表面处理组合物的制作方法

1.本发明涉及表面处理组合物、表面处理方法和半导体基板的制造方法。


背景技术：

2.近些年，伴随着半导体基板表面的多层布线化，在制造装置时，利用了对半导体基板进行物理研磨使其平坦化的所谓化学机械研磨(chemical mechanical polishing；cmp)技术。cmp是使用包含二氧化硅、氧化铝、氧化铈等的磨粒、防腐蚀剂、表面活性剂等的研磨用组合物(浆料)，对半导体基板等研磨对象物(被研磨物)的表面进行平坦化的方法，研磨对象物(被研磨物)是硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、由金属等构成的布线、柱塞等。
3.cmp工序后的半导体基板表面大量残留有杂质(也称为异物或残渣)。杂质中包括源自cmp中使用的研磨用组合物的磨粒、金属、防腐蚀剂、表面活性剂等有机物、作为研磨对象物的含硅材料、因对金属布线、柱塞等进行研磨而产生的含硅材料、金属、进而由各种垫等产生的垫屑等有机物等。
4.半导体基板表面被这些杂质污染时，有对半导体的电特性产生不良影响、装置的可靠性降低的可能性。因此，在cmp工序后导入清洗工序，从半导体基板表面去除这些杂质是理想的。
5.作为上述清洗用组合物，例如，日本特开2020-90625号公报公开了一种清洗剂组合物，其含有：具有特定的结构单元的聚合物(盐)(成分a)；以及含有至少1个氨基且氮原子数为1个以上且10个以下的、成分a以外的含氨基化合物(成分b)。公开了：该清洗剂组合物的清洗性优异，能够改善清洗后的基板表面的平滑性。


技术实现要素：

6.然而，日本特开2020-90625号公报的技术中，在完成了研磨的研磨对象物的清洗中存在无法充分去除异物(残渣)的问题。
7.因此，本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物表面的残渣的方法。
8.本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究。其结果发现，通过如下的碱性的表面处理组合物解决上述课题，从而完成了本发明，所述碱性的表面处理组合物包含：具有特定结构的结构单元的高分子；和、作为缓冲剂发挥作用的单羧酸铵。
9.即，上述目的通过包含下述(a)成分和(b)成分、且ph为8.0以上的表面处理组合物而实现，其中，
10.(a)成分：具有含有含氮季鎓盐的结构单元或下述结构(x)的结构单元的高分子，
[0011][0012]
上述结构(x)中，r
31
～r
34
各自独立地表示氢原子或者碳数1以上且10以下的直链
或支链的烷基，
[0013]
(b)成分：式r-coo-nh
4+
(r为碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基、或者苯基)所示的缓冲剂。
[0014]
本发明提供包含下述(a)成分和(b)成分、且ph为8.0以上的表面处理组合物，其中，
[0015]
(a)成分：具有含有含氮季鎓盐的结构单元或下述结构(x)的结构单元的高分子，
[0016][0017]
上述结构(x)中，r
31
～r
34
各自独立地表示氢原子或者碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，
[0018]
(b)成分：式r-coo-nh
4+
(r为碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基、或者苯基)所示的缓冲剂。根据本发明，可提供能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣的方法。即，根据上述本发明的表面处理组合物，能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物(特别是完成了研磨的氮化硅基板)的表面的残渣(例如，磨粒残渣、有机物残渣)。另外，能够将对包含多晶硅的完成了研磨的研磨对象物的蚀刻速率抑制得较低。
[0019]
关于通过上述构成能够去除完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣、进而能够将对包含多晶硅的完成了研磨的研磨对象物的蚀刻速率抑制得较低的机理，本发明人等如下所述地进行了推测。
[0020]
即，表面处理组合物包含特定的(a)成分和(b)成分。其中，(a)成分在水中不显示pka，且带正电。因此，不依赖于ph，完成了研磨的研磨对象物(特别是完成了研磨的氮化硅基板)、磨粒残渣、有机物残渣(例如，垫屑、高分子)等的zeta电位被控制为正，通过静电排斥能够抑制/防止残渣对完成了研磨的研磨对象物的吸附。另外，(a)成分改善完成了研磨的研磨对象物的表面的润湿性，容易在该表面形成水分子膜。因此，不仅可抑制疏水性的有机物残渣附着于完成了研磨的研磨对象物表面，而且还能够防止有机物残渣的再附着。因此，通过本发明的表面处理组合物，能够有效地去除残渣。另外，通常，在清洗工序(表面处理、冲洗研磨)前，在cmp工序中利用碱性浆料(研磨浆料)研磨半导体基板表面。用表面处理组合物清洗(冲洗研磨)这样的完成了研磨的半导体基板(完成了研磨的研磨对象物)时的表面处理组合物的ph由于碱性的研磨浆料而上升。其结果，由于残渣的zeta电位发生变化而诱发残渣的附着、或使对包含多晶硅的完成了研磨的研磨对象物的蚀刻速率增加。然而，由于(b)成分的存在，可抑制清洗(冲洗研磨)时的表面处理组合物的ph的上升。因此，完成了研磨的研磨对象物(特别是完成了研磨的氮化硅基板)、磨粒残渣、有机物残渣(例如，垫屑、高分子)等的zeta电位被控制为最佳的状态(正)，通过静电排斥而能够抑制/防止残渣对完成了研磨的研磨对象物的吸附。因此，通过本发明的表面处理组合物，能够高效地去除残渣。此外，在碱性条件下，对包含多晶硅的完成了研磨的研磨对象物的蚀刻速率发生大幅变化。然而，由于(b)成分的存在，清洗(冲洗研磨)时的表面处理组合物的ph的变化少(不易受到碱性的研磨浆料的影响)。因此，能够将对包含多晶硅的完成了研磨的研磨对象物的蚀刻速率抑制得较低。
[0021]
需要说明的是，上述机理基于推测，本发明不受上述机理的任何限定。
silicate glass)膜、磷硅酸盐玻璃(psg，phosphorus silicate glass)膜、硼磷硅酸盐玻璃(bpsg，boron-phospho silicate glass)膜、快速热氧化(rto，rapid thermal oxidation)膜等。研磨对象物中包含的材料可以为单独1种，或者也可以为2种以上的组合。
[0034]
完成了研磨的研磨对象物优选为完成了研磨的半导体基板，更优选为cmp工序后的完成了研磨的半导体基板。其理由是因为，残渣可能成为半导体装置破坏的原因，因此完成了研磨的研磨对象物为完成了研磨的半导体基板的情况下，作为半导体基板的清洗工序，需要能够尽可能地去除残渣。
[0035]
另外，本发明的一方式的表面处理组合物即使是同时包含亲水性材料及疏水性材料的完成了研磨的研磨对象物，也能够减少表面的残渣。此处，亲水性材料是指与水的接触角低于50
°
的材料，疏水性材料是指与水的接触角为50
°
以上的材料。需要说明的是，该与水的接触角是利用协和界面科学株式会社制的接触角计dropmaster(dmo-501)测得的值。
[0036]
作为亲水性材料的具体的例子，例如可列举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、钨、氮化钛、氮化钽、含硼硅等。这些亲水性材料可以单独使用1种，或者也可以组合使用2种以上。根据本发明的优选的一实施方式，上述亲水性材料为氧化硅。根据本发明的优选的一实施方式，上述亲水性材料为氮化硅。另外，作为疏水性材料的具体的例子，例如可列举出多晶硅、单晶硅、非晶硅、含碳硅等。这些疏水性材料可以单独使用1种，或者也可以组合使用2种以上。根据本发明的优选的一实施方式，上述疏水性材料为多晶硅。
[0037]
即，根据本发明的优选的一实施方式，上述亲水性材料为氧化硅，上述疏水性材料为多晶硅。另外，根据本发明的优选的一实施方式，上述亲水性材料为氮化硅，上述疏水性材料为多晶硅。
[0038]
＜表面处理组合物＞
[0039]
本发明的表面处理组合物包含下述(a)成分和(b)成分、且ph为8.0以上，其中，
[0040]
(a)成分：具有含有含氮季鎓盐的结构单元或下述结构(x)的结构单元的高分子，
[0041][0042]
上述结构(x)中，r
31
～r
34
各自独立地表示氢原子或者碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，
[0043]
(b)成分：式r-coo-nh
4+
(r为碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基、或者苯基)所示的缓冲剂。
[0044]
本发明的表面处理组合物用于减少完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。另外，本发明的表面处理组合物用于将对包含多晶硅的完成了研磨的研磨对象物的蚀刻速率抑制得较低。
[0045]
本说明书中，作为(a)成分的具有含有含氮季鎓盐的结构单元或上述结构(x)的结构单元的高分子也简称为”本发明的高分子”或“高分子”。另外，作为(b)成分的式：r-coo-nh
4+
(r为碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基、或者苯基)所示的缓冲剂也简称为“本发明的缓冲剂”、或者“本发明的单羧酸铵”或“单羧酸铵”。
[0046]
[(a)成分]
[0047]
(a)成分包含高分子，所述高分子具有含有含氮季鎓盐的结构单元和上述结构(x)
的结构单元中的至少一者。即，作为(a)成分的高分子，包含含有含氮季鎓盐的结构单元；包含上述结构(x)的结构单元；或者包含含有含氮季鎓盐的结构单元和上述结构(x)的结构单元两者。本发明的高分子为阳离子型(阳离子型高分子)。
[0048]
上述结构(x)中，r
31
～r
34
各自独立地表示氢原子或者碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基。此处，r
31
～r
34
可以分别相同也可以不同。作为烷基，没有特别限制，可列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、3,7-二甲基辛基、正壬基、正癸基等。其中，r
31
～r
34
各自独立地优选为氢原子或者碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基，更优选为氢原子、甲基或乙基，进一步优选为氢原子。
[0049]
具有上述结构(x)的结构单元的高分子具有上述结构(x)即可，除了上述结构(x)之外，可以进一步具有例如包含亚甲基氨基(-ch2nh-)、亚乙基氨基(-ch2ch2nh-)、三亚甲基氨基(-ch2ch2ch2nh-)、源自脒的2价基团(-nh-c(＝nh)-)、源自胍的2价基团(-nh-c(＝nh)-nh-)等的结构单元(其他结构单元)。上述其他结构单元可以单独存在1种，或者也可以组合存在2种以上。
[0050]
具有上述结构(x)的结构单元的高分子可以通过合成而制造，或者也可以为市售品。例如，具有上述结构(x)的结构单元的高分子通过双氰胺与二亚乙基三胺的缩合反应而得到。或者，作为市售品，可以使用unisence khp10l(双氰胺-二亚乙基三胺缩合物)、unisence khp10p(双氰胺-二亚乙基三胺缩合物)(均为senka公司)等。
[0051]
构成作为(a)成分的高分子的含有含氮季鎓盐的结构单元例如有源自如下单体的结构单元：具有丙烯酰基(h2c＝ch-c(＝o)-)、甲基丙烯酰基(h2c＝c(ch3)-c(＝o)-)、丙烯酰氧基(h2c＝ch-c(＝o)-o-)、甲基丙烯酰氧基(h2c＝c(ch3)-c(＝o)-o-)、丙烯酰胺基(h2c＝ch-c(＝o)-nh-)、甲基丙烯酰胺基(h2c＝c(ch3)-c(＝o)-nh-)、乙烯基(h2c＝ch-)、烯丙基(h2c＝chch
2-)等烯属不饱和基团和含氮季鎓盐(-n
+
(r)
2-或-n
+
(r)3)的单体。
[0052]
优选构成作为(a)成分的高分子的含有含氮季鎓盐的结构单元具有下述结构(y)和下述结构(z)中的至少一者。上述结构(y)可以为单独1种，也可以为2种以上的组合。存在多个结构(y)的情况下，结构(y)可以以嵌段状存在，也可以以无规状存在。作为(a)成分的高分子具有2个以上的结构(y)的情况下，结构(y)可以分别相同也可以不同。同样地，上述结构(z)可以为单独1种，也可以为2种以上的组合。存在多个结构(z)的情况下，结构(z)可以以嵌段状存在，也可以以无规状存在。作为(a)成分的高分子具有2个以上的结构(z)的情况下，结构(z)可以分别相同也可以不同。另外，(a)成分也可以具有1个以上的结构(y)和1个以上的结构(z)。
[0053][0054]
上述结构(y)中，r
11
表示氢原子或甲基。r
12
表示碳数1以上且10以下的直链或支链的亚烷基。r
12
优选为碳原子数2以上且6以下的直链或支链的亚烷基，进而更优选为亚乙基(-ch2ch
2-)、三亚甲基(-ch2ch2ch
2-)或亚丙基(-ch(ch3)ch
2-或-ch2ch(ch3)-)，特别优选为亚乙基。
[0055]
上述结构(y)中，r
13
～r
15
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基。此处，r
13
～r
15
可以分别相同也可以不同。作为烷基，可示例出与上述r
31
～r
34
中记载者同样的烷基。其中，r
13
～r
15
优选为碳数1以上且8以下的直链或支链的烷基，更优选为碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基，进一步优选为甲基或乙基。
[0056]
上述结构(y)中，x1表示阴离子部分。阴离子部分(抗衡阴离子)只要与上述含氮季鎓盐(含氮季鎓阳离子：-n
+
(r
13
)(r
14
)(r
15
))能形成盐就没有特别限制。作为上述阴离子，例如可列举出氟离子(f-)、氯离子(cl-)、溴离子(br-)和碘离子(i-)等卤化物离子；硫酸氢根离子(hso
4-)；亚硫酸根离子(hso
3-)；烷基硫酸根离子((alkyl)so
4-：alkyl为碳数1以上且8以下的烷基(例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基，优选为甲基、乙基)；硫酸根离子(so
42-)；硝酸根离子(no
3-)；磷酸二氢根离子(h2po
4-)、磷酸氢根离子(hpo
42-)、磷酸根离子(po
43-)；高氯酸根离子(clo
4-)；氢氧根离子(oh-)；柠檬酸根离子、乙酸根离子、苹果酸根离子、富马酸根离子、乳酸根离子、戊二酸根离子和马来酸根离子等羧酸系阴离子等。其中，x1(阴离子部分、抗衡阴离子)优选为卤化物离子、烷基硫酸根离子、硝酸根离子，更优选为卤化物离子、烷基硫酸根离子，进一步优选为氯离子、甲基硫酸根离子(ch3so
4-)、乙基硫酸根离子(c2h5so
4-)，特别优选为氯离子。
[0057]
本发明的一实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有上述结构(y)，其中，r
11
表示氢原子或甲基；r
12
表示碳原子数2以上且6以下的直链或支链的亚烷基；r
13
～r
15
各自独立地表示碳数1以上且8以下的直链或支链的烷基；x1表示选自卤化物离子、烷基硫酸根离子中的阴离子部分。本发明的一实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有上述结构(y)，其中，r
11
表示氢原子或甲基；r
12
表示亚乙基、三亚甲基或亚丙基；r
13
～r
15
各自独立地表示碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基；x1表示卤化物离子或烷基硫酸根离子。本发明的一实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有上述结构(y)，其中，r
11
表示氢原子或甲基；r
12
表示亚乙基；r
13
～r
15
各自独立地表示甲基或乙基；x1表示氯离子、甲基硫酸根离子(ch3so
4-)或乙基硫酸根离子(c2h5so
4-)(特别是氯离子)。
[0058]
[0059]
上述结构(z)中，r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子、碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基或者苯基。此处，r
21
和r
22
可以分别相同也可以不同。作为碳数1以上且3以下的烷基，有甲基、乙基、正丙基、异丙基。其中，r
21
和r
22
优选为氢原子或碳数1以上且3以下的烷基，更优选为氢原子、甲基或乙基，进一步优选为氢原子。
[0060]
上述结构(z)中，r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基。此处，r
23
和r
24
可以分别相同也可以不同。作为烷基，可示例出与上述r
31
～r
34
中记载者同样的烷基。其中，r
23
和r
24
优选为碳数1以上且8以下的直链或支链的烷基，更优选为碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基，进一步优选为甲基。
[0061]
上述结构(z)中，x2表示阴离子部分。此处，作为阴离子部分，可示例出与上述结构(y)中的阴离子部分(x1)中记载者同样的阴离子部分。其中，x2(阴离子部分、抗衡阴离子)优选为卤化物离子、烷基硫酸根离子、硝酸根离子，更优选为卤化物离子、烷基硫酸根离子，进一步优选为氯离子、甲基硫酸根离子(ch3so
4-)或乙基硫酸根离子(c2h5so
4-)，特别优选为氯离子。
[0062]
本发明的一实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有上述结构(z)，其中r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子或者碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基；r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且8以下的直链或支链的烷基；x2表示选自卤化物离子、烷基硫酸根离子中的阴离子部分。本发明的一实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有上述结构(z)，其中，r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子、甲基或乙基；r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基；x2表示卤化物离子(特别是氯离子)或烷基硫酸根离子(特别是甲基硫酸根离子、乙基硫酸根离子)。本发明的一实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有上述结构(z)，其中，r
21
和r
22
表示氢原子；r
23
和r
24
表示甲基；x2表示氯离子。
[0063]
本发明的优选的实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有下述结构(z’)，其中，r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子或者碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基；r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且8以下的直链或支链的烷基；x2表示选自卤化物离子、烷基硫酸根离子中的阴离子部分，n为0以上且3以下的整数。本发明的优选的实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有下述结构(z’)，其中，r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子、甲基或乙基；r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基；x2表示卤化物离子(特别是氯离子)或烷基硫酸根离子(特别是甲基硫酸根离子、乙基硫酸根离子)，n为1或2。本发明的优选的实施方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元具有下述结构(z’)，其中，r
21
和r
22
表示氢原子；r
23
和r
24
表示甲基；x2表示氯离子，n为1。
[0064][0065]
(a)成分优选包含具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子。此处，(a)成分可以包含具有上述特定的结构单元的高分子以外的成分，但从基于本发明的效果进一步改善等的观点出发，(a)成分优选由具有上述特定的结构单元的高分子构成((a)成分为具有上述特定的结构单元的高分子)。通过(a)成分的存在，能够高效地去除残留于完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。即，本发明的优选的方式中，(a)成分包含具有含有含氮季鎓盐的
结构单元的高分子。本发明的更优选的方式中，(a)成分由具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子构成((a)成分为具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子)。
[0066]
(a)成分包含具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子时，该高分子优选具有上述结构(y)和结构(z)中的至少一者。具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子更优选具有上述结构(y)和结构(z)中的一者(结构(y)或(z))。
[0067]
(a)成分包含具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子时，该高分子可以具有除上述结构(y)和结构(z)以外的含有含氮季鎓盐的结构单元，含有含氮季鎓盐的结构单元优选仅为上述结构(y)或上述结构(z)，更优选仅为上述结构(z)，特别优选仅为上述结构(z’)。
[0068]
即，本发明的优选的方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元仅为下述结构(y)或下述结构(z)：
[0069][0070]
上述结构(y)中，r
11
表示氢原子或甲基，r
12
表示碳数1以上且10以下的直链或支链的亚烷基，r
13
～r
15
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，x1表示阴离子部分。
[0071][0072]
上述结构(z)中，r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子、碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基、或者苯基，r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，x2表示阴离子部分。
[0073]
本发明的更优选的方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元仅为上述结构(z)。
[0074]
本发明的特别优选的方式中，含有含氮季鎓盐的结构单元仅为下述结构(z’)。
[0075][0076]
上述结构(z’)中，r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子、碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基、或者苯基，r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，x2表示阴离子部分，n为0以上且3以下的整数。
[0077]
具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子可以仅由上述结构(y)或结构(z)构成，或者也可以在上述结构(y)或结构(z)的基础上具有其他结构单元。具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子优选在上述结构(y)或结构(z)的基础上具有其他结构单元，更优选在上述结构(z)的基础上具有其他结构单元。
[0078]
作为本发明的高分子具有其他结构单元时的其他结构单元，可列举出源自丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯酰基甲基二乙基甜菜碱、甲基丙烯酰基甲基二乙基甜菜碱、丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱、甲基丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱、丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、甲基丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯、甲基丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、n-乙烯基-2-吡咯烷酮等单体的结构单元等。其他结构单元可以单独具有1种，或者也可以组合具有2种以上。其中，其他结构单元优选为源自选自由丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、甲基丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱、甲基丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、n-乙烯基-2-吡咯烷酮组成的组中的单体的结构单元，更优选为源自选自由丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺组成的组中的单体的结构单元，特别优选为源自选自由丙烯酸、甲基丙烯酸组成的组中的单体的结构单元。
[0079]
另外，本发明的高分子具有其他结构单元时的其他结构单元的组成(含量)相对于前述高分子的总结构单元数例如为1摩尔％以上、优选为5摩尔％以上、更优选为30摩尔％以上。另外，其他结构单元的组成(含量)相对于前述高分子的总结构单元数例如为50摩尔％以下、优选为40摩尔％以下、更优选为30摩尔％以上。本发明的高分子具有其他结构单元时的其他结构单元的组成(含量)相对于前述高分子的总结构单元数例如为1摩尔％以上且50摩尔％以下、优选为5摩尔％以上且40摩尔％以下、优选为5摩尔％以上且30摩尔％以下。或者，本发明的高分子具有其他结构单元时的其他结构单元的组成(含量)相对于前述高分子的总结构单元数例如为50摩尔％。
[0080]
具有含有含氮季鎓盐的结构单元的高分子可以通过合成制造，或者也可以为市售品。作为市售品，可列举出merquat
tm 295polymer(二甲基二烯丙基氯化铵/丙烯酸共聚物、mw＝190000)、merquat
tm 550polymer(二甲基二烯丙基氯化铵/丙烯酰胺共聚物、mw＝1600000)、merquat
tm 100polymer(聚二甲基亚甲基哌啶氯)(均为japan lubrizol corporation)；unisence fpa-100l(聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯)、mw＝低于20000)、unisence fpa-101l(聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯))、unisence fpa-102l(聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯)、mw＝20000～100000)、unisence fpa-1000l(聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯)、mw＝100000～500000)、unisence fpa-1001l(聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯))、unisence fpa-1002l(聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯))(均为senka公司)；plus size l-440(甲基丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱/甲基丙烯酰基乙基三甲基氯化铵/甲基丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯共聚物)、plus size l-440w(甲基丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱/甲基丙烯酰基乙基三甲基氯化铵/甲基丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯共聚物)、plus size l-450(甲基丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱/甲基丙烯酰基乙基三甲基氯化铵/甲基丙烯酸2-羟基乙酯共聚物)、plus size l-450w(甲基丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱/甲基
丙烯酰基乙基三甲基氯化铵/甲基丙烯酸2-羟基乙酯共聚物)(均为互应化学工业株式会社)；h.c.聚合物1s(m)(乙烯基吡咯烷酮/n,n-二甲基氨基乙基甲基丙烯酸共聚物二乙基硫酸盐、mw＝500000)、h.c.聚合物5w(乙烯基吡咯烷酮/n,n-二甲基氨基乙基甲基丙烯酸共聚物二乙基硫酸盐、mw＝150000)(均为大阪有机化学工业株式会社)等。
[0081]
本说明书中，“高分子”是指重均分子量(mw)为1000以上的物质。(a)成分的重均分子量(mw)例如为5000以上，优选为10000以上，更优选为20000以上，特别优选大于100000。(a)成分的重均分子量(mw)例如为5000000以下，优选为3000000以下，更优选为2000000以下，特别优选为1000000以下，尤其更优选为500000以下，最优选为250000以下。即，本发明的一实施方式中，(a)成分的重均分子量(mw)为5000以上5000000以下。本发明的一实施方式中，(a)成分的重均分子量(mw)为10000以上且3000000以下。本发明的一实施方式中，(a)成分的重均分子量(mw)为20000以上且1000000以下。本发明的一实施方式中，(a)成分的重均分子量(mw)大于100000且为500000以下。本发明的一实施方式中，(a)成分的重均分子量(mw)大于100000且为250000以下。本说明书中，(a)成分的重均分子量(mw)可依据下述实施例中记载的方法进行测定。
[0082]
(a)成分可以单独使用1种，或者也可以组合2种以上而使用。
[0083]
表面处理组合物中的(a)成分的含量可根据所使用的(a)成分的种类、期望的效果进行适宜设定。将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，(a)成分的含量优选为0.01质量％以上，更优选为0.05质量％以上，进一步优选大于0.05质量％。另外，对于表面处理组合物中的(a)成分的含量的上限，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)优选1质量％以下，更优选0.5质量％以下，进一步优选0.3质量％以下。本发明的一实施方式中，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，(a)成分的含量为0.01质量％以上且1质量％以下。本发明的一实施方式中，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，(a)成分的含量为0.05质量％以上且0.5质量％以下。本发明的一实施方式中，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，(a)成分的含量大于0.05质量％且为0.3质量％以下。需要说明的是，表面处理组合物包含2种以上的(a)成分时，(a)成分的含量是指它们的总计量。
[0084]
[(b)成分]
[0085]
本发明的表面处理组合物除了上述(a)成分之外还包含(b)成分。(b)成分包含式：r-coo-nh
4+
所示的缓冲剂(单羧酸铵)。本说明书中，“缓冲剂”是指为了使ph保持恒定而对表面处理组合物(溶液)赋予缓冲作用的物质。
[0086]
(b)成分可以包含上述式：r-coo-nh
4+
所示的缓冲剂以外的成分(例如，公知的缓冲剂)，从基于本发明的效果进一步改善等的观点出发，(b)成分优选由上述式：r-coo-nh
4+
所示的缓冲剂构成((b)成分为上述式：r-coo-nh
4+
所示的缓冲剂)。通过(b)成分的存在，能够高效地去除残留于完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。另外，能够将对包含多晶硅的完成了研磨的研磨对象物的蚀刻速率抑制得较低。即，本发明的优选的方式中，(b)成分由上述式：r-coo-nh
4+
所示的缓冲剂构成((b)成分为上述式：r-coo-nh
4+
所示的缓冲剂)。
[0087]
上述式：r-coo-nh
4+
中，r为碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基、或者苯基。此处，作为烷基，可示例出与上述r
31
～r
34
中记载者同样的烷基。其中，从基于本发明的效果进
一步改善等的观点出发，r优选为碳数1以上且8以下的直链或支链的烷基，更优选为碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基，进一步优选为甲基(乙酸铵)或乙基(丙酸铵)，特别优选为甲基(乙酸铵)。即，本发明的优选的方式中，缓冲剂由r为碳数1以上且8以下的直链或支链的烷基的上述式：r-coo-nh
4+
表示。
[0088]
本发明的更优选的方式中，缓冲剂由r为碳数1以上且3以下的直链或支链的烷基的上述式：r-coo-nh
4+
表示。本发明的进一步优选的方式中，缓冲剂由r为甲基或乙基的上述式：r-coo-nh
4+
表示(缓冲剂为乙酸铵或丙酸铵)。本发明的特别优选的方式中，缓冲剂为乙酸铵。
[0089]
表面处理组合物中的(b)成分的含量可根据所使用的(b)成分的种类、期望的效果进行适宜设定。将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，(b)成分的含量优选0.05质量％以上，更优选大于0.1质量％，进一步优选0.2质量％以上。另外，对于表面处理组合物中的(b)成分的含量的上限，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，优选2质量％以下，更优选1.5质量％以下，进一步优选1.0质量％以下。本发明的一实施方式中，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，(b)成分的含量为0.05质量％以上且2质量％以下。本发明的一实施方式中，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，(b)成分的含量大于0.1质量％且为1.5质量％以下。本发明的一实施方式中，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，(b)成分的含量为0.2质量％以上且1.0质量％以下。需要说明的是，表面处理组合物包含2种以上的(b)成分时，(b)成分的含量是指它们的总计量。
[0090]
代替上述或在上述基础上，表面处理组合物中的(a)成分与(b)成分的混合比可根据所使用的(a)成分、(b)成分的种类以及期望的效果进行适宜设定。(a)成分相对于(b)成分的混合比((a)成分/(b)成分含有比)(质量比)优选为0.1以上，更优选为0.2以上，进一步优选大于0.3。(a)成分相对于(b)成分的混合比((a)成分/(b)成分含有比)(质量比)优选为1.5以下，更优选为1.0以下，进一步优选低于1.0。本发明的一实施方式中，(a)成分相对于(b)成分的混合比((a)成分/(b)成分含有比)(质量比)为0.1以上且1.5以下。本发明的一实施方式中，(a)成分相对于(b)成分的混合比((a)成分/(b)成分含有比)(质量比)为0.2以上且1.0以下。本发明的一实施方式中，(a)成分相对于(b)成分的混合比((a)成分/(b)成分含有比)(质量比)大于0.3且低于1.0。
[0091]
[ph调节剂]
[0092]
本发明的表面处理组合物必须包含上述(a)成分和(b)成分，除这些之外，优选进一步包含ph调节剂。即，本发明的优选的方式中，表面处理组合物进一步包含(c)成分，
[0093]
(c)成分：ph调节剂。
[0094]
ph调节剂没有特别限制，可以使用表面处理组合物的领域中使用的公知的ph调节剂，可以使用公知的酸、碱、或它们的盐等。作为ph调节剂的例子，例如可列举出甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、十七烷酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、花生四烯酸、二十二碳六烯酸、二十碳五烯酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、苯甲酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、水杨酸、没食子酸、苯六甲酸、肉桂酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、富马酸、马来酸、乌头酸、氨基酸、氨茴酸等羧酸；磺酸、
有机膦酸等有机酸；硝酸、碳酸、盐酸、磷酸、次磷酸、亚磷酸、膦酸、硼酸、氢氟酸、正磷酸、焦磷酸、多聚磷酸、偏磷酸、六偏磷酸等无机酸；氢氧化钾(koh)、氢氧化钠(naoh)等碱金属的氢氧化物；碳酸钾(k2co3)、碳酸钠(na2co3)等碱金属的碳酸盐；第2族元素的氢氧化物；氨(氢氧化铵)；氢氧化季铵化合物等有机碱等。ph调节剂可以使用合成品，也可以使用市售品。另外，这些ph调节剂可以单独使用或者也可以组合使用2种以上。其中，优选氢氧化钾、氢氧化钠、氨、碳酸钠，更优选氢氧化钾、氢氧化钠、氨，特别优选氨。即，本发明的优选的方式中，ph调节剂为选自由氢氧化钾、氢氧化钠、氨和碳酸钠组成的组中的至少一种。本发明的更优选的方式中，ph调节剂为选自由氢氧化钾、氢氧化钠和氨组成的组中的至少一种。本发明的特别优选的方式中，ph调节剂为氨。
[0095]
表面处理组合物中的ph调节剂的含量可以适宜选择成为下述详述的期望的表面处理组合物的ph值的量。
[0096]
[表面处理组合物的ph]
[0097]
本发明的表面处理组合物的ph为8.0以上。表面处理组合物的ph低于8.0时，无法充分去除残留于完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。从基于本发明的效果进一步改善等的观点出发，表面处理组合物的ph优选大于8.0，更优选为8.5以上。表面处理组合物的ph优选低于11.0，更优选低于10.0。即，本发明的一实施方式中，表面处理组合物的ph大于8.0且低于11.0。本发明的一实施方式中，表面处理组合物的ph为8.5以上且低于10.0。需要说明的是，表面处理组合物的ph采用利用实施例中记载的方法测得的值。
[0098]
[溶剂]
[0099]
本发明的表面处理组合物优选包含溶剂。溶剂具有使各成分分散或溶解的功能。溶剂优选包含水，更优选仅为水。另外，为了进行各成分的分散或溶解，溶剂可以为水与有机溶剂的混合溶剂。在此情况下，作为使用的有机溶剂，例如可列举出作为与水混溶的有机溶剂的丙酮、乙腈、乙醇、甲醇、异丙醇、甘油、乙二醇、丙二醇、三乙醇胺等。另外，可以不与水混合地使用这些有机溶剂，也可以在将各成分分散或溶解后与水混合。这些有机溶剂可以单独使用或组合使用使用2种以上。
[0100]
对于水，从防止完成了研磨的研磨对象物的污染、阻碍其他成分的作用的观点出发，优选尽可能不含残渣的水。例如，优选过渡金属离子的总计含量为100ppb以下的水。此处，水的纯度例如可以通过使用离子交换树脂的残渣离子的去除、基于过滤器的异物的去除、蒸馏等操作而提高。具体而言，例如优选使用去离子水(离子交换水)、纯水、超纯水、蒸馏水等。
[0101]
[表面活性剂]
[0102]
本发明的表面处理组合物可以进一步包含表面活性剂。表面活性剂的种类没有特别限制，可以为非离子型、阴离子型、阳离子型、和两性的表面活性剂中的任意者。
[0103]
作为非离子型表面活性剂的例子，例如可列举出聚氧亚乙基十二烷基醚、聚氧亚乙基油醚等烷基醚型；聚氧亚乙基辛基苯基醚等烷基苯基醚型；聚氧亚乙基月桂基酯等烷基酯型；聚氧亚乙基十二烷基氨基醚等烷基胺型；聚氧亚乙基月桂酰胺等烷基酰胺型；聚氧亚乙基聚氧丙烯醚等聚丙二醇醚型；油酸二乙醇酰胺等烷醇酰胺型；聚氧亚烷基烯丙基苯基醚等烯丙基苯基醚型等。此外，丙二醇、二乙二醇、单乙醇胺、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、叔炔二醇、烷醇酰胺等也可以用作非离子型表面活性剂。
[0104]
作为阴离子型表面活性剂的例子，例如可列举出肉豆蔻酸钠、棕榈酸钠、硬脂酸钠、月桂酸钠、月桂酸钾等羧酸型；辛基硫酸钠等硫酸酯型；十二烷基磷酸酯、十二烷基磷酸钠等磷酸酯型；丁二酸二辛酯磺酸钠、十二烷基苯磺酸钠等磺酸型等。
[0105]
作为阳离子型表面活性剂的例子，可列举出上述(a)成分以外的化合物，例如可列举出十二烷基胺盐酸盐等胺类；聚乙氧基胺、十二烷基三甲基氯化铵等季铵盐类；十二烷基氯化吡啶等吡啶盐等。需要说明的是，上述(a)成分可以具有作为阳离子型表面活性剂的功能，因此也可以不添加另外的阳离子型表面活性剂。
[0106]
作为两性表面活性剂的例子，例如可列举出卵磷脂、烷基氧化胺、n-烷基-n,n-二甲基铵甜菜碱等烷基甜菜碱、磺基甜菜碱等。
[0107]
表面活性剂可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。另外，表面活性剂可以使用市售品，也可以使用合成品。
[0108]
表面处理组合物包含表面活性剂时，将表面处理组合物的总质量设为100质量％，表面活性剂的含量的下限优选0.01质量％以上，更优选0.05质量％以上。另外，将表面处理组合物的总质量设为100质量％，表面处理组合物中的表面活性剂的含量的上限优选5质量％以下，更优选1质量％以下。需要说明的是，表面处理组合物包含2种以上的表面活性剂时，表面活性剂的含量是指它们的总计量。
[0109]
[螯合剂]
[0110]
本发明的表面处理组合物可以进一步包含螯合剂。作为螯合剂，可列举出氨基羧酸系螯合剂和有机膦酸系螯合剂。氨基羧酸系螯合剂的例子包括乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸钠、次氮基三乙酸、次氮基三乙酸钠、次氮基三乙酸铵、羟乙基乙二胺三乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸钠、二亚乙基三胺五乙酸、二亚乙基三胺五乙酸钠、三亚乙基四胺六乙酸和三亚乙基四胺六乙酸钠。有机膦酸系螯合剂的例子包括2-氨基乙基膦酸、1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸、氨基三(亚甲基膦酸)、乙二胺四(亚甲基膦酸)(edtpo)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、乙烷-1,1-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、乙烷-1-羟基-1,1-二膦酸、乙烷-1-羟基-1,1,2-三膦酸、乙烷-1,2-二羧基-1,2-二膦酸、甲烷羟基膦酸、2-膦酰基丁烷-1,2-二羧酸、1-膦酰基丁烷-2,3,4-三羧酸和α-甲基膦酰基琥珀酸。这些当中更优选有机膦酸系螯合剂。其中作为优选的例子，可列举出乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)和二亚乙基三胺五乙酸。作为特别优选的螯合剂，可列举出乙二胺四(亚甲基膦酸)和二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)。
[0111]
螯合剂可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。另外，螯合剂可以使用市售品，也可以使用合成品。
[0112]
表面处理组合物包含螯合剂时，将表面处理组合物的总质量设为100质量％，螯合剂的含量的下限优选为0.0001质量％以上，更优选为0.001质量％以上，进一步优选为0.002质量％以上。螯合剂的含量的上限优选为1质量％以下，更优选为0.5质量％以下，进一步优选为0.3质量％以下，特别优选为0.15质量％以下。需要说明的是，表面处理组合物包含2种以上的螯合剂时，螯合剂的含量是指它们的总计量。
[0113]
[其他添加剂]
[0114]
本发明的一方式的表面处理组合物在不阻碍本发明的效果的范围内，可以根据需要以任意的比例含有其他添加剂。但是，本发明的一方式的表面处理组合物的除必需成分
以外的成分由于可能成为异物(残渣)的原因而期望尽可能不添加，因此其添加量优选尽可能少。作为其他添加剂，例如可列举出防霉剂(防腐剂)、溶解气体、还原剂、氧化剂等。本发明的表面处理组合物为碱性。另外，本发明的表面处理组合物包含高分子((a)成分)。因此，其中，本发明的表面处理组合物优选包含防霉剂(防腐剂)。本发明的表面处理组合物包含防霉剂(防腐剂)时可以使用的防霉剂(防腐剂)没有特别限制，可以根据高分子((a)成分)的种类进行适宜选择。具体而言，可列举出2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮、5-氯-2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮、1,2-苯并异噻唑-3(2h)-酮(bit)等异噻唑啉系防腐剂、以及苯氧乙醇等。
[0115]
或者，防霉剂(防腐剂)可以是下述化学式1所示的化合物。
[0116][0117]
前述化学式1中，r1～r5各自独立地为氢原子、或由选自由碳原子、氢原子、和氧原子组成的组中的至少2种原子构成的取代基。
[0118]
作为由选自由碳原子、氢原子和氧原子组成的组中的至少2种的原子构成的取代基的例子，例如可列举出羟基、羧基、碳数1以上且20以下的烷基、碳数1以上且20以下的羟基烷基、碳数1以上且20以下的烷氧基、碳数1以上且20以下的羟基烷氧基、碳数2以上且21以下的烷氧基羰基、碳数6以上且30以下的芳基、碳数7以上且31以下的芳烷基(芳基烷基)、碳数6以上且30以下的芳氧基、碳数6以上且30以下的芳氧基羰基、碳数8以上且32以下的芳烷氧基羰基、碳数2以上且20以下的酰基、碳数2以上且20以下的酰氧基等。
[0119]
进一步具体而言，作为碳数1以上且20以下的烷基的例子，可列举出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等直链状的烷基；异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、新戊基、3-甲基戊基、1,1-二乙基丙基、1,1-二甲基丁基、1-甲基-1-丙基丁基、1,1-二丙基丁基、1,1-二甲基-2-甲基丙基、1-甲基-1-异丙基-2-甲基丙基等支链状的烷基；环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、降冰片烯基等环状的烷基等。
[0120]
作为碳数1以上且20以下的羟基烷基的例子，可列举出羟基甲基、2-羟乙基、2-羟基-正丙基、3-羟基-正丙基、2-羟基-正丁基、3-羟基-正丁基、4-羟基-正丁基、2-羟基-正戊基、3-羟基-正戊基、4-羟基-正戊基、5-羟基-正戊基、2-羟基-正己基、3-羟基-正己基、4-羟基-正己基、5-羟基-正己基、6-羟基-正己基等。
[0121]
作为碳数1以上且20以下的烷氧基的例子，可列举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等直链状的烷氧基；异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、叔戊氧基、新戊氧基、3-甲基戊氧基、1,1-二乙基丙氧基、1,1-二甲基丁氧基、1-甲基-1-丙基丁氧基、1,1-二丙基丁氧基、1,1-二甲基-2-甲基丙氧基、1-甲基-1-异丙基-2-甲基丙氧基等支链状的烷氧基；环丁氧基、环戊氧基、环己氧基、环庚氧基、环辛氧基、降冰片烯氧基等环状的烷氧基等。
[0122]
作为碳数1以上且20以下的羟基烷氧基的例子，可列举出羟基甲氧基、2-羟基乙氧基、2-羟基-正丙氧基、3-羟基-正丙氧基、2-羟基-正丁氧基、3-羟基-正丁氧基、4-羟基-正
丁氧基、2-羟基-正戊氧基、3-羟基-正戊氧基、4-羟基-正戊氧基、5-羟基-正戊氧基、2-羟基-正己氧基、3-羟基-正己氧基、4-羟基-正己氧基、5-羟基-正己氧基、6-羟基-正己氧基等。
[0123]
作为碳数2以上且21以下的烷氧基羰基的例子，可列举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、辛氧基羰基、癸氧基羰基等。
[0124]
作为碳数6以上且30以下的芳基的例子，可列举出苯基、萘基、邻氨基苯甲酰基、芘基等。
[0125]
作为碳数7以上且31以下的芳烷基(芳基烷基)的例子，可列举出苄基、苯乙基(苯基乙基)等，作为碳数6以上且30以下的芳氧基的例子，可列举出苯氧基(苯基氧基)、萘氧基、氨茴氧基、芘氧基等。
[0126]
作为碳数7以上且31以下的芳氧基羰基的例子，可列举出苯氧基羰基、萘氧基羰基、氨茴氧基羰基、芘氧基羰基等。
[0127]
作为碳数8以上且32以下的芳烷氧基羰基，可列举出苄氧基羰基、苯乙氧基羰基等。
[0128]
作为碳数1以上且20以下的酰基的例子，可列举出甲酰基(formyl group)、乙酰基(acetyl group)、丙酰基、丁酰基、戊酰基、己酰基、辛酰基、癸酰基、苯甲酰基等。
[0129]
作为碳数1以上且20以下的酰氧基的例子，可列举出甲酰氧基、乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、戊酰氧基、己酰氧基、辛酰氧基、癸酰氧基、苯甲酰氧基等。
[0130]
进而，上述化学式1所示的防霉剂优选选自由下述化学式1-a～1-c所示的化合物组成的组中的至少1种。
[0131][0132]
前述化学式1-a～1-c中，r1～r3各自独立地表示由选自由碳原子、氢原子和氧原子组成的组中的至少2种的原子构成的取代基。
[0133]
由选自由碳原子、氢原子和氧原子组成的组中的至少2种的原子构成的取代基的例子与上述同样，因此此处省略说明。
[0134]
作为上述化学式1所示的化合物的更具体的例子，可列举出对羟基苯甲酸甲酯(4-羟基苯甲酸甲酯)、对羟基苯甲酸乙酯(4-羟基苯甲酸乙酯)、对羟基苯甲酸丁酯(4-羟基苯甲酸丁酯)、对羟基苯甲酸苄酯(4-羟基苯甲酸苄酯)等对羟基苯甲酸酯(4-羟基苯甲酸酯)；水杨酸、水杨酸甲酯、苯酚、儿茶酚、间苯二酚、对苯二酚、异丙酚、甲酚、百里酚、苯氧乙醇、苯基苯酚(2-苯基苯酚、3-苯基苯酚、4-苯基苯酚)、2-苯基乙醇(苯乙醇)等。
[0135]
这些当中，从更有效地发挥本发明的期望的效果的观点出发，作为上述化学式1所示的化合物，优选选自由对羟基苯甲酸乙酯、对羟基苯甲酸丁酯、和苯基苯酚组成的组中的至少1种，更优选对羟基苯甲酸丁酯。
[0136]
或者，防霉剂(防腐剂)可以为不饱和脂肪酸。作为不饱和脂肪酸的例子，可列举出巴豆酸、肉豆蔻油酸、棕榈油酸、油酸、蓖麻油酸等单不饱和脂肪酸；山梨酸、亚油酸、二十碳二烯酸等二不饱和脂肪酸；亚麻酸、皮诺敛酸、油硬脂酸等三不饱和脂肪酸；十八碳四烯酸、花生四烯酸等四不饱和脂肪酸；十八碳五烯酸、二十碳五烯酸等五不饱和脂肪酸；二十二碳六烯酸、二十四碳六烯酸等六不饱和脂肪酸；等。
[0137]
这些当中，从更有效地发挥本发明的期望的效果的观点出发，作为不饱和脂肪酸，优选山梨酸。
[0138]
另外，除上述以外，可以使用1,2-戊二醇、1,2-己二醇、1,2-辛二醇等1,2-烷二醇；2-乙基己基甘油醚(乙基己基甘油)等烷基甘油醚；癸酸、脱氢乙酸等化合物作为防霉剂(防腐剂)。
[0139]
上述防霉剂(防腐剂)可以单独使用，或者也可以组合使用2种以上。
[0140]
表面处理组合物包含防霉剂(防腐剂)时的防霉剂(防腐剂)的含量(浓度)的下限没有特别限制，优选为0.0001质量％以上，更优选为0.001质量％以上，进一步优选为0.005质量％以上，特别优选为0.01质量％以上。另外，防霉剂(防腐剂)的含量(浓度)的上限没有特别限制，优选为5质量％以下，更优选1质量％以下为，进一步优选为0.5质量％以下，特别优选为0.1质量％以下。即，表面处理组合物中的防霉剂(防腐剂)的含量(浓度)优选为0.0001质量％以上且5质量％以下、更优选为0.001质量％以上且1质量％以下、进一步优选为0.005质量％以上且0.5质量％以下、特别优选为0.01质量％以上且0.1质量％以下。若在这样的范围内，则可以得到足以灭活或破坏微生物的效果。需要说明的是，表面处理组合物包含2种以上的防霉剂(防腐剂)的情况下，上述含量是指它们的总计量。
[0141]
即，本发明的一实施方式中，表面处理组合物实质上由高分子((a)成分)、缓冲剂((b)成分)、ph调节剂和水、以及选自由防霉剂、有机溶剂、表面活性剂和螯合剂组成的组中的至少一者构成。本发明的一实施方式中，表面处理组合物实质上由高分子((a)成分)、缓冲剂((b)成分)、ph调节剂和水、以及防霉剂和有机溶剂中的至少一者构成。本发明的一实施方式中，表面处理组合物实质上由高分子((a)成分)、缓冲剂((b)成分)、ph调节剂和水构成。该方式中，“表面处理组合物实质上由x构成”是指将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)时的x的总计含量大于99质量％(上限：100质量％)。优选表面处理组合物由x构成(上述总计含量＝100质量％)。例如，“表面处理组合物实质上由高分子((a)成分)、缓冲剂((b)成分)、ph调节剂和水、以及防霉剂和有机溶剂中的至少一者构成”是指将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)时的高分子((a)成分)、缓冲剂((b)成分)、ph调节剂和水、以及防霉剂和有机溶剂的总计含量大于99质量％(上限：100质量％)，优选表面处理组合物由高分子((a)成分)、缓冲剂((b)成分)、ph调节剂和水、以及防霉剂和有机溶剂中的至少一者构成(上述总计含量＝100质量％)。
[0142]
为了进一步改善残渣(异物)去除效果，本发明的表面处理组合物优选实质上不含有磨粒。此处，“实质上不含有磨粒”是指相对于表面处理组合物整体，磨粒的含量低于0.01质量％的情况。即，本发明的一实施方式中，将表面处理组合物的总质量设为100质量％(相对于表面处理组合物)，磨粒的含量低于0.01质量％(下限：0质量％)。
[0143]
＜表面处理组合物的制造方法＞
[0144]
本发明的表面处理组合物的制造方法没有特别限制，例如，可以通过将(a)成分
(高分子)、及(b)成分(缓冲剂)、以及根据需要选自由ph调节剂、表面活性剂、螯合剂、水、有机溶剂、防霉剂(防腐剂)和其他添加剂组成的组中的至少一者进行搅拌混合而得到。本发明的一实施方式中，通过将高分子((a)成分)、缓冲剂((b)成分)、ph调节剂、水、以及选自由防霉剂、有机溶剂、表面活性剂和螯合剂组成的组中的至少一者进行搅拌混合而制造本发明的表面处理组合物。本发明的一实施方式中，通过将高分子((a)成分)、缓冲剂((b)成分)、ph调节剂、水、以及防霉剂和有机溶剂中的至少一者进行搅拌混合而制造本发明的表面处理组合物。本发明的一实施方式中，通过将(a)成分(高分子)、(b)成分(缓冲剂)、水、及ph调节剂进行搅拌混合而制造本发明的表面处理组合物。混合各成分时的温度没有特别限制，优选10℃以上且40℃以下，也可以为了提高溶解速度而进行加热。另外，混合时间也没有特别限制。
[0145]
＜表面处理方法＞
[0146]
根据本发明的表面处理组合物，能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。另外，能够将对包含多晶硅的完成了研磨的研磨对象物的蚀刻速率抑制得较低。因此，本发明提供一种表面处理方法，其包括使用本发明的表面处理组合物对完成了研磨的研磨对象物进行表面处理。此处，完成了研磨的研磨对象物可以包含选自由氮化硅、氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种。即，本发明提供一种表面处理方法，其包括使用本发明的表面处理组合物，对包含选自由氮化硅、氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种的完成了研磨的研磨对象物进行表面处理，减少前述完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。需要说明的是，本说明书中，“表面处理方法”是指减少完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣的方法，是进行广义的清洗的方法。
[0147]
根据本发明的表面处理方法，能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。即，本发明还提供减少前述完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣的方法，其具备：使用本发明的表面处理组合物对完成了研磨的研磨对象物进行表面处理。另外，本发明还提供减少前述完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣的方法，其具备：使用本发明的表面处理组合物，对包含选自由氮化硅、氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种的完成了研磨的研磨对象物进行表面处理。
[0148]
本发明的表面处理方法可利用使本发明的表面处理组合物直接接触完成了研磨的研磨对象物的方法来进行。
[0149]
作为表面处理方法，主要可列举出：(i)基于冲洗研磨处理的方法、(ii)基于清洗处理的方法。即，本发明的一实施方式中，表面处理方法是冲洗研磨处理方法或清洗处理方法(上述表面处理通过冲洗研磨处理或清洗处理而进行)。冲洗研磨处理和清洗处理为了去除完成了研磨的研磨对象物的表面上的异物(磨粒(微粒)残渣、高分子、垫屑等有机物残渣、金属污染物等)并得到清洁的表面而实施。以下对上述(i)和(ii)进行说明。
[0150]
(i)冲洗研磨处理
[0151]
本发明的表面处理组合物可适宜用于冲洗研磨处理。即，本发明的表面处理组合物可以优选用作冲洗研磨用组合物。对于冲洗研磨处理，对研磨对象物进行最终研磨(精研磨)，得到完成了研磨的研磨对象物后，为了去除该完成了研磨的研磨对象物的表面上的异物，在安装有研磨垫的研磨平板(压板)上进行。此时，通过使本发明的表面处理组合物与完成了研磨的研磨对象物直接接触，从而进行冲洗研磨处理。其结果，完成了研磨的研磨对象
物表面的异物可通过基于研磨垫的摩擦力(物理作用)和基于表面处理组合物的化学作用而去除。异物当中，特别是磨粒(微粒)残渣、有机物残渣容易通过物理作用而去除。因此，冲洗研磨处理中，通过利用在研磨平板(压板)上与研磨垫的摩擦而能够有效地去除磨粒(微粒)残渣、有机物残渣。
[0152]
即，本说明书中，冲洗研磨处理、冲洗研磨方法和冲洗研磨工序分别是指使用研磨垫来减少表面处理对象物的表面的残渣的处理、方法和工序。
[0153]
具体而言，冲洗研磨处理可以通过如下方式进行：将研磨工序后的完成了研磨的研磨对象物设置于研磨装置的研磨平板(压板)上，使研磨垫与完成了研磨的半导体基板接触，边向该接触部分供给表面处理组合物边使完成了研磨的研磨对象物与研磨垫相对滑动，由此进行。
[0154]
作为研磨装置，可以使用：安装有保持研磨对象物的支架和能改变转速的发动机等、且具有能粘贴研磨垫(研磨布)的研磨平板的通常的研磨装置。
[0155]
冲洗研磨处理也可以使用单面研磨装置、双面研磨装置中的任意者来进行。另外，上述研磨装置优选除研磨用组合物的喷出喷嘴之外还具备表面处理组合物的喷出喷嘴。研磨装置的冲洗研磨处理时的工作条件没有特别限制，若为本领域技术人员则可以适宜设定。
[0156]
作为研磨垫，可以没有限制地使用通常的无纺布、聚氨酯和多孔氟树脂等。优选对研磨垫实施了积存表面处理组合物那样的槽加工。
[0157]
冲洗研磨条件也没有特别限制，例如，研磨平板的转速、研磨头(载体)转速优选为10rpm(0.17s-1
)以上且100rpm(1.67s-1
)以下，对完成了研磨的研磨对象物施加的压力(研磨压力)优选为0.5psi(3.4kpa)以上且10psi(68.9kpa)以下。对研磨垫供给表面处理组合物的方法也没有特别限制，例如，可采用通过泵等连续供给的方法(浇注)。该供给量没有限制，优选研磨垫的表面一直被表面处理组合物覆盖，优选为10ml/分钟以上且5000ml/分钟以下。冲洗研磨时间也没有特别限制，优选为5秒以上且180秒以下。
[0158]
基于本发明的表面处理组合物的冲洗研磨处理之后，完成了研磨的研磨对象物(表面处理对象物)优选边施加本发明的表面处理组合物边提起而取出。
[0159]
(ii)清洗处理
[0160]
本发明的表面处理组合物也可以用于清洗处理。即，本发明的表面处理组合物可以优选用作清洗用组合物。清洗处理优选在对研磨对象物进行最终研磨(精研磨)后，进行上述冲洗研磨处理后，或进行使用本发明的表面处理组合物以外的冲洗研磨用组合物的其他冲洗研磨处理，得到完成了研磨的研磨对象物(清洗对象物)后，为了去除完成了研磨的研磨对象物(清洗对象物)的表面上的异物而进行。需要说明的是，清洗处理与上述冲洗研磨处理根据进行这些处理的场所而分类，清洗处理是在非研磨平板(压板)上的场所进行的表面处理，优选为从研磨平板(压板)上取下完成了研磨的研磨对象物后进行的表面处理。清洗处理中，也可以使本发明的表面处理组合物与完成了研磨的研磨对象物直接接触而去除该对象物的表面上的异物。
[0161]
作为进行清洗处理的方法的例子，可列举出如下方法：(i)在保持完成了研磨的研磨对象物的状态下，使清洗刷与完成了研磨的研磨对象物的单面或两面接触，边向其接触部分供给表面处理组合物边用清洗刷擦拭清洗对象物的表面的方法；(ii)将完成了研磨的
研磨对象物浸渍于表面处理组合物中并进行超声波处理、搅拌的方法(浸渍式)等。上述方法中，完成了研磨的研磨对象物表面的异物可通过基于清洗刷的摩擦力或通过超声波处理、搅拌产生的机械力、以及基于表面处理组合物的化学作用而去除。
[0162]
上述(i)的方法中，作为使表面处理组合物与完成了研磨的研磨对象物的接触方法，没有特别限定，可列举出边从喷嘴向完成了研磨的研磨对象物上流通表面处理组合物边使完成了研磨的研磨对象物高速旋转的旋转式；对完成了研磨的研磨对象物喷雾表面处理组合物进行清洗的喷雾式等。
[0163]
从在短时间内能够实现更高效的污染去除的方面考虑，清洗处理优选采用旋转式、喷雾式，进一步优选为旋转式。
[0164]
作为用于进行这样的清洗处理的装置，有：同时对收纳于盒中的多张完成了研磨的研磨对象物进行表面处理的间歇式清洗装置、将1张完成了研磨的研磨对象物安装于支架上进行表面处理的单片式清洗装置等。从缩短清洗时间等的观点出发，优选使用单片式清洗装置的方法。
[0165]
进而，作为用于进行清洗处理的装置，可列举出：具备从研磨平板(压板)上取下完成了研磨的研磨对象物后用清洗刷擦拭该对象物的清洗用设备的研磨装置。通过使用这样的研磨装置，从而能够更高效地进行完成了研磨的研磨对象物的清洗处理。
[0166]
作为上述研磨装置，可以使用具有保持完成了研磨的研磨对象物的支架、能改变转速的发动机、清洗刷等的通常的研磨装置。作为研磨装置，也可以使用单面研磨装置或双面研磨装置中的任意者。需要说明的是，cmp工序之后，进行冲洗研磨工序时，该清洗处理使用与冲洗研磨工序中使用的研磨装置同样的装置来进行时更高效，是优选的。
[0167]
清洗刷没有特别限制，优选为树脂制刷。树脂制刷的材质没有特别限制，优选pva(聚乙烯醇)。清洗刷更优选为pva制海绵。
[0168]
清洗条件也没有特别限制，可以根据表面处理对象物(完成了研磨的研磨对象物)的种类、以及成为去除对象的残渣的种类和量进行适宜设定。例如，清洗刷的转速优选为10rpm(0.17s-1
)以上且200rpm(3.33s-1
)以下，清洗对象物的转速优选为10rpm(0.17s-1
)以上且100rpm(1.67s-1
)以下。向清洗刷供给表面处理组合物的方法也没有特别限制，例如，可采用通过泵等连续供给的方法(浇注)。该供给量没有限制，优选清洗刷和清洗对象物的表面一直被表面处理组合物覆盖，优选为10ml/分钟以上且5000ml/分钟以下。清洗时间也没有特别限制，对于使用本发明的一方式的表面处理组合物的工序而言，优选为5秒以上且180秒以下。若为这样的范围，则能够更有效地去除异物。
[0169]
清洗时的表面处理组合物的温度没有特别限制，通常可以为室温，在不损害性能的范围内，可以加热至40℃以上且70℃以下左右。
[0170]
上述(ii)的方法中，对于基于浸渍的清洗方法的条件没有特别限制，可以使用公知的方法。
[0171]
也可以在进行基于上述(i)或(ii)的方法的表面处理之前进行基于水的清洗。
[0172]
(后清洗处理)
[0173]
另外，作为表面处理方法，优选在使用了本发明的表面处理组合物的前述(i)或(ii)的表面处理之后对完成了研磨的研磨对象物进行进一步清洗处理。本说明书中，将该清洗处理称为后清洗处理。作为后清洗处理，没有特别限制，例如可列举出简单地用水冲洗
表面处理对象物的方法、简单地将表面处理对象物浸渍于水中的方法等。另外，可列举出如下方法：与基于上述说明的(ii)的方法的表面处理同样地，在保持了表面处理对象物的状态下，使清洗刷与表面处理对象物的单面或两面接触，边向其接触部分供给水或水溶液(例如，nh3水溶液)或边以水和水溶液(例如，nh3水溶液)的任意顺序进行供给(供给水后供给水溶液或供给水溶液后供给水)，边用清洗刷擦拭表面处理对象物的表面的方法(刷清洗)；将表面处理对象物浸渍于水中，进行超声波处理、搅拌的方法(浸渍式)等。这些当中，优选为如下方法：在保持表面处理对象物的状态下，边使清洗刷与表面处理对象物的单面或两面接触并向该接触部分溶解水或水溶液(例如，nh3水溶液)或边以水和水溶液(例如，nh3水溶液)的任意顺序进行供给(供给水后供给水溶液或供给nh3水溶液后供给水)，边用清洗刷擦拭表面处理对象物的表面的方法。需要说明的是，作为后清洗处理的装置和条件，可以参照前述的(ii)的表面处理的说明。此处，作为后清洗处理中使用的水，特别优选使用去离子水。
[0174]
通过用本发明的一方式的表面处理组合物进行表面处理，从而成为极其容易去除残渣的状态。因此，用本发明的一方式的表面处理的表面处理组合物进行表面处理后，使用水进行进一步的清洗处理，从而能够极其良好地去除残渣。作为此时使用的水，特别优选使用去离子水。
[0175]
＜半导体基板的制造方法＞
[0176]
本发明的表面处理方法可适宜用于完成了研磨的研磨对象物为完成了研磨的半导体基板的情况。即，本发明还提供半导体基板的制造方法，其中，完成了研磨的研磨对象物为完成了研磨的半导体基板，所述方法包括：对于该完成了研磨的半导体基板，通过上述表面处理方法减少完成了研磨的半导体基板的表面的残渣。
[0177]
此时，完成了研磨的研磨对象物包含氮化硅、氧化硅和多晶硅的至少一者。即，本发明还提供半导体基板的制造方法，完成了研磨的研磨对象物为完成了研磨的半导体基板，所述方法包括如下工序：研磨工序，使用包含磨粒的研磨用组合物，对包含选自由氮化硅、氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种的研磨前半导体基板进行研磨，从而得到完成了研磨的半导体基板；以及表面处理工序，使用本发明的表面处理组合物，减少前述完成了研磨的半导体基板的表面的包含前述磨粒的残渣。
[0178]
对于应用上述制造方法的半导体基板的详情，如通过上述表面处理组合物进行表面处理的完成了研磨的研磨对象物的说明所述。
[0179]
另外，半导体基板的制造方法只要包括使用本发明的表面处理组合物对完成了研磨的半导体基板的表面进行表面处理的工序(表面处理工序)就没有特别限制。作为上述制造方法，例如可列举出具有用于形成完成了研磨的半导体基板的研磨工序和清洗工序的方法。另外，作为其他一例，可列举出除了研磨工序和清洗工序之外，在研磨工序和清洗工序之间具有冲洗研磨工序的方法。以下对这些各工序进行说明。
[0180]
[研磨工序]
[0181]
半导体基板的制造方法中可包括的研磨工序是对半导体基板进行研磨而形成完成了研磨的半导体基板的工序。
[0182]
研磨工序只要是对半导体基板进行研磨就没有特别限制，优选为化学机械研磨(chemical mechanical polishing；cmp)工序。另外，研磨工序可以是由单一工序构成的研
磨工序，也可以是由多个工序构成的研磨工序。作为由多个工序构成的研磨工序，例如可列举出：在预研磨工序(粗研磨工序)之后进行精研磨工序的工序、在1次研磨工序之后进行1次或2次以上的2次研磨工序，然后进行精研磨工序的工序等。使用了本发明的表面处理组合物的表面处理工序优选在上述精研磨工序后进行。
[0183]
作为研磨用组合物，可以根据半导体基板的特性适宜使用公知的研磨用组合物。作为研磨用组合物，没有特别限制，例如可列举出包含磨粒、水溶性高分子、ph调节剂和溶剂的研磨用组合物等。
[0184]
作为磨粒，可以为无机颗粒、有机颗粒和有机无机复合颗粒中的任意者。作为无机颗粒的具体例，例如可列举出由二氧化硅、氧化铝、氧化铈、二氧化钛等金属氧化物形成的颗粒、氮化硅颗粒、碳化硅颗粒、氮化硼颗粒。作为有机颗粒的具体例，例如可列举出聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)颗粒。另外，该磨粒可以使用市售品，也可以使用合成品。需要说明的是，本说明书中只要没有特别声明，则磨粒是指未经表面修饰的磨粒。磨粒可以单独使用1种或者也可以组合使用2种以上。这些磨粒当中，优选二氧化硅，更优选胶体二氧化硅。
[0185]
磨粒的平均一次粒径的下限优选为10nm以上，更优选为15nm以上，进一步优选为20nm以上，特别优选为30nm以上。若为上述范围，则能够维持高的研磨速度，因此可以适宜用于粗研磨工序。另外，磨粒的平均一次粒径的上限优选为200nm以下，更优选为150nm以下，进一步优选为100nm以下。一些方式中，平均一次粒径可以为75nm以下，可以为60nm以下，可以为50nm以下。若为上述范围，则能够进一步抑制研磨后的研磨对象物的表面产生缺陷。需要说明的是，磨粒的平均一次粒径例如可基于利用bet法测得的磨粒的比表面积而算出。
[0186]
磨粒的平均二次粒径的下限优选为15nm以上，更优选为30nm以上，进一步优选为40nm以上，更进一步优选为50nm以上，特别优选为60nm以上。若为上述范围，则维持高的研磨速度。另外，磨粒的平均二次粒径的上限优选为300nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为150nm以下，更进一步优选为100nm以下，特别优选为80nm以下。若为上述范围，则能够进一步抑制研磨后的研磨对象物的表面产生缺陷。磨粒的平均二次粒径可以利用动态光散射法进行测定。例如，可以使用大冢电子株式会社制的型号“fpar-1000”或其相当品进行测定。
[0187]
将研磨用组合物直接用作研磨液时，磨粒的含量相对于研磨用组合物优选为0.1质量％以上，更优选为0.4质量％以上，进一步优选为1.0质量％以上。通过磨粒的含量的增大，研磨速度提高。另外，将研磨用组合物直接用作研磨液时，从防止划痕等的观点出发，磨粒的含量通常为10质量％以下是适合的，优选5质量％以下，更优选3质量％以下，进一步优选2质量％以下。从经济性的观点出发也优选减少磨粒的含量。需要说明的是，在组合使用2种以上的磨粒的情况下，上述的含量是指2种以上的磨粒的总计含量。
[0188]
作为水溶性高分子，可列举出纤维素衍生物、淀粉衍生物、包含氧亚烷基单元的聚合物、含有氮原子的聚合物、乙烯醇系聚合物等。作为具体例，可列举出羟乙基纤维素、普鲁兰多糖、环氧乙烷与环氧丙烷的无规共聚物、嵌段共聚物、聚乙烯醇、缩醛化聚乙烯醇、乙烯醇与环氧烷的共聚物、聚异戊二烯磺酸、聚乙烯磺酸、聚烯丙基磺酸、聚异戊烯磺酸、聚苯乙烯磺酸盐、聚丙烯酸盐、聚乙酸乙烯酯、聚乙二醇、聚乙烯咪唑、聚乙烯咔唑、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯己内酰胺、聚乙烯哌啶、聚丙烯酰基吗啉、聚羟基丙烯酰胺等。水溶性高分子可
以单独使用1种或组合使用2种以上。此处公开的研磨用组合物可以优选以实质上不包含水溶性高分子的方式、即以至少不有意含有水溶性高分子的方式实施。
[0189]
将研磨用组合物直接用作研磨液时，相对于研磨用组合物，水溶性高分子的含量优选为0.01质量％以上，更优选为0.1质量％以上，进一步优选为0.2质量％以上。另外，将研磨用组合物直接用作研磨液时，优选3质量％以下，更优选2质量％以下，进一步优选1质量％以下。需要说明的是，组合使用2种以上水溶性高分子的情况下，上述的含量是指2种以上的水溶性高分子的总计含量。
[0190]
ph调节剂和溶剂分别与上述[ph调节剂]和[溶剂]项中规定的同样，此处省略说明。其中，ph调节剂优选为氢氧化钾、氢氧化钠、或氨，更优选为氨。另外，溶剂优选包含水，更优选仅为水。
[0191]
将研磨用组合物直接用作研磨液时，研磨用组合物的ph优选高于本发明的表面处理组合物的ph(大于8.0)，更优选为8.5以上，进而更优选为9.5以上，特别优选为10.0以上。研磨用组合物的ph增高时，研磨速度上升。另一方面，将研磨用组合物直接用作研磨液时，研磨用组合物的ph为优选为12.0以下，更优选为11.5以下。研磨用组合物的ph若为12.0以下，则能够抑制磨粒的溶解，能够防止基于该磨粒的机械性研磨作用的降低。需要说明的是，研磨用组合物的ph采用利用实施例中记载的方法测得的值。
[0192]
作为研磨装置，可以使用：安装有保持研磨对象物的支架和能改变转速的发动机等、且具有能粘贴研磨垫(研磨布)的研磨平板的通常的研磨装置。作为研磨装置，也可以使用单面研磨装置或双面研磨装置中的任意者。
[0193]
作为研磨垫，可以没有限制地使用通常的无纺布、聚氨酯、和多孔氟树脂等。优选对研磨垫实施了积存表面处理组合物那样的槽加工。
[0194]
研磨条件也没有特别限制，例如，研磨平板的转速、研磨头(载体)转速优选为10rpm(0.17s-1
)以上且100rpm(1.67s-1
)以下，对研磨对象物施加的压力(研磨压力)优选为0.5psi(3.4kpa)以上且10psi(68.9kpa)以下。对研磨垫供给研磨用组合物的方法也没有特别限制，例如，采用通过泵等进行连续供给的方法(浇注)。该供给量没有限制，优选研磨垫的表面一直被研磨用组合物覆盖，优选为10ml/分钟以上且5000ml/分钟以下。研磨时间也没有特别限制，对于使用研磨用组合物的工序，优选为5秒以上且180秒以下。
[0195]
[表面处理工序]
[0196]
表面处理工序是指使用本发明的表面处理组合物减少完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣的工序。半导体基板的制造方法中，在冲洗研磨工序之后，可以进行作为表面处理工序的清洗工序，也可以仅进行冲洗研磨工序或仅进行清洗工序。
[0197]
(冲洗研磨工序)
[0198]
冲洗研磨工序在半导体基板的制造方法中可以设置于研磨工序和清洗工序之间。冲洗研磨工序是通过本发明的一方式的表面处理方法(冲洗研磨处理方法)减少完成了研磨的研磨对象物(完成了研磨的半导体基板)的表面的异物的工序。
[0199]
冲洗研磨工序中使用的冲洗研磨方法的详情如上述冲洗研磨处理的说明中记载所述。
[0200]
(清洗工序)
[0201]
清洗工序在半导体基板的制造方法中可以设置于研磨工序之后，也可以设置于冲
洗研磨工序之后。清洗工序是通过本发明的一方式的表面处理方法(清洗方法)减少完成了研磨的研磨对象物(完成了研磨的半导体基板)的表面的异物的工序。
[0202]
清洗工序中使用的清洗方法的详情与上述(后清洗处理)同样。
[0203]
对本发明的实施方式进行了详细的说明，但其仅为说明且示例，不限定于此，很明显，本发明的保护范围应通过附加的权利要求书加以解释。
[0204]
本发明包括下述方式和形态。
[0205]
1.一种表面处理组合物，其包含下述(a)成分和(b)成分、且ph为8.0以上，(a)成分：具有含有含氮季鎓盐的结构单元或下述结构(x)的结构单元的高分子，
[0206][0207]
上述结构(x)中，r
31
～r
34
各自独立地表示氢原子或者碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，
[0208]
(b)成分：式r-coo-nh
4+
(r为碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基、或者苯基)所示的缓冲剂；
[0209]
2.根据上述1.所述的表面处理组合物，其中，上述(a)成分包含高分子，所述高分子具有含有含氮季鎓盐的结构单元。
[0210]
3.根据上述1.或上述2.所述的表面处理组合物，其中，上述含有含氮季鎓盐的结构单元仅为下述结构(y)或下述结构(z)，
[0211][0212]
上述结构(y)中，r
11
表示氢原子或甲基，r
12
表示碳数1以上且10以下的直链或支链的亚烷基，r
13
～r
15
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，x1表示阴离子部分，
[0213][0214]
上述结构(z)中，r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子、碳数1以上且3以下的烷基或苯基，r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，x2表示阴离子部分。
[0215]
4.根据上述1.～上述3.中任一项所述的表面处理组合物，其实质上不包含磨粒。
[0216]
5.根据上述1.～上述4.中任一项所述的表面处理组合物，其中，相对于上述表面处理组合物，以大于0.05质量％的比例包含上述高分子。
[0217]
6.根据上述1.～上述5.中任一项所述的表面处理组合物，其中，上述缓冲剂为乙
酸铵。
[0218]
7.根据上述1.～上述6.中任一项所述的表面处理组合物，其还包含(c)成分，
[0219]
(c)成分：ph调节剂。
[0220]
8.根据上述7.所述的表面处理组合物，其中，上述ph调节剂为氨。
[0221]
9.一种表面处理方法，其中，使用上述1.～上述8.中任一项所述的表面处理组合物，对包含选自由氮化硅、氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种的完成了研磨的研磨对象物进行表面处理，减少上述完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。
[0222]
10.根据上述9.所述的表面处理方法，其为冲洗研磨处理方法或清洗处理方法。
[0223]
11.一种半导体基板的制造方法，其中，
[0224]
完成了研磨的研磨对象物为完成了研磨的半导体基板，
[0225]
所述方法包括如下工序：
[0226]
研磨工序，使用包含磨粒的研磨用组合物，对包含选自由氮化硅、氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种的研磨前半导体基板进行研磨，从而得到完成了研磨的半导体基板；以及
[0227]
表面处理工序，使用上述1.～上述8.中任一项所述的表面处理组合物，减少上述完成了研磨的半导体基板的表面的包含上述磨粒的残渣。
[0228]
12.根据上述11.所述的半导体基板的制造方法，其中，上述研磨用组合物的ph为8.5以上。
[0229]
实施例
[0230]
使用以下的实施例和比较例对本发明进行进一步的详细说明。但是，本发明的保护范围不仅限于以下的实施例。需要说明的是，只要没有特别记载，“％”和“份”分别是指“质量％”和“质量份”。另外，下述实施例中，只要没有特别记载，操作在室温(25℃)/相对湿度40％rh以上且50％rh以下的条件下进行。
[0231]
＜(a)成分、(b)成分和ph调节剂的准备＞
[0232]
准备下述(a)成分、(b)成分和ph调节剂。
[0233]
[(a)成分]
[0234]
二甲基二烯丙基氯化铵/丙烯酸共聚物(dadmac/aa)：merquat
tm 295polymer(japan lubrizol corporation)(聚季铵盐-22)、mw＝190000(也称为“dadmac/aa”)
[0235]
二甲基二烯丙基氯化铵/丙烯酰胺共聚物(dadmac/aam)：merquat
tm 550polymer(japan lubrizol corporation(聚季铵盐-7)、mw＝1600000(也称为“dadmac/aam”)
[0236]
聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯)(poly-dadmac)：unisence fpa-100l(senka公司)、mw＝低于20000(也称为“poly-dadmac1”)
[0237]
聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯)(poly-dadmac)：unisence fpa-102l(senka公司)、mw＝20000～100000(“也称为poly-dadmac2”)
[0238]
聚二甲基二烯丙基氯化铵(聚二甲基亚甲基哌啶氯)(poly-dadmac)：unisence fpa-1000l(senka公司)、mw＝100000～500000(“也称为poly-dadmac3”)
[0239]
聚亚烷基多胺/双氰胺铵盐缩合物(双氰胺(dcda)/二亚乙基三胺(deta))：unisence khp10p(senka公司)、mw＝低于20000(也称为“dcda/deta”)
[0240]
甲基丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱/甲基丙烯酰基乙基三甲基氯化铵/甲氧基聚乙
二醇甲基丙烯酸酯共聚物(dma/pmmp/betaine)：plus size l-440w(互应化学工业株式会社)(聚季铵盐-49)(也称为“dma/pmmp/betaine”)、mw＝n/a
[0241]
甲基丙烯酰基乙基二甲基甜菜碱/甲基丙烯酰基乙基三甲基氯化铵/甲基丙烯酸2-羟基乙酯共聚物(dma/hema/betaine)：plus size l-450w(互应化学工业株式会社)(聚季铵盐-48)(也称为“dma/hema/betaine”)、mw＝n/a
[0242]
乙烯基吡咯烷酮/n,n-二甲基氨基乙基甲基丙烯酸共聚物二乙基硫酸盐(dma/vp)：h.c.聚合物1s(m)(大阪有机化学工业株式会社)(聚季铵盐-11)、mw＝500000(也称为“dma/vp1”)
[0243]
乙烯基吡咯烷酮/n,n-二甲基氨基乙基甲基丙烯酸共聚物二乙基硫酸盐(dma/vp)：h.c.聚合物5w(大阪有机化学工业株式会社)(聚季铵盐-11)、mw＝150000(也称为“dma/vp2”)
[0244]
聚乙烯醇(pva)：jmr-10hh(japan vam&poval co.,ltd.)、mw＝10000(也称为“pva”)
[0245]
聚乙烯基吡咯烷酮(pvp)：pitzcol(注册商标)k-30a(第一工业制药株式会社)、mw＝45000(也称为“pvp”)
[0246]
聚-ε-l-赖氨酸：poly epsilon l-lysine hcl(carbosynth)、mw＝4000(也称为“聚-ε-l-赖氨酸”)
[0247]
壳聚糖羟基丙基三氯化铵：moistcoat px(katakura&co-op agri corporation)、mw＝n/a(也称为“chitosan px”)
[0248]
l-赖氨酸：l-lysine(fujifilm wako chemicals corporation)、mw＝146(也称为“l-lysine”)
[0249]
l-精氨酸：l-(+)-arginine(fujifilm wako chemicals corporation)、mw＝174(也称为“l-arginine”)
[0250]
聚亚乙基亚胺：epomin(注册商标)sp-003(nippon shokubai co.,ltd.)、mw＝300(也称为“pei1”)
[0251]
聚亚乙基亚胺：epomin(注册商标)sp-200(nippon shokubai co.,ltd.)、mw＝10000(也称为“pei2”)
[0252]
聚亚乙基亚胺：epomin(注册商标)p-1000(nippon shokubai co.,ltd.)、mw＝70000(也称为“pei3”)。
[0253]
[(b)成分]
[0254]
乙酸铵(关东化学株式会社)、分子量＝77
[0255]
磷酸氢二铵(fujifilm wako chemicals corporation)、分子量＝132
[0256]
碳酸氢铵(fujifilm wako chemicals corporation)、分子量＝79。
[0257]
[ph调节剂]
[0258]
氨：el氨水(浓度：28.0％～30.0％(以nh3计)(关东化学株式会社)、分子量＝17
[0259]
氢氧化钾：氢氧化钾48％水溶液(kohlm(关东化学株式会社)、分子量＝56
[0260]
氢氧化钠：25％氢氧化钠水溶液(株式会社油辰商店)、分子量＝40。
[0261]
(a)成分的重均分子量(mw)利用下述的方法进行测定。
[0262]
[重均分子量(mw)的测定]
[0263]
(a)成分的重均分子量(mw)使用通过凝胶渗透色谱(gpc)测得的重均分子量(聚乙二醇换算)的值。重均分子量通过下述的装置和条件进行测定：
[0264]
gpc装置：株式会社岛津制作所制
[0265]
型号：prominence+elsd检测器(elsd-ltii)
[0266]
柱：vp-ods(株式会社岛津制作所制)
[0267]
流动相a：meoh
[0268]
b：乙酸1％水溶液
[0269]
流量：1ml/分钟
[0270]
检测器：elsd temp.40℃、gain 8、n2gas 350kpa
[0271]
柱箱温度：40℃
[0272]
注入量：40μl。
[0273]
[表面处理组合物的ph的测定]
[0274]
表面处理组合物(液温：25℃)的ph通过ph计(株式会社堀场制作所制制品名：laqua(注册商标))进行确认。
[0275]
[表面处理组合物的制备]
[0276]
(实施例1)
[0277]
将作为(a)成分的二甲基二烯丙基氯化铵/丙烯酸共聚物(merquat
tm 295polymer：dadmac/aa)、作为(b)成分的乙酸铵、作为ph调节剂的氨、及蒸馏水在25℃下搅拌混合5分钟，由此制备表面处理组合物1。
[0278]
此处，相对于表面处理组合物1的总量，(a)成分的含量设为0.1质量％；相对于表面处理组合物1的总量，(b)的含量设为0.25质量％；ph调节剂的含量为表面处理组合物1的ph成为9.0的量。表面处理组合物1不包含磨粒(磨粒的含量＝0质量％)。
[0279]
(实施例2～16、比较例1～14)
[0280]
将(a)成分、(b)成分和ph调节剂的种类和含量变更为下述表1中记载所述，除此以外与实施例1同样地制备表面处理组合物2～16和比较表面处理组合物1～14。表面处理组合物2～16和比较表面处理组合物1～14不包含磨粒(磨粒的含量＝0质量％)。
[0281]
[表1-1]
[0282][0283]
[表1-2]
[0284][0285]
[完成了研磨的研磨对象物的准备]
[0286]
准备通过下述的化学机械研磨(cmp)工序进行研磨后的完成了研磨的研磨对象物(完成了研磨的sin基板、完成了研磨的poly-si基板)。
[0287]
(cmp工序)
[0288]
作为研磨对象物，准备：通过cvd在表面形成了厚度的sin膜的硅晶圆(sin基板)(300mm无图案晶圆、advantech公司制)和通过cvd在表面形成了厚度的多晶硅膜的硅晶圆(poly-si基板)(300mm晶圆、advanced materials technology公司制)。
[0289]
对于上述中准备的sin基板和poly-si基板，使用下述组成的研磨用组合物，在下述的条件下进行研磨，得到完成了研磨的研磨对象物(完成了研磨的sin基板和完成了研磨的poly-si基板)。
[0290]
＜研磨用组合物＞
[0291]
准备二氧化硅浆料(组成：胶体二氧化硅(平均一次粒径：35nm、平均二次粒径：70nm)10质量％、聚乙烯基吡咯烷酮(pitzcol(注册商标)k-30a、第一工业制药株式会社、mw＝45000)0.25质量％、el氨水(浓度：28.0％～30.0％(以nh3计)(关东化学株式会社)0.33质量％(以nh3计)、溶剂：蒸馏水)。通过用蒸馏水将上述二氧化硅浆料稀释5倍，从而制备研磨用组合物。得到的研磨用组合物的ph为10.0。
[0292]
＜研磨装置和研磨条件＞
[0293]
研磨装置：株式会社荏原制作所制frex300e
[0294]
研磨垫：fujibo holdings inc.制发泡聚氨酯垫
[0295]
h800-type1
[0296]
调节机(修整工具)：尼龙刷(3m公司制)
[0297]
研磨压力：2.0psi(1psi＝6894.76pa、以下相同)
[0298]
研磨平板转速：80rpm
[0299]
研磨头转速：80rpm
[0300]
研磨用组合物的供给：浇注
[0301]
研磨用组合物供给量：200ml/分钟
[0302]
研磨时间：30秒。
[0303]
[冲洗研磨]
[0304]
通过上述cmp工序将研磨对象物(sin基板、poly-si基板)表面分别研磨后，从研磨平板(压板)上取下完成了研磨的研磨对象物(完成了研磨的sin基板、完成了研磨的poly-si基板)。接着，在相同研磨装置内，将完成了研磨的研磨对象物安装在其它研磨平板(压板)上，在下述的条件下，使用上述实施例1～16和比较例1～14中制备的表面处理组合物，对完成了研磨的研磨对象物表面进行冲洗研磨处理。
[0305]
＜冲洗研磨装置和冲洗研磨条件＞
[0306]
研磨装置：株式会社荏原制作所制frex 300e
[0307]
研磨垫：fujibo holdings inc.制发泡聚氨酯垫
[0308]
h800-type1
[0309]
调节机(修整工具)：尼龙刷(3m公司制)
[0310]
研磨压力：1.0psi
[0311]
平板转转速：80rpm
[0312]
研磨头转速：80rpm
[0313]
研磨用组合物的供给：浇注
nano zsp)的测定专用比色皿中，测定磨粒的zeta电位(mv)。磨粒的zeta电位(mv)若为30mv以上则可以接受。
[0326]
(sin基板和垫屑的zeta电位评价)
[0327]
测定各表面处理组合物中的氮化硅(sin基板)和垫屑(聚氨酯)的zeta电位。将结果示于下述表2(表中的“zeta电位sin[mv]”和“zeta电位垫屑[mv]”)。需要说明的是，推测：氮化硅的zeta电位与多晶硅的zeta电位相比，对残渣的去除效果产生较大影响。因此，本评价中，测定表面处理组合物中的sin基板的zeta电位。
[0328]
完成了研磨的sin基板的zeta电位和垫屑的zeta电位分别为通过anton paar japan k.k.制的固体zeta电位测定器surpass3(zeta电位计)测得的值。使用表面处理组合物进行冲洗研磨中的完成了研磨的sin基板表面的zeta电位和使用表面处理组合物进行冲洗研磨中的垫屑的zeta电位分别为在如下那样的模型实验中测得的值。
[0329]
完成了研磨的sin基板表面的zeta电位的测定中，将用cvd在表面形成了厚度的sin膜的硅晶圆(sin基板)(300mm无图案晶圆、advantech公司制)切割成60mm见方者用作测定对象物。
[0330]
垫屑的zeta电位的测定中，将聚氨酯垫(fujibo holdings inc.制、发泡聚氨酯垫、h800-type1)切割成60mm见方，将其用作测定对象物。
[0331]
将这些测定对象物分别设置于zeta电位计上。接着，使上述中制备的表面处理组合物对测定对象物进行通液，分别测定这些测定对象物的zeta电位(mv)。sin基板和垫屑的zeta电位(mv)若分别为30mv以上，则可以接受。
[0332]
(蚀刻速率评价)
[0333]
使用了各表面处理组合物的冲洗研磨中的完成了研磨的sin基板的蚀刻速率和使用了各表面处理组合物的冲洗研磨中的完成了研磨的poly-si基板的蚀刻速率分别是在如下那样的模型实验中测得的值。将这些值示于下述表2(表中的“sin[/分钟]”和“poly-si[/分钟]”)。
[0334]
完成了研磨的sin基板的蚀刻速率的测定中，将通过cvd在表面形成了厚度的sin膜的硅晶圆(sin基板)(300mm无图案晶圆、advantech公司制)切割成60mm见方者用作测定对象物。
[0335]
完成了研磨的poly-si基板的蚀刻速率的测定中，将通过cvd在表面形成了厚度的多晶硅膜的硅晶圆(poly-si基板)(300mm、advanced materials technology公司制)切割成60mm见方者用作测定对象物。
[0336]
用光学式膜厚测定器(lambda ace vm-2030：dainippon screen mfg.co.,ltd.制)分别测定这些测定对象物的厚度(浸渍前的厚度)。接着，分别将这些测定对象物浸渍于上述中制备的表面处理组合物中30分钟。用光学式膜厚测定器(lambda ace vm-2030：dainippon screen mfg.co.,ltd.制)测定规定时间浸渍后的测定对象物的厚度(浸渍后的厚度)。用浸渍前后的厚度的差值除以浸渍时间(分钟)，由此计算出蚀刻速率[＝(浸渍前的厚度-浸渍后的厚度)/浸渍时间(分钟)]。需要说明的是，完成了研磨的poly-si
基板和完成了研磨的sin基板的蚀刻速率优选尽可能小，若低于/分钟则可以接受，优选低于/分钟，更优选为/分钟以下。
[0337]
(δph评价)
[0338]
测定将sin基板作为研磨对象物进行上述冲洗研磨前后的表面处理组合物的ph的差(δph)[＝(冲洗研磨后的表面处理组合物的ph)-(冲洗研磨前的表面处理组合物的ph)]。需要说明的是，冲洗研磨前的表面处理组合物的ph为上述表1中记载的表面处理组合物的ph。将这些值示于下述表2(表中的“δph[-]”)。需要说明的是，δph(冲洗研磨前后的ph变化)优选尽可能小，若低于1.0则可以接受，优选低于0.8，更优选低于0.3。
[0339]
[表2-1]
[0340][0341]
[表2-2]
si基板的蚀刻速率抑制得较低。上述是刚制造表面处理组合物后进行评价的结果，在长期保存或储藏的情况下，优选包含防霉剂(防腐剂)。需要说明的是，由于防霉剂(防腐剂)几乎不会或不对上述结果产生影响，因此认为包含防霉剂(防腐剂)的表面处理组合物也得到与上述同样的结果。
[0344]
另外，上述表2中，示出对作为研磨对象物的sin基板进行冲洗研磨前后的表面处理组合物的ph的差值，但将poly-si基板、teos膜作为研磨对象物进行冲洗研磨前后的表面处理组合物的ph的差值与将sin基板作为研磨对象物进行冲洗研磨前后的表面处理组合物的ph的差值是同等的。
[0345]
本技术基于2022年3月29日申请的日本专利申请号2022-053009号，参照其公开内容并整体引入。

技术特征：
1.一种表面处理组合物，其包含下述(a)成分和(b)成分、且ph为8.0以上，(a)成分：具有含有含氮季鎓盐的结构单元或下述结构(x)的结构单元的高分子，上述结构(x)中，r
31
～r
34
各自独立地表示氢原子或者碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，(b)成分：式r-coo-nh
4+
所示的缓冲剂，其中，r为碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基、或者苯基。2.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其中，所述(a)成分包含高分子，所述高分子具有含有含氮季鎓盐的结构单元。3.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其中，所述含有含氮季鎓盐的结构单元仅为下述结构(y)或下述结构(z)，上述结构(y)中，r
11
表示氢原子或甲基，r
12
表示碳数1以上且10以下的直链或支链的亚烷基，r
13
～r
15
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，x1表示阴离子部分，上述结构(z)中，r
21
和r
22
各自独立地表示氢原子、碳数1以上且3以下的烷基或苯基，r
23
和r
24
各自独立地表示碳数1以上且10以下的直链或支链的烷基，x2表示阴离子部分。4.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其实质上不包含磨粒。5.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其中，相对于所述表面处理组合物，以大于0.05质量％的比例包含所述高分子。6.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其中，所述缓冲剂为乙酸铵。7.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其还包含(c)成分，(c)成分：ph调节剂。8.根据权利要求7所述的表面处理组合物，其中，所述ph调节剂为氨。9.一种表面处理方法，其中，使用权利要求1～8中任一项所述的表面处理组合物，对包含选自由氮化硅、氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种的完成了研磨的研磨对象物进行表面处理，减少所述完成了研磨的研磨对象物的表面的残渣。
10.根据权利要求9所述的表面处理方法，其为冲洗研磨处理方法或清洗处理方法。11.一种半导体基板的制造方法，其中，完成了研磨的研磨对象物为完成了研磨的半导体基板，所述方法包括如下工序：研磨工序，使用包含磨粒的研磨用组合物，对包含选自由氮化硅、氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种的研磨前半导体基板进行研磨，从而得到完成了研磨的半导体基板；以及表面处理工序，使用权利要求1～8中任一项所述的表面处理组合物，减少所述完成了研磨的半导体基板的表面的包含所述磨粒的残渣。12.根据权利要求11所述的半导体基板的制造方法，其中，所述研磨用组合物的ph为8.5以上。

技术总结
本发明涉及表面处理组合物。本发明提供能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物表面的残渣的方法。本发明提供一种表面处理组合物，其包含下述(A)成分和(B)成分、且pH为8.0以上，(A)成分：具有含有含氮季鎓盐的结构单元或下述结构(X)的结构单元的高分子；(B)成分：式R-COO-NH


技术研发人员：德岛荣至 吉野努
受保护的技术使用者：福吉米株式会社
技术研发日：2023.03.28
技术公布日：2023/10/19