制造窗的方法、通过其制造的窗及包括窗的显示装置与流程

制造窗的方法、通过其制造的窗及包括窗的显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年4月1日提交的第10-2022-0040952号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及包括提供热量的制造窗的方法、通过其制造的窗及包括窗的显示装置。


背景技术：

4.显示装置根据电信号而被激活，并且包括窗、壳体和电子元件。电子元件可以包括根据电信号而被激活的各种类型的元件，诸如显示元件、触摸元件或检测元件。窗保护电子元件并且向用户提供有源区域。窗可以稳定地保护电子元件免受外部冲击的影响。因此，正在研究强化窗以表现出优异的强度的方法。


技术实现要素：

5.本公开提供了表现出提高的强度的窗及制造窗的方法。
6.本公开还提供了包括表现出提高的强度的窗的显示装置。
7.本发明的实施方式提供了制造窗的方法，所述方法包括以下步骤：准备不包含li
+
离子并且包含na
+
离子的第一预备玻璃衬底；向第一预备玻璃衬底提供第一强化熔盐从而形成第二预备玻璃衬底；在约400摄氏度(℃)至500℃的温度下向第二预备玻璃衬底提供热量约3小时至7小时的时间从而形成第三预备玻璃衬底；以及向第三预备玻璃衬底提供第二强化熔盐从而形成窗。
8.在实施方式中，第一强化熔盐可以包括nano3以及kno3、kcl和k2so4中的至少一种。
9.在实施方式中，相对于第一强化熔盐的总重量，可以以约20重量百分比(wt％)至40wt％的量提供nano3，并且可以以约60wt％至80wt％的量提供kno3、kcl和k2so4中的至少一种。
10.在实施方式中，第二强化熔盐可以不包括nano3，并且可以包括kno3、kcl和k2so4中的至少一种。
11.在实施方式中，在形成第二预备玻璃衬底的步骤中，可以在约450℃至500℃的温度下提供第一强化熔盐约3小时至9小时的时间。
12.在实施方式中，在形成窗的步骤中，可以在约380℃至420℃的温度下提供第二强化熔盐约1小时至2小时的时间。
13.在实施方式中，窗可以包括压缩应力层，压缩应力层具有通过astm c770-16的方法测量的约1000兆帕(mpa)或更小的压缩应力，并且压缩应力层可以具有约80微米(μm)至100μm的厚度。
14.在实施方式中，第一预备玻璃衬底还可以包括k
+
离子和mg
2+
离子中的至少一种。
15.在实施方式中，所述方法还可以包括在形成窗的步骤中形成印刷层的步骤。
16.在本发明的实施方式中，窗包括不包含li
+
离子并且包含k
+
离子的玻璃衬底，其中，所述窗包括：基础层，具有零的压缩应力值；以及压缩应力层，设置在基础层的上表面和下表面中的至少一个上。压缩应力层包括：第一区域，具有第一压缩应力变化率；第二区域，具有至少是第一压缩应力变化率的5倍的第二压缩应力变化率；以及拐点区域，具有从第一压缩应力变化率增加到第二压缩应力变化率的第三压缩应力变化率，并且形成在第一区域和第二区域之间。第一压缩应力变化率、第二压缩应力变化率和第三压缩应力变化率中的每个被限定为根据厚度方向上的深度的压缩应力变化率，在厚度方向上从窗的表面到拐点区域的最小深度为约15μm至30μm，以及压缩应力层具有约80μm至100μm的厚度。
17.在实施方式中，拐点区域可以与基础层间隔开而第一区域介于拐点区域和基础层之间。
18.在实施方式中，相对于玻璃衬底的总厚度的100％，压缩应力层的厚度可以是约13％至21％。
19.在实施方式中，玻璃衬底可以具有约500μm至700μm的厚度。
20.在实施方式中，在第二区域中通过astm c770-16的方法测量的压缩应力的最大值可以是约600mpa至1000mpa。
21.在实施方式中，在拐点区域中通过astm c770-16的方法测量的压缩应力可以是约120mpa或更大。
22.在实施方式中，在厚度方向上距窗的表面约30μm的深度处通过astm c770-16的方法测量的压缩应力可以是约70mpa或更大。
23.在实施方式中，在厚度方向上距窗的表面约50μm的深度处通过astm c770-16的方法测量的压缩应力可以是约50mpa或更大。
24.在本发明的实施方式中，显示装置包括：显示模块；以及窗，设置在显示模块的上部分和下部分中的至少一个上，并且包括压缩应力层。压缩应力层包括：第一区域，具有第一压缩应力变化率；第二区域，具有至少是第一压缩应力变化率的5倍的第二压缩应力变化率；以及拐点区域，具有从第一压缩应力变化率增加到第二压缩应力变化率的第三压缩应力变化率，并且形成在第一区域和第二区域之间。第一压缩应力变化率、第二压缩应力变化率和第三压缩应力变化率中的每个被限定为根据厚度方向上的深度的压缩应力变化率，在厚度方向上从窗的表面到拐点区域的最小深度为约15μm至30μm，以及压缩应力层具有约80μm至100μm的厚度。
25.在实施方式中，窗可以包括不包含li
+
离子并且包含k
+
离子的玻璃衬底。
26.在实施方式中，在厚度方向上距窗的表面约30μm的深度处通过astm c770-16的方法测量的压缩应力可以是约70mpa或更大，并且在厚度方向上距窗的表面约50μm的深度处通过astm c770-16的方法测量的压缩应力可以是约50mpa或更大。
附图说明
27.附图被包括在内以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
28.图1是示出根据实施方式的显示装置的立体图；
29.图2是示出根据实施方式的显示装置的分解立体图；
30.图3是示出根据实施方式的窗的剖视图；
31.图4是示出与图2的线i-i'对应的部分的剖视图；
32.图5是示出在根据实施方式的窗中根据深度的压缩应力的曲线图；
33.图6是示出根据实施方式的制造窗的方法的流程图；
34.图7a是示意性地示出根据实施方式的制造窗的方法的视图；
35.图7b是示意性地示出根据实施方式的制造窗的方法的视图；
36.图7c是示意性地示出根据实施方式的制造窗的方法的视图；
37.图8是示意性地示出根据实施方式的制造窗的方法的视图；以及
38.图9至图15是示出在比较例和实施例的窗中根据深度的压缩应力的曲线图。
具体实施方式
39.本公开可以以许多替代形式修改，并且因此将在附图中例示并详细描述具体实施方式。然而，应当理解，其并不旨在将本公开限于所公开的特定形式，而是旨在覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同及替代。
40.在本说明书中，当元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”或者“连接到”或“联接到”另一元件时，其意指元件可以直接设置在另一元件上或者直接连接到/联接到另一元件，或者第三元件可以设置在其间。
41.相同的附图标记指代相同的元件。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，夸大了元件的厚度、比例和大小。“至少一个(种)”不被解释为限制“一个”或“一种”。“或”意指“和/或”。术语“和/或”包括相关联的配置可以限定的一个或更多个组合。
42.将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式旨在也包括复数形式。
43.此外，“在
……
下方”、“在下侧上”、“在
……
上方”、“在上侧上”等的术语可以用来描述附图中所示的组件的关系。这些术语用作相对的概念，并且参考附图中所指示的方向被描述。
44.应当理解，术语“包括”或“具有”旨在指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合在本公开中的存在，但不排除一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或添加。
45.除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地定义，否则它们不以理想的或过于形式化的含义来解释。
46.如本文中所使用的“约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内，或者在所述
值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
47.在下文中，将参考附图描述根据实施方式的窗及包括其的显示装置。图1是示出根据实施方式的显示装置的立体图。
48.显示装置dd可以是根据电信号而被激活的装置。显示装置dd可以是柔性装置。例如，显示装置dd可以是便携式电子装置、平板计算机、汽车导航系统、游戏控制台、个人计算机、膝上型计算机或可穿戴装置，但不限于此。在图1中，便携式电子装置被呈现为显示装置dd的示例。
49.显示装置dd可以通过显示表面is显示图像im。显示表面is可以包括显示区域da以及与显示区域da相邻的非显示区域nda。非显示区域nda可以是其中不显示图像的部分。然而，本发明的实施方式不限于此，并且在另一实施方式中可以省略非显示区域nda。显示表面is可以包括由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面。
50.在本文中，第一方向轴dr1和第二方向轴dr2可以彼此垂直，并且第三方向轴dr3可以是由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面的法线方向。显示装置dd的厚度方向可以平行于第三方向轴dr3。在本文中构成显示装置dd的构件的上表面(或前表面)和下表面(或后表面)可以相对于第三方向轴dr3限定。
51.如本文中所描述的，由第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3指示的方向是相对的概念，并且因此可以改变为其他方向。此外，由第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3指示的方向可以被描述为第一方向、第二方向和第三方向，并且可以使用相同的附图标记。
52.图2是根据实施方式的显示装置的分解立体图。显示装置dd可以包括显示模块dm以及设置在显示模块dm的上部分和下部分中的至少一个上的窗wm。在图2中，窗wm被示出为设置在显示模块dm的上方，但这是作为示例给出的，并且窗wm可以设置在显示模块dm的上方和下方两处。
53.此外，显示装置dd还可以包括容纳显示模块dm的壳体hau。在图1和图2中所示的显示装置dd中，窗wm和壳体hau可以结合在一起从而形成显示装置dd的外观。壳体hau可以设置在显示模块dm的下方。壳体hau可以包括具有相对较高刚度的材料。例如，壳体hau可以包括由玻璃、塑料或金属形成的多个框架和/或板。壳体hau可以提供用于容纳的预定场所。显示模块dm可以容纳在容纳场所中以被保护而免受外部冲击的影响。
54.显示模块dm可以根据电信号而被激活。显示模块dm可以被激活从而在显示装置dd的显示表面is上显示图像im。此外，显示模块dm可以被激活从而检测施加到上表面的外部输入。外部输入可以包括用户的触摸、无形物体的接触或接近、压力、光或热量，并且不限于任一个实施方式。
55.显示模块dm可以包括有源区域aa和周边区域naa。有源区域aa可以是提供图像im(图1)的部分。在有源区域aa中，可以设置有像素px。周边区域naa可以与有源区域aa相邻。周边区域naa可以覆盖有源区域aa。用于驱动有源区域aa的驱动电路、驱动线等可以设置在周边区域naa中。
56.显示模块dm可以包括多个像素px。像素px中的每个可以响应于电信号而显示光。由像素px显示的光可以实现图像im。像素px中的每个可以包括显示元件。例如，显示元件可以是有机发光元件、量子点发光元件、电泳元件、电润湿元件等。
57.窗wm可以包括透射区域ta和边框区域bza。透射区域ta可以在第三方向dr3上与显示模块dm的有源区域aa的至少一部分重叠。透射区域ta可以是光学透明区域。例如，透射区域ta可以具有相对于可见光范围的波长的约90％或更大的透射率。图像im可以通过透射区域ta被提供给用户，并且用户可以通过图像im接收信息。
58.边框区域bza可以是具有比透射区域ta相对较低的光透射率的部分。边框区域bza可以限定透射区域ta的形状。边框区域bza可以与透射区域ta相邻并且可以围绕透射区域ta。
59.边框区域bza可以具有预定的颜色。边框区域bza可以覆盖显示模块dm的周边区域naa，从而防止周边区域naa从外部被看到。然而，这仅仅是作为示例给出的，并且在根据实施方式的窗wm中，可以省略边框区域bza。
60.图3是示出根据实施方式的窗wm的剖视图。窗wm可以包括玻璃衬底gl，且玻璃衬底gl可以不包括li
+
离子并且可以包括k
+
离子。玻璃衬底gl可以在将稍后描述的根据实施方式的制造窗的方法中被强化。在实施方式中，包括被强化的玻璃衬底gl的窗wm可以包括其中na
+
离子被k
+
离子取代的玻璃衬底gl。因此，包括k
+
离子的玻璃衬底gl可以表现出提高的压缩应力，且包括玻璃衬底gl的窗wm可以表现出优异的强度。
61.参考图3，玻璃衬底gl可以包括上表面fs和面对上表面fs的下表面rs。玻璃衬底gl的上表面fs可以暴露于显示装置dd的外部，并且可以限定窗wm的上表面和显示装置dd的上表面。
62.窗wm还可以包括设置在玻璃衬底gl的下表面rs上的印刷层bz。印刷层bz可以通过印刷或沉积工艺形成在玻璃衬底gl的下表面rs上，并且印刷层bz可以直接设置在玻璃衬底gl的下表面rs上。
63.印刷层bz可以设置在玻璃衬底gl的下表面rs上从而限定边框区域bza。印刷层bz可以具有比玻璃衬底gl相对更低的光透射率。例如，印刷层bz可以具有预定的颜色。因此，印刷层bz可以选择性地仅透射/反射特定颜色的光。在另一实施方式中，印刷层bz可以是用于吸收入射光的光阻挡层。可以根据显示装置dd的类型和形状而不同地提供印刷层bz的光透射率和颜色。
64.图4是示出与图2的线i-i'对应的部分的视图。图4在根据实施方式的窗wm中更详细地示出了玻璃衬底gl。
65.窗wm可以包括不包含li
+
离子并且包含k
+
离子的玻璃衬底gl。玻璃衬底gl可以是包括由al2o3和sio2形成的铝硅酸盐框架的玻璃。在实施方式中，玻璃衬底gl还可以包含na
+
离子和mg
2+
离子中的至少一种。当玻璃衬底gl包括na
+
离子和k
+
离子时，相对于玻璃衬底gl的压缩应力层csl中的离子的总数量，k
+
离子的数量可以大于na
+
离子的数量。根据实施方式的窗wm可以通过将稍后描述的根据实施方式的制造窗的方法形成。通过根据实施方式的制造窗的方法形成的窗wm可以包括根据深度而具有不同的压缩应力值的压缩应力层csl。在通过根据实施方式的制造窗的方法形成的窗wm中，在压缩应力层csl中，k
+
离子的数量可以大于na
+
离子的数量。
66.根据实施方式的玻璃衬底gl可以包括基础层bs和压缩应力层csl。压缩应力层csl可以设置在基础层bs的上表面和下表面中的至少一个上，且图4示出了压缩应力层csl设置在基础层bs的上表面和下表面两者上。然而，这仅仅是示例，并且压缩应力层csl可以仅设
置在基础层bs的上表面和基础层bs的下表面中的一个上。基础层bs的上表面和基础层bs的下表面可以在第三方向dr3上彼此面对。
67.基础层bs和压缩应力层csl可以彼此接触。基础层bs可以具有零的压缩应力值。压缩应力层csl可以被限定为具有超过零的压缩应力值的层。在基础层bs和压缩应力层csl之间的界面if处，压缩应力可以是零。
68.相对于玻璃衬底gl的总厚度th-w的100％，压缩应力层csl的厚度th-c可以是约13％至21％。例如，相对于玻璃衬底gl的总厚度th-w的100％，压缩应力层csl的厚度th-c可以是约13％至16％。可替代地，相对于玻璃衬底gl的总厚度th-w的100％，压缩应力层csl的厚度th-c可以是约16％至21％。
69.玻璃衬底gl的总厚度th-w可以是约500微米(μm)至700μm。压缩应力层csl的厚度th-c可以是约80μm至100μm。包括相对于玻璃衬底gl的总厚度th-w的100％具有约13％至21％的厚度的压缩应力层csl的窗wm可以表现出优异的强度。另一方面，相对于玻璃衬底的总厚度的100％，包括具有小于13％的厚度的压缩应力层的窗表现出小的强度，并且该窗表现出易受外部冲击的影响的特性。
70.压缩应力层csl可以包括具有第一压缩应力变化率的第一区域a10、具有第二压缩应力变化率的第二区域a20以及具有从第一压缩应力变化率增加到第二压缩应力变化率的第三压缩应力变化率的拐点区域a30。第一区域a10可以与基础层bs接触，且拐点区域a30可以与基础层bs间隔开而第一区域a10介于拐点区域a30和基础层bs之间。第二区域a20可以是设置在玻璃衬底gl的上表面fs和/或玻璃衬底gl的下表面rs处的部分。
71.拐点区域a30可以形成在第一区域a10和第二区域a20之间。第一压缩应力变化率和第二压缩应力变化率中的每个可以被限定为根据厚度方向(即，第三方向dr3)上的深度的压缩应力变化率。从窗wm的表面到拐点区域a30的最小深度可以是约15μm至30μm。根据实施方式的窗wm可以包括具有约15μm至30μm的最小深度的拐点区域a30，从而表现出提高的强度。
72.本文中的压缩应力变化率可以被限定为根据厚度方向上的深度的压缩应力变化率。也就是说，在其中深度是水平轴并且压缩应力是竖直轴的曲线图中，压缩应力变化率可以被限定为斜率的绝对值。在其中深度是水平轴并且压缩应力是竖直轴的曲线图中，根据深度变化的压缩应力变化可以被定义为压缩应力变化率。在水平轴上具有零值的点可以是玻璃衬底gl的上表面fs或下表面rs。
73.图5是示意性地示出在根据实施方式的压缩应力层csl中根据深度的压缩应力的曲线图。在图5中，竖直轴是压缩应力值，水平轴是在厚度方向上指示的深度，以及深度为零的点是玻璃衬底gl的上表面fs或下表面rs。在图5中，深度可以按照第二区域a20、拐点区域a30和第一区域a10的顺序增加，并且压缩应力值可以按照第二区域a20、拐点区域a30和第一区域a10的顺序减小。也就是说，第二区域a20中的压缩应力值可以大于第一区域a10中的压缩应力值和拐点区域a30中的压缩应力值中的每个。第一区域a10中的压缩应力值可以小于第二区域a20中的压缩应力值和拐点区域a30中的压缩应力值中的每个。在图5中，比第一区域a10深的区域可以对应于基础层bs(图4)。
74.第二区域a20可以在根据深度的压缩应力曲线图中具有第二斜率sl20。第二斜率sl20对应于第二区域a20的第二压缩应力变化率。第二斜率sl20可以在图5中所示的第二区
域a20中指示任一个点p20的瞬时变化率。也就是说，第二斜率sl20可以是图5中所示的第二区域a20中的任一个点p20的切线斜率。第二区域a20的第二斜率sl20的绝对值可以大于第一区域a10的第一斜率sl10的绝对值。
75.第一区域a10可以在根据深度的压缩应力曲线图中具有第一斜率sl10。第一斜率sl10对应于第一区域a10的第一压缩应力变化率。第一斜率sl10可以在图5中所示的第一区域a10中指示任一个点p10的瞬时变化率。也就是说，第一斜率sl10可以是图5中所示的第一区域a10中的任一个点p10的切线斜率。
76.第二压缩应力变化率可以是第一压缩应力变化率的至少5倍。也就是说，图5中所示的第二斜率sl20可以是第一斜率sl10的至少约5倍。在另一示例中，第二斜率sl20可以是第一斜率sl10的至少约10倍或至少约20倍。例如，图5中所示的第二斜率sl20可以是约3.03，且第一斜率sl10可以是约0.13。然而，这仅仅是示例，且第一区域a10中的第一斜率sl10的值和第二区域a20中的第二斜率sl20的值不限于此。
77.拐点区域a30可以具有从第一压缩应力变化率增加到第二压缩应力变化率的第三压缩应力变化率。在拐点区域a30中通过astm c770-16的方法测量的压缩应力可以是约120兆帕(mpa)或更大。例如，在拐点区域a30中通过astm c770-16的方法测量的压缩应力可以小于约600mpa。如本文中所使用的，astm c770-16的方法是用于测量玻璃应力-光学系数的国际公布的标准测试方法的名称(参见http://www.astm.org/c0770-16r20.html)。
78.拐点区域a30的最小深度dt_a30可以是约15μm至30μm。拐点区域a30的最小深度dt_a30可以被限定为在厚度方向(即，第三方向dr3)上从窗wm的表面到拐点区域a30的最小深度。窗wm的表面可以对应于图5中深度为零的点，并且窗wm的表面可以是玻璃衬底gl的上表面fs(图3)或玻璃衬底gl的下表面rs(图3)。
79.拐点区域a30的最小深度dt_a30可以与第二区域a20的厚度相同。例如，当拐点区域a30的最小深度dt_a30为约15μm时，具有约0至15μm深度的区域可以是第二区域a20。可替代地，当拐点区域a30的最小深度dt_a30为约30μm时，具有约0至30μm的深度的区域可以是第二区域a20。
80.第二区域a20中的压缩应力的最大值可以是约600mpa至1000mpa，且压缩应力可以通过astm c770-16的方法测量。第二区域a20中的压缩应力的最大值可以是深度为零的点处的压缩应力值。此外，压缩应力值随着压缩应力层的深度增加而减小，并且因此第二区域a20中的压缩应力的最大值可以是压缩应力层中的压缩应力的最大值。在图5中，具有零的深度的点可以具有约600mpa至1000mpa的压缩应力。玻璃衬底gl的表面(即，上表面fs和/或下表面rs)上的压缩应力可以是约600mpa至1000mpa。
81.在压缩应力层csl中，具有约30μm的深度的点可以具有如通过astm c770-16的方法测量的约70mpa或更大的压缩应力。在压缩应力层csl中具有约30μm的深度的点可以包括在拐点区域a30或第一区域a10中。例如，在压缩应力层csl的深度为约30μm的点处，压缩应力可以是约72mpa至134mpa。然而，这是作为示例给出的，且本发明的实施方式不限于此。
82.此外，在压缩应力层csl中，具有约50μm的深度的点可以具有如通过astm c770-16的方法测量的约50mpa或更大的压缩应力。在压缩应力层csl中具有约50μm的深度的点可以包括在拐点区域a30或第一区域a10中。例如，在压缩应力层csl的深度为约50μm的点处，压缩应力可以是约58mpa至81mpa。然而，这是作为示例给出的，且本发明的实施方式不限于
此。
83.当根据实施方式的压缩应力层csl中的压缩应力值满足预定的范围时，包括压缩应力层csl的窗wm可以表现出提高的强度。此外，包括根据实施方式的窗wm的显示装置dd可以表现出优异的可靠性。
84.根据实施方式的窗可以通过根据实施方式的制造窗的方法形成。图6是示出根据实施方式的制造窗的方法的流程图，且图7a至图8示意性地示出了根据实施方式的制造窗的方法的过程。在下文中，在参考图6至图8进行的对根据实施方式的制造窗的方法的描述中，将不再描述与上面参考图1至图5描述的内容重叠的内容，并且将主要描述差异。
85.根据实施方式的制造窗的方法可以包括：准备第一预备玻璃衬底(s100)、由第一预备玻璃衬底形成第二预备玻璃衬底(s200)、由第二预备玻璃衬底形成第三预备玻璃衬底(s300)以及由第三预备玻璃衬底形成窗(s400)。此外，根据实施方式的制造窗的方法还可以包括：在形成第二预备玻璃衬底(s200)和形成第三预备玻璃衬底(s300)之间、在形成第三预备玻璃衬底(s300)和由第三预备玻璃衬底形成窗(s400)之间以及形成窗(s400)之后分别进行清洁和/或冷却。
86.图7a至图7c示意性地示出了根据实施方式的制造窗的方法的每个过程中的离子的移动。图7a示出了向第一预备玻璃衬底提供第一强化熔盐从而形成第二预备玻璃衬底(s200)。第一预备玻璃衬底p1-wm可以不包含li
+
离子并且可以包括na
+
离子。第一预备玻璃衬底p1-wm可以是包括由al2o3和sio2形成的铝硅酸盐框架的玻璃。此外，第一预备玻璃衬底p1-wm还可以包括k
+
离子和mg
2+
离子中的至少一种。
87.不包含li
+
离子的第一预备玻璃衬底p1-wm可以以比包含li
+
离子的第一预备玻璃衬底更低的价格购买。因此，在实施方式中，包括准备不包含li
+
离子的第一预备玻璃衬底p1-wm的制造窗的方法可以降低成本。
88.可以通过向第一预备玻璃衬底p1-wm提供第一强化熔盐sa-1来形成第二预备玻璃衬底p2-wm(图7b)。可以在约450摄氏度(℃)至500℃的温度下提供第一强化熔盐sa-1约3小时至9小时。例如，可以在约500℃下提供第一强化熔盐sa-1约3小时至7小时。
89.在实施方式中，第一强化熔盐sa-1可以包括kno3、kcl和k2so4中的至少一种以及nano3。也就是说，第一强化熔盐sa-1可以包含na
+
离子和k
+
离子。
90.相对于第一强化熔盐sa-1的总重量，第一强化熔盐sa-1可以包含约20重量百分比(wt％)至40wt％的量的nano3，并且可以包含约60wt％至80wt％的量的kno3、kcl和k2so4中的至少一种。相对于第一强化熔盐sa-1的总重量，可以以约60wt％至80wt％的量提供包括k
+
离子的盐。例如，相对于第一强化熔盐sa-1的总重量，第一强化熔盐sa-1可以包含约30wt％的nano3和约70wt％的kno3。
91.可以提供包括在第一强化熔盐sa-1中的na
+
离子以形成具有较大厚度的压缩应力层csl(图4)。与第一强化熔盐不包含na
+
离子的情况相比，当第一强化熔盐sa-1包含na
+
离子时，可以形成具有较大厚度的压缩应力层csl(图4)。
92.第一强化熔盐sa-1的k
+
离子可以与第一预备玻璃衬底p1-wm的表面ss-1的na
+
离子进行交换。具有相对大的离子半径的k
+
离子和具有相对小的离子半径的na
+
离子可以进行交换。
93.因此，第一强化熔盐sa-1的k
+
离子可以移动到第一预备玻璃衬底p1-wm中。第一预
备玻璃衬底p1-wm的表面ss-1可以包括第一预备玻璃衬底p1-wm的上表面和/或下表面。此外，第一预备玻璃衬底p1-wm的表面ss-1可以包括第一预备玻璃衬底p1-wm的暴露于外部的外表面。
94.第一预备玻璃衬底p1-wm的na
+
离子可以与k
+
离子进行交换从而形成第二预备玻璃衬底p2-wm。在包括k
+
离子的第二预备玻璃衬底p2-wm中，表面ss-2的压缩应力可以大于第一预备玻璃衬底p1-wm的表面ss-1的压缩应力。
95.图7b示出了向第二预备玻璃衬底提供热量从而形成第三预备玻璃衬底(s300)。通过向第二预备玻璃衬底p2-wm提供热量et，na
+
离子和k
+
离子可以在第二预备玻璃衬底p2-wm内移动。参考图7b，na
+
离子和k
+
离子可以在第二预备玻璃衬底p2-wm内在相反的方向上移动。na
+
离子和k
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离子中的每个可以根据化学势之差而移动。也就是说，na
+
离子可以从具有大量na
+
离子的区域移动到具有少量na
+
离子的区域，且k
+
离子可以从具有大量k
+
离子的区域移动到具有少量k
+
离子的区域。
96.k
+
离子可以从表面ss-2移动到第二预备玻璃衬底p2-wm的内表面ie，且na+离子可以从内表面ie移动到第二预备玻璃衬底p2-wm的表面ss-2。第二预备玻璃衬底p2-wm的表面ss-2可以包括第二预备玻璃衬底p2-wm的暴露于外部的外表面。第二预备玻璃衬底p2-wm的内表面ie不暴露于外部，并且可以被第二预备玻璃衬底p2-wm的表面ss-2围绕。
97.在实施方式中，向第二预备玻璃衬底p2-wm提供热量et可以在约400℃至500℃的温度下执行约3小时至7小时。当在约400℃至500℃的温度下提供热量et约3小时至7小时时，可以形成具有约80μm至100μm的厚度th-c的压缩应力层csl(图4)。通过在小于约400℃的温度下或在大于约500℃的温度下提供热量来形成的窗可能形成为具有厚度小于约80μm的压缩应力层。包括具有小于约80μm的厚度的压缩应力层的窗具有小的强度，并且因此可能易受外部冲击的影响。
98.根据实施方式的制造窗的方法包括向第二预备玻璃衬底p2-wm提供热量et从而形成第三预备玻璃衬底p3-wm(s300)，并且因此可以形成较深的压缩应力层csl(图4)。根据实施方式的制造窗的方法包括在约400℃至500℃的温度下提供热量et约3小时至7小时，并且因此可以形成具有约80μm至100μm的厚度th-c的压缩应力层csl(图4)。因此，包括通过根据实施方式的制造窗的方法形成的压缩应力层csl(图4)的窗wm(图2)可以表现出提高的强度。包括通过根据实施方式的制造窗的方法形成的窗wm(图2)的显示装置dd包括具有不同压缩应力变化率的区域(即，第一区域a10、第二区域a20和拐点区域a30)，并且因此可以表现出优异的可靠性。
99.图7c示出了由第三预备玻璃衬底形成窗(s400)。可以通过向第三预备玻璃衬底p3-wm提供第二强化熔盐sa-2来形成窗wm(图2)。可以由第三预备玻璃衬底p3-wm形成包括根据实施方式的玻璃衬底gl(图4)的窗wm(图2)。
100.可以在约380℃至420℃的温度下向第三预备玻璃衬底p3-wm提供第二强化熔盐sa-2约1小时至2小时。例如，可以在约420℃下向第三预备玻璃衬底p3-wm提供第二强化熔盐sa-2约1小时至2小时。通过提供第二强化熔盐sa-2小于1小时来形成的窗在距窗的表面约30μm的深度处表现出小于约70mpa的压缩应力。此外，通过提供第二强化熔盐sa-2小于1小时来形成的窗在距窗的表面约50μm的深度处表现出小于约50mpa的压缩应力。
101.在实施方式中，通过在约380℃至420℃的温度下提供第二强化熔盐sa-2约1小时
至2小时来形成的窗wm(图2)可以在距窗的表面约30μm的深度处具有约70mpa或更大的压缩应力并且在距窗的表面约50μm的深度处具有约50mpa或更大的压缩应力。因此，通过在约380℃至420℃的温度下提供第二强化熔盐sa-2约1小时至2小时来形成的窗wm(图2)可以表现出提高的强度，且包括窗wm(图2)的显示装置dd可以表现出优异的可靠性。
102.第二强化熔盐sa-2可以不包含nano3，并且可以包含kno3、kcl和k2so4中的至少一种。也就是说，第二强化熔盐sa-2可以不包含na
+
离子并且可以包含k
+
离子。第二强化熔盐sa-2的k
+
离子可以与第三预备玻璃衬底p3-wm的表面ss-3的na
+
离子进行交换。第三预备玻璃衬底p3-wm的表面ss-3上的na
+
离子可以包括来自第二预备玻璃衬底p2-wm的、由于热量et而移动的na
+
离子。
103.在提供第二强化熔盐sa-2之前的第三预备玻璃衬底p3-wm可以处于表面ss-3的压缩应力降低的状态。k
+
离子移动到内表面ie(图7b)，并且因此第三预备玻璃衬底p3-wm可能处于表面ss-3的压缩应力降低的状态。向第三预备玻璃衬底p3-wm提供第二强化熔盐sa-2，并且因此可以增加第三预备玻璃衬底p3-wm的表面ss-3的压缩应力。包括通过交换k
+
离子与第三预备玻璃衬底p3-wm的na
+
离子来形成的玻璃衬底gl(图4)的窗wm(图2)可以表现出提高的强度。
104.根据实施方式的制造窗的方法还可以包括在玻璃衬底gl(图4)的一个表面上形成印刷层bz(图3)。如上所述，印刷层bz(图3)可以通过印刷工艺或沉积工艺形成在玻璃衬底gl(图4)的下表面rs上。
105.图8示出了由第一预备玻璃衬底形成第二预备玻璃衬底(s200)和由第三预备玻璃衬底形成窗(s400)。在图8中，预备玻璃衬底p-wm可以是第一预备玻璃衬底p1-wm(图7a)或第三预备玻璃衬底p3-wm(图7c)。
106.强化处理单元hu可以用于向预备玻璃衬底p-wm提供第一强化熔盐sa-1(图7a)和第二强化熔盐sa-2(图7c)。可以使用强化处理单元hu将预备玻璃衬底p-wm浸入熔融溶液ml中。熔融溶液ml可以包括第一强化熔盐sa-1(图7a)或第二强化熔盐sa-2(图7c)。
107.强化处理单元hu可以包括：包含熔融溶液ml的槽ht、围绕槽ht设置并且用于向槽ht中的熔融溶液ml施加热量的加热器hp、用于固定和竖直移动预备玻璃衬底p-wm以将预备玻璃衬底p-wm浸入熔融溶液ml中的驱动器hd以及用于控制强化处理单元hu的操作的控制器hc。控制器hc可以控制包含在槽ht中的熔融溶液ml的温度。
108.例如，控制器hc可以控制加热器hp以预定温度加热熔融溶液ml并将熔融溶液ml的温度保持在加热后的温度。加热器hp可以用来提供热量以加热熔融溶液ml，或起到保持所加热的熔融溶液ml的温度的绝热体的作用。预备玻璃衬底p-wm可以设置成使得其整体浸入熔融溶液ml中。在图8中，示出了两个预备玻璃衬底p-wm被提供给强化处理单元hu，但这仅仅是示例，且可以提供一个预备玻璃衬底p-wm或者三个或更多个预备玻璃衬底p-wm。
109.制造窗的方法可以包括：向不包含li
+
离子的第一预备玻璃衬底提供第一强化熔盐从而形成第二预备玻璃衬底；向第二预备玻璃衬底提供热量从而形成第三预备玻璃衬底；以及向第三预备玻璃衬底提供第二强化熔盐从而形成窗。在向第二预备玻璃衬底提供热量从而形成第三预备玻璃衬底的过程中，可以在约400℃至500℃的温度下提供热量约3小时至7小时的时间。因此，通过根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以包括具有距窗的表面深的深度的压缩应力层。包括深的压缩应力层的窗可以表现出提高的强度。此外，根
据实施方式的制造窗的方法包括准备不包括li
+
离子的第一预备玻璃衬底，并且因此可以降低制造成本。
110.在下文中，参考实施例和比较例，将具体描述根据本发明的实施方式的窗。此外，下面示出的实施例仅为了理解本发明而给出，且本发明的范围不限于此。
111.图9至图15是示出在比较例和实施例的窗中根据深度的压缩应力的曲线图，且根据深度的压缩应力使用来自日本折原实业有限公司(orihara industrial co.,ltd)的fsm-6000le通过astm c770-16的方法测量。在图9至图15的曲线图中，具有0的深度的点对应于窗的表面。使用来自日本电动玻璃(nippon electric glass)的t2x-1(包括sio2(62.1wt％)、al2o3(17.7wt％)、b2o3(0.39wt％)、mgo(2.87wt％)、cao(0.09wt％)、zro2(0.02wt％)、na2o(14.1wt％)、k2o(2.13wt％)和fe2o3(0.01wt％))作为第一预备玻璃衬底来制造了比较例和实施例的窗。
112.图9是示出在比较例ca1和比较例ca2以及实施例ea的窗中根据深度的压缩应力的曲线图。比较例ca1和比较例ca2以及实施例ea的窗在制造窗的方法上不同。比较例ca1的窗通过包括提供第一强化熔盐并且不包括提供热量和提供第二强化熔盐的窗制造方法形成。比较例ca2的窗通过包括提供第一强化熔盐和第二强化熔盐并且不包括提供热量的窗制造方法形成。实施例ea的窗通过包括提供第一强化熔盐、提供热量以及提供第二强化熔盐的根据实施方式的窗制造方法形成。实施例ea的窗通过在约480℃下提供热量7小时来形成。在比较例ca1和比较例ca2以及实施例ea中，制造窗的方法仅在包括各个过程方面不同，并且在相同的条件下应用了强化熔盐以及提供强化熔盐的温度/时间。
113.参考图9，可以看出，实施例ea的窗包括第一区域a10、第二区域a20和拐点区域a30。在实施例ea的窗中，可以看出，拐点区域a30具有距窗的表面约20μm的最小深度。可以看出，在实施例ea的窗中包括第一区域a10、第二区域a20和拐点区域a30的压缩应力层具有约90μm至100μm的厚度。因此，通过包括提供热量的根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以包括具有距窗的表面约15μm至30μm的最小深度的拐点区域a30。此外，通过包括提供热量的根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以包括具有约80μm至100μm的厚度的压缩应力层。
114.可以看出，与实施例ea的窗相比，通过不包括提供热量和提供第二强化熔盐的窗制造方法形成的比较例ca1的窗不包括拐点区域和第二区域。可以看出，在比较例ca1的窗中，压缩应力层具有小于约40μm的深度。其中压缩应力层具有小于约40μm的深度的比较例ca1的窗表现出比其中压缩应力层具有80μm或更大的深度的实施例ea的窗小的强度。
115.可以看出，通过不包括提供热量的窗制造方法形成的比较例ca2的窗包括第一区域a10-c、第二区域a20-c和拐点区域a30-c，但是在比较例ca2的窗中，第二区域a20-c非常薄，并且拐点区域a30-c具有约10μm或更小的最小深度。其中示出相对高的压缩应力值的第二区域a20-c较薄的比较例ca2的窗表现出比实施例ea的窗小的强度。
116.在图10中，比较例cb和实施例eb的窗仅在制造方法中包括提供热量方面不同。比较例cb的窗通过包括提供第一强化熔盐和第二强化熔盐并且不包括提供热量的窗制造方法形成。实施例eb的窗通过包括提供第一强化熔盐、提供热量以及提供第二强化熔盐的根据实施方式的窗制造方法形成。除了在窗制造方法中提供热量之外，比较例cb和实施例eb的窗以相同的方式形成。
117.在图10中，比较例cb的窗在约30μm的深度处表现出约130mpa的压缩应力，并且在约50μm的深度处表现出约56mpa的压缩应力。然而，可以看出，在比较例cb的窗中，压缩应力层具有约70μm的厚度。也就是说，可以看出，比较例cb的窗具有厚度小于约80μm的压缩应力层。
118.在图10中，实施例eb的窗在距窗的表面30μm的深度处表现出约72mpa的压缩应力，并且在50μm的深度处表现出59mpa的压缩应力。可以看出，实施例eb的窗具有在约15μm至30μm的深度处形成的拐点区域。可以看出，在实施例eb的窗中，压缩应力层具有约90μm或更大的厚度。也就是说，实施例eb的窗满足根据实施方式的压缩应力层的厚度范围和拐点区域的最小深度。因此，可以认为，通过包括提供热量的根据实施方式的窗制造方法形成的窗包括具有约15μm至30μm的最小深度和约80μm至100μm的厚度的压缩应力层，从而表现出提高的强度。
119.在图11中，比较例cc1至比较例cc3以及实施例ec1和实施例ec2的窗通过其中提供热量时的温度不同的窗制造方法形成。比较例cc1至比较例cc3的窗通过在高于约500℃的温度下提供热量来形成，且比较例cc1的窗通过在约510℃下提供热量来形成。比较例cc2的窗通过在约520℃下提供热量来形成，且比较例cc3的窗通过在约530℃下提供热量来形成。实施例ec1和实施例ec2的窗通过在约400℃至500℃的温度下提供热量来形成。实施例ec1的窗通过在约480℃下提供热量来形成，且实施例ec2的窗通过在约500℃下提供热量来形成。除了在窗制造方法中提供热量时的温度之外，比较例cc1至比较例cc3以及实施例ec1和实施例ec2的窗以相同的方式形成。
120.在图11中，实施例ec1的窗在30μm的深度处表现出94mpa的压缩应力，并且在50μm的深度处表现出64mpa的压缩应力。比较例cc1的窗在30μm的深度处表现出74mpa的压缩应力，并且在50μm的深度处表现出49mpa的压缩应力。
121.参考图11，可以看出，在实施例ec1和实施例ec2的窗中，压缩应力层具有约80μm至100μm的厚度。可以看出，在比较例cc2和比较例cc3的窗中，压缩应力层具有小于约30μm的厚度。因此，通过包括在约400℃至500℃的温度下提供热量的根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以包括具有约80μm至100μm的厚度的压缩应力层。在实施方式中，包括具有约80μm至100μm的厚度的压缩应力层的窗可以表现出提高的强度。
122.在图12中，比较例cd1和比较例cd2以及实施例ed的窗通过其中提供热量时的温度不同的窗制造方法形成。除了在窗制造方法中提供热量时的温度之外，比较例cd1和比较例cd2以及实施例ed的窗以相同的方式形成。
123.比较例cd1的窗通过在约100℃下提供热量来形成，比较例cd2的窗通过在约300℃下提供热量来形成，以及实施例ed的窗通过在约480℃下提供热量来形成。也就是说，实施例ed的窗通过在作为根据实施方式的窗制造方法中提供热量的温度范围的约400℃至500℃的温度下提供热量来形成。
124.下面的表1具体示出了在图12的比较例cd1和比较例cd2以及实施例ed的窗中的压缩应力、拐点区域的最小深度和压缩应力层的厚度。在表1中，cs指示窗的表面上的压缩应力，cs30指示距窗的表面约30μm的深度处的压缩应力，以及cs50指示距窗的表面约50μm的深度处的压缩应力。
125.[表1]
[0126][0127][0128]
参考表1，可以看出，比较例cd1和比较例cd2以及实施例ed的窗在窗的表面上具有约600mpa至1000mpa的压缩应力，满足根据实施方式的压缩应力层的第二区域中的压缩应力的最大值的范围。可以看出，比较例cd1和比较例cd2以及实施例ed的窗在约30μm的深度处具有约70mpa或更大的压缩应力，其满足根据实施方式的在距窗的表面约30μm的深度处的压缩应力值的范围。可以看出，比较例cd1和实施例ed的窗在约50μm的深度处具有约50mpa或更大的压缩应力，其满足根据实施方式的在距窗的表面约50μm的深度处的压缩应力值的范围。可以看出，在比较例cd1和比较例cd2以及实施例ed的窗中，拐点区域的最小深度为约15μm至30μm，其满足根据实施方式的拐点区域的最小深度范围。
[0129]
可以看出，在比较例cd1和比较例cd2的窗中，压缩应力层具有小于约80μm的厚度。可以看出，与比较例cd1和比较例cd2的窗相比，在实施例ed的窗中，压缩应力层具有约80μm或更大的厚度。也就是说，实施例ed的窗满足根据实施方式的压缩应力层的厚度范围。因此，通过包括在约400℃至500℃的温度下提供热量的根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以包括具有约80μm至100μm的厚度的压缩应力层。包括具有约80μm至100μm的厚度的压缩应力层的窗可以表现出提高的强度，包括具有较大厚度的压缩应力层。
[0130]
在图13中，实施例ee1至实施例ee4的窗通过其中提供热量时的温度和/或时间不同的窗制造方法形成。实施例ee1的窗通过在约480℃下提供热量约3小时来形成，且实施例ee2的窗通过在约480℃下提供热量约7小时来形成。实施例ee3的窗通过在约500℃下提供热量约3小时来形成，且实施例ee4的窗通过在约500℃下提供热量约7小时来形成。也就是说，实施例ee1至实施例ee4的窗通过满足根据实施方式的提供热量时的温度和时间范围的窗制造方法形成。除了提供热量时的温度和/或时间之外，实施例ee1至实施例ee4的窗以相同的方式形成。
[0131]
参考图13，可以看出，实施例ee1至实施例ee4的窗具有类似的、根据距窗的表面的深度的压缩应力的趋势。可以看出，实施例ee1至实施例ee4的窗在窗的表面(即，0μm的深度)上具有约700mpa的压缩应力的最大值，其满足根据实施方式的在窗的表面上的约600mpa至1000mpa的压缩应力的范围。此外，可以看出，在实施例ee1至实施例ee4的窗中，压缩应力层具有约80μm至100μm的厚度。因此，通过包括在约400℃至500℃的温度下提供热量约3小时至7小时的时间的根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以表现出提高的强度。
[0132]
在图14中，实施例ef1和实施例ef2的窗通过根据实施方式的制造窗的方法形成，
且实施例ef1和实施例ef2的窗与提供第二强化熔盐时的温度不同的情况对应。实施例ef1的窗通过在约390℃下提供第二强化熔盐来形成，且实施例ef2的窗通过在约420℃下提供第二强化熔盐来形成。除了提供第二强化熔盐时的温度之外，实施例ef1和实施例ef2的窗以相同的方式形成。
[0133]
在图14中，实施例ef1的窗在30μm的深度处表现出87.64mpa的压缩应力，并且在50μm的深度处表现出58.72mpa的压缩应力。实施例ef2的窗在30μm的深度处表现出94mpa的压缩应力，并且在50μm的深度处表现出64mpa的压缩应力。也就是说，实施例ef1和实施例ef2的窗在30μm和50μm的深度处满足根据实施方式的压缩应力。
[0134]
参考图14，可以看出，实施例ef1和实施例ef2的窗包括具有约80μm至100μm的厚度的压缩应力层，并且在拐点区域中的最小深度为约15μm至30μm。因此，通过包括在约380℃至420℃的温度下提供第二强化熔盐的根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以表现出提高的强度。
[0135]
在图15中，比较例cg以及实施例eg1至实施例eg3的窗通过其中提供第二强化熔盐时的时间不同的窗制造方法形成。比较例cg的窗通过提供第二强化熔盐30分钟来形成。实施例eg1至实施例eg3的窗通过提供第二强化熔盐约1小时至2小时来形成，且实施例eg1的窗通过提供第二强化熔盐75分钟来形成。实施例eg2的窗通过提供第二强化熔盐100分钟来形成，且实施例eg3的窗通过提供第二强化熔盐120分钟来形成。除了提供第二强化熔盐时的时间之外，比较例cg以及实施例eg1至实施例eg3的窗以相同的方式形成。
[0136]
参考图15，可以看出，实施例eg1至实施例eg3的窗在表面(即，0μm的深度)上具有约600mpa至1000mpa的压缩应力。相反，可以看出，比较例cg的窗在表面上具有小于约600mpa的压缩应力。此外，可以看出，比较例cg的窗在约30μm的深度处表现出比实施例eg1至实施例eg3的窗小的压缩应力。因此，通过包括提供第二强化熔盐约1小时至2小时的根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以在表面上表现出提高的压缩应力值。
[0137]
根据实施方式的显示装置可以包括显示模块和设置在显示模块的上部分和下部分中的至少一个上的窗。窗可以包括不包含li
+
离子并且包含k
+
离子的玻璃衬底。窗可以包括包含第一区域、第二区域以及形成在第一区域和第二区域之间的拐点区域的压缩应力层。第一区域可以具有第一压缩应力变化率，第二区域可以具有大于第一压缩应力变化率的第二压缩应力变化率，以及拐点区域可以具有从第一压缩应力变化率增加到第二压缩应力变化率的第三压缩应力变化率。压缩应力变化率可以被限定为根据深度的压缩应力变化率。在实施方式中，在厚度方向上，从窗的表面到拐点区域的最小深度可以是约15μm至30μm，并且压缩应力层可以具有约80μm至100μm的厚度。因此，根据实施方式的窗可以表现出提高的强度，并且包括根据实施方式的窗的显示装置可以表现出优异的可靠性。
[0138]
根据实施方式的窗可以通过根据实施方式的制造窗的方法形成。制造窗的方法可以包括：准备不包含li
+
离子并且包含na
+
离子的第一预备玻璃衬底；向第一预备玻璃衬底提供第一强化熔盐从而形成第二预备玻璃衬底；在约400℃至500℃的温度下向第二预备玻璃衬底提供热量约3小时至7小时的时间从而形成第三预备玻璃衬底；以及向第三预备玻璃衬底提供第二强化熔盐从而形成窗。通过包括在约400℃至500℃的温度下提供热量约3小时至7小时的时间的根据实施方式的制造窗的方法形成的窗可以包括根据实施方式的压缩应力层从而表现出提高的强度。此外，根据实施方式的制造窗的方法包括准备不包括li
+
离子
的预备玻璃衬底，并且因此可以降低制造成本。
[0139]
根据实施方式的制造窗的方法可以包括提供热量以制造表现出提高的强度的根据实施方式的窗。
[0140]
根据实施方式的窗及包括窗的显示装置可以表现出提高的强度。
[0141]
尽管参考本公开的示例性实施方式进行了描述，但是将理解，在不背离如所要求保护的本公开的精神和技术领域的情况下，可以由本领域的普通技术人员或者具备本领域普通知识的人员进行本公开的各种改变和修改。
[0142]
因此，本发明的技术范围不旨在限于本说明书的详细描述中所阐述的内容，而是旨在由所附权利要求书来限定。

技术特征：
1.一种制造窗的方法，所述方法包括以下步骤：准备不包含li
+
离子并且包含na
+
离子的第一预备玻璃衬底；向所述第一预备玻璃衬底提供第一强化熔盐从而形成第二预备玻璃衬底；在400℃至500℃的温度下向所述第二预备玻璃衬底提供热量3小时至7小时的时间从而形成第三预备玻璃衬底；以及向所述第三预备玻璃衬底提供第二强化熔盐从而形成所述窗。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一强化熔盐包括nano3以及kno3、kcl和k2so4中的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二强化熔盐不包含nano3，并且包含kno3、kcl和k2so4中的至少一种。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第二预备玻璃衬底的步骤中，在450℃至500℃的温度下提供所述第一强化熔盐3小时至9小时的时间。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述窗的步骤中，在380℃至420℃的温度下提供所述第二强化熔盐1小时至2小时的时间。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述窗包括压缩应力层，所述压缩应力层具有通过astm c770-16的方法测量的1000mpa或更小的压缩应力，并且所述压缩应力层具有约80μm至100μm的厚度。7.一种包括玻璃衬底的窗，所述玻璃衬底不包含li
+
离子并且包含k
+
离子，其中，所述窗包括：基础层，具有零的压缩应力值；以及压缩应力层，设置在所述基础层的上表面和下表面中的至少一个上，其中，所述压缩应力层包括：第一区域，具有第一压缩应力变化率；第二区域，具有至少是所述第一压缩应力变化率的5倍的第二压缩应力变化率；以及拐点区域，具有从所述第一压缩应力变化率增加到所述第二压缩应力变化率的第三压缩应力变化率，并且形成在所述第一区域和所述第二区域之间，其中，所述第一压缩应力变化率、所述第二压缩应力变化率和所述第三压缩应力变化率中的每个被限定为根据厚度方向上的深度的压缩应力变化率，在所述厚度方向上从所述窗的表面到所述拐点区域的最小深度为15μm至30μm，以及所述压缩应力层具有80μm至100μm的厚度。8.根据权利要求7所述的窗，其中，在所述第二区域中通过astm c770-16的方法测量的压缩应力的最大值为600mpa至1000mpa。9.根据权利要求8所述的窗，其中，在所述拐点区域中通过所述astm c770-16的方法测量的压缩应力为120mpa或更大。10.根据权利要求7所述的窗，其中，在所述厚度方向上距所述窗的所述表面30μm的深度处通过astm c770-16的方法测量的压缩应力为70mpa或更大。11.根据权利要求7所述的窗，其中，在所述厚度方向上距所述窗的所述表面50μm的深度处通过astm c770-16的方法测量的压缩应力为50mpa或更大。12.一种显示装置，包括：
显示模块；以及窗，设置在所述显示模块的上部分和下部分中的至少一个上，并且是权利要求7至11中的任一项所述的窗。

技术总结
本公开提供了制造窗的方法、通过其制造的窗及包括窗的显示装置，制造窗的方法包括：准备不包含Li


技术研发人员：安泰镐 李政锡 吴俊学 柳淑敬 赵显一
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/10/19