的另一端接地，所述电感l1的一端与所述电源连接，所述电感l1的另一端与所述二极管d1的阳极、所述u1芯片的4号引脚连接，所述二极管d1的阴极与所述u1芯片的3号引脚、电容c2的一端连接，所述电容c2的另一端接地，所述电阻r1的一端与电源连接，所述电阻r1的另一端与所述u1芯片的2号引脚连接，所述u1芯片的1号引脚与所述电源连接，所述电阻r2的一端与所述电源连接，所述电阻r2的另一端与所述u1芯片的8号引脚连接，所述u1芯片的6号引脚与所述倍压整流电路的输入端连接，所述u1芯片的7号引脚与所述倍压整流电路的输入端连接，所述u1芯片的5号引脚接地。3.根据权利要求2所述的一种gm管高压电路，其特征在于：所述倍压整流电路包括二极管d2、二极管d3、二极管d4、二极管d5、二极管d6、二极管d7、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8，所述二极管d2的阳极与所述u1芯片的6号引脚连接，所述二极管d2的阴极与所述电容c3的一端、所述二极管d3的阳极连接，所述电容c3的另一端与所述u1芯片的7号引脚、所述电容c5的一端、所述电容c7的一端连接，所述二极管d3的阴极与所述二极管d4的阳极、所述电容c4的一端连接，所述电容c4的另一端接地，所述二极管d4的阴极与所述电容c5的另一端、所述二极管d5的阳极连接，所述二极管d5的阴极与所述二极管d6的阳极、所述电容c6的一端连接，所述电容c6的另一端接地，所述二极管d6的阴极与所述二极管d7的阳极、所述电容c7的另一端连接，所述二极管d7的阴极与所述外部gm管、所述电容c8的一端连接，所述电容c8的另一端接地。4.根据权利要求2所述的一种gm管高压电路，其特征在于：所述u1芯片的型号为hv830lg-g。5.根据权利要求1所述的一种gm管高压电路，其特征在于：所述电源为3v电源。

技术总结
本实用新型涉及一种GM管高压电路，包括电源、冷光模块、倍压整流电路，所述电源与所述冷光模块的输入端连接，所述冷光模块的输出端与所述倍压整流电路的输入端连接，所述倍压整流电路的输出端与外部GM管连接。本实用新型应用冷光IC与相关电路，代替传统的变压器增压，实现交流高压的转化，规避了原先由于变压器绕组的层间寄生电容和线间寄生电容的影响，在工作中会产生很大的充放电电流和噪声的问题。中会产生很大的充放电电流和噪声的问题。中会产生很大的充放电电流和噪声的问题。


技术研发人员：陈明銮 张华 魏鸿林
受保护的技术使用者：福州智元仪器设备有限公司
技术研发日：2023.03.06
技术公布日：2023/7/28