掩模处理方法及装置与流程

1.本发明涉及一种用于对在有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)沉积工艺等中使用的掩模进行重复使用的掩模处理方法。
2.另外，本发明涉及一种可对掩模进行处理的掩模处理装置。


背景技术：

3.oled显示器制造工艺伴随着发光体的沉积。在oled显示器中，由于将有机物用作发光体，因此在oled显示器制造工艺中需要有机物的沉积。而且，在oled显示器制造工艺中，使用如精细金属掩模(fine metal mask，fmm)等掩模来保持所沉积的有机物的形状。
4.fmm掩模为了将热膨胀最小化，通常使用热膨胀系数小的因瓦(invar)材质。而且，在大面积使用的fmm掩模的情况，加固使用棒(stick)以防止从中央部下垂。
5.为了进行重复使用，将沉积有有机物的fmm投入到填充有如n-甲基-2-吡咯烷酮(n-methyl-2-pyrrolidone，nmp)等溶剂的浴槽(bath)，之后利用湿式清洁方法移除沉积在fmm上的有机物。但是，在使用湿式清洁方法的情况，在完成清洁之后有机溶剂的一部分可能残留在掩模。另外，用于湿式清洁方法的如nmp等有机溶剂存在产生大量废水的缺点，且作为危险品在环境方面使用可能受到限制。
6.在韩国注册专利公报第10-1367218号(2014年02月26日)中对用于oled沉积的掩模的清洁装置及方法进行揭示。具体来说，在所述文献中提出对沉积有有机化合物及无机化合物的掩模进行一次干式清洁，之后进行湿式清洁。但是，这种方法不能在一个腔室中进行干式清洁与湿式清洁，因此在清洁效率方面存在限制。


技术实现要素：

7.[发明所要解决的问题]
[0008]
本发明欲解决的课题是提供一种可有效地移除掩模上的杂质以对在有机物沉积工艺等中使用的掩模进行重复使用的掩模处理方法。
[0009]
本发明欲解决的课题是提供一种可在掩模上沉积牺牲层并且可移除所述牺牲层的掩模处理装置。
[0010]
[解决问题的技术手段]
[0011]
用于解决所述课题的根据本发明的掩模处理方法包括以下步骤：(a)在第一腔室中在掩模上形成牺牲层；(b)在将所述掩模移送到布置有基板的第二腔室后，利用所述掩模对基板进行处理；以及(c)移除所述掩模上的牺牲层。
[0012]
所述(c)步骤优选为在所述第一腔室中执行。
[0013]
所述牺牲层可包括含有硅的化合物。所述(a)步骤可利用使用含硅前体与反应气体的原子层沉积(atomic layer deposition，ald)或化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)方式来执行。所述反应气体可在所述第一腔室外部被等离子体化并被供给到所述第一腔室内部。所述(a)步骤可包括以下步骤：(a1)将含硅前体气体作为反应气体
供给到所述第一腔室内部；(a2)将吹扫气体(purge gas)供给到所述第一腔室内部以对第一腔室内部进行吹扫；(a3)将o2自由基作为反应气体供给到所述第一腔室内部；以及(a4)将吹扫气体供给到所述第一腔室内部以对第一腔室内部进行吹扫。
[0014]
所述(b)步骤可包括有机物沉积步骤。在这种情况，所述(c)步骤优选为额外包括以下步骤：对氧气进行等离子体化并提供到所述掩模，以移除掩模表面的有机杂质的至少一部分。
[0015]
所述(c)步骤优选为利用干式清洁方式来执行。
[0016]
所述(c)步骤可包括以下步骤：(c1)由清洁气体形成盐；(c2)使所形成的盐与牺牲层反应并形成反应副产物；以及(c3)移除反应副产物。
[0017]
所述(c3)步骤可利用通过加热使反应副产物分解或蒸发的方式来执行。
[0018]
在所述(a)步骤中，所述牺牲层由氧化硅形成，在所述(c)步骤中所述清洁气体包括氟化氢气体及氨气，且可进行根据下述1)至3)的反应：
[0019]
1)hf+nh3→
nh4f
[0020]
2)6nh4f+sio2→
(nh4)2sif6+2h2o+4nh3[0021]
3)(nh4)2sif6→
2nh3+sif4+2hf。
[0022]
用于解决所述课题的根据本发明的掩模处理方法的特征在于包括以下步骤：(a)将含有硅的气体及含有氧的气体供给到布置有掩模的第一腔室，在所述掩模上形成氧化硅层；(b)将所述掩模移送到布置有基板的第二腔室；(c)在所述第二腔室中利用所述掩模在所述基板上沉积有机物；(d)将完成所述有机物沉积后的所述掩模移送到所述第一腔室；(e)在所述第一腔室中向所述掩模提供含有氧的气体，以移除在所述(c)步骤中沉积在所述掩模表面的有机杂质的至少一部分；以及(f)在所述第一腔室中利用使用清洁气体的干式清洁方式移除所述掩模上的氧化硅层。
[0023]
所述(a)步骤的所述含有氧的气体与所述(e)步骤的所述含有氧的气体可在所述第一腔室外部被等离子体化，并被供给到所述第一腔室内部。
[0024]
所述(f)步骤可包括以下步骤：(f1)由包括含有氟的气体及含有氢的气体的清洁气体形成盐；(f2)使所形成的盐与氧化硅层反应并形成反应副产物；以及(f3)通过加热使反应副产物分解或蒸发。
[0025]
用于解决所述课题的根据本发明的掩模处理装置的特征在于包括：腔室；基座，配置在所述腔室的内部，且在下部面对将处理的掩模进行支撑；喷头，以与所述基座相对的方式配置在所述腔室内部的下部区域，以朝向所述掩模喷射气体；气体供给单元，向所述喷头选择性地供给牺牲层沉积气体、有机杂质移除气体及牺牲层移除气体；以及气体排出单元，用于排出所述腔室内部的气体。
[0026]
掩模处理装置可额外包括布置在所述腔室的内部侧面的灯。
[0027]
所述气体供给单元可连接到氧气储存室、前体气体储存室及清洁气体储存室。
[0028]
可额外包括远程等离子体产生器，所述远程等离子体产生器位于所述腔室外部且将供给到所述腔室的气体的至少一部分等离子体化。所述远程等离子体产生器可布置在所述气体供给单元内。
[0029]
[发明的效果]
[0030]
根据本发明的掩模处理方法，可在掩模表面形成牺牲层的状态下执行有机物沉积
工艺等，之后通过移除牺牲层并一起移除掩模上的有机物等杂质。由于通过干式清洁方法也可进行这种牺牲层的移除，因此根据本发明的掩模处理方法可有效地移除掩模上的杂质。
[0031]
另外，使用根据本发明的掩模处理装置可在掩模上沉积牺牲层并且可移除所述牺牲层。另外，根据本发明的掩模处理装置可利用远程等离子体，从而可提高牺牲层的沉积效率及牺牲层的移除效率。
[0032]
本发明的效果不限于以上所提及的效果，未提及的另一效果通过以下详细的说明对本领域技术人员而言可清楚地理解。
附图说明
[0033]
图1是概略性地示出根据本发明的掩模处理方法的流程图。
[0034]
图2a以掩模为中心概略性地示出根据本发明实施例的掩模处理方法。
[0035]
图2b以掩模为中心概略性地示出根据本发明另一实施例的掩模处理方法。
[0036]
图3概略性地示出根据本发明实施例的掩模处理装置。
具体实施方式
[0037]
参照附图以及以下详细描述的实施例，本发明的优点及特征、以及达成其等的方法将变得明确。然而，本发明不限定于以下揭示的实施例，而是以彼此不同的各种形态实现，但本实施例仅是为了使本发明的揭示完整，且对本发明所属技术领域中技术人员完整地告知发明的范畴而提供，本发明仅由权利要求的范畴定义。贯穿整个说明书，相同的参考符号指代相同的构成要素。为了说明的明了性，对图中层及区域的大小及相对大小可进行夸张说明。
[0038]
称元件或层位于另一元件或层“上方”或“上”的情形不仅包括直接位于另一元件或层的上方，而且包括在中间介置有其他层或其他元件的情形。相反，称元件“直接位于
…
上方”或“正上”的情形表示在中间不介置其他元件或其他层。另外，应理解，在某种构成要素被记载为与另一构成要素“连接”、“结合”或“相连”的情况，虽然所述构成要素可彼此直接连接或相连，但在各构成要素之间也可“介置”其他构成要素，或者各构成要素通过其他构成要素进行“连接”、“结合”或“相连”。
[0039]
作为空间相对性用语的“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等可用于容易地记述如图所示一个元件或构成要素与另一元件或构成要素的相关关系。空间相对性用语应理解为除图中所示的方向以外还包括元件在使用或操作时彼此不同的方向的用语。例如，在将图中所示的元件翻转的情况，被记述为另一元件的“下方”的元件可能被置于另一元件的“上方”。因此，作为例示性的用语的“下方”可包括下方与上方两个方向。另外，在本发明中，“叠层”可不仅意指垂直方向的叠层，而且意指水平方向的叠层。
[0040]
在本说明书中使用的用语用于对实施例进行说明，因此并非对本发明进行限制。在本说明书中，除非在上下文中特别提及，否则单数形也包括复数形。在说明书中使用的“包括”和/或“包括的”提及的构成要素、步骤、动作和/或元件不排除存在或附加一个以上的其他构成要素、步骤、动作和/或元件。
[0041]
以下，参照附图针对根据本发明优选实施例的掩模处理装置及方法详细地进行说
明，如下所示。
[0042]
图1是概略性地示出根据本发明的掩模处理方法的流程图。图2a以掩模为中心概略性地示出根据本发明实施例的掩模处理方法，在对根据图1的掩模处理方法进行说明时将参照图2a。
[0043]
参照图1及图2a，根据本发明的掩模处理方法包括在掩模上形成牺牲层的步骤(s110)、利用掩模进行的基板处理步骤(s120)及掩模清洁步骤(s130)。
[0044]
在掩模上形成牺牲层的步骤(s110)中，在第一腔室中在掩模200上形成牺牲层210(图2a的(b))。
[0045]
在本发明中，通过移除牺牲层210一起移除沉积或附着在牺牲层表面的有机物、反应副产物等杂质220。即，在本发明中，牺牲层210意指通过移除牺牲层可一起移除在上部存在的杂质220的层。
[0046]
牺牲层210可由例如氧化硅或氮化硅等含有硅的化合物形成。这种含有硅的化合物可利用原子层沉积(atomic layer deposition，ald)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)等方式形成，且从以尽可能薄的厚度形成牺牲层的角度及对于微细的掩模图案以高的阶梯覆盖(step coverage)沉积牺牲层的角度来说，更优选为可利用ald方式形成牺牲层。
[0047]
在利用ald方式形成牺牲层的实施例中，可供给前体气体作为源气体，且供给在远程等离子体产生器中生成的o2自由基作为反应气体。
[0048]
为了提高反应效率，如氧气等反应气体可通过远程等离子体产生器在第一腔室外部被等离子体化并被供给到第一腔室内部。在利用ald方式形成牺牲层的情况，含硅前体气体可不经过远程等离子体产生器被供给到第一腔室内部。与此不同，在利用cvd方式形成牺牲层的情况，含硅前体气体可经过远程等离子体产生器被等离子体化并被供给到第一腔室内部。
[0049]
牺牲层形成步骤(s110)可包括以下步骤：(a1)将含硅前体气体作为反应气体供给到所述第一腔室内部，并使含硅前体被吸附到掩模表面；(a2)第一吹扫步骤，将吹扫气体(purge gas)供给到所述第一腔室内部以对第一腔室内部进行吹扫；(a3)反应步骤，将o2自由基作为反应气体供给到所述第一腔室内部，并形成氧化硅；以及(a4)第二吹扫步骤，将吹扫气体供给到所述第一腔室内部以对第一腔室内部进行吹扫。可执行一次或一次以上包括所述吸附步骤、第一吹扫步骤、反应步骤及第二吹扫步骤的循环。
[0050]
牺牲层210可在如图3所示的第一腔室中形成。第一腔室为掩模处理腔室，且可与沉积腔室、负载锁定(load lock)腔室等一起包括在集群(cluster)中。例如，第一腔室可为包括在oled沉积集群的掩模处理腔室。由此，在沉积腔室(第二腔室)中利用特定掩模对基板执行沉积工艺期间，可在掩模处理腔室(第一腔室)中对另一掩模进行牺牲层沉积工艺或下述清洁工艺。在这种情况，可在保持真空状态的同时进行对掩模的处理。
[0051]
接着，在利用掩模进行的基板处理步骤(s120)中，在将所述掩模200移送到布置有基板的第二腔室且布置在基板上后，利用掩模200对基板进行处理。第二腔室可为沉积腔室，在这种情况下，基板的处理可包括在将掩模200布置在整个基板的状态下在基板上沉积有机物或无机物。
[0052]
特别是，基板的处理可包括在将掩模布置在整个基板的状态下在基板上沉积有机
[0066]
3)(nh4)2sif6→
2nh3+sif4+2hf。
[0067]
另一方面，掩模清洁可在第一腔室或另外的腔室中执行。优选为掩模清洁在第一腔室中执行。如果在单独的腔室中清洁掩模，则需要额外的腔室，因此可能伴随着装备/工艺成本的增加。
[0068]
以上假设牺牲层由氧化硅形成的情形进行说明，但牺牲层可为如氮化硅等其他种类的含硅化合物，且通过形成可与其反应的盐的刻蚀气体的选择也可移除由其他种类的含硅化合物形成的牺牲层。
[0069]
图2b以掩模为中心概略性地示出根据本发明另一实施例的掩模处理方法。图2b与图2a大部分相同，但图2b额外包括移除有机杂质的过程。
[0070]
在基板处理步骤(s120)中，在包括有机物沉积的情况，掩模清洁步骤可额外包括在移除牺牲层之前移除掩模表面的有机杂质的至少一部分的步骤(图2b的(d0))。
[0071]
有机杂质220的移除可通过对含氧气体进行等离子体化并提供到掩模来执行。用于移除有机杂质220的含氧气体可为氧气、臭氧气体等。例如，氧气被等离子体化的氧自由基与有机物的碳、氢反应时生成co、co2、h2o等，由此可在一定程度上移除掩模200表面的有机杂质220。如果利用氧自由基在一定程度上移除有机杂质，则可相对增加有机杂质220'下方的牺牲层210的暴露面积，且大大增加由干式清洁等带来的牺牲层210移除效率。
[0072]
在根据本发明的有机物沉积工艺中的掩模处理方法的优选的例子如下所述。
[0073]
首先，将含有硅的气体及含有氧的气体供给到第一腔室(用于进行掩模处理的腔室)并利用ald方式或cvd方式在掩模上形成氧化硅层。氧化硅层作为用于移除掩模表面的有机杂质的牺牲层起作用。为了提高反应效率，含有氧的气体可在第一腔室外部的远程等离子体产生器中被等离子体化并被供给到第一腔室内。另外，为了尽可能精密地调节牺牲层的厚度，优选为利用ald方式形成氧化硅层。通过结合远程等离子体产生方式及ald方式形成氧化硅层可在常温下执行。
[0074]
接着，将掩模移送到布置有基板的第二腔室(用于沉积有机物的腔室)，在基板的上部布置掩模。
[0075]
接着，在第二腔室中利用掩模在基板上沉积有机物。此时，在掩模的表面沉积有有机杂质。在第二腔室中，在完成有机物沉积工艺后，将掩模移送到第一腔室以对掩模进行清洁。
[0076]
接着，在第一腔室中向掩模提供含有氧的气体，从而将在有机物沉积工艺中沉积在掩模表面的有机杂质的至少一部分移除。为了移除有机杂质，供给到第一腔室的含氧气体可为氧气、臭氧气体等。另外，为了提高反应效率，氧气可通过远程等离子体产生器在第一腔室外部被等离子体化并被供给到第一腔室。如上所述，利用被等离子体化的氧气在一定程度上移除有机杂质时，可相对增大有机杂质下方的牺牲层、即氧化硅层的暴露面积，且大大增加利用干式清洁进行的移除氧化硅层的效率。
[0077]
之后，在第一腔室中利用使用清洁气体进行的干式清洁方式移除掩模上的氧化硅层，同时移除其上残留的有机杂质。
[0078]
用于移除掩模表面的氧化硅层的干式清洁可包括盐形成步骤、盐反应步骤及加热步骤。在盐形成步骤中，由包括含有氟的气体(例如氟化氢气体、三氟化氮气体等)及含有氢的气体(例如氨气、氢气等)的清洁气体形成盐。含氟气体与含氢气体可以0.5:1～1:0.5的
流量比、更优选为0.8:1～1:0.8的流量比、最优选为1:1的流量比提供，但不限定于此。清洁气体可以未被等离子体化的状态或被等离子体化的状态被供给到第一腔室内部。清洁气体可与如氩气等惰性气体一起被供给到第一腔室内部。惰性气体可以含氟气体的约2～8倍左右的流量被供给。在盐反应步骤中，使所形成的盐与氧化硅层反应来形成反应副产物。在盐进行反应时，基座的温度可控制为大约30℃～40℃，第一腔室内壁的温度可控制为大约60℃～90℃，但不限定于此。在加热步骤中，通过使用例如灯将掩模表面加热到约120℃～150℃，从而使反应副产物分解或蒸发。
[0079]
在本实施例中，在氧化硅沉积步骤及有机杂质移除步骤中，可在第一腔室内部将所供给的气体等离子体化，或者更优选为在第一腔室外部利用远程等离子体产生器将其等离子体化并供给到第一腔室内部。由此，可提高沉积氧化硅及移除有机杂质的效率。
[0080]
图3概略性地示出根据本发明实施例的掩模处理装置。
[0081]
参照图3，根据本发明的掩模处理装置300可包括腔室310、气体供给单元320、喷头340、基座350及气体排出单元360。另外，根据本发明的掩模处理装置可额外包括灯370。
[0082]
气体供给单元320是供给各种反应(牺牲层生成反应、有机物移除反应、牺牲层移除反应等)所需要的气体的单元。气体供给单元320以贯通腔室310下端的一部分的方式来布置。气体供给单元与多个气体储存室(331、332、333)连接。例如，如图3所示，气体供给单元320可分别连接到氧气储存室331、前体气体储存室332及清洁气体储存室333。此处，在所述前体气体储存室332中储存有用于沉积牺牲层的前体气体，作为一例，可使用二异丙基氨基硅烷(diisopropyl aminosilane，dipas)作为前体气体，但不限定于此。
[0083]
另外，在掩模处理装置中，在利用ald方式沉积牺牲层的情况下，可执行一次或一次以上以下循环：首先可供给储存在前体气体储存室332中的前体气体作为反应气体，之后通过清洁气体储存室333或另外的气体储存室(未图示)供给吹扫气体(purge gas)，之后通过气体供给单元320供给o2自由基作为反应气体，再供给气体储存室333或另外的气体储存室(未图示)的吹扫气体。
[0084]
用于分配气体的喷头340布置在腔室310内部的相对下部区域，并且布置在气体供给单元320上。
[0085]
基座350以与喷头340面对的方式布置在腔室310内部的相对上部区域，且在下部面布置将处理的掩模。本发明的特征在于掩模固定在基座350下部，这是与在有机物沉积腔室中基板固定在基座下部且在基板下方布置掩模的情形对应。通过这种构成，可在有机物沉积集群中以保持真空状态的状态带来更有效的掩模移送及布置。
[0086]
气体排出单元360以贯通腔室310上端或侧面的一部分的方式来布置。在气体排出单元360可包括或结合有真空泵。
[0087]
灯370可布置在腔室310的内部侧面。灯370可布置在可对掩模200的表面进行升温的位置。例如，灯370可布置在与布置掩模200的高度相似的高度。
[0088]
另一方面，根据本发明的掩模处理装置可额外包括远程等离子体产生器。远程等离子体产生器位于腔室外部，且对被供给到腔室的气体的至少一部分进行等离子体化。远程等离子体产生器可布置在所述气体供给单元320内，或者与气体供给单元320一体化。
[0089]
如上所述，根据本发明的掩模处理方法，可在掩模表面形成牺牲层的状态下执行有机物等的沉积工艺等，之后通过利用干式清洁方式移除牺牲层来一起移除掩模上的有机
杂质等。
[0090]
以上，虽然以本发明的实施例为中心进行说明，但可在本领域技术人员的水平上施加各种变更或变形。这种变更与变形在不脱离本发明的范围的情况下均可属于本发明。因此，本发明的权利范围应根据以上所记载的权利要求来判断。

技术特征：
1.一种掩模处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在第一腔室中在掩模上形成牺牲层；(b)在将所述掩模移送到布置有基板的第二腔室后，利用所述掩模对基板进行处理；以及(c)移除所述掩模上的牺牲层。2.根据权利要求1所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(c)步骤在所述第一腔室中执行。3.根据权利要求1所述的掩模处理方法，其特征在于，所述牺牲层包括含有硅的化合物。4.根据权利要求1所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(a)步骤利用使用含硅前体与反应气体的原子层沉积或化学气相沉积方式来执行。5.根据权利要求4所述的掩模处理方法，其特征在于，所述反应气体在所述第一腔室外部被等离子体化并被供给到所述第一腔室内部。6.根据权利要求4所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(a)步骤包括以下步骤：(a1)将含硅前体气体作为反应气体供给到所述第一腔室内部；(a2)将吹扫气体(purge gas)供给到所述第一腔室内部以对所述第一腔室内部进行吹扫；(a3)将o2自由基作为反应气体供给到所述第一腔室内部；以及(a4)将吹扫气体供给到所述第一腔室内部以对所述第一腔室内部进行吹扫。7.根据权利要求1所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(b)步骤包括有机物沉积步骤。8.根据权利要求7所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(c)步骤额外包括以下步骤：对氧气进行等离子体化并提供到所述掩模，以移除掩模表面的有机杂质的至少一部分。9.根据权利要求1所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(c)步骤利用干式清洁方式来执行。10.根据权利要求9所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(c)步骤包括以下步骤：(c1)由清洁气体形成盐；(c2)使所形成的盐与牺牲层反应并形成反应副产物；以及(c3)移除反应副产物。11.根据权利要求10所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(c3)步骤利用通过加热使反应副产物分解或蒸发的方式来执行。12.根据权利要求10所述的掩模处理方法，其特征在于，在所述(a)步骤中，所述牺牲层由氧化硅形成，所述清洁气体包括氟化氢气体及氨气，在所述(c)步骤中进行根据下述1)至3)的反应：
1)hf+nh3→
nh4f2)6nh4f+sio2→
(nh4)2sif6+2h2o+4nh33)(nh4)2sif6→
2nh3+sif4+2hf。13.一种掩模处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)将含有硅的气体及含有氧的气体供给到布置有掩模的第一腔室，以在所述掩模上形成氧化硅层；(b)将所述掩模移送到布置有基板的第二腔室；(c)在所述第二腔室中利用所述掩模在所述基板上沉积有机物；(d)将完成所述有机物沉积后的所述掩模移送到所述第一腔室；(e)在所述第一腔室中向所述掩模提供含有氧的气体，以移除在所述(c)步骤中沉积到所述掩模表面的有机杂质的至少一部分；以及(f)在所述第一腔室中利用使用清洁气体的干式清洁方式移除所述掩模上的氧化硅层。14.根据权利要求13所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(a)步骤的所述含有氧的气体与所述(e)步骤的所述含有氧的气体在所述第一腔室外部被等离子体化，并被供给到所述第一腔室内部。15.根据权利要求13所述的掩模处理方法，其特征在于，所述(f)步骤包括以下步骤：(f1)由包括含有氟的气体及含有氢的气体的清洁气体形成盐；(f2)使所形成的盐与氧化硅层反应并形成反应副产物；以及(f3)通过加热使反应副产物分解或蒸发。16.一种掩模处理装置，包括：腔室；基座，配置在所述腔室的内部，且在下部面对将处理的掩模进行支撑；喷头，以与所述基座相对的方式配置在所述腔室内部的下部区域，以朝向所述掩模喷射气体；气体供给单元，向所述喷头选择性地供给牺牲层沉积气体、有机杂质移除气体及牺牲层移除气体；以及气体排出单元，用于排出所述腔室内部的气体。17.根据权利要求16所述的掩模处理装置，其特征在于，额外包括：灯，布置在所述腔室的内部侧面。18.根据权利要求16所述的掩模处理装置，其特征在于，所述气体供给单元连接到氧气储存室、前体气体储存室及清洁气体储存室。19.根据权利要求18所述的掩模处理装置，其特征在于，所述气体供给单元包括远程等离子体产生器，所述远程等离子体产生器将储存在所述氧气储存室的氧气等离子体化并供给到所述喷头。

技术总结
揭示一种用于对在有机物沉积工艺等中使用的掩模进行重复使用的掩模处理方法及掩模处理装置。根据本发明的掩模处理方法包括以下步骤：(a)在第一腔室中在掩模上形成牺牲层；(b)在将所述掩模移送到布置有基板的第二腔室后，利用所述掩模对基板进行处理；以及(c)利用干式清洁方式移除所述掩模上的牺牲层。干式清洁方式移除所述掩模上的牺牲层。干式清洁方式移除所述掩模上的牺牲层。


技术研发人员：李洪宰
受保护的技术使用者：TES股份有限公司
技术研发日：2023.03.28
技术公布日：2023/10/19