一种解决LED测试过程中VF不稳定的方法与流程

一种解决led测试过程中vf不稳定的方法
技术领域
1.本发明涉及解决led测试过程中vf不稳定技术领域，具体为一种解决led测试过程中vf不稳定的方法。


背景技术：

2.led芯片是一种固态的半导体器件，led的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
3.现有的led芯片制造过程中，需要对其电性进行测试，目前采用的测试机型多样化，部分机型测试速度快，使其led芯片电性性能能够快速的在测试机型中显现出，使其工作人员可以快速掌握有关led芯片的性能参数，提高了led芯片检测的效率性。
4.但是上述设备在实际使用过程中，led芯片的电性稳定性存在不足，比如部分八针、十六针测试的机台，在测试过程中存在vf不稳定现象，导致芯片电性不能正常呈现，使led芯片检测数据准确性下降；鉴于此，我们提出了一种解决led测试过程中vf不稳定的方法。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，包括以下步骤：
7.s1、芯片的获取；
8.s2、芯片初步检测设备就位；
9.s3、检测芯片的基本性能；
10.s4、测试机型就位；
11.s5、温控机就位；
12.s6、根据测试芯片的选择不同，从而给予芯片不同的温控环境；
13.s7、通过改变测试机型的参数，使芯片的输出端的电流与电压发生改变；
14.s8、添加一项芯片空测项，并进行实验测试；
15.s9、通过显微镜观测实验测试后的针痕情况，并记录针痕观测数据；
16.s10、将所有实验数据进行对比处理，得出测试机型改变输出端参数后芯片实验数据性能变换的结论。
17.优选的，所述s1具体步骤包括：
18.s1001：将所有芯片按芯脚数划分；
19.s1002：挑选出八针脚与十六针脚数的芯片；
20.s1003：根据led芯片光照颜色与芯片温度再次划分；
21.s1004：挑选出最后所需要的芯片；
22.s1005：记录所挑选出芯片各种出厂参数。
23.优选的，所述s3具体步骤包括：
24.s3001：对芯片外壳进行检测，观测是否有断裂或者磨损的芯片外壳
25.出现；
26.s3002：对芯片引脚进行检测，观测是否有断裂或者磨损的芯片引脚
27.出现；
28.s3003：对芯片进行通电处理，观测是否有无法通电或者通电不稳定的芯片出现；
29.s3004：对上数不满足要求的芯片进行剔除处理；
30.s3005：对保留下来的芯片进行芯片基本技能测试，获取实验数据；
31.s3006：将芯片实验数据与芯片标注书上参数进行对比，剔除不合格的芯片；
32.s3007：通过显微镜观测芯片的基本性能检测后芯片的针痕情况，并
33.记录实验数据；
34.s3008：将剩余芯片测试实验过后的实验数据进行记录，给予每个芯片相对应的标号，同时标注每个芯片中上芯片引脚的功能参数。
35.优选的，所述s4具体步骤包括：
36.s4001：将测试机连接所测芯片功能参数的各个引脚；
37.s4002：启动测试机；
38.s4003：记录测试机中所设置的各个参数量；
39.s4004：记录芯片在测试机参数量下所反映出的芯片功效实验数据。
40.优选的，所述s5具体步骤包括：
41.s5001：将温控机组件连接完毕；
42.s5002：检查芯片所处环境是否密闭性良好；
43.s5003：对温控机进行预热处理；
44.s5004：启动温控机。
45.优选的，所述s6具体步骤包括：
46.s6001：根据之前的实验数据与芯片编号寻找出正在进行实验中的芯
47.片温度参数；
48.s6002：调整温控机的参数，并将温控机的温度参数调整至与实验中的芯片温度参数相匹配的数值区域；
49.s6003：由于不同芯片温度参数给予芯片不同的温控环境。
50.优选的，所述s7具体步骤包括：
51.s7001：调整测试机型的电压输出值；
52.s7002：记录芯片在改变测试机型的电压后芯片的实验数据；
53.s7003：恢复之前的测试机型的电压输出值；
54.s7004：调整测试机型的电流输出值；
55.s7005：记录芯片在改变测试机型的电流后芯片的实验数据；
56.s7006：恢复之前的测试机型的电流输出值
57.s7007：重复以上操作至全部芯片测试完毕。
58.优选的，所述s8具体步骤包括：
59.s8001：将测试完成后的每个类型的空芯片组加入每组实验数据中；
60.s8002：记录每组实验数据中空芯片组的电压性能；
61.s8003：记录每组实验数据中空芯片组的电流性能；
62.s8004：将空芯片组的实验数据进行统一整理并加入相对应实验测试芯片中的对照项中。
63.优选的，所述s9具体步骤包括：
64.s9001：将实验完毕后的芯片运输至显微镜下；
65.s9002：启动显微镜，并观测显微镜下实验完毕后芯片针痕情况；
66.s9003：保存显微镜下实验完毕后芯片针痕图片。
67.优选的，所述s10具体步骤包括：
68.s10001：统计所有芯片实验参数数据；
69.s10002：核对是否具有偏差较大的实验参数数据；并进行再次实验数
70.据校准；
71.s10003：将统计完毕后的实验数据填入至相对应的表格中；
72.s10004：通过实验数据与图像分析与讨论得出结论，将空芯片组设为对照项验证结论，得出最终结论。
73.与现有技术相比，本发明提供了一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，具备以下有益效果：
74.1、该解决led测试过程中vf不稳定的方法，为了避免实验结论的单一性，设置有多组芯片，且多组芯片在不同环境下进行测试，实验过程使用控制变量法进行检测，使每组芯片在几乎最有环境下进行测试，保证了数据的准确性，且设置了空芯片项为实验对照组，使实验检测数据更佳具有准确性。
75.2、该解决led测试过程中vf不稳定的方法，为了避免实验的误差，使用高倍显微镜进行芯片针痕情况的记录，使每组实验中芯片的针痕状态改变得到准确发大性质的记录，且每组针痕情况保留照片图像，便于日后工作人员对实验的反复查验提供便利性。
76.3、该解决led测试过程中vf不稳定的方法，保留了芯片使用前的基本性能检测的数据，对比芯片生产时的出厂参数，进一步减小了实验中芯片所产生数据变化的波动性，提高了数据收集与实验结论推论的准确性。
附图说明
77.图1为本发明结构流程示意图。
具体实施方式
78.如图1所示，本发明提供一种技术方案：一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，包括以下步骤：
79.s1、芯片的获取；
80.s2、芯片初步检测设备就位；
81.s3、检测芯片的基本性能；
82.s4、测试机型就位；
83.s5、温控机就位；
84.s6、根据测试芯片的选择不同，从而给予芯片不同的温控环境；
85.s7、通过改变测试机型的参数，使芯片的输出端的电流与电压发生改变；
86.s8、添加一项芯片空测项，并进行实验测试；
87.s9、通过显微镜观测实验测试后的针痕情况，并记录针痕观测数据；
88.s10、将所有实验数据进行对比处理，得出测试机型改变输出端参数后芯片实验数据性能变换的结论。
89.在本发明的一种实施例中，s1具体步骤包括：
90.s1001：将所有芯片按芯脚数划分；
91.s1002：挑选出八针脚与十六针脚数的芯片；
92.s1003：根据led芯片光照颜色与芯片温度再次划分；
93.s1004：挑选出最后所需要的芯片；
94.s1005：记录所挑选出芯片各种出厂参数。
95.s3具体步骤包括：
96.s3001：对芯片外壳进行检测，观测是否有断裂或者磨损的芯片外壳
97.出现；
98.s3002：对芯片引脚进行检测，观测是否有断裂或者磨损的芯片引脚
99.出现；
100.s3003：对芯片进行通电处理，观测是否有无法通电或者通电不稳定的芯片出现；
101.s3004：对上数不满足要求的芯片进行剔除处理；
102.s3005：对保留下来的芯片进行芯片基本技能测试，获取实验数据；
103.s3006：将芯片实验数据与芯片标注书上参数进行对比，剔除不合格的芯片；
104.s3007：通过显微镜观测芯片的基本性能检测后芯片的针痕情况，并
105.记录实验数据；
106.s3008：将剩余芯片测试实验过后的实验数据进行记录，给予每个芯片相对应的标号，同时标注每个芯片中上芯片引脚的功能参数。
107.s4具体步骤包括：
108.s4001：将测试机连接所测芯片功能参数的各个引脚；
109.s4002：启动测试机；
110.s4003：记录测试机中所设置的各个参数量；
111.s4004：记录芯片在测试机参数量下所反映出的芯片功效实验数据。
112.s5具体步骤包括：
113.s5001：将温控机组件连接完毕；
114.s5002：检查芯片所处环境是否密闭性良好；
115.s5003：对温控机进行预热处理；
116.s5004：启动温控机。
117.s6具体步骤包括：
118.s6001：根据之前的实验数据与芯片编号寻找出正在进行实验中的芯片温度参数；
119.s6002：调整温控机的参数，并将温控机的温度参数调整至与实验中的芯片温度参
数相匹配的数值区域；
120.s6003：由于不同芯片温度参数给予芯片不同的温控环境。
121.s7具体步骤包括：
122.s7001：调整测试机型的电压输出值；
123.s7002：记录芯片在改变测试机型的电压后芯片的实验数据；
124.s7003：恢复之前的测试机型的电压输出值；
125.s7004：调整测试机型的电流输出值；
126.s7005：记录芯片在改变测试机型的电流后芯片的实验数据；
127.s7006：恢复之前的测试机型的电流输出值
128.s7007：重复以上操作至全部芯片测试完毕。
129.s8具体步骤包括：
130.s8001：将测试完成后的每个类型的空芯片组加入每组实验数据中；
131.s8002：记录每组实验数据中空芯片组的电压性能；
132.s8003：记录每组实验数据中空芯片组的电流性能；
133.s8004：将空芯片组的实验数据进行统一整理并加入相对应实验测试芯片中的对照项中。
134.s9具体步骤包括：
135.s9001：将实验完毕后的芯片运输至显微镜下；
136.s9002：启动显微镜，并观测显微镜下实验完毕后芯片针痕情况；
137.s9003：保存显微镜下实验完毕后芯片针痕图片。
138.s10具体步骤包括：
139.s10001：统计所有芯片实验参数数据；
140.s10002：核对是否具有偏差较大的实验参数数据；并进行再次实验数
141.据校准；
142.s10003：将统计完毕后的实验数据填入至相对应的表格中；
143.s10004：通过实验数据与图像分析与讨论得出结论，将空芯片组设为对照项验证结论，得出最终结论。
144.另外，通过实验数据可以得出
145.1、vz箝制电压由100v改到50v，各个电压段不会影响vz下限值的输出，箝制到50v只会影响vz上限值输出；
146.2、限制esdir/ir1/ir2箝制电流4ua，vz箝制电压50v,测试条件最后加一测试项空测40ms后ir良率与单针测试水平一致，且测试vf1无点花现象；
147.实验参数记录表格如下：
[0148][0149][0150][0151]
在本发明的实施例中，优化长洛点测测试条件后多针测试ir良率与惠特单针复测测试ir良率基本一致。
[0152]
实验数据如下表格：
[0153][0154]
针痕改善：优化机台测试参数后测试两张14as芯片，高倍显微镜下观看针痕情况，针痕呈点状且电极针痕面积≤p型电极面积的1/4。
[0155]
上文一般性的对本发明做了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之做一些修改或改进，这对于技术领域的一般技术人员是显而易见的。因此，在不脱离本发明思想精神的修改或改进，均在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：包括以下步骤：s1、芯片的获取；s2、芯片初步检测设备就位；s3、检测芯片的基本性能；s4、测试机型就位；s5、温控机就位；s6、根据测试芯片的选择不同，从而给予芯片不同的温控环境；s7、通过改变测试机型的参数，使芯片的输出端的电流与电压发生改变；s8、添加一项芯片空测项，并进行实验测试；s9、通过显微镜观测实验测试后的针痕情况，并记录针痕观测数据；s10、将所有实验数据进行对比处理，得出测试机型改变输出端参数后芯片实验数据性能变换的结论。2.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s1具体步骤包括：s1001：将所有芯片按芯脚数划分；s1002：挑选出八针脚与十六针脚数的芯片；s1003：根据led芯片光照颜色与芯片温度再次划分；s1004：挑选出最后所需要的芯片；s1005：记录所挑选出芯片各种出厂参数。3.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s3具体步骤包括：s3001：对芯片外壳进行检测，观测是否有断裂或者磨损的芯片外壳出现；s3002：对芯片引脚进行检测，观测是否有断裂或者磨损的芯片引脚出现；s3003：对芯片进行通电处理，观测是否有无法通电或者通电不稳定的芯片出现；s3004：对上数不满足要求的芯片进行剔除处理；s3005：对保留下来的芯片进行芯片基本技能测试，获取实验数据；s3006：将芯片实验数据与芯片标注书上参数进行对比，剔除不合格的芯片；s3007：通过显微镜观测芯片的基本性能检测后芯片的针痕情况，并记录实验数据；s3008：将剩余芯片测试实验过后的实验数据进行记录，给予每个芯片相对应的标号，同时标注每个芯片中上芯片引脚的功能参数。4.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s4具体步骤包括：s4001：将测试机连接所测芯片功能参数的各个引脚；s4002：启动测试机；s4003：记录测试机中所设置的各个参数量；s4004：记录芯片在测试机参数量下所反映出的芯片功效实验数据。5.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s5具体步骤包括：s5001：将温控机组件连接完毕；
s5002：检查芯片所处环境是否密闭性良好；s5003：对温控机进行预热处理；s5004：启动温控机。6.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s6具体步骤包括：s6001：根据之前的实验数据与芯片编号寻找出正在进行实验中的芯片温度参数；s6002：调整温控机的参数，并将温控机的温度参数调整至与实验中的芯片温度参数相匹配的数值区域；s6003：由于不同芯片温度参数给予芯片不同的温控环境。7.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s7具体步骤包括：s7001：调整测试机型的电压输出值；s7002：记录芯片在改变测试机型的电压后芯片的实验数据；s7003：恢复之前的测试机型的电压输出值；s7004：调整测试机型的电流输出值；s7005：记录芯片在改变测试机型的电流后芯片的实验数据；s7006：恢复之前的测试机型的电流输出值s7007：重复以上操作至全部芯片测试完毕。8.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s8具体步骤包括：s8001：将测试完成后的每个类型的空芯片组加入每组实验数据中；s8002：记录每组实验数据中空芯片组的电压性能；s8003：记录每组实验数据中空芯片组的电流性能；s8004：将空芯片组的实验数据进行统一整理并加入相对应实验测试芯片中的对照项中。9.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s9具体步骤包括：s9001：将实验完毕后的芯片运输至显微镜下；s9002：启动显微镜，并观测显微镜下实验完毕后芯片针痕情况；s9003：保存显微镜下实验完毕后芯片针痕图片。10.根据权利要求1所述的一种解决led测试过程中vf不稳定的方法，其特征在于：所述s10具体步骤包括：s10001：统计所有芯片实验参数数据；s10002：核对是否具有偏差较大的实验参数数据；并进行再次实验数据校准；s10003：将统计完毕后的实验数据填入至相对应的表格中；s10004：通过实验数据与图像分析与讨论得出结论，将空芯片组设为对照项验证结论，得出最终结论。

技术总结
本发明涉及解决LED测试过程中VF不稳定的技术领域，且公开了一种解决LED测试过程中VF不稳定的方法，该解决LED测试过程中VF不稳定的方法，包括以下步骤S1、芯片的获取；S2、芯片初步检测设备就位；S3、检测芯片的基本性能；S4、测试机型就位；S5、温控机就位；S6、根据测试芯片的选择不同，从而给予芯片不同的温控环境；S7、通过改变测试机型的参数，使芯片的输出端的电流与电压发生改变；S8、添加一项芯片空测项，并进行实验测试；S9、通过显微镜观测实验测试后的针痕情况，并记录针痕观测数据。该解决LED测试过程中VF不稳定的方法，优化长洛点测测试条件后多针测试IR良率与惠特单针复测测试IR良率基本一致。测试IR良率基本一致。测试IR良率基本一致。


技术研发人员：郭祖福 黄胜蓝 季辉
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
技术研发日：2023.04.24
技术公布日：2023/7/20