半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和程序与流程

1.本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和程序。


背景技术：

2.作为半导体装置的制造工序的一工序，进行使用多种气体在基板上形成膜的处理(例如参照专利文献1、2)。在这种情况下，有可能使用多种气体进行以埋入在基板表面设置的凹部内的方式形成膜的处理。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2017－34196号公报
6.专利文献2：日本特开2013－30752号公报


技术实现要素：

7.发明所要解决的课题
8.本公开目的在于，提高以埋入在基板表面设置的凹部内的方式形成的膜的特性。
9.用于解决课题的方案
10.根据本公开的一方案，提供一种技术，该技术进行：
11.(a)将包含向在表面设置有凹部的基板供给原料气体的工序、向所述基板供给第一含氮及氢气体的工序、向所述基板供给第二含氮及氢气体的工序、以及向所述基板供给包含被加热为比所述基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体的工序的循环在第一温度下进行预定次数，从而使包含所述原料气体、所述第一含氮及氢气体和所述第二含氮及氢气体中的至少任一个所含的元素的低聚物在所述基板的表面和所述凹部内生成、生长且流动，在所述基板的表面和所述凹部内形成含低聚物层的工序；以及
12.(b)针对在所述基板的表面和所述凹部内形成有所述含低聚物层的所述基板，在所述第一温度以上的第二温度下进行热处理，从而使形成在所述基板的表面和所述凹部内的所述含低聚物层改性，并以埋入所述凹部内的方式形成所述含低聚物层改性而成的膜的工序。
13.发明的效果
14.根据本公开，能够提高以埋入在基板表面设置的凹部内的方式形成的膜的特性。
附图说明
15.图1是本公开各方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的概要结构图，以纵向剖视图表示处理炉部分。
16.图2是本公开各方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的概要结构图，以图1的a－a线剖视图表示处理炉部分。
17.图3是本公开各方式中适用的基板处理装置的控制器的概要结构图，以框图表示控制器的控制系统。
18.图4是表示本公开的第一方式的基板处理时序的图。
19.图5是表示本公开的第二方式的基板处理时序的图。
20.图6是表示本公开的第三方式的基板处理时序的图。
21.图7是表示本公开的第四方式的基板处理时序的图。
22.图8是表示本公开的第五方式的基板处理时序的图。
具体实施方式
23.＜本公开的第一方式＞
24.以下主要参照图1～图4对本公开的第一方式进行说明。此外，以下说明中所使用的图均为示意性的图，图中各要素的尺寸的关系、各要素的比率等不一定与实际一致。另外，各图相互之间的各要素的尺寸关系、各要素的比率等也不一定一致。
25.(1)基板处理装置的结构
26.如图1所示，处理炉202具有作为加热机构(温度调整部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，被保持板支撑而垂直地安置。加热器207也作为利用热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。
27.在加热器207的内侧与加热器207成同心圆状配设有反应管203。反应管203由例如石英(sio2)或碳化硅(sic)等耐热性材料构成，形成为上端封闭而下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方与反应管203成同心圆状配设有集管209。集管209由例如不锈钢(sus)等金属材料构成，形成为上端和下端开口的圆筒形状。集管209的上端部与反应管203的下端部卡合且构成为支撑反应管203。在集管209与反应管203之间，设置有作为密封部件的o型环220a。反应管203与加热器207同样地垂直地安置。主要地，由反应管203和集管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部形成处理室201。处理室201构成为能够收纳作为基板的晶圆200。在该处理室201内进行针对晶圆200的处理。
28.在处理室201内，作为第一～第三供给部的喷嘴249a～249c各自以贯通集管209的侧壁的方式设置。也将喷嘴249a～249c称为第一～第三喷嘴。喷嘴249a～249c由例如石英或者sic等耐热性材料即非金属材料构成。在喷嘴249a～249c上分别连接有气体供给管232a～232c。喷嘴249a～249c是各不相同的喷嘴，喷嘴249a、249c分别与喷嘴249b相邻设置。
29.在气体供给管232a～232c，分别从气体流的上游侧起依次设置有：流量控制器(流量控制部)即质量流控制器(mfc)241a～241c和开闭阀即阀门243a～243c。在气体供给管232a的比阀门243a靠下游侧连接有气体供给管232e。在气体供给管232b的比阀门243b靠下游侧分别连接有气体供给管232d、232f。在气体供给管232c的比阀门243c靠下游侧连接有气体供给管232g。在气体供给管232d～232g上，分别从气体流的上游侧起依次设置有：mfc241d～241g和阀门243d～243g。气体供给管232a～232g例如由sus等金属材料构成。
30.如图2所示，喷嘴249a～249c在反应管203的内壁与晶圆200之间的俯视呈圆环状的空间，分别从反应管203的内壁的下部沿上部以朝向晶圆200的排列方向上方立起的方式设置。即，喷嘴249a～249c分别在排列晶圆200的晶圆排列区域的侧方的、水平围绕晶圆排
列区域的区域以沿着晶圆排列区域的方式设置。俯视来看，喷嘴249b以隔着搬入处理室201内的晶圆200的中心且以与后述的排气口231a在一直线上对置的方式配置。喷嘴249a、249c以沿着反应管203的内壁(晶圆200的外周部)从两侧夹持通过喷嘴249b和排气口231a的中心的直线l的方式配置。直线l也是通过喷嘴249b和晶圆200的中心的直线。即，喷嘴249c也能够隔着直线l设置于喷嘴249a的相反侧。喷嘴249a、249c以直线l为对称轴呈线对称配置。在喷嘴249a～249c的侧面分别设置有供给气体的气体供给孔250a～250c。气体供给孔250a～250c分别俯视来看与排气口231a对置(面对)而开口，且能够朝向晶圆200供给气体。气体供给孔250a～250c从反应管203的下部到上部设置有多个。
31.从气体供给管232a经由mfc241a、阀门243a、喷嘴249a向处理室201内供给原料气体。
32.从气体供给管232b经由mfc241b、阀门243b、喷嘴249b向处理室201内供给第一含氮(n)及氢(h)气体。
33.从气体供给管232c经由mfc241c、阀门243c、喷嘴249c向处理室201内供给第二含氮(n)及氢(h)气体。
34.从气体供给管232d经由mfc241d、阀门243d、气体供给管232b、喷嘴249b向处理室201内供给改性气体。
35.从气体供给管232e～232g分别经由mfc241e～241g、阀门243e～243g、气体供给管232a～232c、喷嘴249a～249c向处理室201内供给惰性气体。惰性气体作为吹扫气体、载气、稀释气体等发挥作用。
36.在气体供给管232b的与气体供给管232f的连接部的下游侧设置有：将气体加热为比晶圆200的温度高的温度的作为热激励部的加热部300、以及使气体激发为等离子体状态的作为等离子体激发部(等离子体生成部)的远程等离子体单元(rpu)400。此外，使气体激发为等离子体状态也简称为等离子体激发。另外，加热气体进行热激励也简称为热激励。可以将加热部300和rpu400设置于气体供给管232d。在这种情况下，优选将加热部300和rpu400设置于气体供给管232d的比阀门243d靠下游侧。rpu400施加高频(rf)电力，从而能够在rpu400的内部使气体等离子体化而激发，即，使气体激发为等离子体状态。作为等离子体生成方式而言，可以采用电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma、简称：ccp)方式，也可以采用感应耦合等离子体(inductively coupled plasma、简称：icp)方式。
37.加热部300构成为能够将从气体供给管232d供给的改性气体加热为比晶圆200的温度高的温度，并作为第一改性气体、第二改性气体进行供给。利用加热部300也能够将从气体供给管232b供给的第一含n及h气体、从气体供给管232f供给的惰性气体加热为比晶圆200的温度高的温度进行供给。
38.rpu400构成为能够使从气体供给管232d供给的改性气体激发为等离子体状态，并作为第一改性气体、第二改性气体进行供给。利用rpu400也能够使从气体供给管232b供给的第一含n及h气体、从气体供给管232f供给的惰性气体激发为等离子体状态进行供给。
39.可以使第一改性气体和第二改性气体各自为相同物质(分子结构相同的物质)，也可以使第一改性气体和第二改性气体各自为不同物质(分子结构不同的物质)。另外，可以将第一改性气体和第二改性气体分别设为加热为比晶圆200的温度高的温度的气体，也可以将第一改性气体和第二改性气体分别设为激发为等离子体状态的气体。另外，也可以将
第一改性气体和第二改性气体中的一方设为加热为比晶圆200的温度高的温度的气体，并将另一方设为激发为等离子体状态的气体。
40.此外，在图1中作为一例，示出了将加热部300和rpu400设置于气体供给管232b的例子，但是也可以将加热部300和rpu400分别设置于不同的气体供给管。在这种情况下，能够利用不同的气体供给管分别供给：加热为比晶圆200的温度高的温度的气体、激发为等离子体状态的气体。利用该结构，能够通过不同的气体供给管分别同时供给：加热为比晶圆200的温度高的温度的气体、激发为等离子体状态的气体。此外，利用该结构，也能够通过不同的气体供给管分别非同时供给：加热为比晶圆200的温度高的温度的气体、激发为等离子体状态的气体。
41.主要地，由气体供给管232a、mfc241a、阀门243a构成了原料气体供给系统。主要地，由气体供给管232b、mfc241b、阀门243b构成了第一含n及h气体供给系统。主要地，由气体供给管232c、mfc241c、阀门243c构成第二含n及h气体供给系统。主要地，由气体供给管232d、mfc241d、阀门243d构成改性气体供给系统。主要地，由气体供给管232d、mfc241d、阀门243d、加热部300和rpu400中的至少任一构成第一改性气体供给系统、第二改性气体供给系统。主要地，由气体供给管232e～232g、mfc241e～241g、阀门243e～243g构成惰性气体供给系统。
42.在上述的各种供给系统中，任一或者全部的供给系统可以由集成型供给系统248构成，该集成型供给系统248由阀门243a～243g、mfc241a～241g等集成而成。集成型供给系统248与气体供给管232a～232g分别连接，向气体供给管232a～232g内供给各种气体的供给动作，即，阀门243a～243g的开闭动作、mfc241a～241g的流量调整动作等构成为，通过后述的控制器121进行控制。集成型供给系统248构成为一体型或分割型的集成单元，且能够相对于气体供给管232a～232g等以集成单元为单位进行装卸，且构成为，集成型供给系统248的维护、更换、增设等能够以集成单元为单位来进行。
43.在反应管203的侧壁下方设置有对处理室201内的气氛进行排气的排气口231a。如图2所示，排气口231a俯视来看设置于隔着晶圆200与喷嘴249a～249c(气体供给孔250a～250c)对置(面对)的位置。排气口231a可以从反应管203的侧壁的下部沿着上部、即沿着晶圆排列区域设置。在排气口231a上连接有排气管231。在排气管231上，经由对处理室201内的压力进行检测的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器245和压力调整器(压力调整部)的apc(auto pressure controller；自动压力控制器)阀门244连接有作为真空排气装置的真空泵246。apc阀门244通过在使真空泵246动作的状态下开闭阀而能够进行处理室201内的真空排气和停止真空排气，此外构成为，在使真空泵246动作的状态下，基于由压力传感器245检出的压力信息来调节阀开度，从而能够调整处理室201内的压力。主要地，由排气管231、apc阀门244、压力传感器245构成排气系统。也可以考虑将真空泵246包含于排气系统。
44.在集管209的下方设置有密封帽219，该密封帽219作为能够使集管209的下端开口气密地封闭的炉口盖体。密封帽219由例如sus等金属材料构成，形成为圆盘状。在密封帽219的上表面设置有与集管209的下端抵接的作为密封部件的o型环220b。在密封帽219的下方设置有使后述的晶舟217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封帽219与晶舟217连接。旋转机构267构成为通过使晶舟217旋转而使晶圆200旋转。密封帽219构成
为，利用在反应管203外部设置的作为升降机构的晶舟升降机115在垂直方向上升降。晶舟升降机115构成为通过使密封帽219升降而使晶圆200向处理室201内外搬入和搬出(输送)的输送装置(输送机构)。
45.在集管209的下方设置有闸门219s，该闸门219s在使密封帽219降下并将晶舟217从处理室201内搬出的状态下，成为能够使集管209的下端开口气密地封闭的炉口盖体。闸门219s由例如sus等金属材料构成，形成为圆盘状。在闸门219s的上表面设置有作为密封部件的o型环220c，该o型环220c与集管209的下端抵接。闸门219s的开闭动作(升降动作、转动动作等)通过闸门开闭机构115s进行控制。
46.作为基板支撑件的晶舟217构成为，将多枚例如是25～200枚的晶圆200以水平姿态并且是以彼此中心一致的状态在垂直方向整齐排列支撑于多层，即空开间隔排列。晶舟217例如由石英、sic等耐热性材料构成。在晶舟217的下部，例如由石英、sic等的耐热性材料构成的隔热板218支撑于多层。
47.在反应管203内，设置有作为温度检测器的温度传感器263。基于由温度传感器263检出的温度信息来调整加热器207的通电状态，从而使处理室201内的温度成为所需的温度分布。温度传感器263沿着反应管203的内壁设置。
48.如图3所示，控制部(控制单元)即控制器121由计算机构成，该计算机具备：cpu(central processing unit；中央处理单元)121a、ram(random access memory；随机访问存储器)121b、存储装置121c、i/o端口121d。ram121b、存储装置121c、i/o端口121d构成为能够经由内部总线121e与cpu121a进行数据交换。控制器121上连接有例如由触控面板等构成的输入输出装置122。另外，控制器121能够连接外部存储装置123。
49.存储装置121c例如由闪存、hdd(hard disk drive；硬盘驱动器)、ssd(solid state drive；固态存储器)等构成。在存储装置121c内以可读取的方式存储有：对基板处理装置的动作进行控制的控制程序、记载了后述的基板处理的步骤、条件等的制程配方等。制程配方通过组合而作为程序发挥功能，使控制器121执行后述的基板处理的各步骤而能够获得预定的结果。以下也将制程配方、控制程序等简单地总称为程序。另外，也将制程配方简单地称为配方。在本说明书中，“程序”的含义包括：仅指控制程序单体、或者是双方。ram121b构成为存储器区域(工作区)，暂时地保持由cpu121a读取的程序、数据等。
50.i/o端口121d与上述的mfc241a～241g、阀门243a～243g、压力传感器245、apc阀门244、真空泵246、温度传感器263、加热器207、旋转机构267、晶舟升降机115、闸门开闭机构115s、加热部300、rpu400等连接。
51.cpu121a构成为从存储装置121c读取控制程序并执行，并且能够根据从输入输出装置122输入的操作指令等而从存储装置121c读取配方。cpu121a构成为能够按照读取的配方内容对如下各项进行控制，即：由mfc241a～241g进行的各种气体的流量调整动作、阀门243a～243g的开闭动作、基于apc阀门244的开闭动作和压力传感器245并利用apc阀门244进行的压力调整动作、真空泵246的启动和停止、基于温度传感器263的加热器207的温度调整动作、旋转机构267的晶舟217的旋转和旋转速度调节动作、利用晶舟升降机115的晶舟217的升降动作、闸门开闭机构115s的闸门219s的开闭动作、加热部300的气体的加热动作、rpu400的气体的等离子体激发动作等。
52.控制器121可以通过构成为通过将外部存储装置123所存储的上述的程序安装于
计算机而构成。外部存储装置123例如包含、hdd等的磁盘、cd等的光盘、mo等的光磁盘、usb存储器、ssd等的半导体存储器等。存储装置121c、外部存储装置123构成为计算机可读取的存储介质。以下也将这些简单地总称为存储介质。在本说明书中，“存储介质”的含义包括：仅指存储装置121c单体；仅指外部存储装置123单体；或者是双方。此外，也可以不是利用外部存储装置123而是利用互联网、专用线路等的通信方式向计算机提供程序。
53.(2)基板处理工序
54.使用上述的基板处理装置，作为半导体装置的制造工序的一工序，主要使用图4对于在作为基板的晶圆200的表面上形成膜的处理时序例进行说明。此外，在本方式中，作为晶圆200，对于使用在其表面设置有沟槽、孔等凹部的硅基板(硅晶圆)的例子进行说明。在以下的说明中，构成基板处理装置的各部的动作通过控制器121进行控制。
55.如图4所示，在本方式的处理时序中，进行：
56.使包含向在表面设置有凹部的晶圆200供给原料气体的步骤(原料气体供给)、向晶圆200供给第一含n及h气体的步骤(第一含n及h气体供给)、向晶圆200供给第二含n及h气体的步骤(第二含n及h气体供给)、向晶圆200供给包含被加热为比晶圆200的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体的步骤(第一改性气体供给)的循环在第一温度下进行预定次数(n次、n为1以上的整数)，从而使包含原料气体、第一含n及h气体和第二含n及h气体中的至少任一个所含元素的低聚物在晶圆200的表面和凹部内生成、生长、流动，在晶圆200的表面和凹部内形成含低聚物层的步骤(含低聚物层形成)；针对在晶圆200的表面和凹部内形成含低聚物层的晶圆200，在第一温度以上的第二温度下进行热处理(退火)，从而使在晶圆200的表面和凹部内形成的含低聚物层改性，以埋入于凹部内的方式形成含低聚物层改性而成的膜的步骤(后处理)。在本说明书也将后处理称为pt。
57.此外，在图4所示的处理时序中，非同时地进行上述的原料气体供给、第一含n及h气体供给、第二含n及h气体供给、第一改性气体供给。
58.在本说明书中，有时也为了方便而将上述的处理时序以如下方式表示。在包含以下的第二、第三、第四、第五方式等的变形例等的说明中也使用同样的表述。
59.(原料气体
→
第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一改性气体)
×n→
pt
60.在本说明书中，使用“晶圆”这一用语时，有时是指晶圆自身，有时是指晶圆和在其表面形成的预定的层、膜的层叠体。在本说明书中，使用“晶圆的表面”这个用语时,有时是指晶圆自身的表面，有时是指在晶圆上形成的预定的层等的表面。在本说明书中，记载“在晶圆上形成预定的层”时，有时是指在晶圆自身的表面上直接形成预定的层，有时是指在晶圆上所形成的层等之上形成预定的层。在本说明书中，使用“基板”这个用语时，含义于使用“晶圆”这个用语时相同。
61.(晶圆装载和晶舟导入)
62.多枚晶圆200装填于晶舟217(晶圆装载)之后，利用闸门开闭机构115s使闸门219s移动，开放集管209的下端开口(闸门打开)。之后，如图1所示，支撑有多枚晶圆200的晶舟217被晶舟升降机115提升并向处理室201内搬入(晶舟导入)。在该状态下，密封帽219成为经由o型环220b将集管209的下端密封的状态。
63.(压力调整和温度调整)
64.晶舟导入结束后，利用真空泵246进行真空排气(减压排气)，使处理室201内即晶圆200所在空间成为所需的压力(真空度)。此时，处理室201内的压力由压力传感器245进行测量，基于该测量所得压力信息对apc阀门244进行反馈控制(压力调整)。另外，利用加热器207加热处理室201内的晶圆200以达到所需的处理温度。此时，基于由温度传感器263检出的温度信息对加热器207的通电状态进行反馈控制(温度调整)，使处理室201内成为所需的温度分布。另外，开始利用旋转机构267使晶圆200旋转。处理室201内的排气、晶圆200的加热和旋转都至少在对晶圆200的处理结束之前持续进行。
65.(含低聚物层形成)
66.之后，依次执行如下的步骤1～4。
67.[步骤1]
[0068]
在该步骤中，向处理室201内的晶圆200供给原料气体。
[0069]
具体而言，打开阀门243a，向气体供给管232a内流通原料气体。原料气体通过mfc241a进行流量调整，经由喷嘴249a向处理室201内供给，从排气口231a进行排气。此时，向晶圆200供给原料气体(原料气体供给)。此时，打开阀门243e～243g，经由各喷嘴249a～249c向处理室201内供给惰性气体。
[0070]
预定的时间经过后，关闭阀门243a，停止向处理室201内供给原料气体。并且，对处理室201内进行真空排气，将处理室201内残留的气体等从处理室201内排除。此时，打开阀门243e～243g，经由喷嘴249a～249c向处理室201内供给惰性气体。由喷嘴249a～249c供给的惰性气体作为吹扫气体发挥作用，由此对晶圆200所在的空间即处理室201内进行吹扫(吹扫)。
[0071]
作为原料气体，例如可以采用包含作为构成在晶圆200的表面上形成的膜的主元素的硅(si)的硅烷类气体。作为硅烷类气体，例如可以采用含有si和卤素的气体即卤硅烷类气体。卤素包括氯(cl)、氟(f)、溴(br)、碘(i)等。即，卤硅烷类气体包括氯硅烷类气体、氟硅烷类气体、溴硅烷类气体、碘硅烷类气体等。作为卤硅烷类气体，例如可采用含有硅、碳(c)和卤素的气体即有机卤硅烷类气体。作为有机卤硅烷类气体，例如可采用含有si、c和cl的气体即有机氯硅烷类气体。
[0072]
作为原料气体，例如可采用：甲硅烷(sih4、简称：ms)气体、乙硅烷(si2h6、简称：ds)气体等不含c和卤素的硅烷类气体、二氯硅烷(sih2cl2、简称：dcs)气体、六氯乙硅烷(si2cl6、简称：hcds)气体等不含c的卤硅烷类气体、三甲基硅烷(sih(ch3)3、简称：tms)气体、二甲基硅烷(sih2(ch3)2、简称：dms)气体、三乙基硅烷(sih(c2h5)3、简称：tes)气体、二乙基硅烷(sih2(c2h5)2、简称：des)气体等烷基硅烷类气体、二(三氯甲硅烷基)甲烷((sicl3)2ch2、简称：btcsm)气体、1，2－二(三氯甲硅烷基)乙烷((sicl3)2c2h4、简称：btcse)气体等的亚烷基卤硅烷类气体、三甲基氯硅烷(sicl(ch3)3、简称：tmcs)气体、二甲基二氯硅烷(sicl2(ch3)2、简称：dmdcs)气体、三乙基氯硅烷(sicl(c2h5)3、简称：tecs)气体、二乙基二氯硅烷(sicl2(c2h5)2、简称：dedcs)气体、1，1，2，2－四氯－1，2－二甲基乙硅烷((ch3)2si2cl4、简称：tcdmds)气体、1，2－二氯－1，1，2，2－四甲基乙硅烷((ch3)4si2cl2、简称：dctmds)气体等烷基卤硅烷类气体。作为原料气体，可以采用这些中的一种以上。
[0073]
此外，这些的原料气体的一部分不含氨基而含有卤素。另外，这些的原料气体的一部分含有硅与硅的化学键(si－si键)。另外，这些的原料气体的一部分含有硅和卤素或者
含有硅、卤素和碳。另外，这些的原料气体的一部分含有烷基和卤素。
[0074]
当原料气体不含氨基时，与原料气体含有氨基时相比，难以在含低聚物层中残留杂质。另外，当原料气体不含氨基时，与原料气体含有氨基时相比，能够提高含低聚物层或最终地形成的膜的组成比的控制性。另外，当原料气体含有卤素时，与原料气体不含卤素时相比，能够在形成含低聚物层时提高形成低聚物时的反应性，能够高效地形成低聚物。另外，当原料气体含有si－si键时，与原料气体不含si－si键时相比，能够在形成含低聚物层时提高形成低聚物时的反应性，能够高效地形成低聚物。另外，当原料气体含有烷基和卤素时，能够使形成的低聚物具备适当的流动性。
[0075]
作为惰性气体，可采用氮气(n2)、氩气(ar)、氦气(he)、氖气(ne)、氙气(xe)等稀有气体。关于这一点，在后述的各步骤中也同样如此。作为惰性气体，可采用这些中的一种以上。
[0076]
[步骤2]
[0077]
在该步骤中，向处理室201内的晶圆200供给第一含n及h气体。
[0078]
具体而言，打开阀门243b，向气体供给管232b内流通第一含n及h气体。第一含n及h气体通过mfc241b进行流量调整，经由喷嘴249b向处理室201内供给，从排气口231a进行排气。此时，向晶圆200供给第一含n及h气体(第一含n及h气体供给)。此时可以是，打开阀门243e～243g，经由各喷嘴249a～249c向处理室201内供给惰性气体。
[0079]
当预定的时间经过后，关闭阀门243b，停止向处理室201内供给第一含n及h气体。并且，以与步骤1的吹扫同样的处理顺序、处理条件，将处理室201内残留的气体等从处理室201内排除。
[0080]
作为第一含n及h气体，例如可采用氨气(nh3)等的氮化氢类气体、一乙胺(c2h5nh2、简称：mea)气体、二乙胺((c2h5)2nh、简称：dea)气体、三乙胺((c2h5)3n、简称：tea)气体等乙胺类气体、一甲胺(ch3nh2、简称：mma)气体、二甲胺((ch3)2nh、简称：dma)气体、三甲胺((ch3)3n、简称：tma)气体等甲胺类气体、吡啶(c5h5n)气体、哌嗪(c4h
10
n2)气体等的环状胺类气体、单甲基肼((ch3)hn2h2、简称：mmh)气体、二甲基肼((ch3)2n2h2、简称：dmh)气体、三甲基肼((ch3)2n2(ch3)h、简称：tmh)气体等有机肼类气体。作为第一含n及h气体，可采用这些种的一种以上。此外，胺类气体、有机肼类气体由c、n及h构成，因此也可将这些气体称为含c、n及h气体。
[0081]
[步骤3]
[0082]
在该步骤中，向处理室201内的晶圆200供给第二含n及h气体。
[0083]
具体而言，打开阀门243c，向气体供给管232c内流通第二含n及h气体。第二含n及h气体通过mfc241c进行流量调整，经由喷嘴249c向处理室201内供给，从排气口231a进行排气。此时，向晶圆200供给第二含n及h气体(第二含n及h气体供给)。此时可以是，打开阀门243e～243g，经由各喷嘴249a～249c向处理室201内供给惰性气体。
[0084]
当经过预定的时间后，关闭阀门243c，停止向处理室201内供给第二含n及h气体。并且，以与步骤1的吹扫同样的处理顺序、处理条件，将处理室201内残留的气体等从处理室201内排除。
[0085]
作为第二含n及h气体，例如可采用氨气(nh3)、联氨(n2h2)气体、肼(n2h4)气体、n3h8气体等的氮化氢类气体。作为第二含n及h气体，优选采用分子结构与第一含n及h气体不同
的气体。但是，根据处理条件，作为第二含n及h气体，也可采用分子结构与第一含n及h气体相同的气体。作为第二含n及h气体，可采用这些中的一种以上。
[0086]
[步骤4]
[0087]
在该步骤中，向处理室201内的晶圆200供给：包含被加热为比晶圆200的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体。
[0088]
具体而言，打开阀门243d，向气体供给管232d内流通改性气体。改性气体通过mfc241d进行流量调整，经由喷嘴249b向处理室201内供给，从排气口231a排气。此时，将改性气体通过加热部300加热为比晶圆200的温度高的温度，或者通过rpu400激发为等离子体状态，或者是进行这两种处理双方。由此，改性气体作为包含被加热为比晶圆200的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体，经由喷嘴249b向处理室201内的晶圆200供给(第一改性气体供给)。此时可以是，打开阀门243e～243g，经由各喷嘴249a～249c向处理室201内供给惰性气体。
[0089]
当经过预定的时间后，关闭阀门243d，停止向加热部300或rpu400供给改性气体，停止向处理室201内供给第一改性气体。并且，以与步骤1的吹扫同样的处理顺序、处理条件，将处理室201内残留的气体等从处理室201内排除。
[0090]
作为改性气体，例如可采用惰性气体、含n及h气体、含h气体中的至少任一个的气体。作为惰性气体，例如可采用与上述的惰性气体同样的气体。作为含n及h气体，例如可采用与上述的第一含n及h气体或第二含n及h气体同样的气体。作为含h气体，例如可采用氢(h2)气体或重氢(2h2)气体等。也可将2h2气体记为d2气体。作为改性气体，可采用这些中的一种以上。
[0091]
作为改性气体而采用这些的气体，从而能够将这些气体作为第一改性气体，向晶圆200供给被加热为比晶圆200的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个。此外，对这些气体利用rpu400进行等离子体激，从而使第一改性气体包含例如n
＊
、n
2＊
、ar
＊
、he
＊
、ne
＊
、xe
＊
、nh
＊
、nh
2＊
、nh
3＊
、h
＊
、h
2＊
等活性种。另外，根据加热条件，对这些气体利用加热部300进行热激励，从而也能够使第一改性气体包含这些活性种。此外，＊代表基团。在以下的说明种也同样如此。
[0092]
[预定次数实施]
[0093]
之后，进行预定次数(n次、n为1以上的整数)使上述的步骤1～4非同时地即非同步地进行的循环。
[0094]
此时在原料气体单独存在的情况下，在相较于原料气体的化学吸附而言原料气体的物理吸附更具支配性地(优先地)发生的条件(温度)下进行预定次数循环。优先地，当原料气体单独存在时，在相较于原料气体的热解和原料气体的化学吸附而言原料气体的物理吸附更具支配性地(优先地)发生的条件(温度)下进行预定次数循环。并优选，当原料气体单独存在时，在原料气体无热解而与原料气体的化学吸附相比而言原料气体的物理吸附的更具支配性地(优先地)发生的条件(温度)下进行预定次数循环。并优选，在使含低聚物层产生流动性的条件(温度)下进行预定次数循环。并优选，在使含低聚物层向在晶圆200的表面形成的凹部内的深处流动、流入并从该凹部内的深处进一步在凹部内埋入含低聚物层的条件(温度)下进行预定次数循环。
[0095]
作为原料气体供给的处理条件，例示：
[0096]
处理温度(第一温度)：0～150℃、优选10～100℃、更优选20～60℃；
[0097]
处理压力：10～6000pa、优选50～2000pa；
[0098]
原料气体供给流量：0.01～1slm；
[0099]
原料气体供给时间：1～300秒；
[0100]
惰性气体供给流量(对应于各气体供给管)：0～10slm、优选0.01～10slm。
[0101]
在本说明书中，如“0～150℃”这样的数值范围的表述意味着下限值和上限值包含于该范围。因此，例如“0～150℃”意味着“0℃以上150℃以下”。对于其他的数值范围而言也同样如此。另外，在本说明书中，处理温度是指：晶圆200的温度或者处理室201内的温度，处理压力是指：处理室201内的压力。另外，气体供给流量：0slm是指不供给该气体的情况。这些对于以下的说明而言也同样如此。
[0102]
作为第一含n及h气体供给中的处理条件，例示：
[0103]
第一含n及h气体供给流量：0.01～5slm；
[0104]
第一含n及h气体供给时间：1～300秒。
[0105]
其他的处理条件可以与原料气体供给中的处理条件相同。
[0106]
作为第二含n及h气体供给的处理条件，例示：
[0107]
第二含n及h气体供给流量：0.01～5slm；
[0108]
第二含n及h气体供给时间：1～300秒。
[0109]
其他的处理条件可以与原料气体供给中的处理条件相同。
[0110]
作为第一改性气体供给的处理条件，在对改性气体进行热激励的情况下，例示：
[0111]
处理压力：70～10000pa、优选1000～10000pa；
[0112]
改性气体供给流量：0.01～10slm；
[0113]
改性气体供给时间：1～300秒；
[0114]
改性气体的温度：100～600℃、优选200～500℃、更优选300～450℃、进一步优选300～400℃。
[0115]
其他的处理条件可以与原料气体供给中的处理条件相同。此外，改性气体的温度是比晶圆200的温度高的温度。另外，关于对改性气体进行热激励时的处理压力，优选比原料气体供给、第一含n及h气体供给、第二含n及h气体供给各自的处理压力高。
[0116]
作为第一改性气体供给中的处理条件，在对改性气体进行等离子体激发的情况下，例示：
[0117]
处理压力：1～100pa、优选10～80pa；
[0118]
改性气体供给流量：0.01～10slm；
[0119]
改性气体供给时间：1～300秒；
[0120]
高频(rf)电力：100～1000w；
[0121]
高频(rf)周波数：13.5mhz或者27mhz。
[0122]
其他的处理条件可以与原料气体供给的处理条件相同。此外，关于对改性气体进行等离子体激发时的处理压力，优选比原料气体供给、第一含n及h气体供给、第二含n及h气体供给各自的处理压力低。
[0123]
使原料气体供给、第一含n及h气体供给、第二含n及h气体供给、第一改性气体供给在上述的处理条件下进行，从而能够使包含原料气体、第一含n及h气体和第二含n及h气体
中的至少任一个所含元素的低聚物在晶圆200的表面和凹部内生成、生长并流动，在晶圆200的表面和凹部内形成含低聚物层。此外，低聚物是指比较少量(例如10～100个)的单体(monomer)结合而成的分子量较低的(例如分子量为10000以下的)聚合体。当作为原料气体、第一含n及h气体、第二含n及h气体而分别采用例如烷基氯硅烷类气体等烷基卤硅烷类气体、胺类气体、氮化氢类气体时，含低聚物层例如是包含si、cl、n等各种元素或者ch3、c2h5这样的由c
x
h2
x+1
(x为1～3的整数)的化学式表示的物质的层。
[0124]
另外，使原料气体供给、第一含n及h气体供给、第二含n及h气体供给、第一改性气体供给在上述的处理条件下进行，从而能够促进在晶圆200的表面和凹部内形成的低聚物的生长、流动，并将低聚物的表层或低聚物的内部所含剩余成分、例如剩余气体或包含cl等的杂质或反应副产物(以下也简称为副产物)等除去、排出。
[0125]
此外，若上述的处理温度低于0℃，则供给到处理室201内的原料气体容易液化，有可能难以使原料气体以气体状态向晶圆200供给。在这种情况下，有可能难以促进形成上述的含低聚物层的反应，有可能难以在晶圆200的表面和凹部内形成含低聚物层。通过使处理温度为0℃以上，从而能够解决该问题。通过使处理温度为10℃以上，从而能够充分地解决该问题，通过使处理温度为20℃以上，从而能够更加充分地解决该问题。
[0126]
另外，若处理温度高于150℃，则后述的第一含n及h气体的催化剂作用会减弱，有可能难以促进形成上述的含低聚物层的反应。在这种情况下，对于在晶圆200的表面和凹部内生成的低聚物而言，脱离比生长更具支配性，有可能难以在晶圆200的表面和凹部内形成含低聚物层。通过使处理温度为150℃以下，从而能够解决该问题。通过使处理温度为100℃以下，从而能够充分地解决该问题，通过使处理温度为60℃以下，从而能够更加充分地解决该问题。
[0127]
据此，处理温度为0℃以上150℃以下、优选10℃以上100℃以下、更优选20℃以上60℃以下。
[0128]
此外，作为吹扫的处理条件，例示：
[0129]
处理压力：10～6000pa；
[0130]
惰性气体供给流量(对应于各气体供给管)：0.01～20slm；
[0131]
惰性气体供给时间：1～300秒。
[0132]
其他的处理条件可以与原料气体供给的处理条件相同。
[0133]
使吹扫在上述的处理条件下进行，从而能够促进在晶圆200的表面和凹部内形成的低聚物的流动，并能够将低聚物所含的剩余成分、例如剩余气体或包含cl等的杂质或副产物等除去、排出。
[0134]
(后处理(pt))
[0135]
当在晶圆200的表面和凹部内形成含低聚物层后，优选以向比上述的第一温度高的第二温度变更的方式来调整加热器207的输出，以使晶圆200的温度变更为上述的第一温度以上的第二温度。
[0136]
当晶圆200的温度达到第二温度后，向处理室201内的晶圆200供给改性气体。具体而言，打开阀门243d，向气体供给管232d内流通改性气体。改性气体通过mfc241d进行流量调整，经由喷嘴249b向处理室201内供给，从排气口231a进行排气。此时，向晶圆200供给改性气体。此时可以是，打开阀门243e～243g，经由各喷嘴249a～249c向处理室201内供给惰
性气体。当经过预定的时间后，关闭阀门243d，停止向处理室201内供给改性气体。作为改性气体，可采用与在步骤4中使用的改性气体同样的气体。即，作为改性气体，例如可采用惰性气体、含n及h气体、含h气体中的至少任一个的气体。此外可以是，从晶圆200的温度达到第二温度之前起，例如从晶圆200的温度为第一温度的状态起，向处理室201内的晶圆200供给改性气体。在这种情况下，在晶圆200的温度从第一温度到第二温度的升温过程中，也能够向晶圆200供给改性气体，提高后述的改性效果。此外，在图4中示出了在pt中作为改性气体供给惰性气体的例子。
[0137]
本步骤优选在使在晶圆200的表面和凹部内形成的含低聚物层产生流动性的处理条件下进行。另外，本步骤优选在促进使在晶圆200的表面和凹部内形成的含低聚物层的流动并使包含含低聚物层的表层或含低聚物层的内部所含剩余成分、例如剩余气体或包含cl等的杂质或副产物等除去、排出而使含低聚物层致密化的处理条件下进行。
[0138]
作为pt的处理条件，例示：
[0139]
处理温度(第二温度)：100～1000℃、优选200～600℃；
[0140]
处理压力：10～80000pa、优选200～6000pa；
[0141]
处理时间：300～10800秒；
[0142]
改性气体供给流量：0.01～20slm。
[0143]
使pt在上述的处理条件下进行，从而能够使在晶圆200的表面和凹部内形成的含低聚物层改性。由此能够以埋入凹部内的方式，作为含低聚物层改性而成的膜，形成包含si、c和n的膜即硅碳氮化膜(sicn膜)。另外，能够促进含低聚物层的流动，并使含低聚物层所含的剩余成分排出，使含低聚物层致密化。
[0144]
(后吹扫和大气压恢复)
[0145]
sicn膜的形成结束后，从各喷嘴249a～249c向处理室201内供给作为吹扫气体的惰性气体，从排气口231a进行排气。由此，对处理室201内进行吹扫，将处理室201内残留的气体或反应副产物等从处理室201内除去(后吹扫)。之后，处理室201内的气氛被惰性气体置换(惰性气体置换)，处理室201内的压力恢复为常压(大气压恢复)。
[0146]
(晶舟导出和晶圆卸载)
[0147]
之后，利用晶舟升降机115使密封帽219下降，使集管209的下端开口。并且，将处理后的晶圆200以被晶舟217支撑的状态从集管209的下端向反应管203的外部搬出(晶舟导出)。在晶舟导出后，使闸门219s移动，利用闸门219s将集管209的下端开口经由o型环220c密封(闸门关闭)。处理后的晶圆200在被搬送到反应管203的外部之后被从晶舟217取出(晶圆卸载)。
[0148]
(3)本方式的效果
[0149]
根据本方式，可获得以下所示一个或多个效果。
[0150]
(a)使含低聚物层形成在上述的第一温度下进行，使pt在第一温度以上的第二温度下进行，从而能够使在凹部内形成的膜的埋入特性提高。此外，使pt在比第一温度高的第二温度下进行，从而能够更加提高上述的效果。
[0151]
(b)对于含低聚物层形成而言，当原料气体单独存在时，在相较于原料气体的化学吸附而言原料气体的物理吸附更具支配性地发生的条件下进行预定次数循环，从而能够提高含低聚物层的流动性，提高在凹部内形成的膜的埋入特性。
[0152]
(c)对含低聚物层形成而言，当原料气体单独存在时，在与原料气体的热解和原料气体的化学吸附相比而言原料气体的物理吸附更具支配性地发生的条件下进行预定次数循环，从而能够提高含低聚物层的流动性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。
[0153]
(d)对于含低聚物层形成而言，当原料气体单独存在时，在与原料气体不热解而与原料气体的化学吸附相比而言原料气体的物理吸附更具支配性地发生的条件下进行预定次数循环，从而能够提高低聚物层的流动性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。
[0154]
(e)对于含低聚物层形成而言，在使含低聚物层产生流动性的条件下进行预定次数循环，从而能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。
[0155]
(f)对于含低聚物层形成而言，在使含低聚物层向凹部内的深处流动、流入，并从凹部内的深处使凹部内进一步埋入含低聚物层的条件下进行预定次数循环，从而能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。
[0156]
(g)作为原料气体而采用烷基氯硅烷类气体，从而能够使含低聚物层包含si、c、cl。
[0157]
(h)通过使第一含n及h气体的分子结构和第二含n及h气体的分子结构不同，从而能够使各气体具有不同的作用。例如本方式这样，作为第一含n及h气体而采用胺类气体，从而能够使该气体作为催化剂发生作用，并通过原料气体供给使晶圆200的表面所物理吸附的原料气体活化。另外，作为第二含n及h气体，采用氮化氢类气体，从而能够使该气体作为n源发挥作用，使含低聚物层包含n。
[0158]
(i)对于含低聚物层形成而言，进行预定次数使原料气体供给、第一含n及h气体供给、第二含n及h气体供给、第一改性气体供给非同时地进行的循环，从而能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。
[0159]
对此可以考虑，改变时机分别供给原料气体、作为催化剂发挥作用的第一含n及h气体，从而能够对原料气体与第一含n及h气体的混合状态的偏差。根据本方式，能够使在晶圆200的表面和凹部内的多处生成的各低聚物的生长偏差改善，抑制微细的区域内的生长偏差，并抑制由此引起的凹部内的空隙或缝隙等的发生。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。即，能够实现无空隙且无缝隙的埋入。
[0160]
(j)关于含低聚物层形成，以预定的时机进行吹扫，从而能够促进在晶圆200的表面和凹部内形成的低聚物的流动，并将低聚物的表层或低聚物的内部所含的剩余成分(杂质或副产物等)排出。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。能够使以埋入凹部内的方式形成的膜的杂质浓度降低，由此能够提高在凹部内形成的膜的湿蚀刻耐性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的膜质和特性。
[0161]
(k)关于含低聚物层形成，在预定的时机进行第一改性气体供给，从而能够促进在晶圆200的表面和凹部内形成的低聚物的生长、流动，并将低聚物的表层或低聚物的内部所含的剩余成分(杂质或副产物等)排出。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。另外，能够降低以埋入凹部内的方式形成的膜的杂质浓度，由此能够提高在凹部内形成的膜的湿蚀刻耐性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的膜质和特性。
[0162]
此外，作为第一改性气体而采用加热为比晶圆200的温度高的温度的气体，从而能
够向低聚物提供较高的热能。由此，能够提高将低聚物的表层或低聚物的内部所含剩余成分(杂质或副产物等)除去时的反应性、即从低聚物的表层或低聚物的内部除去剩余成分的效果。另外，在这种情况下，通过使第一改性气体供给的处理压力比原料气体供给、第一含n及h气体供给、第二含n及h气体供给各自的处理压力高，从而能够提高第一改性气体的处理室201内的气体密度，提高气体与低聚物的表层的碰触频度。由此，能够进一步提高将低聚物的表层或低聚物的内部所含剩余成分除去时的反应性、即从低聚物的表层或低聚物的内部除去剩余成分的效果。
[0163]
另外，作为第一改性气体而采用激发为等离子体状态的气体，从而能够向低聚物提供等离子体能量。由此，能够提高将低聚物的表层或低聚物的内部所含的剩余成分(杂质或副产物等)除去时的反应性、即从低聚物的表层或低聚物的内部除去剩余成分的效果。在这种情况下，使第一改性气体供给的处理压力比原料气体供给、第一含n及h气体供给、第二含n及h气体供给各自的处理压力低，从而能够抑制对改性气体进行等离子体激发而引起的活性种的失活。由此，能够更加提高将低聚物的表层或低聚物的内部所含剩余成分除去时的反应性、即从低聚物的表层或低聚物的内部除去剩余成分的效果。
[0164]
(l)使pt在使含低聚物层产生流动性的条件下进行，从而能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。另外，在pt中促进含低聚物层的流动并将含低聚物层所含的剩余成分排出，使含低聚物层致密化，从而能够提高在凹部内形成的膜的埋入特性。另外，能够使以埋入凹部内的方式形成的膜的杂质浓度降低，进而提高膜密度。由此，能够提高在凹部内形成的膜的湿蚀刻耐性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的膜质和特性。
[0165]
(m)在pt中向晶圆200供给改性气体，从而能够促进含低聚物层的流动，提高在凹部内形成的膜的埋入特性。另外，能够降低以埋入凹部内的方式形成的膜的杂质浓度，进而提高膜密度。由此，能够提高在凹部内形成的膜的湿蚀刻耐性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的膜质和特性。此外，与将惰性气体用作改性气体时相比，采用含n及h气体或含h气体作为改性气体时能够更加提高这些效果。
[0166]
(n)上述的效果在如下情况下也同样能够获得，即，在形成含低聚物层时采用上述的各种原料气体、上述的各种第一含n及h气体、上述的各种第二含n及h气体、上述的各种惰性气体、上述的各种第一改性气体的情况下。另外，上述的效果在变更循环中的气体的供给顺序的情况下也同样能够获得。另外，上述的效果在pt中使用上述的各种改性气体时也同样能够获得。
[0167]
＜本公开的第二方式＞
[0168]
接着，在本公开的第二方式中主要参照图5进行说明。
[0169]
如图5及以下所示的处理时序那样，关于含低聚物层形成，可以是，进行预定次数(n次、n为1以上的整数)非同时地进行如下步骤的循环，即：
[0170]
同时地进行向晶圆200供给原料气体的步骤和向晶圆200供给第一含n及h气体的步骤的步骤；
[0171]
向晶圆200供给第二含n及h气体的步骤；
[0172]
向晶圆200供给第一改性气体的步骤。
[0173]
此外，关于图5及以下所示的处理时序，示出了进行与第一方式同样的pt的例子。另外，在图5中示出了在pt中作为改性气体而供给惰性气体的例子。
[0174]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一改性气体)
×n→
pt
[0175]
采用本方式，也能够获得与上述的第一方式同样的效果。另外，在本方式中，同时供给原料气体和第一含n及h气体，从而能够提高循环率，提高基板处理的生产率。
[0176]
＜本公开的第三方式＞
[0177]
接着，对于本公开的第三方式主要参照图6进行说明。
[0178]
如图6及以下所示的处理时序那样，关于含低聚物层形成，可以是，进行预定次数(n次、n为1以上的整数)非同时地进行如下步骤的循环，即：
[0179]
同时地进行向晶圆200供给原料气体的步骤和向晶圆200供给第一含n及h气体的步骤的步骤；
[0180]
向晶圆200供给第二含n及h气体的步骤；
[0181]
向晶圆200供给第一含n及h气体的步骤；
[0182]
向晶圆200供给第一改性气体的步骤。
[0183]
此外，关于图6及以下所示的处理时序，示出了进行与第一方式同样的pt的例子。另外，在图6中示出了在pt中作为改性气体而供给惰性气体的例子。
[0184]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一含n及h气体
→
第一改性气体)
×n→
pt
[0185]
采用本方式，也能够获得与上述的第一方式同样的效果。此外，在本方式中，使循环中的第一次流通的第一含n及h气体作为催化剂发挥作用，能够使原料气体活化。另外，能够使循环中的第二次流通的第一含n及h气体作为将在含低聚物层形成时生成的副产物等除去的气体、即反应性吹扫气体发挥作用。这些供给第一含n及h气体时的处理条件分别可以与上述的第一含n及h气体供给的处理条件相同。
[0186]
＜本公开的第四方式＞
[0187]
接着，对本公开的第四方式主要参照图7进行说明。
[0188]
如图7及以下所示的处理时序那样，在pt中，可以是，进行：
[0189]
对在晶圆200的表面和凹部内形成的含低聚物层在第一温度以上的第二温度下进行热处理(退火)，从而使在晶圆200的表面和凹部内形成的含低聚物层改性，以埋入凹部内的方式形成含低聚物层改性而成的膜的步骤(pt1)；
[0190]
向以埋入凹部内的方式形成的含低聚物层改性而成的膜供给包含被加热为比晶圆200的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第二改性气体的步骤(pt2)。
[0191]
此外，如图7及以下所示的处理时序那样，示出了进行与第二方式同样的含低聚物层形成的例子。另外，图7示出了在pt1中作为改性气体而供给惰性气体的例子。
[0192]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一改性气体)
×n→
pt1
→
pt2
[0193]
pt1的处理条件可以与上述的第一方式的pt的处理条件相同。pt2的处理条件除了处理温度、改性气体的温度、改性气体供给时间以外，可以与上述的第一方式的第一改性气体供给的处理条件相同。此外，pt2的处理温度和改性气体的温度可以与pt1的处理温度(第二温度)相同。但是，pt2的改性气体的温度需要是比pt2的处理温度高的温度。对于pt2的改性气体的温度和pt2的处理温度，在pt1的处理温度(第二温度)的范围内进行调整。另外，pt2的改性气体供给时间优选比第一改性气体供给的改性气体供给时间长。
[0194]
此外，在本方式中可以是，不进行与第二方式同样的含低聚物层形成，而进行与第一方式或第三方式同样的含低聚物层形成。另外可以是，不是如图7在pt1中供给惰性气体作为改性气体，而供给含n及h气体或含h气体。
[0195]
采用本方式，也能够获得与上述的第一方式同样的效果。另外，在本方式中是在进行pt1之后进行pt2，因此能够使在pt1中以埋入凹部内的方式形成的含低聚物层改性而成的膜在pt2进一步改性。即，能够使在pt1中以埋入凹部内的方式形成的含低聚物层改性而成的膜所含剩余成分、例如在含低聚物层形成或pt1中未除去彻底的剩余气体或包含cl等的杂质或副产物等在pt2中除去、排出。由此，能够提高在凹部内形成的膜的湿蚀刻耐性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的膜质和特性。
[0196]
此外，在本方式中还可以是，使在第一温度以上的第二温度下进行的改性处理(pt1)和利用第一改性气体进行的改性处理(pt2)交替重复进行多次。通过使pt1和pt2交替重复进行多次，从而能够进一步提高上述的pt1的改性效果和pt2的改性效果。
[0197]
＜本公开的第五方式＞
[0198]
接着，对于本公开的第五方式主要参照图8进行说明。
[0199]
如图8及以下所示的处理时序那样，在pt中，可以是，进行：
[0200]
向在晶圆200的表面和凹部内形成的含低聚物层供给包含被加热为比晶圆200的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第二改性气体的步骤(pt2)；
[0201]
对在晶圆200的表面和凹部内形成并通过pt2改性的含低聚物层在第一温度以上的第二温度下进行热处理(退火)，从而使在晶圆200的表面和凹部内形成并通过pt2改性的含低聚物层进一步改性，以埋入凹部内的方式形成含低聚物层改性而成的膜的步骤(pt1)。
[0202]
此外，如图8及以下所示的处理时序那样，示出了进行与第二方式同样的含低聚物层形成的例子。另外，图8示出了在pt1中作为改性气体而供给惰性气体的例子。
[0203]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一改性气体)
×n→
pt2
→
pt1
[0204]
pt2的处理条件除了改性气体供给时间以外，可以与上述的第一方式的第一改性气体供给的处理条件相同。此外，pt2的改性气体供给时间优选比第一改性气体供给中的改性气体供给时间长。pt1的处理条件可以与上述的第一方式的pt的处理条件相同。
[0205]
此外，在本方式中可以是，不进行与第二方式同样的含低聚物层形成，而进行与第一方式或第三方式同样的含低聚物层形成。另外可以是，不是如图8在pt1中供给惰性气体作为改性气体，而是供给含n及h气体或含h气体。
[0206]
采用本方式，也能够获得与上述的第一方式同样的效果。另外，在本方式中是在进行pt2之后进行pt1，因此能够使在pt2中改性的含低聚物层在pt1中进一步改性。即，能够使在pt2中改性的在晶圆200的表面和凹部内形成的含低聚物层所含剩余成分、例如在含低聚物层形成或pt2中未除去彻底的剩余气体或包含cl等的杂质或副产物等在pt1中除去、排出，并能够以埋入凹部内的方式形成含低聚物层改性而成的膜。由此，能够提高在凹部内形成的膜的湿蚀刻耐性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的膜质和特性。
[0207]
此外，在本方式中还可以是，使利用第一改性气体进行的改性处理(pt2)和在第一温度以上的第二温度下进行的改性处理(pt1)交替重复进行多次。通过使pt2和pt1交替重复进行多次，从而能够进一步提高上述的pt2的改性效果和pt1的改性效果。
[0208]
＜本公开的其他方式＞
[0209]
以上对于本公开的多种方式具体地进行了说明。但是，本公开不限于上述的方式，能够在不脱离其要点的范围内进行多种变更。
[0210]
例如可以是，在pt、pt1、pt2中的至少任一个中，作为改性气体而不供给惰性气体、含n及h气体、含h气体，或者与这些中的至少任一个气体一起供给含氧(o)气体。作为含o气体，可以采用h2o气体等含o气体、即含o和h气体，也可以采用o2气体等含o气体。
[0211]
此时的pt中的处理条件可以与上述的第一方式的pt的处理条件相同。另外，此时的pt1、pt2中的处理条件分别可以与上述的第四方式或者第五方式的pt1、pt2的处理条件相同。此时也能够获得与上述的第一方式同样的效果。
[0212]
此外，在含h气体气氛下进行pt、pt1、pt2时、或在含n及h气体气氛下进行pt、pt1、pt2时，与在惰性气体气氛下进行pt、pt1、pt2时相比，能够提高含低聚物层的流动性，提高在凹部内形成的膜的埋入特性。另外，在含h气体气氛下进行pt、pt1、pt2时、或在含n及h气体气氛下进行pt、pt1、pt2时，与在惰性气体气氛下进行pt、pt1、pt2时相比，能够降低在凹部内形成的膜的杂质浓度，提高膜密度，提高湿蚀刻耐性。作为结果而言，能够提高在凹部内形成的膜的膜质和特性。此外，在含n及h气体气氛下进行pt、pt1、pt2时，与在含h气体气氛下进行pt、pt1、pt2时相比，能够提高这些效果。另外，当在含o气体气氛下进行pt、pt1、pt2时，能够使含低聚物层改性而成的膜含o，能够将该膜作为包含si、o、c和n的膜即硅氧氮碳化膜(siocn膜)。
[0213]
另外，例如可以是，在pt、pt1中，非同时地进行：
[0214]
向形成有含低聚物层的晶圆200供给惰性气体、含n气体、含h气体和含n及h气体中的至少任一个的步骤(ptx)；
[0215]
向形成有含低聚物层的晶圆200供给含o气体和含o及h气体中的至少任一个的步骤(pto)。
[0216]
ptx、pto各自的处理条件可以与上述的第一方式的pt的处理条件相同。此时，也能够获得与上述的第一方式同样的效果。
[0217]
此外，当在含o气体气氛下进行pto时，能够使含低聚物层改性而成的膜中含o，使该膜成为siocn膜。另外，作为含o气体而采用氧化性较低的h2o气体等含o和h气体，从而能够抑制c从含低聚物层改性而成的siocn膜中脱离。另外，通过依次进行ptx、pto，从而能够抑制c从含低聚物层改性而成的siocn膜中脱离。
[0218]
另外，例如可以是，如以下所示的处理时序这样，在形成含低聚物层时，进一步进行向晶圆200供给含o气体的步骤(含o气体供给)。另外，在第一改性气体供给中，可以是，作为改性气体而供给含o气体。在这些情况下，除了能够获得与上述的第一方式同样的效果之外，还能够使含低聚物层中含o，作为结果而言，能够以埋入凹部内的方式形成siocn膜。在形成含低聚物层时，还可以是，进行向晶圆200供给含o气体的步骤时的处理条件与上述的第一方式的第二含n及h气体供给的处理条件相同。另外，在第一改性气体供给中，可以是，作为改性气体而供给含o气体时的处理条件与上述的第一方式的第一改性气体供给的处理条件相同。
[0219]
(原料气体
→
第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
含o气体
→
第一改性气体)
×n→
pt
[0220]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
含o气体
→
第一改性气体)
×n→
pt
[0221]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一含n及h气体
→
含o气体
→
第一改性气体)
×n→
pt
[0222]
另外，例如可以是，如以下所示的处理时序这样，将第一方式和第三方式的一部分组合。
[0223]
(原料气体
→
第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一含n及h气体
→
第一改性气体)
×n→
pt
[0224]
根据该处理时序，能够获得由第一方式得到的效果和由第三方式的一部分得到的效果这两方的效果。
[0225]
另外，对于第一方式、第二方式、第三方式、上述以外的方式的含低聚物层形成而言，可以是，如以下所示的处理时序这样，变更气体的供给顺序。此外，以下为了方便而省略了pt的记载，仅抽出表示了含低聚物层形成的处理时序。另外，为了方便，也示出了第一方式、第二方式、第三方式、上述的他的方式的含低聚物层形成的各气体的供给顺序。
[0226]
＜第一方式的含低聚物层形成中的各气体的供给顺序的变更例＞
[0227]
(原料气体
→
第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一改性气体)
×n[0228]
(原料气体
→
第一含n及h气体
→
第一改性气体
→
第二含n及h气体)
×n[0229]
＜第二方式的含低聚物层形成中的各气体的供给顺序的变更例＞
[0230]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一改性气体)
×n[0231]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第一改性气体
→
第二含n及h气体)
×n[0232]
＜第三方式的含低聚物层形成中的各气体的供给顺序的变更例＞
[0233]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一含n及h气体
→
第一改性气体)
×n[0234]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第一改性气体
→
第二含n及h气体
→
第一含n及h气体)
×n[0235]
(原料气体+第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一改性气体
→
第一含n及h气体)
×n[0236]
＜上述以外的方式的含低聚物层形成中的各气体的供给顺序的变更例＞
[0237]
(原料气体
→
第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一含n及h气体
→
第一改性气体)
×n[0238]
(原料气体
→
第一含n及h气体
→
第一改性气体
→
第二含n及h气体
→
第一含n及h气体)
×n[0239]
(原料气体
→
第一含n及h气体
→
第二含n及h气体
→
第一改性气体
→
第一含n及h气体)
×n[0240]
据此，通过变更含低聚物层形成中的各气体的供给顺序，从而能够调整利用第一改性气体使低聚物改性的时机。换言之，能够对第一改性气体的改性对象即低聚物的状态进行变更、调整。由此，能够根据低聚物的生长程度或流动程度对第一改性气体的改性反应进行微调，优化改性效果。另外，通过对使低聚物改性的时机进行调整，从而也能够控制最终地形成的膜的组成比。
[0241]
在上述的方式中，对于使含低聚物层形成和pt(pt1、pt2)在同一处理室201内(以in－situ)进行的例子进行了说明。但是，本公开不限于该方式。例如也可以使含低聚物层形成和pt(pt1、pt2)在不同的处理室内(以ex－situ)进行。此时也能够获得与上述方式的效果同样的效果。在上述各种情况下，如果以in－situ进行这些步骤，则不会在途中使晶圆200暴露于大气，能够使晶圆200在真空下连贯地进行这些处理，能够进行稳定的基板处理。另外，如果以ex－situ进行这些步骤，则能够将各处理室内的温度预先设定为例如各步骤中的处理温度或者与其接近的温度，能够缩短温度调整所需的时间，提高生产效率。
[0242]
到此为止，对于以埋入在晶圆200的表面形成的凹部内的方式形成sicn膜或siocn膜的例子进行了说明，但是本公开不限于这些例子。即，当将原料气体、第一含n及h气体、第二含n及h气体、改性气体的气体种类任意地组合，并以埋入在晶圆200的表面形成的凹部内的方式形成氮化硅膜(sin膜)、氧化硅膜(sio膜)、碳氧化硅膜(sioc膜)、硅膜(si膜)时，也能够较好地适用本公开。在这些情况下也能够获得与上述方式的效果同样的效果。此外，本公开例如能够适用于形成sti(shallow trench isolation；浅沟槽隔离)、pmd(pre-metal dielectric；金属前介电)、imd(inter-metal dielectric；金属间介电)、ild(inter-layer dielectric；层间介电)、浇口切割填充(gate cut fill)等的情况。
[0243]
基板处理中使用的配方可以根据处理内容分别进行准备，优选经由电气通信线路或外部存储装置123存储在存储装置121c内。并且，当开始处理时，cpu121a根据基板处理的内容从存储装置121c内存储的多个配方中适宜地选择适当的配方。由此，能够通过一台基板处理装置再现性良好地形成各种膜种、组成比、膜质、膜厚的膜。另外，能够降低操作者的负担，避免操作失误并迅速地开始处理。
[0244]
上述的配方不限于新生成，例如也可以对基板处理装置中已经安装的现有配方进行变更来准备。在对配方进行变更的情况下，可以将变更后的配方经由电气通信线路或记录该配方的存储介质安装于基板处理装置。另外，也可以对现有的基板处理装置所具备的输入输出装置122进行操作，对基板处理装置中已经安装的现有的配方直接进行变更。
[0245]
在上述的方式中，对于使用一次地处理多枚基板的批处理式的基板处理装置形成膜的例子进行了说明。本公开不限于上述方式，例如对于使用一次处理1枚或者数枚基板的单片式的基板处理装置形成膜的情况也能够较好地适用。另外，在上述方式中，对于使用具有热壁型的处理炉的基板处理装置形成膜的例子进行了说明。本公开不限于上述的方式，对于使用具有冷壁型的处理炉的基板处理装置形成膜的情况也能够较好地适用。
[0246]
在使用这些基板处理装置的情况下，也能够以与上述的方式、变形例同样的时序、处理条件进行成膜，并获得与它们同样的效果。
[0247]
另外，上述的方式、变形例等可适宜组合使用。此时的处理顺序、处理条件例如可以与上述的方式的处理顺序、处理条件相同。
[0248]
符号说明
[0249]
200—晶圆(基板)；201—处理室。

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：(a)将包含向在表面设置有凹部的基板供给原料气体的工序、向所述基板供给第一含氮及氢气体的工序、向所述基板供给第二含氮及氢气体的工序、以及向所述基板供给包含被加热为比所述基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体的工序的循环在第一温度下进行预定次数，从而使包含所述原料气体、所述第一含氮及氢气体和所述第二含氮及氢气体中的至少任一个所含的元素的低聚物在所述基板的表面和所述凹部内生成、生长且流动，在所述基板的表面和所述凹部内形成含低聚物层的工序；以及(b)针对在所述基板的表面和所述凹部内形成有所述含低聚物层的所述基板，在所述第一温度以上的第二温度下进行热处理，从而使形成在所述基板的表面和所述凹部内的所述含低聚物层改性，并以埋入所述凹部内的方式形成所述含低聚物层改性而成的膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环非同时地进行：向所述基板供给所述原料气体的工序；向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序；向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序；以及供给所述第一改性气体的工序。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环依次进行：向所述基板供给所述原料气体的工序；向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序；向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序；以及供给所述第一改性气体的工序。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环依次进行：向所述基板供给所述原料气体的工序；向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序；供给所述第一改性气体的工序；以及向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环非同时地进行：同时地进行向所述基板供给所述原料气体的工序和向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序的工序；向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序；以及向所述基板供给所述第一改性气体的工序。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环依次进行：同时地进行向所述基板供给所述原料气体的工序和向所述基板供给所述第一含氮及
氢气体的工序的工序；向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序；以及向所述基板供给所述第一改性气体的工序。7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环依次进行：同时地进行向所述基板供给所述原料气体的工序和向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序的工序；向所述基板供给所述第一改性气体的工序；以及向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环非同时地进行：同时地进行向所述基板供给所述原料气体的工序和向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序的工序；向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序；向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序；以及供给所述第一改性气体的工序。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环依次进行：同时地进行向所述基板供给所述原料气体的工序和向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序的工序；向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序；向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序；以及供给所述第一改性气体的工序。10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环依次进行：同时地进行向所述基板供给所述原料气体的工序和向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序的工序；供给所述第一改性气体的工序；向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序；以及向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序。11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：(a)的所述循环依次进行：同时地进行向所述基板供给所述原料气体的工序和向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序的工序；向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的工序；供给所述第一改性气体的工序；以及向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的工序。12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有：(c)针对形成在所述基板的表面和所述凹部内的所述含低聚物层和以埋入所述凹部内
的方式形成的所述膜中的至少任一个，向所述基板供给包含被加热为比所述基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第二改性气体的工序。13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在进行了(a)之后，交替重复进行(b)和(c)。14.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a)和(b)中的至少任一个中，向所述基板供给含氧气体。15.根据权利要求所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述原料气体不含氨基而含有卤素。16.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述原料气体含有硅与硅的化学键。17.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述原料气体含有硅和卤素、或者含有硅、卤素和碳。18.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一含氮及氢气体与所述第二含氮及氢气体的分子结构不同。19.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一改性气体是将惰性气体、含氮及氢气体、含氢气体、含氧气体中的至少任一个的气体加热为比所述基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体。20.一种基板处理方法，其特征在于，具有：(a)将包含向在表面设置有凹部的基板供给原料气体的工序、向所述基板供给第一含氮及氢气体的工序、向所述基板供给第二含氮及氢气体的工序、以及向所述基板供给包含被加热为比所述基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体的工序的循环在第一温度下进行预定次数，从而使包含所述原料气体、所述第一含氮及氢气体和所述第二含氮及氢气体中的至少任一个所含的元素的低聚物在所述基板的表面和所述凹部内生成、生长且流动，在所述基板的表面和所述凹部内形成含低聚物层的工序；以及(b)针对在所述基板的表面和所述凹部内形成有所述含低聚物层的所述基板，在所述第一温度以上的第二温度下进行热处理，从而使形成在所述基板的表面和所述凹部内的所述含低聚物层改性，并以埋入所述凹部内的方式形成所述含低聚物层改性而成的膜的工序。21.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对基板进行处理；原料气体供给系统，其向所述处理室内的基板供给原料气体；第一含氮及氢气体供给系统，其向所述处理室内的基板供给第一含氮及氢气体；第二含氮及氢气体供给系统，其向所述处理室内的基板供给第二含氮及氢气体；第一改性气体供给系统，其向所述处理室内的基板供给包含被加热为比基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体；加热器，其对所述处理室内的基板进行加热；以及控制部，其构成为能够对所述原料气体供给系统、所述第一含氮及氢气体供给系统、所述第二含氮及氢气体供给系统、所述第一改性气体供给系统和所述加热器进行控制，使得
在所述处理室内进行：(a)将包含向在表面设置有凹部的基板供给所述原料气体的处理、向所述基板供给所述第一含氮及氢气体的处理、向所述基板供给所述第二含氮及氢气体的处理、供给所述第一改性气体的处理的循环在第一温度下进行预定次数，从而使包含所述原料气体、所述第一含氮及氢气体和所述第二含氮及氢气体中的至少任一个所含的元素的低聚物在所述基板的表面和所述凹部内生成、生长且流动，在所述基板的表面和所述凹部内形成含低聚物层的处理；(b)针对在所述基板的表面和所述凹部内形成有含低聚物层的所述基板，在所述第一温度以上的第二温度下进行热处理，从而使形成在所述基板的表面和所述凹部内的所述含低聚物层改性，并以埋入所述凹部内的方式形成所述含低聚物层改性而成的膜的处理。22.一种程序，其特征在于，通过计算机使所述基板处理装置在基板处理装置的处理室内执行：(a)将包含向在表面设置有凹部的基板供给原料气体的步骤、向所述基板供给第一含氮及氢气体的步骤、向所述基板供给第二含氮及氢气体的步骤、以及向所述基板供给包含被加热为比所述基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体的步骤的循环在第一温度下进行预定次数，从而使包含所述原料气体、所述第一含氮及氢气体和所述第二含氮及氢气体中的至少任一个所含的元素的低聚物在所述基板的表面和所述凹部内生成、生长且流动，在所述基板的表面和所述凹部内形成含低聚物层的步骤；以及(b)针对在所述基板的表面和所述凹部内形成有所述含低聚物层的所述基板，在所述第一温度以上的第二温度下进行热处理，从而使形成在所述基板的表面和所述凹部内的所述含低聚物层改性，并以埋入所述凹部内的方式形成所述含低聚物层改性而成的膜的步骤。

技术总结
本发明具有：(a)针对在表面设置有凹部的基板，将包含供给原料气体的工序、供给第一含氮及氢气体的工序、供给第二含氮及氢气体的工序、供给包含被加热为比基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体的工序的循环在第一温度下进行预定次数，从而使包含任一个气体所含的元素的低聚物在基板的表面和凹部内生成、生长且流动，在基板的表面和凹部内形成含低聚物层的工序；(b)针对在基板的表面和凹部内形成有含低聚物层的基板，在第一温度以上的第二温度下进行热处理，从而使在基板的表面和凹部内形成的含低聚物层改性，并以埋入凹部内的方式形成含低聚物层改性而成的膜的工序。成含低聚物层改性而成的膜的工序。成含低聚物层改性而成的膜的工序。


技术研发人员：佐野敦 原田胜吉 山口大吾 门岛胜
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2021.03.22
技术公布日：2023/10/20