一种芯片封装结构制作方法及芯片封装结构与流程

1.本技术涉及封装技术领域，具体而言，涉及一种芯片封装结构制作方法及芯片封装结构。


背景技术：

2.半导体制造的工艺过程包括晶圆制造、晶圆测试、芯片封装、测试以及后期的成品入库等，芯片封装需要用到芯片封装结构，芯片封装结构可以对芯片起到保护的作用。
3.然而，相关技术在一些芯片封装结构的制作过程中，封装芯片的塑封层与基板间存在分层风险，从而影响到对芯片的封装质量。


技术实现要素：

4.为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本技术实施例提供一种芯片封装结构制作方法及芯片封装结构。
5.本技术的第一方面，提供一种芯片封装结构制作方法，所述方法包括：
6.提供一导电板；所述导电板包括第一布线层及分别位于所述第一布线层相对两侧的第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置有暴露出所述第一布线层的第一植球孔；
7.在所述第一保护层和所述第二保护层上开设切割凹槽；
8.将所述导电板沿所述切割凹槽切割为多个所述基板；
9.将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至一载板；
10.将芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述芯片的引脚通过所述第一植球孔与所述第一布线层电连接；
11.在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层。
12.在一种可能的实现方式中，在所述在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层的步骤之后，所述方法还包括：
13.去除所述载板，以暴露出所述第一保护层；
14.在所述第一保护层上开设第二植球孔；
15.在所述第一保护层远离所述第一布线层的一侧设置第一锡球，所述第一锡球通过所述第二植球孔与所述第一布线层电性接触。
16.在一种可能的实现方式中，在所述在所述第一保护层远离所述第一布线层的一侧设置第一锡球的步骤之后，所述方法还包括：
17.沿垂直于所述基板的方向，对已封装的芯片之间的所述塑封层进行切割，使各已封装的芯片相互分离。
18.在一种可能的实现方式中，在所述在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层的步骤之后，所述方法还包括：
19.对所述塑封层远离所述载板的一侧进行研磨，以暴露所述芯片远离所述载板的一
侧。
20.在一种可能的实现方式中，在所述将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至一载板的步骤之后，所述方法还包括：
21.在所述基板与所述芯片的间隙处设置填充胶，以使所述填充胶填充所述基板与所述芯片间的间隙。
22.在一种可能的实现方式中，所述将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至一载板的步骤，包括：
23.提供一载板；
24.在所述载板的一侧设置粘接层；
25.将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至所述粘接层。
26.在一种可能的实现方式中，在所述将芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述芯片的引脚通过所述第一植球孔与所述第一布线层电连接的步骤之前，所述方法还包括：
27.在所述芯片的引脚所在的一侧制作第二布线层，并将所述芯片的引脚引出到与所述第二布线层电连接；
28.在所述第二布线层远离所述芯片的一侧设置第二锡球，以使所述芯片的引脚与所述第二锡球电连接；
29.所述将芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述芯片的引脚通过所述第一植球孔与所述第一布线层电连接的步骤，包括：
30.将所述芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述第二锡球通过所述第一植球孔与所述第一布线层电连接。
31.在一种可能的实现方式中，所述在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层的步骤，包括：
32.提供一注塑模具，所述注塑模具包括上模和下模，所述下模包括注塑凹槽；
33.向所述注塑凹槽内加入注塑材料，并将注塑材料加热熔化；
34.将所述载板远离所述芯片的一侧安装在所述上模上，并将所述上模与所述下模合模，以使所述芯片和所述基板浸入熔化的注塑材料内；
35.将所述注塑模具移除，以在所述载板上形成包裹所述芯片和所述基板的塑封层。
36.在一种可能的实现方式中，所述在所述第一保护层和所述第二保护层上开设切割凹槽的步骤，包括：
37.使用曝光机在所述第一保护层和所述第二保护层上开设切割凹槽。
38.第二方面，本技术还提供了一种芯片封装结构，所述芯片封装结构由本技术中所述的芯片封装结构制作方法制作得到。
39.相对于现有技术，本技术至少具有如下有益效果：
40.本技术实施例提供的芯片封装结构制作方法及芯片封装结构，由于在导电板上开设切割凹槽，并将导电板沿切割凹槽切割为多个基板，因此塑封层会将基板边缘由切割凹槽形成的包裹槽填充，并在基板的边缘形成包裹结构，该包裹结构可以对基板的边缘紧紧包裹住，可以增加塑封层与基板边缘的接触面积，基板的切割崩边不容易对基板和塑封层造成影响，从而可以降低基板与塑封层的分层风险，进而可以提高该芯片封装结构的质量。
附图说明
41.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
42.图1示例了本技术现有技术中导电板的截面示意图；
43.图2示例了本技术现有技术中基板的截面示意图；
44.图3示例了本技术现有技术中基板的下端与塑封层的下端平齐的局部截面示意图；
45.图4示例了本技术提供的芯片封装结构制作方法的流程示意图；
46.图5示例了本技术在导电板上开设切割凹槽的截面示意图；
47.图6示例了本技术提供的基板的截面示意图；
48.图7示例了本技术将基板设置在载板上的截面示意图；
49.图8示例了本技术将芯片设置在基板上的截面示意图；
50.图9示例了本技术在载板上设置将基板和芯片包裹的塑封层的截面示意图；
51.图10示例了本技术在所述在载板上设置包裹芯片和基板的塑封层的步骤之后的方法的流程示意图；
52.图11示例了本技术除去载板的截面示意图；
53.图12示例了本技术在第一保护层上开设第二植球孔的截面示意图；
54.图13示例了本技术在第二植球孔处设置第一锡球的截面示意图；
55.图14示例了本技术将芯片封装结构的部分塑封层切割掉后的截面示意图；
56.图15示例了本技术将芯片远离载板一侧的塑封层研磨掉后的截面示意图；
57.图16示例了本技术在芯片的一侧设置第二布线层和第二锡球的流程示意图；
58.图17示例了本技术在芯片的一侧设置第二布线层和第二锡球的截面示意图；
59.图18示例了本技术在芯片与基板间设置填充胶层的截面示意图；
60.图19示例了本技术在载板的一侧设置粘接层的截面示意图；
61.图20示例了本技术在载板的一侧设置粘接层的芯片封装结构的截面示意图；
62.图21示例了本技术步骤s15的具体执行方法的流程示意图；
63.图22示例了本技术注塑模具的截面示意图；
64.图23示例了本技术在下模的注塑凹槽内加入注塑材料后的截面示意图；
65.图24示例了本技术上模带动基板和芯片与下模合模后的截面示意图。
66.附图标记：1、导电板；2、第二保护层；3、第一布线层；4、第一保护层；5、第一植球孔；6、第二植球孔；7、基板；8、塑封层；9、切割凹槽；10、包裹槽；11、载板；12、芯片；13、引脚；14、第一锡球；15、第二锡球；16、第二布线层；17、填充胶层；18、粘接层；19、下模；191、注塑凹槽；20、上模；21、注塑材料。
具体实施方式
67.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是
本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
68.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
69.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
70.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
71.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
72.在一些芯片封装结构的制作过程中需要用到基板，所述基板需要通过导电板切割获得。请参见图1，所述导电板1包括第一布线层3及分别位于所述第一布线层3相对两侧的第一保护层4和第二保护层2，在所述第二保护层2上开设多个第一植球孔5，然后将所述导电板1切割为如图2所示的多个基板7。然而，将所述导电板1切割为如图2所示的基板7时，所述基板7的侧面容易产生切割崩边。请参见图3，将如图2所示的基板7塑封后，所述基板7的第一保护层4与所述塑封层8的下端平齐，在所述基板7的切割崩边的影响下，所述基板7与所述塑封层8间容易产生分层风险，从而影响到对所述芯片封装结构的质量。
73.为了解决上述技术问题。发明人创新性的设计以下技术方案，下面将结合附图对本技术的具体实现方案进行详细说明。
74.请参见图4，本技术一方面提供了一种芯片封装结构制作方法，所述方法包括：
75.s10：提供一导电板1；所述导电板1包括第一布线层3及分别位于所述第一布线层3相对两侧的第一保护层4和第二保护层2，所述第二保护层2设置有暴露出所述第一布线层3的第一植球孔5。
76.在本实施例中，请参见图5，所述导电板1包括用于导电的第一布线层3，以及对所述第一布线层3起到保护作用的所述第一保护层4和所述第二保护层2，所述第一保护层4和所述第二保护层2可以使所述第一布线层3不与不必要的器件电导通，以及可以防止焊接时损坏所述第一布线层3。
77.s11：在所述第一保护层4和所述第二保护层2上开设切割凹槽9。
78.在本实施例中，请再次参见图5，在所述第一保护层4和所述第二保护层2的边缘位置也开设所述切割凹槽9，所述切割凹槽9的深度与所述第一保护层4和所述第二保护层2的厚度均相等，如此通过所述切割凹槽9可以暴露出所述第一布线层3，设置在所述第一保护层4和所述第二保护层2上的非边缘位置的所述切割凹槽9的宽度范围可以为0.45mm～1mm。
79.s12：将所述导电板1沿所述切割凹槽9切割为多个所述基板7。
80.在本实施例中，将所述导电板1沿所述切割凹槽9切割为如图6所示的多个所述基板7，该基板7的边缘位置具有0.150um～0.4um的包裹槽10(由所述切割凹槽9形成)。
81.s13：将至少一个所述基板7设置有所述第一保护层4的一侧贴合至一载板11。
82.在本实施例中，请参见图7，所述载具对所述基板7起到支撑和固定的作用，所述载板11的材质可以为金属材质或玻璃材质，所述载板11的厚度可以依据所述基板7进行匹配，通常情况下，所述载板11的厚度为1mm～3mm。
83.可以通过排布设置将提前处理好的至少一个所述基板7设置有所述第一保护层4的一侧贴合至一载板11，并与所述载板11固定连接，所述基板7的第一保护层4与所述载板11紧密贴合，所述载板11对所述基板7的所述第一保护层4起到保护的作用。
84.s14：将芯片12设置于所述基板7远离所述载板11的一侧，使所述芯片12的引脚13通过所述第一植球孔5与所述第一布线层3电连接。
85.在本实施例中，请参见图8，所述芯片12为未封装的芯片12，将所述芯片12设置在所述基板7远离所述载板11的一侧，并使所述芯片12的引脚13通过所述第一植球孔5与所述第一布线层3电连接。
86.还要求所述芯片12在所述载板11上的正投影位于所述基板7在所述载板11上的正投影内，即如图8中的所述载板11与所述芯片12间可以形成所述芯片12内缩的台阶结构，该台阶结构更有利于所述芯片12的封装。
87.s15：在所述载板11上设置包裹所述芯片12和所述基板7的塑封层8。
88.在本实施例中，请参见图9，可以通过相关注塑模具在所述载板11上设置将所述芯片12和所述基板7均包裹的塑封层8，所述塑封层8延伸至所述基板7和所述载板11间形成的台阶结构处，并将所述台阶结构填充。如此，通过所述塑封层8可以对所述芯片12更稳定地封装。
89.基于上述设计，本实施例由于在所述导电板1上开设所述切割凹槽9，并将所述导电板1沿所述切割凹槽9切割为多个所述基板7，因此该基板7的边缘均具有由所述切割凹槽9形成的包裹槽10，所述塑封层8会将所述包裹槽10填充，对所述基板7的边缘形成包裹结构，该包裹结构可以对所述基板7的边缘紧紧包裹住，从而可以增加所述塑封层8与所述基板7边缘的接触面积，所述基板7的切割崩边不容易对所述基板7和所述塑封层8造成影响。因此通过该包裹结构可以降低所述基板7与所述塑封层8的分层风险，从而可以提高所述芯片封装结构的质量。
90.请再次参见图1，相关技术中还在所述第一保护层4上开设多个第二植球孔6，然后将所述导电板1切割为如图2所示的多个基板7。然而，提前在所述第一保护层4上开设第二植球孔6，在后期的芯片封装结构的制作过程中，很容易将所述第二植球孔6污染，从而影响到向所述第二植球孔6内植入锡球的质量，最终影响到对芯片12的封装质量。
91.为了解决上述影响锡球植入质量的问题，在一种可能的实现方式中，请参见图10，在所述载板11上设置包裹所述芯片12和所述基板7的塑封层8的步骤之后，所述方法还包括：
92.s16：去除所述载板11，以暴露出所述第一保护层4。
93.在本实施例中，请参见图11，将所述载板11去除，并将所述第一保护层4裸露。如此，可以形成通过所述塑封层8包裹所述基板7和所述芯片12的结构。
94.s17：在所述第一保护层4上开设第二植球孔6。
95.在本实施例中，请参见图12，可以通过激光在所述第一保护层4上开设多个第二植
球孔6，所述第二植球孔6的深度与所述第一保护层4的厚度相等，以暴露出所述第一布线层3。
96.s18：在所述第一保护层4远离所述第一布线层3的一侧设置第一锡球14，所述第一锡球14通过所述第二植球孔6与所述第一布线层3电性接触。
97.在本实施例中，请参见图13，在所述第一保护层4远离所述第一布线层3的一侧设置第一锡球14，使部分所述第一锡球14位于所述第二植球孔6内，以便使所述第一锡球14与所述第一布线层3电连接，最终使所述芯片12的引脚13通过所述第一布线层3与所述第一锡球14电连接，通过所述第一锡球14还可以将该芯片封装结构焊接在电路板上。
98.本实施例相较于现有技术中提前在所述第一保护层4上开设第二植球孔6的方案，本实施例提供的芯片封装结构的制作方法，通过在所述载板11上设置包裹所述芯片12和所述基板7的塑封层8，并去除所述载板11暴露出所述第一保护层4后，才在所述第一保护层4上开设第二植球孔6。如此，可以使所述第一植球孔5在封装过程中不容易被污染，从而可以使所述第一锡球14植入所述第二植球孔6内的质量更高，进而可以提高对所述芯片12的封装质量。
99.在一种可能的实现方式中，在所述第一保护层4远离所述第一布线层3的一侧设置第一锡球14的步骤之后，所述方法还包括：沿垂直于所述基板7的方向，对已封装的芯片12之间的所述塑封层8进行切割，使各已封装的芯片12相互分离。
100.可以同时对多个所述芯片12进行封装，被封装后的芯片12对应的所述芯片封装结构间通过所述塑封层8连接。在需要所述塑封层8将所述基板7包裹的情况下，将如图13所示的芯片封装结构，沿垂直于所述基板7的方向，对已封装的芯片12之间的所述塑封层8进行切割，将各所述芯片封装结构间的所述塑封层8切割断，以使各已封装的芯片12相互分离，形成如图14所示的单个所述芯片封装结构。还可以依据实际情况将包裹所述基板7和所述芯片12的塑封层8切割为合适的厚度。
101.在一种可能的实现方式中，在所述载板11上设置包裹所述芯片12和所述基板7的塑封层8的步骤之后，所述方法还包括：对所述塑封层8远离所述载板11的一侧进行研磨，以暴露所述芯片12远离所述载板11的一侧。
102.可以使用研磨设备将图9中所述塑封层8远离所述载板11的一侧进行研磨，形成如图15所示的暴露出所述芯片12远离所述载板11一侧的结构。如此，所述芯片12可以通过被暴露出的一侧进行散热，从而可以提高所述芯片12的使用寿命。
103.在一种可能的实现方式中，请参见图16，在所述将芯片12设置于所述基板7远离所述载板11的一侧，使所述芯片12的引脚13通过所述第一植球孔5与所述第一布线层3电连接的步骤之前，所述方法还包括：
104.s20：在所述芯片12的引脚13所在的一侧制作第二布线层16，并将所述芯片12的引脚13引出到与所述第二布线层16电连接。
105.在本实施例中，所述第二布线层16具有导电性，请参见图17，在所述芯片12的引脚13所在的一侧制作所述第二布线层16，并使所述芯片12的引脚13与所述第二布线层16电连接。
106.s21：在所述第二布线层16远离所述芯片12的一侧设置第二锡球15，以使所述芯片12的引脚13与所述第二锡球15电连接。
107.在本实施例中，在所述第二布线层16远离所述芯片12的一侧设置第二锡球15，部分所述第二锡球15位于所述第一植球孔5内，使所述第二锡球15与所述第一布线层3和所述芯片12的引脚13均电连接。如此，将所述芯片12设置于所述基板7远离所述载板11的一侧，使所述第二锡球15通过所述第一植球孔5与所述第一布线层3电连接，最终可以更便于使所述芯片12的引脚13与所述第一布线层3电连接。
108.在一种可能的实现方式中，在所述将至少一个所述基板7设置有所述第一保护层4的一侧贴合至一载板11的步骤之后，所述方法还包括：在所述基板7与所述芯片12的间隙处设置填充胶，以使所述填充胶填充所述基板7与所述芯片12间的间隙。
109.请参见图18，将所述芯片12固定在所述基板7上后，所述芯片12与所述基板7间具有间隙，将填充胶设置在所述芯片12与所述基板7间的间隙处，所述填充胶具有流动性，所述填充胶可以将所述芯片12与所述基板7间的间隙填充形成填充胶层17。所述填充胶层17可以使所述芯片12更牢固的固定在所述基板7上，而且对所述芯片12起到保护的作用。
110.在一种可能的实现方式中，所述将至少一个所述基板7设置有所述第一保护层4的一侧贴合至一载板11的步骤，包括：提供一载板11；在所述载板11的一侧设置粘接层18；将至少一个所述基板7设置有所述第一保护层4的一侧贴合至所述粘接层18。
111.请参见图19，当所述载板11的材质为玻璃时，所述粘接层18的材料为光解或热解材料，当所述载板11的材质为钢材时，所述粘接层18的材料为热解材料。通过在所述载板11的一侧设置粘接层18，可以更容易使所述基板7固定在所述载板11上。
112.请参见图20，当需要将载板11移除时，可以根据所述粘接层18的材料性质选择移除方式，比如当所述粘接层18的材料为光解材料时，使用激光照射所述粘接层18，使所述粘接层18脱离所述基板7，当所述粘接层18的材料为热解材料时，使用加热的方式，使所述粘接层18脱离所述基板7。如此，更方便使所述载板11与所述基板7脱离。
113.在一种可能的实现方式中，请参见图21，所述在所述载板11上设置包裹所述芯片12和所述基板7的塑封层8的步骤，包括：
114.s151：提供一注塑模具，所述注塑模具包括上模20和下模19，所述下模19包括注塑凹槽191。
115.在本实施例中，请参见图22，所述注塑模具包括上模20和下模19，所述下模19设置有注塑凹槽191，所述注塑凹槽191的深度和宽度可以依据所述芯片12和所述基板7的尺寸来决定，要求能够将所述基板7和所述芯片12作为一个整体放入所述注塑凹槽191内。
116.s152：向所述注塑凹槽191内加入注塑材料21，并将注塑材料21加热熔化。
117.在本实施例中，请参见图23，向所述注塑凹槽191内加入液态或粉末注塑材料21，并将所述注塑材料21加热，直到所述注塑材料21熔化。
118.s153：将所述载板11远离所述芯片12的一侧安装在所述上模20上，并将所述上模20与所述下模19合模，以使所述芯片12和所述基板7浸入熔化的注塑材料21内。
119.在本实施例中，请参见图24，通过常规的方式将所述载板11固定在所述上模20的一侧，然后使所述上模20和所述下模19合模，以便使所述芯片12和所述基板7完全侵入熔化的注塑材料21内。
120.s154：将所述注塑模具移除，以在所述载板11上形成包裹所述芯片12和所述基板7的塑封层8。
121.在本实施例中，再将所述注塑模具移除，最终在所述载板11上形成如图9所示的包裹所述芯片12和所述基板7的塑封层8。
122.如此，由于熔化的注塑材料21具有流动性，因此熔化的注塑材料21可以填充由所述芯片12和所述基板7形成的台阶以及所述基板7上的包裹槽10等，最终所述塑封层8可以将所述芯片12和所述基板7更好地包裹，从而更有利于提高最终制作的芯片封装结构的质量。
123.在一种可能的实现方式中，所述在所述第一保护层4和所述第二保护层2上开设切割凹槽9的步骤，包括：使用曝光机在所述第一保护层4和所述第二保护层2上开设切割凹槽9。通过所述曝光机可以更高效、更精确地在所述第一保护层4和所述第二保护层2上开设所述切割凹槽9。
124.综上，本技术由于在所述导电板1上开设切割凹槽9，并将所述导电板1沿切割凹槽9切割为多个基板7，因此该基板7的边缘均具有由所述切割凹槽9形成的包裹槽10，所述塑封层8会将包裹槽10填充，对所述基板7的边缘形成包裹结构，该包裹结构可以对所述基板7的边缘紧紧包裹住，从而可以增加所述塑封层8与所述基板7边缘的接触面积，所述基板7的切割崩边不容易对所述基板7和所述塑封层8造成影响。因此通过该包裹结构可以降低所述基板7与所述塑封层8的分层风险，从而可以提高所述芯片封装结构的质量。
125.第二方面，本技术还提供了一种芯片封装结构，所述芯片封装结构由本技术中所述的芯片封装结构制作方法制作得到。该芯片封装结构的锡球植入质量更高，所述塑封层8与所述基板7间不容易产生分层风险，因此由本技术中所述的芯片封装结构制作方法制作得到所述芯片封装结构的质量更高。
126.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种芯片封装结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一导电板；所述导电板包括第一布线层及分别位于所述第一布线层相对两侧的第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置有暴露出所述第一布线层的第一植球孔；在所述第一保护层和所述第二保护层上开设切割凹槽；将所述导电板沿所述切割凹槽切割为多个所述基板；将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至一载板；将芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述芯片的引脚通过所述第一植球孔与所述第一布线层电连接；在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层。2.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，在所述在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层的步骤之后，所述方法还包括：去除所述载板，以暴露出所述第一保护层；在所述第一保护层上开设第二植球孔；在所述第一保护层远离所述第一布线层的一侧设置第一锡球，所述第一锡球通过所述第二植球孔与所述第一布线层电性接触。3.如权利要求2所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，在所述在所述第一保护层远离所述第一布线层的一侧设置第一锡球的步骤之后，所述方法还包括：沿垂直于所述基板的方向，对已封装的芯片之间的所述塑封层进行切割，使各已封装的芯片相互分离。4.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，在所述在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层的步骤之后，所述方法还包括：对所述塑封层远离所述载板的一侧进行研磨，以暴露所述芯片远离所述载板的一侧。5.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，在所述将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至一载板的步骤之后，所述方法还包括：在所述基板与所述芯片的间隙处设置填充胶，以使所述填充胶填充所述基板与所述芯片间的间隙。6.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，所述将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至一载板的步骤，包括：提供一载板；在所述载板的一侧设置粘接层；将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至所述粘接层。7.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，在所述将芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述芯片的引脚通过所述第一植球孔与所述第一布线层电连接的步骤之前，所述方法还包括：在所述芯片的引脚所在的一侧制作第二布线层，并将所述芯片的引脚引出到与所述第二布线层电连接；在所述第二布线层远离所述芯片的一侧设置第二锡球，以使所述芯片的引脚与所述第二锡球电连接；所述将芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述芯片的引脚通过所述第一植
球孔与所述第一布线层电连接的步骤，包括：将所述芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述第二锡球通过所述第一植球孔与所述第一布线层电连接。8.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，所述在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层的步骤，包括：提供一注塑模具，所述注塑模具包括上模和下模，所述下模包括注塑凹槽；向所述注塑凹槽内加入注塑材料，并将注塑材料加热熔化；将所述载板远离所述芯片的一侧安装在所述上模上，并将所述上模与所述下模合模，以使所述芯片和所述基板浸入熔化的注塑材料内；将所述注塑模具移除，以在所述载板上形成包裹所述芯片和所述基板的塑封层。9.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，所述在所述第一保护层和所述第二保护层上开设切割凹槽的步骤，包括：使用曝光机在所述第一保护层和所述第二保护层上开设切割凹槽。10.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构由权利要求1-9中任意一项所述的芯片封装结构制作方法制作得到。

技术总结
本申请实施例提供的芯片封装结构制作方法及芯片封装结构，涉及封装技术领域，所述方法包括：提供一导电板；所述导电板包括第一布线层及分别位于所述第一布线层相对两侧的第一保护层和第二保护层；在所述第一保护层和所述第二保护层上开设切割凹槽；将所述导电板沿所述切割凹槽切割为多个所述基板；将至少一个所述基板设置有所述第一保护层的一侧贴合至一载板；将芯片设置于所述基板远离所述载板的一侧，使所述芯片的引脚通过所述第一植球孔与所述第一布线层电连接；在所述载板上设置包裹所述芯片和所述基板的塑封层。如此，本申请中注塑层与基板间不容易产生分层现象，从而可以提高所述芯片封装结构的质量。提高所述芯片封装结构的质量。提高所述芯片封装结构的质量。


技术研发人员：李高林 章霞
受保护的技术使用者：成都奕成集成电路有限公司
技术研发日：2023.07.04
技术公布日：2023/10/8