制备金属氧化物组合物的方法、发光器件以及电子设备与流程

制备金属氧化物组合物的方法、发光器件以及电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年4月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0041905号的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.实施方案涉及制备金属氧化物组合物的方法、使用由此制备的金属氧化物组合物的发光器件以及包括发光器件的电子设备。


背景技术：

4.发光器件为将电能转换为光能的器件。这样的发光器件的示例包括发光材料为有机材料的有机发光器件，并且发光材料为量子点的量子点发光器件。
5.在发光器件中，第一电极排列在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区以及第二电极依次排列在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区向发射层移动。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中重新结合以生成激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
6.应当理解，技术部分的这个背景技术旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，技术部分的这个背景技术也可能包括不为在本文中公开的主题的对应有效申请日之前相关领域技术人员已知或领会的一部分的思想、概念或认识。


技术实现要素：

7.实施方案包括制备金属氧化物组合物的方法、使用由此制备的金属氧化物组合物的发光器件以及包括发光器件的电子设备。
8.另外的方面部分地将在随后的描述中阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实施本公开的实施方案而知晓。
9.实施方案提供了制备金属氧化物组合物的方法，该方法可包括：
10.制备第一金属氧化物颗粒；以及
11.通过如下来形成金属氧化物颗粒：向第一金属氧化物颗粒加入卤化物化合物，并且
12.在等于或低于约60℃的温度下用卤化物化合物处理第一金属氧化物颗粒。
13.根据实施方案，第一金属氧化物颗粒可由以下解释的式1表示。
14.根据实施方案，第一金属氧化物颗粒可包括zn。
15.根据实施方案，制备第一金属氧化物颗粒可包括：
16.通过将金属氧化物前体溶解在溶剂中来形成前体组合物；以及
17.通过将氧化剂加入前体组合物来形成第一金属氧化物颗粒。
18.根据实施方案，金属氧化物前体可包括由以下解释的式3表示的金属乙酸盐化合物。
19.根据实施方案，形成第一金属氧化物颗粒可在约30分钟至约2小时的范围内进行。
20.根据实施方案，卤化物化合物可包括金属卤化物化合物、卤化铵化合物、卤化四烷基铵化合物或它们的任何组合。
21.根据实施方案，卤化物化合物可包括由以下解释的式4表示的金属卤化物化合物。
22.根据实施方案，基于100重量份的第一金属氧化物颗粒，卤化物化合物的加入量可在约0.01重量份至约30重量份的范围内。
23.根据实施方案，形成金属氧化物颗粒可在等于或低于约30℃的温度下进行。
24.根据实施方案，形成金属氧化物颗粒可不包括热处理。
25.根据实施方案，金属氧化物颗粒的平均粒径(d50)可在约1nm至约50nm的范围内。
26.实施方案提供了发光器件，该发光器件可包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及金属氧化物层，金属氧化物层使用通过方法制备的金属氧化物组合物来形成。
27.根据实施方案，发射层可包括量子点。
28.根据实施方案，量子点可包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物、或它们的任何组合。
29.根据实施方案，第一电极可为阳极，
30.第二电极可为阴极，
31.中间层可还包括：在第一电极和发射层之间的空穴传输区；以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，并且
32.空穴传输区或电子传输区可包括金属氧化物层。
33.根据实施方案，在发射层和金属氧化物层之间可没有排列其他层。
34.实施方案提供电子设备，该电子设备可包括发光器件。
35.根据实施方案，电子设备可还包括薄膜晶体管，
36.薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且
37.发光器件的第一电极可电连接到源电极和漏电极中的至少一个。
38.根据实施方案，电子设备可还包括：滤色器、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层、或它们的任何组合。
39.应当理解，以上实施方案仅在通用和解释性意义上描述并且不出于限制的目的，并且本公开不限于以上实施方案。
附图说明
40.本公开的以上和其他的方面和特征将通过参考附图详细描述其实施方案而更显而易见，在附图中：
41.图1为根据实施方案的发光器件的示意性剖视图；
42.图2为根据实施方案的电子设备的示意性剖视图；并且
43.图3为根据另一实施方案的电子设备的示意性剖视图。
具体实施方式
44.现将在下文中参考示出了实施方案的附图更全面描述本公开。然而，本公开可以不同形式实施，并且不应被理解为限于本文中阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案以使得本公开将为透彻和完整的，并且将向本领域技术人员全面传达本公开的范围。
45.在附图中，元件的尺寸、厚度、比率和维度可为了描述的方便和清楚而被夸大。类似的附图标记始终是指类似的元件。
46.在描述中，将理解，当元件(或区、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，它能直接在另一元件上、直接连接到或联接到另一元件，或者其间可存在一个或多个居间元件。以相似意义，当元件(或区、层、部分等)被描述为“覆盖”另一元件时，它能直接覆盖另一元件，或者其间可存在一个或多个居间元件。
47.在描述中，当元件“直接”在另一元件“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件时，不存在居间元件。例如，“直接在
…
上”可意味着布置两个层或两个元件在其间没有另外的元件(诸如粘附元件)的情况下布置。
48.将理解，术语“连接到”或“联接到”可包括物理或电的连接或联接。
49.如本文中使用，以单数使用的表述(诸如“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”)旨在也包括复数形式，除非上下文另有清楚指示。
50.如本文中使用，术语“和/或”包括相关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如，“a和/或b”可理解为意味着“a、b、或a和b”。术语“和”和“或”可以连接或分离的方式使用，并且可理解为等同于“和/或”。
51.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语
“……
中的至少一个”旨在包括“选自
……
的组中的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可理解为意味着“a、b、或a和b”。当在一列元件之后时，术语
“……
中的至少一个”修饰整列元件，并且不修饰该列的个别元件。
52.将理解，尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件和另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，第一元件可被称为第二元件。相似地，在不脱离本公开的范围的情况下，第二元件可称为第一元件。
53.为了描述的方便，空间相对术语“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”或类似词可在本文中用于描述附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解，除了附图中描述的取向之外，空间相对术语旨在还涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，在附图中所示的装置倒转的情况下，定位在另一装置“下方”或“之下”的装置可置于另一装置“上方”。相应地，例举性术语“下方”可包括下位置和上位置两者。装置也可在其他方向上取向，并且因此空间相对术语可依据取向而不同地解释。
54.考虑到所讨论的测量和与所列举的量的测量相关联的误差(即测量系统的限制)，如本文中使用的术语“约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员所确定的对于所列举的值的偏差的可接受范围内。例如，“约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
20％、
±
10％、或
±
5％内。
55.应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含(contains)”、“含(containing)”和
类似词旨在说明在本公开中所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或它们的组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或它们的组合的存在或添加。
56.除非在本文中另有限定或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在说明书中清楚限定，否则不应以理想化或过于正式的意义来解释。
57.如本文中使用的术语“ii族”可包括iupac元素周期表上的iia族元素和iib族元素，并且ii族元素的实例可包括cd、mg以及zn，但实施方案不限于此。
58.如本文中使用的术语“iii族”可包括iupac元素周期表上的iiia族元素和iiib族元素，并且iii族元素的实例可包括al、in、ga以及tl，但实施方案不限于此。
59.如本文中使用的术语“iv族”可包括iupac元素周期表上的iva族元素和ivb族元素，并且iv族元素的实例可包括si、ge以及sn，但实施方案不限于此。
60.如本文中使用的术语“v族”可包括iupac元素周期表上的va族元素，并且v族元素的实例可包括n、p、as、sb以及bi，但实施方案不限于此。
61.如本文中使用的术语“vi族”可包括iupac元素周期表上的via族元素，并且vi族元素的实例可包括o、s、se以及te，但实施方案不限于此。
62.如本文中使用的术语“金属”可包括类金属(诸如si)。类金属的实例可包括b、si、ge、as、sb、te和类似物。
63.在下文中，将描述根据实施方案的制备金属氧化物组合物的方法。
64.[制备金属氧化物组合物的方法]
[0065]
制备金属氧化物组合物的方法可包括：制备第一金属氧化物颗粒；以及通过向第一金属氧化物颗粒加入卤化物化合物并且在等于或低于约60℃的温度下用卤化物化合物处理第一金属氧化物颗粒来形成金属氧化物颗粒。
[0066]
在实施方案中，第一金属氧化物颗粒可由式1表示：
[0067]
[式1]
[0068]mx
oy[0069]
在式1中，
[0070]
m可为zn、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、或cu，并且
[0071]
x和y可各自独立地为1至5的整数。
[0072]
在实施方案中，第一金属氧化物颗粒可包括zn。
[0073]
在实施方案中，第一金属氧化物颗粒可包括zn，并且相对于包括在第一金属氧化物颗粒中的金属的总摩尔数，zn的摩尔数可等于或大于约50mol％。
[0074]
在实施方案中，第一金属氧化物颗粒可由式2表示：
[0075]
[式2]
[0076]
zn
1-z
nzo
[0077]
在式2中，
[0078]
n可为ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、或cu，并且
[0079]
0≤z《0.5。
[0080]
在实施方案中，制备第一金属氧化物颗粒可包括：
[0081]
通过将金属氧化物前体溶解在溶剂中来形成前体组合物；以及通过将氧化剂加入前体组合物来形成第一金属氧化物颗粒。
[0082]
在实施方案中，金属氧化物前体可包括由式3表示的金属乙酸盐化合物：
[0083]
[式3]
[0084][0085]
在式3中，
[0086]
m可为zn、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、或cu，
[0087]
n可为1至4的整数，并且
[0088]
m可为1至6的整数。
[0089]
在实施方案中，金属氧化物前体可包括乙酸锌二水合物、乙酸镁四水合物、或它们的组合。
[0090]
在实施方案中，溶剂可包括二甲亚砜(dmso)。
[0091]
在实施方案中，氧化剂可包括氢氧化四甲铵五水合物(tmah)。
[0092]
在实施方案中，第一金属氧化物颗粒可为zno、znmgo、或它们的组合。
[0093]
在实施方案中，形成第一金属氧化物颗粒可在约30分钟至约2小时的范围内进行。例如，形成第一金属氧化物颗粒可在约30分钟至约2小时的范围内通过将氧化剂加入前体组合物并且搅拌混合物来进行。
[0094]
在实施方案中，形成第一金属氧化物颗粒可在约45分钟至约1小时30分钟的范围内进行。
[0095]
金属氧化物颗粒可通过如下形成：向第一金属氧化物颗粒加入卤化物化合物，并且在等于或低于约60℃的温度下用卤化物化合物处理第一金属氧化物颗粒。
[0096]
在实施方案中，卤化物化合物可包括金属卤化物化合物、卤化铵化合物、卤化四烷基铵化合物、或它们的任何组合。
[0097]
在实施方案中，卤化物化合物可包括由式4表示的金属卤化物化合物：
[0098]
[式4]
[0099]mn+
(x-)n[0100]
在式4中，
[0101]
m可为zn、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、或cu，
[0102]
x可为f、cl、br、或i，并且
[0103]
n可为1至4的整数。
[0104]
在实施方案中，金属卤化物化合物可包括zn。
[0105]
在实施方案中，金属卤化物化合物可包括znf2、zncl2、或它们的组合。
[0106]
在实施方案中，第一金属氧化物颗粒和金属卤化物化合物可包括相同的金属原子。
[0107]
在实施方案中，第一金属氧化物颗粒的金属原子和金属卤化物化合物的金属原子
可各自包括zn原子。
[0108]
在实施方案中，基于100重量份的第一金属氧化物颗粒，卤化物化合物的加入量可在约0.01重量份至约30重量份的范围内。
[0109]
在实施方案中，基于100重量份的第一金属氧化物颗粒，卤化物化合物的加入量可在约0.1重量份至约15重量份的范围内。
[0110]
在实施方案中，形成金属氧化物颗粒可在等于或低于约30℃的温度下进行。
[0111]
在实施方案中，形成金属氧化物颗粒可在约-15℃至约60℃的范围内的温度下进行。例如，形成金属氧化物颗粒可在约-15℃至约30℃的范围内的温度下进行。例如，形成金属氧化物颗粒可在约-10℃至约60℃的范围内的温度下进行。作为另一实例，形成金属氧化物颗粒可在约-10℃至约30℃的范围内的温度下进行。
[0112]
在实施方案中，形成金属氧化物颗粒可在约5小时至约20小时的范围内进行。
[0113]
在实施方案中，形成金属氧化物颗粒可在约7小时至约15小时的范围内进行。
[0114]
在实施方案中，形成金属氧化物颗粒可不包括热处理。相应地，可防止金属氧化物颗粒的聚集。
[0115]
在实施方案中，金属氧化物颗粒的平均粒径(d50)可在约1nm至约50nm的范围内。在实施方案中，金属氧化物颗粒的平均粒径(d50)可在约5nm至约15nm的范围内。
[0116]
由于根据本公开的制备金属氧化物组合物的方法包括在等于或低于约60℃的温度下用卤化物化合物处理制备的第一金属氧化物颗粒，因此可防止在包括在制备的金属氧化物组合物中的金属氧化物颗粒的表面上的缺陷。相应地，使用金属氧化物组合物制造的发光器件可具有改善的驱动电压、功率和寿命。
[0117]
在使用金属氧化物组合物形成与包括量子点的发射层相邻的电子传输层的情况下，由于防止了金属氧化物颗粒的表面缺陷，因此可防止由于表面缺陷导致的电荷损失，并且因此可改善制造的发光器件(例如，量子点发光器件)的驱动电压、功效和寿命。
[0118]
[发光器件]
[0119]
提供了发光器件，该发光器件可包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及金属氧化物层，金属氧化物层使用通过上述方法制备的金属氧化物组合物形成。
[0120]
在实施方案中，发射层可包括量子点。
[0121]
在说明书中，量子点可为半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0122]
发射层中的量子点可包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物、或它们的任何组合。
[0123]
ii-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、或mgs；三元化合物，诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、或mgzns；四元化合物，诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、或hgznste；或它们的任何组合。
[0124]
iii-v族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、
alp、alas、alsb、inn、inp、inas、或insb；三元化合物，诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、或inpsb；四元化合物，诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、或inalpsb；或它们的任何组合。在实施方案中，iii-v族半导体化合物可还包括ii族元素。还包括ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例可包括inznp、ingaznp、inalznp和类似物。
[0125]
iii-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3、或inte；三元化合物，诸如ingas3或ingase3；或它们的任何组合。
[0126]
i-iii-vi族半导体化合物的实例可包括：三元化合物，诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、或agalo2；或它们的任何组合。
[0127]
iv-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如sns、snse、snte、pbs、pbse、或pbte；三元化合物，诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、或snpbte；四元化合物，诸如snpbsse、snpbsete、或snpbste；或它们的任何组合。
[0128]
iv族元素或化合物可包括：单一元素物质，诸如si或ge；二元化合物，诸如sic或sige；或它们的任何组合。
[0129]
包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0130]
在实施方案中，量子点可具有单一结构(在单一结构中在量子点中的每种元素的浓度为均匀的)或核-壳双重结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可彼此不同。
[0131]
在实施方案中，核可包括zn、te、se、cd、in以及p中的至少一个。例如，核可包括inp、inznp、znse、zntes、znsete、或它们的任何组合。
[0132]
量子点的壳可用作：保护层，保护层用于防止核的化学变性以保持半导体特性；和/或充电层，充电层赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有存在于壳中的元素的浓度朝向核的中心递减的浓度梯度。
[0133]
量子点的壳的实例可包括金属、类金属或非金属的氧化物、半导体化合物、或它们的任何组合。金属、类金属或非金属的氧化物的实例可包括：二元化合物，诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、或nio；三元化合物，诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、或comn2o4；或它们的任何组合。本文中描述的半导体化合物的实例可包括：ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；或它们的任何组合。例如，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、znsete、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb、或它们的任何组合。
[0134]
在实施方案中，壳可具有与核的组成不同的组成，并且壳可包括zns、znse、znses、zntes、znsete、或它们的任何组合。
[0135]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可为约45nm或更小。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm等于或低于约40nm。作为另一实例，量子点的发射波长光谱的fwhm等于或低于约30nm。在量子点的fwhm在这个范围内的情况下，可改善颜色纯度或颜色再现性。由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可改善光的视角。
[0136]
在实施方案中，量子点的平均粒径可在约1nm至约20nm的范围内。在量子点的平均粒径在这个范围内的情况下，可实现作为量子点的特定性质，并且可获得组合物中的优异分散性。量子点可为球形、金字塔形、多臂、或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。
[0137]
由于通过控制量子点的尺寸可调节能带隙，因此可从包括量子点的发射层获得具有各种波长带的光。相应地，通过使用不同尺寸的量子点，可实现发射各种波长的光的发光器件。可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。可配置量子点的尺寸以通过各种颜色的光的组合来发射白光。
[0138]
量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺、或任何与其相似的工艺来合成。
[0139]
湿化学工艺为包括将前体材料与有机溶剂混合并且生长量子点颗粒晶体的方法。在晶体生长的情况下，有机溶剂自然地用作配位在量子点晶体表面上的分散剂并且控制晶体的生长，以使得可通过比气相沉积方法(诸如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))更容易进行并且需要更低成本的方法来控制量子点颗粒的生长。
[0140]
发射层可包括单层量子点。例如，发射层可包括约2层至约20层的单层量子点。
[0141]
发射层的厚度可在约5nm至约200nm的范围内。例如，发射层的厚度可在约10nm至约150nm的范围内。作为另一实例，发射层的厚度可在约10nm至约100nm的范围内。
[0142]
例如，金属氧化物层可为使用通过根据实施方案的制备金属氧化物组合物的方法制备的金属氧化物组合物形成的层。金属氧化物层可通过喷墨工艺形成。
[0143]
在实施方案中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，发光器件可还包括在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，并且空穴传输区或电子传输区可包括金属氧化物层。
[0144]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合。金属氧化物层可为空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层和电子阻挡层中的至少一个。
[0145]
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。金属氧化物层可为缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
[0146]
在实施方案中，电子传输区可包括金属氧化物层。
[0147]
在实施方案中，电子传输区可包括电子传输层，并且电子传输层可包括金属氧化物层。
[0148]
在实施方案中，金属氧化物层可与发射层邻近形成。例如，在形成发射层之后，可在发射层上形成金属氧化物层。例如，可在发射层上直接布置金属氧化物层。
[0149]
在实施方案中，发射层可包括量子点，并且在通过使用上述金属氧化物组合物在包括量子点的发射层上形成金属氧化物层的情况下，可减少对量子点表面的损伤，并且因此可制造具有改善的发光特性的量子点发光器件。
[0150]
[图1的描述]
[0151]
图1为根据实施方案的发光器件10的示意性剖视图。发光器件10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0152]
在下文中，将参考图1描述根据实施方案的发光器件10的结构以及制造发光器件10的方法。
[0153]
[第一电极110]
[0154]
在图1中，衬底可另外布置在第一电极110下面或在第二电极150上。在实施方案中，作为衬底，可使用玻璃衬底或塑料衬底。在实施方案中，衬底可为柔性衬底，并且可包括具有优异耐热性和耐久性的塑料，诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺、或它们的任何组合。
[0155]
第一电极110可通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。在第一电极110为阳极的情况下，用于形成第一电极110的材料可为促进空穴注入的高功函材料。
[0156]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。在第一电极110为透射电极的情况下，用于形成第一电极110的材料可为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或它们的任何组合。在实施方案中，在第一电极110为半透射电极或反射电极的情况下，用于形成第一电极110的材料可为镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、或它们的任何组合。
[0157]
第一电极110可具有由单层构成的单层结构或者多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0158]
[中间层130]
[0159]
中间层130可布置在第一电极110上。中间层130可包括发射层。
[0160]
中间层130可还包括排列在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及排列在发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0161]
除了各种有机材料之外，中间层130可还包括含金属的化合物(诸如有机金属化合物)、无机材料(诸如量子点)和类似物。
[0162]
在实施方案中，中间层130可包括：依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发光单元；以及位于该两个或更多个发光单元之间的电荷产生层。在中间层130包括如上所述的发光单元和电荷产生层的情况下，发光器件10可为串联发光器件。
[0163]
[中间层130中的空穴传输区]
[0164]
空穴传输区可具有：由单层构成的单层结构，该单层由单一材料构成；由单层构成的单层结构，该单层由不同材料构成；或包括多层的多层结构，该多层包括不同材料。
[0165]
电子传输区可包括上述金属氧化物层。
[0166]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层、或它们的任何组合。
[0167]
例如，空穴传输区可具有多层结构，多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层结构、空穴注入层/发光辅助层结构、空穴传输层/发光辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，每种结构的各层从第一电极110开始依次堆叠。
[0168]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物、或它们的任何组合：
[0169]
[式201]
[0170][0171]
式202
[0172][0173]
在式201和式202中，
[0174]
l
201
至l
204
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0175]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0176]
xa1至xa4可各自独立地为0至5的整数，
[0177]
xa5可为1至10的整数，
[0178]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0179]r201
和r
202
可任选地通过如下彼此连接：单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代(例如，化合物ht16)的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基或类似物)，
[0180]r203
和r
204
可任选地通过如下彼此连接：单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0181]
na1可为1至4的整数。
[0182]
例如，式201和式202中的每个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个：
[0183][0184]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可各自与关于r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且在式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被如本文中描述的r
10a
取代。
[0185]
在实施方案中，在式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0186]
在实施方案中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0187]
在实施方案中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0188]
在实施方案中，在式201中，xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。
[0189]
在实施方案中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团。
[0190]
在实施方案中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0191]
在实施方案中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy217中的一个表示的基团。
[0192]
例如，空穴传输区可包括化合物ht1至化合物ht46中的一个、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd,螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、或它们的任何组合：
[0193]
[0194]
[0195]
[0196]
[0197][0198]
空穴传输区的厚度可在约至约的范围内。例如，空穴传输区的厚度可在约至约的范围内。在空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或它们的任何组合的情况下，空穴注入层的厚度可在约至约的范围内。例如，空穴注入层的厚度可在约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约的范围内。例如，空穴传输层的厚度可在约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，则可在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[0199]
发光辅助层可根据由发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增大发光效率，并且电子阻挡层可阻挡电子从发射层渗漏到空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发光辅助层和电子阻挡层中。
[0200]
[p型掺杂剂]
[0201]
除了如上所述的材料之外，空穴传输区可还包括电荷产生材料以改善导电性能。电荷产生材料可均匀或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料构成的单
层的形式)。
[0202]
例如，电荷产生材料可为p型掺杂剂。
[0203]
例如，p型掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可等于或低于约-3.5ev。
[0204]
在实施方案中，p型掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基的化合物、含元素el1和元素el2的化合物、或它们的任何组合。
[0205]
醌衍生物的实例包括tcnq、f4-tcnq和类似物。
[0206]
含氰基的化合物的实例可包括hat-cn和由式221表示的化合物：
[0207][0208]
[式221]
[0209][0210]
在式221中，
[0211]r221
至r
223
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且
[0212]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为：c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，它们各自被如下取代：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i、或它们的任何组合取代的c
1-c
20
烷基；或它们的任何组合。
[0213]
在包括元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、类金属或它们的任何组合，并且元素el2可为非金属、类金属或它们的任何组合。
[0214]
金属的实例可包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0215]
类金属的实例可包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0216]
非金属的实例可包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0217]
包括元素el1和元素el2的化合物的实例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、类金属卤化物(例如，类金属氟化物、类金属氯化物、类金属溴化物、类金属碘化物等)、金属碲化物、或它们的任何组合。
[0218]
金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。
[0219]
金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0220]
碱金属卤化物的实例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0221]
碱土金属卤化物的实例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0222]
过渡金属卤化物的实例可包括卤化钛(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、卤化锆(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、卤化铪(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、卤化钒(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、卤化铌(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、卤化钽(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、卤化铬(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、卤化钼(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、卤化钨(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、卤化锰(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、卤化锝(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、卤化铼(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、卤化铁(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、卤化钌(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、卤化锇(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、卤化钴(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、卤化铑(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、卤化铱(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、卤化镍(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、卤化钯(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、卤化铂(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、卤化铜(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、卤化银(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和卤化金(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0223]
后过渡金属卤化物的实例可包括卤化锌(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、卤化铟(例如，ini3等)和卤化锡(例如，sni2等)。
[0224]
镧系金属卤化物的实例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0225]
类金属卤化物的实例可包括卤化锑(例如，sbcl5等)。
[0226]
金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0227]
[中间层130的发射层]
[0228]
在发光器件10为全色发光器件的情况下，可根据子像素将发射层图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。至少一个发射层可包括量子点。例如，绿色发射层可为包括量子点的量子点发射层，并且蓝色发射层和红色发射层可为包括有机化合物的有机发
射层。
[0229]
在实施方案中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的至少两个可彼此接触或者可彼此分离的结构。至少两个发射层中的至少一个发射层可为包括量子点的量子点发射层，并且其余发射层可为包括有机化合物的有机发射层。其他各种变型为可能的。
[0230]
在实施方案中，发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、或它们的任何组合。
[0231]
基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。
[0232]
在实施方案中，发射层可还包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可用作发射层中的主体或掺杂剂。
[0233]
发射层的厚度可在约至约的范围内。例如，发射层的厚度可在约至约的范围内。当发射层的厚度在这个范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得优异的发光特性。
[0234]
[主体]
[0235]
主体可包括由式301表示的化合物：
[0236]
[式301]
[0237]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0238]
在式301中，
[0239]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0240]
xb11可为1、2或3，
[0241]
xb1可为0至5的整数，
[0242]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)、或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0243]
xb21可为1至5的整数，并且
[0244]q301
至q
303
可各自与本文中关于q1描述的相同。
[0245]
例如，在式301中的xb11为2或更大的情况下，两个或更多个ar
301
可通过单键彼此连接。
[0246]
在实施方案中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物、或它们的任何组合：
[0247]
[式301-1]
[0248][0249]
[式301-2]
[0250][0251]
在式301-1至式301-2中，
[0252]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0253]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0254]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0255]
l
301
、xb1和r
301
可分别与本文中描述的相同，
[0256]
l
302
至l
304
可各自独立地与本文中关于l
301
描述的相同，
[0257]
xb2至xb4可各自独立地与本文中关于xb1描述的相同，并且
[0258]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可各自与本文中关于r
301
描述的相同。
[0259]
在实施方案中，主体可包括碱土金属配合物、后过渡金属配合物、或它们的任何组合。例如，主体可包括be配合物(例如，化合物h55)、mg配合物、zn配合物、或它们的任何组合。
[0260]
在实施方案中，主体可包括：化合物h1至化合物h124中的一个、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4
′‑
双(n-咔唑基)-1,1
′‑
联苯(cbp)、1,3-二-(9-咔唑基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)、或它们的任何组合：
[0261]
[0262]
[0263]
[0264]
[0265]
[0266]
[0267][0268]
[磷光掺杂剂]
[0269]
磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0270]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体、或它们的任何组合。
[0271]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0272]
例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0273]
[式401]
[0274]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0275]
[式402]
[0276][0277]
在式401和式402中，
[0278]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0279]
l
401
可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中，在xc1为2或更大的情况下，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0280]
l
402
可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3、或4，其中，在xc2为2或更大的情况下，两
个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0281]
x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0282]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，
[0283]
t
401
可为单键、*-o-*’、*-s-*’、*-c(＝o)-*’、*-n(q
411
)-*’、*-c(q
411
)(q
412
)-*’、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*’、*-c(q
411
)＝*’、或*＝c＝*’，x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0284]q411
至q
414
可各自与本文中关于q1描述的相同，
[0285]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)、或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0286]q401
至q
403
可各自与本文中关于q1描述的相同，
[0287]
xc11和xc12可各自独立地为0至10的整数，并且
[0288]
在式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0289]
例如，在式402中，x
401
可为氮并且x
402
可为碳，或者x
401
和x
402
可各自为氮。
[0290]
在实施方案中，在式401中的xc1为2或更大的情况下，至少两个l
401
中的两个环a
401
可任选地通过为连接基团的t
402
而彼此连接；或者两个a
402
可任选地通过为连接基团的t
403
(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)而彼此连接。t
402
和t
403
可各自与本文中关于t
401
描述的相同。
[0291]
式401中的l
402
可为有机配体。例如，l
402
可包括卤素、二酮基团(例如，乙酰丙酮基团)、羧酸基(例如，吡啶甲酸酯基)、-c(＝o)、异腈基、-cn基团、含磷基团(例如，膦基、亚磷酸酯基团等)、或它们的任何组合。
[0292]
磷光掺杂剂可包括例如化合物pd1至化合物pd39中的一个或它们的任何组合：
[0293]
[0294]
[0295][0296]
[荧光掺杂剂]
[0297]
荧光掺杂剂可包括含胺基的化合物、含苯乙烯基的化合物、或它们的任何组合。
[0298]
例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0299]
[式501]
[0300][0301]
在式501中，
[0302]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
以及r
502
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0303]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0304]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0305]
例如，在式501中的ar
501
可为三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、基或芘基)。
[0306]
在实施方案中，式501中的xd4可为2。
[0307]
例如，荧光掺杂剂可包括：化合物fd1至化合物fd36中的一个；dpvbi；dpavbi；或它们的任何组合：
[0308]
[0309]
[0310][0311]
[延迟荧光材料]
[0312]
发射层可包括延迟荧光材料。
[0313]
在说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发光机制发射延迟荧光的化合物。
[0314]
包括在发射层中的延迟荧光材料可根据包括在发射层中的其他材料的类型而用作主体或掺杂剂。
[0315]
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可等于或大于0ev并且等于或低于0.5ev。在延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围的情况下，延迟荧光材料的从三重态到单重态的上转换可有效地发生，并且因此可改善发光器件10的发光效率。
[0316]
例如，延迟荧光材料可包括：包括至少一种电子给体(例如，富含π电子的c
3-c
60
环状基团，诸如咔唑基等)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基、或缺乏π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团)的材料；以及包括两个或更多个环状基团在共享硼(b)的同时稠合的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0317]
延迟荧光材料的实例可包括化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0318][0319]
[中间层130中的电子传输区]
[0320]
电子传输区可具有：由单层构成的单层结构，该单层由单一材料构成；由单层构成的单层结构，该单层由不同材料构成；或包括多层的多层结构，该多层包括不同材料。
[0321]
电子传输区可包括上述金属氧化物层。
[0322]
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层、或它们的任何组合，并且选自缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个可包括金属氧化物层。
[0323]
例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每种结构的构成层从发射层开始依次堆叠，并且每种结构可包括金属氧化物层。
[0324]
除了包括子上述金属氧化物层中的金属氧化物颗粒之外，电子传输区可还包括金属氧化物，并且金属氧化物的金属可包括zn、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、cu、mg、co、mn、y、al或它们的任何组合。除了包括在上述金属氧化物层中的金属氧化物颗粒之外，电子传输区可还包括金属硫化物，并且例如可包括cuscn或类似物。
[0325]
除了包括在上述金属氧化物层中的金属氧化物颗粒之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子注入层或电子传输层)可还包括由式2-1表示的金属氧化物：
[0326]
[式2-1]
[0327]
m1
p
m2
1-p
oq[0328]
在式2-1中，
[0329]
m1和m2可各自独立地为zn、mg、al、li、fe、in、na、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、cu、v或它们的任何组合，并且
[0330]
0.01≤p≤0.5，并且1≤q≤5。
[0331]
在实施方案中，金属氧化物可由式2-2表示：
[0332]
[式2-2]
[0333]
zn
(1-r)
mro
[0334]
在式2-2中，
[0335]
m可为mg、co、ni、zr、mn、sn、y、al或它们的任何组合，并且
[0336]
0.01≤r≤0.1。
[0337]
在实施方案中，电子传输区可包括zno或znmgo。
[0338]
在实施方案中，除了使用上述金属氧化物组合物形成的金属氧化物层之外，电子传输区可还包括例如zno、tio2、wo3、sno2、in2o3、nb2o5、fe2o3、ceo2、srtio3、zn2sno4、basno3、in2s3、znsio、pc60bm、pc70bm、mg-掺杂zno(znmgo)、al-掺杂zno(azo)、ga-掺杂zno(gzo)、in-掺杂zno(izo)、al-掺杂tio2、ga-掺杂tio2、in-掺杂tio2、al-掺杂wo3、ga-掺杂wo3、in-掺杂wo3、al-掺杂sno2、ga-掺杂sno2、in-掺杂sno2、mg-掺杂in2o3、al-掺杂in2o3、ga-掺杂in2o3、mg-掺杂nb2o5、al-掺杂nb2o5、ga-掺杂nb2o5、mg-掺杂fe2o3、al-掺杂fe2o3、ga-掺杂fe2o3、in-掺杂fe2o3、mg-掺杂ceo2、al-掺杂ceo2、ga-掺杂ceo2、in-掺杂ceo2、mg-掺杂srtio3、al-掺杂srtio3、ga-掺杂srtio3、in-掺杂srtio3、mg-掺杂zn2sno4、al-掺杂zn2sno4、ga-掺杂zn2sno4、in-掺杂zn2sno4、mg-掺杂basno3、al-掺杂basno3、ga-掺杂basno3、in-掺杂basno3、mg-掺杂in2s3、al-掺杂in2s3、ga-掺杂in2s3、in-掺杂in2s3、mg-掺杂znsio、al-掺杂znsio、ga-掺杂znsio、in-掺杂znsio、或它们的任何组合。
[0339]
除了包括在上述金属氧化物层中的金属氧化物颗粒之外，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可还包括不含金属的、包括至少一个缺乏π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团的化合物。
[0340]
例如，除了包括在上述金属氧化物层中的金属氧化物颗粒之外，电子传输区可还包括由式601表示的化合物：
[0341]
[式601]
[0342]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0343]
在式601中，
[0344]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0345]
xe11可为1、2或3，
[0346]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0347]r601
可为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一
个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)、或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0348]q601
至q
603
可各自独立地与本文中关于q1描述的相同，
[0349]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0350]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的缺乏π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0351]
在实施方案中，在式601中，当xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可通过单键彼此连接。
[0352]
在实施方案中，式601中的ar
601
可为被取代或未被取代的蒽基。
[0353]
在实施方案中，除了包括在上述金属氧化物层中的金属氧化物颗粒之外，电子传输区可还包括由式601-1表示的化合物：
[0354]
[式601-1]
[0355][0356]
在式601-1中，
[0357]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0358]
l
611
至l
613
可各自独立地与本文中关于l
601
描述的相同，
[0359]
xe611至xe613可各自独立地与本文中关于xe1描述的相同，
[0360]r611
至r
613
可各自独立地与本文中关于r
601
描述的相同，并且
[0361]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0362]
在实施方案中，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0363]
除了包括在上述金属氧化物层中的金属氧化物颗粒之外，电子传输区可还包括：化合物et1至化合物et45中的一个、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz、或它们的任何组合：
[0364]
[0365]
[0366][0367]
电子传输区的厚度可在约至约的范围内。例如，电子传输区的厚度可在约至约的范围内。在电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的任何组合的情况下，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地在约至约的范围内，并且电子传输层的厚度可在约至约例如，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地在约至约的范围内，并且电子传输层的厚度可在约至约的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[0368]
电子传输区可包括电子传输层，并且电子传输层可包括上述金属氧化物层。
[0369]
除了包括在金属氧化物层中的金属氧化物颗粒之外，电子传输区中的电子传输层可还包括含金属的材料。
[0370]
含金属的材料可包括碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碱金属配合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子、或cs离子，并且碱土金属配合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子、或ba离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。
[0371]
例如，含金属的材料可包括li配合物。li配合物可包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0372][0373]
电子传输区可包括促进电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0374]
电子注入层可具有：由单层构成的单层结构，该单层由单一材料构成；由单层构成的单层结构，该单层由不同材料构成；或包括多层的多层结构，该多层包括不同材料。
[0375]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。
[0376]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或它们的任何组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或它们的任何组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或它们的任何组合。
[0377]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、或碲化物、或者它们的任何组合。
[0378]
含碱金属的化合物可包括：碱金属氧化物，诸如li2o、cs2o或k2o；碱金属卤化物，诸如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、或ki；或它们的任何组合。含碱土金属的化合物可包括碱土金属化合物，诸如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中，x为满足条件0《x《1的实数)、或ba
x
ca
1-x
o(其中，x为满足条件0《x《1的实数)。含稀土金属的化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3、或它们的任何组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0379]
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可包括：碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一个，并且连接到该金属离子上的配体(例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合)。
[0380]
电子注入层可由如下构成：如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。在实施方案中，电子注入层可还包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0381]
在实施方案中，电子注入层可由如下构成：含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；或a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属、或它们的任何组合。例如，电子注入层可为ki：yb共沉积层、rbi：yb共沉积层、lif：yb共沉积层或
类似物。
[0382]
在电子注入层还包括有机材料的情况下，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基体中。
[0383]
电子注入层的厚度可在约至约的范围内。在实施方案中，电子注入层的厚度可在约至约的范围内。当电子注入层的厚度在这个范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的电子注入特性。
[0384]
[第二电极150]
[0385]
第二电极150可布置在如上所述的中间层130上。第二电极150可为阴极，阴极为电子注入电极，并且用于形成第二电极150的材料可包括各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或它们的任何组合。
[0386]
第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或它们的任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0387]
第二电极150可具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构。
[0388]
[覆盖层]
[0389]
第一覆盖层可排列在第一电极110外部，和/或第二覆盖层可排列在第二电极150外部。具体地，发光器件10可具有：第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以所陈述的顺序依次堆叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以所陈述的顺序依次堆叠的结构；或者第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以所陈述的顺序依次堆叠的结构。
[0390]
在发光器件10的中间层130的发射层中产生的光可通过第一电极110(第一电极110为半透射电极或透射电极)和第一覆盖层提取至外部。在发光器件10的中间层130的发射层中产生的光可通过第二电极150(第二电极150为半透射电极或透射电极)和第二覆盖层提取至外部。
[0391]
根据相长干涉的原理，第一覆盖层和第二覆盖层可增大外部发光效率。相应地，可增大发光器件10的光提取效率，以使得可改善发光器件10的发光效率。
[0392]
第一覆盖层和第二覆盖层中的每个可包括具有(在589nm处)等于或大于约1.6或更大的折射率的材料。
[0393]
第一覆盖层和第二覆盖层可各自独立地为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或者包括有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0394]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物、或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基的化合物可任选地被包括o、n、s、se、si、f、cl、br、i或它们的任何组合的取代基取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基的化合物。
[0395]
例如，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物、或它们的任何组合。
[0396]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物
ht28至化合物ht33中的一个、化合物cp1至化合物cp6中的一个、β-npb或它们的任何组合：
[0397][0398]
[膜]
[0399]
膜可为例如光学构件(或光控制构件)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、光提取效率改善层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点层等)、光阻挡构件(例如，光反射层、光吸收层等)、或保护性构件(例如，绝缘层、介电层等)。
[0400]
[电子设备]
[0401]
发光器件可包括在各种电子设备中。例如，包括发光器件的电子设备可为发光设备、认证设备或类似物。
[0402]
除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)可还包括滤色器、颜色转换层、或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可排列在从发光器件发射的光的至少一个传播方向上。例如，从发光器件发射的光可为蓝光或白光。对于发光器件的细节可与本文中描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可包括量子点。量子点可例如为本文中描述的量子点。
[0403]
电子设备可包括第一衬底。第一衬底可包括子像素区域，滤色器可包括分别对应于子像素区域的滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于子像素区域的颜色转换区域。
[0404]
像素限定膜可排列在子像素区域之间，以限定每个子像素区域。
[0405]
滤色器可还包括滤色器区域和排列在滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换
层可还包括颜色转换区域和排列在颜色转换区域之间的遮光图案。
[0406]
滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量子点。具体地，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。关于量子点的细节可与本文中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。
[0407]
例如，发光器件可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第1-1颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第2-1颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第3-1颜色光。在这方面，第1-1颜色光、第2-1颜色光和第3-1颜色光可具有不同的最大发射波长。具体地，第一光可为蓝光，第1-1颜色光可为红光，第2-1颜色光可为绿光，并且第3-1颜色光可为蓝光。
[0408]
除了如上所述的发光器件之外，电子设备可还包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，并且源电极和漏电极中的任何一个可电连接到发光器件的第一电极和第二电极中的任何一个。
[0409]
薄膜晶体管可还包括栅电极、栅绝缘膜和类似物。
[0410]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体和类似物。
[0411]
电子设备可还包括用于密封发光器件的密封部分。密封部分可排列在滤色器和/或颜色转换层与发光器件之间。密封部分允许光从发光器件传送至外部，并且同时防止周围空气和湿气渗透到发光器件中。密封部分可为包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部分可为包括至少一层有机层和/或无机层的薄膜封装层。在密封部分为薄膜封装层的情况下，电子设备可为柔性的。
[0412]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可还另外布置在密封部分上。功能层的实例可包括触摸屏层、偏振层和类似物。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为例如通过使用活体的生物测定信息(例如，指尖、瞳孔等)来认证个体的生物测定认证设备。
[0413]
除了如上所述的发光器件之外，认证设备可还包括生物测定信息收集器。
[0414]
电子设备可应用于各种显示器、光源、照明器、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子笔记、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声波诊断装置、或内窥镜显示器)、鱼探测器、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船舶的仪表)、投影仪和类似物。
[0415]
[图2和图3的描述]
[0416]
图2为根据本公开的实施方案的电子设备180的示意性剖视图。
[0417]
图2的电子设备180包括衬底100、薄膜晶体管(tft)200、发光器件和密封发光器件的封装部分300。
[0418]
衬底100可为柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可布置在衬底100上。缓冲层210可防止杂质穿透衬底100，并且可在衬底100上提供平坦的表面。
[0419]
tft 200可布置在缓冲层210上。tft 200可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0420]
有源层220可包括无机半导体(诸如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0421]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可布置在有源层220上，并且栅电极240可布置在栅绝缘膜230上。
[0422]
中间层绝缘膜250可布置在栅电极240上。中间层绝缘膜250可排列在栅电极240和源电极260之间并且在栅电极240和漏电极270之间，以提供之间的绝缘。
[0423]
源电极260和漏电极270可布置在中间层绝缘膜250上。中间层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可排列成与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0424]
tft 200可电连接到发光器件以驱动发光器件，并且可由钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的任何组合。发光器件可提供在钝化层280上。发光器件可包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0425]
第一电极110可布置在钝化层280上。钝化层280可排列成暴露漏电极270的一部分，而不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可排列成连接到漏电极270的暴露部分。
[0426]
包括绝缘材料的像素限定层290可布置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的一部分，并且中间层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚(丙烯酸)的有机膜。尽管在图2中未示出，但中间层130的至少一些层可经过像素限定层290的上部延伸为以公共层的形式排列。
[0427]
第二电极150可布置在中间层130上，并且覆盖层170可另外形成在第二电极150上。可形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0428]
封装部分300可布置在覆盖层170上。封装部分300可布置在发光器件上，以保护发光器件免受湿气或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的任何组合；有机膜，包括聚(对苯二甲酸乙二醇酯)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚(乙烯磺酸酯)、聚(甲醛)、聚(芳酯)、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或它们的任何组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0429]
图3为根据本公开的另一实施方案的电子设备190的示意性剖视图。
[0430]
除了遮光图案500和功能区400另外布置在封装单元300上以外，图3的电子设备190可与图2的电子设备180相同。功能区400可为：滤色器区域、颜色转换区域、或者滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的电子设备190中的发光器件可为串联发光器件。
[0431]
[制造方法]
[0432]
包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层可通过使用一种或多种适当方法在特定的区中形成，方法选自真空沉积、旋涂、流延、langmuir-blodgett(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像和类似方式。
[0433]
包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层通过真空沉积形成的情况下，根据包括在要形成的层中的材料和要形成的层的结构，可在约100℃至约
500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约至约的沉积速度下进行沉积。
[0434]
[术语的限定]
[0435]
如本文中使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”可为仅由碳原子构成作为成环原子并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文中使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”可为具有1至60个碳原子并且除了碳之外还具有至少一个杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可各自为由一个环构成的单环基团或两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团可具有3至61个成环原子。
[0436]
如本文中使用的“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团两者。
[0437]
如本文中使用的术语“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”可为具有3至60个碳原子并且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团。如本文中使用的术语“缺乏π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”可为具有1至60个碳原子并且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0438]
例如，
[0439]c3-c
60
碳环基团可为：t1基团或至少两个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、萘并萘基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、六苯并苯基、卵苯基、茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，
[0440]c1-c
60
杂环基团可为：t2基团；至少两个t2基团彼此稠合的稠合环状基团；或至少一个t2基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0441]
富含π电子的c
3-c
60
环状基团可为：t1基团；至少两个t1基团彼此稠合的稠合环状基团；t3基团；至少两个t3基团彼此稠合的稠合环状基团；或者至少一个t3基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基、硅杂环戊二烯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二
苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，
[0442]
缺乏π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团可为：t4基团；至少两个t4基团彼此稠合的稠合环状基团；至少一个t4基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团；至少一个基团t4和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团；或至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，t1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基、双环[1.1.1]戊烷基、双环[2.1.1]己烷基、双环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0443]
t2基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、硅杂环戊二烯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0444]
t3基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、硅氧环戊二烯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0445]
t4基团可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基(azasilole)、氮杂硼杂环戊二烯基(azaborole)、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0446]
如本文中使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺乏π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”可各自根据使用对应术语的式的结构而为与任何环状基团、一价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。例如，“苯基”可为本领域普通技术人员可根据包括“苯基”的式的结构而容易理解的苯并基团、苯基、亚苯基或类似物。
[0447]
一价c
3-c
60
碳环基团和一价c
1-c
60
杂环基团的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、一价非芳族稠合多环基团和一价非芳族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和被取代或未被取代的二价非芳族稠合杂多环基团。
[0448]
如本文中使用的术语“c
1-c
60
烷基”可为具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃一价基团，并且其实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文中使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”可为具
有与c
1-c
60
烷基相同的结构的二价基团。
[0449]
如本文中使用的术语“c
2-c
60
烯基”可为具有在c
2-c
60
烷基的中间或末端的至少一个碳-碳双键的一价烃基，并且其实例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文中使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”可为具有与c
2-c
60
烯基相同的结构的二价基团。
[0450]
如本文中使用的术语“c
2-c
60
炔基”可为具有在c
2-c
60
烷基的中间或末端的至少一个碳-碳三键的一价烃基，并且其实例可包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”可为具有与c
2-c
60
炔基相同的结构的二价基团。
[0451]
如本文中使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”可为由-o(a
101
)表示的一价基团(其中，a
101
为c
1-c
60
烷基)，并且其实例可包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0452]
如本文中使用的术语“c
3-c
10
环烷基”可为具有3至10个碳原子的一价饱和烃环基团，并且其实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基和双环[2.2.2]辛基。如本文中使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”可为具有与c
3-c
10
环烷基相同的结构的二价基团。
[0453]
如本文中使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”可为除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子的1至10个碳原子的一价环状基团，并且其实例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文中使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”可为具有与c
1-c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0454]
如本文中使用的术语“c
3-c
10
环烯基”可为在其环上具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且不具有芳香性的一价环状基团，并且其实例可包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文中使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”可为具有与c
3-c
10
环烯基相同的结构的二价基团。
[0455]
如本文中使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”可为除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子并且在其环结构上具有至少一个碳-碳双键(或至少一个双键)的1至10个碳原子的一价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文中使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”可为具有与c
1-c
10
杂环烯基相同的结构的二价基团。
[0456]
如本文中使用的术语“c
6-c
60
芳基”可为具有6至60个碳原子的碳环芳族体系的一价基团，并且如本文中使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”可为具有6至60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、萘并萘基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、六苯并苯基和卵苯基。在c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个的环的情况下，环可为彼此稠合的。
[0457]
如本文中使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”可为具有1至60个碳原子的杂环芳族体系的一价基团，该杂环芳族体系除了碳原子之外还包括至少1个杂原子作为成环原子。如本文中使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”可为具有1至60个碳原子的杂环芳族体系的二价基团，该杂环芳族体系除了碳原子之外还包括至少1个杂原子作为成环原子。c
1-c
60
杂芳基的实例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。在c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个的环的情况下，环可为彼此稠合的。
br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，它们各自未被取代或被如下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基、或者它们的任何组合；c
7-c
60
芳烷基；或c
2-c
60
杂芳烷基。
[0468]
如本文中使用的术语“杂原子”可为除了碳原子或氢原子以外的任何原子。杂原子的实例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se或它们的任何组合。
[0469]
如本文中使用的术语“第三行过渡金属”可包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)和金(au)。
[0470]
如本文中使用的“ph”是指苯基，如本文中使用的“me”是指甲基，如本文中使用的“et”是指乙基，如本文中使用的“ter-bu”或“bu
t”各自是指叔丁基，并且如本文中使用的“ome”是指甲氧基。
[0471]
如本文中使用的术语“联苯基”可为“被苯基取代的苯基”。例如，“联苯基”可为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0472]
如本文中使用的术语“三联苯基”可为“被联苯基取代的苯基”。例如，“三联苯基”可为具有由c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的被取代的苯基。
[0473]
除非另有限定，否则如本文中使用的*和*'各自是指与对应式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0474]
在下文中，将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光器件。在描述合成例中的措词“使用b代替a”意味着使用等摩尔当量的b替代a。
[0475]
[制备例]
[0476]
《金属氧化物组合物的制备》
[0477]
制备例1
[0478]
在将4mmol的作为金属氧化物前体的乙酸锌二水合物溶解在30ml的作为溶剂的dmso中之后，向其缓慢滴加5mmol的作为氧化剂的tmah溶解在10ml的乙醇(etoh)中的溶液，并且将混合物搅拌1小时以获得分散在etoh中的zno。
[0479]
将0.8重量份的zncl2添加到分散在etoh中的zno，并且将混合物在30℃下搅拌12小时。
[0480]
制备例2至制备例4和比较制备例1至比较制备例6
[0481]
以与制备例1相同的方式制备根据制备例2至制备例4和比较制备例1至比较制备例6的金属氧化物组合物，除了金属氧化物前体的类型、第一金属氧化物颗粒的类型、卤化物化合物的类型和处理温度(无论是否进行加热)如表1中所示地改变以外。
[0482]
[表1]
[0483][0484][0485]
评估例1
[0486]
测量包括在根据制备例1至制备例4和比较制备例1至比较制备例6的组合物中的金属氧化物颗粒中的每种的平均粒径(d50)。使用dls器材(由malvern inc.制造的nano-zs90)测量平均粒径(d50)。测量结果在表2中示出。
[0487]
实施例1
[0488]
作为阳极，将其上形成的具有15ω/cm2的ito电极的玻璃衬底(corning inc.的产品)切割成50mm
×
50mm
×
0.5mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各自进行超声波处理5分钟，并且通过紫外线照射和将其暴露臭氧30分钟来清洁。将玻璃衬底安装在真空沉积设备上。
[0489]
将pedot：pss(clevios
tm hil8)旋涂在阳极上以形成具有60nm的厚度的膜，并且在
120℃下对其进行10分钟的烘焙工艺以形成空穴注入层。将化合物101旋涂在空穴注入层上以形成具有20nm的厚度的膜，并且在120℃下对其进行10分钟的烘焙工艺以形成空穴传输层。
[0490]
将分散在辛烷中的红色inp量子点旋涂在空穴传输层上以形成具有20nm的厚度的膜，并且在100℃下对其进行10分钟的烘焙工艺以形成红色发射层。将根据制备例1的金属氧化物组合物旋涂在红色发射层上以形成具有30nm的厚度的膜，并且在120℃下对其进行10分钟的烘焙工艺以形成电子传输层。
[0491]
在电子传输层上沉积al以形成具有100nm的厚度的阴极，从而完成发光器件的制造。对于沉积，使用了sunic systems inc.的suicel plus 200蒸发器。
[0492]
[pedot：pss]
[0493][0494]
[式101]
[0495][0496]
实施例2至实施例4和比较例1至比较例6
[0497]
以与实施例1相同的方式制造根据实施例2至实施例4和比较例1至比较例6的发光器件，除了金属氧化物组合物的类型如表2中所示地改变以外。
[0498]
[表2]
[0499][0500]
评估例2
[0501]
使用电流伏特计(kethley smu 236)和亮度计pr650测量根据实施例1至实施例4和比较例1至比较例6的发光器件的驱动电压、效率、色坐标和寿命(t90)。测量结果在表3中示出。
[0502]
寿命(t90)指示当初始亮度(在10ma/cm2)为100％时，亮度达到90％所需的时间(hr)。
[0503]
[表3]
[0504]
[0505][0506]
参考表2和表3，发现与比较例1和比较例2(在比较例1和比较例2中，金属氧化物颗粒没有用卤化物化合物处理)的发光器件相比，实施例1至实施例4(在实施例1至实施例4中，金属氧化物颗粒在60℃或更低的温度下用卤化物化合物处理)的发光器件具有改善的驱动电压、效率和寿命。
[0507]
与比较例3至比较例6(在比较例3至比较例6中，金属氧化物颗粒在超过60℃的温度下用卤化物化合物处理)的发光器件相比，发现实施例1至实施例4(在实施例1至实施例4中，金属氧化物颗粒在60℃或更低的温度下用卤化物化合物处理)的发光器件具有改善的驱动电压、效率和寿命。
[0508]
根据实施方案，由于在制备金属氧化物组合物中卤化物化合物的添加以及用卤化物化合物的处理，因此可改善金属氧化物颗粒的电子传输和电子注入特性，从而能够制造具有改善的发光特性的发光器件。
[0509]
本文中已公开了实施方案，并且尽管采用了术语，但它们仅在通用和描述性意义上使用和解释，并且不出于限制的目的。在一些情况下，如对本领域普通技术人员将显而易见的，结合实施方案描述的特征、特性和/或元件可单独使用，或者与结合其他实施方案描述的特征、特性和/或者元件组合使用，除非另有特别指示。相应地，本领域普通技术人员将理解，在不脱离如在权利要求书中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可进行形式和细节上的各种改变。

技术特征：
1.一种制备金属氧化物组合物的方法，所述方法包括：制备第一金属氧化物颗粒；以及通过向所述第一金属氧化物颗粒加入卤化物化合物并且在等于或低于60℃的温度下用所述卤化物化合物处理所述第一金属氧化物颗粒来形成金属氧化物颗粒。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属氧化物颗粒由式1表示：[式1]m
x
o
y
其中，在式1中，m为zn、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、或cu，并且x和y各自独立地为1至5的整数。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属氧化物颗粒包括zn。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述制备第一金属氧化物颗粒包括：通过将金属氧化物前体溶解在溶剂中来形成前体组合物；以及通过将氧化剂加入所述前体组合物来形成所述第一金属氧化物颗粒。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述金属氧化物前体包括由式3表示的金属乙酸盐化合物：[式3]其中，在式3中，m为zn、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、或cu，n为1至4的整数，并且m为1至6的整数。6.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第一金属氧化物颗粒在30分钟至2小时的范围内进行。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤化物化合物包括金属卤化物化合物、卤化铵化合物、卤化四烷基铵化合物、或它们的组合。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤化物化合物包括由式4表示的金属卤化物化合物：[式4]m
n+
(x-)
n
其中，在式4中，m为zn、ti、zr、sn、w、ta、ni、mo、或cu，x为f、cl、br、或i，并且n为1至4的整数。9.根据权利要求1所述的方法，其中，基于100重量份的所述第一金属氧化物颗粒，所述
卤化物化合物的加入量在0.01重量份至30重量份的范围内。10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述金属氧化物颗粒在等于或低于30℃的温度下进行。11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述金属氧化物颗粒不包括热处理。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物颗粒的平均粒径在1nm至50nm的范围内。13.一种发光器件，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及金属氧化物层，所述金属氧化物层使用通过权利要求1所述的方法制备的金属氧化物组合物来形成。14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述发射层包括量子点。15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述量子点包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物、或它们的组合。16.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述中间层还包括：在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区；以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，并且所述空穴传输区或所述电子传输区包括所述金属氧化物层。17.根据权利要求13所述的发光器件，其中，在所述发射层和所述金属氧化物层之间没有排列其他层。18.一种电子设备，包括根据权利要求13所述的发光器件。19.根据权利要求18所述的电子设备，还包括：薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光器件的所述第一电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的至少一个。20.根据权利要求19所述的电子设备，还包括：滤色器、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层、或它们的组合。

技术总结
实施方案提供了制备金属氧化物组合物的方法、发光器件以及电子设备。该方法包括：制备第一金属氧化物颗粒；以及通过向第一金属氧化物颗粒加入卤化物化合物并且在等于或低于约60℃的温度下用卤化物化合物处理第一金属氧化物颗粒来形成金属氧化物颗粒。化物颗粒来形成金属氧化物颗粒。化物颗粒来形成金属氧化物颗粒。


技术研发人员：金世勋 李昌熙 金德起 朴元俊 辛锺雨 李相烨 河在国
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.03.28
技术公布日：2023/10/19