一种低损耗稳相射频同轴电缆的制作方法

1.本实用新型涉及同轴电缆技术领域，具体涉及一种低损耗稳相射频同轴电缆。


背景技术：

2.随着电子信息技术的发展，相控阵雷达，卫星通信、航空航天等信号传输质量和传输容量的要求越来越高，特别是卫星通信、航天航空、相控雷达，如无源相控雷达需频繁转动，对射频电缆的弯曲寿命、机械相位稳定性、温度相位稳定性要求较高，且需要电缆具有较高的环境适应性。
3.而现有的射频电缆的在满足降低传输损耗的情况下，其柔韧性较低，弯曲寿命较短，相位随温度、弯曲变化大和插损稳定性差的缺点。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是为了克服现有技术中的问题，提供一种低损耗稳相射频同轴电缆，在满足降低传输损耗的情况下，也能够达更好的柔韧性和更长的弯曲寿命，稳幅稳相的特性高。
5.本实用新型提供了一种低损耗稳相射频同轴电缆包括内导体、绝缘层、外导体、中间层、编织层和护套层，所述内导体外周设有绝缘层，绝缘层的外周设有外导体，外导体的外周设有中间层，中间层的外周设有编织层，编织层的外周设有护套层，所述中间层采用聚全氟乙丙烯材料；所述内导体的数量为多个，多个内导体互相绞合，各内导体为镀银铜线。
6.较佳地，所述各内导体为镀银铜线或镀银铜包钢线或镀银铜包铝线，各内导体的直径为0.2mm～2.3mm，绞合方式采用正规绞，绞合方向是右向绞合，绞合的节径比均控制为15倍。
7.较佳地，所述绝缘层的材料包括聚四氟乙烯，绝缘层的厚度尺寸区间为0.2mm～1.1mm。
8.较佳地，所述外导体的材料为镀银铜箔，镀银铜箔的厚度区间为0.03mm～0.07mm，镀银铜箔的宽度为1.2mm～2.5mm，并且镀银铜箔绕设在绝缘层上的搭盖率区间为42％～46％。
9.较佳地，所述中间层的厚度区间为0.1mm～0.3mm。
10.较佳地，所述编织层使用的材料为0.05mm～0.1mm的镀银铜丝，编织密度不低于95％。
11.较佳地，所述护套层的材料为聚全氟乙丙烯，护套层的厚度区间为0.2mm～0.3mm。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
13.1、本实用新型内导体采用多根(但不仅限于绞合线)绞合的镀银铜线或镀银铜包钢线或镀银铜包铝线，其具有更好的柔性和更长的弯曲寿命的优点；
14.2、绝缘层采用聚四氟乙烯推挤拉伸，相对实心电缆而言，具有更小的介电常数，传输速率高达78％，使电缆具有极低的衰减常数，优于同尺寸其他结构，且在0℃～100℃之间
温度相位变化范围在-10ppm～350ppm，远低于目前主流的稳相射频同轴电缆；
15.3、中间层采用聚全氟乙丙烯材料，中间层能有效的使绝缘层与内导体之间的相对位置固定，不但大大提升了衰减的稳定性，而且有效的减少了机械相位变化；
16.4、工作温度宽：在选材上，内导体采用镀银铜绞线，绝缘层采用能够长期工作温度为260℃的聚四氟乙烯，外导体采用镀银铜箔，编织层采用镀银铜丝，中间层与护套层采用耐温260℃的聚全氟乙丙烯，整体材料都选用耐高温材料，电缆长期工作温度在-65℃～165℃，提高了电缆使用环境范围，能够用于恶劣环境中使用。
17.本实用新型的低损耗稳相射频同轴电缆具有良好的屏蔽效率，更好的柔性和更长的弯曲寿命，相位随温度、弯曲变化小，插损稳定性高，同时还具有良好的机械相位稳定性、温度相位稳定性和较强的抗干扰能力，使用频率高、衰减常数低，可用于各种需要进行射频信号传输的仪器设备，以及对幅相一致性和稳定性要求较高的场合及领域，如航空航天、相控雷达、卫星通讯及仪器仪表等领域。
附图说明
18.图1为本实用新型的示意图。
19.附图标记说明：
20.1.内导体，2.绝缘层，3.外导体，4.中间层，5.编织层，6.护套层。
具体实施方式
21.下面对本实用新型的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本实用新型的保护范围并不受具体实施方式的限制。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
22.本实用新型提供的一种低损耗稳相射频同轴电缆如图1包括内导体1、绝缘层2、外导体3、中间层4、编织层5和护套层6，所述内导体1外周设有绝缘层2，绝缘层2的外周设有外导体3，外导体3的外周设有中间层4，中间层4的外周设有编织层5，编织层5的外周设有护套层6，所述中间层4采用聚全氟乙丙烯材料；所述内导体1的数量为多个，多个内导体1互相绞合，各内导体1为镀银铜线。
23.优选地，如图1所述各内导体1为镀银铜线或镀银铜包钢线或镀银铜包铝线，各内导体1的直径为0.2mm～2.3mm，绞合方式采用正规绞，绞合方向是右向绞合，绞合的节径比均控制为15倍。
24.多个内导体1互相绞合作为优选方案，但多个内导体1不限于采用互相绞合的方式，具有更好的柔性和更长的弯曲寿命的优点。
25.优选地，如图1所述绝缘层2的材料包括聚四氟乙烯，绝缘层2的厚度尺寸区间为要0.2mm～1.1mm；绝缘层采用能够长期工作温度为260℃的聚四氟乙烯，相对实心电缆而言，具有更小的介电常数，传输速率高达78％，使电缆具有极低的衰减常数，优于同尺寸其他结构，且在0℃～100℃之间温度相位变化范围在-10ppm～350ppm，远低于目前主流的稳相射频同轴电缆。
26.优选地，如图1所述外导体3的材料为镀银铜箔，镀银铜箔的厚度区间为0.03mm～0.07mm，镀银铜箔的宽度为1.2mm～2.5mm，并且镀银铜箔绕设在绝缘层2上的搭盖率区间为
42％～46％。
27.优选地，如图1所述中间层4的厚度区间为0.1mm～0.3mm，中间层采用耐温260℃的聚全氟乙丙烯，中间层能有效的使绝缘层与内导体之间的相对位置固定，不但大大提升了衰减的稳定性，而且有效的减少了机械相位变化。
28.优选地，如图1所述编织层5使用的材料为0.05mm～0.1mm的镀银铜丝，编织密度不低于95％。
29.优选地，如图1所述护套层6的材料为聚全氟乙丙烯，护套层6的厚度区间为0.2mm～0.3mm，护套层采用耐温260℃的聚全氟乙丙烯。
30.本实用新型的低损耗稳相射频同轴电缆的生产方法如下：
31.步骤1：多个内导体1采用采用正规绞，绞合方向是右向绞合，绞合的节径比均控制为15倍；
32.步骤2：绝缘层2采用粉末状聚四氟乙烯：溶剂油＝10％～30％的比例进行混合，将混合料装入料桶放入及搅拌机进行搅拌，然后将料桶放入40℃的烘箱内，烘料12～14小时，将烘好的聚四氟乙烯筛入推挤缸筒进行压制坯料，然后将坯料装入推挤机缸筒，安装相应的模具，将聚四氟乙烯推挤出模口并包覆在内导体1上，形成绝缘层2；其中推挤各温区温度设置为钢筒温区：45℃，模口温区：45℃，烘箱设置100℃，绝缘层2经过推挤还需进行烧结，烧结温度分为三段，分别是预热段：110℃，烧结段170℃，冷却段110℃；
33.步骤3：在绝缘层2外使用镀银铜箔螺旋绕包作为电缆外导体3，镀银铜箔厚度控制度0.03mm～0.07mm，宽度为1.2mm～2.5mm，镀银铜箔带绕包时采用高精度恒张力绕包机将镀银铜箔以搭盖率为42％～46％螺旋绕包在绝缘层2上，绕包时搭盖率控制在42％～46％之间；
34.步骤4：在外导体3外使用挤塑机挤塑聚全氟乙丙烯作为中间层4，中间层4厚度控制在0.1mm～0.3mm之间，中间层4采用挤塑方式为挤管式，材料采用聚全氟乙丙烯，聚全氟乙丙烯自加料口到挤出机头的各段温度分别设置为：250℃～270℃、350℃～370℃、360℃～380℃、360℃～380℃、350℃～370℃、350℃～370℃、360℃～380℃、360℃～380℃、360℃～380℃。
35.步骤5：在中间层4外使用编织机编织一层镀银铜丝网作为电缆编织层5，编织层5使用0.05mm～0.1mm的镀银铜丝在16锭或24锭编织机进行编织，将编织丝交叉编织在中间层4上，编织密度不低于95％。
36.步骤6：在编织层5外挤塑一层聚全氟乙丙烯作为电缆的护套层6，为最终成品，护套层6采用颗粒直径1mm～2mm聚全氟乙丙烯的颗粒料，采用高温挤出机将熔融状的聚全氟乙丙烯包覆在编织层5上，各段加工温度为：250℃～270℃、370℃～390℃、370℃～390℃、370℃～390℃、370℃～390℃、370℃～390℃、、370℃～390℃，护套层6挤出厚度根据要求控制在0.2mm～0.3mm之间。
37.采用上述步骤生产的低损耗射频同轴电缆，阻抗50ω，传输速率78％，1ghz衰减常数不大于0.5db/m，使用频率高达40ghz，并拥有优异的损耗稳定性，在0℃～100℃区间，温度相位变化范围在-10ppm～350ppm，远低于目前主流的稳相射频同轴电缆。
38.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修
改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种低损耗稳相射频同轴电缆，其特征在于，包括：内导体(1)、绝缘层(2)、外导体(3)、中间层(4)、编织层(5)和护套层(6)，所述内导体(1)外周设有绝缘层(2)，绝缘层(2)的外周设有外导体(3)，外导体(3)的外周设有中间层(4)，中间层(4)的外周设有编织层(5)，编织层(5)的外周设有护套层(6)，所述中间层(4)采用聚全氟乙丙烯材料；所述内导体(1)的数量为多个，多个内导体(1)互相绞合，各内导体(1)为镀银铜线。2.如权利要求1所述的低损耗稳相射频同轴电缆，其特征在于，所述各内导体(1)为镀银铜线或镀银铜包钢线或镀银铜包铝线，各内导体(1)的直径为0.2mm～2.3mm，绞合方式采用正规绞，绞合方向是右向绞合，绞合的节径比均控制为15倍。3.如权利要求1所述的低损耗稳相射频同轴电缆，其特征在于，所述绝缘层(2)的材料包括聚四氟乙烯，绝缘层(2)的厚度尺寸区间为0.2mm～1.1mm。4.如权利要求1所述的低损耗稳相射频同轴电缆，其特征在于，所述外导体(3)的材料为镀银铜箔，镀银铜箔的厚度区间为0.03mm～0.07mm，镀银铜箔的宽度为1.2mm～2.5mm，并且镀银铜箔绕设在绝缘层(2)上的搭盖率区间为42％～46％。5.如权利要求1所述的低损耗稳相射频同轴电缆，其特征在于，所述中间层(4)的厚度区间为0.1mm～0.3mm。6.如权利要求1所述的低损耗稳相射频同轴电缆，其特征在于，所述编织层(5)使用的材料为0.05mm～0.1mm的镀银铜丝，编织密度不低于95％。7.如权利要求1所述的低损耗稳相射频同轴电缆，其特征在于，所述护套层(6)的材料为聚全氟乙丙烯，护套层(6)的厚度区间为0.2mm～0.3mm。

技术总结
本实用新型公开了一种低损耗稳相射频同轴电缆，属于同轴电缆技术领域。该低损耗稳相射频同轴电缆包括：内导体、绝缘层、外导体、中间层、编织层和护套层，所述内导体外周设有绝缘层，绝缘层的外周设有外导体，外导体的外周设有中间层，中间层的外周设有编织层，编织层的外周设有护套层，所述中间层采用聚全氟乙丙烯材料。本实用新型的低损耗稳相射频同轴电缆具有良好的屏蔽效率，更好的柔性和更长的弯曲寿命，同时还具有良好的机械相位稳定性、温度相位稳定性和较强的抗干扰能力，使用频率高、衰减常数低，可用于各种需要进行射频信号传输的仪器设备，以及对幅相一致性和稳定性要求较高的场合及领域。高的场合及领域。高的场合及领域。


技术研发人员：倪亚强
受保护的技术使用者：西安富士达线缆有限公司
技术研发日：2023.04.27
技术公布日：2023/7/28