垂直腔表面发射激光器和磁头万向架组件的制作方法

垂直腔表面发射激光器和磁头万向架组件
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2021年8月31日提交的美国申请17/463,089号的优先权，该美国申请要求2021年6月16日提交的美国临时申请63/211,288号和2021年6月16日提交的美国临时申请63/211,302号的优先权，这些美国临时申请中的每一者的全部内容以引用方式并入本文。


背景技术：
技术领域
3.本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器、用于安装垂直腔表面发射激光器的磁头万向架组件以及结合有此类制品的设备。
4.相关领域的描述
5.热辅助磁记录(hamr)是一种改进磁记录介质的记录密度的能量辅助记录技术。在hamr中，激光源位于写入元件旁边或附近以产生热量，诸如激发近场换能器(nft)以在磁记录介质的写入位置处产生热量的激光源。一种在hamr中提供热量的方法涉及使用垂直腔表面发射激光器(vcsel)来引导激光光源通过磁记录磁头到达磁介质。这里，vcsel安装在滑块的顶表面，并且一个或多个激光束从vcsel的底表面发射并且被引导到hamr磁头内的对应数量的波导结构。该波导结构馈送到多模干涉(mmi)设备中，该多模干涉设备之后将该激光引导到波导中以聚焦在近场换能器(nft)上。
6.尽管常规vcsel相对于其他激光器(例如，边缘发射激光二极管)具有降低的成本，并且不具有模式跳变，但常规vcsel不允许主动对准以最大化波导与激光器之间的耦合。该主动对准的缺乏是vcsel的激光二极管电极连接到或面向滑块的顶表面的结果。此外，由于vcsel的激光二极管电极连接到滑块，因此在滑块制造期间通常采用复杂的背面图案化工艺。
7.需要新的和改进的vcsel、用于安装vcsel的磁头万向架组件(hga)以及结合有此类制品的设备。


技术实现要素：

8.本公开的实施方案总体涉及vcsel、用于安装vcsel的磁头万向架组件以及结合此类制品的设备。
9.在实施方案中，提供了一种垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备。vcsel设备包括用于安装在滑块上的芯片和两个激光二极管电极。芯片具有六个表面，其中芯片的第一表面用于面向滑块，芯片的第二表面与第一表面相对，并且两个激光二极管电极以任何组合定位在芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。
10.提供了一种磁头万向架组件。该磁头万向架组件包括悬架、安装在悬架上的滑块以及安装在滑块上的垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备。vcsel设备包括用于安装在滑块
上的芯片，该芯片具有六个表面，其中：芯片的第一表面耦合到滑块的顶表面；并且芯片的第二表面与第一表面相对。vcsel设备还包括两个激光二极管电极，该两个激光二极管电极以任何组合定位在芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。
11.在另一个实施方案中，提供了一种磁头万向架组件。该磁头万向架组件包括金属焊盘和垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备。vcsel设备包括用于安装在滑块上的芯片，该芯片具有六个表面，其中：芯片的第一表面用于面向滑块；第一表面耦合到金属焊盘；并且芯片的第二表面与第一表面相对。vcsel设备还包括两个激光二极管电极，该两个激光二极管电极以任何组合定位在芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。
12.在另一个实施方案中，提供了一种磁头万向架组件。该磁头万向架组件包括垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备，该vcsel设备包括用于安装在滑块上的芯片，该芯片具有六个表面，其中：芯片的第一表面用于面向滑块；芯片的第二表面与第一表面相对；和两个激光二极管电极，该两个激光二极管电极以任何组合定位在芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。该磁头万向架组件还包括耦合到芯片的第一表面的金属焊盘，以及位于两个激光二极管电极与金属焊盘之间的沟槽或突出部。
附图说明
13.因此，通过参考实施方案，可以获得详细理解本公开的上述特征的方式、本公开的更具体描述、上述简要概述，所述实施方案中的一些在附图中示出。然而，应当注意的是，附图仅示出了本公开的典型实施方案并且因此不应视为限制其范围，因为本公开可以允许其他同等有效的实施方案。
14.图1是根据本公开的至少一个实施方案的包括hamr磁写入磁头的示例性磁介质驱动器的示意图。
15.图2是根据本公开的至少一个实施方案的面向磁盘的示例性hamr写入磁头的横截面侧视图的某些实施方案的示意图。
16.图3a示出了根据本公开的至少一个实施方案的没有激光二极管电极的vcsel的表面。
17.图3b示出了根据本公开的至少一个实施方案的示例性vcsel的侧视图，该示例性vcsel具有与其耦合的激光二极管电极。
18.图3c示出了根据本公开的至少一个实施方案的示例性vcsel的仰视图，其中激光二极管电极延伸到底表面。
19.图4a是根据本公开的至少一个实施方案的具有安装到其的示例性vcsel的示例性滑块的横截面视图(下磁道方向)的示意图。
20.图4b是根据本公开的至少一个实施方案的图4a中所示的示例性vcsel的横截面视图(跨磁道方向)。
21.图5是根据本公开的至少一个实施方案的示例性热辅助磁记录磁头万向架组件的一部分的透视图。
22.图6a是根据本公开的至少一个实施方案的具有安装到其的示例性vcsel的示例性滑块的透视图的示意图。
23.图6b是根据本公开的至少一个实施方案的图6a中所示的示例性vcsel的仰视图。
24.图6c是根据本公开的至少一个实施方案的示例性vcsel的透视图，其中激光二极管电极设置在具有小于vcsel的宽度的宽度的单个沟槽中。
25.图6d是根据本公开的至少一个实施方案的示例性vcsel的透视图，其中激光二极管电极设置在具有与vcsel的宽度基本上相同尺寸的宽度的单个沟槽中。
26.图7a是根据本公开的至少一个实施方案的示例性vcsel的透视图。
27.图7b是根据本公开的至少一个实施方案的图7a中所示的示例性vcsel的仰视图。
28.图8a是根据本公开的至少一个实施方案的具有安装到其的示例性vcsel的示例性滑块的横截面视图的示意图。
29.图8b是根据本公开的至少一个实施方案的示例性vcsel的透视图。
30.图8c是根据本公开的至少一个实施方案的图8b中所示的示例性vcsel的仰视图。
31.图9是示出根据本公开的至少一个实施方案的用于在vcsel的侧表面上形成电极的示例性工艺的所选操作的工艺流程图。
32.图10是示出根据本公开的至少一个实施方案的用于在vcsel的侧表面上形电极的示例性工艺的所选操作的流程图。
33.图11a示出了根据本公开的至少一个实施方案的示例性vcsel的一部分的透视图。
34.图11b示出了根据本公开的至少一个实施方案的示例性vcsel的一部分的透视图。
35.为了有助于理解，在可能的情况下，使用相同的参考标号来表示附图中共有的相同元件。可以设想是，在一个实施方案中公开的元件可以有利地用于其他实施方案而无需具体叙述。
具体实施方式
36.本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器(vcsel)、用于安装vcsel的磁头-万向架组件，并且涉及结合此类制品的设备，例如磁介质驱动器。还描述了用于制造本文所述的vcsel的方法。
37.发明人已经发现了新的和改进的vcsel，与常规vcsel不同，其通过例如将vcsel的激光二极管电极放置在与连接到滑块的表面不同的vcsel表面上来实现主动对准。简言之，并且在一些实施方案中，本文所述的vcsel包括用于安装在滑块上的多表面芯片。芯片的第一表面用于面向滑块，芯片的第二表面与第一表面相对，并且两个激光二极管电极可定位在侧表面上或者耦合到侧表面。因为激光二极管电极耦合到vcsel的侧表面或定位在vcsel的侧表面上，所以可实现在vcsel和结合有vcsel的设备的使用期间的主动对准。除此之外，本文所述的vcsel使得用于滑块和结合有vcsel的hga的制造过程更简单，从而降低成本。
38.图1是包括hamr磁写入磁头的磁介质驱动器的某些实施方案的示意图。此类磁介质驱动器可为单个驱动器/设备或包括多个驱动器/设备。为了便于说明，根据实施方案示出了单个磁盘驱动器100。磁盘驱动器100包括磁记录介质112(通常称为磁盘112)，该磁记录介质支撑在主轴114上并且由驱动马达118旋转。每个磁盘112上的磁记录呈数据磁道的任何合适图案的形式，诸如磁盘112上同心数据磁道(未示出)的环形图案。磁记录介质112(或磁盘112)可以是可旋转的。
39.滑块113定位在磁盘112附近。每个滑块113支撑磁头组件121(例如，读取/记录磁
头组件)，该磁头组件包括一个或多个读取磁头以及一个或多个写入磁头(诸如hamr写入磁头)。在操作中，当磁盘112旋转时，滑块113在磁盘表面122上方径向地移入和移出，使得磁头组件121(例如，磁头万向架组件)可访问磁盘112的写入期望数据的不同磁道。每个滑块113通过悬架115附接到致动器臂119。悬架115提供轻微的弹簧力，该弹簧力朝向磁盘表面122偏置滑块113。每个致动器臂119附接到致动器127。如图1中所示的致动器127可以是音圈马达(vcm)。vcm包括能够在固定磁场内移动的线圈，线圈移动的方向和速度通过由控制单元129供应的马达电流信号来控制。
40.在磁盘驱动器100的操作期间，磁盘112的旋转在滑块113与磁盘表面122之间产生空气轴承，该空气轴承在滑块113上施加向上的力或升力。因此，在正常操作期间，空气轴承抗衡悬架115的轻微弹簧力，并以小的、基本上恒定的间距支撑滑块113离开并稍微高于磁盘表面122。
41.磁盘驱动器100的各种部件在操作中由控制单元129所产生的控制信号(诸如访问控制信号和内部时钟信号)来控制。通常，控制单元129包括逻辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元129产生控制各种系统操作的控制信号，诸如线123上的驱动马达控制信号以及线128上的磁头位置和寻道控制信号。线128上的控制信号提供期望电流分布，以最佳地将滑块113移动和定位到磁盘112上的期望数据磁道。写入信号和读取信号通过记录通道125传送到磁头组件121和从磁头组件传送。图1的磁介质驱动器的某些实施方案还可包括多个介质或磁盘、多个致动器和/或多个滑块。
42.图2是面向磁盘112的hamr写入磁头230的横截面侧视图的某些实施方案的示意图。hamr写入磁头230可对应于图1中所描述的读取/记录磁头组件121的一部分或用于其他磁介质驱动器的记录磁头。hamr写入磁头230包括面向介质的表面(mfs)，诸如空气轴承表面(abs)或气体轴承表面(gbs)，该表面面向磁盘112。如图2所示，磁盘112和hamr写入磁头230在箭头282所指示的方向上相对移动(需要改变方向)。
43.hamr写入磁头230包括设置在前罩234和后罩238之间的主极236。主极236可包括mfs处的主极尖端237。主极尖端237可包括或可不包括前斜面和/或后斜面。围绕主极236的线圈260激励主极尖端237以产生用于影响可旋转磁盘112的磁介质的写入磁场。在一些实施方案中，线圈260可以是螺旋结构或一组或多组扁平结构。前罩234和/或后罩238可充当主极236的返回极。磁盘112被定位成与hamr写入磁头230相邻或在其下方。线圈260中的电流所产生的磁场用于控制磁盘112中的位的磁化方向。
44.hamr写入磁头230包括用于在主极尖端237将磁写入场施加到存储介质的位置附近加热磁盘112的结构。波导242(或波导结构)定位在主极236与前罩234之间。波导242可包括芯层和围绕芯层的包覆层。波导242传导来自电磁辐射的光源278的光，该光可以是例如紫外光、红外光或可见光。光源278可以是例如激光二极管或用于将光束导向波导242的其他合适的激光光源。可使用用于将光源278耦合到波导242中的各种合适的技术。例如，光源278可与光纤和外部光学器件联合工作，以用于将光束引导至波导242。另选地，光源278可安装在波导242上，并且光束可直接耦合到波导242中而无需外部光学配置。当介质如箭头282所示相对于hamr写入磁头230移动时，一旦光束被耦合到波导242中，光就穿过波导242传播并加热介质的一部分。
45.波导242(或波导结构)可包括多个波导。多模干涉设备可在多模干涉设备的第一
端耦合到一个第一波导或多个第一波导，并且一个第二波导或多个第二波导可耦合到与mmi设备的第一端相对的第二端，多个第二波导从mmi设备延伸到本文所讨论的滑块的顶表面。第一波导(或波导结构)和/或第二波导(或波导结构)可耦合到nft，如下文所讨论的。
46.hamr写入磁头230包括近场换能器(nft)284，以将热量集中在波导242的端部附近。nft 284定位在波导242中或与该波导相邻，该波导在mfs附近或位于mfs处。来自波导242的光被nft 284吸收并激发表面等离子体，该表面等离子体沿着nft 284的外侧朝向mfs行进，从而将电荷集中在nft 284的尖端处，该尖端继而电容耦合到磁盘并通过焦耳加热对磁盘112的精确区域进行加热。用于hamr写入磁头的nft 284的一种可能的设计为棒棒糖设计，该棒棒糖设计具有盘部分以及在该盘与mfs之间延伸的栓。nft 284可紧邻主极236设置。nft 284可以是相对隔热的，并且可在其谐振时吸收激光功率的大部分。
47.下文描述的vcsel和hga的各种实施方案可与上文所讨论的磁介质驱动器和hamr写入磁头一起使用。
48.示例性vcsel和hga
49.本公开的实施方案还涉及vcsel和结合有vcsel的hga。vcsel相对于边缘发射激光二极管(eeld)具有许多显著的优点，用作hamr中的光源。目前使用的eeld通常安装到子安装架，原因在于难以将激光器的边缘发射刻面平面直接接合到滑块的顶部。然后将该子安装架接合到滑块。相反，常规vcsel可容易地具有在表面发射面上的接合电极，该接合电极与滑块的顶表面上的对应电极匹配。这些电极可通过激光辅助焊料回流而接合在一起，并且还可用作将激光通电的电连接件。通过消除对子安装架的需要，可显著降低光源成本。
50.尽管常规vcsel相对于其他激光器(例如，eeld)具有降低的成本，并且不具有模式跳变，但是常规vcsel不允许主动对准。这是vcsel的激光二极管电极连接到或面向滑块的顶表面的结果。与现有技术的vcsel不同，本文所述的实施方案实现了主动对准。
51.图3a示出了根据一些实施方案的vcsel 300芯片的表面。尽管vcsel 300被示为具有矩形棱柱形态，但是也设想其他合适的形态或形状，诸如立方体。vcsel 300具有可直接或间接耦合到滑块的第一表面a(例如，底表面)和与第一表面a相对的第二表面b(例如，顶表面)。其他表面中的一个或多个表面(第三表面c(例如，后表面)、第四表面d(例如，侧表面)、第五表面e(例如，侧表面)和第六表面f(例如，前表面))被用于以任何组合在其上定位或耦合一个或多个激光二极管电极(未示出)。第三表面c、第四表面d、第五表面e和第六表面f是vcsel 300的侧表面。定位在vcsel的一个或多个侧表面上或耦合到vcsel的一个或多个侧表面的激光二极管电极的数量可以是任何合适的数量，诸如1、2、3、4、5或6个激光二极管电极，诸如1或2个激光二极管电极。
52.在一些实施方案中，两个激光二极管电极定位在同一侧表面上或耦合到同一侧表面。例如，两个激光二极管电极可定位在第三表面c上或耦合到第三表面。两个激光二极管电极可定位在第四表面d上或耦合到第四表面；两个激光二极管电极可定位在第五表面e上或耦合到第五表面；或者两个激光二极管电极可定位在第六表面f上或耦合到第六表面f。
53.在一些实施方案中，以任何组合，一个激光二极管电极定位在vcsel的一个表面上或耦合到vcsel的一个表面，并且另一个激光二极管电极定位在vcsel的不同表面上或耦合到vcsel的不同表面。例如，并且作为非限制性说明，一个激光二极管电极可定位在第三表面c上或耦合到第三表面，并且另一个激光二极管电极可定位在第四表面d上或耦合到第四
表面；或者一个激光二极管定位在第三表面c上或耦合到第三表面，并且另一个激光二极管定位在第五表面e上或耦合到第五表面。设想用于将激光二极管电极耦合到vcsel 300的其他取向。
54.本文所述的vcsel可具有各种尺寸。例如，并且在一些实施方案中，vcsel的底表面(例如，第一表面a)和顶表面(例如，第二表面b)具有约75μm至约150μm的高度和/或约100μm至约250μm的长度。vcsel的侧表面可具有相同或类似的尺寸。底表面(例如，第一表面a)和顶表面(例如，第二表面b)的宽度可以是约100μm至约250μm，诸如约150μm至约200μm，和/或底表面(例如，第一表面a)和顶表面(例如，第二表面b)的长度可以是约100μm至约250μm，诸如约150μm至约200μm。设想vcsel的更小或更大的尺寸。各表面的尺寸可以相同或不同。
55.图3b和图3c分别是根据一些实施方案的vcsel 300的侧视图和仰视图的示意图。如上所述，vcsel 300在侧表面上具有一个或多个激光二极管电极。在图3b中所示的非限制性图示中，vcsel 300具有定位在侧表面e上或耦合到侧表面的两个激光二极管电极305、306。
56.如图3c所示，多个激光孔308a-308n设置在vcsel 300的底表面a上。可以设想，可使用单个激光孔来代替多个激光孔。激光孔308a-308n的数量与滑块的模斑转换器的数量匹配。每个激光孔308a-308n可以约1μm至约20μm(诸如约2μm至约10μm)的距离312与相邻激光孔308a-308n间隔开。设想更长或更短的距离312。激光孔308a-308n可关于中心线对准，并且该多个激光孔308a-308n中的每个激光孔可与对应的输入激光对准。激光孔308a-308n还可以与腔的对应的激光孔(未示出)对准。如图3c所示，两个激光二极管电极305、306从vcsel 300的侧表面e延伸到底表面a。
57.激光孔308a-308n中的每个激光孔可独立地具有约1.5μm至约8μm的直径，并且可具有2μm至10μm的间距，尽管设想更大或更小的孔径和间距。激光孔308a-308n的中心可与侧面间隔开约35μm至约50μm的距离322，尽管设想更大或更小的距离322。激光孔308a-308n的中心可与激光二极管电极305、306间隔开约75μm至约90μm的距离324，尽管设想更大或更小的距离324。
58.图4a和图4b是根据一些实施方案的具有安装到其的vcsel 410芯片的滑块404的横截面视图(分别为下磁道方向和跨磁道方向)的示意图400。图4a和图4b中所示的示意图可以是hga的一部分。激光二极管电极405耦合到vcsel 410的侧表面或定位在vcsel的侧表面上。虽然仅示出一个激光二极管电极405耦合到侧表面410e，但是另一个激光二极管电极(例如，图6a中示出的激光二极管电极406)耦合到vcsel 410的同一侧表面410e。如图6a和图6b中所示，激光二极管电极405、406从vcsel 410的侧表面410e延伸到vcsel 410的底表面410a。
59.参考图4a，vcsel 410经由焊盘401、焊盘402和焊接材料403安装到滑块404。焊盘401和焊盘402可各自独立地为含金属层。滑块404包括衬底(例如，altic衬底)和层424(例如，含氧化铝的层)。焊盘401耦合到vcsel 410的底表面410a，并且焊盘402耦合到滑块404的顶表面404a。焊盘401、焊盘402和焊接材料403可在焊接之后共同形成触点。除了焊接材料403之外或者代替焊接材料，可使用导电粘合剂。
60.此外，设想了实施方案，其中如果例如焊盘是电隔离的或接地的，则激光二极管电极405、406中的至少一者可与用于安装在滑块上的焊盘组合。例如，焊盘(例如，焊盘401)与
vcsel 410的激光二极管电极405、406中的一者或多者之间的间距可以是零。作为另一个示例，焊盘(例如，焊盘401)的金属可以是与激光二极管电极405、406中的一个或多个激光器的金属相同的金属。
61.vcsel 410包括一个或多个腔415a-n，一个或多个激光束通过该一个或多个腔离开vcsel 410并进入定位在层424内的单个输出波导416。可使用任何合适的数量的腔，诸如约1至约16个，诸如约3至约12个。设想更多或更少数量的腔。由vcsel 410发射的一个或多个激光束中的每个激光束可以相同的频率操作并且可以是相位相干的。由vcsel 410发射的一个或多个激光束中的每束激光可具有约0.5mw至约20mw的功率水平，诸如约1mw至约10mw，诸如约2mw至约8mw，诸如约4mw至约6mw。设想更高或更低的功率水平。虽然未示出，但是可使用多模干涉(mmi)设备并将其设置在滑块404内。当使用时，mmi设备组合从腔415a-414n馈送的激光光源，并且通过单个输出波导416发射单道激光。单个输出波导416可从mmi设备发射激光光源，该激光光源包括由mmi设备接受的多道输入激光的组合功率。可使用单输出模式来集中光功率并耦合到nft(例如，nft 284)。
62.滑块焊盘425耦合到滑块404的层424的表面。滑块焊盘425耦合到多层结构，该多层结构包括第一聚酰亚胺层430、电极409、第二聚酰亚胺层432和挠曲件419。滑块焊盘425与多层结构的耦合可通过焊接材料实现。除了焊接材料407之外或者代替焊接材料，可使用导电粘合剂。
63.支撑滑块404的悬架(其一部分被示出)设置在滑块404的与焊盘402相同的表面(例如，顶表面404a)上。悬架包括挠曲件419和负载梁417。负载梁是悬架的主体。挠曲件419保持滑块404，并且挠曲件419附接到负载梁417。在操作中，负载梁417可将滑块404推向具有凹坑418的盘。在挠曲件419与滑块404之间设置有包括导线的聚酰亚胺层420。包括导线的聚酰亚胺层420用于向滑块中的部件(磁头、用于间距控制的加热器等)施加电流或电压，或者用于将信号从传感器(读取器、接触传感器、热传感器)发送到前置放大器。
64.图5是热辅助磁记录磁头万向架组件500的一部分的透视图。虽然磁头万向架组件500包括图4a和图4b中所示的vcsel结构，但是可以设想，磁头万向架组件可与本文所述的其他vcsel结构一起使用。磁头万向架组件500包括悬架501，该悬架包括上文所讨论的挠曲件419和负载梁417。包括导线的聚酰亚胺层420位于挠曲件419与滑块404之间。安装在滑块404上的vcsel 410定位于聚酰亚胺层420旁边。挠曲件419包括电极503、505。在图5中所示的配置中，vcsel定位在滑块上，使得激光二极管电极405和激光二极管电极406可分别耦合到电极503a和503b。电极503a、503b用于将电流施加到激光二极管电极。电极505耦合到滑块焊盘并且用于将电流或电压施加到滑块中的部件(例如，磁头、用于间距控制的加热器等)或者用于将信号从传感器(读取器、接触传感器、热传感器)发送到前置放大器。图4b中所示的电极440对应于电极503a，而图4a中的电极409对应于电极505。
65.图6a和图6b分别是图4a和图4b中所示的vcsel 410芯片的透视图和仰视图的示意图。图6c和图6d示出了vcsel 410芯片的非限制性变型。在图6a至图6d中所示的取向中，激光二极管电极405、406定位在vcsel 410的侧表面410e上或者耦合到vcsel的侧表面。激光二极管电极405、406从vcsel 410的侧表面410e延伸到vcsel 410的底表面410a。设置在vcsel 410的底表面410a上的焊盘401用于将vcsel 410耦合到滑块(例如，滑块404)。
66.关于vcsel 410、610和620的变型，其中设置有电极的沟槽的数量和宽度可以是可
变的。对于图6a中所示的vcsel 410，其中设置有激光二极管电极406的一部分的第一沟槽601与其中设置有激光二极管电极405的第二沟槽602分离。
67.参考图6c中所示的vcsel 610，激光二极管电极405、406设置在具有小于vcsel 610的宽度的宽度的单个沟槽612中。类似地，关于图6d中所示的vcsel 620，激光二极管电极405、406设置在具有与vcsel 620的宽度尺寸相同或基本上相同的宽度的单个沟槽622中。在一些实施方案中，沟槽622延伸到vcsel 620的其他侧面。这可以使得能够更简单地制造vcsel。例如，当沟槽622延伸到位于腔815a-n(如图8所示)附近的侧面时，沟槽622可减少例如在切割操作期间对腔的损坏。类似于vcsel 410，vcsel 610和620可经由焊盘401定位在滑块(例如，滑块404)上。此外，类似于vcsel 410，vcsel 610和620的激光二极管电极405和406可耦合到hga的电极503a、503b。
68.图7a和图7b分别是vcsel 710芯片的透视图和仰视图的示意图。图7a和图7b的各种元件(诸如焊盘401、腔415a-n和悬架上的电极503a、503b)可与上文关于图4a和图4b所描述的那些元件相同或类似。在图7a和图7b中所示的取向中，激光二极管电极705、706分别定位在vcsel 710的两个不同表面(侧表面710e和710d)上或耦合到vcsel的两个不同表面。激光二极管电极705、706从它们相应的侧表面延伸到vcsel 710的底表面710a。
69.参考图7b，激光二极管电极705耦合到hga的悬架(例如，磁头万向架组件500)的电极503a，并且激光二极管电极706耦合到悬架的电极503b。设置在vcsel 710的底表面710a上的焊盘401用于将vcsel 710耦合到滑块。vcsel 710可定位在滑块(诸如图4a和图4b中所示的滑块404)上，尽管激光二极管电极705、706相对于滑块的取向是不同的。vcsel 710芯片的性质、特性和用途(例如，在hga组件、磁介质驱动器等中)可与上文所讨论的vcsel 410芯片的那些性质、特性和用途相同或类似。
70.图8a是根据一些实施方案的具有安装到其的vcsel 810芯片的滑块804的侧视图的示意图800。示意图800可以是hga的一部分。图8b和图8c分别是图8a中所示的vcsel 810的透视图和仰视图。图8a至图8c是vcsel的特殊情况，其中激光二极管电极位于vcsel 810的前表面810f上。在这些实施方案中，悬架可包括如图8a中所示的双层电极，而vcsel 410、vcsel 610、vcsel 620和vcsel 710包括在悬架上的单层电极。
71.参考图8a，vcsel 810经由焊盘801、焊盘802和焊接材料803安装到滑块804。焊盘801和焊盘802可各自独立地为含金属层。滑块804包括衬底(例如，altic衬底)和层824(例如，含氧化铝的层)。焊盘801耦合到vcsel 810的底表面810a，并且焊盘802耦合到滑块804的顶表面804a。焊盘801、焊盘802和焊接材料803可在焊接之后共同形成触点。除了焊接材料803之外或者代替焊接材料，可使用导电粘合剂。
72.激光二极管电极805耦合到vcsel 810的前表面(例如，前表面810f)或定位在vcsel的前表面上。虽然仅示出一个激光二极管电极805耦合到前表面810f，但是另一个激光二极管电极(例如，图8b中所示的激光二极管电极806)耦合到vcsel 810的同一前表面810f。如图8b和图8c中所示，激光二极管电极805、806从vcsel 810的前表面810f延伸到vcsel 810的底表面810a。
73.vcsel 810包括一个或多个腔815a-n，一个或多个激光束通过该一个或多个腔离开vcsel 810并进入定位在层824内的单个输出波导816。可使用任何合适的数量的腔，诸如约1至约16个，诸如约3至约12个。设想更多或更少数量的腔。由vcsel 810发射的一个或多
个激光束中的每个激光束可以相同的频率操作并且可以是相位相干的。由vcsel 810发射的一个或多个激光束中的每束激光可具有约0.5mw至约20mw的功率水平，诸如约1mw至约10mw，诸如约2mw至约8mw，诸如约4mw至约6mw。设想更高或更低的功率水平。虽然未示出，但是可使用多模干涉(mmi)设备并将其设置在滑块804内。当使用时，mmi设备组合从腔815a-814n馈送的激光光源，并且通过单个输出波导816发射单道激光。单个输出波导816可从mmi设备发射激光光源，该激光光源包括由mmi设备接受的多道输入激光的组合功率。可使用单输出模式来集中光功率并耦合到nft(例如，nft 284)。
74.参考图8a，滑块焊盘825耦合到滑块804的层824的表面。滑块焊盘825和激光二极管电极805耦合到多层结构，该多层结构包括下电极809a、设置在下电极809a上方的聚酰亚胺层811以及设置在聚酰亚胺层811上方的上电极809b。滑块焊盘825和激光二极管电极805与多层结构的耦合可分别通过焊接材料807a和807b来实现。除了焊接材料807a、807b之外或者代替焊接材料，可使用导电粘合剂。激光二极管电极806也以与激光二极管电极805相同或类似的方式耦合到多层结构。
75.支撑滑块804的悬架(其一部分被示出)设置在滑块804的与焊盘802相同的表面(例如，顶表面804a)上。在图8a中示出了悬架的一部分。悬架包括挠曲件819和负载梁817。负载梁是悬架的主体。挠曲件819保持滑块804，并且挠曲件819附接到负载梁817。在操作中，负载梁817可将滑块804推向具有凹坑818的盘。在挠曲件819与滑块804之间设置有包括导线的聚酰亚胺层820。导线层用于向滑块中的部件(磁头、用于间距控制的加热器等)施加电流或电压，或者用于将信号从传感器(读取器、接触传感器、热传感器)发送到前置放大器。在vcsel 810的仰视图(图8c)中示出了悬架上的电极821a、821b。在图8c中，电极821a和821b对应于上电极809b。图8c还示出了vcsel 810的定向移动，例如跨磁道方向和下磁道方向。
76.与图4a的一个不同之处在于激光二极管电极805、806不以与图4a中所示相同的方式耦合到多层结构。vcsel 810可以类似于图5中所示的任何合适的方式定位在hga上。vcsel 810芯片的性质、特性和用途(例如，在hga组件、磁介质驱动器等中)可与上文所讨论的vcsel 410芯片的那些性质、特性和用途相同或类似。
77.本文所述的vcsel使得例如主动对准能够在它们的使用期间最大化波导与激光器之间的耦合。本文所述的vcsel具有比eeld的输出光束更大并且更圆的输出光束，这增加了与滑块模斑转换器的对准容差和耦合效率。此外，由于例如非常短的腔长度以及一种纵向模式和dbr反射镜选择性，本文所述的vcsel具有无模式跳变的运行方式，而eeld则受到模式跳变影响。模式跳变会导致在记录过程期间突然发生激光功率的微小(通常1％至2％)的变化。vcsel在制造期间不需要老化，这进一步降低了成本。由于vcsel腔体长度短于eeld，并且由于激光器安装在滑块的顶部上，因此较低的总高度允许盘与盘的间距减小，潜在地可以有更多的盘，并且hdd容量更高。
78.示例性制造工艺
79.本公开还涉及用于形成本文所述的一个或多个vcsel的一部分的制造工艺。图9是示出在用于在vcsel的侧表面上形成电极的示例性工艺1000(图10)期间在衬底上的选定操作的工艺流程图。
80.该工艺以选择衬底900a开始。衬底可由合适的衬底材料901形成。适用于衬底材料
901的材料包括但不限于ga、as、al、in、它们的合金以及它们的组合。适用于衬底材料901的材料的说明性但非限制性示例包括gaas、alas、algaas、ingaas、ingaasn、gaasn、gaasp、inp、ingaasp。
81.然后在操作1010处，通过合适的方法蚀刻衬底材料901以形成沟槽905。用以形成晶圆900b的该蚀刻工艺可为单步蚀刻处理或多步蚀刻处理(例如，两步蚀刻处理、三步蚀刻处理或更多步骤)。多蚀刻处理的每个步骤所蚀刻的区域可以不同。蚀刻可通过干蚀刻等离子体、利用湿蚀刻剂、离子铣削、反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻或它们的组合来执行。可执行操作1010的蚀刻工艺以便形成n个深度的n个沟槽。例如，可形成具有第一深度的第一沟槽，可形成具有第二深度的第二沟槽，可形成具有第三深度的第三沟槽等等。沟槽的深度可以是相同的或不同的。作为操作1010的非限制性示例，蚀刻工艺可通过利用合适的蚀刻剂材料(诸如含氯材料(例如，hcl和/或cl2))的反应性离子蚀刻来实现，但可使用任何数量的气体或它们的混合物。在操作1010的蚀刻工艺期间，可利用诸如非反应性气体的载气(例如，氩气)。
82.然后，可在操作1020处沉积晶种层910以形成晶圆900c，该晶种层包括任何合适的导电材料，诸如铜(cu)或贵金属(例如金(au)、钌(ru))或它们的组合。晶种层910沉积在沟槽905中、沟槽905的一个或多个侧壁上和/或在沟槽905上方延伸的衬底的表面上。在操作1020处形成的晶种层可以是用于vcsel的电极。
83.操作1020的沉积可通过任何合适的技术(诸如溅射、原子层沉积(ald)和/或离子束沉积(ibd))执行。除了溅射、ald和/或ibd之外或作为其替代，可利用用于沉积晶种层910的其他合适的金属沉积技术，诸如电子束和/或电阻蒸发。当使用ibd时，可控制沉积的方向性。
84.在一些实施方案中，并且在沉积晶种层910之前，可在晶圆900b的至少一部分上沉积绝缘层(例如，sio2和/或al2o3)，诸如在沟槽905、沟槽905的一个或多个侧壁和/或在沟槽905上方延伸的衬底的表面中。然后，如果需要的话，可在该绝缘层的至少一部分上沉积晶种层910。
85.然后，在操作1030处，可通过任何合适的光刻工艺在晶种层910的至少一部分上在晶圆900c上将光致抗蚀剂材料915图案化。可使用喷涂、旋涂或其他合适的方法来形成光致抗蚀剂材料915。其上设置有光致抗蚀剂材料的晶圆900d用于在下文所讨论的后续操作中控制含金属层的电镀。在一些实施方案中，可选择光致抗蚀剂材料915的厚度，使得光致抗蚀剂材料915在后续操作(例如，电镀之后的操作)中被移除，并且厚度可在约3μm至约15μm的范围内，诸如约4μm至约12μm。设想具有较大或较小厚度的光致抗蚀剂材料915。如果需要，可执行使用例如o2和/或水与氢氧化铵(nh4oh)的组合的等离子体清洁，以清除留在晶种层910的不期望部分上的任何光致抗蚀剂。
86.一旦形成由光致抗蚀剂材料915限定的开口区域，则在操作1040处通过合适的方法将金属板920沉积在晶圆900d的至少一部分上，以形成晶圆900e。例如，金属板920可电镀到晶种层910的至少一部分上，诸如晶种层在沟槽或其侧壁中的部分上，以及电镀到晶种层910在沟槽905上方的表面上。金属板920可包括非金属。可用于操作1040的金属的说明性而非限制性示例包括au、cu、pd、pt或它们的组合，尽管设想其他金属。金属板920的厚度可以变化。在一些实施方案中，金属层920的厚度是约1μm至约15μm，诸如约2μm至约10μm，诸如约
3μm至约5μm。设想更大或更小厚度的金属板920。
87.金属板920可通过电镀沉积，但是也可使用其他沉积方法，诸如溅射、真空蒸发和/或离子束沉积。当使用溅射、真空蒸发和/或离子束沉积时，如果需要，可跳过操作1020(晶种层910的形成)。
88.然后，在操作1050处，通过任何合适的方法(诸如铣削)从晶圆900e去除光致抗蚀剂材料915的至少一部分和/或晶种层910的至少一部分。如由晶圆900f所示，在操作1050期间移除的晶种层910的部分可包括先前设置在光致抗蚀剂材料915下方的那些晶种层。
89.操作1050的铣削工艺可利用一种或多种溶剂、等离子体清洁或它们的组合来执行。现在形成的晶圆900f包括各种暴露表面，诸如衬底材料901的暴露表面、金属板920的暴露表面和/或晶种层910的暴露表面。如果需要，可在多于一个操作中执行操作1050，借此在晶种层910的至少一部分之前移除光致抗蚀剂材料915的至少一部分。在一些实施方案中，可在移除晶种层910期间或之后通过例如铣削来移除金属板920的一部分。由于金属板920的厚度比晶种层910厚，所以金属板920区域外侧的晶种层910被去除，而金属板920保留。
90.另选地，并且在一些实施方案中，晶种层910可在金属板920的电镀之前使用光刻法来进行图案化，使得用于形成vcsel的示例性工艺1000可以不铣削晶种层910。
91.然后可执行任选操作1060，以在晶圆900f的一个或多个暴露部分上沉积抗蚀剂涂层925，从而形成晶圆900g。可使用喷涂、旋涂和/或其他合适的方法来形成抗蚀剂涂层925。用于抗蚀剂涂层925的光致抗蚀剂类型的说明性但非限制性示例可包括uv负性抗蚀剂、g/i线正性抗蚀剂、krf正性抗蚀剂和/或arf正性抗蚀剂。除了光致抗蚀剂之外或者作为其替代，可使用通过溶液溶解的树脂。如由晶圆900g所示，沉积在金属板920的至少一部分、晶种层910的至少一部分、衬底材料901的至少一部分或它们的组合上形成抗蚀剂涂层925。抗蚀剂涂层用于例如在后续切割操作期间保护金属板920、晶种层910、衬底材料901或它们的组合。
92.然后，在操作1070处，晶圆900g被切割、切片、劈裂或以其他方式切削成一个或多个单独芯片900h。这里，并且在一些实施方案中，使用合适的方法用刀片、锯、划线、激光切割、隐形切割和/或其他合适的装置沿沟槽905将晶圆切削成离散裸片。
93.如果一个或多个单独芯片900h包括抗蚀剂涂层925(例如，在任选操作1060期间形成)，则可在切割操作之后移除抗蚀剂涂层925以形成晶圆900i。抗蚀剂涂层925的去除可通过例如将晶圆浸渍在抗蚀剂去除溶液中、将晶圆放置在o2灰化器中和/或其他合适的方法来执行。
94.其他操作可包括在示例性工艺1000的一个或多个操作之前和/或之后清洁晶圆。清洁可通过合适的方法执行，诸如浸渍在清洁溶液中、超声波清洁、uv/o3清洁、刷子清洁、抛光和/或co2清洁。
95.设想用于形成vcsel的说明性但非限制性的其他示例性工艺方案，其中激光二极管电极形成在vcsel的侧表面上。
96.在实施方案中，一种用于形成垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备的方法包括：在衬底中形成沟槽；在沟槽中形成两个激光二极管电极；以及在形成两个激光二极管电极之后，沿着沟槽切削衬底以形成vcsel，该vcsel包括：用于安装在滑块上的芯片，该芯片具有六个表面，其中芯片的第一表面用于面向滑块，芯片的第二表面与第一表面相对，两个激光
二极管电极以任何组合定位在第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。
97.在另一个实施方案中，一种用于形成垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备的方法包括：在衬底中刻蚀一个或多个沟槽；在一个或多个沟槽中形成两个激光二极管电极；在形成两个激光二极管电极之后，沿着一个或多个沟槽切削衬底以形成vcsel，该vcsel包括：用于安装在滑块上的芯片，该芯片具有六个表面，其中芯片的第一表面用于面向滑块，芯片的第二表面与第一表面相对，并且两个激光二极管电极以任何组合定位在第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。
98.在另一个实施方案中，一种用于形成垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备的方法包括：在衬底中蚀刻形成在其中的一个或多个沟槽；在衬底上沉积包括导电材料的晶种层；在晶种层上将光致抗蚀剂材料图案化；在晶种层的不含光致抗蚀剂材料的至少一部分上电镀含金属材料；从衬底去除光致抗蚀剂材料和晶种层的一部分；以及在去除光致抗蚀剂材料和晶种层的一部分之后沿着衬底的一个或多个沟槽切削衬底以形成本文所述的vcsel设备。
99.在一些实施方案中，一种用于形成vcsel设备(诸如本文所述的那些)的方法包括：在衬底中形成沟槽；在沟槽中形成激光二极管电极；以及在形成激光二极管电极之后，沿着沟槽切削衬底以形成vcsel。激光二极管电极可通过以下方式形成：例如，在衬底上沉积包括导电材料的晶种层；在晶种层上将光致抗蚀剂材料图案化；以及在晶种层的不含光致抗蚀剂材料的至少一部分上电镀含金属材料。可通过各种操作来沉积晶种层，包括但不限于溅射、原子层沉积、离子束沉积或它们的组合。
100.图11a和图11b示出了根据一些实施方案的示例性vcsel芯片的一部分的透视图。如所示出，vcsel芯片(例如，vcsel 410)被切削成例如一半。vcsel可包括沟槽1101(图11a)或突出部1102(图11b)，其位于焊盘401与激光二极管电极405、406之间或以其他方式设置在焊盘与激光二极管电极之间。vcsel与滑块(例如，滑块404)之间的焊料(例如，焊接材料403)(未示出)可在焊接过程期间膨胀并且接触vcsel的激光二极管电极405、406。沟槽1101或突出部防止(或至少减少)焊料接触vcsel的激光二极管电极405、406。
101.沟槽1101的深度可以是例如约10μm，但是它可以更大或更小。突出部的高度可等于焊盘401的厚度加上焊料的厚度，但是它可以更大或更小。在一些实施方案中，绝缘层可沉积在沟槽1101上或附近。在一些实施方案中，绝缘层可沉积在突出部1102上或附近。沟槽或突出部可用于本文所述的任何合适的vcsel。
102.提供了vcsel、用于安装vcsel的hga以及结合有此类制品的设备(诸如磁介质驱动器)。还提供了用于制造vcsel的方法。与常规vcsel不同，本文所述的实施方案实现例如主动对准以在使用期间最大化波导与激光器之间的耦合。
103.在上文中，参考了本公开的实施方案。然而，应当理解的是，本公开不限于具体描述的实施方案。相反，设想前述特征和元件的任何组合(无论是否与不同实施方案相关)以实现和实践本公开。此外，尽管本公开的实施方案可以实现优于其他可能解决方案和/或优于现有技术的优点，但是否通过给定实施方案来实现特定优点不是对本公开的限制。因此，前述方面、特征、实施方案和优点仅是说明性的，并且不被认为是所附权利要求书的要素或限制，除非在权利要求书中明确地叙述。同样地，对“本公开”的引用不应当被解释为本文公
开的任何发明主题的概括，并且不应当被认为是所附权利要求书的要素或限制，除非在权利要求书中明确地叙述。
104.出于本公开的目的，并且除非另有说明，否则本文的详细描述和权利要求内的所有数值通过“约”或“大约”指示值修改，并且考虑本领域普通技术人员预期的实验错误和变化。为了简洁起见，本文仅明确公开了某些范围。然而，任何下限的范围可以与任何上限组合以叙述未明确叙述的范围，并且任何下限的范围可以与任何其他下限组合以重新叙述未明确叙述的范围，以相同的方式，任何上限的范围可与任何其他上限组合以重新叙述未明确叙述的范围。另外，即使未明确叙述，在一个范围内包括其端点之间的每个点或个别值。因此，每个点或个别值可以作为其自身的下限或上限与任何其他点或个别值或任何其他下限或上限组合，以叙述未明确叙述的范围。
105.如本文所用，除非另有规定或上下文另有明确说明，否则不定冠词“一”应意指“至少一个”。
106.虽然前述内容针对本公开的实施方案，但是可以在不脱离本公开的基本范围的情况下设想本公开的其他和另外的实施方案，并且本公开的范围由所附权利要求书确定。

技术特征：
1.一种垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备，所述设备包括：用于安装在滑块上的芯片，所述芯片具有六个表面，其中：所述芯片的第一表面用于面向所述滑块；所述芯片的第二表面与所述第一表面相对；和两个激光二极管电极，所述两个激光二极管电极以任何组合定位在所述芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。2.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中所述两个激光二极管电极定位在所述第三表面上。3.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中所述两个激光二极管电极定位在所述第三表面和所述第四表面上。4.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中在所述第一表面中设置一个或多个激光孔。5.根据权利要求4所述的vcsel设备，其中所述vcsel设备能够发射对应于所述一个或多个激光孔的一道或多道激光。6.根据权利要求4所述的vcsel设备，其中所述一个或多个激光孔包括2至16个激光孔。7.根据权利要求4所述的vcsel设备，其中，当所述vcsel设备具有设置在所述第一表面中的多个激光孔时，所述多个激光孔：由为约1μm至约20μm的距离间隔开；直线排列；以相同频率操作；或者它们的组合。8.根据权利要求1所述的vcsel设备，所述vcsel设备还包括沟槽，其中所述激光二极管电极中的每一者定位在所述沟槽中。9.根据权利要求1所述的vcsel设备，所述vcsel设备还包括第一沟槽和第二沟槽，其中所述两个激光二极管电极中的第一激光二极管电极定位在所述第一沟槽中，并且所述两个激光二极管电极中的第二激光二极管定位在所述第二沟槽中。10.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，所述vcsel设备能够发射多道激光，所述多道激光是相位相干的。11.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中所述vcsel设备还包括：具有沉积在其上的金属层的沟槽；和所述芯片的所述第一表面上的电极，所述电极耦合到所述金属层，所述芯片的所述第一表面上的所述电极是与所述两个激光二极管电极不同的电极。12.根据权利要求11所述的vcsel设备，其中所述金属层的一部分设置在侧表面上。13.一种磁介质驱动器，所述磁介质驱动器包括根据权利要求1所述的vcsel设备。14.一种磁头万向架组件，所述磁头万向架组件包括：悬架；安装在所述悬架上的滑块；和安装在所述滑块上的垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备，所述vcsel设备包括：用于安装在所述滑块上的芯片，所述芯片具有六个表面，其中：所述芯片的第一表面耦合到所述滑块的顶表面；并且
所述芯片的第二表面与所述第一表面相对；和两个激光二极管电极，所述两个激光二极管电极以任何组合定位在所述芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。15.根据权利要求14所述的磁头万向架组件，其中所述两个激光二极管电极连接到所述悬架的一个或多个电极。16.根据权利要求14所述的磁头万向架组件，所述磁头万向架组件还包括：主极；近场换能器(nft)，所述nft耦合在所述主极与前罩之间；和耦合到所述nft的波导结构，所述波导结构包括耦合到所述nft的第一波导。17.根据权利要求16所述的磁头万向架组件，其中所述波导结构还包括：多模干涉(mmi)设备，所述mmi设备在第一端处耦合到所述第一波导；和多个第二波导，所述多个第二波导耦合到所述mmi设备的与所述第一端相对的第二端，所述多个第二波导从所述mmi设备延伸至所述滑块的所述顶表面。18.根据权利要求14所述的磁头万向架组件，其中所述两个激光二极管电极定位在所述芯片的不同表面上。19.根据权利要求14所述的磁头万向架组件，其中所述两个激光二极管电极定位在所述芯片的同一表面上。20.一种磁介质驱动器，所述磁介质驱动器包括根据权利要求14所述的磁头万向架组件。21.一种磁头万向架组件，所述磁头万向架组件包括：金属焊盘；垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备，所述vcsel设备包括：用于安装在滑块上的芯片，所述芯片具有六个表面，其中：所述芯片的第一表面用于面向所述滑块；所述第一表面耦合到所述金属焊盘；并且所述芯片的第二表面与所述第一表面相对；和两个激光二极管电极，所述两个激光二极管电极以任何组合定位在所述芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。22.根据权利要求21所述的磁头万向架组件，其中所述金属焊盘的金属与所述两个激光二极管电极中的至少一者的金属组合。23.一种磁介质驱动器，所述磁介质驱动器包括根据权利要求21所述的磁头万向架组件。24.一种磁头万向架组件，所述磁头万向架组件包括：垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备，所述vcsel设备包括：用于安装在滑块上的芯片，所述芯片具有六个表面，其中：所述芯片的第一表面用于面向所述滑块；所述芯片的第二表面与所述第一表面相对；和两个激光二极管电极，所述两个激光二极管电极以任何组合定位在所述芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上；
金属焊盘，所述金属焊盘耦合到所述芯片的所述第一表面；和沟槽或突出部，所述沟槽或所述突出部位于所述两个激光二极管电极与所述金属焊盘之间。25.一种磁介质驱动器，所述磁介质驱动器包括根据权利要求24所述的磁头万向架组件。26.一种用于形成垂直腔表面发射激光器(vcsel)设备的方法，所述方法包括：在衬底中形成沟槽；在所述沟槽中形成两个激光二极管电极；以及在形成所述两个激光二极管电极之后，沿着所述沟槽切削所述衬底以形成vcsel，所述vcsel包括：用于安装在滑块上的芯片，所述芯片具有六个表面，其中：所述芯片的第一表面用于面向所述滑块；所述芯片的第二表面与所述第一表面相对；和所述两个激光二极管电极，所述两个激光二极管电极以任何组合定位在第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。27.根据权利要求26所述的方法，其中在所述沟槽中形成两个激光二极管电极包括：在所述衬底上沉积包括导电材料的晶种层；在所述晶种层上将光致抗蚀剂材料图案化；以及在所述晶种层的不含所述光致抗蚀剂材料的至少一部分上电镀含金属材料。28.根据权利要求27所述的方法，其中通过溅射、原子层沉积、离子束沉积或它们的组合来沉积所述晶种层。29.根据权利要求27所述的方法，其中所述晶种层包括铜或贵金属。30.根据权利要求26所述的方法，其中所述衬底包括ga、as、al、in或它们的组合。31.根据权利要求26所述的方法，其中所述衬底选自由gaas、alas、algaas、ingaas、ingaasn、gaasn、gaasp、inp和ingaasp组成的组。

技术总结
本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器、用于安装垂直腔表面发射激光器的磁头万向架组件以及结合有此类制品的设备。在实施方案中，提供了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)设备。VCSEL设备包括用于安装在滑块上的芯片和两个激光二极管电极。芯片具有六个表面，其中芯片的第一表面用于面向滑块，芯片的第二表面与第一表面相对，并且两个激光二极管电极以任何组合定位在芯片的第三表面、第四表面、第五表面或第六表面中的一者或多者上。第五表面或第六表面中的一者或多者上。第五表面或第六表面中的一者或多者上。


技术研发人员：松本拓也
受保护的技术使用者：西部数据技术公司
技术研发日：2022.02.16
技术公布日：2023/10/20