基板制造装置的制作方法

1.本发明涉及一种基板制造装置。


背景技术：

2.专利文献1公开了由氮化镓锭生成氮化镓基板的方法。具体而言，在氮化镓的锭内部的一定深度，通过一边以一定速度扫描脉冲激光的聚光点一边照射脉冲激光，从而形成使镓和氮析出的改质区域。通过在平面上形成多个改质区域，从而形成界面。通过将锭加热到镓熔融的温度，并且使第一保持部件和第二保持部件向相互分离的方向移动，从而将锭从界面分离而生成氮化镓基板。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2017－57103号公报


技术实现要素：

6.发明所要解决的问题
7.为了可靠地形成改质区域，需要增大赋予照射点的能量的总量。但是，如果提高激光的输出，则会通过一次照射赋予照射点大的能量，因此，有时会产生意外的裂纹等。分离的氮化镓基板的表面粗糙度会变大。
8.解决问题的技术手段
9.本发明的一方面的基板制造装置具备供半导体基板配置的载台。基板制造装置具备向配置于载台的半导体基板照射规定脉冲周期的脉冲激光的照射部。基板制造装置具备控制载台和照射部的相对位置的控制部。照射部生成以规定间距在直线上排列的多个聚光点。控制部使载台和照射部的相对位置以规定速度与多个聚光点排列的直线平行地移动。规定速度是多个聚光点在规定脉冲周期的1周期移动的距离与规定间距相同的速度。
10.在本发明的一方面的基板制造装置中，使多个聚光点沿多个聚光点排列的直线方向移动。再有，多个聚光点在规定脉冲周期的1周期移动的距离与规定间距相同。由此，能够向同一照射点照射脉冲激光的多个聚光点。因此，能够通过多个聚光点分多次对同一照射点赋予能量。与通过一次照射对照射点赋予能量的情况相比，能够在将赋予的能量的总量设为同等以上的同时，减少每一次照射的激光输出。能够抑制意外的裂纹等的产生。
11.照射部也可以具备多个激光光源。也可以通过多个激光光源生成多个聚光点。
12.多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲能量也可以与其它的聚光点的脉冲能量不同。
13.多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲能量也可以小于行进方向的后侧的聚光点的脉冲能量。
14.多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲能量也可以大于行进方向的后侧的聚光点的脉冲能量。
15.多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲宽度也可以与其它的聚光点的脉冲宽度不同。
16.多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲宽度也可以小于行进方向的后侧的聚光点的脉冲宽度。
17.多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲宽度也可以大于行进方向的后侧的聚光点的脉冲宽度。
18.多个聚光点中的一部分的聚光点的波长也可以与其它的聚光点的波长不同。
19.多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的波长也可以大于行进方向的后侧的聚光点的波长。
20.多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的波长也可以比行进方向的后侧的聚光点的波长小。
21.也可以还具备测定通过多个聚光点形成于载台上的半导体基板的改质区域的测定部。照射部也可以根据基于测定部的测定结果，控制多个聚光点的数量。
22.测定部也可以测定改质区域的大小。照射部也可以控制为改质区域的大小越小，多个聚光点的数量越多。
23.发明的效果
24.本发明能够提供可抑制意外的裂纹等的产生的基板制造装置。
附图说明
25.图1是第一实施方式的基板制造装置的概略结构图。
26.图2是表示多个聚光点的概略图。
27.图3是表示多个扫描线的概略图。
28.图4是表示多个聚光点移动的情形的图。
29.图5是表示第一实施方式的基板制造方法的流程图。
30.图6是表示形成有改质层的锭的一个例子的图。
31.图7是第二实施方式的基板制造装置的概略结构图。
具体实施方式
32.以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细的说明。此外，在各图中，对相同或相当的部分标注相同的符号，并省略重复的说明。
33.[第一实施方式]
[0034]
[基板制造装置的结构]
[0035]
图1是基板制造装置1的概略结构图。基板制造装置1具备载台驱动部11、载台12、照射部13、测定部14以及控制部15。载台驱动部11、照射部13及测定部14由控制部15控制。控制部15例如为pc。在载台12上配置作为加工对象的锭(半导体基板)30。
[0036]
照射部13是对配置于载台12的锭30照射规定脉冲周期的脉冲激光的部位。照射部13具备激光光源21、空间光调制器23及聚光透镜24。激光光源21是输出对锭30具有透过性的激光的装置。在第一实施方式中，脉冲激光的振荡频率为50khz(即，脉冲周期为0.02ms)，脉冲激光的波长为532nm。
[0037]
空间光调制器23是调制从激光光源21输出的脉冲激光pl的相位的装置。在第一实施方式中，空间光调制器23是基于反射型液晶(lcos：liquid crystal on silicon)的空间光调制器。能够通过空间光调制器23自由地形成光束图案。另外，空间光调制器23能够进行脉冲激光pl的调制，使得多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲能量与其它的聚光点的脉冲能量不同。在第一实施方式中，进行脉冲激光pl的调制，以形成下述的六个聚光点p1～p6。此外，聚光点的数量能够自如地变更，不限于六个。另外，各聚光点中的脉冲能量也能够个别地设定。
[0038]
聚光透镜24对由空间光调制器23调制的脉冲激光进行聚光。由此，能够在从聚光透镜24离开聚光距离fd的位置形成六个聚光点p1～p6。在图2中，是多个聚光点p1～p6所在的深度处的锭30的截面图。即，图2是形成有改质层l1的面上的锭30的截面图。聚光点p1～p6在沿x方向延伸的直线lx上排列。照射部13生成多个聚光点p1～p6。聚光点p1～p6以规定间距pp等间隔地排列。在第一实施方式中，规定间距pp为5μm，聚光点p1～p6各自的峰输出为0.025w，是相同的。
[0039]
通过控制部15控制载台驱动部11，能够使载台12沿x、y、z方向移动。即，控制部15通过载台驱动部11控制载台12和照射部13的相对位置。控制部15使载台12和照射部13的相对位置(换言之，照射部13相对于载台12的位置、或载台12相对于照射部13的位置)以规定速度与多个聚光点p1～p6排列的直线lx平行地移动。测定部14是测定形成于锭30的内部的多个改质区域ma的部位。关于改质区域ma，在后面叙述。在第一实施方式中，测定部14是相机。
[0040]
[聚光点的扫描处理]
[0041]
如图3所示，通过控制部15控制载台驱动部11，能够在扫描线sl1～sl6上扫描聚光点p1～p6。在扫描线sl1～sl6的各个中，通过使载台12向－x方向移动，能够使图2所示的聚光点p1～p6向+x方向的行进方向td移动。即，在扫描线sl1～sl6的各个中，聚光点p1～p6在聚光点p1～p6排列的直线lx上移动。
[0042]
扫描线sl1～sl6的扫描以规定速度进行。规定速度是聚光点p1～p6在脉冲激光的1周期(0.02ms)移动的距离与规定间距pp(5μm)相同的速度。在第一实施方式中，规定速度为250mm/s。
[0043]
使用图4进行说明。在图4的(a)～(f)中，按脉冲激光的每一周期表示聚光点p1～p6向行进方向td移动的情形。在此，着眼于某一个照射点ip。在图4的(a)中，通过聚光点p1，对照射点ip进行第一次脉冲激光的照射。在经过1周期(0.02ms)后的图4的(b)中，通过聚光点p2，对照射点ip进行第二次脉冲激光的照射。以下相同，在经过5周期(0.10ms)后的图4的(f)中，通过聚光点p6，对照射点ip进行第六次脉冲激光的照射。由此，通过利用六个聚光点p1～p6分6次赋予能量，能够在照射点ip形成改质区域ma。即，能够分为形成微小的改质区域ma(改质区域ma的种)的种形成步骤和将形成的改质区域ma放大的放大步骤而形成改质区域ma。于是，能够以在扫描线sl1～sl6上以规定间距pp(5μm)排列的状态形成照射点ip。
[0044]
如上所述，聚光点p1～p6各自的脉冲能量可通过空间光调制器23个别地设定。因此，能够设定各种脉冲能量。例如，也可以使聚光点p1～p6的脉冲能量相等(第一能量设定)。也可以使行进方向td的前侧的聚光点的脉冲能量比行进方向td的后侧的聚光点的脉冲能量小(第二能量设定)。也可以使行进方向td的前侧的聚光点的脉冲能量比行进方向td
的后侧的聚光点的脉冲能量大(第三能量设定)。因为峰输出[w]是脉冲能量[j]除以脉冲宽度[s]计算出的，所以在脉冲宽度恒定的情况下，越增大脉冲能量，越能够增大峰输出。在第一能量设定中，能够在多个照射点ip的各个中线性地增加能量的累计量。在第二能量设定中，能够在照射的前半部分减小能量累计量，在后半部分增大能量累计量。在第三能量设定中，能够在照射的前半部分增大能量累计量，在后半部分减小能量累计量。
[0045]
此外，在第二及第三能量设定中，脉冲能量变化的方式也可以多种多样。例如，脉冲能量可以随着向行进方向td的前侧行进而线性地变化，脉冲能量也可以按多个聚光点的每个阶段状地变化。
[0046]
[基板制造方法]
[0047]
使用图5的流程对第一实施方式的基板制造方法进行说明。基板制造方法具备步骤s10的照射工序、步骤s30的分离工序、步骤s40的研磨工序。
[0048]
对步骤s10的照射工序进行说明。照射工序是在锭内形成n个(n为1以上的自然数)改质层的工序。图6是表示通过照射工序形成有改质层的锭30的一个例子的图。图6表示锭30的俯视图及侧视图。在第一实施方式中，对改质层的数量为四个的情况进行说明。锭30由氮化镓(gan)的单晶形成。gan单晶为无色。在锭30形成有从表面30s起的深度分别不同的四个改质层l1～l4。锭30被四个改质层l1～l4分割为五个基板层31～35。
[0049]
改质层是多个改质区域存在于x－y平面内的层。改质区域是密度、折射率、机械强度、其它物理特性与初始状态的gan晶体不同的区域。如后面所述，改质区域是通过被脉冲激光的聚光点局部加热而gan的氮成为气体并蒸发而形成的区域。在改质区域析出镓，改质区域具有黑色。
[0050]
步骤s10的照射工序具备步骤s11～s19。在步骤s11中，调整载台12的z方向高度，使得聚光点p位于形成第k层(k为1以上n以下的自然数)改质层lk的深度。在图1的例子中，最下层的改质层l1为形成于距表面30s深度d1的位置的改质层。
[0051]
在步骤s12中，扫描一条扫描线(参照图3)。在步骤s13中，判断所有扫描线的扫描是否完成。在判断为否定的情况下(s13：否)，进入步骤s14。在步骤s14中，判断是否扫描了预定的规定数量的扫描线(例：三条)。在判断为否定的情况下(s14：否)，返回步骤s12，进行下一次扫描。在判断为肯定的情况下(s14：是)，进入步骤s15，进行改质区域的测定。由此，能够在每次进行规定数量的扫描时进行改质区域的测定。
[0052]
步骤s15的测定使用测定部14进行。例如也可以是通过相机拍摄多个改质区域ma，由控制部15进行图像处理，由此求出多个改质区域各自的大小，并计算平均值。
[0053]
在步骤s16中，进行改质区域ma的大小是否在预定的容许范围内的判断。在是容许范围内的情况下，判断为适当地形成有改质区域ma，返回步骤s12。然后，进行下一次扫描。
[0054]
另一方面，在改质区域ma的大小比容许范围小的情况下(s16：小)，进入步骤s17。在步骤s17中，通过调整空间光调制器23，能够不改变各聚光点中的脉冲能量而增加聚光点的数量。然后，返回步骤s12，进行下一次扫描。由此，在下一次之后的扫描中，能够增加对改质区域ma赋予的能量的累计量，因此，能够放大改质区域ma的大小。
[0055]
另外，在改质区域ma的大小比容许范围大的情况下(s16：大)，进入步骤s18。在步骤s18中，通过调整空间光调制器23，不改变各聚光点中的脉冲能量而减少聚光点的数量。然后，返回步骤s12，进行下一次扫描。由此，在下一次之后的扫描中，能够减少对改质区域
ma赋予的能量的累计量，因此，能够缩小改质区域ma的大小。
[0056]
此外，聚光点的增加数量或减少数量不限于一个。例如，也可以根据测定出的改质区域ma的大小和容许范围的差分值，增减两个以上。即，照射部13根据基于测定部14的测定结果，控制多个聚光点的数量。照射部13也可以控制为改质区域ma的大小越小，多个聚光点的数量越多。
[0057]
如果所有扫描线的扫描完成，则在步骤s13中判断为结束(s13：是)，进入步骤s19。
[0058]
在步骤s19中，判断是否形成有最上层的改质层。在判断为否定的情况下(s19：否)，进入s20，使载台12向－z方向移动，使得聚光点p移动到形成第k+1层改质层l
k+1
的深度。然后，返回s12，形成下一个改质层l
k+1
。由此，改质层l1～l4从下依次逐层形成。即，将处于距表面30s最深的位置的改质层l1至处于最浅的位置的改质层l4依次逐一形成。由此，能够使之后的改质层的形成不被先形成的改质层的存在妨碍。
[0059]
然后，在形成有最上层的改质层l4的情况下，在步骤s19中判断为肯定(s19：是)，步骤s10的照射工序结束，进入步骤s30。
[0060]
在步骤s30的分离工序中，通过对锭30施加热或应力，使从形成于改质层l1～l4的多个改质区域ma延伸的裂纹向面内方向发展。由此，能够将形成有改质层l1～l4的位置作为边界，将锭的基板层31～35相互分离。
[0061]
进入步骤s40的研磨工序，分别对分离的基板层31～35研磨表面及背面。由此，能够去除损坏层并且进行平坦化。研磨工序例如也可以使用cmp(化学机械研磨法)进行。
[0062]
[效果]
[0063]
为了提高通过分离而形成的基板表面的平坦度，探讨了改质区域ma的巨大化。在通过激光的一次照射而形成改质区域ma的现有技术中，为了改质区域ma的巨大化，需要提高激光输出(增大赋予的能量)。但是，如果增大通过一次照射而赋予的能量，则容易产生镓的大量析出、或析出位置的上升等。这成为裂纹的产生、或基板表面的平坦度的恶化的原因。在基板制造装置1中，如在图4中说明的那样，能够通过多个聚光点分多次照射赋予能量。与通过一次照射而赋予能量的情况相比，能够在将赋予的能量的总量设为同等以上的同时，减少每一次照射的能量。因此，能够将多个聚光点各自的能量减少到不产生镓大量析出的程度。再有，通过利用多个聚光点对同一地点重复赋予能量，能够逐渐形成改质区域ma。能够在抑制镓的大量析出或析出位置的上升等的同时，将改质区域ma巨大化。
[0064]
在现有技术中，对同一照射点照射规定次数的脉冲激光之后，如果进行向下一个照射点移动这样的工作台的控制，则能够通过多次照射而形成改质区域ma。但是，一般而言，这样的工作台的位置控制是困难的。例如，考虑如第一实施方式那样，将脉冲周期设为0.02ms，将照射点间的间距设为5μm，每一个照射点照射六次脉冲激光的情况。在该情况下，需要以每经过0.1ms移动5μm的方式重复控制工作台。另外，移动时间为0.02ms。这样的位置控制是困难的，并且也产生了振动或位置偏移。另一方面，在基板制造装置1中，使工作台以恒定速度移动即可。将工作台控制为恒定速度与如上所述的重复控制相比，能够充分地提高位置精度。因此，能够高精度地进行向同一照射点的多次激光照射。
[0065]
在分为多次激光照射对gan赋予能量的情况下，如上所述，能够分为形成微小的改质区域ma(改质区域ma的种)的种形成步骤和将形成的改质区域ma放大的放大步骤进行加工。另外，如果通过一次激光照射而赋予的能量超过某能量阈值，则有时容易产生镓的大量
析出或析出位置的上升等。再有，存在能量阈值在种形成步骤和放大步骤的双方中为同等的情况。在该情况下，只要使聚光点p1～p6的脉冲能量相等即可(第一能量设定)。由此，能够使分为六次而赋予的能量分别相等。能够抑制镓的大量析出等。另外，就能量阈值而言，也存在放大步骤比种形成步骤高的情况。例如是直至形成改质区域ma的种为止为不稳定的状态，但如果形成了改质区域ma的种则变化稳定的情况。在该情况下，只要使行进方向td的前侧的聚光点的脉冲能量比行进方向td的后侧的聚光点的脉冲能量小即可(第二能量设定)。由此，与前半部分的种形成步骤相比，在后半部分的放大步骤中，能够增大峰输出。能够高效地放大改质区域ma。另外，就能量阈值而言，也存在种形成步骤比放大步骤高的情况。例如是与改质区域ma的放大相比，形成改质区域ma的种需要更高的能量的情况。在该情况下，使行进方向td的前侧的聚光点的脉冲能量比行进方向td的后侧的聚光点的脉冲能量大即可(第三能量设定)。由此，与后半部分的放大步骤相比，在前半部分的种形成步骤中，能够增大峰输出。能够高效地形成改质区域ma的种。
[0066]
在基板制造装置1中，能够在一个改质层的形成中测定改质区域ma的大小(图5、步骤s15)。于是，在改质区域ma的大小比容许范围小的情况下，通过增加聚光点的数量，能够增加对改质区域ma赋予的能量的累计量(步骤s17)。另一方面，在改质区域ma的大小比容许范围大的情况下，通过减少聚光点的数量，能够减少对改质区域ma赋予的能量的累计量(步骤s18)。能够通过in－situ的反馈控制形成适当的大小的改质区域ma。
[0067]
[第二实施方式]
[0068]
第二实施方式的基板制造装置1a(图7)与第一实施方式的基板制造装置1(图1)相比，具备多个激光光源21a及22a这一点不同。通过对与第一实施方式的基板制造装置1共同的部位标注相同的符号，省略说明。
[0069]
照射部13a具备激光光源21a及22a。通过调制从激光光源21a输出的脉冲激光pl1，形成有聚光点p1～p3。通过调制从激光光源22a输出的脉冲激光pl2，形成有聚光点p4～p6。脉冲激光pl1和脉冲激光pl2的振荡频率及波长相同，但脉冲宽度不同。因此，聚光点p1～p3和聚光点p4～p6的脉冲宽度不同。另外，空间光调制器23调制脉冲激光pl1及pl2，使得聚光点p1～p6各自的脉冲能量相同。
[0070]
脉冲宽度能够设定为多种。例如，也可以使聚光点p1～p6的脉冲宽度相等(第一脉冲宽度设定)。也可以使行进方向td的前侧的聚光点p1～p3的脉冲宽度比后侧的聚光点p4～p6的脉冲宽度小(第二脉冲宽度设定)。也可以使聚光点p1～p3的脉冲宽度比聚光点p4～p6的脉冲宽度大(第三脉冲宽度设定)。因为峰输出[w]是脉冲能量[j]除以脉冲宽度[s]计算出的，所以在脉冲能量恒定的情况下，越减小脉冲宽度，越能够增大峰输出。
[0071]
如上所述，如果通过一次激光照射而赋予的能量超过能量阈值，则容易产生镓的大量析出等。再有，存在能量阈值在种形成步骤和放大步骤的双方中为同等的情况。在该情况下，使聚光点p1～p6的脉冲宽度相等即可(第一脉冲宽度设定)。由此，能够使分六次赋予的能量分别相等。
[0072]
另外，就能量阈值而言，也存在种形成步骤比放大步骤高的情况。在该情况下，使行进方向td的前侧的聚光点p1～p3的脉冲宽度比后侧的聚光点p4～p6的脉冲宽度小即可(第二脉冲宽度设定)。由此，与后半部分的放大步骤相比，在前半部分的种形成步骤中，能够增大峰输出。能够高效地形成改质区域ma的种。
[0073]
另外，就能量阈值而言，也存在放大步骤比种形成步骤高的情况。在该情况下，使前侧的聚光点p1～p3的脉冲宽度比后侧的p4～p6的脉冲宽度大即可(第三脉冲宽度设定)。由此，与前半部分的种形成步骤相比，在后半部分的放大步骤中，能够增大峰输出。能够高效地放大改质区域ma。
[0074]
在对同一照射点照射规定次数的脉冲激光时，不易改变脉冲宽度。例如，考虑如第二实施方式那样，将脉冲周期设为0.02ms，对每一个照射点照射六次脉冲激光的情况。在该情况下，需要在0.1ms的周期改变脉冲宽度，但不易对激光光源进行这样的控制。另一方面，在第二实施方式的基板制造装置1a中，具备脉冲宽度不同的多个激光光源即可。由此，能够对同一照射点照射具备互不相同的脉冲宽度的多个聚光点。
[0075]
[变形例]
[0076]
以上，对本发明的实施例进行了详细的说明，但这些仅为例示，并不限定本发明的范围。在权利要求书所记载的技术中包含对以上例示的具体例进行各种变形、变更后的技术。
[0077]
在第二实施方式中，对使脉冲宽度在激光光源21a和激光光源22a中不同的情况进行了说明，但不限于该方式，也可以使各种参数不同。例如，也可以使波长在激光光源21a和激光光源22a中不同。通过使波长不同，能够使gan的吸收系数不同。此外，因为gan吸收波长比362nm短的激光，所以需要设为比该波长长的波长。波长能够设定为多种。例如，也可以使聚光点p1～p6的波长相等(第一波长设定)。也可以使行进方向td的前侧的聚光点p1～p3的波长比后侧的聚光点p4～p6的波长大(第二波长设定)。也可以使聚光点p1～p3的波长比聚光点p4～p6的波长小(第三波长设定)。此外，关于使用哪种波长设定，能够根据gan的吸收系数相对于波长的变化而适当地确定。
[0078]
在本发明中，对在多个聚光点中使脉冲能量、脉冲宽度、波长中的任一个不同的情况进行了说明，但不限于该方式。也可以使脉冲能量、脉冲宽度、波长中的两个以上不同。例如，也可以使聚光点p1～p3的脉冲能量比聚光点p4～p6的脉冲能量小，并且使聚光点p1～p3的脉冲宽度比聚光点p4～p6的脉冲宽度大。由此，与前半部分的种形成步骤相比，在后半部分的放大步骤中，能够增大峰输出。
[0079]
另外，在多个聚光点中不同的参数不限于脉冲能量、脉冲宽度、波长，也可以是多种多样的。例如，也可以使脉冲波形不同。
[0080]
本发明的技术不限于氮化镓(gan)，能够应用于各种化合物半导体的基板形成。例如，能够应用于氮化铝(aln)或氮化铟(inn)等其它种类的氮化物半导体的基板的形成。
[0081]
本发明的数值为例示，不限于上述值。即，图3的扫描线sl1～sl6的条数为一个例子。图6中的改质层或基板层的数量为一个例子。脉冲激光的周期、规定间距pp、峰输出的值为一个例子。在第二实施方式的基板制造装置1a(图7)中，激光光源的数量不限于两个，也可以是三个以上。
[0082]
在本说明书或附图中说明的技术要素单独或者通过各种组合而发挥技术有用性，不限于申请时权利要求书记载的组合。另外，在本说明书或附图中例示的技术可同时实现多个目的，实现其中的一个目的本身具有技术有用性。
[0083]
符号的说明
[0084]
1、1a
…
基板制造装置、11
…
载台驱动部、12
…
载台、13
…
照射部、14
…
测定部、15
…
控制部、21
…
激光光源、23
…
空间光调制器、24
…
聚光透镜、30
…
锭、ma
…
改质区域、p1～p6
…
聚光点、pp
…
规定间距。

技术特征：
1.一种基板制造装置，其中，具备：载台，其供半导体基板配置；照射部，其向配置于所述载台的所述半导体基板照射规定脉冲周期的脉冲激光；及控制部，其控制所述载台和所述照射部的相对位置，所述照射部生成以规定间距在直线上排列的多个聚光点，所述控制部使所述载台和所述照射部的相对位置以规定速度与所述多个聚光点排列的直线平行地移动，所述规定速度是所述多个聚光点在所述规定脉冲周期的1周期移动的距离与所述规定间距相同的速度。2.根据权利要求1所述的基板制造装置，其中，所述照射部具备多个激光光源，通过所述多个激光光源生成所述多个聚光点。3.根据权利要求1或2所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲能量与其它的聚光点的脉冲能量不同。4.根据权利要求3所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中所述多个聚光点通过所述控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲能量小于所述行进方向的后侧的聚光点的脉冲能量。5.根据权利要求3所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中所述多个聚光点通过所述控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲能量大于所述行进方向的后侧的聚光点的脉冲能量。6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲宽度与其它的聚光点的脉冲宽度不同。7.根据权利要求6所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中所述多个聚光点通过所述控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲宽度小于所述行进方向的后侧的聚光点的脉冲宽度。8.根据权利要求6所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中所述多个聚光点通过所述控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲宽度大于所述行进方向的后侧的聚光点的脉冲宽度。9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中的一部分的聚光点的波长与其它的聚光点的波长不同。10.根据权利要求9所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中所述多个聚光点通过所述控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的波长大于所述行进方向的后侧的聚光点的波长。11.根据权利要求9所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中所述多个聚光点通过所述控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的波长小于所述行进方向的后侧的聚光点的波长。12.根据权利要求1～11中任一项所述的基板制造装置，其中，还具备测定通过所述多个聚光点形成于所述载台上的所述半导体基板的改质区域的
测定部，所述照射部根据基于所述测定部的测定结果，控制所述多个聚光点的数量。13.根据权利要求12所述的基板制造装置，其中，所述测定部测定所述改质区域的大小，所述照射部以所述改质区域的大小越小，所述多个聚光点的数量越多的方式控制。

技术总结
基板制造装置具备配置半导体基板的载台。基板制造装置具备向配置于载台的半导体基板照射规定脉冲周期的脉冲激光的照射部。基板制造装置具备控制载台和照射部的相对位置的控制部。照射部生成以规定间距在直线上排列的多个聚光点。控制部使载台和照射部的相对位置以规定速度与多个聚光点排列的直线平行地移动。规定速度是多个聚光点在规定脉冲周期的1周期移动的距离与规定间距相同的速度。移动的距离与规定间距相同的速度。移动的距离与规定间距相同的速度。


技术研发人员：田中敦之 瀬奈哈迪
受保护的技术使用者：浜松光子学株式会社
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2023/10/20