显示面板、制造显示面板的方法以及电子设备与流程

显示面板、制造显示面板的方法以及电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年4月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0041910号的优先权和权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施例涉及显示面板、制造显示面板的方法以及包括显示面板的电子设备。


背景技术：

4.近来，显示面板的用途已经多样化。另外，随着显示面板变得越来越薄并且越来越轻，其使用范围已经逐渐扩展。
5.随着显示区域在显示面板中所占据的面积扩大(例如，增加)，已经添加了与显示面板组合或关联的各种功能。作为在扩展(例如，增加)显示区域的同时添加各种功能的替代方案，已经致力于将显示区域的一部分用于除了显示图像之外的功能的研究。


技术实现要素：

6.根据一个或多个实施例的各方面涉及包括布置在显示区域内部的至少一个开口的显示面板、制造显示面板的方法以及电子设备。
7.另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而明显或者可以通过本公开的呈现的实施例的实践而获知。
8.根据一个或多个实施例，显示面板包括：基板，包括开口；发光元件，在开口周围的显示区域中并且包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的中间层；至少一个分隔壁，在显示区域与开口之间的第一非显示区域中；多层绝缘层，在至少一个分隔壁下面；以及封装层，在发光元件上并且包括有机封装层以及至少一个无机封装层，其中，第二电极从显示区域朝向第一非显示区域延伸，并且多层绝缘层在第一非显示区域中包括位于第二电极的边缘与至少一个分隔壁之间的凹槽部分。
9.多层绝缘层可以包括多个无机绝缘层。
10.有机封装层可以与第二电极的边缘和凹槽部分重叠。
11.中间层可以包括从显示区域朝向第一非显示区域延伸的有机材料层，并且有机材料层的一部分可以在第一非显示区域中覆盖凹槽部分。
12.有机材料层可以包括多个第一开口和多个分离部分，其中，多个第一开口在第一非显示区域中彼此间隔开，并且多个分离部分通过多个第一开口分离。
13.有机材料层的多个分离部分中的至少一个可以覆盖至少一个分隔壁的上表面和侧表面。
14.至少一个分隔壁可以包括最靠近显示区域的第一分隔壁，并且凹槽部分可以在第一非显示区域中位于第二电极的边缘与第一分隔壁之间。
15.至少一个分隔壁可以进一步包括第二分隔壁和第三分隔壁，其中，第二分隔壁比第一分隔壁靠近基板的开口，并且第三分隔壁比第二分隔壁靠近基板的开口。
16.多层绝缘层可以进一步包括位于第三分隔壁与基板的开口之间的防裂纹凹槽部分。
17.根据一个或多个实施例，电子设备包括：显示面板，包括透射区域、显示区域以及位于透射区域与显示区域之间的第一非显示区域；以及部件，在显示面板下面，部件与透射区域相对应，其中，显示面板包括：基板，具有与透射区域相对应的开口；发光元件，在开口周围的显示区域中并且包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的中间层；至少一个分隔壁，在显示区域与开口之间的第一非显示区域中；多层绝缘层，在至少一个分隔壁下面并且包括多个无机绝缘层；以及封装层，在发光元件上并且包括有机封装层以及至少一个无机封装层，其中，第二电极从显示区域朝向第一非显示区域延伸，并且多层绝缘层在第一非显示区域中包括位于第二电极的边缘与至少一个分隔壁之间的凹槽部分。
18.部件可以包括相机和/或传感器。
19.有机封装层可以与第二电极的边缘和凹槽部分重叠。
20.中间层可以包括从显示区域朝向第一非显示区域延伸的有机材料层，并且有机材料层的一部分可以在第一非显示区域中覆盖凹槽部分。
21.有机材料层可以包括多个第一开口和多个分离部分，其中，多个第一开口在第一非显示区域中彼此间隔开，并且多个分离部分通过多个第一开口分离。
22.有机材料层的多个分离部分中的至少一个可以覆盖至少一个分隔壁的上表面和侧表面。
23.至少一个分隔壁可以包括最靠近显示区域的第一分隔壁，并且凹槽部分可以在第一非显示区域中位于第二电极的边缘与第一分隔壁之间。
24.至少一个分隔壁可以进一步包括第二分隔壁和第三分隔壁，其中，第二分隔壁比第一分隔壁靠近基板的开口，并且第三分隔壁比第二分隔壁靠近基板的开口。
25.多层绝缘层可以进一步包括位于第三分隔壁与基板的开口之间的防裂纹凹槽部分。
26.根据一个或多个实施例，一种制造显示面板的方法包括：制备基板，基板包括透射区域、显示区域以及位于透射区域与显示区域之间的第一非显示区域；在基板上形成多层绝缘层，多层绝缘层包括多个无机绝缘层；形成凹槽部分，凹槽部分在多层绝缘层的厚度方向上凹进并且位于第一非显示区域中；形成发光元件，发光元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的中间层，其中，中间层的有机材料层和第二电极形成在显示区域和第一非显示区域中；在第一非显示区域中形成至少一个分隔壁；形成封装层，封装层在发光元件上并且包括有机封装层以及至少一个无机封装层；以及去除布置在第一非显示区域中的有机材料层的至少一部分和第二电极的一部分，其中，第二电极的边缘位于第一非显示区域中，并且凹槽部分位于第二电极的边缘与至少一个分隔壁之间。
27.去除可以包括照射激光束。
28.去除可以包括：通过去除位于第一非显示区域中的有机材料层的部分来形成有机材料层的多个第一开口，并且其中，有机材料层可以包括通过多个第一开口彼此分离的多个分离部分。
29.至少一个分隔壁可以包括在第一非显示区域中彼此间隔开的多个分隔壁，其中，多个第一开口中的一个位于多个分隔壁当中的邻近分隔壁之间。
30.多个第一开口当中的最靠近显示区域的第一开口可以位于凹槽部分与至少一个分隔壁之间。
31.封装层的形成可以包括：在显示区域和第一非显示区域中形成第一无机封装层；在第一无机封装层上形成有机封装层；以及在有机封装层上形成第二无机封装层，其中，有机封装层可以与第二电极的边缘和凹槽部分重叠。
32.凹槽部分的形成可以包括形成位于至少一个分隔壁与透射区域之间的防裂纹凹槽部分。
33.通过以下对实施例的详细描述、附图以及权利要求书，这些和/或其他方面应变得明显并且更容易理解。
附图说明
34.通过以下结合附图进行的描述，本公开的某些实施例的上述以及其他方面、特征和改善将更加明显，附图中：
35.图1a和图1b各自是根据相应实施例的电子设备的示意性透视图；
36.图2是根据实施例的沿着图1b的线ii-ii’截取的电子设备的示意性截面图；
37.图3a是根据实施例的显示面板的示意性平面图，并且图3b是图3a的显示面板的示意性侧视图；
38.图4a是根据实施例的连接到显示面板的发光二极管的等效电路的图；
39.图4b是根据另一实施例的连接到显示面板的发光二极管的等效电路的图；
40.图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。
41.图6是根据实施例的沿着图5的线vi-vi’截取的显示面板的示意性截面图；
42.图7是图6中示出的至少一个有机材料层的平面图；
43.图8是图6中示出的第二电极的平面图；
44.图9是图6的显示面板的区域ix的放大图；
45.图10a至图10e是示出根据实施例的制造显示面板的工艺的截面图；
46.图11a至图11d是图10e的显示面板的区域xi的截面图像；
47.图12是图10b的显示面板的区域xii的放大图；
48.图13是根据另一实施例的显示面板的示意性截面图；并且
49.图14是根据另一实施例的显示面板的第二非显示区域的示意性截面图。
具体实施方式
50.现在将更详细地参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上，当前实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。相应地，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释当前描述的各方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”、“a、b和/或c中的至少一个”、“选自a、b和c中的至少一个”、“选自由a、b和c组成的组中的至少一个”等表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两
者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变体。
51.由于本公开允许各种合适的改变和众多实施例，因此特定实施例将在附图中示出并且在书面描述中描述。本公开的效果和特征以及实现它们的方法将参考下面参考附图更详细地描述的实施例进行阐明。然而，本公开不限于下面的实施例，并且可以以各种合适的形式体现。
52.在下文中，将参考附图描述实施例，其中，相同的附图标记始终指代相同的元件，并且省略其重复描述。
53.尽管诸如“第一”和/或“第二”的术语可以用于描述各种部件，但是这样的部件不必受上述术语的限制。上述术语用于将一个部件与另一部件区分开。
54.如本文中所使用的单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
55.将理解，如本文中使用的术语“包括”及其变型和/或“包含”及其变型指明所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或部件的添加。
56.将进一步理解，当层、区域或部件被称为“在”另一层、区域或部件“上”时，它可以直接或间接在另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区域或部件。
57.为了便于说明，可能夸大或缩小附图中的元件的尺寸。作为示例，为了便于描述，附图中示出的每个元件的尺寸和厚度可能是任意表示的，并且因此，本公开不必限于此。
58.在特定实施例可以被不同地实现的情况下，具体的工艺顺序可以以与所描述的顺序不同的顺序执行。作为示例，连续描述的两个工艺可以基本上同时被执行，或者以相反的顺序执行。
59.将理解，当层、区域或部件被称为“连接”到另一层、区域或部件时，它可以“直接连接”到另一层、区域或部件，或者可以利用介于其间的其他层、区域或部件“间接连接”到另一层、区域或部件。例如，将理解，当层、区域或部件被称为“电连接”到另一层、区域或部件时，它可以“直接电连接”到另一层、区域或部件，或者可以利用介于其间的其他层、区域或部件“间接电连接”到另一层、区域或部件。
60.图1a和图1b各自是根据相应实施例的电子设备1的示意性透视图。
61.参考图1a和图1b，电子设备1可以包括用于显示运动图像和/或静止图像的设备，并且可以用作包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、和/或物联网(iot)装置的各种合适产品以及包括移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置和/或超移动个人计算机(umpc)的便携式电子设备的显示屏。另外，电子设备1可以用在包括智能手表、手表电话、眼镜型显示器和/或头戴式显示器(hmd)的可穿戴装置中。另外，在实施例中，电子设备1可以用作汽车的仪表面板、汽车的中央仪表板、布置在仪表盘上的中央信息显示器(“cid”)、代替汽车后视镜的室内镜显示器和/或布置在前座后侧上以作为汽车后座的娱乐设施的显示器。电子设备1可以是可弯折的、可折叠的和/或可卷曲的。为了便于描述，图1a和图1b将根据实施例的电子设备1示出为智能电话。
62.在平面图中，电子设备1可以具有矩形形状。在实施例中，作为示例，如图1a和图1b中所示，在平面图中，电子设备1可以具有四边形形状，该四边形形状具有x方向上的短边和y方向上的长边。x方向上的短边与y方向上的长边相交的拐角可以是圆弧形的，以具有预设
的曲率，或者可以被形成为具有直角。电子设备1的平面形状不限于矩形，而可以是其他多边形、椭圆形或不规则形状。
63.电子设备1可以包括透射区域ta(或第一区域)以及至少部分地在透射区域ta周围(例如，围绕透射区域ta)的显示区域da(或第二区域)。电子设备1可以包括第一非显示区域nda1(或第三区域)和第二非显示区域nda2(或第四区域)，其中，第一非显示区域nda1位于透射区域ta与显示区域da之间，并且第二非显示区域nda2位于显示区域da外部，例如，在显示区域da周围(例如，围绕显示区域da)。
64.透射区域ta可以位于显示区域da内部(例如，完全位于显示区域da内部)。在实施例中，如图1a中所示，透射区域ta可以布置在显示区域da的左上侧。在另一实施例中，如图1b中所示，透射区域ta可以布置在显示区域da的上方中心。在另一实施例中，透射区域ta可以布置在显示区域da的右上侧。然而，可以进行各种合适的修改。在本说明书中，术语“左”、“右”、“上”和“下”表示当在垂直于电子设备1的方向上在平面图中观察电子设备1时的方向。作为示例，术语“左”表示-x方向，术语“右”表示+x方向，术语“上”表示+y方向，并且术语“下”表示-y方向。尽管在图1a和图1b中示出了布置(例如，包括)一个透射区域ta，但是在另一实施例中，可以布置多个透射区域ta。
65.图2是根据实施例的沿着图1b的线ii-ii’截取的电子设备1的示意性截面图。尽管图2示出了沿着图1b的线ii-ii’截取的电子设备1的截面，但是图1a中示出的电子设备1也可以具有图2中示出的基本上相同的结构。
66.参考图2，电子设备1可以包括显示面板10以及与显示面板10的透射区域ta相对应的部件70。该部件可以在透射区域ta中布置在显示面板10下方。显示面板10和部件70可以被接收(例如，容纳)在壳体hs中。
67.显示面板10可以包括基板100、显示层200、输入感测层400、光学功能层500和覆盖窗600。
68.显示层200可以包括发光以显示图像的发光元件以及电连接到发光元件并且包括晶体管的电路元件。
69.输入感测层400可以获得与外部输入(例如，触摸事件)相对应的坐标信息。输入感测层400可以包括感测电极(或触摸电极)以及连接到感测电极的迹线。输入感测层400可以设置在显示层200上。输入感测层400可以通过利用自电容方法和/或互电容方法来感测外部输入。
70.输入感测层400可以直接形成在显示层200上，或者可以单独形成并且然后通过利用光学透明粘合剂联接到显示层200。在实施例中，作为示例，输入感测层400可以在形成显示层200的工艺之后连续形成。在这种情况下，在输入感测层400与显示层200之间可以不设置粘合层。尽管在图2中示出了输入感测层400设置在显示层200与光学功能层500之间，但是在实施例中，输入感测层400可以设置在光学功能层500上。
71.光学功能层500可以包括抗反射层。抗反射层可以降低通过覆盖窗600从外部向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括延迟器和偏振器。
72.在另一实施例中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑分别从显示层200的发光二极管发射的光的颜色来布置滤色器。在另一实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别布置在不同层的第一反射层和第二反射层。分别
被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消地干涉，并且因此可以降低外部光的反射率。
73.光学功能层500可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示层200发射的光的光输出效率和/或减小颜色偏差。透镜层可以包括具有凹或凸的透镜形状的层和/或具有不同折射率的多个层。光学功能层500可以包括上述抗反射层和透镜层两者，或者可以包括抗反射层和透镜层中的一个。
74.显示面板10可以包括开口10h。关于这点，图2中示出了基板100、显示层200、输入感测层400和光学功能层500分别包括第一至第四开口100h、200h、400h和500h，并且第一至第四开口100h、200h、400h和500h彼此重叠。
75.第一开口100h可以是从基板100的上表面到底表面穿过(例如，穿透)的通孔。第二开口200h可以是从显示层200的上表面到底表面穿过(例如，穿透)的通孔，第三开口400h可以是从输入感测层400的上表面到底表面穿过(例如，穿透)的通孔，并且第四开口500h可以是从光学功能层500的上表面到底表面穿过(例如，穿透)的通孔。第一至第四开口100h、200h、400h和500h可以位于透射区域ta中以彼此重叠。第一至第四开口100h、200h、400h和500h的尺寸(例如，直径)可以彼此相等或不同。
76.在另一实施例中，基板100、显示层200、输入感测层400和光学功能层500中的至少一个可以不包括(例如，任何)开口。在实施例中，作为示例，基板100、显示层200、输入感测层400和光学功能层500中的一个、两个或三个元件可以不包括(例如，任何)开口。
77.覆盖窗600可以设置在光学功能层500上。覆盖窗600可以通过诸如透明的光学透明粘合剂oca的粘合层联接到光学功能层500。覆盖窗600可以包括玻璃和/或塑料。塑料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素。
78.覆盖窗600可以包括柔性窗。在实施例中，作为示例，覆盖窗600可以包括聚酰亚胺窗或超薄玻璃窗。
79.透射区域ta可以是用于将各种合适的功能添加到电子设备1的部件70被设置在其中的部件区域(例如，传感器区域、相机区域和/或扬声器区域等)。部件70可以与显示面板10的开口10h重叠。
80.部件70可以包括电子元件。在实施例中，作为示例，部件70可以是利用光和/或声音的电子元件。在实施例中，作为示例，电子元件可以包括诸如红外传感器的利用光的传感器、接收光以捕获图像的相机、输出并感测光和/或声音以测量距离和/或识别指纹的传感器、输出光的小灯和/或输出声音的扬声器。利用光的电子元件可以利用诸如可见光、红外光和/或紫外光等的各种合适波段内的光。从部件70输出到外部或者从外部朝向部件70行进的光和/或声音可以移动穿过透射区域ta。
81.在另一实施例中，在电子设备1被用作智能手表或汽车的仪表面板的情况下，部件70可以是诸如时钟针或者指示设定或预定的信息(例如，车辆的速度等)的指针的构件。在这种情况下，与图2中示出的不同，覆盖窗600可以包括位于透射区域ta中的开口，使得诸如指针的部件70被暴露于外部。在另一实施例中，即使在电子设备1包括诸如扬声器的部件70的情况下，覆盖窗600也可以包括与透射区域ta相对应的开口。
82.图3a是根据实施例的显示面板10的示意性平面图，并且图3b是图3a的显示面板10
的示意性侧视图。
83.参考图3a，显示面板10可以包括显示区域da、透射区域ta、第一非显示区域nda1和第二非显示区域nda2。
84.显示区域da是被配置为显示图像的区域，并且可以包括例如圆形形状、椭圆形形状、多边形和/或特定图形等的各种合适的形状。尽管在图1中示出了显示区域da具有大致(或基本上)四边形的形状，但是在另一实施例中，显示区域da可以具有包括圆弧边缘的大致(或基本上)四边形的形状。
85.显示面板10可以包括布置在显示区域da中的作为发光元件的发光二极管led，并且可以被配置为通过利用从发光二极管led发射的光(例如，红光、绿光和/或蓝光)来显示图像。发光二极管led可以包括包含有机发射层的有机发光二极管。在实施例中，发光二极管led可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含无机半导体类材料的pn结二极管。当将正向电压施加到pn结二极管时，空穴和电子被注入并且通过空穴和电子的复合而产生的能量被转换成光能，并且因此，可以发射预设颜色的光。无机发光二极管可以具有几微米至几百微米或者几纳米至几百纳米(例如，纳米级或微米级)的宽度。发光二极管led的发射层可以包括有机材料或无机材料。在另一实施例中，发光二极管led的发射层可以包括量子点。换句话说，发光二极管led可以是量子点发光二极管。
86.发光二极管led可以电连接到包括晶体管的子像素电路pc，并且可以被接通/断开。关于这点，图3a示出了作为电连接到子像素电路pc的信号线的扫描线sl和数据线dl。子像素电路pc可以布置在显示区域da中。
87.透射区域ta可以布置在显示区域da内部，并且可以完全被显示区域da围绕。如图3a中所示，透射区域ta可以布置在显示区域da的上方中心。在另一实施例中，透射区域ta可以布置在显示区域da的左上侧或显示区域da的右上侧。然而，透射区域ta可以布置在各种合适的位置上。
88.第一非显示区域nda1是其中不布置发光二极管led的非显示区域，并且可以位于透射区域ta与显示区域da之间。第一非显示区域nda1可以完全在透射区域ta周围(例如，完全围绕透射区域ta)。信号线可以穿过第一非显示区域nda1，其中，信号线被配置为将信号提供给在透射区域ta周围(例如，邻近于透射区域ta)提供的子像素电路pc。在实施例中，作为示例，数据线dl和/或扫描线sl可以在y方向和/或x方向上与显示区域da交叉。数据线dl的一部分和/或扫描线sl的一部分可以沿着显示面板10的形成在透射区域ta中的开口10h(或透射区域ta)，在第一非显示区域nda1周围迂回(例如，偏离直线形状)。在实施例中，如图3a中所示，数据线dl在透射区域ta周围迂回。
89.第一非显示区域nda1可以包括用于防止或基本上防止湿气渗透(例如，行进)到显示区域da中的结构。在显示面板10包括位于透射区域ta中的开口10h的情况下，用于防止或基本上防止可能通过开口10h引入的湿气行进到显示区域da的结构可以布置在第一非显示区域nda1中。在实施例中，作为示例，包括有机材料的层(例如，下面描述的第一功能层和第二功能层)可以连续地形成在显示区域da中以完全覆盖显示区域da，但是不连续地形成在第一非显示区域nda1中。在实施例中，作为示例，包括有机材料的层(例如，下面描述的第一功能层和第二功能层)可以包括布置在第一非显示区域nda1中并且彼此分离的多个部分。
90.第二非显示区域nda2可以布置在显示区域da外部。第二非显示区域nda2可以完全
在显示区域da周围(例如，完全围绕显示区域da)。第二非显示区域nda2的一部分(在下文中，被称为突出外围区域)可以在远离显示区域da的方向上延伸。换句话说，显示面板10可以包括主区域mr以及从主区域mr在一个方向上延伸的副区域sr，其中，主区域mr包括透射区域ta、第一非显示区域nda1、显示区域da以及第二非显示区域nda2的在显示区域da周围(例如，围绕显示区域da)的一部分。副区域sr可以与突出外围区域相对应。副区域sr的宽度(在x方向上的宽度)可以小于主区域mr的宽度(在x方向上的宽度)。如图3b中所示，副区域sr的一部分(例如弯折区域ba)可以弯折。在显示面板10如图3b中所示弯折的情况下，当包括显示面板10的电子设备1(见图1)被观察(例如，被观察者观察)时，为非显示区域的第二非显示区域nda2可以不被观察到(例如，不被看见)，或者即使第二非显示区域nda2被观察到(例如，被看见)，被观察到(例如，被看见)的区域可以减小。
91.显示面板10的形状可以与基板100的形状基本上相同。在实施例中，作为示例，基板100可以包括透射区域ta、第一非显示区域nda1、显示区域da和第二非显示区域nda2。可替代地，在另一实施例中，基板100可以包括主区域mr和副区域sr。
92.第一驱动电路2101、第二驱动电路2102、数据驱动电路2200、驱动电压供应线3000和公共电压供应线4000可以布置在第二非显示区域nda2中，其中，第一驱动电路2101和第二驱动电路2102被配置为将扫描信号提供给每个子像素电路pc，数据驱动电路2200被配置为将数据信号提供给每个子像素电路pc，驱动电压供应线3000被配置为提供第一电源电压elvdd(见图4a和图4b)，并且公共电压供应线4000被配置为提供第二电源电压elvss(见图4a和图4b)。
93.第一驱动电路2101可以与第二驱动电路2102相反设置，其中显示区域da在其之间。位于透射区域ta的左侧的扫描线sl可以电连接到第一驱动电路2101，并且位于透射区域ta的右侧的扫描线sl可以电连接到第二驱动电路2102。
94.数据驱动电路2200可以被配置为通过穿过显示区域da的数据线dl将数据信号传输到子像素电路pc。驱动电压供应线3000可以布置在显示区域da的一侧，并且公共电压供应线4000可以部分地在显示区域da周围(例如，部分地围绕显示区域da)。
95.第一端子部td1可以位于基板100的一侧。印刷电路板5000可以附接到第一端子部td1。印刷电路板5000可以包括电连接到第一端子部td1的第二端子部td2。控制器6000可以设置在印刷电路板5000上。控制器6000的控制信号可以通过第一端子部td1和第二端子部td2被提供给第一驱动电路2101、第二驱动电路2102、数据驱动电路2200、驱动电压供应线3000和公共电压供应线4000中的每一个。
96.尽管在图3a中示出了数据驱动电路2200设置在基板100上，但是在另一实施例中，数据驱动电路2200可以设置在电连接到布置在显示面板10的一侧的焊盘的印刷电路板上。该印刷电路板可以是柔性的，并且该印刷电路板的一部分可以弯折以位于基板100的背面下面。
97.图4a是根据实施例的连接到显示面板10的发光二极管的等效电路的图。如上面参考图3a描述的，发光二极管的发射层可以包括有机材料、无机材料和/或量子点。在实施例中，图4a描述了发光二极管是有机发光二极管oled的情况。尽管在图4a中示出了发光二极管包括有机发光二极管oled，但是在另一实施例中，显示面板10可以包括无机发光二极管或量子点发光二极管，来代替有机发光二极管oled。
98.有机发光二极管oled可以电连接到子像素电路pc。参考图4a，子像素电路pc可以包括第一至第七晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、存储电容器cst以及升压电容器cbt。在实施例中，子像素电路pc可以不包括升压电容器cbt。在下文中，为了便于描述，描述了子像素电路pc包括升压电容器cbt的情况。
99.晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7当中的一些可以是n沟道金属氧化物半导体(nmos)场效应晶体管(n沟道mosfet)，并且其余的可以是p沟道金属氧化物半导体(pmos)场效应晶体管(p沟道mosfet)。在实施例中，作为示例，第三晶体管t3和第四晶体管t4可以都是n沟道mosfet，并且其余的可以都是p沟道mosfet。在另一实施例中，第三晶体管t3、第四晶体管t4和第七晶体管t7可以都是n沟道mosfet，并且其余的可以都是p沟道mosfet。可替代地，在实施例中，第一至第七晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7当中的仅一个晶体管可以是n沟道mosfet，并且其余的可以都是p沟道mosfet。
100.第一至第七晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、存储电容器cst和升压电容器cbt可以连接到信号线。信号线可以包括被配置为传输第一扫描信号sn的第一扫描线sl1、被配置为传输第二扫描信号sn’的第二扫描线sl2、被配置为传输前一扫描信号sn-1的前一扫描线slp、被配置为传输发射控制信号en的发射控制线133、被配置为传输下一扫描信号sn+1的下一扫描线sln以及与第一扫描线sl1交叉并且被配置为传输数据信号dm的数据线171。
101.驱动电压线175被配置为将第一电源电压elvdd传输到第一晶体管t1，并且第一初始化电压线145和第二初始化电压线165可以被配置为传输执行初始化的初始化电压vint。
102.第一晶体管t1可以是驱动晶体管。第一晶体管t1的第一栅电极(或第一控制电极)可以连接到存储电容器cst，驱动晶体管t1的第一电极可以通过第五晶体管t5电连接到驱动电压线175，并且第一晶体管t1的第二电极可以通过第六晶体管t6电连接到有机发光二极管oled的像素电极。第一晶体管t1的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第一晶体管t1可以根据第二晶体管t2的开关操作接收数据信号dm，并且可以被配置为将驱动电流id供应给有机发光二极管oled。
103.第二晶体管t2可以是开关晶体管。第二晶体管t2的第二栅电极(或第二控制电极)连接到第一扫描线sl1，第二晶体管t2的第一电极连接到数据线171，并且第二晶体管t2的第二电极连接到第一晶体管t1的第一电极并且通过第五晶体管t5电连接到驱动电压线175。第二晶体管t2的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第二晶体管t2可以根据通过第一扫描线sl1传输的第一扫描信号sn被导通，并且可以执行将数据信号dm传输到第一晶体管t1的第一电极的开关操作，其中，数据信号dm通过数据线171被传输。
104.第三晶体管t3可以是被配置为补偿第一晶体管t1的阈值电压的补偿晶体管。第三晶体管t3的第三栅电极(或补偿控制电极)连接到第二扫描线sl2。第三晶体管t3的第一电极通过节点连接线166连接到存储电容器cst的下电极ce1和第一晶体管t1的第一栅电极。第三晶体管t3的第一电极可以连接到第四晶体管t4。第三晶体管t3的第二电极连接到第一晶体管t1的第二电极，并且通过第六晶体管t6电连接到有机发光二极管oled的像素电极。第三晶体管t3的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
105.第三晶体管t3可以根据通过第二扫描线sl2传输的第二扫描信号sn’被导通，并且可以通过将第一晶体管t1的第一栅电极电连接到第二电极而二极管连接第一晶体管t1。
106.第四晶体管t4可以是被配置为初始化第一晶体管t1的第一栅电极的第一初始化晶体管。第四晶体管t4的第四栅电极(或第四控制电极)连接到前一扫描线slp。第四晶体管t4的第一电极连接到第一初始化电压线145。第四晶体管t4的第二电极可以连接到存储电容器cst的下电极ce1、第三晶体管t3的第一电极和第一晶体管t1的第一栅电极。第四晶体管t4的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第四晶体管t4可以根据通过前一扫描线slp接收的前一扫描信号sn-1被导通，并且可以通过将初始化电压vint传输到第一晶体管t1的第一栅电极而执行初始化第一晶体管t1的第一栅电极的电压的初始化操作。
107.第五晶体管t5可以是操作控制晶体管。第五晶体管t5的第五栅电极(或第五控制电极)连接到发射控制线133，第五晶体管t5的第一电极连接到驱动电压线175，并且第五晶体管t5的第二电极连接到第一晶体管t1的第一电极和第二晶体管t2的第二电极。第五晶体管t5的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
108.第六晶体管t6可以是发射控制晶体管。第六晶体管t6的第六栅电极(或第六控制电极)连接到发射控制线133，第六晶体管t6的第一电极连接到第一晶体管t1的第二电极和第三晶体管t3的第二电极，并且第六晶体管t6的第二电极电连接到第七晶体管t7的第二电极和有机发光二极管oled的像素电极。第六晶体管t6的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
109.第五晶体管t5和第六晶体管t6可以根据通过发射控制线133传输的发射控制信号en被并发地(例如，同时地)导通，第一电源电压elvdd被传输到有机发光二极管oled，并且驱动电流id流过有机发光二极管oled。
110.第七晶体管t7可以是被配置为初始化有机发光二极管oled的像素电极的第二初始化晶体管。第七晶体管t7的第七栅电极(或第七控制电极)连接到下一扫描线sln。第七晶体管t7的第一电极连接到第二初始化电压线165。第七晶体管t7的第二电极连接到第六晶体管t6的第二电极和有机发光二极管oled的像素电极。第七晶体管t7可以根据通过下一扫描线sln传输的下一扫描信号sn+1被导通，并且可以初始化有机发光二极管oled的像素电极。尽管在图4a中示出了第七晶体管t7连接到下一扫描线sln，但是第七晶体管t7可以连接到发射控制线133，并且因此根据发射控制信号en被驱动。
111.存储电容器cst可以包括下电极ce1和上电极ce2。存储电容器cst的下电极ce1连接到第一晶体管t1的第一栅电极，并且存储电容器cst的上电极ce2连接到驱动电压线175。存储电容器cst可以被配置为存储与第一晶体管t1的第一栅电极的电压和第一电源电压elvdd之间的差相对应的电荷。
112.升压电容器cbt包括第三电极ce3和第四电极ce4。第三电极ce3可以连接到第二晶体管t2的第二栅电极和第一扫描线sl1，并且第四电极ce4可以连接到第三晶体管t3的第一电极和节点连接线166。当供应给第一扫描线sl1的第一扫描信号sn是截止信号(例如，用于截止第二晶体管t2)时，升压电容器cbt可以升高第一节点n1的电压。当第一节点n1的电压被升高时，可以清楚地或适当地表现黑色灰度。
113.第一节点n1可以是第一晶体管t1的第一栅电极、第三晶体管t3的第一电极、第四晶体管t4的第二电极和升压电容器cbt的第四电极ce4彼此连接的区域。
114.在实施例中，在图4a中示出了第三晶体管t3和第四晶体管t4都是n沟道mosfet，并
且第一、第二、第五至第七晶体管t1、t2、t5、t6和t7都是p沟道mosfet。直接影响电子设备1的亮度的第一晶体管t1可以被配置为包括包含具有高可靠性的多晶硅的半导体层，并且因此，可以通过该构造实现高分辨率电子设备1。
115.图4b是根据另一实施例的连接到显示面板10的发光二极管的等效电路的图。尽管在图4a中示出了第三晶体管t3和第四晶体管t4都是n沟道mosfet，并且第一、第二、第五至第七晶体管t1、t2、t5、t6和t7都是p沟道mosfet，但是实施例不限于此。在另一实施例中，如图4b中所示，第一至第七晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的全部可以是p沟道mosfet，并且可以省略升压电容器。
116.如图4b中所示，第二晶体管t2和第三晶体管t3两者可以连接到同一扫描线，例如第一扫描线sl1。其他元件与上面参考图4a描述的元件相同。
117.图5是根据实施例的显示面板10的一部分的平面图。
118.参考图5，子像素p可以布置在显示区域da中，并且第一非显示区域nda1可以位于透射区域ta与显示区域da之间。
119.在平面图中，与透射区域ta邻近的子像素p可以在透射区域ta周围彼此间隔开。子像素p可以在透射区域ta周围彼此垂直分开，和/或在透射区域ta周围彼此水平分开。子像素p是发射光的最小区域，并且是发射红光、绿光或蓝光的区域。子像素p的光由上面参考图3a描述的发光二极管led实现(例如，提供)。子像素p的位置分别与发光二极管led的位置相对应。相应地，当子像素p在平面图中在透射区域ta周围彼此分开时，可以表示，发光二极管led在平面图中在透射区域ta周围彼此分开。在实施例中，作为示例，在平面图中，发光二极管led可以在透射区域ta周围彼此垂直分开，和/或在透射区域ta周围彼此水平分开。
120.在被配置为将信号供应给电连接到每个子像素p的发光二极管led的子像素电路的信号线当中，与透射区域ta邻近的信号线可以在透射区域ta和/或开口10h周围迂回(例如，弯曲)。穿过显示区域da的数据线dl中的一些可以(例如，作为直线)在
±
y方向上延伸以将数据信号提供给以透射区域ta在其之间而垂直布置的子像素p，并且可以在第一非显示区域nda1中沿着透射区域ta的边缘和/或开口10h迂回(例如，弯曲)。穿过显示区域da的扫描线sl中的一些可以以透射区域ta在其之间而水平布置，并且可以彼此间隔开。在实施例中，作为示例，左扫描线sl和右扫描线sl可以布置在同一行，以透射区域ta在其之间而彼此分离并且分开。
121.至少一个分隔壁可以位于第一非显示区域nda1中，其中，该至少一个分隔壁可以比数据线dl的迂回部分dl-c邻近(例如，接近)透射区域ta。关于这点，图5示出了第一至第三分隔壁pw1、pw2和pw3。第一至第三分隔壁pw1、pw2和pw3可以各自具有在透射区域ta和/或开口10h周围(例如，围绕透射区域ta和/或开口10h)的闭环形状，并且可以在第一非显示区域nda1中彼此间隔开。
122.凹槽部分rc可以布置在第一非显示区域nda1中，其中，凹槽部分rc位于数据线dl的迂回部分dl-c与该至少一个分隔壁之间。凹槽部分rc可以与通过去除布置在显示面板10中的多层绝缘层(例如，多层无机绝缘层)的一部分而形成的凹槽相对应。如图5中所示，在平面图中，凹槽部分rc可以具有在透射区域ta和/或开口10h周围(例如，围绕透射区域ta和/或开口10h)的闭环形状。
123.图6是根据实施例的沿着图5的线vi-vi’截取的显示面板10的示意性截面图，图7
是图6中示出的至少一个有机材料层的平面图，图8是图6中示出的第二电极的平面图，并且图9是图6的区域ix的放大图。为了便于描述，图6省略了上面参考图2描述的显示面板10中的光学功能层500(见图2)和覆盖窗600(见图2)。
124.参考图6，显示面板10可以包括布置在透射区域ta中的开口10h。开口10h可以具有穿过(例如，穿透)显示面板10的上表面和下表面的通孔形状。
125.当显示面板10包括与透射区域ta相对应(布置在透射区域ta中)的开口10h时，可以表示，包括在显示面板10中的多个层也包括与透射区域ta相对应(布置在透射区域ta中)的开口。基板100可以包括与透射区域ta相对应(布置在透射区域ta中)的第一开口100h。基板100的第一开口100h具有穿过(例如，穿透)基板100的上表面和下表面的通孔形状。
126.在图6的显示区域da中，子像素电路pc可以设置在基板100上方，并且有机发光二极管oled可以设置在子像素电路pc上。图6示出了最靠近透射区域ta的子像素电路pc和有机发光二极管oled。图6中示出的子像素电路pc和有机发光二极管oled的结构与远离透射区域ta设置的另一子像素电路pc和另一有机发光二极管oled的结构相同。
127.基板100可以包括玻璃和/或聚合物树脂。在实施例中，作为示例，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的和/或可弯折的。在实施例中，基板100可以具有包括包含聚合物树脂的层以及无机层的多层结构。
128.缓冲层201可以设置在基板100的上表面上。缓冲层201可以防止或基本上防止杂质渗透到晶体管的半导体层中。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
129.子像素电路pc可以设置在缓冲层201上。如上面参考图4a描述的，子像素电路pc可以包括多个晶体管以及存储电容器。关于这点，图6示出了第一晶体管t1、第三晶体管t3和存储电容器cst。
130.第一晶体管t1可以包括位于缓冲层201上的半导体层(被称为第一半导体层a1)以及与第一半导体层a1的沟道区c1重叠的栅电极(被称为第一栅电极ge1)。第一半导体层a1可以包括例如多晶硅的硅类半导体材料。第一半导体层a1可以包括沟道区c1以及分别布置在沟道区c1的两个相反侧的第一区b1和第二区d1。第一区b1和第二区d1是包括比沟道区c1的浓度高的浓度的杂质的区。第一区b1和第二区d1中的一个可以与源区相对应，并且另一个可以与漏区相对应。
131.第一栅绝缘层203可以布置在第一半导体层a1与第一栅电极ge1之间。第一栅绝缘层203可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
132.第一栅电极ge1可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
133.存储电容器cst可以包括彼此重叠的下电极ce1和上电极ce2。在实施例中，存储电容器cst的下电极ce1可以包括第一栅电极ge1。换句话说，第一栅电极ge1可以包括存储电容器cst的下电极ce1。在实施例中，作为示例，第一栅电极ge1与存储电容器cst的下电极ce1可以被形成为一体。
134.第一层间绝缘层205可以设置在存储电容器cst的下电极ce1与上电极ce2之间。第一层间绝缘层205可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
135.存储电容器cst的上电极ce2可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的导电低电阻材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
136.第二层间绝缘层207可以设置在存储电容器cst上。第二层间绝缘层207可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
137.第三晶体管t3的半导体层(被称为第三半导体层a3)可以设置在第二层间绝缘层207上。第三半导体层a3可以包括氧化物类半导体材料。在实施例中，作为示例，第三半导体层a3可以包括例如zn氧化物、in-zn氧化物和/或ga-in-zn氧化物的zn氧化物类材料。在实施例中，第三半导体层a3可以包括诸如in-ga-zn-o(igzo)、in-sn-zn-o(itzo)和/或in-ga-sn-zn-o(igtzo)的、在zno中包含诸如铟(in)、镓(ga)和/或锡(sn)的金属的半导体。
138.第三半导体层a3可以包括沟道区c3以及分别布置在沟道区c3的两个相反侧的第一区b3和第二区d3。第一区b3和第二区d3中的一个可以与源区相对应，并且另一个可以与漏区相对应。
139.第三晶体管t3可以包括与第三半导体层a3的沟道区c3重叠的栅电极(在下文中，被称为第三栅电极ge3)。第三栅电极ge3可以具有包括下栅电极g3a和上栅电极g3b的双栅结构，其中，下栅电极g3a位于第三半导体层a3下方，并且上栅电极g3b位于沟道区c3上方(例如，上面)。
140.下栅电极g3a可以位于与存储电容器cst的上电极ce2布置在其上的层相同的层(例如，第一层间绝缘层205)上。下栅电极g3a可以包括与存储电容器cst的上电极ce2的材料相同的材料。
141.上栅电极g3b可以设置在第三半导体层a3上方，其中第二栅绝缘层209在其之间。第二栅绝缘层209可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
142.第三层间绝缘层210可以设置在上栅电极g3b上。第三层间绝缘层210可以包括诸如氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括该无机绝缘材料的单层或多层。
143.尽管在图6中示出了存储电容器cst的上电极ce2与第三栅电极ge3的下栅电极g3a布置在同一层，但是实施例不限于此。在另一实施例中，存储电容器cst的上电极ce2可以与第三半导体层a3布置在同一层，并且可以包括与第三半导体层a3的第一区b3和第二区d3的材料相同的材料。
144.第一晶体管t1可以通过节点连接线166电连接到第三晶体管t3。节点连接线166可以设置在第三层间绝缘层210上。节点连接线166的一侧可以连接到第一晶体管t1的第一栅电极ge1，并且节点连接线166的另一侧可以连接到第三晶体管t3的第三半导体层a3的第一区b3。
145.节点连接线166可以包括铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中，作为示例，节点连接线166可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
146.第一有机绝缘层211可以设置在节点连接线166上。第一有机绝缘层211可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括丙烯酸、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺和/或六甲基二硅氧烷(hmdso)。
147.数据线dl和驱动电压线pl可以设置在第一有机绝缘层211上并且被第二有机绝缘层213覆盖。数据线dl和驱动电压线pl可以包括铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中，作为示例，数据线dl和驱动电压线pl可以各自具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
148.第二有机绝缘层213可以包括丙烯酸、bcb、聚酰亚胺和/或hmdso。尽管在图6中示出了数据线dl和驱动电压线pl设置在第一有机绝缘层211上，但是实施例不限于此。在另一实施例中，数据线dl和驱动电压线pl中的一个可以设置在与节点连接线166设置在其上的层相同的层(例如，第三层间绝缘层210)上。
149.有机发光二极管oled的第一电极221可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)和/或其化合物的反射层。在另一实施例中，第一电极221可以进一步包括位于反射层上和/或下的导电氧化物材料层。导电氧化物材料层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和/或氧化铝锌(azo)。在实施例中，第一电极221可以具有ito层/ag层/ito层的三层结构。
150.堤层215可以设置在第一电极221上。堤层215可以包括与第一电极221重叠的开口并且可以覆盖第一电极221的边缘。堤层215可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
151.间隔件217可以形成在堤层215上。间隔件217可以在与形成堤层215的工艺相同的工艺期间一起形成，或者在单独的工艺期间单独地形成。在实施例中，间隔件217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可替代地，在实施例中，堤层215可以包括包含遮光染料的有机绝缘材料，并且间隔件217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
152.中间层222包括发射层222b。中间层222可以包括第一功能层222a和/或第二功能层222c，其中，第一功能层222a位于发射层222b下方，并且第二功能层222c位于发射层222b上。发射层222b可以包括发射具有预设颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。第一功能层222a可以包括空穴传输层(htl)和/或空穴注入层(hil)。第二功能层222c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第一功能层222a和第二功能层222c可以各自包括有机材料。
153.第二电极223可以包括具有低功函数的导电材料。在实施例中，作为示例，第二电极223可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)和/或其合金的(半)透明层。可替代地，在实施例中，第二电极223可以进一步包括位于该(半)透明层上的层，该层包括ito、izo、zno或in2o3。
154.发射层222b可以通过堤层215的开口形成在显示区域da中，以与第一电极221重叠。相反，例如包括在中间层222中的第一功能层222a和第二功能层222c的有机材料层可以完全覆盖显示区域da。第二电极223可以完全覆盖显示区域da。
155.封盖层225可以设置在第二电极223上。封盖层225可以包括无机材料和/或有机材料。封盖层225可以包括诸如氟化锂(lif)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。封盖层225可以完全覆盖显示区域da。
156.包括第一电极221、中间层222和第二电极223的有机发光二极管oled可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在实施例中，在图6中示出了封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。封装层300可以设置在封盖层225上。
157.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等当中的至少一种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括包含上述材料的单层或多层。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。在实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
158.第一无机封装层310的厚度可以不同于第二无机封装层330的厚度。第一无机封装层310的厚度可以大于第二无机封装层330的厚度。可替代地，在实施例中，第二无机封装层330的厚度可以大于第一无机封装层310的厚度，或者第一无机封装层310的厚度可以与第二无机封装层330的厚度相同。
159.输入感测层400可以设置在封装层300上。输入感测层400可以包括布置在显示区域da中的触摸电极te以及至少一个触摸绝缘层。关于这点，在图6中示出了输入感测层400包括第一触摸绝缘层410、第一触摸导电层420、第二触摸绝缘层430、第二触摸导电层440和第三触摸绝缘层450，其中，第一触摸绝缘层410位于第二无机封装层330上，第一触摸导电层420位于第一触摸绝缘层410上，第二触摸绝缘层430位于第一触摸导电层420上，第二触摸导电层440位于第二触摸绝缘层430上，并且第三触摸绝缘层450位于第二触摸导电层440上。
160.第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450可以各自包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在实施例中，第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层430可以各自包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且第三触摸绝缘层450可以包括有机绝缘材料。
161.输入感测层400的触摸电极te可以具有其中第一触摸导电层420连接到第二触摸导电层440的结构。可替代地，在实施例中，触摸电极te可以包括第一触摸导电层420和第二触摸导电层440中的一个。
162.第一触摸导电层420和第二触摸导电层440中的每一个可以包括铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中，作为示例，第一触摸导电层420和第二触摸导电层440中的每一个可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
163.接下来，在图6的第一非显示区域nda1中，第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213可以各自在第一非显示区域nda1中延伸。第一有机绝缘层211的一个边缘(例如，末端)可以布置在第一非显示区域nda1中。关于这点，在图6中示出了与第一有机绝缘层211的一个边缘相对应的侧表面布置在第一非显示区域nda1中。第二有机绝缘层213的一个边缘(例如，末端)可以布置在第一非显示区域nda1中。关于这点，在图6中示出了与第二有机绝缘层213的一个边缘相对应的侧表面布置在第一非显示区域nda1中。第二有机绝缘层213可以覆盖第一有机绝缘层211的侧表面。第二有机绝缘层213的一个边缘可以被布置为比第一有机绝缘层211的一个边缘靠近透射区域ta。第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213中的每
一个的一个边缘可以与第一分隔壁pw1间隔开。
164.在第一非显示区域nda1中，数据线dl的迂回部分dl-c可以设置在不同层，其中第一有机绝缘层211在其之间。邻近的数据线dl的迂回部分dl-c中的一个可以设置在第一有机绝缘层211上，并且另一个可以设置在第一有机绝缘层211下方。图6中示出的数据线dl的迂回部分dl-c与上面参考图5描述的数据线dl当中的布置在第一非显示区域nda1中的部分(图5中的沿着透射区域ta的弯曲部分)相对应。
165.至少一个分隔壁布置在第一非显示区域nda1中。尽管图6示出了三个分隔壁，但是在另一实施例中，可以提供一个、两个、四个或更多个分隔壁。
166.第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3可以布置在第一非显示区域nda1中，并且可以在从显示区域da面对透射区域ta的方向上彼此间隔开。第一分隔壁pw1可以最靠近显示区域da，第三分隔壁pw3可以比第一分隔壁pw1靠近透射区域ta，并且第二分隔壁pw2可以布置在第一分隔壁pw1与第三分隔壁pw3之间。如图5中所示，第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3可以各自具有在透射区域ta和/或开口10h周围(例如，围绕透射区域ta和开口10h)的闭环形状。
167.如图6中所示以及下面描述的实施例，因为第一开口100h形成在基板100中以与显示面板10的开口10h相对应，所以术语“透射区域ta”、“显示面板10的开口10h”和“基板100的第一开口100h”可以在本说明书中互换使用。作为示例，“在显示面板10的开口10h周围(例如，围绕显示面板10的开口10h)”可以指“在基板100的第一开口100h周围(例如，围绕基板100的第一开口100h)”和/或“在透射区域ta周围(例如，围绕透射区域ta)”。
168.第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3可以各自包括绝缘材料。在实施例中，作为示例，第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3可以各自包括有机绝缘材料，并且可以在形成布置在显示区域da中的多个绝缘材料层的工艺期间并发地(例如，同时地)形成。
169.第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3的高度可以彼此相等或不同。在图6中示出了第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2具有相同的高度，并且第三分隔壁pw3具有比第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2的高度小的高度。在另一实施例中，第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3可以都具有不同的高度。
170.至少一个分隔壁(例如，第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3)可以被配置为在形成封装层300的工艺期间控制形成有机封装层320的材料的流动。在实施例中，作为示例，有机封装层320可以通过利用诸如喷墨工艺等的工艺在显示区域da中涂敷单体并且然后硬化(例如，固化或聚合)该单体来形成。分隔壁可以被配置为通过控制该单体的流动来控制有机封装层320的位置。关于这点，在图6中示出了有机封装层320的边缘(例如，末端)320e位于第一分隔壁pw1的一侧。在另一实施例中，有机封装层320的边缘320e设置在第一分隔壁pw1的上表面上，并且因为有机封装层320的边缘320e设置在第一分隔壁pw1的上表面上，所以有机封装层320的一部分可以与第一分隔壁pw1的上表面重叠。
171.在实施例中，有机封装层320的边缘320e位于分隔壁中的一个(例如，第一分隔壁pw1)的一侧，第二无机封装层330可以在第一非显示区域nda1中直接接触第一无机封装层310。在实施例中，作为示例，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在有机封装层320的边缘320e与显示面板10的开口10h之间的区域中彼此直接接触。在实施例中，在图6中
示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330在第一分隔壁pw1与显示面板10的开口10h之间的区域中彼此直接接触。
172.输入感测层400的绝缘层(例如，第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层430和第三触摸绝缘层450)可以延伸到第一非显示区域nda1。包括有机绝缘材料的第三触摸绝缘层450可以布置在第一非显示区域nda1中，并且可以完全覆盖设置在第三触摸绝缘层450下方的结构。第三触摸绝缘层450可以具有与平坦化层一样的功能，并且因此，输入感测层400的上表面可以具有基本上平坦的表面。换句话说，在显示区域da中从基板100的上表面到第三触摸绝缘层450的上表面的垂直距离可以与在第一非显示区域nda1中从基板100的上表面到第三触摸绝缘层450的上表面的垂直距离基本上相同。这里，术语“基本上相同”可以表示误差(例如，差异)是大约30％或更小(例如，大约20％或更小)。
173.包括在中间层222中的至少一个有机材料层222o可以被形成为完全覆盖显示区域da。有机材料层222o也可以形成在第一非显示区域nda1中。有机材料层222o可能提供引入湿气的路径。因为有机材料层222o包括位于第一非显示区域nda1中的开口(在下文中，被称为第一开口222oh)，所以可以防止或减少可能通过开口10h引入的湿气通过有机材料层222o移动到显示区域da。
174.如图6中所示，有机材料层222o的第一开口222oh可以在第一非显示区域nda1中彼此间隔开。关于这点，图6示出了位于第一分隔壁pw1与凹槽部分rc之间的第一开口222oh、位于第一分隔壁pw1与第二分隔壁pw2之间的第一开口222oh、位于第二分隔壁pw2与第三分隔壁pw3之间的第一开口222oh以及位于第三分隔壁pw3与防裂纹凹槽部分gc之间的第一开口222oh。在有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c的情况下，第一功能层222a的开口222ah和第二功能层222c的开口222ch可以彼此重叠以构成第一开口222oh。
175.有机材料层222o可以包括通过第一开口222oh在第一非显示区域nda1中彼此间隔开的分离部分222op。在有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c的情况下，有机材料层222o的分离部分222op可以包括第一功能层222a的一部分(在下文中，被称为分离部分222ap)和第二功能层222c的一部分(在下文中，被称为分离部分222cp)。根据图6的实施例，第一功能层222a的分离部分222ap和第二功能层222c的分离部分222cp的重叠结构可以与有机材料层222o的分离部分222op相对应。
176.第一开口222oh中的一些可以分别位于邻近的分隔壁之间。在实施例中，作为示例，如图6中所示，第一开口222oh可以分别位于第一分隔壁pw1与第二分隔壁pw2之间以及第二分隔壁pw2与第三分隔壁pw3之间。
177.第一开口222oh当中的最靠近显示区域da的第一开口222oh可以位于凹槽部分rc与第一分隔壁pw1之间。在显示区域da中位于第一电极221与第二电极223之间的有机材料层222o的一部分延伸到第一非显示区域nda1，但是不穿过第一分隔壁pw1。从显示区域da延伸到第一非显示区域nda1的有机材料层222o的一部分的边缘可以位于凹槽部分rc与第一分隔壁pw1之间。换句话说，在图6的截面图中，最靠近显示区域da的第一开口222oh的左侧部分可以与从显示区域da延伸到第一非显示区域nda1的有机材料层222o的一部分的边缘相对应。最靠近显示区域da的第一开口222oh的右侧部分可以与最靠近显示区域da的分离部分222op的边缘相对应。
178.参考图7，第一开口222oh中的每一个可以沿着开口10h的边缘延伸，并且在平面图
中可以具有完全在开口10h周围(例如，完全围绕开口10h)的闭环形状。相应地，如图7中所示，有机材料层222o的通过第一开口222oh彼此间隔开的分离部分222op也可以具有完全在透射区域ta周围(例如，完全围绕透射区域ta)的闭环形状。在截面图中，有机材料层222o的分离部分222op可以分别覆盖第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3，如图6中所示。
179.再次参考图6，有机材料层222o的设置在分隔壁上的分离部分222op可以覆盖分隔壁的上表面和侧表面，并且两个边缘可以直接接触分隔壁下方的无机绝缘层。在实施例中，作为示例，有机材料层222o的位于第一分隔壁pw1上的分离部分222op可以直接接触第一分隔壁pw1的上表面和侧表面，并且两个边缘可以直接接触第三层间绝缘层210的上表面。同样，有机材料层222o的位于第二分隔壁pw2或第三分隔壁pw3上的分离部分222op可以直接接触第二分隔壁pw2或第三分隔壁pw3的上表面和侧表面，并且两个边缘可以直接接触第三层间绝缘层210的上表面。
180.有机材料层222o的最靠近透射区域ta的分离部分222op可以覆盖防裂纹凹槽部分gc。为了在形成显示面板10的开口10h的工艺和/或制造显示面板10的其他工艺期间阻止或防止裂纹发生并且传播到显示区域da，位于基板100与分隔壁之间的多层绝缘层mil可以包括防裂纹凹槽部分gc。防裂纹凹槽部分gc是凹槽，并且可以通过在多层绝缘层mil的深度(例如，厚度)方向上去除多层绝缘层mil的一部分来形成。
181.多层绝缘层mil可以包括多个无机绝缘层，并且术语“多个无机绝缘层”指两个或更多个无机绝缘层。在实施例中，多层绝缘层mil可以包括缓冲层201、第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210。防裂纹凹槽部分gc可以通过去除构成多层绝缘层mil的子层的一部分来形成。在图6中示出了防裂纹凹槽部分gc通过沿着深度方向(或厚度方向)去除第二层间绝缘层207的一部分、第二栅绝缘层209的一部分和第三层间绝缘层210的一部分来形成。
182.示出了被形成为完全覆盖显示区域da的第二电极223延伸到第一非显示区域nda1，并且第二电极223的边缘(例如，末端)223ep位于显示区域da与第一分隔壁pw1之间。在实施例中，在图6中示出了第二电极223的边缘223ep位于显示区域da与凹槽部分rc之间，例如，位于第二有机绝缘层213的边缘(例如，末端或侧表面)与凹槽部分rc之间。
183.在实施例中，图6中示出的第二电极223的边缘223ep是第二电极223的最邻近开口10h的一部分。在从第二电极223的边缘223ep到开口10h的区域中，可以不存在与第二电极223相对应的层。换句话说，在第二电极223的边缘223ep与开口10h之间，可以不存在具有与第二电极223的材料和结构相同的材料和结构的层。
184.第二电极223的边缘223ep可以位于显示区域da与凹槽部分rc之间。封盖层225的边缘(例如，末端)225ep也可以位于显示区域da与凹槽部分rc之间。
185.类似于第二电极223，在封盖层225的边缘225ep与开口10h之间，可以不存在包括与封盖层225的材料和结构相同的材料和结构的层。
186.第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep可以被第一无机封装层310覆盖，并且可以与有机封装层320重叠。第二电极223可以通过形成完全覆盖显示区域da和第一非显示区域nda1的第二电极材料层并且然后去除位于第一非显示区域nda1中的第二电极材料层的一部分来形成。
187.尽管有机材料层222o包括多个第一开口222oh，但是如图8中所示，第二电极223和封盖层225可以分别包括单个第二开口223oh和单个第三开口225oh。参考图6、图7和图8，单个第二开口223oh和单个第三开口225oh可以与多个第一开口222oh重叠。换句话说，第一开口222oh以及通过第一开口222oh彼此间隔开的分离部分222op可以位于单个第二开口223oh和/或单个第三开口225oh内部。
188.有机材料层222o的第一开口222oh、第二电极223的第二开口223oh和封盖层225的第三开口225oh可以通过制造显示面板10的工艺当中的激光剥离工艺被形成(例如，改变)。激光剥离工艺中的激光束可能被包括形成在基板100上的各种合适的层(例如，无机绝缘层和有机绝缘材料)的分隔壁的结构折射，并且可能朝向显示区域da移动(例如，可能被折射)。结果，第二电极223的边缘223ep可能从第三层间绝缘层210的上表面在z方向(远离基板100的上表面的方向)上卷曲。当如上所述，第二电极223的边缘223ep的位置由于激光束而不容易被控制时，第二电极223的边缘223ep可能穿过有机封装层320，并且因此，显示面板10的封装特性可能劣化并且可能产生缺陷。相反，因为凹槽部分rc布置在显示区域da与分隔壁(例如，第一分隔壁pw1)之间，因此可以防止或减少激光束的折射，并且因此，第二电极223的边缘223ep的位置可以被容易地控制。
189.凹槽部分rc可以形成在布置于基板100与分隔壁之间的多层绝缘层mil中。如上面图5中所示，凹槽部分rc可以具有在显示区域da与第一分隔壁pw1之间在透射区域ta周围(例如，围绕透射区域ta)的闭环形状。凹槽部分rc是一种凹槽，并且可以通过去除构成多层绝缘层mil的子层的一部分来形成。在实施例中，在图6中示出了凹槽部分rc通过在深度方向(或厚度方向)上去除第二层间绝缘层207的一部分、第二栅绝缘层209的一部分和第三层间绝缘层210的一部分来形成。
190.参考图9，第二层间绝缘层207和第三层间绝缘层210可以各自包括包含不同材料的多个层。在实施例中，作为示例，第二层间绝缘层207可以包括包含氮化硅的第一子层207a以及包含氧化硅的第二子层207b。第三层间绝缘层210可以包括包含氧化硅的第一子层210a以及包含氮化硅的第二子层210b。在实施例中，缓冲层201、第一栅绝缘层203和第二栅绝缘层209可以都包括相同的材料(例如，氧化硅)，并且第一层间绝缘层205可以包括氮化硅。
191.凹槽部分rc可以包括彼此重叠的孔207h、孔209h和孔210h，其中，孔207h穿过(例如，穿透)第二层间绝缘层207的上表面和下表面，孔209h穿过(例如，穿透)第二栅绝缘层209的上表面和下表面，并且孔210h穿过(例如，穿透)第三层间绝缘层210的上表面和下表面。凹槽部分rc的上部宽度可以大于凹槽部分rc的下部宽度。凹槽部分rc的内表面可以具有平缓的坡度。至少一个氮化硅层可以设置在凹槽部分rc的底表面下方。关于这点，在图9中示出了包括氮化硅的第一层间绝缘层205设置在凹槽部分rc下方。
192.尽管参考图6和图9描述了凹槽部分rc穿过第二层间绝缘层207、第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210，但是实施例不限于此。凹槽部分rc可以通过去除包括在多层绝缘层mil中的一个或多个子层的一部分来形成，并且子层的数量不受限制。在实施例中，作为示例，凹槽部分rc的深度可以等于或小于多层绝缘层mil的厚度。
193.图10a至图10e是示出根据实施例的制造显示面板10的工艺的(例如，沿着图5的线vi-vi’截取的)截面图。
194.参考图10a，制备基板100。然后，晶体管和存储电容器cst形成在基板100上方以位于显示区域da中。关于这点，在图10a中示出了第一晶体管t1和第三晶体管t3以及存储电容器cst形成在基板100上方。在形成第一晶体管t1之前，可以形成缓冲层201。形成第一晶体管t1和第三晶体管t3以及存储电容器cst的工艺可以包括形成第一半导体层a1和第三半导体层a3以及电极的工艺以及形成绝缘层的工艺。缓冲层201、第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210可以被形成为完全覆盖显示区域da、第一非显示区域nda1和透射区域ta。
195.为将第一晶体管t1的第一栅电极ge1电连接到第三晶体管t3的第三半导体层a3，第三晶体管t3的第三半导体层a3上的绝缘层和第一晶体管t1的第一栅电极ge1上的绝缘层可以分别包括第一接触孔210h1和第二接触孔210h2。第一接触孔210h1可以穿过(例如，穿透)第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210，并且第二接触孔210h2可以穿过(例如，穿透)第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210。
196.在形成第一接触孔210h1的蚀刻工艺期间可以形成凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc。凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc可以各自被形成为穿过(例如，穿透)包括在多层绝缘层mil中的子层(例如，无机绝缘层)中的一些，并且可以具有相同的深度。在实施例中，在图10a中示出了凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc可以各自通过去除第二层间绝缘层207的一部分、第二栅绝缘层209的一部分和第三层间绝缘层210的一部分来形成。在另一实施例中，凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc可以各自通过去除第一栅绝缘层203的一部分、第一层间绝缘层205的一部分、第二层间绝缘层207的一部分、第二栅绝缘层209的一部分和第三层间绝缘层210的一部分来形成。
197.参考图10b，至少一个牺牲层20和节点连接线166可以形成在其上形成有凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc的基板100上方。至少一个牺牲层20和节点连接线166可以设置在同一层(例如，第三层间绝缘层210)上，并且可以包括相同的材料。至少一个牺牲层20和节点连接线166可以包括铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
198.至少一个牺牲层20可以设置在第一非显示区域nda1中。在实施例中，在图10b中示出了至少一个牺牲层20包括第一牺牲层21、第二牺牲层22、第三牺牲层23和第四牺牲层24。第一牺牲层21位于显示区域da与第一分隔壁pw1之间。例如，第一牺牲层21可以位于凹槽部分rc与第一分隔壁pw1之间。第二牺牲层22可以位于第一分隔壁pw1与第二分隔壁pw2之间，并且第三牺牲层23可以位于第二分隔壁pw2与第三分隔壁pw3之间。第四牺牲层24可以位于第三分隔壁pw3与防裂纹凹槽部分gc之间。
199.第一牺牲层21、第二牺牲层22、第三牺牲层23和第四牺牲层24的宽度(例如，在x方向上的宽度)可以彼此相同或不同。在实施例中，在图10b中示出了第一牺牲层21、第二牺牲层22、第三牺牲层23和第四牺牲层24的宽度(例如，在x方向上的宽度)相同。在另一实施例中，第一牺牲层21、第二牺牲层22、第三牺牲层23和第四牺牲层24中的至少一个的宽度可以小于其余牺牲层的宽度。在实施例中，作为示例，第四牺牲层24的宽度可以小于第一牺牲层21、第二牺牲层22和第三牺牲层23中的每一个的宽度。
200.形成至少一个牺牲层20并且然后可以形成第一有机绝缘层211、数据线dl和驱动电压线pl，并且可以形成第二有机绝缘层213。然后，可以形成第一电极221、堤层215和间隔
件217。
201.在形成第一有机绝缘层211、第二有机绝缘层213、堤层215和间隔件217的工艺期间，可以形成例如第一至第三分隔壁pw1、pw2和pw3的至少一个分隔壁。如图10b中所示，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2可以各自包括三个子层。三个子层可以包括与第一有机绝缘层211、第二有机绝缘层213、堤层215和间隔件217当中的三个层的材料相同的材料。如图10b中所示，第三分隔壁pw3可以包括两个子层。两个子层可以包括与第一有机绝缘层211、第二有机绝缘层213、堤层215和间隔件217当中的两个层的材料相同的材料。
202.与发光元件相对应的有机发光二极管oled可以形成在显示区域da中。第一电极221可以设置在第二有机绝缘层213上，并且第一电极221的边缘可以被堤层215覆盖。发射层222b可以与第一电极221重叠，并且第二电极223可以形成在发射层222b上。
203.与有机材料层222o相对应的第一功能层222a和第二功能层222c可以形成在第一电极221与第二电极223之间。与有机材料层222o相对应的第一功能层222a和第二功能层222c可以各自被形成为位于显示区域da、第一非显示区域nda1和透射区域ta中。第二电极230可以被形成为位于显示区域da、第一非显示区域nda1和透射区域ta中。
204.接下来，可以通过从基板100的下表面在面对上表面的方向上照射激光束lb来去除第一功能层222a的一部分、第二功能层222c的一部分以及第二电极230的一部分。激光束lb可以被照射到第一非显示区域nda1，并且激光束lb可以在从显示区域da在面对透射区域ta的方向上移动的同时，被照射多次。在实施例中，可以基于第二电极223的带隙来设置激光束lb的输出。
205.布置在第一非显示区域nda1中的第二电极223的一部分和布置在第一非显示区域nda1中的封盖层225的一部分可以通过激光束lb(激光剥离工艺)被去除。
206.图10c示出了第二电极223的第二开口223oh和封盖层225的第三开口225oh，其中，第二开口223oh和第三开口225oh通过去除布置在第一非显示区域nda1中的第二电极223的一部分和封盖层225的一部分来形成。第二电极223的第二开口223oh和封盖层225的第三开口225oh中的每一个是位于第一非显示区域nda1中的单个开口。第二开口223oh和第三开口225oh可以被形成为占据(例如，暴露)透射区域ta和第一非显示区域nda1的大部分。
207.在激光剥离工艺期间，第一至第四牺牲层21、22、23和24可以吸收激光束lb，并且可以被加热到预设温度，并且第一至第四牺牲层21、22、23和24上的层可以与第一至第四牺牲层21、22、23和24一起被去除。在实施例中，作为示例，可以去除有机材料层222o的设置在第一至第四牺牲层21、22、23和24上的部分(例如，第一功能层222a的一部分和第二功能层222c的一部分)。关于这点，在图10c中示出了包括(例如，形成)有机材料层222o的第一开口222oh。
208.在有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c的情况下，有机材料层222o的第一开口222oh可以由彼此重叠的第一功能层222a的开口222ah和第二功能层222c的开口222ch形成。
209.有机材料层222o包括通过第一开口222oh分离的多个分离部分222op。在有机材料层222o包括第一功能层222a和第二功能层222c的情况下，分离部分222op可以包括第一功能层222a的分离部分222ap和第二功能层222c的分离部分222cp。有机材料层222o的分离部分222op可以通过第一开口222oh彼此间隔开。
210.因为最靠近显示区域da的第一牺牲层21(见图10b)布置在凹槽部分rc与第一分隔壁pw1之间，所以从显示区域da延伸到第一非显示区域nda1的有机材料层222o的一部分可以覆盖凹槽部分rc。第一至第三分隔壁pw1、pw2和pw3可以被分离部分222op(例如，第一功能层222a的分离部分222ap和第二功能层222c的分离部分222cp)覆盖。防裂纹凹槽部分gc也可以被分离部分222op覆盖。
211.在如参考图10c描述的去除有机材料层222o的一部分、第二电极223的一部分和封盖层225的一部分之后，并且可以形成封装层300和输入感测层400。
212.参考图10d，封装层300的第一无机封装层310可以被形成为完全覆盖基板100。第一无机封装层310可以通过化学气相沉积形成。因为第一至第四牺牲层21、22、23和24在上述激光剥离工艺期间被去除，所以第一无机封装层310可以直接接触第三层间绝缘层210的被暴露的上表面。
213.因为第一无机封装层310具有相对更高的阶梯覆盖率，所以第一无机封装层310可以覆盖第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep。
214.有机封装层320可以通过利用喷墨法等涂覆单体并且然后硬化(例如，固化或聚合)该单体来形成。有机封装层320可以包括在单体被硬化的同时形成的树脂。有机封装层320的具体材料可以与上面描述的相同。有机封装层320可以与第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep重叠。
215.第二无机封装层330可以形成在有机封装层320上。类似于第一无机封装层310，第二无机封装层330可以通过化学气相沉积等形成。第二无机封装层330可以在第一非显示区域nda1和透射区域ta的其中不存在有机封装层320的部分中直接接触第一无机封装层310。在实施例中，作为示例，第二无机封装层330可以在有机封装层320的边缘320e与透射区域ta之间直接接触第一无机封装层310。相应地，可以更进一步降低或防止湿气传输的可能性。
216.然后，可以形成第一触摸绝缘层410，并且可以顺序地形成第一触摸导电层420、第二触摸绝缘层430、第二触摸导电层440和第三触摸绝缘层450。
217.然后，当通过利用激光切割方法等沿着切割线cl切割透射区域ta时，显示面板10可以包括形成在透射区域ta中的开口10h，如图10e中所示。图10e的结构与上面参考图6描述的结构相同。
218.图11a至图11d是图10e的区域xi的截面图像。
219.参考图11a至图11d，第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep可以被设置(例如，形成)为在z方向(垂直于第三层间绝缘层210的上表面的方向)上距第三层间绝缘层210的上表面具有第一高度h。第一高度h可以等于或小于大约2μm。第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep可以从第三层间绝缘层210的上表面卷曲。
220.在实施例中，作为示例，如图11a中所示，第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep可以弯折以具有大致(或基本上)l形，或者如图11b、图11c和图11d中所示，可以弯折以具有大致(或基本上)c形。
221.因为第一无机封装层310具有高阶梯覆盖率，所以如图11a至图11d中所示，第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep可以被第一无机封装层310覆盖。
222.图12是图10b的区域xii的放大图。
223.参考图12，凹槽部分rc可以防止或基本上防止激光束lb被基板100上的结构(例如，第二牺牲层22)反射和折射并且行进到第二电极223和封盖层225。
224.作为比较示例，在不存在凹槽部分rc的情况下，激光束lb可能到达第二电极223和封盖层225，并且第二电极223的边缘(例如，末端)223ep和封盖层225的边缘(例如，末端)225ep可能具有比图11a至图11d中示出的第一高度h大的高度。换句话说，在不存在凹槽部分rc的情况下，第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep可能具有足以穿过有机封装层320的上表面的高度。相反，根据实施例，可以通过凹槽部分rc容易地控制第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep的位置。
225.图13是根据另一实施例的显示面板10’的示意性截面图，并且图14是根据另一实施例的显示面板10’的第二非显示区域nda2的截面图。图13的显示面板10’是图6的显示面板10的修改，并且与显示面板10的不同之处在于第三晶体管t3、多层绝缘层mil、凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc，而其他构造与图6的显示面板10的构造相同。在图13中示出的元件当中，具有与图6的附图标记相同的附图标记的元件表示相同的元件，并且因此，下面主要描述不同之处。
226.参考图13中示出的显示面板10’的显示区域da，子像素电路pc和有机发光二极管oled可以设置在基板100上方。如上面参考图4b描述的，子像素电路pc可以包括多个晶体管以及存储电容器。关于这点，图13示出了第一晶体管t1、第三晶体管t3和存储电容器cst。第一晶体管t1的第一半导体层a1和第三晶体管t3的第三半导体层a3可以设置在同一层(例如，缓冲层201)上，并且可以包括相同的材料。
227.多个绝缘层形成在基板100与有机发光二极管oled的第一电极221之间。关于这点，图13示出了缓冲层201、第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213。因为第一晶体管t1的第一半导体层a1和第三晶体管t3的第三半导体层a3设置在同一层(例如，缓冲层201)上，所以可以省略上面参考图6描述的第二栅绝缘层209(见图6)和第三层间绝缘层210(见图6)。
228.参考图13的第一非显示区域nda1，第一至第三分隔壁pw1、pw2和pw3可以彼此间隔开。有机材料层222o可以在第一非显示区域nda1中包括第一开口222oh以及通过第一开口222oh彼此间隔开的分离部分222op。第二电极223和封盖层225可以分别包括第二开口223oh和第三开口225oh。
229.有机材料层222o的第一开口222oh和分离部分222op、第二电极223的第二开口223oh和边缘223ep、封盖层225的第三开口225oh和边缘225ep与上面参考图6、图11a至图11d描述的那些相同。
230.凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc可以布置在第一非显示区域nda1中。凹槽部分rc可以布置在第二电极223的边缘223ep和封盖层225的边缘225ep与第一分隔壁pw1之间，并且防裂纹凹槽部分gc可以布置在第三分隔壁pw3与开口10h(或者透射区域ta或基板100的第一开口100h)之间，如上所述。
231.凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc可以通过在多层绝缘层mil的厚度方向上去除多层绝缘层mil的一部分来形成。多层绝缘层mil可以包括缓冲层201、第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207。在实施例中，作为示例，如图13中所示，凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc可以各自通过去除第二层间绝缘层207的一部分来形成。在另一实施
例中，凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc可以各自通过去除缓冲层201、第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207当中的两层或更多层的一部分来形成。
232.图13的凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc可以在形成布置在图14中示出的显示面板10’的第二非显示区域nda2中的开口op的工艺期间并发地(例如，同时地)形成。
233.参考图14，基板100上方的多层绝缘层mil也提供在第二非显示区域nda2中。如上面参考图3a和图3b描述的，为第二非显示区域nda2的一部分的副区域sr中的基板100可以弯折。在这种情况下，为了便于弯折、在显示面板弯折时减少裂纹的发生或者防止裂纹传播，多层绝缘层mil可以包括开口op。
234.开口op可以通过去除包括在多层绝缘层mil中的子层中的至少一个的一部分来形成。在实施例中，在图14中示出了开口op通过去除多层绝缘层mil的第二层间绝缘层207的一部分来形成。多层绝缘层mil的开口op的深度可以与图13的凹槽部分rc和防裂纹凹槽部分gc的深度基本上相同。
235.在根据实施例的显示面板中，可以防止或基本上防止关于包括开口的显示面板和包括该显示面板的电子设备中的湿气传输的问题以及关于裂纹发生的问题。此外，可以容易地(例如，更好地)控制有机发光二极管的第二电极的边缘的位置。作为示例提供了该效果，并且在上面描述中更详细地描述了根据实施例的效果。
236.在描述本公开的实施例时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。
237.如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量值相关联的误差(即，测量系统的限制)，本文中所用的“大约”、“基本上”或“近似”包括陈述的值，并且意味着在由本领域普通技术人员确定的该特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
238.本文中记载的任意数值范围旨在包括包含在所记载的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0之间(包括两者)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，例如，2.4至7.6。本文中所记载的任意最大数值限制旨在包括包含在内的所有更小数值限制，并且本说明书中所记载的任意最小数值限制旨在包括包含在内的所有更大数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确记载包含在本文中明确记载的范围内的任何子范围。
239.根据本文中描述的本发明的实施例的电子设备、显示装置和/或任何其他相关装置或部件可以使用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，装置的各种部件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或形成在单独的ic芯片上。此外，装置的各种部件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或者形成在一个基板上。此外，装置的各种部件可以是在一个或多个计算装置中一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并与其它系统部件交互以执行本文中所述各功能的进程或线程。计算机程序指令被存储在可被实现在利用标准存储器装置的计算装置中的存储器(例如以随机存取存储器(ram)为例)中。计算机程序指令还可以被存储在诸如例如cd-rom、闪存驱动器等的其他非暂时性计算机可读介质中。此外，本领域技术
人员应认识到各种计算装置的功能可以被结合或集成到单个计算装置中，或特定计算装置的功能可以分布在一个或多个其它计算装置上，而不脱离本公开的实施例的范围。
240.应当理解，在本文中描述的实施例应仅以描述性的意义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种合适的改变，而不脱离由权利要求及其等同物所限定的精神和范围。

技术特征：
1.一种显示面板，包括：基板，包括开口；发光元件，在所述开口周围的显示区域中并且包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层；至少一个分隔壁，在所述显示区域与所述开口之间的第一非显示区域中；多层绝缘层，在所述至少一个分隔壁下面；以及封装层，在所述发光元件上并且包括有机封装层以及至少一个无机封装层，其中，所述第二电极从所述显示区域朝向所述第一非显示区域延伸，并且所述多层绝缘层在所述第一非显示区域中包括位于所述第二电极的边缘与所述至少一个分隔壁之间的凹槽部分。2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多层绝缘层包括多个无机绝缘层。3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述有机封装层与所述第二电极的所述边缘和所述凹槽部分重叠。4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述中间层包括从所述显示区域朝向所述第一非显示区域延伸的有机材料层，并且所述有机材料层的一部分在所述第一非显示区域中覆盖所述凹槽部分。5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述有机材料层包括多个第一开口和多个分离部分，其中，所述多个第一开口在所述第一非显示区域中彼此间隔开，并且所述多个分离部分通过所述多个第一开口分离。6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述有机材料层的所述多个分离部分中的至少一个覆盖所述至少一个分隔壁的上表面和侧表面。7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其中，所述至少一个分隔壁包括最靠近所述显示区域的第一分隔壁，并且所述凹槽部分在所述第一非显示区域中位于所述第二电极的所述边缘与所述第一分隔壁之间。8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述至少一个分隔壁进一步包括第二分隔壁和第三分隔壁，其中，所述第二分隔壁比所述第一分隔壁靠近所述基板的所述开口，并且所述第三分隔壁比所述第二分隔壁靠近所述基板的所述开口。9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述多层绝缘层进一步包括位于所述第三分隔壁与所述基板的所述开口之间的防裂纹凹槽部分。10.一种电子设备，包括：显示面板，包括透射区域、显示区域以及位于所述透射区域与所述显示区域之间的第一非显示区域；以及部件，在所述显示面板下面，所述部件与所述透射区域相对应，所述显示面板包括：基板，具有与所述透射区域相对应的开口；发光元件，在所述开口周围的所述显示区域中并且包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层；至少一个分隔壁，在所述显示区域与所述开口之间的所述第一非显示区域中；
多层绝缘层，在所述至少一个分隔壁下面并且包括多个无机绝缘层；以及封装层，在所述发光元件上并且包括有机封装层以及至少一个无机封装层，其中，所述第二电极从所述显示区域朝向所述第一非显示区域延伸，并且所述多层绝缘层在所述第一非显示区域中包括位于所述第二电极的边缘与所述至少一个分隔壁之间的凹槽部分。11.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述部件包括相机和/或传感器。12.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述有机封装层与所述第二电极的所述边缘和所述凹槽部分重叠。13.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述中间层包括从所述显示区域朝向所述第一非显示区域延伸的有机材料层，并且所述有机材料层的一部分在所述第一非显示区域中覆盖所述凹槽部分。14.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述有机材料层包括多个第一开口和多个分离部分，其中，所述多个第一开口在所述第一非显示区域中彼此间隔开，并且所述多个分离部分通过所述多个第一开口分离。15.根据权利要求14所述的电子设备，其中，所述有机材料层的所述多个分离部分中的至少一个覆盖所述至少一个分隔壁的上表面和侧表面。16.根据权利要求10至15中任一项所述的电子设备，其中，所述至少一个分隔壁包括最靠近所述显示区域的第一分隔壁，并且所述凹槽部分在所述第一非显示区域中位于所述第二电极的所述边缘与所述第一分隔壁之间。17.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述至少一个分隔壁进一步包括第二分隔壁和第三分隔壁，其中，所述第二分隔壁比所述第一分隔壁靠近所述基板的所述开口，并且所述第三分隔壁比所述第二分隔壁靠近所述基板的所述开口。18.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述多层绝缘层进一步包括位于所述第三分隔壁与所述基板的所述开口之间的防裂纹凹槽部分。19.一种制造显示面板的方法，所述方法包括：制备基板，所述基板包括透射区域、显示区域以及位于所述透射区域与所述显示区域之间的第一非显示区域；在所述基板上形成多层绝缘层，所述多层绝缘层包括多个无机绝缘层；形成凹槽部分，所述凹槽部分在所述多层绝缘层的厚度方向上凹进并且位于所述第一非显示区域中；形成发光元件，所述发光元件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中，所述中间层的有机材料层和所述第二电极形成在所述显示区域和所述第一非显示区域中；在所述第一非显示区域中形成至少一个分隔壁；形成封装层，所述封装层在所述发光元件上并且包括有机封装层以及至少一个无机封装层；以及去除布置在所述第一非显示区域中的所述有机材料层的至少一部分和所述第二电极的一部分，
其中，所述第二电极的边缘位于所述第一非显示区域中，并且所述凹槽部分位于所述第二电极的所述边缘与所述至少一个分隔壁之间。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述去除包括照射激光束。21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述去除包括通过去除位于所述第一非显示区域中的所述有机材料层的部分来形成所述有机材料层的多个第一开口，并且其中，所述有机材料层包括通过所述多个第一开口彼此分离的多个分离部分。22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述至少一个分隔壁包括在所述第一非显示区域中彼此间隔开的多个分隔壁，并且其中，所述多个第一开口中的一个位于所述多个分隔壁当中的邻近分隔壁之间。23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述多个第一开口当中的最靠近所述显示区域的第一开口位于所述凹槽部分与所述至少一个分隔壁之间。24.根据权利要求19所述的方法，其中，所述封装层的所述形成包括：在所述显示区域和所述第一非显示区域中形成第一无机封装层；在所述第一无机封装层上形成所述有机封装层；以及在所述有机封装层上形成第二无机封装层，其中，所述有机封装层与所述第二电极的所述边缘和所述凹槽部分重叠。25.根据权利要求19至24中任一项所述的方法，其中，所述凹槽部分的所述形成包括形成位于所述至少一个分隔壁与所述透射区域之间的防裂纹凹槽部分。

技术总结
本申请公开一种显示面板、制造显示面板的方法以及电子设备。该显示面板包括：基板，包括开口；发光元件，布置在开口周围的显示区域中并且包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的中间层；至少一个分隔壁，布置在显示区域与开口之间的第一非显示区域中；多层绝缘层，在至少一个分隔壁下面；以及封装层，在发光元件上并且包括有机封装层以及至少一个无机封装层，其中，第二电极从显示区域朝向第一非显示区域延伸，并且多层绝缘层在第一非显示区域中包括位于第二电极的边缘与至少一个分隔壁之间的凹槽部分。一个分隔壁之间的凹槽部分。一个分隔壁之间的凹槽部分。


技术研发人员：朴成相 姜斗锡 金龙命 金义强 金爀珍
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.04.04
技术公布日：2023/10/19