气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法与流程

1.本公开涉及一种气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法。


背景技术：

2.在专利文献1中公开了一种分压控制系统，该分压控制系统具有可变地控制工作气体的两个阀、与各阀串联地连接并探测工作气体的压力的压力传感器、以及基于压力传感器的探测结果来相对地控制各个阀的输出压力的控制器。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2005-000723号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开所涉及的技术考虑到与主气体进行混合的添加气体的影响而适当地向处理腔室内供给气体。
8.用于解决问题的方案
9.本公开的一个方式是一种气体供给系统，用于向处理腔室的内部供给气体，所述气体供给系统具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够相独立地对所述处理腔室供给主气体；流量控制阀，其配置于多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路；添加气体流路，其连接于至少一个所述气体供给流路中的比所述流量控制阀靠下游侧的位置；添加用阀，其配置于所述添加气体流路；以及控制部，其控制所述流量控制阀和所述添加用阀的动作，其中，所述控制部执行以下控制：计算在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中流动的主气体的流量；获取在所述添加气体流路中流动且与在各个所述气体供给流路中流动的主气体进行混合的添加气体的流量；在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算所述主气体的流量与所述添加气体的流量之和即合计流量；使用在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算出的所述合计流量、所述主气体的预先获取到的气体流量与气体压力之间的第一关系、所述添加气体的预先获取到的气体流量与气体压力之间的第二关系，来计算多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路的内部压力；计算在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算出的所述内部压力之比；以及基于所述内部压力之比来对多个所述流量控制阀的开度进行比例控制。
10.发明的效果
11.根据本公开，考虑到与主气体混合的添加剂气体的影响而适当地向处理腔室内供给气体。
附图说明
12.图1是示出实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构例的说明图。
13.图2是示出实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构例的截面图。
14.图3是示出图2中的气体供给部的主要要素的示意说明图。
15.图4是示出实施方式所涉及的流量控制的主要工序的流程图。
16.图5a是示出pq特性的一例的说明图。
17.图5b是示出各种气体的pq特性的一例的说明图。
具体实施方式
18.在半导体器件的制造工艺中，针对配置于腔室的内部空间的半导体基板(下面，简称为“基板”。)，在期望的气体气氛下进行蚀刻处理、成膜处理、清洁处理等各种气体处理。在这些气体处理中，为了针对作为处理对象的基板得到期望的处理结果，重要的是独立地控制针对基板上的多个区域进行的气体的供给，从而精密地控制向这些多个区域供给的气体的流量。
19.在专利文献1中公开了一种分压控制系统，该分压控制系统用于均匀地控制向基板上的不同的两个区域、具体地说是中心(center)区域和周缘(边缘)区域各自供给的工作气体的流量。在专利文献1所记载的分压控制系统中，探测从与中心区域和边缘区域各自对应地配置的两个阀分别输出的气体压力，并基于该探测结果对两个阀的动作进行比例控制，由此对两个阀的输出压力相对地进行控制(压力比控制)。
20.在进行这些气体处理时，有时向用于该气体处理的主要的处理气体(下面，称为“主气体”。)中混合以辅助该气体处理(提高效率等)为目的的其它处理气体(下面，称为“添加气体”。)。该添加气体能够与向上述的多个区域各自供给的主气体独立地进行混合。换言之，能够分别独立地控制针对上述的基板上的多个区域各自进行的添加气体的供给。
21.另外，在气体处理中向主气体混合添加气体的情况下，需要考虑该添加气体来进行气体流量控制，以得到针对基板的期望的气体处理结果。即，在例如专利文献1所记载的那样的压力控制式的流量控制系统中，需要考虑混合了添加气体时的压力上升量来进行气体流量控制。然而，在专利文献1中，没有关于在流量控制时考虑由添加气体引起的压力上升的记载，更不用说也没有关于向主气体混合添加气体的记载。
22.本公开所涉及的技术是鉴于上述情况而完成的，考虑到与主气体混合的添加气体的影响而适当地向处理腔室内供给气体。下面，参照附图来对本实施方式所涉及的基板处理系统进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。
23.《等离子体处理系统》
24.在一个实施方式中，如图1所示，等离子体处理系统包括等离子体处理装置1和控制部2。等离子体处理系统是基板处理系统的一例，等离子体处理装置1是基板处理装置的一例。等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、基板支承部11、以及等离子体生成部12。等离子体处理腔室10具有等离子体处理空间。另外，等离子体处理腔室10具有用于向等离子体处理空间供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口、以及用于从等离子体处理空间排出处理气体的至少一个气体排出口。气体供给口与后述的气体供给部20连接，气体排出口与后述的排气系统40连接。基板支承部11配置于等离子体处理空间内，并且该基板支承部11具有用于支承基板的基板支承面。
25.等离子体生成部12构成为从供给到等离子体处理空间内的至少一种处理气体生成等离子体。在等离子体处理空间中形成的等离子体可以是电容耦合等离子体(ccp；capacitively coupled plasma)、电感耦合等离子体(icp；inductively coupled plasma)、ecr等离子体(electron-cyclotron-resonance plasma：电子回旋共振等离子体)、螺旋波激励等离子体(hwp：helicon wave plasma)、或表面波等离子体(swp：surface wave plasma)等。另外，也可以使用包括ac(alternating current：交流)等离子体生成部和dc(direct current：直流)等离子体生成部的、各种类型的等离子体生成部。在一个实施方式中，在ac等离子体生成部中使用的ac信号(ac电力)具有100khz～10ghz的范围内的频率。因而，ac信号包括rf(radio frequency：射频)信号和微波信号。在一个实施方式中，rf信号具有200khz～150mhz的范围内的频率。
26.控制部2对用于使等离子体处理装置1执行本公开中叙述的各种工序的计算机可执行的命令进行处理。控制部2能够构成为控制等离子体处理装置1的各要素，以执行在此叙述的各种工序。在一个实施方式中，控制部2的一部分或全部可以被包括于等离子体处理装置1中。控制部2例如可以包括计算机2a。计算机2a例如可以包括处理部(cpu：central processing unit：中央处理单元)2a1、存储部2a2、以及通信接口2a3。处理部2a1能够构成为基于存储部2a2中保存的程序来进行各种控制动作。存储部2a2可以包括ram(random access memory：随机存取存储器)、rom(read only memory：只读存储器)、hdd(hard disk drive：硬盘驱动器)、ssd(solid state drive：固态硬盘)、或者它们的组合。通信接口2a3可以经由lan(local area network：局域网)等通信线路来在与等离子体处理装置1之间进行通信。此外，上述程序可以记录于计算机2a可读取的存储介质中，并从该存储介质安装到控制部2。另外，上述存储介质可以是暂态性存储介质，也可以是非暂态性存储介质。
27.《等离子体处理装置》
28.接着，作为上述的等离子体处理装置1的一例，对电容耦合型的等离子体处理装置1的结构例进行说明。图2是示出等离子体处理装置1的结构的概要的纵剖截面图。此外，在以下的说明中，有时分别将处理气体的通流方向上的后述的主气体箱100侧称为一次侧(上游侧)，将通流方向上的后述的喷淋头13(等离子体处理腔室10)侧称为二次侧(下游侧)。
29.等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30、以及排气系统40。另外，等离子体处理装置1包括基板支承部11和气体导入部。基板支承部11配置于等离子体处理腔室10内。气体导入部构成为将至少一种处理气体导入到等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷淋头13。喷淋头13配置于基板支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。在等离子体处理腔室10的内部形成由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a、以及基板支承部11规定出的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10接地。喷淋头13及基板支承部11与等离子体处理腔室10电绝缘。
30.基板支承部11包括主体部11a和环形组件11b。主体部11a的上表面具有用于支承基板(晶圆)w的中央区域(基板支承面)、以及用于支承环形组件11b的环状区域(环形支承面)。晶圆是基板w的一例。环状区域在俯视时包围中央区域。基板w配置于中央区域上，并且环形组件11b以包围中央区域上的基板w的方式配置于环状区域上。
31.在一个实施方式中，主体部11a包括基台和静电保持器(保持器：chuck)。基台包括
导电性构件。基台的导电性构件能够作为下部电极发挥功能。静电保持器配置于基台上。静电保持器包括陶瓷构件和配置于陶瓷构件内的静电电极。陶瓷构件的上表面构成前述的中央区域(基板支承面)和环状区域(环形支承面)。此外，如环状静电保持器、环状绝缘构件那样的包围静电保持器的其它构件也可以具有环状区域。在该情况下，环形组件可以配置于环状静电保持器或环状绝缘构件上，也可以配置于静电保持器和环状绝缘构件这两方上。另外，可以在陶瓷构件内配置有与后述的rf电源31以及/或者dc电源32耦接的至少一个rf/dc电极。在该情况下，至少一个rf/dc电极作为下部电极发挥功能。在向至少一个rf/dc电极供给后述的偏压rf信号以及/或者dc信号的情况下，rf/dc电极也被称为偏压电极。此外，基台的导电性构件和至少一个rf/dc电极也可以作为多个下部电极发挥功能。另外，静电电极也可以作为下部电极发挥功能。因而，基板支承部11包括至少一个下部电极。
32.环形组件11b包括一个或多个环状构件。在一个实施方式中，一个或多个环状构件包括一个或多个边缘环和至少一个覆盖环。边缘环由导电性材料或绝缘材料形成，覆盖环由绝缘材料形成。
33.另外，虽然省略图示，但是基板支承部11可以包括温度调节模块，该温度调节模块构成为将环形组件11b、静电保持器、以及基板w中的至少一方调节为目标温度。温度调节模块可以包括加热器、传热介质、流路、或者它们的组合。在流路中流动如盐水、气体那样的传热流体。在一个实施方式中，流路形成于基台内，一个或多个加热器配置于静电保持器的陶瓷构件内。另外，基板支承部11可以包括传热气体供给部，该传热气体供给部构成为向基板w的背面与静电保持器的上表面之间的间隙供给传热气体(背侧气体)。
34.喷淋头13构成为将来自气体供给部20的至少一种处理气体导入等离子体处理空间10s。喷淋头13包括至少一个上部电极。
35.喷淋头13具有多个、在本实施方式中为两个的气体供给口14c、14e、多个、在本实施方式中为两个的气体扩散室15c、15e、以及多个气体导入口16。从气体供给部20供给到气体供给口14c的气体在通过气体扩散室15c后从多个气体导入口16朝向支承于基板支承部11的基板w的中心部(中心)区域供给。从气体供给部20供给到气体供给口14e的气体在通过气体扩散室15e后从多个气体导入口16朝向支承于基板支承部11的基板w的周缘部(边缘)区域供给。
36.此外，形成于喷淋头13的气体供给口14、以及气体扩散室15的数量并不限定于此。
37.例如，在对喷淋头13设置三个气体供给口14和三个气体扩散室15的情况下，来自气体供给部20的处理气体能够朝向基板w的中心区域、边缘区域、以及中心区域与边缘区域之间的中间部(中间)区域供给。
38.例如，在对喷淋头13设置四个气体供给口14和四个气体扩散室15的情况下，来自气体供给部20的处理气体能够朝向基板w的中心区域、中间区域、边缘区域、以及比边缘区域靠外侧的外端部(外边缘)区域供给。
39.能够像这样在喷淋头13以多个、即两个以上的任意数量形成气体供给口14和气体扩散室15。另外，此时，多个气体供给口14、气体扩散室15的配置也能够任意地进行设计。
40.此外，气体导入部除了喷淋头13之外，还可以包括安装于在侧壁10a形成的一个或多个开口部的一个或多个侧部气体注入部(sgi：side gas injector)。
41.气体供给部20包括具有多个气体源(未标注)的主气体箱100、控制从主气体箱100
输送出的处理气体的流量的流量控制单元110、以及将从流量控制单元110输出的主气体分流的分流器120。在一个实施方式中，气体供给部20构成为：在通过流量控制单元110对从主气体箱100所具备的多个气体源输出的不同种类的处理气体各自的流量进行控制之后，将所述处理气体进行混合，并将该混合气体作为主气体经由分流器120供给到喷淋头13(等离子体处理腔室10)。
42.如图2所示，流量控制单元110经由一次侧供给管130来与主气体箱100连接。另外，构成为在一次侧供给管130配置一次侧阀131，通过该一次侧阀131的开闭，能够任意地切换从主气体箱100的各个气体源向流量控制单元110供给的气体。此外，作为一次侧阀131，例如能够使用气动阀、电磁阀等任意种类的阀，但从提高与气体供给有关的响应性的观点出发，例如优选使用电磁阀。
43.流量控制单元110包与设置于主气体箱100的多个、在图示的例子中为三个的气体源分别对应的括多个、在图示的例子中为三个的流量控制器111。三个流量控制器111分别与从主气体箱100的各气体源延伸的一次侧供给管130的端部连接。此外，由于流量控制单元110所具备的三个流量控制器111的结构分别相同，因此在以下的说明中，以一个流量控制器111的结构为代表进行说明。另外，在图中的标注中，有时也对一部分流量控制器111的构成要素省略标注。
44.流量控制器111包括内部供给管112、节流孔113、两个压力传感器114、115、控制阀116、以及控制电路117。另外，内部供给管112以节流孔113为界包括上游侧的一次侧内部供给管112a和下游侧的二次侧内部供给管112b。
45.一次侧内部供给管112a的一次侧与前述的一次侧供给管130连接，一次侧内部供给管112a的二次侧与节流孔113连接。另外，二次侧内部供给管112b的一次侧与节流孔113连接，二次侧内部供给管112b的二次侧与后述的二次侧供给管140连接。换言之，节流孔113设置于一次侧内部供给管112a与二次侧内部供给管112b之间。
46.两个压力传感器114、115分别测定一次侧内部供给管112a和二次侧内部供给管112b的内部压力、即分别测定节流孔113的上游侧和下游侧的压力。
47.控制阀116由控制电路117控制开度，由此控制在内部供给管112中流动并向等离子体处理腔室10(喷淋头13)内供给的主气体的流量。具体地说，通过利用控制电路117控制控制阀116的开度调整一次侧内部供给管112a的内部压力，来控制为使在节流孔113的下游侧(二次侧内部供给管112b)中流动的主气体的流量保持为根据等离子体处理腔室10中的基板处理的目的而决定的期望的值。
48.并且，控制阀116也可以包括作为通过控制电路117的控制对主气体的流量进行调制或脉冲化的流量调制器件的功能。
49.返回到气体供给部20的说明。
50.各个流量控制器111经由二次侧供给管140来与分流器120连接。分流器120包括与喷淋头13的气体供给口14c、14e分别对应地设置的分支供给管121c、121e、与分支供给管121c、121e分别对应地设置的控制阀122c、122e、以及与分支供给管121c、121e分别对应地设置的传感器组123c、123e。
51.分支供给管121c、121e的一次侧与前述的二次侧供给管140连接，分支供给管121c的二次侧与喷淋头13的气体供给口14c连接，分支供给管121e的二次侧与喷淋头13的气体
供给口14e连接。换言之，喷淋头13经由分流器120来与二次侧供给管140连接。
52.如图所示，作为一例，传感器组123c、123e分别包括压力传感器、温度传感器。传感器组123c、123e分别测定分支供给管121c、121e的内部压力、内部温度。更具体地说，分别测定后述的控制阀122c、122e的下游侧的内部压力、内部温度。
53.控制阀122c、122e与分支供给管121c、121e各自对应地设置。控制阀122c、122e由未图示的控制电路控制开度，由此对在分支供给管121c、121e中流动并向喷淋头13的气体扩散室15c、15e分别供给的主气体的流量进行控制。具体地说，设置于分支供给管121c、121e各自的控制电路基于由各个传感器组123c、123e测定出的分支供给管121c、121e的压力比(更具体地说是气体扩散室15c、15e的压力比)来对各个控制阀122c、122e的开度进行比例控制。而且，由此相对地控制从分流器120向喷淋头13的气体供给口14c、14e(基板w的中心区域、边缘区域)分别供给的主气体的流量。
54.另外，在一个实施方式中，在分支供给管121c、121e中比各自对应的控制阀122c、122e靠下游侧连接有添加气体供给管151c、151e的一端部。在添加气体供给管151的另一端部连接有添加气体箱150。换言之，可以在从气体供给部20经由流量控制单元110、分流器120来向喷淋头13供给的主气体中还混合来自添加气体箱150的添加气体。
55.另外，在添加气体供给管151c、151e配置各自对应的添加用阀152c、152e，以构成为通过该添加用阀152的开闭能够任意地切换针对向喷淋头13的气体供给口14c、14e各自供给的主气体进行的添加气体的混合。此外，作为添加用阀152，能够使用例如气动阀、电磁阀等任意种类的阀，但从提高与气体供给有关的响应性的观点出发，例如优选使用电磁阀。
56.添加气体箱150可以包括至少一个气体源和至少一个流量控制器。在一个实施方式中，添加气体箱150构成为将至少一种处理气体作为添加气体从各自对应的气体源经由各自对应的流量控制器供给到喷淋头13。各流量控制器例如可以包括质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。
57.此外，在一个实施方式中，气体供给部20的动作由前述的控制部2进行控制。具体地说，例如控制部2构成为能够独立地控制气体供给部20所具备的各种阀(一次侧阀131、二次侧阀141、以及添加用阀152)的开度。由此，气体供给部20控制与向气体供给口14c、14e供给的主气体进行混合的处理气体的种类，独立地控制主气体的从分流器120向气体供给口14c、14e的供给，并且独立地控制从添加气体供给管151c、151e向各自对应的分支供给管121c、121e进行的添加气体的混合。
58.此外，可以在分流器120的一次侧设置有用于测定分流器120的一次侧、即二次侧供给管140的内部压力的压力传感器160。
59.返回等离子体处理装置1的说明。
60.电源30包括经由至少一个阻抗匹配电路耦接到等离子体处理腔室10的rf电源31。rf电源31构成为向至少一个下部电极以及/或者至少一个上部电极供给至少一个rf信号(rf电力)。由此，从供给到等离子体处理空间10s的至少一种处理气体形成等离子体。因而，rf电源31能够作为等离子体生成部12的至少一部分发挥功能。另外，通过将偏压rf信号供给到至少一个下部电极，在基板w产生偏压电位，从而能够将已形成的等离子体中的离子成分吸引到基板w。
61.在一个实施方式中，rf电源31包括第一rf生成部31a和第二rf生成部31b。第一rf
生成部31a经由至少一个阻抗匹配电路来与至少一个下部电极以及/或者至少一个上部电极耦接，并且该第一rf生成部31a构成为生成等离子体生成用的源rf信号(源rf电力)。在一个实施方式中，源rf信号具有10mhz～150mhz的范围内的频率。在一个实施方式中，第一rf生成部31a可以构成为生成具有不同频率的多个源rf信号。所生成的一个或多个源rf信号被供给到至少一个下部电极以及/或者至少一个上部电极。
62.第二rf生成部31b经由至少一个阻抗匹配电路来与至少一个下部电极耦接，并且第二rf生成部31b构成为生成偏压rf信号(偏压rf电力)。偏压rf信号的频率可以与源rf信号的频率相同、也可以不同。在一个实施方式中，偏压rf信号具有比源rf信号的频率低的频率。在一个实施方式中，偏压rf信号具有100khz～60mhz的范围内的频率。在一个实施方式中，第二rf生成部31b可以构成为生成具有不同频率的多个偏压rf信号。生成的一个或多个偏压rf信号被供给到至少一个下部电极。另外，在各种实施方式中，可以将源rf信号和偏压rf信号中的至少一方脉冲化。
63.另外，电源30可以包括与等离子体处理腔室10耦接的dc电源32。dc电源32包括第一dc生成部32a和第二dc生成部32b。在一个实施方式中，第一dc生成部32a与至少一个下部电极连接，并且该第一dc生成部32a构成为生成第一dc信号。生成的第一dc信号被施加于至少一个下部电极。在一个实施方式中，第二dc生成部32b与至少一个上部电极连接，并且该第二dc生成部32b构成为生成第二dc信号。生成的第二dc信号被施加于至少一个上部电极。
64.在各种实施方式中，可以将第一dc信号和第二dc信号脉冲化。在该情况下，电压脉冲的序列施加于至少一个下部电极以及/或者至少一个上部电极。电压脉冲可以具有矩形、梯形、三角形或它们的组合的脉冲波形。在一个实施方式中，用于从dc信号生成电压脉冲的序列的波形生成部连接于第一dc生成部32a与至少一个下部电极之间。因而，第一dc生成部32a和波形生成部构成电压脉冲生成部。在第二dc生成部32b和波形生成部构成电压脉冲生成部的情况下，电压脉冲生成部与至少一个上部电极连接。电压脉冲可以具有正极性，也可以具有负极性。另外，电压脉冲的序列可以在一个周期内包括一个或多个正极性电压脉冲和一个或多个负极性电压脉冲。此外，除了rf电源31以外也可以还设置第一dc生成部32a和第二dc生成部32b，也可以设置第一dc生成部32a代替第二rf生成部31b。
65.排气系统40例如能够与设置于等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连接。排气系统40可以包括压力调整阀和真空泵。通过压力调整阀来调整等离子体处理空间10s的内部压力。真空泵可以包括涡轮分子泵、干泵或它们的组合。
66.以上，对各种例示性的实施方式进行了说明，但并不限定于上述的例示性的实施方式，可以进行各种追加、省略、置换、以及变更。另外，能够组合不同实施方式中的要素来形成其它实施方式。
67.例如，在上述实施方式中，以在气体供给部20中分流器120具备分支供给管121、控制阀122、以及传感器组123的情况为例进行了说明。然而，分流器120的结构并不限定于此，例如传感器组123可以设置于分流器120的外部、即分支供给管121c、121e中的、分流器120与喷淋头13之间的位置。
68.《流量控制方法》
69.本实施方式所涉及的等离子体处理装置1如以上那样构成。
70.在等离子体处理装置1中，将来自主气体箱100的主气体经由流量控制单元110和
分流器120向喷淋头13的气体扩散室15c、15e供给。在流量控制器111中，对从主气体箱100的各气体源输出的处理气体的流量、换言之为作为主气体而混合的处理气体各自的流量进行相对地控制。
71.另外，能够在从流量控制器111输出并经由分流器120向气体扩散室15c、15e分别供给的主气体中独立地混合来自添加气体箱150的添加气体。
72.供给到气体扩散室15c、15e的处理气体(主气体和添加气体)分别朝向保持于基板支承部11的基板w的中心区域和边缘区域供给，由此对该基板w实施期望的气体处理。
73.接着，对从气体供给部20向气体扩散室15c、15e分别供给的主气体的流量控制方法的详情进行说明。
74.图3是提取出图2所示的气体供给部20中的主要要素来表示的示意说明图，并且在对应的位置标记出在以下的说明中使用的各种处理气体的流量q和压力p。
75.为了控制在分流器120中分流地输出的主气体的流量，在进行等离子体处理装置1中的气体处理之前，例如在等离子体处理装置1的启动(装配)时等，获取作为主气体流量的计算基准的pq特性(下面，称为“基准pq特性”。)(图4的步骤st0-1)。获取到的基准pq特性被输出到控制部2。
76.此外，在本公开所涉及的技术中，“pq特性”是表示一种气体(例如，上述的一种主气体、一种添加气体)的气体流量(q)与气体压力(p)之间的关系的特性，有时也称为“压力流量特性”。
77.基准pq特性表示从主气体箱100向等离子体处理装置1(喷淋头13)供给作为基准气体的氮(n2)气时的流量q与压力p之间的关系。
78.基准pq特性是像这样基于基准气体的流量q与压力p之间的关系求出来的，但该基准气体的流量q和压力p会受喷淋头13(气体扩散室15)的电导率影响而发生变化。另外，作为一例，喷淋头13(气体扩散室15)的电导率能够根据气体扩散室15的形状、形成于喷淋头13的气体导入口16的数量、形状而发生变化。
79.从该观点出发，在分流器120的一次侧、分流器120处的控制阀122c的二次侧(气体扩散室15c侧：中心区域侧)、以及分流器120处的控制阀122e的二次侧(气体扩散室15e侧：边缘区域侧)分别获取基准pq特性。
80.图5a是分别示出分流器120的一次侧的基准pq特性(图5a的实线)、分流器120处的控制阀122e(基板w的边缘区域侧)的二次侧的基准pq特性(图5a的虚线)、以及分流器120处的控制阀122c(基板w的中心区域侧)的二次侧的基准pq特性(图5a的一点划线)的曲线图。
81.此外，这些气体供给部20的各处的基准pq特性能够由等离子体处理装置1自动地测定，并且被参数化。即，不在中途经由操作者进行操作，仅通过将基准pq特性的获取开始信号化，就能够自动地执行来自主气体箱100的主气体的输出、流量q及压力p的测定、pq特性曲线的获取及向控制部2的输出。
82.为了控制从分流器120输出的主气体的流量，另外，在进行等离子体处理装置1中的气体处理之前，获取在气体处理中使用的各种处理气体的流动因数(flow factor)(图4的步骤st0-2)。获取到的流动因数被输出到控制部2。
83.在本公开所涉及的技术中所应用的流动因数能够基于如图5b所示的那样的各种处理气体的pq特性进行计算，能够是表示出相对于作为基准气体的n2的、该各种处理气体
的种类的流量显示的变化的数值。即，各种处理气体的流动因数能够是在例如将作为基准气体的n2的流量显示(pq特性)设为“1”的情况下的相对常数。此外，图5b所示的处理气体的种类是一例，在实施方式所涉及的等离子体处理装置1中使用的处理气体的种类不限于图示的例子。流动因数包括与n2及各种处理气体对应的密度、比热比、气体常数等特性值。作为一例，流动因数可以是由国际标准iec60534-1(对应于日本工业标准jis b 2005-1)定义的系数。流动因数可以使在1psi的压差下60
°
f的空气的流量每分钟流动1加仑/分钟的节流孔的流量为1。
84.当作为等离子体处理装置1中的气体处理的预准备而获取到基准pq特性和各种处理气体的流动因数时，接着开始进行气体处理时的处理气体(主气体和添加气体)的供给流量的决定动作。
85.在进行处理气体的供给流量的决定动作时，首先，基于该气体处理的工艺制程来获取(输入)从主气体箱100输出的主气体的种类和总流量qm、以及为了针对基板w得到期望的气体处理结果所需的针对中心区域、边缘区域各自供给的处理气体的供给流量比(qmc/qme)。
86.在控制部2中，基于获取到的主气体的总流量qm和供给流量比(qmc/qme)，来计算向中心区域(气体扩散室15c)输出的主气体流量qmc和向边缘区域(气体扩散室15e)输出的主气体流量qme(图4的步骤st1)。
87.接着，基于气体处理的工艺制程，分别获取(输入)从添加气体箱150输出的添加气体的流量、更具体地说是获取(输入)与向中心区域(气体扩散室15c)输出的主气体进行混合的添加气体的种类及流量qac、以及与向边缘区域(气体扩散室15e)输出的主气体进行混合的添加气体的种类及流量qae(图4的步骤st2)。
88.在此，在分流器120中，基于向喷淋头13的气体扩散室15c、15e分别供给的处理气体的压力比(pc/pe)，来对分支供给管121c、121e各自具备的控制阀122c、122e的开度进行比例控制，由此，相对地控制输出的主气体流量qmc、qme。然而，在如上述的那样向主气体中混合添加气体、尤其是主气体与添加气体的种类不同的情况下，根据所混合的主气体与添加气体的物性值的不同等各种条件，有可能无法适当地实施基于压力比的流量的比例控制。
89.因此，在本实施方式中，使用在步骤st0-2中获取到的流动因数将在步骤st1、st2中计算出的主气体的流量qm及添加气体的流量qa进行基准气体(n2)换算(图4的步骤st3-1)。由此，通过基准气体换算能够将作为流量控制的基准的处理气体(主气体+添加气体)的压力p一元化，其结果是，即使在主气体与添加气体的种类不同的情况下，也能够适当地实施基于压力比的流量的比例控制。
90.此外，在被供给处理气体的基板w的中心区域与边缘区域之间产生温度差的情况下，可以使在步骤st3-1中使用的流动因数中反映出该温度依赖性。换言之，进行基准气体换算(步骤st3-1)而得到的主气体的换算流量qmn2和添加气体的换算流量qan2可以通过基于流动因数的温度依赖性的温度校正系数δt进行微调整/最优化(图4的步骤st3-2)。更具体地说，作为一例，可以将n2气体的基准温度时(例如常温)的上述流动因数设为“1”，来校准n2气体的各种温度时的流动因数。
91.接着，计算在步骤st3中计算出的主气体的换算流量qmn2与添加气体的换算流量
qan2的合计值即合计换算流量q(m+a)n2(图4的步骤st4)。合计换算流量是通过供给到基板w的中心区域和边缘区域的处理气体各自独立地计算出的。
92.接着，基于在步骤st4中计算出的中心区域侧的合计换算流量qc(m+a)n2和边缘区域侧的合计换算流量qe(m+a)n2、以及在步骤st0-1中获取到的基准pq特性，来计算作为主气体的流量控制的基准压力的中心区域侧的换算压力pc(m+a)n2和边缘区域侧的换算压力pe(m+a)n2(图4的步骤st5)。
93.最后，基于在步骤st5中计算出的换算压力p(m+a)n2，来计算分流器120中的作为气体流量控制的基准的压力比pc/pe＝pc(m+a)n2/pe(m+a)n2＝α(图4的步骤st6)。
94.压力比α是通过对从分支供给管121c、121e分别输出的处理气体压力进行换算而得到的计算值、即分支供给管121c、121e各自的内部压力的计算值。
95.计算出的压力比α被输出到控制部2。
96.之后，在等离子体处理装置1中的气体处理时，基于像这样计算出的压力比α来对与分支供给管121c、121e分别对应的控制阀122c、122e的开度进行比例控制，由此对向喷淋头13的气体扩散室15c、15e分别供给的处理气体(主气体+添加气体)的流量相对地进行控制。
97.更具体地说，以使从分支供给管121c、121e分别输出的处理气体的流量比qc/qe与压力比α大致一致的方式、即以成为流量比qc/qe＝α的方式来调整控制阀122c、122e的开度。
98.本公开的技术所涉及的由分流器120进行的处理气体的分流、即从分支供给管121c、121e分别输出的处理气体的流量控制如以上那样进行。
99.此外，在等离子体处理装置1中的气体处理时，期望的是，分流器120的下游侧压力即分支供给管121c、121e的内部压力(控制阀122c、122e的二次侧压力)比分流器120的上游侧压力即二次侧供给管140的内部压力(控制阀122c、122e的一次侧压力)低，并且优选的是一次侧的压力的2倍以下。
100.换言之，在本公开的技术所涉及的流量控制中，期望的是将在步骤st5中计算出的换算压力p(m+a)n2设定为比气体处理的工艺制程中的总流量qm低，并且优选的是设定为一次侧的压力的2倍以下。
101.在分支供给管121c、121e的内部压力为二次侧供给管140的内部压力以上的情况下，当在气体处理中打开控制阀116时，处理气体从分支供给管121c、121e向二次侧供给管140逆流，有可能在气体供给部20产生不良。
102.关于这一点，在本实施方式中，通过将换算压力p(m+a)n2设定得比总流量qm低，能够适当地抑制处理气体的逆流。
103.此时，分流器120的上游侧压力和下游侧压力能够分别由压力传感器160和传感器组123c、123e测定。
104.此外，分流器120的上游侧压力能够使用流量控制器111的压力传感器115代替压力传感器160来进行测定。
105.《实施例》
106.本公开所涉及的主气体的分流、流量控制如以上那样进行。
107.接着，关于上述的一系列的流量控制方法，使用具体的数值来示出计算例。此外，
在以下的说明中使用的处理气体的种类和流量是例示。即，在本公开的技术中应用的处理气体的种类和流量并不限定于以下的计算例。此外，在以下的计算例中，设为预先将上述的基准pq特性和流动因数输出到控制部2。即，设为已预先执行完毕上述的步骤st0-1和步骤st0-2。
108.在步骤st1中，首先，输入从主气体箱100输出的主气体的种类和总流量qm、针对中心区域、边缘区域各自供给的处理气体的供给流量比(qmc/qme)。
109.在本计算例中，设为从主气体箱100输出的主气体为ar气体，并且总流量qm和供给流量比为以下所示的值。
110.总流量qm[ar]＝qmc+qme＝1000sccm
[0111]
供给流量比(qmc/qme)＝1.0
[0112]
在控制部2中，基于所输入的ar气体的总流量qm、供给流量比(qmc/qme)，来计算向中心区域和边缘区域各自输出的主气体流量。
[0113]
流量qmc[ar]＝500sccm
[0114]
流量qme[ar]＝500sccm
[0115]
在步骤st2中，分别输入从添加气体箱150向中心区域、边缘区域各自输出的添加气体的流量qac、qae。
[0116]
在本计算例中，设为从添加气体箱150向中心区域输出的添加气体为o2气体，向边缘区域输出的添加气体为c4f8气体，各自的流量qa为以下所示的值。
[0117]
流量qac[o2]＝100sccm
[0118]
流量qae[c4f8]＝5sccm
[0119]
在步骤st3-1中，使用预先获取到的流动因数对在步骤st1、st2中计算出的主气体的流量qm和添加气体的流量qa进行n2换算。作为主气体的ar、作为添加气体的o2及c4f8的流动因数在一个例子中如下所示。
[0120]
ar＝1.1
[0121]
o2＝1.1
[0122]
c4f8＝1.9
[0123]
而且，在步骤st3-1中，基于此来计算各处理气体的换算流量。
[0124]
换算流量qmcn2[ar]＝500
×
1.1＝550sccmn2[0125]
换算流量qmen2[ar]＝500
×
1.1＝550sccmn2[0126]
换算流量qacn2[o2]＝100
×
1.1＝110sccmn2[0127]
换算流量qaen2[c4f8]＝5
×
1.9＝9.5sccmn2[0128]
此外，如上所述，在作为处理气体的供给对象位置的基板w的中心区域与边缘区域之间产生温度差的情况下，可以使计算出的换算流量还反映出温度依赖性，对该换算流量进行微调整/最优化(步骤st3-2)。换言之，可以使计算出的换算流量qmn2、qan2还乘以温度校正系数δt。
[0129]
此外，在本计算例中，省略该温度依赖性的考虑。换言之，设为在基板w的中心区域与边缘区域之间不存在温度差。
[0130]
在步骤st4中，分别计算向中心区域供给的处理气体的合计换算流量和向边缘区域供给的处理气体的合计换算流量。
[0131]
合计换算流量qc(m+a)n2＝550+110＝660sccmn2[0132]
合计换算流量qe(m+a)n2＝550+9.5≈560sccmn2[0133]
在步骤st5中，基于在步骤st4中计算出的合计换算流量和预先获取到的基准pq特性，来计算用于计算主气体的分流、即作为流量控制的基准的压力比的换算压力。
[0134]
合计换算流量qc(m+a)n2→
换算压力pc(m+a)n2＝25torrn2[0135]
合计换算流量qe(m+a)n2→
换算压力pe(m+a)n2＝40torrn2[0136]
最后，在步骤st6中，基于在步骤st5中计算出的换算压力来计算作为气体流量控制的基准的压力比α。
[0137]
压力比α＝pc(m+a)n2/pe(m+a)n2＝25/40＝0.625
[0138]
而且，在等离子体处理装置1中，在对基板w进行气体处理时，以使从分流器120向气体扩散室15c、15e分别输出的处理气体的流量比qc/qe与压力比α大致一致的方式、即以成为流量比qc/qe＝0.625的方式来调整控制阀116的开度。
[0139]
《作用、效果》
[0140]
根据以上的实施方式，如上述那样使用流动因数，将向喷淋头13供给的主气体及添加气体的合计流量换算为基于基准气体的单一的总流量。由此，即使在主气体与添加气体的种类不同的情况下，也能够计算出考虑了这些处理气体的物性值的差异等的换算压力，其结果是，能够适当地对从分流器120输出的处理气体的流量进行比例控制。
[0141]
另外，根据本公开所涉及的技术，仅通过在等离子体处理装置1中的气体处理之前获取(输入)主气体、添加气体的种类、以及制程流量，就能够事先掌握由与主气体进行混合的添加气体引起的压力上升量，由此能够将基于分流器120的主气体的分流比(中心区域侧与边缘区域侧的压力比)维持为期望的值。而且，其结果是，能够在等离子体处理装置1中对作为处理对象的基板w适当地得到期望的气体处理结果。
[0142]
另外，根据本公开所涉及的技术，如上所述，能够对由添加气体引起的压力上升量进行过冲控制，能够期望压力比α以更高速稳定。
[0143]
此外，在上述实施方式中，使用氮(n2)气作为用于进行流量控制的基准气体，但用作基准气体的气体并不限定于n2，能够使用任意的气体作为基准气体。
[0144]
但是，在半导体器件的制造工艺所使用的各种等离子体处理装置中广泛地使用氮(n2)气。换言之，在各种等离子体处理装置中，预先设置有用于供给氮气的气体源和气体供给线路。因此，通过将氮气用作基准气体，即使是目的不同的等离子体处理装置，也无需设置基准气体供给用的新的气体供给线路，能够通过大致相同的条件获取基准pq特性和流动因数。
[0145]
鉴于这一点，期望的是使用氮(n2)气作为基准气体。
[0146]
此外，在上述实施方式中，以气体供给部20具备两个气体流路的情况、即分流器120中的主气体的分流数为2，且相独立地向基板w的两个区域(中心区域和边缘区域)供给处理气体的情况为例进行了说明，但气体供给部20所具备的气体流路的数量并不限定于此。
[0147]
如上所述，在向基板w的三个区域(中心区域、中间区域、以及边缘区域)供给处理气体的情况下，气体供给部20能够具备三个气体流路。另外，在向基板w的四个区域(中心区域、中间区域、边缘区域、以及外边缘区域)供给处理气体的情况下，气体供给部20能够具备
四个气体流路。
[0148]
像这样，本公开所涉及的等离子体处理装置1的气体供给部20根据形成于基板w的处理气体的供给区域数而具备多个、至少两个以上的气体流路即可。
[0149]
此外，在上述实施方式中，以在向中心区域(气体扩散室15c)供给的主气体和向边缘区域(气体扩散室15e)供给的主气体这两方中混合添加气体的情况为例进行了说明，但向主气体混合添加气体的区域可以是其中的任一方。
[0150]
即，如在上述实施方式中所示的那样，可以是，对多个气体流路的全部连接添加气体流路，通过配置于该添加气体流路的添加用阀的开闭，使添加气体仅与在至少任一个气体流路中流动的主气体进行混合。
[0151]
或者，可以是，仅对气体供给部20所具备的多个气体流路中的至少任一个气体流路连接添加气体流路。
[0152]
此外，如上所述，在步骤st0-1中获取到的基准pq特性受喷淋头13(气体扩散室15)的电导率、例如气体扩散室15的形状、气体导入口16的数量影响而发生变化。另外，在此，制作喷淋头13时的气体导入口16的形成动作容易产生加工误差，即，在不同的喷淋头13之间容易产生机械差异。
[0153]
鉴于这一点，关于步骤st0-1中的基准pq特性的获取，期望的是针对等离子体处理装置1的每个个体或者针对喷淋头13的每个个体来获取。
[0154]
另外，喷淋头13由于等离子体处理装置1重复地进行的等离子体处理而被消耗，由此气体导入口16的平均直径、深度会发生变化。换言之，喷淋头13(气体扩散室15)的电导率由于重复的等离子体处理而经时地变化，由此基准pq特性也会经时地变化。
[0155]
鉴于这一点，在等离子体处理装置1中，可以将在步骤st0-1(等离子体处理装置1的启动时等)中获取到的基准pq特性作为“初始数据”保存于控制部2，并且在该等离子体处理装置1中定期地(例如每隔一系列的等离子体处理)获取基准pq特性。而且，通过将像这样定期地获取的基准pq特性与控制部2中保存的“初始数据”进行比较，能够检查出喷淋头13的经时变化(消耗量)，并且，其结果是能够适当地掌握喷淋头13的更换时期。
[0156]
此外，基准pq特性的定期获取例如能够在等离子体处理装置1中的对基板w进行的等离子体处理完成后且该基板w的搬送时执行。即，与作为“初始数据”的基准pq特性进行比较的pq特性能够称为等离子体处理装置1中的气体处理后的“处理后pq特性”。
[0157]
另外，在上述实施方式中，基于处理气体的种类(步骤st3-1)和温度依赖性(步骤st3-2)来对作为流量控制的基准的流动因数进行决定和微修正/最优化，但该流动因数也能够与基准pq特性同样地根据喷淋头13(气体扩散室15)的电导率发生变化。
[0158]
鉴于这一点，可以与基准pq特性同样地，针对等离子体处理装置1的每个个体或喷淋头13的每个个体对各种处理气体的流动因数进行微调整/最优化。
[0159]
此外，在上述实施方式中，为了尤其在主气体和添加气体的种类不同的情况下适当地实施基于压力比的流量的比例控制，使用流动因数对主气体的流量qm和添加气体的流量qa进行基准气体(n2)换算(步骤st3)。
[0160]
然而，即使在主气体和添加气体的种类不同的情况下，例如在主气体和添加气体的物性值没有较大差异的情况下、物性值的差收敛于容许值的情况下，也不一定需要使用流动因数进行基准气体换算。
[0161]
具体地说，预先获取在气体处理中使用的各种处理气体的pq特性来代替在步骤st0-1中获取基准pq特性。
[0162]
而且，能够根据使用工艺制程计算出的各种处理气体的供给流量比(qmc/qme)和与该各种处理气体对应的pq特性来计算压力比(pc/pe)，由此，使用该压力比来实施控制阀122c、122e的比例控制。
[0163]
根据本控制例，能够不借助基准气体而使用与各种处理气体对应的pq特性来直接地计算压力比，因此，与上述实施方式相比，能够提高流量控制的精度。
[0164]
但是，在该情况下，需要针对各种处理气体独立地进行供给流量比、压力比等的计算，流量控制需要大量的时间，有可能无法应对等离子体处理装置1中的量产。鉴于这一点，在本公开所涉及的技术中，期望的是进行使用了流动因数的基准气体换算，并且使用基准pq特性进行流量控制。
[0165]
即，更具体地说，以下所示的方式也能够包括在本公开的技术所涉及的技术范围内。
[0166]
可以控制为：不使用作为压力p的换算基准的流动因数，而使用针对多个气体供给流路(在一例中为与上述实施方式的基板w的中心区域、边缘区域、以及中间区域的各区域连接的多个气体供给流路)各自计算出的合计流量(q)、主气体的预先获取到的气体流量与气体压力之间的关系(例如上述的pq特性)、添加气体的预先获取到的气体流量与气体压力之间的关系，来计算多个气体供给流路的各自的内部压力。
[0167]
应该认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示，而不是限制性的。上述的实施方式可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
[0168]
附图标记说明
[0169]
2：控制部；10：等离子体处理腔室；20：气体供给部；121c：分支供给管；121e：分支供给管；122c：控制阀；122e：控制阀；140：二次侧供给管；151：添加气体供给管；152：添加用阀。

技术特征：
1.一种气体供给系统，用于向处理腔室的内部供给气体，所述气体供给系统具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够相独立地对所述处理腔室供给主气体；流量控制阀，其配置于多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路；添加气体流路，其连接于至少一个所述气体供给流路中的比所述流量控制阀靠下游侧的位置；添加用阀，其配置于所述添加气体流路；以及控制部，其控制所述流量控制阀和所述添加用阀的动作，其中，所述控制部执行以下控制：计算在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中流动的主气体的流量；获取在所述添加气体流路中流动且与在各个所述气体供给流路中流动的主气体进行混合的添加气体的流量；在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算所述主气体的流量与所述添加气体的流量之和即合计流量；使用在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算出的所述合计流量、所述主气体的预先获取到的气体流量与气体压力之间的第一关系以及所述添加气体的预先获取到的气体流量与气体压力之间的第二关系，来计算多个所述气体供给流路各自的内部压力；计算在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算出的所述内部压力之比；以及基于所述内部压力之比来对多个所述流量控制阀的开度进行比例控制。2.根据权利要求1所述的气体供给系统，其特征在于，所述控制部还执行以下控制：使用预先获取到的流动因数，将所述主气体的流量和所述添加气体的流量转换为基准气体换算的流量，在计算所述内部压力时，使用所述基准气体换算的流量、以及基准气体的预先获取到的气体流量与气体压力之间的第三关系，来计算多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路的内部压力。3.根据权利要求2所述的气体供给系统，其特征在于，多个所述气体供给流路构成为能够对所述处理腔室的内部的不同的气体供给区域分别供给气体，所述控制部基于不同的所述气体供给区域之间的温度差来校正所述流动因数。4.根据权利要求2或3所述的气体供给系统，其特征在于，所述流动因数是根据所述主气体的种类、物性值及温度、所述添加气体的种类、物性值及温度、所述处理腔室的装置特性及温度、以及所述气体供给流路的装置特性及温度中的至少任一种参数确定的数值。5.根据权利要求4所述的气体供给系统，其特征在于，所述处理腔室具有喷淋头，所述喷淋头形成有用于向该处理腔室的内部导入处理气体的多个气体导入孔，所述装置特性包括所述气体导入孔的数量、平均直径以及深度中的至少任一种参数。
6.根据权利要求4或5所述的气体供给系统，其特征在于，所述控制部还执行以下控制：在所述处理腔室中的气体处理完成后，获取所述基准气体的所述第三关系；以及将所述气体处理执行前的所述第三关系与在所述气体处理完成后获取到的所述第三关系进行比较，来检查所述装置特性的经时变化。7.根据权利要求2至6中的任一项所述的气体供给系统，其特征在于，所述基准气体是氮气。8.根据权利要求2至7中的任一项所述的气体供给系统，其特征在于，所述控制部包括保存有所述流动因数和所述第三关系的存储介质。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的气体供给系统，其特征在于，在计算所述内部压力时所计算出的所述主气体的压力与所述添加气体的压力的合计值相比于所述流量控制阀的一次侧的压力为2倍以下。10.根据权利要求9所述的气体供给系统，其特征在于，还具备：流量控制器，其配置于所述流量控制阀的上游侧，用于控制所述主气体的流量；以及压力传感器，其配置于所述流量控制器的内部，所述压力传感器构成为测定所述一次侧的压力。11.一种等离子体处理装置，用于对基板进行处理，所述等离子体处理装置具备：处理腔室；基板支承体，其配设于所述处理腔室的内部；根据权利要求1至10中的任一项所述的气体供给系统，其向所述处理腔室的内部供给气体；以及等离子体生成部，其构成为从所述处理腔室内的气体生成等离子体。12.一种气体供给方法，使用气体供给系统来进行，所述气体供给系统具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够相独立地对处理腔室供给主气体；流量控制阀，其配置于多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路；添加气体流路，其连接于至少一个所述气体供给流路中的比所述流量控制阀靠下游侧的位置，用于向所述主气体混合添加气体；添加用阀，其配置于所述添加气体流路；以及存储介质，其保存有在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中预先获取到的基准气体的气体流量与气体压力之间的基准关系、以及所述主气体和所述添加气体的流动因数，所述气体供给方法包括以下工序：工序(a)，计算在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中流动的主气体的流量；工序(b)，获取在所述添加气体流路中流动且与在各个所述气体供给流路中流动的主气体进行混合的添加气体的流量；工序(c)，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算所述主气体的流量与所述添加气体的流量之和即合计流量；
工序(d)，使用所述流动因数，将所述主气体的流量和所述添加气体的流量转换为基准气体换算的流量；工序(e)，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算所述主气体的所述基准气体换算的流量与所述添加气体的所述基准气体换算的流量之和即合计换算流量；工序(f)，使用所述合计换算流量和所述基准关系，计算多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路的内部压力；工序(g)，计算在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路中计算出的所述内部压力之比；以及工序(h)，基于所述内部压力之比，对多个所述流量控制阀的开度进行比例控制，从多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路向所述处理腔室的内部供给气体。

技术总结
本发明涉及一种气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法。气体供给系统具备的控制部执行以下控制：计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中流动的主气体的流量；获取在添加气体流路中流动且与在各个气体供给流路中流动的主气体进行混合的添加气体的流量；在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算主气体的流量与添加气体的流量之和即合计流量；使用在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算出的合计流量、以及主气体及添加气体的预先获取到的流量与压力之间的关系，来计算多个气体供给流路各自的内部压力；计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算出的内部压力之比；以及基于内部压力之比来对多个流量控制阀的开度进行比例控制。制阀的开度进行比例控制。制阀的开度进行比例控制。


技术研发人员：泽地淳
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2023.01.05
技术公布日：2023/7/25