阵列基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.有机电致发光器件如oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)具有自发光、宽视角、广色域、高对比度、轻薄等优点，被广泛应用到显示产品中。
3.目前，oled透明显示面板的越来越受人们的青睐，oled透明显示面板中具有发光区域和透明区域，一方面通过发光区域发光实现显示，另一方面通过透明区域实现显示面板的透明特性。


技术实现要素：

4.本公开实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示装置，既能够保证透明区域的透明度，又能够保证显示色域以及提升出光效率。
5.第一方面，本公开一些实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；在所述衬底基板上呈阵列排布的多个发光器件，所述多个发光器件的间隔区域设置有透明区域，所述发光器件包括层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、有机发光层和第二电极，所述有机发光层在所述衬底基板上的正投影与所述透明区域互不交叠，所述第一电极为反射电极，所述第二电极被配置为将所述有机发光层发出的光部分透射且部分反射；像素界定层，设置在所述衬底基板上，所述像素界定层包括：间隔设置的第一开口区域以及被配置为限定透明区域的第二开口区域，每个所述发光器件设置在一个所述第一开口区域处，所述第二开口区域内设置有隔离层，所述隔离层被配置为阻止所述第二电极延伸到所述透明区域。
6.可选地，所述多个发光器件的第二电极相互连通，所述像素界定层的靠近所述第二开口区域的侧壁为斜坡面，所述第二电极覆盖所述斜坡面的至少部分区域，且与所述隔离层的边缘相接。
7.可选地，所述隔离层在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
8.可选地，所述第二电极的材料为镁，所述隔离层的材料包括：8-羟基喹啉锂，或者，双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对苯基苯酚)合铝。
9.可选地，所述隔离层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为1nm-10nm。
10.可选地，所述第二电极在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为10nm-15nm。
11.可选地，所述第二电极的透过率为50％-70％。
12.可选地，所述发光器件还包括：电子传输层和电子注入层，所述电子传输层和电子注入层位于所述有机发光层与所述第二电极之间，所述电子传输层和所述电子注入层延伸到所述透明区域，所述隔离层位于所述电子注入层的远离所述衬底基板一侧。所述电子注入层的材料包括：氟化钠，或者，所述电子注入层的材料包括：n型掺杂的电子传输层材料。
13.第二方面，本公开一些实施例提供了一种显示装置，包括：上述第一方面提供的阵
列基板。
14.第三方面，本公开一些实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成多个发光器件的第一电极以及形成像素界定层，其中，所述多个发光器件在所述衬底基板上呈阵列排布，所述多个发光器件的间隔区域设置有透明区域，所述第一电极为反射电极，所述像素界定层包括：间隔设置的第一开口区域以及被配置为限定所述透明区域的第二开口区域，每个所述发光器件对应于一个所述第一开口区域；在所述第一开口区域内形成所述多个发光器件的有机发光层，所述有机发光层在所述衬底基板上的正投影与所述透明区域互不交叠；在所述第二开口区域内形成隔离层；在所述有机发光层上形成所述多个发光器件的第二电极，其中，所述隔离层被配置为阻止所述第二电极延伸到所述透明区域，所述第二电极被配置为将所述有机发光层发出的光部分透射且部分反射。
15.在本公开一些实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示装置中，发光器件包括：第一电极、第二电极以及层叠设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层，第一电极为反射电极，第二电极被配置为将有机发光层发出的光部分透射且部分反射，从而实现较强的微腔效应，以保证显示色域以及提升出光效率；并且，通过在透明区域内设置隔离层，隔离层被配置为阻止第二电极延伸到透明区域，从而尽量避免第二电极影响透明区域的透过率，有利于保证透明区高透明度。
16.上述说明仅是本公开实施例提供的技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开实施例的具体实施方式。
附图说明
17.为了更清楚地说明本公开内容中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图是本公开内容的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1示出了本公开一些实施例的阵列基板的截面示意图；
19.图2示出了本公开一些实施例的阵列基板的平面示意图；
20.图3示出了本公开一些实施例的阵列基板的结构示意图；
21.图4示出了liq喷墨材料打印后处于湿膜状态时的拍摄图；
22.图5示出了本公开一些实施例中显示像素中的发光器件的膜层示意图；
23.图6示出了本公开一些实施例中透明像素内的部分膜层示意图；
24.图7示出了本公开一些实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
25.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
26.需要说明的是，本文中出现的用语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。用语“多个”包括两个或大于两个的情况。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”“下”“左”“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
27.应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。本文中描述的“透明”是一个广义的概念，可以将透过率超过设定阈值的对象如膜层、基材等认为是透明的，透过率越高，透明度也就越高。其中，设定阈值可以根据实际应用场景的需要确定，例如，可以为50％、60％、70％、80％、90％或95％等，本实施例对此不做限制。
28.目前，在一些基于有机电致发光器件的大尺寸透明显示面板中，为保证透明区域的透明度，阴极通常会采用具有较高透过率的透明电极，如izo(indium zinc oxide，氧化铟锌)，但是由于izo的透过率较高(例如可以达到95％以上甚至更高)，会破坏顶发射器件的强微腔效应，致使器件出光效率降低，色域变差。
29.基于此，本公开实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示基板、装置中，通过将发光器件的第二电极配置为能够将有机发光层发出的光部分透射且部分反射的电极，从而保证发光器件可以形成光学微腔，以实现较强的微腔效应，保证显示色域以及提升出光效率；并且，通过在透明区域内设置隔离层，隔离层被配置为阻止第二电极延伸到透明区域，从而尽量避免第二电极影响透明区域的透过率，有利于保证透明区高透明度。
30.下面，结合附图对本公开一些实施例提供的阵列基板进行详细的说明。需要说明的是，该阵列基板可以应用于透明显示，例如，可以应用于透明显示面板如大尺寸的oled显示面板；或者，也可以应用于其他适用的场景，例如，可以用于具有发光功能的透明窗体如车窗、建筑窗户等，本实施例对此不做限制。
31.图1示出了本公开一些实施例的阵列基板的截面示意图，图2示出了本公开一些实施例的阵列基板的平面示意图，图1可以为沿图2中的a-a剖面线得到的截面图。参见图1和图2，本公开一些实施例提供了一种阵列基板10，该阵列基板10可以包括：衬底基板100以及设置在衬底基板100上的多个发光器件110。
32.衬底基板100的材料可以为透明材料。例如，衬底基板100可以采用透明的柔性衬底，或者，也可以采用透明的刚性衬底如玻璃或超薄玻璃(ultra-thin glass，utg)等。
33.多个发光器件110在衬底基板100上呈阵列排布。每个发光器件110包括：层叠设置在衬底基板100上的第一电极111、有机发光层113和第二电极117。有机发光层113为电致有机发光层，每个发光器件110的有机发光层113包含的发光材料可以根据其发光颜色确定，例如，对于红光发光器件，有机发光层113可以包括红色有机发光材料；对于绿光发光器件，有机发光层113可以包括绿色有机发光材料；对于蓝光发光器件，有机发光层113可以包括蓝色有机发光材料。例如，发光器件110可以为oled发光器件。
34.第一电极111为反射电极，有机发光层113发出的光入射到第一电极111后被反射。第二电极117被配置为将有机发光层113发出的光部分透射且部分反射，从有机发光层113发出的光入射到第二电极117时，一部分透射进入人眼，另一部分则被反射回去。需要说明
的是，第二电极117的透过率需要满足微腔效应的需求，例如，透过率可以接近于50％，如可以为50％、60％或70％等。
35.全反射的第一电极111、半透明的第二电极117以及置于第一电极111与第二电极117之间的有机发光层113可以形成光学微腔，以实现较强的微腔效应，保证显示色域以及提升出光效率。光学微腔是将有机发光层113置于一个全反射膜和半反射膜构成的谐振腔内，由于有机发光器件110的厚度可以与光波长相当，半透明的第二电极117可看成半反射膜，第一电极111可以看成全反射膜，因而使得发光器件110具有微腔效应。需要说明的是，这里的“半透明”“半反射”是一种广义的描述，包括透过率或反射率为50％的情况，以及，透过率或反射率与50％的差值在可接受偏差范围内的情况，本实施例对此不做限制。
36.第一电极111和第二电极117中的一者作为阳极，另一者作为阴极。为了便于说明，下文中主要以第一电极111可以为阳极，第二电极117可以为阴极为例。
37.例如，对于顶发射型的阵列基板10来讲，第一电极111相比于第二电极117更靠近衬底基板100。第一电极111为反射电极，例如，第一电极111的结构可以为由透明导电氧化物薄膜/金属薄膜/透明导电氧化物薄膜依次层叠构成的复合结构。其中，上述透明导电氧化物薄膜的材料例如为ito(indium tin oxide，氧化铟锡)和izo中的任意一种，上述金属薄膜的材料例如为金(au)、银(ag)、铜(cu)、钛(ti)、镍(ni)和铂(pt)中的任意一种。又例如，第一电极111的结构也可以为单层结构，单层结构的材料可以为金属材料，如金(au)、银(ag)、铜(cu)、钛(ti)、镍(ni)和铂(pt)中的任意一种。
38.如图2所示，上述多个发光器件110的间隔区域设置有透明区域120。上述多个发光器件110的有机发光层113在衬底基板100上的正投影与该透明区域120互不交叠。例如，上述多个发光器件110呈阵列排布，可以沿行方向，每两个相邻发光器件110之间设置一个透明区域120。又例如，也可以每间隔若干个发光器件110设置一个透明区域120。需要说明的是，图2中示出的发光器件110与透明区域120的排布方式仅为示意，上述多个发光器件110以及透明区域120的具体排布可以根据实际应用场景的需要设置，本实施例对此不做限制。
39.例如，图3示出了本公开一些实施例的阵列基板的结构示意图。如图3所示，当阵列基板10应用于透明显示时，阵列基板10可以包括呈阵列排布的多个像素单元p，每个像素单元p可以包括多个显示像素，每个显示像素可以包括一个发光器件110以及用于驱动该发光器件110发光的像素驱动电路。例如，上述多个显示像素可以包括：红色像素r、绿色像素g以及蓝色像素b，红色像素r可以包括红光发光器件，绿色像素g可以包括绿光发光器件，蓝色像素b可以包括蓝光发光器件。每个像素单元p内设置有一个透明像素t。可以理解的是，该透明像素t所在的区域也即上述的透明区域120。
40.如图3所示，像素单元p可以包括红色像素r、绿色像素g、蓝色像素b以及透明像素t，红色像素r、绿色像素g和蓝色像素b可以按照图3中示出的rgb排布方式排布，透明像素t位于rgb的下方。需要说明的是，图3中示出的排布方式仅为示意，在其他实施例中，也可以采用其他排布方式，例如，红色像素r、绿色像素g和蓝色像素b之间也可以采用delta排布，pentile排布，或者，ggrb排布等。像素单元p内的各显示像素和透明像素t的排布以及尺寸关系可以根据实际应用场景的需要设置，本实施例对此不做限制。
41.如图1所示，阵列基板10还可以包括：像素界定层130，设置在衬底基板100的一侧。像素界定层130可以包括：第一开口区域131以及第二开口区域132，第一开口区域131被配
置为界定上述发光器件110的发光区域。每个发光器件110设置在一个第一开口区域131处，第一开口区域131的下端口处露出相应发光器件110的第一电极111的至少部分区域。
42.例如，像素界定层130可以采用疏液性质的材料，这样在采用喷墨打印的方式打印有机发光层113时，具有疏液性质的像素界定层130可以使得落在其上的喷墨材料滑落，并且移动至第一开口区域131中，还可以防止第一开口区域131中的喷墨材料攀爬，有利于较准确地限定发光器件110的发光区域。
43.第二开口区域132被配置为界定上述透明区域120。第二开口区域132内设置有隔离层121。隔离层121被配置为阻止第二电极117延伸到透明区域120。例如，上述多个发光器件110的第二电极117可以是相互连通的，即相互连为一体，相当于各发光器件110共用第二电极117，第二电极117可以覆盖阵列基板10中除隔离层121以外的其他显示区域(或发光区域)。
44.在一些实施例中，像素界定层130的靠近第二开口区域132的侧壁可以为斜坡面，即沿垂直于衬底基板100方向，随着与衬底基板100距离的增加，第二开口区域132的开口尺寸逐渐增大。例如，如图1所示，第二电极117随形覆盖上述斜坡面的至少部分区域(即第二开口区域132内形成隔离层121后仍露出的那部分侧壁区域)，且第二电极117的靠近第二开口区域132的边缘与隔离层121的边缘相接。需要说明的是，这里的“相接”可以理解为：第二电极117的靠近第二开口区域132的边缘与隔离层121的边缘相接触，或者，第二电极117的靠近第二开口区域132的边缘与隔离层121的边缘也可以稍微存在一点间隙，又或者，在可接受的透明区尺寸误差范围内，第二电极117的靠近第二开口区域132的边缘与隔离层121的边缘也可以稍微存在一点交叠，具体相接程度根据实际工艺结果确定，本实施例对此不做限制。
45.在一些实施例中，隔离层121在衬底基板100上的正投影与第二电极117在衬底基板100上的正投影互不交叠。需要说明的是，这里的互不交叠可以理解为完全不存在交叠，或者，在可接受的误差范围内，第二电极117的靠近第二开口区域132的边缘与隔离层121的边缘稍微存在一点交叠，也可以认为二者在衬底基板100上的正投影是互不交叠的。
46.通过设置隔离层121可以尽量避免生产过程中，具有部分透射部分反射特性的第二电极117形成到透明区域120内，导致透明区域120的透明度降低，从而有利于在保证显示色域以及提升出光效率的情况下，保证透明区域120的透明度。
47.例如，第二电极117可以是通过蒸镀工艺形成的，隔离层121被配置为在蒸镀上述多个发光器件110的第二电极117时，阻止第二电极117材料被蒸镀到透明区域120内。利用第二电极117材料在隔离层121材料上的粘合力很小，甚至于与隔离层121材料相斥，而在其他区域上粘合力相对较强的特性，使得第二电极117材料无法在隔离层121上蒸镀，从而阻止第二电极117形成到透明区域120。
48.在一些实施例中，第二电极117需要满足的特性可以包括：
①
能够导电；
②
能够将有机发光层113发出的光部分透射且部分反射，以使得发光器件110具有较强的微腔效应；以及
③
第二电极117材料无法在隔离层121上蒸镀。隔离层121需要满足的特性可以包括：
①
透明；以及
②
通过第二电极117的制备工艺如蒸镀工艺，第二电极117材料无法被沉积到隔离层121上。
49.在一些实施例中，第二电极117的材料可以为镁(mg)，隔离层121的材料可以包括
liq材料(8-羟基喹啉锂)。这样可以利用纯mg无法在liq材料上蒸镀的特性，致使透明区域120无法蒸镀上mg，这样既可以保持透明区高透明度，又可以维持发光器件110的强微腔效应，保证显示色域和提升出光效率。
50.需要说明的是，金属膜层在厚度足够薄的情况下能够具有一定的透光特性。例如，第二电极117为镁金属层时，在垂直于所述衬底基板100方向上，镁金属层的厚度可以为10nm-15nm，如可以为10nm、13nm或15nm等。此时，第二电极117的透过率可以达到50％～70％，如50％、60％或70％等，以实现较强的微腔效应。当然，在其他示例中，镁金属层的厚度也可以稍微再薄一点(如5nm、6nm或8nm等)或者也可以稍微再厚一点(如16nm或17nm等)，相应地，透过率也可以稍微再低一点或高一点，能够实现较强的微腔效应，从而满足实际应用场景的色域以及出光效率需求即可，本实施例对此不做限制。
51.需要说明的是，除了mg以外，第二电极117也可以采用其他能够满足上述特性的材料，本实施例对此不做限制。
52.还需要说明的是，除了liq材料以外，隔离层121也可以采用其他能够满足上述特性的材料，本实施例对此不做限制。例如，第二电极117为镁金属层时，隔离层121的材料也可以包括：balq材料(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对苯基苯酚)合铝)。
53.在一些实施例中，隔离层121在垂直于衬底基板100方向上的厚度可以为1nm-10nm，例如，可以为1nm，2nm，4nm，6nm，8nm或10nm等，以保证隔离层121具有较高的透明度，从而保证透明区域120的透明度。
54.例如，隔离层121可以通过喷墨打印(ink-jet printing，ijp)的方式打印到透明区域120。以隔离层121材料为liq材料为例，可以预先配制liq喷墨材料(也可以称为liq“墨水”)，通过喷墨打印工艺，将liq喷墨材料打印到透明区域120，然后对打印的liq喷墨材料进行干燥处理，就可以在透明区域120形成透明的liq材料层，作为上述的隔离层121。
55.在一些实施例中，上述发光器件110还可以包括：共通功能层115，共通功能层115覆盖上述多个发光器件110所在的显示区以及位于发光器件110之间的透明区域120。例如，共通功能层115可以包括：电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。电子传输层和电子注入层位于有机发光层113与第二电极117之间，电子传输层和电子注入层延伸到透明区域120，即随形覆盖第二开口区域132的侧壁和底面。此时，隔离层121位于电子注入层的远离衬底基板100一侧。也就是说，隔离层121形成于透明区域120的电子注入层之上。
56.电子传输层可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的，可以使用掺杂来增强导电性。本实施例对电子传输层的材料不做限制。
57.电子注入层可以包括能够注入电子的材料，在一些实施例中，电子注入层的材料可以包括：氟化钠(naf)，或者，电子注入层的材料可以包括：n型掺杂的电子传输层材料，以便于实现隔离层121的像素化打印。
58.例如，电子传输层和电子注入层可以是利用在显示区(或发光区)开口的掩模板(open mask)进行蒸镀工艺形成的，此时，电子传输层和电子注入层除了会覆盖发光器件110所在的区域，也会覆盖透明区域120，属于整个显示区(或发光区)的共通层。liq喷墨材料在naf或者n型掺杂的电子传输层材料上是疏液型的，打印时，可以使得落在其上的liq喷墨材料被限制到第二开口区域132中，从而可以维持liq喷墨材料的像素化打印。
59.例如，图4示出了liq喷墨材料打印后处于湿膜状态时的拍摄图，图4中颜色相对较
深的区域为liq喷墨材料打印区域，实验证明在naf或者n型掺杂的电子传输层材料上打印liq喷墨材料时，liq喷墨材料会被限制在用于界定透明区域120的开口区域内，实现诸如图4中所示的像素化打印。
60.在一些实施例中，有机发光层113可以包括：发光材料层(eml)，用于发出特定颜色的光。可选地，有机发光层113还可以包括：空穴注入层(hil)和/或空穴传输层(htl)，空穴注入层和/或空穴传输层可以位于第一电极111与发光材料层之间。以发光器件110包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层以及阴极为例，可以采用喷墨打印工艺，依次将空穴注入层、空穴传输层以及发光材料层层叠形成于发光器件110的阳极之上，而上述透明区域120可以无需进行有机发光层113的打印，以更好地保证透明区域120的透明度。此时，空穴注入层、空穴传输层以及发光材料层在衬底基板100上的正投影可以均与透明区域120互不交叠。
61.当然，在其他实施例中，上述发光器件110还可以包括其他功能膜层，本实施例对此不做限制。例如，还可以包括电子阻挡层和空穴阻挡层，电子阻挡层位于阳极和发光材料层之间，空穴阻挡层位于阴极和发光材料层之间，但不限于此。例如，空穴阻挡层或电子阻挡层可采用有机材料制作。
62.以阵列基板10应用于透明显示为例，下面以第一电极111采用ito/反射金属/ito的层叠结构，第二电极117采用镁金属层，隔离层121采用liq材料层为例，对显示像素以及透明像素的部分膜层结构进行说明。图5示出了本公开一些实施例中显示像素中的发光器件110的膜层示意图，也就是图1中a1区域的一种示例性膜层结构图。图6示出了本公开一些实施例中透明像素内的部分膜层示意图，也就是图1中a2区域的一种示例性膜层结构图。
63.如图5所示，发光器件110可以包括：自下而上依次层叠设置的ito层201、反射金属层202、ito层203、空穴注入层301、空穴传输层302、发光材料层303、电子传输层401、电子注入层402以及镁金属层117a。
64.如图6所示，透明像素内的膜层可以包括：自下而上依次层叠设置的背板共通层140、电子传输层401、电子注入层402以及liq材料层121a。背板共通层140可以包括位于衬底基板100与第二电极117之间，且覆盖透明像素的一个或多个透明无机膜层。例如，背板共通层140可以包括：诸如氮氧化硅(sion)和/或氧化硅(sio)材料的透明膜层，具体可以根据实际需要设置。
65.在一些实施例中，阵列基板10还包括：位于衬底基板100与第一电极111之间的背板功能层(图中未示出)。例如，背板功能层可以包括但不限于：位于衬底基板100上的缓冲层以及驱动电路层。驱动电路层可以用来形成每个发光器件110对应的像素驱动电路。像素驱动电路可以与发光器件110的第一电极111连接，用于驱动发光器件110发光。
66.例如，驱动电路层自下而上可以依次包括有源层、第一栅绝缘层(gi1)、第一栅金属层(gate1)、第二栅绝缘层(gi2)、第二栅金属层(gate2)、层间绝缘层(idl)、第一源漏金属层(sd1)、钝化层(pvx)、第一平坦层(pln1)、第二源漏金属层(sd2)以及第二平坦层(pln2)。这些功能层被配置为形成像素驱动电路中的晶体管、电容器以及用于像素驱动的多条信号线。例如，多条信号线可以包括：电源信号线、数据信号线、复位信号线、扫描信号线和使能信号线以及初始化信号线等，具体可以参见相关技术，此处不再详述。需要说明的是，在其他示例中，驱动电路层也可以包括更多或更少的功能层，例如，还可以包括更多的
源漏金属层如还可以包括第三源漏金属层(sd3)，具体根据实际产品的需要设置，本实施例对此不做限制。
67.需要说明的是，背板功能层中的一些透明膜层可以延伸到透明像素，例如，透明像素中的上述背板共通层140可以包括但不限于：上述缓冲层、第一栅绝缘层(gi1)、第二栅绝缘层(gi2)、层间绝缘层(idl)、钝化层(pvx)、第一平坦层(pln1)以及第二平坦层(pln2)中的一个或多个膜层，本实施例对此不做限制。
68.在一些实施例中，阵列基板10还可以包括：封装层(图中未示出)，位于发光器件110的第二电极117的远离衬底基板100一侧。封装层可以对阵列基板10进行封装，防止外界水、氧等侵入阵列基板10内部，从而对阵列基板10内部的构件(例如发光器件110)进行保护。
69.例如，封装层可以包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层。第一封装层和第三封装层的材料可以包括无机材料，例如，氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等，无机材料的致密性高，可以防止水、氧等的侵入。例如，可以通过化学气相沉积等工艺形成第一封装层和第三封装层。例如，第二封装层的材料可以包括有机材料，如含有干燥剂的高分子材料或可阻挡水汽的高分子材料等，例如高分子树脂等。例如，可以通过喷墨打印等工艺形成第二封装层。
70.本公开一些实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括：衬底基板，设置在衬底基板上的像素界定层以及多个像素单元。每个像素单元包括：多个显示像素以及至少一个透明像素。像素界定层可以包括：间隔设置的第一开口区域以及第二开口区域，第一开口区域被配置为界定显示像素的发光区域，第二开口区域被配置为界定所述透明像素的透明区域。
71.其中，每个显示像素包括一个发光器件，发光器件包括：第一电极、第二电极以及层叠设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层，有机发光层在衬底基板上的正投影与透明区域互不交叠，第一电极为反射电极，第二电极被配置为将有机发光层发出的光部分透射且部分反射。透明像素包括隔离层，隔离层设置在第二开口区域内，隔离层被配置为阻止第二电极延伸到透明像素的透明区域。具体结构可以参见上文实施例中的相关描述，此处不再赘述。
72.本公开一些实施例提供了一种显示装置，包括：上文的一些实施例中提供的阵列基板10。例如，显示装置可以是透明显示面板、透明显示屏、虚拟现实(virtual reality，vr)设备、增强现实(augmented reality，ar)设备、或者是其他具有透明显示功能的显示部件或产品。
73.本公开一些实施例提供了一种发光装置，包括：上文的一些实施例中提供的阵列基板10。例如，发光装置可以提供照明功能，和/或，实现一些特殊的点亮效果。例如，阵列基板10中的多个发光器件110可以发出同一种颜色的光(如白光或红光)。例如，上述多个发光器件110的开关可以同步控制，从而实现同步点亮。又例如，每个发光器件110的开关可以相互独立，使用时，不同发光器件110可以被配置为独立进行点亮控制，从而实现一些特殊的点亮效果，以控制发光装置展示出预设图案。
74.例如，发光装置可以为具有发光功能的透明窗体如车窗、建筑窗户等，本实施例对此不做限制。
75.另外，本公开一些实施例提供了一种阵列基板的制备方法，用于制备上文中一些实施例提供的阵列基板10。图7示出了本公开一些实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图。如图7所示，该方法可以包括以下步骤：
76.步骤s101，提供衬底基板；
77.步骤s102，在衬底基板上依次形成多个发光器件的第一电极以及形成像素界定层，其中，多个发光器件在衬底基板上呈阵列排布，多个发光器件的间隔区域设置有透明区域，第一电极为反射电极，像素界定层包括：间隔设置的第一开口区域以及被配置为限定透明区域的第二开口区域，每个发光器件对应于一个第一开口区域；
78.步骤s103，在第一开口区域内形成多个发光器件的有机发光层，有机发光层在衬底基板上的正投影与透明区域互不交叠；
79.步骤s104，在第二开口区域内形成隔离层；
80.步骤s105，在有机发光层上形成多个发光器件的第二电极，其中，隔离层被配置为阻止第二电极延伸到透明区域，第二电极被配置为将有机发光层发出的光部分透射且部分反射。
81.需要说明的是，上述制备流程中提及的结构以及膜层的具体实施方式可以参见上述实施例中的相关描述，此处不再赘述。当然，除了上述制备流程中提及的结构以及膜层以外，阵列基板10还可以包括其他结构如封装层等，具体可以参见相关技术，此处不做详述。
82.在一些实施例中，在执行上述步骤s103之前，上述方法还包括：通过蒸镀工艺，在有机发光层113上形成电子传输层以及电子注入层，电子传输层和电子注入层覆盖透明区域120，电子注入层的材料包括：氟化钠，或者，电子注入层的材料包括：n型掺杂的电子传输层材料。上述步骤s103可以包括：通过喷墨打印工艺，在透明区域120的电子注入层上打印liq喷墨材料；对打印的liq喷墨材料进行干燥处理，形成隔离层121。上述步骤s104可以包括：通过蒸镀工艺，在有机发光层113上形成镁金属膜，得到多个发光器件110的第二电极117。
83.为了便于理解，下面以应用于透明显示的阵列基板10为例，对阵列基板10的一种示例性制备过程进行说明。
84.首先，可以在衬底基板100上制备驱动电路层，然后在驱动电路层上制备图案化的反射阳极，如上述ito/反射金属/ito的叠层结构。可以理解的是，驱动电路层中包含的金属膜层需要避开透明像素所在的区域，以保证透明像素的透明度。
85.然后，制备具有疏液性质的像素界定层130，像素界定层130包括第一开口区域131和第二开口区域132。每个第一开口区域131用于界定一个发光器件110的发光区域，第一开口区域131的下端口处露出相应发光器件110的第一电极111的至少部分区域。每个第二开口区域132用于界定一个透明像素的透明区域120。第一开口区域131和第二开口区域132的排布可以根据实际产品的需要设计。
86.进一步地，通过喷墨打印工艺在第一开口区域131内打印有机发光层113，例如，可以依次打印空穴注入层、空穴传输层以及发光材料层。例如，对应于红光发光器件，在相应第一开口区域131打印红色有机发光材料，对应于绿光发光器件，在相应第一开口区域131打印绿色有机发光材料，对应于蓝光发光器件，在相应第一开口区域131打印蓝色有机发光材料。
87.进一步地，再利用open mask蒸镀共通层以为发光器件110传输或注入电子，例如，共通层可以包括电子传输层以及电子注入层。例如，电子注入层的材料可以选择naf，或者选择n型掺杂电子传输层材料，实验证明在naf或者n型掺杂etl层上，可以维持liq喷墨材料的像素化打印。
88.进一步地，在第二开口区域132内打印liq喷墨材料，利用真空干燥设备(vaccum dry，vcd)对打印的liq喷墨材料进行干燥，从而在第二开口区域132内形成liq材料层，作为隔离层121。
89.进一步地，利用open mask蒸镀mg电极，由于透明像素内设置有liq材料层作为隔离层121，致使mg无法蒸镀到透明像素上。这样既可以保证透明像素的透明度，而正常显示区可以蒸镀上mg作为阴极，从而维持正常显示区的强微腔效应，保证显示色域和提升出光效率。
90.需要说明的是，在一些阵列基板10例如大尺寸oled显示面板的制备中，考虑到成本以及工艺问题，无法使用高精度金属掩模板(fine metal mask，fmm)，从而采用open mask蒸镀oled共通层以及通过喷墨打印工艺实现膜层的像素化打印。
91.还需要说明的是，本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
92.尽管已描述了本公开的一些实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上呈阵列排布的多个发光器件，所述多个发光器件的间隔区域设置有透明区域，所述发光器件包括层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、有机发光层和第二电极，所述有机发光层在所述衬底基板上的正投影与所述透明区域互不交叠，所述第一电极为反射电极，所述第二电极被配置为将所述有机发光层发出的光部分透射且部分反射；像素界定层，设置在所述衬底基板上，所述像素界定层包括：间隔设置的第一开口区域以及被配置为限定透明区域的第二开口区域，每个所述发光器件设置在一个所述第一开口区域处，所述第二开口区域内设置有隔离层，所述隔离层被配置为阻止所述第二电极延伸到所述透明区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个发光器件的第二电极相互连通，所述像素界定层的靠近所述第二开口区域的侧壁为斜坡面，所述第二电极覆盖所述斜坡面的至少部分区域，且与所述隔离层的边缘相接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离层在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影互不交叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极的材料为镁，所述隔离层的材料包括：8-羟基喹啉锂，或者，双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对苯基苯酚)合铝。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为1nm-10nm。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为10nm-15nm。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极的透过率为50％-70％。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光器件还包括：电子传输层和电子注入层，所述电子传输层和电子注入层位于所述有机发光层与所述第二电极之间，所述电子传输层和所述电子注入层延伸到所述透明区域，所述隔离层位于所述电子注入层的远离所述衬底基板一侧，所述电子注入层的材料包括：氟化钠，或者，所述电子注入层的材料包括：n型掺杂的电子传输层材料。9.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成多个发光器件的第一电极以及形成像素界定层，其中，所述多个发光器件在所述衬底基板上呈阵列排布，所述多个发光器件的间隔区域设置有透明区域，所述第一电极为反射电极，所述像素界定层包括：间隔设置的第一开口区域以及被配置为限定所述透明区域的第二开口区域，每个所述发光器件对应于一个所述第一开口区域；在所述第一开口区域内形成所述多个发光器件的有机发光层，所述有机发光层在所述衬底基板上的正投影与所述透明区域互不交叠；在所述第二开口区域内形成隔离层；
在所述有机发光层上形成所述多个发光器件的第二电极，其中，所述隔离层被配置为阻止所述第二电极延伸到所述透明区域，所述第二电极被配置为将所述有机发光层发出的光部分透射且部分反射。

技术总结
本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；在衬底基板上呈阵列排布的多个发光器件，多个发光器件的间隔区域设置有透明区域，发光器件包括层叠设置在衬底基板上的第一电极、有机发光层和第二电极，有机发光层在衬底基板上的正投影与透明区域互不交叠，第一电极为反射电极，第二电极被配置为将有机发光层发出的光部分透射且部分反射；像素界定层，设置在衬底基板上，像素界定层包括：间隔设置的第一开口区域以及被配置为限定透明区域的第二开口区域，每个发光器件设置在一个第一开口区域处，第二开口区域内设置有隔离层，隔离层被配置为阻止第二电极延伸到透明区域。伸到透明区域。伸到透明区域。


技术研发人员：叶志杰 李欣宇 贾文斌 王欣欣 彭锐 范招康
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司 北京京东方技术开发有限公司
技术研发日：2023.08.15
技术公布日：2023/10/20