像素单元、显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素单元、一种具有该像素单元的显示面板以及一种具有该显示面板的显示装置。


背景技术：

2.液晶显示装置因其具有机身薄、省电、无辐射、画面柔和等优点，被广泛地应用于显示领域。随着液晶显示技术的发展，液晶显示装置的尺寸越来越大，使得视角色偏的问题越来越突出。
3.目前，解决视角色偏的方案是：将子像素分成主像素区与副像素区，主像素区的驱动电压与副像素区的驱动电压不同，进而主像素区内的液晶分子的偏转角度与副像素区内的液晶分子的偏转角度不同，使得不同视角下的色彩差异性较小，从而改善了视角色偏。但是，当前现有方案通过调整主像素区的驱动电压与副像素区的驱动电压不同来改善视角色偏的效果并不理想。
4.因此，如何进一步改善液晶显示装置的视角色偏是本领域技术人员亟待解决的问题。


技术实现要素：

5.鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种像素单元、一种具有该像素单元的显示面板以及一种具有该显示面板的显示装置，其旨在解决液晶显示装置的视角色偏的问题。
6.为解决上述技术问题，本技术实施例提供一种像素单元，所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元包括开关单元、液晶电容以及电位调节单元，所述开关单元的控制端接收扫描信号，所述开关单元的第一端接收数据信号，所述开关单元的第二端与所述液晶电容的第一端以及所述电位调节单元的第一端电连接，所述液晶电容的第二端与第一公共电压端电连接，所述电位调节单元的第二端以及控制端均与第二公共电压端电连接，其中，所述电位调节单元的控制端接收所述第二公共电压端输出的电信号使所述液晶电容的第一端与所述第二公共电压端导通，以调整所述液晶电容的第一端的电位。
7.综上所述，本技术实施例提供的像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元包括开关单元、液晶电容以及电位调节单元，所述电位调节单元的控制端接收所述第二公共电压端输出的电信号使所述液晶电容的第一端与所述第二公共电压端导通，以调整所述液晶电容的第一端的电位。因此，在一帧时间内，随着时间增加，所述液晶电容的第一端的电位是一个动态的变化值，使得所述液晶电容内的多个所述液晶分子的偏转角度也是动态变化的，使得不同视角下的色彩差异性较小，从而改善了视角色偏。
8.在示例性实施方式中，所述第二公共电压端输出的电信号为直流电信号。
9.在示例性实施方式中，所述电位调节单元包括第一调节晶体管，所述第一调节晶体管包括第一源极、第一漏极以及第一栅极。所述第一漏极与所述液晶电容的第一端电连
接，所述第一源极以及所述第一栅极均与所述第二公共电压端电连接。
10.在示例性实施方式中，所述电位调节单元包括第一调节晶体管，所述第一调节晶体管包括第一源极、第一漏极以及第一栅极。所述第一源极与所述液晶电容的第一端电连接，所述第一漏极以及所述第一栅极均与所述第二公共电压端电连接。
11.在示例性实施方式中，所述第一调节晶体管的沟道长度为0.5um至1um，所述第一调节晶体管的沟道宽度为7.5um至15um。
12.在示例性实施方式中，所述电位调节单元包括第一调节晶体管与第二调节晶体管，所述第一调节晶体管包括第一源极、第一漏极以及第一栅极，所述第二调节晶体管包括第二源极、第二漏极以及第二栅极。所述第一源极与所述第一栅极均与所述第二公共电压端电连接，所述第一漏极与所述第二漏极电连接，所述第二源极与所述第二栅极均与所述液晶电容的第一端电连接。
13.在示例性实施方式中，所述电位调节单元包括第一调节晶体管与第二调节晶体管，所述第一调节晶体管包括第一源极、第一漏极以及第一栅极，所述第二调节晶体管包括第二源极、第二漏极以及第二栅极。所述第一漏极与所述第一栅极均与所述第二公共电压端电连接，所述第一源极与所述第二源极电连接，所述第二漏极与所述第二栅极均与所述液晶电容的第一端电连接。
14.在示例性实施方式中，所述第一调节晶体管的沟道长度为0.5um至1um，所述第一调节晶体管的沟道宽度为7.5um至15um。所述第二调节晶体管的沟道长度为0.5um至1um，所述第二调节晶体管f2的沟道宽度为6um至12um。
15.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括多个扫描线、多个数据线以及多个上述的像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元分别与所述扫描线以及所述数据线电连接。
16.综上所述，本技术实施例提供的显示面板包括多个扫描线、多个数据线以及多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元包括开关单元、液晶电容以及电位调节单元，所述电位调节单元的控制端接收所述第二公共电压端输出的电信号使所述液晶电容的第一端与所述第二公共电压端导通，以调整所述液晶电容的第一端的电位。因此，在一帧时间内，随着时间增加，所述液晶电容的第一端的电位是一个动态的变化值，使得所述液晶电容内的多个所述液晶分子的偏转角度也是动态变化的，使得不同视角下的色彩差异性较小，从而改善了视角色偏。
17.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括扫描驱动电路、数据驱动电路以及上述的显示面板，所述显示面板分别与所述扫描驱动电路以及所述数据驱动电路电连接。
18.综上所述，本技术实施例提供的显示装置包括扫描驱动电路、数据驱动电路以及上述的显示面板，所述显示面板包括多个扫描线、多个数据线以及多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元包括开关单元、液晶电容以及电位调节单元，所述电位调节单元的控制端接收所述第二公共电压端输出的电信号使所述液晶电容的第一端与所述第二公共电压端导通，以调整所述液晶电容的第一端的电位。因此，在一帧时间内，随着时间增加，所述液晶电容的第一端的电位是一个动态的变化值，使得所述液晶电容内的多个所述液晶分子的偏转角度也是动态变化的，使得不同视角下的色彩差异性较小，
从而改善了视角色偏。
附图说明
19.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1为本技术第一实施例公开的显示装置的结构示意图；
21.图2为本技术第二实施例公开的显示面板的电路结构示意图；
22.图3为本技术第三实施例公开的子像素单元的第一种电路结构示意图；
23.图4为本技术第三实施例公开的第一种电路结构的子像素单元的液晶电容的第一端的电位在一帧内的变化示意图；
24.图5为本技术第三实施例公开的子像素单元的第二种电路结构示意图；
25.图6为本技术第三实施例公开的子像素单元的结构示意图；
26.图7为图6所示的子像素单元中结构vi的放大示意图；
27.图8为图7所示的子像素单元的第一过孔处的截面示意图；
28.图9为图7所示的子像素单元的第二过孔处的截面示意图；
29.图10为图7中开关晶体管的层结构示意图；
30.图11为图7中第一调节晶体管的层结构示意图；
31.图12为本技术第四实施例公开的子像素单元的第一种电路结构示意图；
32.图13为本技术第四实施例公开的第一种电路结构的子像素单元的液晶电容的第一端的电位在一帧内的变化示意图；
33.图14为本技术第四实施例公开的子像素单元的第二种电路结构示意图；
34.图15为本技术第四实施例公开的子像素单元的结构示意图；
35.图16为图15所示的子像素单元中结构xii的放大示意图；
36.图17为图16中第二调节晶体管的层结构示意图。
37.附图标记说明：
38.001-第一方向；002-第二方向；100-显示装置；110-显示面板；110a-显示区；110b-非显示区；111-电位调节单元；111a-第一有源层；111b-第一源极；111c-第一漏极；111d-第一栅极；112a-第二有源层；112b-第二源极；112c-第二漏极；112d-第二栅极；113-开关单元；113a-第三有源层；113b-第三源极；113c-第三漏极；113d-第三栅极；115-像素电极；116-阵列基板公共电极；117-第一连接电极；118-第二连接电极；130-扫描驱动电路；140-数据驱动电路；160-时序控制电路；210-阵列基板；211-衬底；212-栅绝缘层；213-绝缘保护层；dl-扫描线；gl-数据线；sp-子像素单元；clc-液晶电容；cst-存储电容；ccom-第一公共电压端；acom-第二公共电压端；f1-第一调节晶体管；f2-第二调节晶体管；t-开关晶体管，h1-第一过孔；h2-第二过孔；h3-第三过孔。
具体实施方式
39.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文
所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
40.以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。本技术中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本技术，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
41.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，本技术中使用的术语“包括”、“可以包括”、“包含”、或“可以包含”表示公开的相应功能、操作、元件等的存在，并不限制其他的一个或多个更多功能、操作、元件等。此外，术语“包括”或“包含”表示存在说明书中公开的相应特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合，而并不排除存在或添加一个或多个其他特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合，意图在于覆盖不排他的包含。还需要理解的是，本文中描述的“至少一个”的含义是一个及其以上，例如一个、两个或三个等，而“多个”的含义是至少两个，例如两个或三个等，除非另有明确具体的限定。
42.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
43.请参阅图1，图1为本技术第一实施例公开的显示装置的结构示意图。本技术实施例提供的显示装置100可以包括显示面板110、扫描驱动电路130、数据驱动电路140以及时序控制电路160，其中，所述显示面板110分别与所述扫描驱动电路130以及所述数据驱动电路140电连接，所述时序控制电路160分别与所述扫描驱动电路130以及所述数据驱动电路140电连接。
44.具体地，所述扫描驱动电路130用于输出扫描信号至所述显示面板110，所述数据驱动电路140用于输出数据信号至所述显示面板110。所述时序控制电路160用于输出时序控制信号至所述扫描驱动电路130，以控制所述扫描驱动电路130何时输出所述扫描信号至所述显示面板110，所述时序控制电路160还用于输出时序控制信号至所述数据驱动电路140，以控制所述数据驱动电路140何时输出所述数据信号至所述显示面板110。
45.可以理解地，所述显示装置100可用于包括但不限于电视、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、移动电话、车载显示器、智能手表、智能手环、智能眼镜等电子设备。根据本技术的实施例，所述显示装置100的具体种类不受特别的限制，本领域技术人员可根据应用所述显示装置100的具体的使用要求进行相应地设计，在此不再赘述。
46.在示例性实施方式中，所述显示装置100还可以包括电源板、高压板以及按键控制
板等其他必要的部件和组成部分，本领域技术人员可根据所述显示装置100的具体类型和实际功能进行相应地补充，本技术在此不再赘述。
47.在本技术实施方式中，在本技术实施方式中，所述显示面板110可为扭曲向列相模式(twisted nematic，tn)的显示面板、垂直取向模式(vertical alignment，va)的显示面板、面内开关模式(in-plane switching，ips)的显示面板或边缘场开关模式(fringe field switching，ffs)的显示面板，本技术对此不作具体限制。
48.在示例性实施方式中，所述显示面板110还可以包括显示区110a以及设置于所述显示区110a周侧或部分周侧的非显示区110b。其中，所述显示区110a用作显示图像，所述非显示区110b用作设置有相应的驱动电路以控制所述显示区110a显示图像。
49.请参阅图2，图2为本技术第二实施例公开的显示面板的电路结构示意图。在本技术实施例中，所述显示面板110包括多个扫描线gl、多个数据线dl以及多个子像素单元sp，多个所述扫描线gl沿着第一方向001延伸，且沿着第二方向002依次平行间隔排列，多个所述数据线dl沿着所述第二方向002延伸，且沿着所述第一方向001依次平行间隔排列。所述子像素单元sp设置于相邻的两个所述扫描线gl之间以及相邻的两个所述数据线dl之间。所述子像素单元sp分别与所述扫描线gl以及所述数据线dl电连接，所述扫描线gl还与所述扫描驱动电路130电连接，所述数据线dl还与所述数据驱动电路140电连接。所述扫描驱动电路130输出的所述扫描信号通过所述扫描线gl传输至所述子像素单元sp，所述数据驱动电路140输出的所述数据信号通过所述数据线dl传输至所述子像素单元sp。
50.可以理解的是，一个所述扫描线gl与多个所述数据线dl相交且绝缘设置，一个所述数据线dl与多个所述扫描线gl相交且绝缘设置，即多个所述扫描线gl与多个所述数据线dl之间呈网格状设置。一个所述子像素单元sp分别与一个所述扫描线gl以及一个所述数据线dl电连接。具体为，任意相邻的两个所述扫描线gl和任意相邻的两个所述数据线dl之间设置有所述子像素单元sp，位于同一列的所述子像素单元sp均与同一条所述数据线dl电连接，位于同一行的所述子像素单元sp均与同一条所述扫描线gl电连接。本技术实施例中，多个所述子像素单元sp呈阵列分布。
51.在示例性实施方式中，所述第一方向001与所述第二方向002垂直，多个所述扫描线gl之间间隔排列且相互绝缘，多个所述数据线dl之间间隔排列且相互绝缘。
52.在本技术实施方式中，沿着所述第一方向001依次设置的三个所述子像素单元sp构成一个像素单元，且三个所述子像素单元sp可分别发出红光、绿光、蓝光，使得所述像素单元可显示彩色。也即为，所述显示面板110包括多个像素单元，每个所述像素单元包括三个子像素单元sp。在其他实施方式中，每个所述像素单元可包括多个所述子像素单元sp。
53.请参阅图3，图3为本技术第三实施例公开的子像素单元的第一种电路结构示意图。在本技术实施例中，所述子像素单元sp包括液晶电容clc以及电位调节单元111。所述液晶电容clc的第一端与所述电位调节单元111的第一端电连接，所述液晶电容clc的第二端与第一公共电压端ccom电连接，所述电位调节单元111的第二端以及控制端均与第二公共电压端acom电连接。其中，所述电位调节单元111的控制端接收所述第二公共电压端acom输出的电信号而使所述电位调节单元111导通，从而使得所述液晶电容clc的第一端与所述第二公共电压端acom导通，以调整所述液晶电容clc的第一端的电位。其中，调整所述液晶电容clc的第一端的电位是指：上拉或下拉所述液晶电容clc的第一端的电位。
54.可以理解的是，所述液晶电容clc为等效电容，所述液晶电容clc内有多个液晶分子。在一帧时间内，随着时间增加，所述液晶电容clc的第一端的电位减小或增大，使得所述液晶电容clc内的多个所述液晶分子的偏转角度减小或增大，进而不同视角下的色彩差异性较小，从而改善了视角色偏。也即是，本技术的技术方案实现了在一帧时间内所述子像素sp具有n个domain(时域)，domain的数量增加有利于改善显示面板的视角色偏。
55.在示例性实施方式中，所述第二公共电压端acom输出的电信号可为直流电信号。可以理解的是，所述第二公共电压端acom输出的电信号为直流电信号可以使得所述液晶电容clc的第一端的电位逐渐减小或逐渐增大，其中，逐渐减小或逐渐增大是指：所述液晶电容clc的第一端的电位变化曲线较为平缓，避免所述液晶电容clc的第一端的电位变化较大导致的所述显示面板110显示时闪烁，提高了所述显示面板110的显示品味。
56.在本技术实施方式中，所述子像素单元sp还包括开关单元113，所述开关单元113的控制端与所述扫描线gl电连接，所述开关单元113的第一端与所述数据线gl电连接，所述开关单元113的第二端与所述液晶电容clc的第一端以及与所述电位调节单元111的第一端电连接。其中，所述开关单元113的控制端通过所述扫描线gl接收所述扫描信号而使所述开关单元113导通，从而使得所述液晶电容clc的第一端与所述数据线dl导通，所述数据线dl上的所述数据信号的电位加载于所述液晶电容clc的第一端。即所述开关单元113的控制端接收扫描信号，所述开关单元113的第一端接收数据信号。
57.如图3所示，在本技术实施方式中，所述子像素单元sp还包括存储电容cst，所述存储电容cst的第一端与所述开关单元113的第二端、所述液晶电容clc的第一端以及所述电位调节单元111的第一端电连接，所述存储电容cst的第二端与所述第二公共电压端acom电连接。所述开关单元113的控制端通过所述扫描线gl接收所述扫描信号而使所述开关单元113导通，从而使得所述存储电容cst的第一端与所述数据线dl导通，所述数据线dl上的所述数据信号的电位加载于所述存储电容cst的第一端。当所述开关单元113截止时，所述存储电容cst放电以维持所述液晶电容clc的第一端的电位。
58.综上所述，本技术实施例提供的像素单元包括多个子像素单元sp，每个所述子像素单元sp包括液晶电容clc以及电位调节单元111。所述液晶电容clc的第一端与所述电位调节单元111的第一端电连接，所述液晶电容clc的第二端与所述第一公共电压端ccom电连接，所述电位调节单元111的第二端以及控制端均与第二公共电压端acom电连接。其中，所述电位调节单元111的控制端接收所述第二公共电压端acom输出的电信号将所述液晶容clc的第一端与所述第二公共电压端acom的第二端导通，以调整所述液晶电容clc的第一端的电位。因此，在一帧时间内，随着时间增加，所述液晶电容clc的第一端的电位是一个动态的变化值，使得所述液晶电容clc内的多个所述液晶分子的偏转角度也是动态变化的，使得不同视角下的色彩差异性较小，从而改善了视角色偏。
59.如图3所示，在本技术实施方式中，所述电位调节单元111包括第一调节晶体管f1，所述第一调节晶体管f1包括第一源极111b、第一漏极111c以及第一栅极111d，所述第一漏极111c可为所述电位调节单元111的第一端，所述第一源极111b可为所述电位调节单元111的第二端，所述第一栅极111d为所述电位调节单元111的控制端。也即是，所述第一漏极111c与所述液晶电容clc的第一端电连接，所述第一源极111b以及所述第一栅极111d均与所述第二公共电压端acom电连接。所述第一调节晶体管f1可为n型的mos管。可以理解的是，
所述第一调节晶体管f1接收所述第二公共电压端acom传输的电信号并导通，
60.在示例性实施方式中，所述第一调节晶体管f1的沟道长度可为0.5um至1um，例如，0.5um、0.55um、0.6um、0.72um、0.8um、0.9um、1um、或其他数值，本技术对此不作具体限制。所述第一调节晶体管f1的沟道宽度可为7.5um至15um，例如，7.5um、9.5um、10um、12.6um、14um、15um、或其他数值，本技术对此不作具体限制。
61.如图3所示，在本技术实施方式中，所述开关单元113包括开关晶体管t，所述开关晶体管t包括第三源极113b、第三漏极113c以及第三栅极113d，所述第三漏极113c可为所述开关单元113的第二端，所述第三源极113b可为所述开关单元113的第一端，所述第三栅极113d为所述开关单元113的控制端。也即是，所述第三源极113b与所述数据线dl连接以实现电连接，所述第三漏极113c与所述液晶电容clc的第一端连接以实现电连接，所述第三栅极113d与所述扫描线gl连接以实现电连接。
62.为验证本技术的技术方案的可行性，模拟设置如下：所述开关晶体管t的vgh为30v，所述开关晶体管t的vgl为-7v，所述开关晶体管t的沟道长度为31um，所述开关晶体管t的沟道宽度为5um，所述第一公共电压端ccom的电位与所述第二公共电压端acom的电位均为7.2v，所述第一调节晶体管f1的沟道长度为0.5um，所述第一调节晶体管f1的沟道宽度为10um。请参阅图4，图4为本技术第三实施例公开的第一种电路结构的子像素单元的液晶电容的第一端的电位在一帧内的变化示意图。其中，vhold_s(+)是指：正极性的帧起始电位，vhold_e(+)是指：正极性的帧结束电位，vhold_s(-)是指：负极性的帧起始电位，vhold_e(-)是指：负极性的帧结束电位。由模拟结果得出：正极性的电位剩余率ratio(+)为76.22％，负极性的电位剩余率ratio(-)为13.82％。其中，ratio(+)＝(vhold_e(+)-vcom)/(vhold_s(+)-vcom)，ratio(-)＝(vhold_e(-)-vcom)/(vhold_s(-)-vcom)，vcom＝(vhold_s(+)+vhold_s(-))/2。从图4中可以得出，当所述液晶电容clc的第一端的电位为正极性时，其电位减小；当所述液晶电容clc的第一端的电位为负极性时，其电位增大。进而可通过所述电位调节单元111实现了调整所述液晶电容clc的第一端的电位。
63.可以理解的是，所述液晶电容clc的第一端的电位为正极性时，所述液晶电容clc的第一端向所述第二公共电压端acom放电，使得所述第一调节晶体管f1正向偏置的程度减小；所述液晶电容clc的第一端的电位为负极性时，所述第二公共电压端acom放电向所述液晶电容clc的第一端的放电，使得所述第一调节晶体管f1正向偏置的程度增大，也即为，正极性时的所述电位调节单元111的电阻大于负极性时的所述电位调节单元111的电阻，进而正极性的电位剩余率ratio(+)大于负极性的电位剩余率ratio(-)。
64.在本技术其他实施方式中，请参阅图5，图5为本技术第三实施例公开的子像素单元的第二种电路结构示意图。所述第一源极111b可为所述电位调节单元111的第一端，所述第一漏极111c可为所述电位调节单元111的第二端，所述第一栅极111d为所述电位调节单元111的控制端。也即是，所述第一源极111b与所述液晶电容clc的第一端电连接，所述第一漏极111c以及所述第一栅极111d均与所述第二公共电压端acom电连接。可以理解的是，所述液晶电容clc的第一端的电位为正极性时，则所述液晶电容clc的第一端向所述第二公共电压端acom放电，使得所述第一调节晶体管f1正向偏置的程度增大；所述液晶电容clc的第一端的电位为负极性时，则所述第二公共电压端acom放电向所述液晶电容clc的第一端的放电，使得所述第一调节晶体管f1正向偏置的程度减小，也即为，正极性时的所述电位调节
单元111的电阻小于负极性时的所述电位调节单元111的电阻，进而负极性的电位剩余率ratio(+)大于正极性的电位剩余率ratio(+)。
65.在本技术实施方式中，请参阅图6，图6为本技术第三实施例公开的子像素单元的结构示意图。所述子像素单元sp包括像素电极115与公共电极(图未示)，所述像素电极115与所述公共电极构成了所述液晶电容clc，即所述像素电极115为所述液晶电容clc的第一端，所述公共电极为所述液晶电容clc的第二端。所述子像素单元sp还包括阵列基板公共电极116，所述阵列基板公共电极116围设于所述像素电极115的周侧，所述像素电极115与所述阵列基板公共电极116构成了所述存储电容cst，即所述像素电极115为所述存储电容cst的第一端，所述阵列基板公共电极116为所述存储电容cst的第二端。
66.在示例性实施方式中，多个所述子像素单元sp的所述阵列基板公共电极116电连接，使所述阵列基板公共电极116接收的电信号电位相同。
67.请参阅图7，图7为图6所示的子像素单元中结构vi的放大示意图。在本技术实施方式中，所述开关晶体管t包括第三有源层113a、第三源极113b、第三漏极113c以及第三栅极，所述第三栅极设置于所述扫描线gl上，所述第三有源层113a设置于所述第三栅极上，所述第三源极113b与所述第三漏极113c设置于所述第三有源层113a背对所述第三栅极的一侧。所述第三源极113b与所述数据线dl连接以实现电连接。
68.在示例性实施方式中，所述子像素单元sp还包括第一连接电极117，部分所述第一连接电极117位于第一过孔h1内，并与所述第三漏极113c连接以实现电连接，所述第一连接电极117还与所述像素电极115连接以实现电连接。
69.在本技术实施方式中，请参阅图7，所述第一调节晶体管f1包括第一有源层111a、第一源极111b、第一漏极111c以及第一栅极，所述第一栅极设置于部分所述阵列基板公共电极116上，所述第一有源层111a设置于所述第一栅极上，所述第一源极111b与所述第一漏极111c设置于所述第一有源层111a背对所述第一栅极的一侧。
70.在示例性实施方式中，所述子像素单元sp还包括第二连接电极118，部分所述第二连接电极118位于第二过孔h2内，并与所述第一源极111b连接以实现电连接，所述第二连接电极118还与所述阵列基板公共电极116连接以实现电连接。所述第一漏极111c与所述第三漏极113c连接以实现电连接。
71.在本技术实施方式中，请参阅图8，图8为图7所示的子像素单元的第一过孔处的截面示意图。所述显示面板110包括阵列基板210，所述阵列基板210包括衬底211、栅绝缘层212以及绝缘保护层213，所述栅绝缘层212设置于所述衬底211的一侧，所述第三漏极113c设置于所述栅绝缘层212背对所述衬底211的一侧，所述绝缘保护层213将所述第三漏极113c罩设于所述栅绝缘层212上。所述绝缘保护层213上开设有贯穿所述绝缘保护层213的所述第一过孔h1，部分所述第三漏极113c通过所述第一过孔h1露出所述绝缘保护层213，所述第一连接电极117设置于所述绝缘保护层213上，且部分所述第一连接电极117位于第一过孔h1内，并与所述第三漏极113c连接以实现电连接。
72.在本技术实施方式中，请参阅图9，图9为图7所示的子像素单元的第二过孔处的截面示意图。所述阵列基板公共电极116设置于所述衬底211的一侧，所述栅绝缘层212将所述阵列基板公共电极116罩设于所述衬底211上。所述第一源极111b设置于所述栅绝缘层212背对所述阵列基板公共电极116的一侧，所述绝缘保护层213将所述第一源极111b罩设于所
述栅绝缘层212上。所述栅绝缘层212开设有贯穿所述栅绝缘层212的第二过孔h2，部分所述阵列基板公共电极116露出所述第二过孔h2。所述绝缘保护层213开设有贯穿所述绝缘保护层213的第三过孔h3，且所述第三过孔h3与所述第二过孔h2连通，部分所述第一源极111b露出所述第三过孔h3，即部分所述第一源极111b和所述绝缘保护层213构成了所述第三过孔h3的孔壁。所述第二连接电极118设置于所述绝缘保护层213上，且部分所述第二连接电极118位于所述第二过孔h2与所述第三过孔h3内，并与所述阵列基板公共电极116连接以及与所述第一源极111b连接，以将所述阵列基板公共电极116与所述第一源极111b电连接。
73.在本技术实施方式中，请参阅图10，图10为图7中开关晶体管的层结构示意图。所述扫描线gl设置于所述衬底211的一侧，所述第三栅极113d设置于所述扫描线gl上，所述栅绝缘层212将所述扫描线gl以及所述第三栅极113d罩设于所述衬底211上，所述第三有源层113a设置于所述栅绝缘层212背对所述第三栅极113d的一侧，所述第三源极113b与所述第三漏极113c设置于所述第三有源层113a背对所述栅绝缘层212的一侧，且所述第三源极113b与所述第三漏极113c相间隔设置，所述绝缘保护层213将所述第三源极113b、所述第三漏极113c以及所述第三有源层113a罩设于所述栅绝缘层212上。
74.在本技术实施方式中，请参阅图11，图11为图7中第一调节晶体管的层结构示意图。所述阵列基板公共电极116设置于所述衬底211的一侧，所述第一栅极111d设置于部分所述阵列基板公共电极116背对所述衬底211的一侧，所述栅绝缘层212将所述第一栅极111d以及所述阵列基板公共电极116罩设于所述衬底211上，所述第一有源层111a设置于所述栅绝缘层212背对所述第一栅极111d的一侧，所述第一源极111b与所述第一漏极111c设置于所述第一有源层111a背对所述栅绝缘层212的一侧，且所述第一源极111b与所述第一漏极111c相间隔设置，所述绝缘保护层213将所述第一源极111b、所述第一漏极111c以及所述第一有源层111a罩设于所述栅绝缘层212上。
75.请参阅图12，图12为本技术第四实施例公开的子像素单元的第一种电路结构示意图。第二种电路结构的子像素单元与第一种电路结构的子像素单元的区别在于：第二种电路结构的子像素单元的所述电位调节单元111还包括第二调节晶体管f2。第二种电路结构的子像素单元与第一种电路结构的子像素单元相同之处的描述，请参阅第一种电路结构的子像素单元的相关描述，在此不再赘述。
76.在本技术实施方式中，所述电位调节单元111包括第一调节晶体管f1与第二调节晶体管f2，其中，所述第一调节晶体管f1包括第一源极、第一漏极以及第一栅极，所述第二调节晶体管f2包括第二源极、第二漏极以及第二栅极。所述第一源极与所述第一栅极均与所述第二公共电压端acom电连接，所述第一漏极与所述第二漏极电连接，所述第二源极与所述第二栅极均与所述液晶电容clc的第一端电连接。也即是，所述第二栅极与所述第二源极可为所述电位调节单元111的第一端，所述第一源极可为所述电位调节单元111的第二端，所述第一栅极可为所述电位调节单元111的控制端。
77.在本技术实施方式中，所述第一调节晶体管f1可为n型的mos管，所述第二调节晶体管f2可为n型的mos管。
78.可以理解的是，所述第一调节晶体管f1接收所述第二公共电压端acom传输的电信号并导通，所述第二调节晶体管f2接收所述数据信号并导通。
79.在示例性实施方式中，所述第二调节晶体管f2的所述第二栅极与所述第二源极均
与所述开关单元113的第二端以及所述存储电容cst的第一端电连接。
80.在示例性实施方式中，所述第二调节晶体管f2的沟道长度可为0.5um至1um，例如，0.5um、0.55um、0.67um、0.7um、0.8um、0.88um、1um、或其他数值，本技术对此不作具体限制。所述第二调节晶体管f2的沟道宽度可为6um至12um，例如，6um、7um、7.5um、8.5um、9.4um、10um、11um、12um、或其他数值，本技术对此不作具体限制。
81.为验证本技术的技术方案的可行性，模拟设置如下：所述开关晶体管t的vgh为30v，所述开关晶体管t的vgl为-7v，所述开关晶体管t的沟道长度为31um，所述开关晶体管t的沟道宽度为5um，所述第一公共电压端ccom的电位与所述第二公共电压端acom的电位均为7.2v，所述第一调节晶体管f1的沟道长度为0.5um，所述第一调节晶体管f1的沟道宽度为7.5um，所述第二调节晶体管f2的沟道长度为0.5um，所述第二调节晶体管f2的沟道宽度为6um。请参阅图13，图13为本技术第四实施例公开的第一种电路结构的子像素单元的液晶电容的第一端的电位在一帧内的变化示意图。由模拟结果得出：正极性的电位剩余率ratio(+)为69.54％，负极性的电位剩余率ratio(-)为72.32％。从图13中可以得出，ratio(+)与ratio(-)的差异较小。
82.可以理解的是，所述液晶电容clc的第一端的电位为正极性时，则所述液晶电容clc的第一端向所述第二公共电压端acom放电，使得所述第一调节晶体管f1正向偏置的程度减小，所述第二调节晶体管f2正向偏置的程度增大；所述液晶电容clc的第一端的电位为负极性时，则所述第二公共电压端acom放电向所述液晶电容clc的第一端的放电，使得所述第一调节晶体管f1正向偏置的程度增大，所述第二调节晶体管f2正向偏置的程度减小；进而无论所述液晶电容clc的第一端的电位是正极性还是负极性，所述电位调节单元111的电阻大致相同，进而正极性的电位剩余率ratio(+)与负极性的电位剩余率ratio(-)较为接近。
83.在本技术其他实施方式中，请参阅图14，图14为本技术第四实施例公开的子像素单元的第二种电路结构示意图。所述电位调节单元111包括第一调节晶体管f1与第二调节晶体管f2，所述第一调节晶体管f1包括第一源极、第一漏极以及第一栅极，所述第二调节晶体管f2包括第二源极、第二漏极以及第二栅极。所述第一漏极与所述第一栅极均与所述第二公共电压端acom电连接，所述第一源极与所述第二源极电连接，所述第二漏极与所述第二栅极均与所述液晶电容clc的第一端电连接。也即是，所述第二漏极与所述第二栅极可为所述电位调节单元111的第一端，所述第一漏极可为所述电位调节单元111的第二端，所述第一栅极可为所述电位调节单元111的控制端。通过上述的技术方案可以使得正极性的电位剩余率ratio(+)与负极性的电位剩余率ratio(-)较为接近。
84.在本技术实施方式中，请参阅图15和图16，图15为本技术第四实施例公开的子像素单元的结构示意图，图16为图15所示的子像素单元中结构xii的放大示意图。在本技术实施方式中，所述第二调节晶体管f2包括第二有源层112a、第二源极112b、第二漏极112c以及第二栅极，其中，所述第二有源层112a设置于所述第二栅极上，所述第二源极112b与所述第二漏极112c设置于所述第二有源层112a背对所述第二栅极的一侧。所述第二栅极以及所述第二源极112b均与所述第三漏极113c连接以实现电连接，所述第二漏极112c与所述第一漏极111c连接以实现电连接。
85.在本技术实施方式中，请参阅图17，图17为图16中第二调节晶体管的层结构示意
图。所述栅绝缘层212将所述第二栅极112d罩设于所述衬底211上，所述第二有源层112a设置于所述栅绝缘层212背对所述第二栅极112d的一侧，所述第二源极112b与所述第二漏极112c设置于所述第二有源层112a背对所述栅绝缘层212的一侧，且所述第二源极112b与所述第二漏极112c相间隔设置，所述绝缘保护层213将所述第二源极112b、所述第二漏极112c以及所述第二有源层112a罩设于所述栅绝缘层212上。
86.综上所述，本技术实施例提供的像素单元包括多个子像素单元sp，每个所述子像素单元sp包括液晶电容clc以及电位调节单元111。所述液晶电容clc的第一端与所述电位调节单元111的第一端电连接，所述液晶电容clc的第二端与所述第一公共电压端ccom电连接，所述电位调节单元111的第二端以及控制端均与第二公共电压端acom电连接。其中，所述电位调节单元111的控制端用于接收所述第二公共电压端acom输出的电信号将所述液晶容clc的第一端与所述第二公共电压端acom的第二端导通，以调整所述液晶电容clc的第一端的电位。因此，在一帧时间内，随着时间增加，所述液晶电容clc的第一端的电位是一个动态的变化值，使得所述液晶电容clc内的多个所述液晶分子的偏转角度也是动态变化的，使得不同视角下的色彩差异性较小，从而改善了视角色偏。
87.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
88.应当理解的是，本技术的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本技术权利要求所作的等同变化，仍属于本技术所涵盖的范围。

技术特征：
1.一种像素单元，包括多个子像素单元，其特征在于，每个所述子像素单元包括开关单元、液晶电容以及电位调节单元，所述开关单元的控制端接收扫描信号，所述开关单元的第一端接收数据信号，所述开关单元的第二端与所述液晶电容的第一端以及所述电位调节单元的第一端电连接，所述液晶电容的第二端与第一公共电压端电连接，所述电位调节单元的第二端以及控制端均与第二公共电压端电连接，其中，所述电位调节单元的控制端接收所述第二公共电压端输出的电信号使所述液晶电容的第一端与所述第二公共电压端导通，以调整所述液晶电容的第一端的电位。2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第二公共电压端输出的电信号为直流电信号。3.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述电位调节单元包括第一调节晶体管，所述第一调节晶体管包括第一源极、第一漏极以及第一栅极，所述第一漏极与所述液晶电容的第一端电连接，所述第一源极以及所述第一栅极均与所述第二公共电压端电连接。4.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述电位调节单元包括第一调节晶体管，所述第一调节晶体管包括第一源极、第一漏极以及第一栅极，所述第一源极与所述液晶电容的第一端电连接，所述第一漏极以及所述第一栅极均与所述第二公共电压端电连接。5.如权利要求3或4所述的像素单元，其特征在于，所述第一调节晶体管的沟道长度为0.5um至1um，所述第一调节晶体管的沟道宽度为7.5um至15um。6.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述电位调节单元包括第一调节晶体管与第二调节晶体管，所述第一调节晶体管包括第一源极、第一漏极以及第一栅极，所述第二调节晶体管包括第二源极、第二漏极以及第二栅极，所述第一源极与所述第一栅极均与所述第二公共电压端电连接，所述第一漏极与所述第二漏极电连接，所述第二源极与所述第二栅极均与所述液晶电容的第一端电连接。7.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述电位调节单元包括第一调节晶体管与第二调节晶体管，所述第一调节晶体管包括第一源极、第一漏极以及第一栅极，所述第二调节晶体管包括第二源极、第二漏极以及第二栅极，所述第一漏极与所述第一栅极均与所述第二公共电压端电连接，所述第一源极与所述第二源极电连接，所述第二漏极与所述第二栅极均与所述液晶电容的第一端电连接。8.如权利要求6或7所述的像素单元，其特征在于，所述第一调节晶体管的沟道长度为0.5um至1um，所述第一调节晶体管的沟道宽度为7.5um至15um；所述第二调节晶体管的沟道长度为0.5um至1um，所述第二调节晶体管f2的沟道宽度为6um至12um。9.一种显示面板，其特征在于，包括多个扫描线、多个数据线以及多个如权利要求1-8任一项所述的像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元分别与所述扫描线以及所述数据线电连接。10.一种显示装置，其特征在于，包括扫描驱动电路、数据驱动电路以及如权利要求9所述的显示面板，所述显示面板分别与所述扫描驱动电路以及所述数据驱动电路电连接。

技术总结
本申请提供一种像素单元，像素单元包括多个子像素单元，每个子像素单元包括液晶电容以及电位调节单元，开关单元的第二端与液晶电容的第一端以与电位调节单元的第一端电连接，液晶电容的第二端与第一公共电压端电连接，电位调节单元的第二端以及控制端均与第二公共电压端电连接，其中，电位调节单元的控制端接收第二公共电压端输出的电信号使液晶电容的第一端与第二公共电压端导通，以调整液晶电容的第一端的电位。因此，在一帧时间内，随着时间增加，液晶电容的第一端的电位动态变化，使得液晶电容内的液晶分子的偏转角度也动态变化，使得不同视角下的色彩差异性较小，从而改善了视角色偏。本申请还提供一种显示面板以及一种显示装置。示装置。示装置。


技术研发人员：杨艳娜 孙晓午 张天豪 施明宏 陈政鸿 谢俊烽
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2023.05.31
技术公布日：2023/10/6