一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统的制作方法

1.本技术涉及多晶硅生产技术领域，特别是涉及一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统。


背景技术：

2.我国现阶段制备多晶硅的工艺技术基本上都为西门子工艺技术，该工艺技术中，反应装置和精馏装置不可避免地产生渣浆。渣浆主要由约5%固相组分（硅粉颗粒）和约95%液相组分（氯硅烷、高沸物和其他）组成，其中氯硅烷液体组分约占90%以上。
3.目前，对多晶硅生产过程中产生的渣浆常用处理方式为：其一，通过闪蒸将渣浆中沸点较低的氯硅烷回收，废渣直接排入水中水解；其二，采用干燥设备（主要是耙式干燥机和桨叶干燥机）将渣浆中的氯硅烷加热蒸发回收，处理后的废渣排入水中水解；其三，采用简易过滤器过滤渣浆中的液相氯硅烷，清液送至精馏工段进行氯硅烷回收，而过滤器得到的干渣排入水中水解。
4.上述对渣浆的三种处理方式中，均对回收处理后的废渣或干渣直接进行了水解，但这些废渣或干渣主要为硅粉和氯硅烷，若直接水解处理的话会造成这部分硅粉和氯硅烷浪费，造成了资源的浪费，并在水解处理过程中消耗大量的石灰乳及水资源，在未产生任何经济效益并需支出大量的石灰乳采购费用，水解反应需消耗大量的水资源且反应过程中生成的金属氯化物对水资源造成污染。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对现有的技术中，对回收处理后的废渣或干渣直接进行水解，造成废渣或干渣中硅粉和氯硅烷浪费，造成了资源的浪费，并在水解处理过程中消耗大量的石灰乳及水资源，在未产生任何经济效益并需支出大量的石灰乳采购费用，水解反应需消耗大量的水资源且反应过程中生成的金属氯化物对水资源造成污染。提供一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，分别针对性地回收上清液、悬浮液以及浑浊物中的氯硅烷及硅粉，避免将这部分废渣或干渣直接水解而造成资源浪费，同时，经过回收得到的硅泥用于冶炼硅锭的原料，无需水解，从而解决因现有技术中废渣或干渣直接水解而造成的相关问题。
6.一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，包括渣浆排放管道、闪蒸罐、蒸馏罐和地罐，所述渣浆排放管道与所述闪蒸罐的进口相连，所述闪蒸罐的轻组分出口与所述蒸馏罐的进口相连，所述蒸馏罐的轻组分出口与冷氢化系统相连，所述蒸馏罐的重组分出口为高沸回收出口，所述闪蒸罐的重组分出口与所述地罐的进口相连，所述地罐的上清液出口与所述蒸馏罐的进口相连，所述地罐的中层悬浮液出口连接有第一过滤器，所述第一过滤器的液相出口与所述蒸馏罐的进口相连，所述第一过滤器的固相出口连接有干燥装置，所述干燥装置的气相出口与所述蒸馏罐的进口相连，所述干燥装置的固相出口为硅泥出口，所述地罐底部的排污出口连接有洗涤过滤装置，所述洗涤过滤装置的液相出口与所述地罐的进口相连，所述洗涤过滤装置的固相出口与所述干燥装置相连。
7.优选地，上述一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，所述地罐还具有循环出口，所述循环出口的高度高于所述排污出口的高度，且低于所述地罐中层悬浮液出口的高度，所述循环出口与所述闪蒸罐的进口相连。
8.优选地，上述一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，还包括第二过滤器，所述渣浆排放管道还与所述第二过滤器的进口相连，所述第二过滤器的气液出口与所述蒸馏罐的进口相连，所述第二过滤器的固相出口与所述干燥装置的进口相连。
9.优选地，上述一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，还包括清液罐，所述闪蒸罐的轻组分出口、所述地罐的上清液出口、所述第一过滤器的液相出口和所述干燥装置的气相出口均与所述清液罐的进口相连，所述清液罐的出口与所述蒸馏罐的进口相连。
10.优选地，上述一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，还包括第一冷却装置，所述闪蒸罐的轻组分出口、所述地罐的上清液出口、所述第一过滤器的液相出口和所述干燥装置的气相出口均与所述第一冷却装置的进口相连，所述第一冷却装置的出口与所述清液罐的进口相连。
11.优选地，上述一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，还包括凝液冷却罐，所述蒸馏罐的轻组分出口与所述凝液冷却罐的进口相连，所述凝液冷却罐的出口与所述冷氢化系统相连。
12.优选地，上述一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，还包括第二冷却装置，所述闪蒸罐的重组分出口与所述第二冷却装置的进口相连，所述第二冷却装置的出口与所述地罐的进口相连。
13.优选地，上述一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，所述蒸馏罐和所述闪蒸罐均为外盘管加热结构，所述蒸馏罐的蒸汽加热出口与所述闪蒸罐的蒸汽加热进口相连。
14.优选地，上述一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，所述干燥装置为外盘管加热结构，所述蒸馏罐的蒸汽加热出口还与所述干燥装置的蒸汽加热进口相连。
15.本技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
16.本技术实施例公开的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，分别针对性地回收上清液、悬浮液以及浑浊物中的氯硅烷及硅粉，将回收的氯硅烷送入蒸馏罐，将回收的硅粉通入到干燥装置中进行干燥，干燥后得到硅泥，由于硅泥可以通过熔炼回收得到硅锭，通过干燥装置得到的硅泥可以在市场上进行售卖，为企业额外带来可观的经济效益，下游厂家通过冶炼硅泥回收得到硅锭，也可以在厂区的冶炼炉进行冶炼回收，实现硅粉的回收，避免硅粉浪费。可见，本技术实施例公开的多晶硅生产过程中渣浆回收系统能够回收渣浆中的氯硅烷和硅粉，并充分回收了废渣或干渣（渣浆通过闪蒸罐得到的重组分）中的氯硅烷和硅粉，避免将这部分废渣或干渣直接水解而造成资源浪费，同时，经过回收得到的硅泥用于冶炼硅锭的原料，无需水解，故能够避免废渣或干渣因水解而导致水解处理过程中消耗大量的石灰乳及水资源，得到的硅泥可以在市场上进行售卖，为企业额外带来可观的经济效益，避免在未产生任何经济效益并需支出大量的石灰乳采购费用，避免水解反应需消耗大量的水资源且反应过程中生成的金属氯化物对水资源造成污染，从而解决因现有技术中废渣或干渣直接水解而造成的相关问题。
附图说明
17.图1为本技术实施例公开的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统的示意图。
18.其中：渣浆排放管道100、闪蒸罐200、蒸馏罐300、地罐400、干燥装置510、第二过滤器520、清液罐530、第一冷却装置540、凝液冷却罐550、第二冷却装置560、第一过滤器610、洗涤过滤装置620。
实施方式
19.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
20.需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“顶部”、“底部”、“底端”、“顶端”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
21.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
22.请参考图1，本技术实施例公开一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，包括渣浆排放管道100、闪蒸罐200、蒸馏罐300和地罐400，其中：
23.渣浆排放管道100与闪蒸罐200的进口相连，多晶硅生产过程中的渣浆通过渣浆排放管道100通入到闪蒸罐200中，在闪蒸罐200工作时，温度约为70℃至80℃，以将渣浆中的轻组分（氯硅烷）闪蒸为气态，闪蒸的同时部分高沸物也会进入轻组分中，渣浆中的重组分（硅粉、聚合物、高沸物等）以固液混合物的形态存在于闪蒸罐200的底部。
24.闪蒸罐200的轻组分出口与蒸馏罐300的进口相连，以将渣浆通过闪蒸罐200闪蒸得到的轻组分通入到蒸馏罐300，在轻组分通过管道通入到蒸馏罐300的过程中，逐渐在管道中冷却为液态，进入到蒸馏罐300中的轻组分为液态，在蒸馏罐300工作时，温度约为120℃，以将液态轻组分中的氯硅烷蒸出，蒸馏罐300起到精馏提纯的效果。蒸馏罐300的轻组分出口与冷氢化系统相连，从而将蒸馏罐300蒸出的氯硅烷通入到冷氢化系统中转化为三氯氢硅，通入到还原炉中进行多晶硅的生产，进而实现氯硅烷的回收利用，避免氯硅烷浪费，同时，通过蒸馏罐300起到精馏提纯的效果，以使回收的氯硅烷纯度较高，避免将这部分回收的氯硅烷通入到冷氢化系统中进行反应是因纯度较低而收率较低，影响冷氢化系统的效率，且未反应的氯硅烷又回到渣浆中，造成冷氢化渣浆处理系统负载较大，且会造成这部分未反应的氯硅烷在系统中循环却未回收，导致设置冷氢化渣浆处理系统的意义较差。蒸馏罐300未蒸出的部分多为高沸物，蒸馏罐300的重组分出口为高沸回收出口，以将蒸馏罐300未蒸出的高沸物通过高沸回收出口通入到高沸回收系统中，将高沸物裂解转化回收，避免资源浪费。
25.闪蒸罐200的重组分出口与地罐400的进口相连，以将渣浆通过闪蒸罐200得到的重组分从闪蒸罐200底部通入到地罐400中，在重组分通过管道通入到地罐400的过程中，逐渐在管道中冷却为常温，进入到地罐400中的重组分的温度为常温，在地罐400中，这部分重组分固液混合物静置沉淀，实现分层，上层为上清液，主要成份为氯硅烷，中层为悬浮液，主要是硅粉和氯硅烷，下层为浑浊物，主要成份为硅粉、聚合物、高沸物等。地罐400的上清液出口与蒸馏罐300的进口相连，以将地罐400中的上清液通入到蒸馏罐300，上清液与闪蒸罐200闪蒸得到的轻组分液态混合，通过蒸馏罐300将氯硅烷蒸出，蒸馏罐300起到精馏提纯的效果，以使回收的氯硅烷纯度较高。
26.地罐400的中层悬浮液出口连接有第一过滤器610，以将地罐400中的中层悬浮液通入到第一过滤器610中，在第一过滤器610中，悬浮液实现固液分离，分离后呈气液混合物（氯硅烷）和固液泥状混合物（硅泥），第一过滤器610的液相出口与蒸馏罐300的进口相连，以将气液混合物（氯硅烷）通入到蒸馏罐300，通过蒸馏罐300将氯硅烷蒸出，蒸馏罐300起到精馏提纯的效果，以使回收的氯硅烷纯度较高。第一过滤器610的固相出口连接有干燥装置510，以将固液泥状混合物（硅泥）通入到干燥装置510中进行干燥，干燥装置510主要通过蒸汽加热进行干燥，干燥装置510的气相出口与蒸馏罐300的进口相连，在干燥过程中，固液泥状混合物（硅泥）中的液态物质（主要为氯硅烷）均变为气态，然后将这部分气态氯硅烷通入到蒸馏罐300中，相似地，在通入到蒸馏罐300的过程中，这部分气态氯硅烷逐渐在管道中冷却为液态，进入到蒸馏罐300精馏提纯。
27.在干燥过程中，固液泥状混合物（硅泥）中的固态物质（主要为硅粉、聚合物、高沸物等）均变为固态，干燥后得到硅泥，干燥装置510的固相出口为硅泥出口，通过硅泥出口将干燥后的硅泥排出，由于硅泥可以通过中频感应炉、电弧炉或电阻炉熔炼回收，得到硅锭，因此，通过干燥装置510得到的硅泥可以在市场上进行售卖，为企业额外带来可观的经济效益，下游厂家通过冶炼硅泥回收得到硅锭，也可以在厂区的冶炼炉进行冶炼回收，实现硅粉的回收，避免硅粉浪费。
28.地罐400的底部具有排污出口，地罐400静置分层后的下层浑浊物通过排污出口排出，由于这些浑浊物中主要为硅粉和氯硅烷，还需要对这部分浑浊物进行回收，地罐400底部的排污出口连接有洗涤过滤装置620，通过洗涤过滤装置620洗涤后的母液中含有氯硅烷，洗涤过滤装置620的液相出口与地罐400的进口相连，重新通入到地罐400中静置沉淀，避免将这部分浑浊物直接排放造成氯硅烷的浪费。洗涤过滤下来的固体主要为硅粉，洗涤过滤装置620的固相出口与干燥装置510相连，以通入到干燥装置510进行干燥，得到硅泥，为企业额外带来可观的经济效益。
29.本技术实施例公开的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统中，将渣浆通过闪蒸罐200闪蒸得到的轻组分通入到蒸馏罐300，蒸馏罐300将液态轻组分中的氯硅烷蒸出，并通入到冷氢化系统中转化为三氯氢硅，进而实现氯硅烷的回收利用，避免氯硅烷浪费，且通过蒸馏罐300起到精馏提纯的效果，以使回收的氯硅烷纯度较高。将蒸馏罐300未蒸出的高沸物通过高沸回收出口通入到高沸回收系统中，将高沸物裂解转化回收，避免资源浪费，将渣浆通过闪蒸罐200得到的重组分从闪蒸罐200底部通入到地罐400中静置沉淀，分别针对性地回收上清液、悬浮液以及浑浊物中的氯硅烷及硅粉，将回收的氯硅烷送入蒸馏罐300，将回收的硅粉通入到干燥装置510中进行干燥，干燥后得到硅泥，由于硅泥可以通过中频感应
炉、电弧炉或电阻炉熔炼回收，得到硅锭，因此，通过干燥装置510得到的硅泥可以在市场上进行售卖，为企业额外带来可观的经济效益，下游厂家通过冶炼硅泥回收得到硅锭，也可以在厂区的冶炼炉进行冶炼回收，实现硅粉的回收，避免硅粉浪费。
30.可见，本技术实施例公开的多晶硅生产过程中渣浆回收系统能够回收渣浆中的氯硅烷、高沸物和硅粉，且回收率高，并充分回收了废渣或干渣（渣浆通过闪蒸罐200得到的重组分）中的氯硅烷和硅粉，避免将这部分废渣或干渣直接水解而造成资源浪费，同时，经过回收得到的硅泥无需水解，用于冶炼硅锭的原料，避免废渣或干渣因水解而导致水解处理过程中消耗大量的石灰乳及水资源，得到的硅泥可以在市场上进行售卖，为企业额外带来可观的经济效益，避免在未产生任何经济效益并需支出大量的石灰乳采购费用，避免水解反应需消耗大量的水资源且反应过程中生成的金属氯化物对水资源造成污染，从而解决因现有技术中废渣或干渣直接水解而造成的相关问题。
31.进一步地，地罐400还具有循环出口，循环出口的高度高于排污出口的高度，且低于地罐400中层悬浮液出口的高度，循环出口与闪蒸罐200的进口相连。也就是说，将悬浮液与浑浊物之间的部分通过循环出口重新通入到闪蒸罐200中进行闪蒸分离其中的氯硅烷及硅粉，回流重复回收其中的氯硅烷及硅粉，避免直接水解而造成资源浪费，进一步提高回收率。
32.对于固体含量大于5%的渣浆采用上述公开的多晶硅生产过程中渣浆回收系统，对于固体含量小于5%的渣浆，由于该渣浆中固体颗粒较少，也就是硅粉较少，大部分为可回收的氯硅烷，若采用上述公开的多晶硅生产过程中渣浆回收系统，多晶硅生产过程中渣浆回收系统还可以包括第二过滤器520，渣浆排放管道100还与第二过滤器520的进口相连，以将固体含量小于5%的渣浆通入到第二过滤器520中，在第二过滤器520中，渣浆实现固液分离，分离后呈气液混合物和固液泥状混合物，第二过滤器520的气液出口与蒸馏罐300的进口相连，以将第二过滤器520中分离后的气液混合物（主要为氯硅烷）通入到蒸馏罐300中，通过蒸馏罐300将氯硅烷蒸出，蒸馏罐300起到精馏提纯的效果，实现氯硅烷的回收。第二过滤器520的固相出口与干燥装置510的进口相连。以将第二过滤器520中分离后的固液泥状混合物通入到干燥装置510中进行干燥，干燥得到的气态氯硅烷通入到蒸馏罐300中，回收其中的氯硅烷，干燥后得到硅泥通过硅泥出口排出，通过对硅泥回收，实现硅粉的回收，避免硅粉浪费。
33.以上针对固体含量不同的渣浆采取不同的处理系统，以便捷高效地处理渣浆，避免冗余处理，避免处理成本较高。
34.如上文所述，渣浆通过闪蒸罐200闪蒸得到的轻组分逐渐在管道中冷却为液态，以使进入到蒸馏罐300中的轻组分为液态，若将气态物质直接通入到蒸馏罐300，则会直接从蒸馏罐300的轻组分出口排出，导致蒸馏罐300没有对这部分气态物质精馏提纯，导致蒸馏罐300设置的意义不大，因此通入到蒸馏罐300中需要精馏提纯的物质需为液态，为了保证通入到蒸馏罐300中的物质为液态，在一种可选的实施例中，本技术公开的多晶硅生产过程中渣浆回收系统还可以包括清液罐530，闪蒸罐200的轻组分出口、地罐400的上清液出口、第一过滤器610的液相出口和干燥装置510的气相出口均与清液罐530的进口相连，清液罐530的出口与蒸馏罐300的进口相连。在蒸馏罐300的进口前端设置清液罐530，以使气态物质在管道中逐渐冷却为液态，然后通入到清液罐530中进行缓存，即使部分未冷却为液态，
由于清液罐530的存在，这部分未冷却的气态物质在清液罐530也逐渐冷却为液态，再将液态物质通入到蒸馏罐300中进行精馏提纯，保证通入到蒸馏罐300中的物质为液态，避免将气态物质直接通入到蒸馏罐300而导致蒸馏罐300没有对这部分气态物质精馏提纯，避免所回收的氯硅烷纯度较低。
35.进一步地，本技术公开的多晶硅生产过程中渣浆回收系统还可以包括第一冷却装置540，闪蒸罐200的轻组分出口、地罐400的上清液出口、第一过滤器610的液相出口和干燥装置510的气相出口均与第一冷却装置540的进口相连，第一冷却装置540的出口与清液罐530的进口相连。通过增加第一冷却装置540，通入到蒸馏罐300中的物质首先经过第一冷却装置540冷却，以保证均被冷却为液态，然后通入到清液罐530中进行缓存，再将液态物质通入到蒸馏罐300中进行精馏提纯，进一步保证通入到蒸馏罐300中的物质为液态，提高冷氢化渣浆处理系统的可靠性。
36.如上文所述，将渣浆通过闪蒸罐200得到的重组分从闪蒸罐200底部通入到地罐400中，由于在闪蒸罐200温度较高，因此闪蒸罐200得到的重组分温度也比较高，若直接通入到地罐400，则会向地罐400中引入热量，则会将地罐400中的部分液态物质汽化，导致地罐400的静置沉淀效果变差，静置沉淀时间周期变长，基于此，在一种可选的实施例中，本技术公开的多晶硅生产过程中渣浆回收系统还可以包括第二冷却装置560，闪蒸罐200的重组分出口与第二冷却装置560的进口相连，第二冷却装置560的出口与地罐400的进口相连，以将渣浆通过闪蒸罐200得到的重组分首先通入到第二冷却装置560进行冷却，冷却至常温，然后再通入到地罐400中进行静置沉淀，避免会向地罐400中引入热量，从而避免将地罐400中的部分液态物质汽化而导致地罐400的静置沉淀效果变差，缩短静置沉淀时间周期。
37.作为优选，本技术公开的多晶硅生产过程中渣浆回收系统还可以包括凝液冷却罐550，蒸馏罐300的轻组分出口与凝液冷却罐550的进口相连，凝液冷却罐550的出口与冷氢化系统相连，通过凝液冷却罐550冷却缓存，以使通入到冷氢化系统中的氯硅烷为液态，且能够通过凝液冷却罐550连续为冷氢化系统通入氯硅烷。
38.如上文所述，在闪蒸罐200工作时，温度约为70℃至80℃，在蒸馏罐300工作时，温度约为120℃，闪蒸罐200和蒸馏罐300通常均为蒸汽加热，因此，闪蒸罐200需要约为90℃的蒸汽进行加热，蒸馏罐300需要约为130℃的蒸汽进行加热，作为优选，蒸馏罐300和闪蒸罐200均可以为外盘管加热结构，蒸馏罐300的蒸汽加热出口与闪蒸罐200的蒸汽加热进口相连，以将加热蒸馏罐300后的蒸汽用于加热闪蒸罐200，实现蒸汽中热量的梯级利用，减少蒸汽的消耗，避免蒸汽中热量的浪费。
39.进一步地，干燥装置510也可以为外盘管加热结构，蒸馏罐300的蒸汽加热出口还与干燥装置510的蒸汽加热进口相连，以将加热蒸馏罐300后的蒸汽用于为干燥装置510提供干燥时所需的热量，以使这部分蒸汽实现两级利用，充分利用其中的热量，减少蒸汽的消耗，避免蒸汽中热量的浪费。
40.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
41.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来
说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，包括渣浆排放管道（100）、闪蒸罐（200）、蒸馏罐（300）和地罐（400），所述渣浆排放管道（100）与所述闪蒸罐（200）的进口相连，所述闪蒸罐（200）的轻组分出口与所述蒸馏罐（300）的进口相连，所述蒸馏罐（300）的轻组分出口与冷氢化系统相连，所述蒸馏罐（300）的重组分出口为高沸回收出口，所述闪蒸罐（200）的重组分出口与所述地罐（400）的进口相连，所述地罐（400）的上清液出口与所述蒸馏罐（300）的进口相连，所述地罐（400）的中层悬浮液出口连接有第一过滤器（610），所述第一过滤器（610）的液相出口与所述蒸馏罐（300）的进口相连，所述第一过滤器（610）的固相出口连接有干燥装置（510），所述干燥装置（510）的气相出口与所述蒸馏罐（300）的进口相连，所述干燥装置（510）的固相出口为硅泥出口，所述地罐（400）底部的排污出口连接有洗涤过滤装置（620），所述洗涤过滤装置（620）的液相出口与所述地罐（400）的进口相连，所述洗涤过滤装置（620）的固相出口与所述干燥装置（510）相连。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，所述地罐（400）还具有循环出口，所述循环出口的高度高于所述排污出口的高度，且低于所述地罐（400）中层悬浮液出口的高度，所述循环出口与所述闪蒸罐（200）的进口相连。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，还包括第二过滤器（520），所述渣浆排放管道（100）还与所述第二过滤器（520）的进口相连，所述第二过滤器（520）的气液出口与所述蒸馏罐（300）的进口相连，所述第二过滤器（520）的固相出口与所述干燥装置（510）的进口相连。4.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，还包括清液罐（530），所述闪蒸罐（200）的轻组分出口、所述地罐（400）的上清液出口、所述第一过滤器（610）的液相出口和所述干燥装置（510）的气相出口均与所述清液罐（530）的进口相连，所述清液罐（530）的出口与所述蒸馏罐（300）的进口相连。5.根据权利要求4所述的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，还包括第一冷却装置（540），所述闪蒸罐（200）的轻组分出口、所述地罐（400）的上清液出口、所述第一过滤器（610）的液相出口和所述干燥装置（510）的气相出口均与所述第一冷却装置（540）的进口相连，所述第一冷却装置（540）的出口与所述清液罐（530）的进口相连。6.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，还包括凝液冷却罐（550），所述蒸馏罐（300）的轻组分出口与所述凝液冷却罐（550）的进口相连，所述凝液冷却罐（550）的出口与所述冷氢化系统相连。7.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，还包括第二冷却装置（560），所述闪蒸罐（200）的重组分出口与所述第二冷却装置（560）的进口相连，所述第二冷却装置（560）的出口与所述地罐（400）的进口相连。8.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，所述蒸馏罐（300）和所述闪蒸罐（200）均为外盘管加热结构，所述蒸馏罐（300）的蒸汽加热出口与所述闪蒸罐（200）的蒸汽加热进口相连。9.根据权利要求8所述的一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，其特征在于，所述干燥装置（510）为外盘管加热结构，所述蒸馏罐（300）的蒸汽加热出口还与所述干燥装置（510）的蒸汽加热进口相连。

技术总结
本申请涉及一种多晶硅生产过程中渣浆回收系统，闪蒸罐的重组分出口与地罐的进口相连，地罐的上清液出口与蒸馏罐的进口相连，地罐的中层悬浮液出口连接有第一过滤器，第一过滤器的液相出口与蒸馏罐的进口相连，第一过滤器的固相出口连接有干燥装置，干燥装置的气相出口与蒸馏罐的进口相连，地罐底部的排污出口连接有洗涤过滤装置，洗涤过滤装置的液相出口与地罐的进口相连，洗涤过滤装置的固相出口与干燥装置相连。分别针对性地回收上清液、悬浮液和浑浊物中的氯硅烷及硅粉，避免将这部分废渣或干渣直接水解而造成资源浪费，同时，经过回收得到的硅泥用于冶炼硅锭的原料，无需水解，从而解决因现有技术中废渣或干渣直接水解而造成的相关问题。而造成的相关问题。而造成的相关问题。


技术研发人员：崔祥超 王正云 周迎春 高小银 陈朝霞
受保护的技术使用者：宁夏润阳硅材料科技有限公司
技术研发日：2023.03.27
技术公布日：2023/7/28