低噪声放大器以及放大电路的控制方法与流程

1.本发明涉及一种低噪声放大器以及放大电路的控制方法。


背景技术：

2.以往，作为以低噪声放大高频信号的低噪声放大器，抑制有具有反馈电阻的低噪声放大器。例如，专利文献1中记载了一种低噪声放大器，其包括：第一晶体管，对从输入端子输入的高频信号进行放大，并输出至第一输出端子；第一反馈电路，装载于所述输入端子与所述第一输出端子之间；第二晶体管，对从所述输入端子输入的高频信号进行放大，并输出至第二输出端子；第三晶体管，对从所述第一输出端子输入的高频信号进行放大，并输出至第三输出端子；以及第四晶体管，对从所述第二输出端子输入的高频信号进行放大，并合成输出至所述第三输出端子。
3.[现有技术文献]
[0004]
[专利文献]
[0005]
[专利文献1]日本专利特开2014-116889号公报


技术实现要素：

[0006]
[发明所要解决的问题]
[0007]
但是，具有反馈电阻的低噪声放大器(low noise amplifier，lna)存在下述问题：起因于包括反馈电阻的结构而难以使用测试机等来检测故障。
[0008]
本发明的目的在于，提供一种鉴于所述问题所完成而能够检测故障的低噪声放大器以及放大电路的控制方法。
[0009]
[解决问题的技术手段]
[0010]
本公开的低噪声放大器包括放大电路，所述放大电路具有：放大晶体管，对从输入端子输入的信号进行放大并输出至第一节点；电流镜电路，对所述放大晶体管供给偏压电流；电阻器，设在使所述第一节点的输出反馈给所述输入端子的反馈路径上；以及第一开关，设在所述反馈路径上，将所述反馈路径设为导通或非导通，在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，通过所述第一开关来将所述反馈路径设为非导通。
[0011]
本公开的放大电路的控制方法中，所述放大电路包括：放大晶体管，对从输入端子输入的信号进行放大并输出至第一节点；电流镜电路，对所述放大晶体管供给偏压电流；电阻器，设在使所述第一节点的输出反馈给所述输入端子的反馈路径上；以及第一开关，设在所述反馈路径上，将所述反馈路径设为导通或非导通，其中，在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，控制所述第一开关将所述反馈路径设为非导通。
[0012]
[发明的效果]
[0013]
根据本发明，对于具有反馈电阻的低噪声放大器，也能够检测故障。
附图说明
[0014]
图1是表示接收电路的电路结构的电路图。
[0015]
图2是表示用于对连接于端子的元件的故障进行检测的直流测试方法的示意图。
[0016]
图3是表示以往的cmos电阻反馈型lna的电路结构的电路图。
[0017]
图4是表示在图3所示的电阻反馈型lna连接有直流测试机的状态的电路图。
[0018]
图5是表示本发明的第一实施方式的电阻反馈型lna的电路结构的电路图。
[0019]
图6是表示图5所示的电阻反馈型lna的直流测试时的状态的电路图。
[0020]
图7是表示图5所示的电阻反馈型lna运行时的状态的电路图。
[0021]
图8是表示图5所示的电阻反馈型lna运行停止时的状态的电路图。
[0022]
图9是表示将图5所示的电阻反馈型lna的开关设为mos型开关的电路结构的电路图。
[0023]
图10是表示本发明的第二实施方式的电阻反馈型lna的电路结构的电路图。
[0024]
图11是表示图10所示的电阻反馈型lna的直流测试时的状态的电路图。
[0025]
[符号的说明]
[0026]
1：低噪声放大器(lna)
[0027]
2：混频器
[0028]
3：局部振荡器
[0029]
4：模拟放大器
[0030]
5：模拟数字转换器(adc)
[0031]
6：解调器
[0032]
7：ic端子
[0033]
10：放大电路
[0034]
20：电流源
[0035]
22：电阻器
[0036]
24：电流镜电路
[0037]
26：开关
[0038]
28：开关
[0039]
30：开关
[0040]
32：开关
[0041]
40：控制电路
[0042]
50：测试机
[0043]
100：电压源
[0044]
101：电流计
[0045]
104：端子
[0046]
105：接地端子
[0047]
t1：输入端子
[0048]
t2：输出端子
[0049]
t7：输入端子
[0050]
vdd：电源电位
[0051]
gnd：接地电位
[0052]
n1：节点
[0053]
n2：节点
[0054]
n3：节点
[0055]
n4：节点
具体实施方式
[0056]
以下，参照附图来详细说明本发明的实施方式的一例。
[0057]
＜使用lna的接收电路＞
[0058]
lna例如被用于图1所示的接收电路。
[0059]
图1是表示接收电路的电路结构的电路图。接收电路连接有天线(未图示)，包含低噪声放大器(lna)1、混频器2、局部振荡器3、模拟放大器4、模拟数字转换器(analog digital converter，adc)5、解调器6而集成在集成电路(integrated circuit，ic)内部。所述接收电路是对所输入的调制信号进行放大、频率转换等处理以对信号所具有的信息进行解调的电路，以下述方式运行。
[0060]
lna 1以低噪声放大所输入的微弱的高频信号，并将经放大的信号输出至混频器2。局部振荡器3生成频率转换用的局部信号，并将所生成的信号输出至混频器2。混频器2根据从局部振荡器3输入的信号来对从lna 1输入的高频信号进行开关，由此生成中间频率的信号。所生成的中间频率的信号被输入至模拟放大器4。模拟放大器4对从混频器2输入的信号进行放大，并将经放大的信号输出至adc 5。adc 5将从模拟放大器4输入的信号转换为数字信号，并将经数字转换的信号输出至解调器6。解调器6对从adc 8输入的数字调制信号进行解调，以读取信息。
[0061]
如图1所示，lna 1的输入端子连接于ic端子7，因此有时会因静电放电(electro static discharge，esd)对lna 1施加高电压，而引起构成lna 1的元件的故障。因此必须保护lna 1的输入端子不受esd破坏。而且，在制造工序中，也必须检查构成lna 1的元件是否未发生故障。
[0062]
＜直流测试＞
[0063]
此处，对直流测试进行说明。
[0064]
图2是表示用于对连接于端子的元件的故障进行检测的直流测试方法的示意图。以下，将p型mos晶体管设为pmos、将n型mos晶体管设为nmos来进行说明。此测试方法中，将测试机的ic端子104与接地端子105安装于测定对象，从电压源100对ic端子104与接地端子105之间施加电压。并且，通过电流计101来测定流经ic端子104与接地端子105之间的电流的电流值，以测试是否未检测到异常的电流。
[0065]
图2中，对连接有互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，cmos)型的反相器电路作为测定对象的情况进行说明。反相器电路包括pmos 103以及nmos 102。pmos 103的源极端子连接于电源电位vdd，栅极端子连接于ic端子104。nmos 102的源极端子连接于接地电位gnd，栅极端子连接于ic端子104。
[0066]
此处，对故障检测的原理进行说明。
[0067]
首先，为了检测pmos 103的故障，通过电压源100来施加电压vin＝0。在pmos 103
尚未发生故障的情况下，pmos 103的栅极源极间的阻抗高，因此无电流流动，在电流计101中几乎检测不到电流。在pmos 103发生了故障而栅极漏极间短路的情况下，pmos 103成为二极管连接，nmos 102成为断开(off)状态。因此，如虚线的箭头所示，pmos 103中产生的电流流入电流计101而被电流计101检测到。而且，在pmos 103发生了故障而栅极源极间短路的情况下，电源电位vdd与接地电位gnd也短路，因此由电流计101检测到电流。
[0068]
接下来，为了检测nmos 102的故障，通过电压源100来施加电压vin＝vdd。在nmos 102尚未发生故障的情况下，nmos 102的栅极源极间的阻抗高，因此无电流流动，电流计101中几乎检测不到电流。在nmos 102发生了故障而栅极漏极间短路的情况下，nmos 102成为二极管连接。因此，nmos 102如实线的箭头所示，成为从电压源100抽取电流的动作，由电流计101检测到电流。而且，在nmos 102发生了故障而栅极源极间短路的情况下，电压源100与接地电位gnd也短路，因此由电流计101检测到电流。
[0069]
如上所述，在直流测试中，在元件尚未发生故障的情况下检测不到电流，在元件发生了故障的情况下检测到异常的电流，因此能够根据由电流计101所测定的电流值来检测元件的故障。
[0070]
＜以往的lna＞
[0071]
接下来，参照图3来说明以往的电阻反馈型lna的电路结构。
[0072]
此处，对被称作cmos电阻反馈型lna的lna进行说明。如图3所示，cmos电阻反馈型lna包括nmos 1-1、pmos 1-2、pmos 1-3、pmos 1-4、电流源1-5以及电阻器1-6。电阻器1-6是被用于反馈路径上的电阻器，连接于nmos 1-1的漏极端子与pmos 1-2的栅极端子之间。nmos 1-1以及pmos 1-2与ic端子7直接连接，因此会受到esd的影响。因此，必须通过测试工序来确认这些元件是否未受到破坏。
[0073]
图4是表示在图3所示的电阻反馈型lna连接有直流测试机的状态的电路图。如根据图4可知的是，在电阻反馈型lna中，为了作为lna发挥功能，反馈电阻为必要元件，但起因于包括反馈电阻的结构而无法使用测试机等来检测故障。
[0074]
如上所述，在直流测试中，将测试机的ic端子104与接地端子105安装于测定对象，从电压源100对ic端子104与接地端子105之间施加电压，通过电流计101来测定流经ic端子104与接地端子105之间的电流。此处，将位于nmos 1-1的漏极端子与pmos 1-2的漏极端子之间且电阻器1-6的一端所连接的节点设为节点n1。
[0075]
在为了检测pmos 1-2的故障而通过电压源100来施加电压vin＝0的情况下，通过lna的反馈路径，节点n1也成为0。此时，pmos 1-2的栅极电位与漏极电位变得相等而成为二极管连接，nmos 1-1成为断开状态。因此，pmos 1-2使由pmos 1-3所供给的电流流入电流计101。其结果，不论pmos 1-2有无发生故障，电流计101均会检测到电流，因而无法检测pmos 1-2的故障。
[0076]
而且，在为了检测nmos 1-1的故障而通过电压源100来施加电压vin＝vdd的情况下，通过lna的反馈路径，节点n1也成为vdd。此时nmos 1-1的栅极电位与漏极电位变得相等而成为二极管连接。nmos 1-1进入饱和动作区域，从电压源100抽取电流。其结果，不论nmos 1-1有无发生故障，电流计101均会检测到电流，因而无法检测nmos 1-1的故障。
[0077]
＜第一实施方式＞
[0078]
接下来，对本公开的第一实施方式进行说明。
[0079]
第一实施方式的电阻反馈型lna与作为以往例所说明的lna同样地，为cmos电阻反馈型lna。cmos电阻反馈型lna可通过mos的跨导(transconductance)与反馈路径的电阻值来调整输入阻抗。一般而言，lna的输入阻抗必须设计为与外部天线同等的值(例如50ω)，由此来防止信号的反射。因此，有时使用能够调整输入阻抗的电阻反馈型的结构。
[0080]
图5是表示本发明的第一实施方式的电阻反馈型lna的电路结构的电路图。第一实施方式的lna包括：放大电路10，以低噪声放大输入信号；以及控制电路40，对放大电路10中所含的多个开关进行控制。控制电路40例如可通过寄存器或者寄存器与组合电路等包含ic、lsi等的一个或多个电子电路来实现。控制电路40连接于位于lna的内部或外部的控制器(未图示)，根据来自控制器(未图示)的指示输出对各开关进行控制的开关控制信号sw。控制电路40也可设在lna的外部。
[0081]
放大电路10与以往的lna同样地，包括nmos 12、pmos 14、pmos 16、pmos 18、电流源20以及电阻器22。而且，放大电路10除了所述构成元件以外，还包括开关26、开关28、开关30以及开关32。
[0082]
nmos 12是对连接于输入端子t1的信号进行放大的放大晶体管。nmos 12的栅极端子连接于输入端子t1，源极端子连接于接地电位gnd，漏极端子连接于节点n1。在节点n1，连接有输出经放大的信号的输出端子t2。
[0083]
pmos 14是对输入至输入端子t1的信号进行放大的放大晶体管。pmos 14的栅极端子连接于输入端子t1，源极端子连接于节点n2，漏极端子连接于nmos 12的漏极端子。
[0084]
pmos 16是对nmos 12以及pmos 14供给偏压电流的pmos。pmos 16的栅极端子连接于节点n3以及开关30，源极端子连接于电源电位vdd，漏极端子连接于pmos 14的源极端子。
[0085]
如后所述，开关30在lna运行停止时作为上拉pmos 16的栅极电位的开关发挥功能。在开关30为导通状态下，pmos 16的栅极端子连接于电源电位vdd，在开关30为断开状态下，pmos 16的栅极端子与电源电位vdd之间被阻断，pmos 16的栅极端子连接于pmos 18的栅极端子。
[0086]
pmos 18是供给决定pmos 16的偏压电流的栅极电压的pmos。pmos 18的栅极端子连接于pmos 16的栅极端子，源极端子连接于电源电位vdd，漏极端子连接于开关28、电流源20以及开关32。
[0087]
如后所述，开关28在直流测试时作为下拉pmos 16的栅极电位的开关发挥功能。开关28配置于pmos 18的漏极端子与接地电位gnd之间。在开关28为导通状态下，pmos 18的漏极端子连接于接地电位gnd，在开关28为断开状态下，pmos 18的栅极端子与接地电位gnd之间被阻断，pmos 18的漏极端子连接于电流源20。
[0088]
而且，pmos 18中，漏极端子与栅极端子经由开关32而连接。开关32在lna运行停止时，作为将pmos 18的栅极漏极间设为开路状态的开关发挥功能。在开关32为导通状态下，pmos 18的栅极端子与漏极端子相连接，pmos 18与pmos 16以及电流源20一同构成电流镜电路24。即，pmos 16与pmos 18的栅极源极间电压变得相等，流经两者的电流大小之比与pmos 16和pmos 18的尺寸比一致。在开关32为断开状态下，pmos 18的栅极端子与漏极端子之间被阻断，pmos 18的栅极漏极间成为开路状态。
[0089]
电流源20是对pmos 18供给固定的电流的电路，在ic内部作为恒电流电源电路而实现。电流源20的一端连接于节点n4，另一端连接于接地电位gnd，所述节点n4位于连接
pmos 18的漏极端子与栅极端子的路径上。
[0090]
电阻器22是被用于反馈路径上的电阻器。电阻器22的一端连接于开关26，另一端连接于nmos 12的栅极端子以及pmos 14的栅极端子。如后所述，开关26在直流测试时作为将反馈路径设为开路状态的开关发挥功能。在开关26为导通状态下，反馈路径导通，在开关26为断开状态下，反馈路径成为非导通。
[0091]
此处，若对开关26、开关28、开关30、开关32以及pmos 16的动作进行总结，则开关26、开关28、开关30、开关32以及pmos 16各自在直流测试时、lna的运行时、lna的运行停止时，如下述表1所示那样受到通断控制。
[0092]
[表1]
[0093]
状态pmos 16开关28开关26开关30开关32直流测试导通导通断开断开导通运行导通断开导通断开导通运行停止断开导通导通导通断开
[0094]
例如，控制器(未图示)在探测到测试机的连接时，指示控制电路40将lna设为直流测试时的状态。而且，控制器(未图示)在将ic切换为信号接收模式时，指示控制电路40将lna设为运行时的状态。并且，控制器(未图示)在除此以外的情况下，指示控制电路40将lna设为运行停止时的状态。控制电路40根据来自控制器的指示来输出开关控制信号sw，将各开关设为导通状态或断开状态。
[0095]
(直流测试时)
[0096]
图6是表示图5所示的电阻反馈型lna的直流测试时的状态的电路图。
[0097]
在直流测试中，将包括电压源100、电流计101、ic端子104以及接地端子105的测试机50安装于作为测定对象的lna。测试机50的ic端子104连接于lna的输入端子t1。如所述表1所示，控制电路40输出开关控制信号sw而将开关26、开关30设为断开状态，并且将开关28、开关32设为导通状态。
[0098]
通过开关28以及开关32成为导通状态，节点n3连接于接地电位gnd，pmos 16的栅极电位被下拉。由此，pmos 16成为导通状态。即，pmos 16作为开关而运行，将位于pmos 16的漏极端子与pmos 14的源极端子之间的节点n2连接于电源电位vdd，上拉节点n2的电位。
[0099]
开关26成为断开状态，将nmos 12、pmos 14的栅极漏极间设为开路状态。其结果，电阻反馈型lna与如下所述的cmos反相器电路等效，即，将pmos 14的源极端子连接于电源电位vdd，并且将nmos 12的源极端子连接于接地电位gnd。
[0100]
为了检测pmos 14的故障，通过电压源100来施加电压vin＝0。在pmos 14尚未发生故障的情况下，pmos 14的栅极源极间的阻抗高，因此无电流流动，电流计101中几乎检测不到电流。在pmos 14发生了故障而栅极漏极间短路的情况下，pmos 14成为二极管连接，nmos 102成为断开状态。因此，pmos 14中产生的电流流入电流计101，而被电流计101检测到。而且，在pmos 14发生了故障而栅极源极间短路的情况下，由于电源电位vdd与接地电位gnd短路，因此也由电流计101检测到电流。
[0101]
为了检测nmos 12的故障，通过电压源100来施加电压vin＝vdd。在nmos 12尚未发生故障的情况下，nmos 12的栅极源极间的阻抗高，因此无电流流动，电流计101中几乎检测不到电流。在nmos 12发生了故障而栅极漏极间短路的情况下，nmos 12成为二极管连接。因
此，nmos 12成为从电压源100抽取电流的动作，由电流计101检测到电流。而且，在nmos 12发生了故障而栅极源极间短路的情况下，由于电压源100与接地电位gnd短路，因此也由电流计101检测到电流。
[0102]
这样，当在所述状态下进行直流测试时，仅在nmos 12、pmos 14的故障时检测到电流，从而能够检测lna的元件的故障。
[0103]
(运行时)
[0104]
另一方面，在lna进行放大动作的运行时，如所述表1所示，控制电路40输出开关控制信号sw，将开关28、开关30设为断开状态，并且将开关26、开关32设为导通状态。
[0105]
图7是表示图5所示的电阻反馈型lna运行时的状态的电路图。
[0106]
通过开关26成为导通状态，包含电阻器22的反馈路径导通。开关28以及开关30成为断开状态，开关32成为导通状态，由此，pmos 16的栅极端子与pmos 18的栅极端子以及漏极端子相连接，pmos 16与pmos 18以及电流源20一同形成电流镜电路24。由此，与以往的电阻反馈型lna同样地运行。
[0107]
此处，对lna的动作进行说明。
[0108]
从作为恒电流电源电路的电流源20对pmos 18供给固定的电流。构成电流镜电路24的pmos 16以及pmos 18的栅极源极间电压变得相等，对应于pmos 16与pmos 18的尺寸比，电流流经pmos 16。流经pmos 16的电流作为偏压电流被供给至nmos 12以及pmos 14。nmos 12以及pmos 14以偏压电流经偏压而对从输入端子t1输入的信号进行放大，并将放大信号从输出端子t2予以输出。
[0109]
电阻器22使在nmos 12以及pmos 14的漏极端子产生的噪声电压反馈给输入端子t1，由此，能够使lna的输入阻抗下降而实现与外部天线的阻抗匹配。
[0110]
(运行停止时)
[0111]
而且，在lna停止放大动作的运行停止时，如所述表1所示，控制电路40输出开关控制信号sw，将开关32设为断开状态，并且将开关26、开关28、开关30设为导通状态。
[0112]
图8是表示图5所示的电阻反馈型lna运行停止时的状态的电路图。
[0113]
通过开关26成为导通状态，包含电阻器22的反馈路径导通。开关28成为导通状态，开关32成为断开状态，由此，电流源20使端子间短路而不再产生电流。通过开关30成为导通状态，pmos 16的栅极端子连接于电源电位vdd，pmos 16的栅极电位受到上拉。其结果，pmos 16成为断开状态而阻断偏压电流。而且，通过开关32成为断开状态，将从开关30朝向开关28的电流路径设为非导通。其结果，lna在运行停止时能够阻断电流。
[0114]
(开关的示例)
[0115]
开关26、开关28、开关30以及开关32只要是能够进行通断切换的开关，则并无特别限制，例如作为开关26、开关28、开关30以及开关32，可使用nmos开关、pmos开关、cmos开关等mos型开关。图9是表示将图5所示的电阻反馈型lna的开关设为mos型开关的电路结构的电路图。本示例中，将开关26、开关28以及开关32设为nmos开关，将开关30设为pmos开关。控制电路40输出开关控制信号sw，对nmos开关以及pmos开关的栅极端子施加与开关控制信号sw相应的电压，以切换各开关。
[0116]
如以上详细说明的那样，第一实施方式中，通过对lna追加开关26、开关28、开关30以及开关32，从而在lna的直流测试时，将lna的反馈路径设为非导通，并且将pmos 14的源
极端子连接于电源电位vdd，将nmos 12的源极端子连接于接地电位gnd，由此，仅在连接于输入端子的pmos以及nmos的至少一者处于故障状态时，可通过直流测试来检测到电流，从而检测到故障。
[0117]
而且，第一实施方式中，通过对lna追加开关26、开关28、开关30以及开关32，从而在lna的运行停止时，使端子间短路而将电流源20设为不会产生电流的状态，并且将pmos 16的栅极端子连接于电源电位vdd，由此，能够阻断电流而抑制消耗电流。
[0118]
＜第二实施方式＞
[0119]
第二实施方式除了将电阻反馈型lna设为nmos电阻反馈型lna以外，与第一实施方式同样，因此对于相同的结构部分标注相同的符号并省略说明。
[0120]
图10是表示本发明的第二实施方式的电阻反馈型lna的电路结构的电路图。nmos电阻反馈型lna为从第一实施方式中所说明的cmos电阻反馈型lna中去除了pmos 14的电路结构。此电路结构中，也能够通过nmos12的跨导与反馈路径的电阻值来调整输入阻抗，从而作为lna来运行。
[0121]
此处，若对开关26、开关28、开关30、开关32以及pmos 16的动作进行总结，则开关26、开关28、开关30、开关32以及pmos 16各自在直流测试时、lna的运行时、lna的运行停止时，如下述表2所示那样受到通断控制。lna的运行时、lna的运行停止时的开关控制与第一实施方式同样。
[0122]
[表2]
[0123]
状态pmos 16开关28开关26开关30开关32直流测试断开断开断开导通断开运行导通断开导通断开导通运行停止断开导通导通导通断开
[0124]
(直流测试时)
[0125]
图11是表示图10所示的电阻反馈型lna的直流测试时的状态的电路图。
[0126]
在直流测试中，如所述表2所示，控制电路40输出开关控制信号，将开关26、开关28、开关32设为断开状态，并且将开关30设为导通状态。
[0127]
通过开关28、开关32成为断开状态，开关30成为导通状态，从而节点n3连接于电源电位vdd，pmos 16的栅极电位受到上拉。由此，pmos 16成为断开状态。开关26成为断开状态，将nmos 12的栅极漏极间设为开路状态。其结果，电阻反馈型lna的nmos 12的漏极端子成为高阻抗的状态。当nmos 12的漏极端子与其他节点发生了短路时，与短路的节点成为同电位。
[0128]
在此状态下进行直流测试。在设通过测试机的电压源100所施加的电压为vin＝vdd时，若nmos 12未发生故障，则电流计101中几乎检测不到电流。在nmos 12发生了故障，而栅极端子与漏极端子发生了短路的情况下，nmos 12成为二极管连接状态，在电压vin施加时检测到电流。而且，在栅极端子与源极端子发生了短路的情况下，电流从电压源100流向接地电位gnd，从而检测到电流。作为结果，仅在nmos 12的故障时能够检测到电流，从而能够检测到lna的元件的故障。
[0129]
lna的运行时、lna的运行停止时的动作与第一实施方式同样，因此省略说明。
[0130]
第二实施方式中，也通过对lna追加开关26、开关28、开关30以及开关32，从而在
lna的直流测试时，将lna的反馈路径设为非导通，并且将nmos 12的源极端子连接于接地电位gnd，将nmos 12的漏极端子设为高阻抗的状态，在与其他节点发生短路时，与发生了短路的节点成为同电位，由此，仅在连接于输入端子的nmos处于故障状态时，可通过直流测试检测到电流，从而可检测到故障。
[0131]
而且，与第一实施方式同样地，在lna的运行停止时，将电流源20设为端子间短路而不会产生电流的状态，并且通过将pmos 16的栅极端子连接于电源电位vdd，从而能够阻断电流而抑制消耗电流。
[0132]
＜变形例＞
[0133]
另外，所述实施方式中所说明的低噪声放大器及其控制方法的结构为一例，当然也可在不脱离本发明的主旨的范围内变更其结构。
[0134]
例如，所述实施方式中，对通过硬件结构实现控制电路的情况进行了说明，但通过使处理器执行程序，也能够通过软件结构来实现控制电路的功能。而且，也可通过硬件结构与软件结构的组合来实现控制电路的功能。

技术特征：
1.一种低噪声放大器，包括放大电路，所述放大电路具有：放大晶体管，对从输入端子输入的信号进行放大并输出至第一节点；电流镜电路，对所述放大晶体管供给偏压电流；电阻器，设在使所述第一节点的输出反馈给所述输入端子的反馈路径上；以及第一开关，设在所述反馈路径上，将所述反馈路径设为导通或非导通，在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，通过所述第一开关来将所述反馈路径设为非导通。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中在进行所述放大电路的放大动作的情况或者停止放大动作的情况下，通过所述第一开关来使所述反馈路径导通。3.根据权利要求1或2所述的低噪声放大器，其中所述放大晶体管包含串联连接的第一晶体管与第二晶体管，在所述反馈路径的非导通时，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成反相器电路。4.根据权利要求1或2所述的低噪声放大器，其中所述放大晶体管为p型金属氧化物半导体晶体管或n型金属氧化物半导体晶体管的第一晶体管。5.根据权利要求3所述的低噪声放大器，其中所述电流镜电路包括：第三晶体管，连接于第一电源电位与所述放大晶体管之间；电流源，一端连接于接地电位；第四晶体管，连接于第二电源电位与所述电流源之间，栅极端子连接于所述第三晶体管的栅极端子；以及多个开关，切换电路连接，在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，通过所述多个开关，使所述第三晶体管作为连接所述第一电源电位与所述放大晶体管之间的开关发挥功能。6.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其中所述电流镜电路包括：第三晶体管，连接于第一电源电位与所述放大晶体管之间；电流源，一端连接于接地电位；第四晶体管，连接于第二电源电位与所述电流源之间，栅极端子连接于所述第三晶体管的栅极端子；以及多个开关，切换电路连接，在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，通过所述多个开关将所述第一晶体管的一端设为高阻抗的状态。7.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其中所述多个开关包含：第二开关，连接或阻断所述第三晶体管的栅极端子与所述接地电位之间，在连接所述第三晶体管的栅极端子与所述接地电位之间时，将所述电流源的输入端与输出端短路；第三开关，连接或阻断所述第三晶体管的栅极端子与第三电源电位之间；以及第四开关，连接或阻断所述第四晶体管的栅极端子与漏极端子，
在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，通过所述第二开关来连接所述第三晶体管的栅极端子与所述接地电位之间而将所述电流源的输入端与输出端短路，通过所述第三开关来阻断所述第三晶体管的栅极端子与所述第三电源电位之间，通过所述第四开关来连接所述第四晶体管的栅极端子与漏极端子之间。8.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其中所述多个开关包含：第二开关，连接或阻断所述第三晶体管的栅极端子与所述接地电位之间，在连接所述第三晶体管的栅极端子与所述接地电位之间时，将所述电流源的输入端与输出端短路；第三开关，连接或阻断所述第三晶体管的栅极端子与第三电源电位之间；以及第四开关，连接或阻断所述第四晶体管的栅极端子与漏极端子，在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，通过所述第二开关来阻断所述第三晶体管的栅极端子与所述接地电位之间，通过所述第三开关来连接所述第三晶体管的栅极端子与所述第三电源电位之间，通过所述第四开关来阻断所述第四晶体管的栅极端子与漏极端子之间。9.根据权利要求5至8中任一项所述的低噪声放大器，其中在进行所述放大电路的放大动作的情况下，通过所述多个开关，所述电流镜电路供给偏压电流。10.根据权利要求5至8中任一项所述的低噪声放大器，其中在停止所述放大电路的放大动作的情况下，通过所述多个开关，所述电流镜电路阻断偏压电流。11.根据权利要求1或2所述的低噪声放大器，包括：对所述第一开关进行控制的控制电路。12.根据权利要求11所述的低噪声放大器，其中所述控制电路控制多个开关。13.一种放大电路的控制方法，所述放大电路包括：放大晶体管，对从输入端子输入的信号进行放大并输出至第一节点；电流镜电路，对所述放大晶体管供给偏压电流；电阻器，设在使所述第一节点的输出反馈给所述输入端子的反馈路径上；以及第一开关，设在所述反馈路径上，将所述反馈路径设为导通或非导通，所述放大电路的控制方法中，在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，控制所述第一开关将所述反馈路径设为非导通。14.根据权利要求13所述的放大电路的控制方法，其中所述放大晶体管包含串联连接的第一晶体管与第二晶体管，所述电流镜电路包括：第三晶体管，连接于第一电源电位与所述放大晶体管之间；电流源，一端连接于接地电位；第四晶体管，连接于第二电源电位与所述电流源之间，栅极端子连接于所述第三晶体管的栅极端子；以及多个开关，切换电路连接，
在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，控制所述多个开关，使所述第三晶体管作为连接所述第一电源电位与所述放大晶体管之间的开关发挥功能。15.根据权利要求14所述的放大电路的控制方法，其中所述放大晶体管为第一晶体管，所述电流镜电路包括：第三晶体管，连接于第一电源电位与所述放大晶体管之间；电流源，一端连接于接地电位；第四晶体管，连接于第二电源电位与所述电流源之间，栅极端子连接于所述第三晶体管的栅极端子；以及多个开关，切换电路连接，在进行所述放大晶体管的故障检测的情况下，控制所述多个开关将所述第一晶体管的一端设为高阻抗的状态。

技术总结
本发明提供一种能够检测故障的低噪声放大器以及放大电路的控制方法。采用下述低噪声放大器，其包括放大电路，所述放大电路具有：放大晶体管，对从输入端子输入的信号进行放大并输出至第一节点；电流镜电路，对放大晶体管供给偏压电流；电阻器，设在使第一节点的输出反馈给输入端子的反馈路径上；以及第一开关，设在反馈路径上，将反馈路径设为导通或非导通，在进行放大晶体管的故障检测的情况下，通过第一开关来将反馈路径设为非导通。一开关来将反馈路径设为非导通。一开关来将反馈路径设为非导通。


技术研发人员：吉冈透
受保护的技术使用者：蓝碧石科技株式会社
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/10/19