一种低漏电高平整度的圆晶卡盘的制作方法

1.本实用新型涉及芯片测试领域，特别涉及一种低漏电高平整度的圆晶卡盘。


背景技术：

2.在芯片测试领域内，卡盘在芯片测试中直接与圆晶接触，卡盘的漏电和噪声性能对芯片测试非常重要，直接影响测试系统的整体性能，市面上的卡盘普遍存在漏电流大，噪声影响严重的现象，对于准确表征芯片的真实性能难度较大，影响芯片建模和研发测试评估。
3.为此，市面上缺少一种在芯片测试过程中降低漏电和噪声干扰的设备，保证芯片测试的准确性。


技术实现要素：

4.本实用新型提供了一种低漏电高平整度的圆晶卡盘，其目的是为了解决现有的圆晶卡盘在测试过程中容易受噪声或者漏电的影响，无法准确表征芯片真实性能的问题。
5.为了达到上述目的，本实用新型的实施例提供了一种低漏电高平整度的圆晶卡盘，包括：
6.可导电的保护圈，顶端敞口设置；
7.设置在保护圈内的圆晶卡盘，自下而上的包括接地保护盘、导电保护盘和表面信号盘，所述接地保护盘与导电保护盘之间设置有第一绝缘结构，所述导电保护盘与表面信号盘之间设置有第二绝缘结构；
8.三轴线缆，包括三轴线线芯，三轴线线芯外包裹有三轴线保护层，三轴线保护层外包裹有三轴线接地层，所述三轴线线芯与表面信号盘电性连接，三轴线保护层与导电保护盘、保护圈电性连接，三轴线接地层与接地保护盘电性连接。
9.优选地，所述第一绝缘结构和第二绝缘结构为绝缘隔离盘。
10.优选地，所述保护圈在侧面开设有若干通孔，所述表面信号盘的底面开设有第一沟槽，所述第一沟槽上连接有第一真空吸嘴，所述第一真空吸嘴穿过通孔后伸出保护圈外用以连接吸真空设备；
11.所述导电保护盘的上表面和下表面分别设置有第二沟槽和第三沟槽，所述第二沟槽和第三沟槽上分别对应的连接有第二真空吸嘴和第三真空吸嘴，所述第二真空吸嘴和第三真空吸嘴分别穿过通孔后伸出保护圈外用于连接吸真空设备。
12.优选地，所述接地保护盘、导电保护盘、表面信号盘、第一绝缘结构、第二绝缘结构的上下表面的平整度为微米级。
13.优选地，所述圆晶卡盘的总高度不高于所述保护圈的总高度。
14.优选地，所述圆晶卡盘与所述保护圈的横截面均为圆形，且圆晶卡盘与所述保护圈同轴设置，圆晶卡盘与所述保护圈径向间隔距离为0.5-10mm。
15.优选地，所述接地保护盘侧面设置有若干绝缘固定块，所述绝缘固定块的另一端
与所述保护圈抵接。
16.优选地，所述保护圈由导电金属制成或表面镀有导电材料的绝缘材料制成。
17.本实用新型的上述方案有如下的有益效果：
18.在本技术中，通过三轴线线芯对表面信号盘施加一定信号的电压时，三轴线保护层对与其相连的保护圈提供与表面信号层等电位的信号，可以屏蔽表面信号盘周围一圈的噪声，减小四周的漏电，同时三轴线保护层还对与其相连的导电保护盘起到屏蔽表面信号盘来自的底部的噪声和漏电信号；三轴线接地层与接地保护盘电性连接，接地保护盘底部有噪声信号侵入时，噪声会被接地保护盘引出，起到预隔离噪声信号的作用。
19.综上，本技术通过将三轴线与圆晶卡盘、保护圈进行电性相连，可以有效的消除噪声影响，避免漏电情况的发生。
20.本实用新型的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
21.图1是本实用新型的透视图；
22.【附图标记说明】
23.1-保护圈、21-接地保护盘、22-导电保护盘、23-表面信号盘、24-第一绝缘结构、25-第二绝缘结构、31-三轴线线芯、32-三轴线保护层、33-三轴线接地层，41-第一真空吸嘴、42-第二真空吸嘴、51-绝缘固定块、52-绝缘螺丝。
具体实施方式
24.为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
25.如图1所示，本实用新型的实施例提供了一种低漏电高平整度的圆晶卡盘，包括保护圈1、圆晶卡盘，其中保护圈1有可导电的材料制成，保护圈1整体呈现圆筒状，并在其顶端敞口设置，圆晶卡盘设置在保护圈1内，包括自下而上的与保护圈1底部电性连接的接地保护盘21、导电保护盘22和表面信号盘23，其中接地保护盘21和导电保护盘22之间设置有第一绝缘结构24，导电保护盘22与表面信号盘23之间设置有第二绝缘结构25，导电保护盘22与保护圈1电性连接，在本实施例中导电保护盘22和保护圈1之间通过导线进行连接。
26.前述的保护圈1和圆晶卡盘与三轴线缆连接，具体的，三轴线缆为现有技术，通常至少包括三轴线线芯31、三轴线保护层32和三轴线接地层33，其中三轴线线性外包裹有三轴线保护层32，三轴线保护层32外包裹有三轴线接地层33，三轴线线芯31与表面信号盘23电性连接，三轴线保护层32与导电保护盘22、保护圈1分别电性连接，三轴线接地层33与接地保护盘21电性连接。在本实施例中，接地保护盘21采用引导柱引出保护圈1外进行电性连接。
27.在本实施例中，三轴线线芯31可以表面信号盘23施加一定信号的电压，三轴线保护层32对与其相连的保护圈1提供与表面信号层等电位的信号，使得保护圈1可以屏蔽表面信号盘23周围一圈的噪音，减小漏电；同时导电保护盘22同样受到与表面信号盘23等电位的信号，屏蔽表面信号盘23来自底部的噪声和漏电信号
28.进一步的，三轴线保护层32与接地保护盘21电性连接，接地保护盘21底部有噪声
信号侵入时，噪声会被接地保护盘21引出，起到预隔离噪声信号的作用。
29.本实施例通过保护圈1和圆晶卡盘年分别与三轴线缆进行电性连接，降低噪声的影响，降低漏电几率，有助于真实的表征芯片的真实性能。
30.优选地，保护圈1由导电金属制成，或者是表面镀有导电材料的绝缘材料制成。
31.进一步的，第一绝缘结构24和第二绝缘结构25为绝缘隔离盘，绝缘隔离盘为绝缘材料制成。
32.在前述的保护圈1侧面开设有若干的通孔，表面信号盘23的底面开设有第一沟槽，第一沟槽可以是一字型、十字形等不同形状，在第一沟槽上连接有第一真空吸嘴41，当表面信号盘23扣设在第二绝缘结构25上时，第一沟槽形成真空腔，通过吸真空设备将第一沟槽内的空气排出，表面信号盘23在大气压的的作用下将表面信号盘23牢固的吸附在第二绝缘结构25上，避免了表面信号盘23在采用螺栓等常见方式进行连接时造成的错位。优选地，第一真空吸嘴41穿过通孔后伸出保护圈1，并且在保护圈1外与吸真空设备进行连接。
33.优选地，第一真空吸嘴41可以设置有多个，多个第一真空吸嘴41与第一沟槽连通，使得表面信号盘23实现稳固吸附。
34.相应的，导电保护盘22的上表面和下表面分别设置有第二沟槽和第三沟槽，第二沟槽和第三沟槽上分别对应的设置有第二真空吸嘴42和第三真空吸嘴，第二真空吸嘴42和第三真空吸嘴分别穿过通孔后伸出保护圈1外并与吸真空设备连通。
35.第二沟槽用于导电保护盘22和第一绝缘结构24之间的吸附连接，第三沟槽用于导电保护盘22与第二绝缘结构25之间的吸附连接。
36.进一步的，第二绝缘结构25和接地保护盘21之间通过绝缘螺丝52连接在一起。
37.优选的，接地保护盘21、导电保护盘22、表面信号盘23、第一绝缘结构24和第二绝缘结构25的上下表面的平整度为微米级，至少为10微米。
38.圆晶卡盘的总高度不高于保护圈1的总高度，使得圆晶卡盘可以被容纳在保护圈1内，避免因卡盘过高造成无法消除噪音的情况发生。
39.优选地，圆晶卡盘与保护圈1的横截面均为圆形，并且圆晶卡盘与保护圈1同轴设置，圆晶卡盘与保护圈1的半径之差为0.5-10mm。
40.优选地，接地保护盘21侧面设置有若干的绝缘固定块51，绝缘固定块51另一端与保护圈1的侧壁抵接，绝缘固定块51起到保护接地保护盘21的作用，
41.以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

技术特征：
1.一种低漏电高平整度的圆晶卡盘，其特征在于，包括：可导电的保护圈(1)，顶端敞口设置；设置在保护圈(1)内的圆晶卡盘，自下而上的包括接地保护盘(21)、导电保护盘(22)和表面信号盘(23)，所述接地保护盘(21)与导电保护盘(22)之间设置有第一绝缘结构(24)，所述导电保护盘(22)与表面信号盘(23)之间设置有第二绝缘结构(25)；三轴线缆，包括三轴线线芯(31)，三轴线线芯(31)外包裹有三轴线保护层(32)，三轴线保护层(32)外包裹有三轴线接地层(33)，所述三轴线线芯(31)与表面信号盘(23)电性连接，三轴线保护层(32)与导电保护盘(22)、保护圈(1)电性连接，三轴线接地层(33)与接地保护盘(21)电性连接。2.根据权利要求1所述的低漏电高平整度的圆晶卡盘，其特征在于：所述第一绝缘结构(24)和第二绝缘结构(25)为绝缘隔离盘。3.根据权利要求2所述的低漏电高平整度的圆晶卡盘，其特征在于：所述保护圈(1)在侧面开设有若干通孔，所述表面信号盘(23)的底面开设有第一沟槽，所述第一沟槽上连接有第一真空吸嘴(41)，所述第一真空吸嘴(41)穿过通孔后伸出保护圈(1)外用以连接吸真空设备；所述导电保护盘(22)的上表面和下表面分别设置有第二沟槽和第三沟槽，所述第二沟槽和第三沟槽上分别对应的连接有第二真空吸嘴(42)和第三真空吸嘴，所述第二真空吸嘴(42)和第三真空吸嘴分别穿过通孔后伸出保护圈(1)外用于连接吸真空设备。4.根据权利要求3所述的低漏电高平整度的圆晶卡盘，其特征在于：所述接地保护盘(21)、导电保护盘(22)、表面信号盘(23)、第一绝缘结构(24)、第二绝缘结构(25)的上下表面的平整度为微米级。5.根据权利要求4所述的低漏电高平整度的圆晶卡盘，其特征在于：所述圆晶卡盘的总高度不高于所述保护圈(1)的总高度。6.根据权利要求5所述的低漏电高平整度的圆晶卡盘，其特征在于：所述圆晶卡盘与所述保护圈(1)的横截面均为圆形，且圆晶卡盘与所述保护圈(1)同轴设置，圆晶卡盘与所述保护圈(1)径向间隔距离为0.5-10mm。7.根据权利要求1所述的低漏电高平整度的圆晶卡盘，其特征在于：所述接地保护盘(21)侧面设置有若干绝缘固定块(51)，所述绝缘固定块(51)的另一端与所述保护圈(1)抵接。8.根据权利要求1所述的低漏电高平整度的圆晶卡盘，其特征在于：所述保护圈(1)由导电金属制成或表面镀有导电材料的绝缘材料制成。

技术总结
本实用新型提供了一种低漏电高平整度的圆晶卡盘，涉及芯片测试领域，包括：可导电的保护圈，顶端敞口设置；设置在保护圈内的圆晶卡盘，自下而上的包括接地保护盘、导电保护盘和表面信号盘，接地保护盘与导电保护盘之间设置有第一绝缘结构，导电保护盘与表面信号盘之间设置有第二绝缘结构；三轴线缆，包括三轴线线芯，三轴线线芯外包裹有三轴线保护层，三轴线保护层外包裹有三轴线接地层，三轴线线芯与表面信号盘电性连接，三轴线保护层与导电保护盘、保护圈电性连接，三轴线接地层与接地保护盘电性连接；本申请通过将三轴线与圆晶卡盘、保护圈进行电性相连，可以有效的消除噪声影响，避免漏电情况的发生。避免漏电情况的发生。避免漏电情况的发生。


技术研发人员：肖宇 肖业 彭森
受保护的技术使用者：长沙翼望半导体有限公司
技术研发日：2023.03.10
技术公布日：2023/7/28