电容传感器、以及电容传感器的制造方法与流程

1.本发明涉及一种电容传感器、以及电容传感器的制造方法。


背景技术：

2.公知有一种能够用于触控面板式显示器等的电容传感器。下述专利文献1公开一种电容传感器，在具有透光性的基材膜上设置有由导电性高分子构成的具有透光性的电极。另外，下述专利文献1公开了：在基材膜与电极之间设置有提高基材膜与导电性高分子的紧贴力的层。现有技术文献专利文献
3.专利文献1：日本专利第6167103号公报


技术实现要素：

(一)要解决的技术问题
4.一般有如下倾向：在基材膜整面设置提高紧贴力的层。因此，对于上述专利文献1的电容传感器而言，设置上述层时与不设置该层时相比，具有如下倾向：就电容传感器整体而言厚度增加，电容传感器的挠性降低。另外，有时安装电容传感器的部位是曲面，从安装性的观点出发而希望抑制挠性降低。
5.因此，本发明的目的在于，提供一种能够提高电极的紧贴力且能够抑制挠性降低的电容传感器、以及电容传感器的制造方法。(二)技术方案
6.为了实现上述目的，本发明的电容传感器具备：基材膜，其具有透光性；抗蚀剂层，其设置于所述基材膜的一个主面的一部分，且与所述基材膜相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高，并具有透光性；以及电极，其由包含所述规定的导电性高分子的导电性材料构成，且至少一部分设置于所述抗蚀剂层的与所述基材膜侧为相反侧的面，并具有透光性，在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述基材膜的所述一个主面的未形成所述抗蚀剂层的区域包围所述电极。
7.另外，关于本发明的电容传感器的制造方法，其特征在于，具备：抗蚀剂层形成工序，在具有透光性的基材膜的一个主面的一部分涂覆树脂材料而形成与规定的导电性高分子的紧贴力比所述基材膜高且具有透光性的抗蚀剂层；以及电极形成工序，至少在所述抗蚀剂层的与所述基材膜侧为相反侧的面的一部分涂覆包含所述规定的导电性高分子的导电性材料而形成具有透光性的电极，在所述抗蚀剂层形成工序中以如下方式涂覆所述树脂材料，即：在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述抗蚀剂层被所述基材膜的所述一个主面的未形成所述抗蚀剂层的区域包围，在所述电极形成工序中以如下方式涂覆所述导电性材料，即：在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述电极被所述区域包围。
8.对于该电容传感器、以及电容传感器的制造方法而言，将具有透光性的电极的至
少一部分经由抗蚀剂层安装于基材膜。构成该电极的导电性材料所包含的规定的导电性高分子与抗蚀剂层的紧贴力比规定的导电性高分子与基材膜的紧贴力高。因此，与不在基材膜上设置抗蚀剂层的情况相比，能够提高电极与基材膜的紧贴力。另外，对于该电容传感器、以及电容传感器的制造方法而言，在沿基材膜的厚度方向观察的情况下，基材膜的一个主面的未形成抗蚀剂层的区域包围电极。因此，根据该电容传感器，与在基材膜的一个主面的整面设置有抗蚀剂层的情况相比，至少能够抑制电极周围的挠性降低，能够提高向装置等上的曲面状的部位进行安装的安装性。另外，根据该电容传感器的制造方法，能够制造一种电容传感器，该电容传感器能够提高电极的紧贴力并且能够抑制挠性降低。
9.可以是，上述的电容传感器还具备设置于所述区域并且与所述电极分离的屏蔽层。
10.通过成为这样的结构，从而与电容传感器不具备屏蔽层的情况相比，能够抑制外部的电磁场等的影响到达电极。
11.在这种情况下，可以是，所述屏蔽层比所述电极厚。
12.通过成为这样的结构，与屏蔽层比电极薄的情况相比，能够减小电极的厚度及抗蚀剂层的厚度的合计与屏蔽层的厚度的差。因此，与屏蔽层比电极薄的情况相比，能够减少电容传感器的以基材膜为基准的电极侧的面的凹凸量。
13.在这种情况下，可以是，在沿所述基材膜的所述一个主面的方向上，所述电极的至少一部分与所述屏蔽层的一部分相互重合。
14.根据这样的结构，与在沿基材膜的一个主面的方向上电极与屏蔽层不相互重合的情况相比，能够抑制来自沿基材膜的一个主面的方向的电磁场等的影响到达电极。
15.在上述的电容传感器中，可以是，所述基材膜具有：设置有所述抗蚀剂层的主部、以及与所述主部连接且设置有与所述电极电连接的端子的尾部，所述基材膜的所述尾部上的所述一个主面包含于所述区域。
16.根据这样的结构，由于在基材膜的尾部不设置抗蚀剂层，因此与在尾部设置有抗蚀剂层的情况相比，能够抑制电容传感器的包含尾部的部位的挠性降低，能够容易使端子配置于期望的位置。
17.关于上述的电容传感器，可以是，还具备外抗蚀剂层，该外抗蚀剂层由与构成所述抗蚀剂层的树脂相同的树脂构成，并覆盖所述电极。
18.根据这样的结构，与外抗蚀剂层由与构成抗蚀剂层的树脂不同的树脂构成的情况相比，能够缩小抗蚀剂层的由热引起的伸缩量与外抗蚀剂层的由热引起的伸缩量的差，能够抑制由热引起的伸缩所导致的裂缝。
19.如上所述，根据本发明，能够提供一种能够提高电极的紧贴力且能够抑制挠性降低的电容传感器、以及电容传感器的制造方法。
附图说明
20.图1是概要地示出本发明实施方式的电容传感器的俯视图。图2是概要地示出图1所示的电容传感器的分解立体图。图3是概要地示出沿图1的iii－iii线的电容传感器的剖面的图。图4是表示本实施方式的电容传感器的制造方法的工序的流程图。
具体实施方式
21.以下参照附图对本发明的电容传感器、以及电容传感器的制造方法的优选实施方式进行详细说明。以下例示的实施方式用于使本发明容易理解而非限定解释本发明。本发明能够在不脱离其主旨的前提下对以下的实施方式进行变更、改进。此外，在以下参照的附图中，存在为了容易理解而改变各部件的尺寸进行表示的情况。
22.图1是概要地示出本实施方式的电容传感器的俯视图，图2是概要地示出图1所示的电容传感器的分解立体图，图3是概要地示出沿图1的iii－iii线的电容传感器的剖面的图。如图1至图3所示，本实施方式的电容传感器1具备：基材膜10、抗蚀剂层20、电极31～36、端子41～47、配线51～57、屏蔽层60、外抗蚀剂层70、背面抗蚀剂层80。此外，在图1中，配线51～57用粗线表示。
23.基材膜10是具有透光性、绝缘性、以及挠性的树脂制膜。作为基材膜10，例如可举出由聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚对苯二甲酸乙酯(pen)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、丙烯酸(pmma)等树脂构成的膜，基材膜10可以是单层结构也可以是多层结构。基材膜10的厚度例如为10μm以上且200μm以下。在本实施方式中，基材膜10由大致长方形状的主部10m、以及与主部10m连接且在与主部10m的短尺寸方向大致平行的方向上为长尺寸带状的尾部10t构成。主部10m的一个短边和尾部10t的一个长边位于同一直线上。此外，基材膜10的形状没有特别限制。
24.抗蚀剂层20是设置于基材膜10的一个主面11的一部分的树脂层，具有透光性、绝缘性、以及挠性。此外，在图2中，对于抗蚀剂层20，以设置于主面11的一部分的状态进行表示。另外，抗蚀剂层20与规定的导电性高分子的紧贴力比基材膜10与规定的导电性高分子的紧贴力高。作为规定的导电性高分子，例如可举出pedot－pss(聚3-，4-亚乙基二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸)等。当基材膜10为单层的pet膜且规定的导电性高分子为pedot－pss时，作为构成抗蚀剂层20的树脂，例如可举出聚氨酯、聚酯、环氧树脂、以及聚氨酯丙烯酸酯等热固性树脂、丙烯酸酯等紫外线固化树脂、聚乙烯等热塑性树脂等。抗蚀剂层20的厚度例如为0.5μm以上且5μm以下。另外，作为紧贴力的评价方法，没有特别限制，例如可举出横切试验、划痕试验等。另外，与规定的导电性高分子的紧贴力例如可以视为大致等同于：与包含规定的导电性高分子且构成后述的电极31～36的导电性材料的紧贴力。
25.在本实施方式中，抗蚀剂层20由相互分离的六个部位21～26构成，各部位21～26的外形大致为长方形状。这些部位21～26以沿主部10m的短尺寸方向及长尺寸方向排列的方式配置为矩阵状。另外，各部位21～26与基材膜10的外缘分离，且在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，被基材膜10的主面11的未形成抗蚀剂层20的区域15包围。此外，部位21～26只要被区域15包围即可，部位21～26的形状、数量、以及配置没有特别限制。
26.电极31～36由上述的包含规定的导电性高分子的导电性材料构成，具有透光性。电极31～36各自的至少一部分设置于抗蚀剂层20的与基材膜10侧为相反侧的面。在本实施方式中，电极31～36与部位21～26以一对一的方式对应，在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，抗蚀剂层20与电极31～36相互重合，各电极31～36被区域15包围。此外，电极31～36与部位21～26同样地，以沿主部10m的短尺寸方向及长尺寸方向排列的方式配置为矩阵状。另外，电极31～36的外形大致为长方形状，在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，电极31～36各自的整体设置于与该电极31～36对应的部位21～26的与基材膜10侧为相反侧
的面。构成电极31～36的导电性材料包含规定的导电性高分子以及使该规定的导电性高分子结合的树脂，作为该树脂而言，没有特别限制，例如可举出环氧树脂、聚氨酯、丙烯酸、聚酰亚胺等树脂。电极31～36的厚度例如是0.1μm以上且3μm以下。此外，电极31～36可以从对应的部位21～26突出，也可以是，电极31～36的一部分设置于抗蚀剂层20的与基材膜10侧为相反侧的面，电极31～36的另一部分设置于基材膜10的主面11。另外，对于电极31～36的形状、数量、以及配置没有特别限制，例如电极31～36的数量可以是一个。在这种情况下，例如，构成抗蚀剂层20的部位的数量设为一个，在该部位的与基材膜10侧为相反侧的面设置有电极的至少一部分。
27.在基材膜10的尾部10t设置有端子41～47。设置有这些端子41～47的基材膜10的主面是设置有抗蚀剂层20的主面11。端子41与电极31利用配线51电连接，端子42与电极32利用配线52电连接，端子43与电极33利用配线53电连接，端子44与电极34利用配线54电连接，端子45与电极35利用配线55电连接，端子46与电极36利用配线56电连接。另外，端子47与后面说明的屏蔽层60利用配线57电连接。在本实施方式中，如图3所示，配线51覆盖连接的电极31的外周缘的整体以及该电极31重合的部位21的外周缘的整体。配线52～56分别与配线51同样地，覆盖连接的电极32～36的外周缘以及该电极32～36重合的部位22～26的外周缘。此外，配线51～56也可以覆盖连接的电极31～36的外周缘以及该电极31～36重合的部位21～26的外周缘的至少一方。
28.屏蔽层60由导电性材料构成，是设置于基材膜10的主面11上的区域15的层，与电极31～36及配线51～56分离。作为构成屏蔽层60的导电性材料，没有特别限制，可以举出例如银、铜等。在本实施方式中，屏蔽层60在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下包围电极31～36各自的外周的大部分。此外，屏蔽层60只要配置于电极31～36的周围的至少一部分即可。但是，屏蔽层60优选配置于相邻的电极间的至少一部分，更优选包围电极31～36各自的外周中的1/4以上的范围。屏蔽层60的厚度例如是3μm以上且20μm以下。另外，在图1～图3中，为了容易理解，屏蔽层60记载成片状，但在本实施方式中，沿基材膜10的厚度方向观察的情况下的屏蔽层60的结构为多条线重合成网眼状的网状结构。但是，屏蔽层60的结构没有特别限制，也可以是片状。
29.外抗蚀剂层70是覆盖电极31～36、配线51～57、以及屏蔽层60的树脂层，具有透光性、绝缘性、以及挠性。在本实施方式中，尾部10t的一部分未被外抗蚀剂层70覆盖，端子41～47暴露。作为构成外抗蚀剂层70的树脂，没有特别限制，例如可举出与抗蚀剂层20同样的树脂。外抗蚀剂层70的厚度例如是5μm以上且20μm以下。此外，优选构成外抗蚀剂层70的树脂与构成抗蚀剂层20的树脂相同。根据这样的结构，与外抗蚀剂层70由与构成抗蚀剂层20的树脂不同的树脂构成的情况相比，能够缩小抗蚀剂层20的由热引起的伸缩量与外抗蚀剂层70的由热引起的伸缩量的差，能够抑制由热引起的伸缩所引起的裂缝。
30.背面抗蚀剂层80是覆盖基材膜10的与抗蚀剂层20侧为相反侧的主面12的至少一部分的树脂层，具有透光性、绝缘性、以及挠性。在本实施方式中，背面抗蚀剂层80覆盖该主面12的整体。作为构成背面抗蚀剂层80的树脂，没有特别限制，例如可举出与外抗蚀剂层70同样的树脂。背面抗蚀剂层80的厚度例如是5μm以上且20μm以下。此外，优选构成背面抗蚀剂层80的树脂与构成抗蚀剂层20的树脂是相同的材料。根据这样的结构，与背面抗蚀剂层80由与构成抗蚀剂层20的树脂不同的材料构成的情况相比，能够缩小抗蚀剂层20的由热引
起的伸缩量与背面抗蚀剂层80的由热引起的伸缩量的差，能够抑制由热引起的伸缩所引起的裂缝。
31.这样结构的电容传感器1是所谓自电容式的电容传感器，例如与未图示的检测装置一起使用。具体而言，端子41～47连接于检测装置，检测装置对端子41～46施加规定的电压，将端子47连接于大地。在这样的状态下，例如，当手指从外抗蚀剂层70侧接近电极31时，由电极31和手指形成模拟的电容器。该电容器的电容量根据电极31与手指的距离而变化。检测装置根据例如沿端子41～46流动的电流值来检测这样的模拟的电容器的电容量的变化。此外，检测装置基于例如该电流值是否超过阈值来判定手指是否与外抗蚀剂层70上的与电极31～36重合的部位接触，并向另一装置输出表示该判定结果的信号。作为这样的检测装置，能够由例如微型控制器、ic(integrated circuit：集成电路)、lsi(large-scale integrated circuit：大规模集成电路)、asic(application specific integrated circuit：专用集成电路)等集成电路、nc(numerical control：数字控制)装置构成。
32.接着，对本发明的实施方式的电容传感器的制造方法进行说明。
33.图4是表示本实施方式的电容传感器的制造方法的工序的流程图。如图4所示，本实施方式的电容传感器1的制造方法作为主要工序而具备：抗蚀剂层形成工序p1、电极形成工序p2、导电性部件形成工序p3、外抗蚀剂层形成工序p4、以及背面抗蚀剂层形成工序p5。
34.(抗蚀剂层形成工序p1)在本工序中，准备具有透光性的基材膜10，并在该基材膜10的一个主面11的一部分涂覆具有流动性的树脂材料，形成与基材膜10相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高且具有透光性的抗蚀剂层20。作为基材膜10的准备而言，可以购买基材膜10，也可以制造基材膜10。在本工序中，以如下方式涂覆树脂材料，即：在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，抗蚀剂层20被基材膜10的主面11的未形成抗蚀剂层20的区域15包围。作为树脂材料，没有特别限制，例如可举出：成为抗蚀剂层20的树脂熔融而成的熔融树脂、包含成为抗蚀剂层20的树脂和有机溶剂的溶液、包含成为抗蚀剂层20的树脂和水的分散液等。作为有机溶剂，没有特别限制，例如可举出异佛尔酮、卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯、萜品醇等。在本实施方式中，树脂材料是包含成为抗蚀剂层20的热固性树脂和有机溶剂的溶液。此外，对准备的基材膜10实施了退火处理后，在基材膜10的一个主面11的一部分涂覆树脂材料，并对涂覆有该树脂材料的基材膜10进行加热。这样，涂覆的树脂材料中的热固性树脂固化，而形成抗蚀剂层20。树脂材料的涂覆方法没有特别限制，能够举出凹版印刷、胶印印刷、柔性印刷、丝网印刷等印刷。此外，包含于树脂材料的有机溶剂的大多数随着时间的经过而挥发等从抗蚀剂层20中消失。另外，例如在树脂材料是熔融树脂的情况下，省略涂覆有树脂材料的基材膜10的加热。此外，在抗蚀剂层20由紫外线固化树脂构成的情况下，例如，在实施了退火处理后的基材膜10的主面11的一部分涂覆包含成为抗蚀剂层20的紫外线固化树脂和有机溶剂的溶液即树脂材料，并对该树脂材料照射紫外线。另外，在抗蚀剂层20由热塑性树脂构成的情况下，例如，在实施了退火处理后的基材膜10的主面11的一部分涂覆包含成为抗蚀剂层20的热塑性树脂和有机溶剂的溶液即树脂材料，并对涂覆有该树脂材料的基材膜10进行冷却。
35.(电极形成工序p2)在本工序中，至少在抗蚀剂层20的与基材膜10侧为相反侧的面的一部分涂覆包含
规定的导电性高分子的导电性材料，形成具有透光性的电极31～36。在此，规定的导电性高分子与抗蚀剂层20的紧贴力比规定的导电性高分子与基材膜10的紧贴力高。在本工序中，以如下方式涂覆导电性材料，即：在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，电极31～36被区域15包围。在本实施方式中，通过印刷涂覆导电性材料。作为印刷方法，没有特别限制，例如可举出：在抗蚀剂层形成工序p1中举出的印刷方法。另外，在本实施方式中，导电性材料设定为包含规定的导电性高分子和有机溶剂的墨剂。作为有机溶剂，没有特别限制，例如可举出：在抗蚀剂层形成工序p1中举出的有机溶剂。此外，导电性材料没有特别限制，例如，可以是规定的导电性高分子分散到水中的墨剂。
36.在此，有如下倾向：通常在对基材膜10实施退火处理时，会在基材膜10的表面析出低聚物。该低聚物因抗蚀剂层20中包含的有机溶剂而溶解。假如不形成抗蚀剂层20而是在基材膜10的主面11涂覆导电性材料，则低聚物会被导电性材料中包含的有机溶剂溶解，但是会由于存在过低聚物而在电极31～36的基材膜10侧的面形成凹凸。在形成有这种凹凸或残留低聚物的情况下，可能会因凹凸而使光散射或者因低聚物而使光散射，电容传感器中的与电极31～36重合的部位的雾度值升高，该部位的透明性降低。因此，由于存在抗蚀剂层20而与无抗蚀剂层20时相比而言，能够抑制与电极31～36重合的部位的透明性降低。就这种抑制透明性降低的观点而言，对于在抗蚀剂层形成工序p1中涂覆于基材膜10的树脂材料所包含的有机溶剂的比例、以及导电性材料所包含的有机溶剂的比例，优选以如下方式进行调节，即：使得涂覆的树脂材料的每单位面积所含的有机溶剂的量比涂覆的导电性材料的每单位面积所含的溶剂的量多。这样，与不设置抗蚀剂层20的情况相比，能够使较多的低聚物溶解。
37.(导电性部件形成工序p3)本工序在形成有电极31～36的基材膜10上形成作为导电性部件的端子41～47、配线51～57、以及屏蔽层60。在本实施方式中，通过印刷而形成端子41～47、配线51～57、以及屏蔽层60。用于印刷的导电性墨剂没有特别限制，例如作为导电体而能够举出包含银、铜的物质。印刷方法没有特别限制，例如可举出：与在电极形成工序p2中涂覆导电性材料的印刷方法同样的印刷方法。
38.(外抗蚀剂层形成工序p4)本工序在形成有作为导电性部件的端子41～47、配线51～57、以及屏蔽层60的基材膜10上涂覆具有流动性的树脂材料而形成外抗蚀剂层70。作为树脂材料，没有特别限制，例如可举出：成为外抗蚀剂层70的树脂熔融而成的熔融树脂、包含成为外抗蚀剂层70的树脂和有机溶剂的溶液、包含成为外抗蚀剂层70的树脂和水的分散液等。作为有机溶剂，没有特别限制，例如可举出：在抗蚀剂层形成工序p1中举出的有机溶剂。在本实施方式中，树脂材料是成为外抗蚀剂层70的热固性树脂熔融而成的熔融树脂，以使得配线51～57及屏蔽层60被覆盖的方式涂覆树脂材料，并对涂覆有该树脂材料的基材膜10进行加热。这样，涂覆的树脂材料固化而形成外抗蚀剂层70。此外，外抗蚀剂层70的形成方法没有特别限制，例如，可以与抗蚀剂层形成工序p1同样地，使用印刷来形成外抗蚀剂层70。另外，在外抗蚀剂层70由紫外线固化树脂构成的情况下，例如，以配线51～57及屏蔽层60被覆盖的方式在基材膜10上涂覆成为外抗蚀剂层70的紫外线固化树脂熔融而成的熔融树脂即树脂材料，并对该树脂材料照射紫外线。另外，在外抗蚀剂层70由热塑性树脂构成的情况下，例如，以配线51～
57及屏蔽层60被覆盖的方式在基材膜10上涂覆成为外抗蚀剂层70的热塑性树脂熔融而成的熔融树脂即树脂材料，并对涂覆有该树脂材料的基材膜10进行冷却。
39.(背面抗蚀剂层形成工序p5)本工序在形成有外抗蚀剂层70的基材膜10上涂覆具有流动性的树脂材料而形成背面抗蚀剂层80。作为树脂材料，没有特别限制，例如可举出：成为背面抗蚀剂层80的树脂熔融而成的熔融树脂、包含成为背面抗蚀剂层80的树脂和有机溶剂的溶液、包含成为背面抗蚀剂层80的树脂和水的分散液等。作为有机溶剂，没有特别限制，例如可举出：在抗蚀剂层形成工序p1中举出的有机溶剂。在本实施方式中，树脂材料是成为背面抗蚀剂层80的热固性树脂熔融而成的熔融树脂，在基材膜10的与抗蚀剂层20侧为相反侧的主面12涂覆树脂材料，并对涂覆有该树脂材料的基材膜10进行加热。这样，涂覆的树脂材料固化而形成背面抗蚀剂层80。此外，背面抗蚀剂层80的形成方法没有特别限制，例如，可以与抗蚀剂层形成工序p1同样地，使用印刷来形成背面抗蚀剂层80。另外，在背面抗蚀剂层80由紫外线固化树脂构成的情况下，例如，在基材膜10的主面12上涂覆成为背面抗蚀剂层80的紫外线固化树脂熔融而成的熔融树脂即树脂材料，并对该树脂材料照射紫外线。另外，在背面抗蚀剂层80由热塑性树脂构成的情况下，例如，在基材膜10的主面12涂覆成为背面抗蚀剂层80的热塑性树脂熔融而成的熔融树脂即树脂材料，并对涂覆有该树脂材料的基材膜10进行冷却。另外，电容传感器1的制造方法的流程没有特别限制。例如，可以在背面抗蚀剂层形成工序p5后进行外抗蚀剂层形成工序p4。
40.如以上说明的那样，本实施方式的电容传感器1具备：具有透光性的基材膜10、具有透光性的抗蚀剂层20、以及具有透光性的电极31～36。抗蚀剂层20设置于基材膜10的一个主面11的一部分，规定的导电性高分子与抗蚀剂层20的紧贴力比规定的导电性高分子与基材膜10的紧贴力高。电极31～36由包含规定的导电性高分子的导电性材料构成，电极31～36各自的至少一部分设置于抗蚀剂层20的与基材膜10侧为相反侧的面。在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，基材膜10的主面11的未形成抗蚀剂层20的区域15包围各电极31～36。
41.另外，本实施方式的电容传感器1的制造方法具备：抗蚀剂层形成工序p1、电极形成工序p2。抗蚀剂层形成工序p1在具有透光性的基材膜10的主面11的一部分涂覆树脂材料，形成与基材膜10相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高的具有透光性的抗蚀剂层20。在该抗蚀剂层形成工序p1中以如下方式涂覆树脂材料，即：在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，抗蚀剂层20被基材膜10的主面11的未形成抗蚀剂层20的区域15包围。在电极形成工序p2中，至少在抗蚀剂层20的与基材膜10侧为相反侧的面的一部分涂覆包含规定的导电性高分子的导电性材料，形成具有透光性的电极31～36。在该电极形成工序p2中以如下方式涂覆导电性材料，即：在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，各电极31～36被区域15包围。
42.对于本实施方式的电容传感器1、以及电容传感器1的制造方法而言，具有透光性的电极31～36各自的至少一部分经由抗蚀剂层20安装于基材膜10。构成电极31～36的导电性材料所包含的规定的导电性高分子与抗蚀剂层20的紧贴力比规定的导电性高分子与基材膜10的紧贴力高。因此，与不在基材膜10上设置抗蚀剂层20的情况相比，能够提高电极31～36与基材膜10的紧贴力。另外，对于本实施方式的电容传感器1、以及电容传感器1的制造
方法而言，在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，基材膜10的主面11的未形成抗蚀剂层20的区域15包围各电极31～36。因此，根据本实施方式的电容传感器1，与在基材膜10的主面11整面设置有抗蚀剂层20的情况相比，至少能够抑制电极31～36各自的周围的挠性降低，能够提高向装置等上的曲面状的部位的安装性。另外，根据本实施方式的电容传感器1的制造方法，能够制造电容传感器1，该电容传感器1能够提高电极31～36的紧贴力并且能够抑制挠性降低。
43.另外，本实施方式的电容传感器1还具备设置于区域15并且与电极31～36分离的屏蔽层60。因此，与电容传感器1不具备屏蔽层60的情况相比，能够抑制外部的电磁场等的影响到达电极31～36。
44.另外，在本实施方式中，如图3所示，屏蔽层60比电极31～36厚。因此，与屏蔽层60比电极31～36薄的情况相比，能够减小电极31～36的厚度及抗蚀剂层20的厚度的合计与屏蔽层60的厚度的差。因此，与屏蔽层60比电极31～36薄的情况相比，能够减少电容传感器1的以基材膜10为基准的电极31～36侧的面的凹凸量。
45.另外，在本实施方式中，在沿基材膜10的主面11的方向上，电极31～36各自的整体与屏蔽层60的一部分相互重合。因此，与在沿主面11的方向上电极31～36与屏蔽层60不重合的情况相比，能够抑制来自沿主面11的方向的电磁场等的影响到达电极31～36。此外，为了抑制来自沿主面11的方向的电磁场等的影响到达电极31～36，只要在该方向上使电极31～36各自的至少一部分与屏蔽层60的一部分相互重合即可。另外，在本实施方式中，屏蔽层60的厚度比抗蚀剂层20的厚度和电极31～36的厚度的合计厚，屏蔽层60的与基材膜10侧为相反侧的面ss位于以电极31～36的与抗蚀剂层20侧为相反侧的面es为基准的基材膜10侧的相反侧。因此，与屏蔽层60的面ss位于以电极31～36的面es为基准的基材膜10侧的情况相比，能够进一步抑制上述的电磁场等的影响到达电极31～36。另外，通过成为这样的结构，从而与上述的情况相比，能够抑制电容传感器1的以基材膜10为基准的电极31～36侧的面中的与电极31～36重合的部位朝向外方呈凸状突出，能够抑制耐久性降低。
46.另外，在本实施方式中，基材膜10具有：设置有抗蚀剂层20的主部10m、以及连接于主部10m且设置有与电极31～36电连接的端子41～46的尾部10t。另外，基材膜10的尾部10t上的一个主面包含于区域15。因此，没有在尾部10t设置抗蚀剂层20。因此，根据本实施方式的电容传感器1，与在尾部10t上设置有抗蚀剂层20的情况相比，能够抑制电容传感器1的包含尾部10t的部位挠性降低，能够容易使端子41～46配置于期望的位置。此外，也可以在基材膜10的尾部10t的至少一部分设置有抗蚀剂层20。
47.以上对本发明以上述实施方式为例进行了说明，但本发明不限于此。
48.例如，在上述实施方式中，以具备屏蔽层60的电容传感器1为例进行了说明。但是，电容传感器1可以不具备屏蔽层60。另外，屏蔽层60可以设置于基材膜10的与抗蚀剂层20侧为相反侧的主面12。在这种情况下，屏蔽层60设置于该主面12的在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下与区域15重合的区域，被背面抗蚀剂层80覆盖。另外，屏蔽层60在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下与电极31～36分离。
49.另外，在上述实施方式中，以比电极31～36厚的屏蔽层60为例进行了说明。但是，屏蔽层60也可以比电极31～36薄，在沿基材膜10的主面11的方向上，电极31～36与屏蔽层60可以不相互重合。
50.另外，在上述实施方式中，以具备背面抗蚀剂层80的电容传感器1为例进行了说明。但是，电容传感器1也可以不具备背面抗蚀剂层80。
51.另外，在上述实施方式中，以自电容式的电容传感器1为例进行了说明。但是，电容传感器1也可以是互电容式的电容传感器。作为这样的电容传感器，例如可以举出如下结构：电极31分割为两个，形成在沿基材膜10的主面11的方向上空出规定的间隔排列的第一电极和第二电极，代替端子41而具备与第一电极电连接的端子和与第二电极电连接的另一端子。
52.如以上说明的那样，根据本发明，能够提供一种能够提高电极的紧贴力并且能够抑制挠性降低的电容传感器、以及电容传感器的制造方法，能够在车辆用的操作开关、触控面板式显示器等领域中使用。

技术特征：
1.一种电容传感器，其特征在于，具备：基材膜，其具有透光性；抗蚀剂层，其设置于所述基材膜的一个主面的一部分，且与所述基材膜相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高，并具有透光性；以及电极，其由包含所述规定的导电性高分子的导电性材料构成，且至少一部分设置于所述抗蚀剂层的与所述基材膜侧为相反侧的面，并具有透光性，在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述基材膜的所述一个主面的未形成所述抗蚀剂层的区域包围所述电极。2.根据权利要求1所述的电容传感器，其特征在于，还具备设置于所述区域并且与所述电极分离的屏蔽层。3.根据权利要求2所述的电容传感器，其特征在于，所述屏蔽层比所述电极厚。4.根据权利要求3所述的电容传感器，其特征在于，在沿所述基材膜的所述一个主面的方向上，所述电极的至少一部分与所述屏蔽层的一部分相互重合。5.根据权利要求1至4的任一项所述的电容传感器，其特征在于，所述基材膜具有：设置有所述抗蚀剂层的主部、以及与所述主部连接并设置有与所述电极电连接的端子的尾部，所述基材膜的所述尾部上的所述一个主面包含于所述区域。6.根据权利要求1至5的任一项所述的电容传感器，其特征在于，还具有外抗蚀剂层，其由与构成所述抗蚀剂层的树脂相同的树脂构成，覆盖所述电极，具有透光性。7.一种电容传感器的制造方法，其特征在于，具备：抗蚀剂层形成工序，在具有透光性的基材膜的一个主面的一部分涂覆树脂材料而形成与所述基材膜相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高且具有透光性的抗蚀剂层；以及电极形成工序，至少在所述抗蚀剂层的与所述基材膜侧为相反侧的面的一部分涂覆包含所述规定的导电性高分子的导电性材料而形成具有透光性的电极，在所述抗蚀剂层形成工序中以如下方式涂覆所述树脂材料，即：在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述抗蚀剂层被所述基材膜的所述一个主面的未形成所述抗蚀剂层的区域包围，在所述电极形成工序中以如下方式涂覆所述导电性材料，即：在沿所述基材膜的厚度方向观察的情况下，所述电极被所述区域包围。

技术总结
电容传感器(1)具备：基材膜(10)，其具有透光性；抗蚀剂层(20)，其设置于基材膜(10)的一个主面(11)的一部分，且与基材膜(10)相比而言与规定的导电性高分子的紧贴力较高，并具有透光性；以及电极(31～36)，其由包含规定的导电性高分子的导电性材料构成，且至少一部分设置于抗蚀剂层(20)的与基材膜(10)侧为相反侧的面，并具有透光性，在沿基材膜10的厚度方向观察的情况下，基材膜(10)的主面(11)的未形成抗蚀剂层(20)的区域(15)包围电极(31～36)。蚀剂层(20)的区域(15)包围电极(31～36)。蚀剂层(20)的区域(15)包围电极(31～36)。


技术研发人员：龟岛贵
受保护的技术使用者：株式会社藤仓
技术研发日：2022.03.03
技术公布日：2023/10/5