一种高温电学连接结构及其制备方法

1.本发明涉及传感器技术领域，特别是涉及一种高温电学连接结构及其制备方法。


背景技术：

2.随着航空航天以及化工等的高温传感器测试需要，高温电学互联越来越多的被关注。特别是针对高温传感器的信号引出，常规方法采用如高温银浆、铂浆等导电浆料制备焊点，将传感器信号引出，该方法成本较高、结构尺寸较大；直接埋入式引线与传感器相连，对结构表面进行了破坏，可能会造成应力集中。
3.采用前驱体陶瓷浆料可以制备耐温高、成本低的高温连接结构，但是前驱体陶瓷浆料收缩较大，容易开裂和脱落，较难控制，前驱体陶瓷薄膜存在一个临界厚度，超过临界厚度，薄膜会开裂；一般情况下，未填充填料的前驱体陶瓷薄膜的临界厚度在1～10微米之间，通过填料，前驱体陶瓷薄膜的临界厚度可以达到10微米以上。因此，采用前驱体陶瓷浆料制备高温连接结构要制备成薄膜状。
4.专利cn 110957294 a公开了一种薄膜传感器的连接结构和制备方法，首先将陶瓷片开槽，铂丝嵌入小槽，然后采用填料的前驱体液作为粘结剂，将陶瓷片嵌有铂丝那一面粘结到薄膜传感器的薄膜导线上，然后夹紧陶瓷片和薄膜传感器，再在160℃至200℃的环境下进行加热固化一段时间，最后在惰性氛围下高温烧结和退火。该方法本质上，将填料前驱体浆料用压力压成薄膜状，黏结两个陶瓷片，形成电学连接，涉及到陶瓷片的开槽、铂丝的嵌入，陶瓷片与薄膜传感器的夹紧，结构和工艺均复杂；开槽陶瓷片与铂金丝之间的热膨胀系数差异较大，在高温下容易产生微裂纹，从而容易氧化；需要对氧化铝开槽，而且需要在惰性氛围热解，增加了成本，因此制备成本较高；涉及到陶瓷片开槽、铂丝与开槽陶瓷片的相连、夹紧固化等，制备效率较低；该方法仅适用于薄膜传感器的连接结构，不能用于分立导线的高温连接，应用范围较窄。


技术实现要素：

5.本发明的目的是提供一种高温电学连接结构及其制备方法，能够实现高温下的电学连接，提高制备效率及应用范围。
6.为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
7.一种高温电学连接结构，包括：高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷、传感器引线和陶瓷基底；
8.所述绝缘保护陶瓷覆盖于所述导电陶瓷表面；所述高温导线的一端穿过所述绝缘保护陶瓷进入所述导电陶瓷内部；所述传感器相对于所述高温导线设置，并使所述传感器的一端同样穿过所述绝缘保护陶瓷进入所述导电陶瓷内部；所述高温导线和所述传感器引线在所述导电陶瓷中实现电学连接；
9.所述高温导线、所述绝缘保护陶瓷、所述导电陶瓷和所述传感器引线形成电学连接结构；所述电学连接结构覆盖于所述陶瓷基底上。
10.可选地，所述高温导线采用铂丝或镍铬丝；所述传感器引线采用铂金丝、镍铬丝或陶瓷导电薄膜。
11.本发明还提供了一种高温电学连接结构的制备方法，基于上述的高温电学连接结构，其特征在于，包括：
12.步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌，转速200～300转/min，30分钟以上；
13.步骤二、将1根长5cm左右、直径0.1mm～0.3mm的高温导线的一端放置在传感器引线的一端，轴线对齐，端点接触，将步骤一制备的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线和传感器引线接触处，制作圆柱形的浆料图形，直径小于等于3mm，厚度控制在0.5mm以下；
14.步骤三、将陶瓷衬底连同高温连接结构放到管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，形成高温连接结构。
15.本发明还提供了一种高温电学连接结构的制备方法，基于上述的高温电学连接结构，其特征在于，包括：
16.步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌30分钟以上；
17.步骤二、将1根长5cm、直径0.2mm左右的高温导线放置到氯化钠晶体衬底上，将步骤一得到的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线位置处制作圆柱形的浆料图形，直径小于等于5mm，厚度控制在5mm以下；
18.步骤三、将步骤二得到的结构放置在空气中2～3小时，固化浆料；
19.步骤四、将步骤三得到的结构放到水中几秒钟，氯化钠晶体溶于水，得到连在一起的导线和固体陶瓷前驱体，80℃烘干；
20.步骤五、将步骤四得到的结构放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，这样就形成了内部为导电陶瓷外部为绝缘保护陶瓷的双层高温连接结构；
21.步骤六、采用打磨等方式将步骤五得到的圆柱陶瓷的其中一个底面的绝缘层去除，然后将步骤一得到的浆料涂到需要连接的传感器引线处，然后将圆柱陶瓷去除绝缘保护层那一面压到浆料处，放到放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，得到高温导线和传感器引线的连接结构。
22.本发明还提供了一种高温电学连接结构，包括：高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷和传感器引线；
23.所述绝缘保护陶瓷覆盖于所述导电陶瓷表面；所述高温导线的一端穿过所述绝缘保护陶瓷进入所述导电陶瓷内部；所述传感器相对于所述高温导线设置，并使所述传感器的一端同样穿过所述绝缘保护陶瓷进入所述导电陶瓷内部；所述高温导线和所述传感器引线在所述导电陶瓷中实现电学连接。
24.本发明还提供了一种高温电学连接结构的制备方法，基于上述的高温电学连接结构，其特征在于，包括：
25.步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌30分钟以上；
26.步骤二、将一根高温导线和一根传感器引线放置到氯化钠晶体衬底上方0.2mm～0.5mm，轴线处于同一直线，对齐，导线最近端点相距0.2mm～3mm，将步骤一得到的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线和传感器引线最近位置处制作圆柱形的浆料图形，使高温导线和传感器引线分别进入浆料图案至少0.2mm，圆柱形浆料直径小于等于5mm，厚度控制在5mm以下；
27.步骤三、将步骤二得到的结构放置在空气中2～3小时，固化浆料；
28.步骤四、将步骤三得到的结构放到水中几秒钟，氯化钠晶体溶于水，得到连在一起的高温导线、传感器引线和固体陶瓷前驱体，80℃烘干；
29.步骤五、将步骤四得到的结构放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，形成内部为导电陶瓷外部为绝缘保护陶瓷的双层高温连接结构。
30.根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
31.本发明公开了一种高温电学连接结构及其制备方法，所述高温电学连接结构由高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷和传感器引线构成，或由高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷、传感器引线和陶瓷基底构成，使绝缘保护陶瓷覆盖于导电陶瓷表面；高温导线的一端穿过绝缘保护陶瓷进入导电陶瓷内部；传感器相对于高温导线设置，并使传感器的一端同样穿过绝缘保护陶瓷进入导电陶瓷内部；高温导线和传感器引线在导电陶瓷中实现电学连接；高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷和传感器引线形成电学连接结构；电学连接结构覆盖于陶瓷基底上或不在陶瓷基底上。本发明能够实现高温下的电学连接，不限于薄膜传感器的连接结构，能够用于分立导线的高温连接，提高制备效率及应用范围。
附图说明
32.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1为本发明高温电学连接结构的一种连接示意图；
34.图2为本实施例中高温电学连接结构的另一种连接示意图；
35.图3为本实施例中高温连接结构室温到1000℃的温阻曲线；
36.图4为本实施例中高温连接结构室温到1100℃的温阻曲线；
37.图5为本实施例中热敏电阻的电阻和温度随时间的变化测试曲线；
38.图6为本实施例中热敏电阻的3轮温阻测试数据；
39.图7为本实施例中高温引线和传感器引线的高温电学连接温阻数据。
40.附图标记：
41.1、高温导线；2、绝缘保护陶瓷；3、导电陶瓷；4、传感器引线；5、陶瓷基底。
具体实施方式
42.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
43.本发明的目的是提供一种高温电学连接结构及其制备方法，能够实现高温下的电学连接，提高制备效率及应用范围。
44.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
45.如图1-图7所示，本发明提供了一种高温电学连接结构，包括：高温导线1、绝缘保护陶瓷2、导电陶瓷3、传感器引线4和/或陶瓷基底5。
46.具体地，所述绝缘保护陶瓷2覆盖于所述导电陶瓷3表面；所述高温导线1的一端穿过所述绝缘保护陶瓷2进入所述导电陶瓷3内部；所述传感器相对于所述高温导线1设置，并使所述传感器的一端同样穿过所述绝缘保护陶瓷2进入所述导电陶瓷3内部；所述高温导线1和所述传感器引线4在所述导电陶瓷3中实现电学连接；所述高温导线1、所述绝缘保护陶瓷2、所述导电陶瓷3和所述传感器引线4形成电学连接结构；所述电学连接结构覆盖于所述陶瓷基底5上(如图1所示)或不在陶瓷基底5上(如图2所示)。
47.在本实施例中，所述高温导线1采用铂丝或镍铬丝，所述陶瓷基底5采用氧化铝或者氮化硅。
48.基于上述结构，提供一种高温电学连接结构的制备方法，包括：
49.步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌，转速200～300转/min，30分钟以上；
50.步骤二、将1根长5cm左右、直径0.1mm～0.3mm的高温导线的一端放置在传感器引线的一端，将步骤一制备的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线和薄膜导线接触处，制作圆柱形的浆料图形，直径小于等于3mm，厚度控制在0.5mm以下；
51.步骤三、将陶瓷衬底连同高温连接结构放到管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，形成高温连接结构。
52.基于上述结构，提供另一种高温电学连接结构的制备方法，包括：
53.步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌30分钟以上；
54.步骤二、将1根长5cm左右、直径0.1mm～0.3mm的高温导线放置到氯化钠晶体衬底上，将步骤一得到的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线一端，制作圆柱形的浆料图形，直径小于等于5mm，厚度控制在5mm以下；
55.步骤三、将步骤二得到的结构放置在空气中2～3小时，固化浆料；
56.步骤四、将步骤三得到的结构放到水中几秒钟，氯化钠晶体溶于水，得到连在一起的导线和固体陶瓷前驱体，80℃烘干；
57.步骤五、将步骤四得到的结构放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，这样就形成
了内部为导电陶瓷外部为绝缘保护陶瓷的双层高温连接结构；
58.步骤六、采用打磨等方式将步骤五得到的圆柱陶瓷的其中一个底面的绝缘层去除，然后将步骤一得到的浆料涂到需要连接的传感器引线处，然后将圆柱陶瓷去除绝缘保护层那一面压到浆料处，放到放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，得到高温导线1和传感器引线4的连接结构。
59.此外，还提供另一种高温电学连接结构，包括：高温导线1、绝缘保护陶瓷2、导电陶瓷3和传感器引线4。
60.具体地，所述绝缘保护陶瓷2覆盖于所述导电陶瓷3表面；所述高温导线1的一端穿过所述绝缘保护陶瓷2进入所述导电陶瓷3内部；所述传感器相对于所述高温导线1设置，并使所述传感器的一端同样穿过所述绝缘保护陶瓷2进入所述导电陶瓷3内部；所述高温导线1和所述传感器引线4在所述导电陶瓷3中实现电学连接。
61.基于上述结构，提供一种高温电学连接结构的制备方法，包括：
62.步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌30分钟以上；
63.步骤二、将1根长5cm左右、直径0.1mm～0.3mm的高温导线1放置到氯化钠晶体衬底上，将1根长5cm左右、直径0.1mm～0.3mm的传感器引线4也放置到氯化钠晶体衬底上，与高温导线对齐，间距为0.2mm～2mm，将步骤一得到的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线和传感器引线两端接触处制作圆柱形的浆料图形，直径小于等于5mm，厚度控制在5mm以下；
64.步骤三、将步骤二得到的结构放置在空气中2～3小时，固化浆料；
65.步骤四、将步骤三得到的结构放到水中几秒钟，氯化钠晶体溶于水，得到连在一起的高温导线1、固体陶瓷前驱体和传感器引线4，80℃烘干；
66.步骤五、将步骤四得到的结构放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，形成内部为导电陶瓷外部为绝缘保护陶瓷的双层高温连接结构。
67.在上述技术方案的基础上，提供如下所示的三个实施例：
68.实施例1
69.(1)将70wt％的tib2纳米粉末加入30wt％的sicn前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌，转速200转/min，60分钟；
70.(2)将两根的长度5cm、直径0.2mm的镍铬丝，一端对齐平行放置到氧化铝衬底上，间距为1mm，用聚酰亚胺胶带固定；
71.(3)将(1)的浆料通过丝网印刷在氧化铝衬底上镍铬丝接近端处中心制作圆柱形的浆料图形，直径3mm，厚度0.3mm；
72.(4)将陶瓷衬底连同高温连接结构放到管式炉中，在大气氛围下，以5℃/min的升温速率加热到1100℃，保温1小时，再以5℃/min的降温速率降温到室温，这样就形成了高温连接结构。
73.(5)对该结构进行高温温阻测试，测试结果如图3和4所示，可以看出，在室温至1000℃测试中其电阻在70ω至100ω范围变化，在随后的室温至1000℃测试中其电阻在70
ω至85ω范围变化，因此该高温连接结构高温下可靠，且制备方法简单。
74.实施案例2：
75.(1)将70wt％的tib2纳米粉末加入30wt％的sicn前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌60分钟；
76.(2)将长度5cm、直径0.2mm的高温导线1放置到氯化钠晶体衬底上，将(1)得到的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线的一端制作圆柱形的浆料图形，直径等于3mm，厚度0.8mm；
77.(3)将(2)得到的结构放置在空气中3小时，固化浆料
78.(4)将(3)得到的结构放到水中5秒钟，氯化钠晶体溶解于水，得到连在一起的导线和固体陶瓷前驱体，80℃烘干。
79.(5)将(4)得到的结构放在管式炉中，在大气氛围下，以5℃/min的升温速率加热到800℃，保温1小时，再以5℃/min的降温速率降温到室温。
80.(6)采用打磨等方式将(5)得到的圆柱陶瓷的其中一个底面的绝缘层去除，然后将(1)得到的浆料涂到热敏电阻敏感层的薄膜引线处，然后将圆柱陶瓷去除绝缘保护层那一面压到浆料处，放到放在管式炉中，在大气氛围下，以5℃/min的升温速率加热到800℃，保温1小时，再以5℃/min的降温速率降温到室温，得到高温导线1和薄膜引线的连接结构。
81.(7)将(6)得到的热敏电阻进行空气中室温至800℃的温阻测试，测试结果如图5和图6所示，可以看出制备的焊点对于热敏电阻稳定工作提供了良好的高温连接。
82.实施案例3：
83.(1)将70wt％的tib2纳米粉末加入30wt％的sicn前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌，转速200转/min，60分钟；
84.(2)将两根的长度5cm、直径0.2mm的镍铬丝，一端对齐平行放置到氯化钠衬底上，间距为1mm，用聚酰亚胺胶带固定；
85.(3)将(1)的浆料通过丝网印刷在氯化钠衬底上镍铬丝端头处制作的浆料图形，直径3mm，厚度0.3mm；
86.(4)将氯化钠衬底连同高温连接结构放到去离子水中，1min后，取出高温连接结构，放烘箱烘干，然后放到管式炉中，在大气氛围下，以5℃/min的升温速率加热到1100℃，保温1小时，再以5℃/min的降温速率降温到室温，这样就形成了高温连接结构。
87.(5)对获得的分立连接结构进行温阻测试，测试结果如图7所示，可以看出，从室温到1000℃，电学连接结构的电阻在50～500ω范围内波动，变化不大。
88.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
89.本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

技术特征：
1.一种高温电学连接结构，其特征在于，包括：高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷、传感器引线和陶瓷基底；所述绝缘保护陶瓷覆盖于所述导电陶瓷表面；所述高温导线的一端穿过所述绝缘保护陶瓷进入所述导电陶瓷内部；所述传感器相对于所述高温导线设置，并使所述传感器的一端同样穿过所述绝缘保护陶瓷进入所述导电陶瓷内部；所述高温导线和所述传感器引线在所述导电陶瓷中实现电学连接；所述高温导线、所述绝缘保护陶瓷、所述导电陶瓷和所述传感器引线形成电学连接结构；所述电学连接结构覆盖于所述陶瓷基底上。2.根据权利要求1所述的高温电学连接结构，其特征在于，所述高温导线采用铂丝或镍铬丝；所述传感器引线采用铂金丝、镍铬丝或陶瓷导电薄膜。3.一种高温电学连接结构的制备方法，基于权利要求1-2任一项所述的高温电学连接结构，其特征在于，包括：步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌，转速200～300转/min，30分钟以上；步骤二、将1根长5cm左右、直径0.1mm～0.3mm的高温导线的一端放置在传感器引线的一端，轴线对齐，端点接触，将步骤一制备的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线和传感器引线接触处，制作圆柱形的浆料图形，直径小于等于3mm，厚度控制在0.5mm以下；步骤三、将陶瓷衬底连同高温连接结构放到管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，形成高温连接结构。4.一种高温电学连接结构的制备方法，基于权利要求1-2任一项所述的高温电学连接结构，其特征在于，包括：步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌30分钟以上；步骤二、将1根长5cm、直径0.2mm左右的高温导线放置到氯化钠晶体衬底上，将步骤一得到的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线位置处制作圆柱形的浆料图形，直径小于等于5mm，厚度控制在5mm以下；步骤三、将步骤二得到的结构放置在空气中2～3小时，固化浆料；步骤四、将步骤三得到的结构放到水中几秒钟，氯化钠晶体溶于水，得到连在一起的导线和固体陶瓷前驱体，80℃烘干；步骤五、将步骤四得到的结构放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，这样就形成了内部为导电陶瓷外部为绝缘保护陶瓷的双层高温连接结构；步骤六、采用打磨等方式将步骤五得到的圆柱陶瓷的其中一个底面的绝缘层去除，然后将步骤一得到的浆料涂到需要连接的传感器引线处，然后将圆柱陶瓷去除绝缘保护层那一面压到浆料处，放到放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，得到高温导线和传感器引线的连接结构。5.一种高温电学连接结构，其特征在于，包括：高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷和传
感器引线；所述绝缘保护陶瓷覆盖于所述导电陶瓷表面；所述高温导线的一端穿过所述绝缘保护陶瓷进入所述导电陶瓷内部；所述传感器相对于所述高温导线设置，并使所述传感器的一端同样穿过所述绝缘保护陶瓷进入所述导电陶瓷内部；所述高温导线和所述传感器引线在所述导电陶瓷中实现电学连接。6.一种高温电学连接结构的制备方法，基于权利要求5所述的高温电学连接结构，其特征在于，包括：步骤一、将65wt％～80wt％的tib2纳米粉末加入20wt％～35wt％的sicn或sico或sic前驱体陶瓷溶液中，进行磁力搅拌30分钟以上；步骤二、将一根高温导线和一根传感器引线放置到氯化钠晶体衬底上方0.2mm～0.5mm，轴线处于同一直线，对齐，导线最近端点相距0.2mm～3mm，将步骤一得到的浆料通过丝网印刷或直写3d打印在高温导线和传感器引线最近位置处制作圆柱形的浆料图形，使高温导线和传感器引线分别进入浆料图案至少0.2mm，圆柱形浆料直径小于等于5mm，厚度控制在5mm以下；步骤三、将步骤二得到的结构放置在空气中2～3小时，固化浆料；步骤四、将步骤三得到的结构放到水中几秒钟，氯化钠晶体溶于水，得到连在一起的高温导线、传感器引线和固体陶瓷前驱体，80℃烘干；步骤五、将步骤四得到的结构放在管式炉中，在大气氛围下，以3～5℃/min的升温速率加热到800～1300℃，保温1小时，再以3～5℃/min的降温速率降温到室温，形成内部为导电陶瓷外部为绝缘保护陶瓷的双层高温连接结构。

技术总结
本发明公开一种高温电学连接结构及其制备方法，涉及传感器技术领域。所述高温电学连接结构包括：高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷、传感器引线和陶瓷基底；绝缘保护陶瓷覆盖于导电陶瓷表面；高温导线的一端穿过绝缘保护陶瓷进入导电陶瓷内部；传感器相对于高温导线设置，并使传感器的一端同样穿过绝缘保护陶瓷进入导电陶瓷内部；高温导线和传感器引线在导电陶瓷中实现电学连接；高温导线、绝缘保护陶瓷、导电陶瓷和传感器引线形成电学连接结构；电学连接结构覆盖于陶瓷基底上。本发明能够实现高温下的电学连接，不限于薄膜传感器的连接结构，能够用于分立导线的高温连接，提高制备效率及应用范围。效率及应用范围。效率及应用范围。


技术研发人员：崔在甫 吕信翰 陆振国 梁海权 冯波 段文锦 毛鼎云 缑博怀 陈小军 李鑫 隋广洲
受保护的技术使用者：岭南师范学院
技术研发日：2023.07.13
技术公布日：2023/10/20