用于二次电池生产的层压及堆叠装置模拟方法及装置与流程

1.本发明涉及用于二次电池生产的层压及堆叠(l&s)装置模拟方法及装置，具体地，涉及用于训练二次电池生产工作人员的层压及堆叠(l&s)装置模拟方法及装置。


背景技术：

2.最近，随着电动汽车市场的发展，对二次电池(secondary battery)的开发、生产等的需求正在急剧增加。与这种二次电池需求的增加相对应地，用于生产二次电池的生产工厂数量也逐渐增加。然而，当前二次电池生产工厂所需的熟练工作人员数量依然处于不足状态。
3.另一方面，当前对于新员工的培训教育仍采用观察熟练工作人员的学习方式，因此，在二次电池生产日程繁忙的情况下，将难以对新员工进行长时间的培训教育。而且，因工作人员频繁离职而难以确保充足数量的熟练工作人员。并且，即使工作人员接受工厂正常运转方法的培训，也难以让工作人员立即应对工厂运转过程中产生的各种缺陷情况。


技术实现要素：

4.技术问题
5.为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于，提供用于二次电池生产的层压及堆叠(l&s)装置模拟方法、存储在计算机可读介质中的计算机程序、存储有计算机程序的计算机可读介质及装置(系统)。
6.技术方案
7.本发明可由包括方法、装置(系统)或存储在计算机可读介质中的计算机程序、存储有计算机程序的计算机可读介质的多种方式实现。
8.根据本发明一实施例的用于二次电池生产的模拟装置包括：存储器，被配置为存储至少一个指令；以及至少一个处理器，被配置为执行存储在存储器的至少一个指令。至少一个指令包括用于以下的指令：接收与用户的用户账号关联的信息，该用户使用与二次电池的生产关联的模拟装置；以及当接收到与用户账号关联的信息时，执行装置工作部、设备运转部及质量确认部，装置工作部包括与二次电池的生产关联的三维层压及堆叠(3d l&s(lamination and stack))装置，设备运转部包括用于确定三维l&s装置的工作的多个调整参数，质量确认部包括与三维l&s装置生成的单电池单体(mono-cell)的质量关联的信息；获取通过装置工作部获取的第一用户行为信息及通过设备运转部获取的第一用户条件信息中的至少一个；基于所获取的第一用户行为信息及第一用户条件信息中的至少一个来确定三维l&s装置的工作；以及基于所确定的工作来执行对与三维l&s装置关联的多个电极及分隔膜进行密封(sealing)并切割(cutting)的工作。
9.根据本发明一实施例，至少一个指令还包括用于以下的指令：确定一个以上质量参数，该一个以上质量参数用于确定三维l&s装置生成的单电池单体的质量；在三维l&s装置执行工作的期间，基于所执行的三维l&s装置的工作来计算分别与所确定的一个以上质
量参数相对应的值；基于所计算的分别与一个以上质量参数相对应的值来生成与由三维l&s装置生成的单电池单体的质量关联的质量信息。
10.根据本发明一实施例，至少一个指令还包括用于以下的指令：从用户接收对三维l&s装置的运转能力的测试请求；在接收到测试请求的情况下，在与三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景中确定一个以上缺陷场景；基于所确定的一个以上缺陷场景来变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个。
11.根据本发明一实施例，多个缺陷场景包括切割缺陷场景。至少一个指令还包括用于以下的指令：当确定的一个以上缺陷场景包括切割缺陷场景时，将质量信息包含的表示切割位置的负极接片位置(tap position cathode，tpc)图表(graph)及正极接片位置(tap position anode，tpa)图表中的至少一个图表的值变更为缺陷范围并将切割图像包括的至少一部分区域变更为表示切割缺陷的预定区域。
12.根据本发明一实施例，多个调整参数包括与三维l&s装置的切割时间点(cutting timing)关联的切割偏移(cutting offset)参数。至少一个指令还包括用于以下的指令：响应于接收到第二用户条件信息，对切割图像、tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的值进行校正，该第二用户条件信息用于变更切割偏移参数的值；基于所校正的切割图像、tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的校正值来判断是否已解决切割缺陷场景；当判断为已解决切割缺陷场景时，执行对切割缺陷场景的用户账号的测试评估。
13.根据本发明一实施例，多个缺陷场景包括x轴配合缺陷场景。至少一个指令还包括用于以下的指令：当所确定的一个以上缺陷场景包括x轴配合缺陷场景时，将质量信息包含的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表的值变更为缺陷范围。
14.根据本发明一实施例，多个调整参数包括x轴偏移参数，该x轴偏移参数能够变更多个电极包括的上部电极、下部电极及分隔膜中的至少一部分的x轴值。至少一个指令还包括用于以下的指令：响应于接收到第三用户条件信息，对所变更的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表的值进行校正，该第三用户条件信息用于变更x轴偏移参数；基于所校正的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表的校正值来判断是否已解决x轴配合缺陷场景；以及当判断为已解决x轴配合缺陷场景时，执行对x轴配合缺陷场景的用户账号的测试评估。
15.根据本发明一实施例，多个缺陷场景包括y轴配合缺陷场景。至少一个指令还包括用于以下的指令：当所确定的一个以上缺陷场景包括y轴配合缺陷场景时，将质量信息包含的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表的值变更为缺陷范围。
16.根据本发明一实施例，多个调整参数包括y轴偏移参数，该y轴偏移参数能够变更多个电极包括的上部电极、下部电极以及多个分隔膜包括的上部分隔膜及下部分隔膜中的至少一部分的y轴值。至少一个指令还包括用于以下的指令：响应于接收到第四用户条件信息，对所变更的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表的值进行校正，该第四用户条件信息用于变更y轴偏移参数；基于所校正的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表的校正值来判断是否已解决y轴配合缺陷场景；以及当判断为已解决y轴配合缺陷场景时，执行对y轴配合缺陷场景的用户账号的测试评估。
17.根据本发明一实施例，多个缺陷场景包括表示分隔膜脱离路径线(path line)的路径线脱离缺陷场景。至少一个指令还包括用于以下的指令：当所确定的一个以上缺陷场景包括路径线脱离缺陷场景时，将质量信息包含的表示是否脱离路径线的图表的值变更为
缺陷范围。
18.根据本发明一实施例，多个调整参数包括能够变更分隔膜的y轴值的分隔膜偏移参数。至少一个指令还包括用于以下的指令：响应于接收到第五用户条件信息，对所变更的表示是否脱离路径线的图表的值进行校正，该第五用户条件信息用于变更分隔膜偏移参数；基于表示是否脱离路径线的图表的校正值来判断是否已解决路径线脱离缺陷场景；以及当判断为已解决路径线脱离缺陷场景时，执行对路径线脱离缺陷场景的用户账号的测试评估。
19.根据本发明一实施例，至少一个指令还包括用于以下的指令：判断用户账号是否已解决与三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景；以及当判断为用户账号已解决多个缺陷场景时，基于与多个缺陷场景中包括的各个缺陷场景对应地生成的用户账号的运转能力信息来判断用户是否通过测试。
20.根据本发明一实施例，由至少一个处理器执行的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法包括以下步骤：接收与用户的用户账号关联的信息，该用户使用与二次电池的生产关联的模拟装置；当接收到与用户账号关联的信息时，执行装置工作部、设备运转部及质量确认部，装置工作部包括与二次电池的生产关联的三维l&s装置，设备运转部包括用于确定三维l&s装置的工作的多个调整参数，质量确认部包括与由三维l&s装置生成的单电池单体的质量关联的信息；获取通过装置工作部获取的第一用户行为信息及通过设备运转部获取的第一用户条件信息中的至少一个；基于所获取的第一用户行为信息及第一用户条件信息中的至少一个来确定三维l&s装置的工作；以及基于所确定的工作来执行对与三维l&s装置关联的多个电极及分隔膜进行密封并切割的工作。
21.根据本发明一实施例，还包括以下步骤：确定一个以上质量参数，该一个以上质量参数用于确定由三维l&s装置生成的单电池单体的质量；在三维l&s装置执行工作的期间，基于所执行的三维l&s装置的工作来计算分别与所确定的一个以上质量参数相对应的值；以及基于所计算的分别与一个以上质量参数相对应的值来生成与三维l&s装置生成的单电池单体的质量关联的质量信息。
22.根据本发明一实施例，还包括以下步骤：从用户接收对三维l&s装置的运转能力的测试请求；在接收到测试请求的情况下，在与三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景中确定一个以上缺陷场景；以及基于所确定的一个以上缺陷场景来变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个。
23.根据本发明一实施例，多个缺陷场景包括切割缺陷场景。基于确定的一个以上缺陷场景来变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个的步骤包括以下步骤：当所确定的一个以上缺陷场景包括切割缺陷场景时，将质量信息所包含的表示切割位置的tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的值变更为缺陷范围并将切割图像包括的至少一部分区域变更为表示切割缺陷的预定区域。
24.根据本发明一实施例，多个调整参数包括与三维l&s装置的切割时间点关联的切割偏移参数。方法还包括以下步骤：响应于接收到第二用户条件信息，对切割图像、tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的值进行校正，第二用户条件信息用于变更切割偏移参数的值；基于所校正的切割图像、tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的校正值来判断是否已解决切割缺陷场景；以及当判断为已解决切割缺陷场景时，执行对切割缺陷场景的用户账
号的测试评估。
25.根据本发明一实施例，多个缺陷场景包括x轴配合缺陷场景。基于所确定的一个以上缺陷场景来变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个的步骤包括以下步骤：当所确定的一个以上缺陷场景包括x轴配合缺陷场景时，将质量信息包含的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表的值变更为缺陷范围。
26.根据本发明一实施例，多个调整参数包括x轴偏移参数，该x轴偏移参数能够变更多个电极包括的上部电极、下部电极及分隔膜中的至少一部分的x轴值。方法还包括以下步骤：响应于接收到第三用户条件信息，对所变更的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表的值进行校正，第三用户条件信息用于变更x轴偏移参数；基于所校正的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表的校正值来判断是否已解决x轴配合缺陷场景；以及当判断为已解决x轴配合缺陷场景时，执行对x轴配合缺陷场景的用户账号的测试评估。
27.根据本发明一实施例，多个缺陷场景包括y轴配合缺陷场景。基于所确定的一个以上缺陷场景来变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个的步骤包括以下步骤：当所确定的一个以上缺陷场景包括y轴配合缺陷场景时，将质量信息包含的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表的值变更为缺陷范围。
28.根据本发明一实施例，多个调整参数包括y轴偏移参数，该y轴偏移参数能够变更多个电极包括的上部电极、下部电极以及多个分隔膜包括的上部分隔膜及下部分隔膜中的至少一部分的y轴值。方法还包括以下步骤：响应于接收到第四用户条件信息，对变更的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表的值进行校正，该第四用户条件信息用于变更y轴偏移参数；基于所校正的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表的校正值来判断是否已解决y轴配合缺陷场景；以及当判断为已解决y轴配合缺陷场景时，执行对y轴配合缺陷场景的用户账号的测试评估。
29.根据本发明一实施例，多个缺陷场景包括表示分隔膜脱离路径线的路径线脱离缺陷场景。基于所确定的一个以上缺陷场景来变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个的步骤包括以下步骤：当所确定的一个以上缺陷场景包括路径线脱离缺陷场景时，将质量信息包含的表示是否脱离路径线的图表的值变更为缺陷范围。
30.根据本发明一实施例，多个调整参数包括能够变更分隔膜的y轴值的分隔膜偏移参数。方法还包括以下步骤：响应于接收到第五用户条件信息，对所变更的表示是否脱离路径线的图表的值进行校正，该第五用户条件信息用于变更分隔膜偏移参数；基于表示是否脱离路径线的图表的校正值来判断是否已解决路径线脱离缺陷场景；以及当判断为已解决路径线脱离缺陷场景时，执行对路径线脱离缺陷场景的用户账号的测试评估。
31.根据本发明一实施例，还包括以下步骤：判断用户账号是否已解决与三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景；以及当判断为用户账号已解决多个缺陷场景时，基于与多个缺陷场景中包括的各个缺陷场景对应地生成的用户账号的运转能力信息来判断用户是否通过测试。
32.提供存储在计算机可读介质中的计算机程序，用于在计算机上执行根据本发明的实施例的上述方法。
33.发明的效果
34.根据本发明多个实施例，在执行二次电池生产的用户投入工作之前，可通过模拟装置执行与二次电池生产装置的运转方法、发生缺陷时的应对方法等关联的训练，在按照上述方式训练用户的情况下，不仅显著减少因发生缺陷引起的损失，而且可有效提高二次电池生产作业的效率。
35.根据本发明多个实施例，模拟装置可基于实际装置的错误信息生成缺陷场景来有效生成实际作业环境的最佳训练内容。
36.根据本发明多个实施例，模拟装置可生成具有与二次电池生产装置的故障关联的多种值的缺陷场景并向用户提供，由此，使得用户自行解决有可能在装置实际发生的故障状况，从而可有效学习各个状况的应对方案。
37.根据本发明多个实施例，用户可通过按照用户作业熟练度分阶段进行的模拟来轻松学习二次电池生产装置的操作方法。
38.根据本发明多个实施例，用户可通过简单确认并处理训练不足的缺陷场景来集中训练作业熟练度不足的缺陷场景。
39.根据本发明多个实施例，用户可预先有效地训练针对可能在l&s工序中发生的问题的应对方法等，模拟装置可基于输入或接收的用户动作来有效判断问题是否已得到解决。
40.根据本发明多个实施例，用户可利用基于实际作业环境中发生的故障生成的缺陷场景进行训练来有效地提高缺陷应对能力。
41.本发明的效果并不局限于以上提及的效果，本发明所属技术领域的普通技术人员(简称为“普通技术人员”)可基于发明要求保护范围的记载内容明确理解未提及的其他效果。
附图说明
42.以下，参照附图说明本发明实施例，其中，虽然相似的附图标记表示相似的构成要素，但并不限定于此。
43.图1为示出本发明一实施例的用户使用模拟装置的例示图。
44.图2为示出本发明一实施例的模拟装置的内部配置的功能框图。
45.图3为示出本发明一实施例的模拟装置进行工作的例示框图。
46.图4为示出本发明一实施例的装置工作部显示或输出的显示画面的例示图。
47.图5为示出本发明另一实施例的装置工作部显示或输出的显示画面的例示图。
48.图6为示出本发明再一实施例的装置工作部显示或输出的显示画面的例示图。
49.图7为示出本发明一实施例的与三维l&s装置关联的装置工作部显示或输出的显示画面的例示图。
50.图8为示出本发明一实施例的发生切割缺陷场景的例示图。
51.图9为示出本发明一实施例的发生x轴配合缺陷场景的例示图。
52.图10为示出本发明一实施例的发生y轴配合缺陷场景的例示图。
53.图11为示出本发明一实施例的生成缺陷场景的例示图。
54.图12为示出本发明一实施例的生成运转能力信息及测试结果的例示图。
55.图13为示出本发明一实施例的用于二次电池生产的模拟方法的例示图。
56.图14为示出本发明一实施例的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法的例示图。
57.图15为示出本发明一实施例的测试结果计算方法的例示图。
58.图16为示出本发明一实施例的缺陷场景生成方法的例示图。
59.图17为示出用于执行上述方法和/或实施例等的计算装置的例示图。
具体实施方式
60.以下，参照附图详细说明用于实施本发明的具体内容。但是，当判断为以下说明有可能不必要地混淆本发明的主旨时，将省略有关公知功能或结构的具体说明。
61.在附图中，对相同或对应的构成要素赋予了相同的附图标记。并且，在说明以下实施例的过程中，可对相同或对应的构成要素省略重复说明。然而，即使省略有关构成要素的说明，也并不意味着相应构成要素不属于某个实施例。
62.本说明书公开实施例的优点、特征及其实现方法可参照结合附图一并说明的实施例变得明确。但是，本发明并不限定于以下公开的实施例，可通过多种实施方式实现，本实施例仅用于本发明所属技术领域的普通技术人员完全理解本发明的范畴。
63.以下，简单说明本说明书中所使用的术语，并且，将详细说明所公开的实施例。在本说明书中，所使用的术语在考虑本发明的功能的同时尽可能地选择了广泛使用的普通术语，但是，这可基于本发明所属技术领域的普通技术人员的意图、惯例或新技术的出现等而变得不同。并且，在特定情况下，也可使用申请人任意选定的术语，在此情况下，将通过发明的相应说明部分详细说明其含义。因此，在本发明中，所使用的术语应基于该术语具备的含义及本说明书的全文内容加以定义，而并非单以术语的名称定义。
64.在本说明书中，除非在文脉上明确指定，否则单数的表达包括复数的表达。并且，除非在文脉上明确指定，否则复数的表达包括单数的表达。在本说明书的全文内容中，当表示某部分包括另一构成要素时，除非存在特别相反的记载，否则意味着还包括其他构成要素，而并非排除其他构成要素。
65.在本发明中，“包括”、“包含”等术语可表示特征、步骤、工作、要素和/或构成要素的存在，这种术语并不排除追加一个以上其他功能、步骤、工作、要素、构成要素和/或它们的组合。
66.在本说明书中，当表示特定构成要素与任意其他构成要素“结合”、“组合”、“连接”、“关联”或“反应”时，可表示特定构成要素与其他构成要素直接结合、组合、连接和/或关联或反应，但并不限定于此。例如，可在特定构成要素与其他构成要素之间存在一个以上的中间构成要素。并且，在本说明书中，术语“和/或”可包括所列举的一个以上项目中的每一个或一个以上项目中的至少一部分的组合。
67.在本发明中，“第一”、“第二”等术语仅用于对特定构成要素与其他构成要素进行区分，这种术语并不限定上述构成要素。例如，“第一”构成要素可用于指定与“第二”构成要素相同或相似形态的构成要素。
68.在本发明中，“二次电池(secondary battery)”是指由电流与物质之间的氧化还原过程能够重复多次的物质制成的电池。例如，为了生产二次电池，可执行混合(mixing)、涂布(coating)、压延(roll pressing)、分切(slitting)、剖切(notching)及干燥、层压(lamination)、折叠及堆叠(stack)、层压及堆叠、封装、充放电、脱气(degas)、特性检测等
工序。在此情况下，可为了执行各个工序而使用额外的生产装备(装置)。其中，各个生产装备可按照用户设定或变更的调整参数、设定值等进行工作。
69.在本发明中，“用户”是指执行二次电池生产并且操作二次电池生产装置的工作人员，可包括通过二次电池生产装置的模拟装置进行训练的用户。并且，“用户账号”是指为了使得能够使用这种模拟装置而生成的或分配给各个用户的id，用户可利用用户账号登录(log-in)模拟装置并执行模拟，但并不限定于此。
70.在本发明中，“设备运转部”、“装置工作部”及“质量确认部”作为包括在模拟装置或与模拟装置关联的输入输出装置和/或显示在输入输出装置的软件程序，是指输出三维模型装置等的图像、影像等或者可从用户接收多种输入并向模拟装置传输的装置和/或程序。
71.在本发明中，“三维模型装置”作为实现实际二次电池生产装置的虚拟装置，可通过以下方式进行工作：根据用户输入的信息(例如，用户输入信息和/或用户行为信息)执行、变更和/或校正虚拟装置的图像、影像、动画等。即，“三维模型装置的工作”可包括被执行、变更和/或校正的虚拟装置的图像、影像、动画等。例如，三维模型装置可包括分别用于执行混合(mixing)、涂布(coating)、压延(roll pressing)、分切(slitting)、剖切(notching)及干燥、层压(lamination)、折叠及堆叠(stack)、层压及堆叠(l&s)、封装、充放电、脱气(degas)、特性检测等的装置。附加性地或代替性地，三维模型装置也可由二维模型装置实现或与二维模型装置一并实现。换言之，在本发明中，三维模型装置并不限定于三维模型，可包括二维模型。由此，三维模型装置可包括二维模型装置、动画模型装置、虚拟模型装置等术语。
72.在本发明中，“用户条件信息”包括用于设定或变更调整参数中的至少一部分条件和/或值等的用户输入，或者，可以为基于相应用户输入通过预先确定的任意算法生成的信息。
73.在本发明中，“用户行为信息”包括在三维模型装置的至少一部分区域执行的触摸(touch)输入、拖动(drag)输入、捏合(pinch)输入、旋转(rotation)输入等的用户输入，或者，可以为基于相应用户输入通过预先确定的任意算法生成的信息。
74.在本发明中，“缺陷场景(defect scenario)”是指包括用于将三维模型装置的工作变更为缺陷范围或将由三维模型装置的工作确定的物质的质量信息变更为缺陷范围的值、条件等的场景。例如，当模拟装置的工作中发生缺陷场景时，可基于所发生的缺陷场景变更三维模型装置的工作、质量信息等。并且，当通过缺陷场景变更的三维模型装置的工作、质量信息等被校正为正常范围时，可判断为相应缺陷场景已被解决。
75.在本发明中，“训练场景(training scenario)”可包括用于运转二次电池生产装置的场景。例如，若二次电池生产装置为分切机(slitter)，则训练场景可包括用于更换分切机的原材料及结果物的母卷(jumbo roll)更换场景、扁平卷(pancake)取出场景、风扇电缆芯插入场景等。其中，训练场景可包括缺陷场景。
76.在本发明中，“混合工序”是指将活性物质、粘结剂(binder)及其他添加剂与溶剂混合来制备浆料(slurry)的工序。例如，为了制备特定质量的浆料，用户可确定或调整活性物质、导电材料、添加剂、粘结剂等的添加比例。并且，在本发明中，“涂布工序”可以为按照规定量、规定形状在箔(foil)上涂布浆料的工序。例如，为了执行具有特定质量的量及形状
的涂布，用户可确定或调节涂布装置的模具(die)、浆料温度等。
77.在本发明中，“压延工序”是指使得被涂布的电极通过两个旋转的上辊与下辊(roll)之间来将其挤压成规定厚度的工序。例如，为了通过压延工序增加电极密度来最大限度地增加电极容量，用户可确定或调节辊与辊之间的间隔等。并且，在本发明中，“分切工序”是指使得电极通过两个旋转的上下刀刃(knife)之间来将相应电极切割成规定尺寸的宽度的工序。例如，用户可为了维持规定电极宽度而确定或调整多种调整参数。
78.在本发明中，“剖切及干燥工序”是指将电极冲压成规定形状后去除水分的工序。例如，为了按照特定质量的形状执行冲压，用户可确定或调节切割高度、长度等。并且，在本发明中，“层压工序”是指对电极和分隔膜进行密封(sealing)、切割(cutting)的工序。并且，在本发明中，“l&s工序”可以为层压工序与堆叠工序的结合。例如，为了执行特定质量的切割，用户可确定或调整对应x轴的值、对应y轴的值等。
79.在本发明中，“封装工序”是指将引线(lead)及胶带(tape)附着在完成组装的电池单体(cell)并将其封装在铝袋的工序，“脱气工序”是指为了防止电池单体(cell)内部空气流入、电解液泄漏而去除电池内气体的工序。并且，在本发明中，“特性检测工序”是指在装运电池单体之前使用测定器检测电池单体厚度、重量及绝缘电压等特性的工序。在此工序中，用户可调整多种调整参数的条件、值等或变更对应装置的设定值，以便以正常范围内的特定质量执行各个工序。
80.在本发明中，“单电池单体(mono-cell)”由正极、分隔膜、负极及分隔膜依次层叠而成，或者，可由负极、分隔膜、正极及分隔膜依次层叠而成。即，单电池单体可由电极(正极和/或负极)和分隔膜相互交替布置并黏贴各层而形成。这种单电池单体可包括在二次电池所包括的电极组件中。
81.图1为示出本发明一实施例的用户110使用模拟装置100的例示图。如图所示，模拟装置100作为训练二次电池(secondary battery)生产工作人员(例如，用户110)的装置，可包括设备运转部120、装置工作部130、质量确认部140等。例如，用户110可通过操作以虚拟(例如，二维、三维等)形式实现的实际二次电池生产装置的模拟装置100来学习二次电池生产装置(例如，l&s装置)的使用方法或训练生产产品的质量低下时的应对方法等。
82.根据一实施例，设备运转部120可包括多个调整参数，用于确定显示在装置工作部130的三维模型装置(例如，三维l&s装置)的工作，例如，多个调整参数可包括第一调整参数(例如，第一组的调整参数)和/或第二调整参数(例如，第二组的调整参数)。用户110可通过变更第一调整参数及第二调整参数中的至少一部分条件来执行、变更和/或校正三维模型装置的工作。即，三维模型装置的工作可随着用户110输入的调整参数变化而适当变更或校正。
83.装置工作部130可包括与二次电池的生产关联的三维模型装置。其中，三维模型装置可包括与作为二次电池生产装置的混合机(mixer)、涂布机(coater)、分切机(slitter)、辊压(roll presser)装置、层压(lamination)装置(层压机)、层压及堆叠(l&s，lamination&stack)装置等关联的虚拟模型(例如，二维模型、三维模型等)，但并不限定于此，可包括用于生产二次电池的其他任意装置模型。根据一实施例，用户110可通过对装置工作部130包括的三维模型装置(三维模型装置的至少一部分区域)执行触摸(touch)输入、拖动(drag)输入、捏合(pinch)输入等来操作三维模型装置或变更三维模型装置的配置。在
此情况下，用户110可通过视角(view)转换等确认或放大/缩小三维模型装置的任意区域，可通过执行触摸输入等来操作三维模型装置或变更三维模型装置的配置。其中，虽然在上面描述了与二次电池生产关联的三维模型装置显示在装置工作部130，但并不限定于此，根据二次电池生产工序，与特定工序关联的装置可由二维模型装置实现或显示。
84.质量确认部140可包括与由三维模型装置生成的物质的质量关联的质量信息，例如，第一质量确认部140_1包括第一质量参数(例如，第一组的质量参数)，第二质量确认部140_2可包括第二质量参数(例如，第二组的质量参数)。其中，质量信息可基于预定基准和/或算法对第一参数、第二参数等进行运算来生成。即，用户110可通过质量确认部140确认响应于调整参数的变更或三维模型装置的操作而生成的质量信息。附加性地或代替性地，根据二次电池生产工序，特定工序的质量确认部140可包括在装置工作部130。在此情况下，质量信息与装置工作部130的三维模型装置关联地显示，或者，可通过三维模型装置的特定工作确认。例如，当选择显示在装置工作部130的用于确认质量的按钮时，可显示或输出质量信息。根据另一例，可通过三维模型装置的至少一部分区域的颜色变更等来显示或输出质量信息。
85.在图1中示出模型装置100包括一个设备运转部120及两个质量确认部140_1、140_2，但并不限定于此，取决于与模拟装置100关联的三维模型装置的种类等，设备运转部120及质量确认部140可以为任意数量。根据如上所述的配置，在投入到业务中之前，执行二次电池生产的用户110可通过模拟装置100训练二次电池生产装置(例如，l&s装置)的运转方法、发生缺陷时的应对方法等，由此，通过按照上述方式训练用户110，不仅能够显著减少因发生缺陷引起的损失(loss)，而且，可有效提高二次电池生产作业的效率。
86.图2为示出本发明一实施例的模拟装置100的内部配置的功能框图。如图所示，模拟装置100(例如，模拟装置100的至少一个处理器)可包括三维模型装置工作部210、质量确定部220、场景管理部230、测试执行部240、用户管理部250等，但并不限定于此。模拟装置100与设备运转部120、装置工作部130及质量确认部140进行通信，可收发与三维模型装置关联的数据和/或信息。
87.三维模型装置工作部210可根据用户操作执行、变更和/或校正显示在装置工作部130的三维模型装置的工作。根据一实施例，三维模型装置工作部210可利用从用户(例如，二次电池生产工作人员)输入的信息等来获取或接收用户行为信息和/或用户条件信息。随后，三维模型装置工作部210可利用所获取或接收的用户行为信息和/或用户条件信息来确定或变更三维模型装置的工作。
88.根据一实施例，用户行为信息作为基于触摸包括在装置工作部130中的三维模型装置的至少一部分区域等的用户输入而生成的信息，可包括根据用户输入的三维模型装置的设定值的变化量等的信息。例如，当三维模型装置为用于二次电池生产的涂布装置时，用户可通过装置工作部130以触摸输入等的方式进行选择来解除涂布装置的模具(die)区域的固定螺栓，并变更垫片偏移(shim offset)，在此情况下，可生成基于变更的垫片偏移的用户行为信息。根据另一例，当三维模型装置为dsf&eol装置时，用户可通过装置工作部130以触摸输入等的方式选择dsf&eol装置的特定区域，并更换计测器消耗品，在此情况下，可生成基于更换的消耗品的用户行为信息。
89.根据一实施例，用户条件信息作为基于变更包括在设备运转部120中的多个调整
参数中的至少一部分参数的条件(condition)和/或值(value)的用户输入而生成的信息，可包括根据用户输入的用于确定三维模型装置的工作的条件值的变化量等的信息。例如，当三维模型装置为用于二次电池生产的l&s装置时，用户可通过设备运转部120将切割偏移(cutting offset)参数变更为特定值，在此情况下，可生成基于变更的切割偏移参数值的用户条件信息。
90.如上所述，当基于用户条件信息和/或用户行为信息执行三维模型装置的工作时，质量确定部220可确定或生成与由三维模型装置的工作生成的物质的质量关联的质量信息。即，在三维模型装置进行工作的情况下(当三维模型装置工作的动画、影像等正在执行时)，可根据相应三维模型装置的设定值、条件值等确定或生成不同的质量信息。换言之，用户可通过变更调整参数或以触摸输入的方式设定三维模型装置的至少一部分区域等来变更或调节由相应三维模型装置生成的物质的质量。
91.根据一实施例，质量确定部220确定或提取一个以上质量参数，以便确定由三维模型装置生成的物质的质量，在三维模拟装置的工作执行期间，可基于执行的三维模型装置的工作，计算分别与所确定的一个以上质量参数相对应的值。其中，与质量参数相对应的值可通过预定的任意算法计算。并且，质量确定部220可基于所计算的分别与一个以上质量参数相对应的值生成与由三维模型装置生成的物质的质量关联的质量信息。例如，当三维模型装置为用于二次电池生产的l&s装置时，若用户调整切割偏移参数，则切割位置被确定为质量参数，并且可计算与切割位置相对应的值。在此情况下，质量确定部220可生成或输出包括与所计算的切割位置相对应的值的质量信息。
92.根据一实施例，在三维模型装置的工作中或三维模型装置进行工作之前，可发生与相应三维模型装置的故障关联的缺陷场景。如上所述，当发生缺陷场景时，可基于发生的缺陷场景，将三维模型装置的设定值、条件值及其质量信息中的至少一部分变更为非正常(abnormal)范围。
93.根据一实施例，场景管理部230确定与三维模型装置的故障关联的多个缺陷场景中的一个以上缺陷场景，可基于所确定的一个以上缺陷场景变更三维模型装置的工作及与物质的质量关联的质量信息中的至少一个。例如，当三维模型装置为l&s装置时，多个缺陷场景可包括切割缺陷场景、x轴配合缺陷场景、y轴配合缺陷场景、分隔膜不匹配(mismatch)场景、路径线脱离缺陷场景等。在此情况下，场景管理部230可通过提取切割缺陷场景、x轴配合缺陷场景、y轴配合缺陷场景、分隔膜不匹配场景及路径线脱离缺陷场景中的至少一个来确定缺陷场景，并且可基于所提取或确定的缺陷场景来变更三维模型装置的调整参数、工作、质量信息等。
94.根据一实施例，当发生缺陷场景时，用户可为了解决所发生的缺陷场景而变更调整参数或改变三维模型装置的设定。在此情况下，场景管理部230接收用于解决所确定的一个以上缺陷场景的用户行为信息及用户条件信息中的至少一个，可基于所接收的用户行为信息及用户条件信息中的至少一个来对变更的三维模型装置的工作进行校正。并且，在校正的三维模型装置的工作执行期间，场景管理部230可基于所执行的三维模型装置的工作计算分别与由三维模型装置生成的物质的质量关联的多个质量参数相对应的值，可基于所计算的分别与多个质量参数相对应的值来对与由三维模型装置生成的物质的质量关联的质量信息进行校正。
95.之后，场景管理部230可利用校正的质量信息判断是否已解决一个以上缺陷场景。例如，若物质的质量在预定的正常范围内，则场景管理部230可判断为已解决缺陷场景，但并不限定于此，若质量信息所包含的各个质量参数的值与预定的正常范围或特定值相对应，则场景管理部230可判断为已解决缺陷场景。附加性地或代替性地，若通过向任意算法提供各质量参数而计算的值与预定的正常范围相对应，则场景管理部230可判断为已解决缺陷场景。
96.根据一实施例，因缺陷场景变更为故障范围的三维模型装置的设定值、条件值等可按照各个缺陷场景预先确定，但并不限定于此。例如，缺陷场景可基于实际二次电池生产装置发生故障时产生的错误(error)信息来生成。即，在与三维模型装置关联的外部装置(例如，实际二次电池生产装置)发生故障的情况下，场景管理部230获取与故障关联的错误信息，可基于所获取的错误信息生成与三维模型装置的故障关联的缺陷场景。例如，在l&s装置发生故障的情况下，场景管理部230可获取发生故障时的各个调整参数的值及l&s装置的设定值作为错误信息。场景管理部230可以通过使所获取的各个调整参数的值及装置的设定值变更为与三维模型装置相对应，来生成缺陷场景。通过如上所述的配置，模拟装置100可基于实际装置的错误信息生成缺陷场景来有效生成针对实际作业环境的最佳训练内容。
97.根据一实施例，测试执行部240可利用校正的质量信息判断是否已解决一个以上缺陷场景，当判断为已解决一个以上缺陷场景时，可计算一个以上缺陷场景执行期间的一个以上缺陷场景的执行时间、损失(loss)值等。例如，损失值可包括涂布损失值、材料损失值等，可通过预定的任意算法基于用户的应对时间、用户输入的值等计算。并且，测试执行部240可基于所计算的执行时间及损失值生成用户账号的关于三维模型装置的运转能力信息。其中，用户账号是指使用模拟装置100的工作人员的账号，运转能力信息作为表示相应用户的作业熟练度的信息，可包括作业速度、目标(target)值接近程度、评估分数等。附加性地，当相应用户解决预定的全部类型缺陷场景时，测试执行部240可基于关于各个缺陷场景的运转能力信息判断用户是否通过模拟训练。
98.用户管理部250可用于执行与利用模拟装置100的用户关联的用户账号的登录、修改、删除等管理。根据一实施例，用户可利用自己的所登录的用户账号来利用模拟装置100。在此情况下，用户管理部250可在任意数据库上存储并管理各个用户账号是否解决各个缺陷场景、与各个缺陷场景相对应的运转能力信息。场景管理部230可利用用户管理部250存储的信息提取与存储在数据库上的特定用户账号关联的信息，并且可基于所提取的信息提取或确定多个缺陷场景中的至少一个场景。例如，场景管理部230可基于与用户账号关联的信息仅提取作业速度低于平均作业速度的缺陷场景来生成或提供给相应用户，但并不限定于此，缺陷场景也可通过其他任意基准或任意基准的组合来提取或确定。
99.在图2中，虽然对模拟装置100包括的各个功能配置进行了区分说明，但是，这仅用于帮助理解本发明，一个运算装置也可执行两个以上功能。并且，在图2中，虽然图示为模拟装置100与设备运转部120、装置工作部130及质量确认部140是区分开的，但并不限定于此，设备运转部120、装置工作部130及质量确认部140可包括在模拟装置100中。通过如上所述的配置，模拟装置100可生成具有与二次电池生产装置的故障关联的多种值的缺陷场景并提供给用户，由此，用户可自行解决实际装置有可能发生的故障状况，并且，可有效学习各
个状况的应对方案。
100.图3为示出本发明一实施例的模拟装置进行工作的例示框图。如图所示，模拟装置(图1的100)可通过视觉(vision)引导步骤310、条件调整准备步骤320、条件调整执行步骤330、案例(case)训练步骤340、测试步骤350等过程进行工作。换言之，用户可通过步骤310、步骤320、步骤330、步骤340及步骤350训练二次电池生产装置的操作方法等。
101.视觉引导步骤310是指学习设备运转部所包括的多种调整参数的类型、调整参数的操作方法等的步骤。例如，可在设备运转部、装置工作部等显示或输出表示调整参数的类型、调整参数的操作方法等的作业指示书(表示作业指示书的图像、影像、动画等)。附加性地，可点亮或激活画面的部分区域，以使得用户能够执行与作业指示书对应的作业。在此情况下，用户通过操作与作业指示书对应的任意调整参数的条件和/或值来训练设备运转部的使用方法。当用户按照作业指示书触摸按钮(button)预定时间或输入与任意参数相对应的正确值时，可执行下一步骤或显示或激活能够进入下一步骤的按钮(例如，下一步(next)按钮等)。
102.条件调整准备步骤320是指用户在操作二次电池生产装置之前学习设备运转部、装置工作部、质量确认部等的初始值的设定方法的步骤。例如，可在设备运转部、装置工作部等显示或输出表示设备运转部、装置工作部、质量确认部等的初始值的作业指示书。附加性地，可点亮或激活画面的部分区域，以使得用户执行与作业指示书对应的作业。在此情况下，用户可通过触摸输入等确认与作业指示书对应的三维模型装置的设定值(例如，垫片编号(shim number)、垫片模型名称等)来学习初始值设定方法。当用户按照作业指示书完成初始值设定时，可执行下一步骤，或者显示或激活能够进入下一步骤的按钮(例如，下一步(next)按钮等)。
103.条件调整执行步骤330是指用户确认在二次电池生产装置进行工作时发生的缺陷并学习处置方法等的步骤。例如，在l&s装置的情况下，有可能发生切割缺陷、x轴配合缺陷、y轴配合缺陷、不匹配、路径线脱离缺陷等，在发生缺陷的同时可显示或输出为解决缺陷而需要被操作的调整参数的类型、调整参数的值、三维模型装置的设定值等。用户可基于所显示的上述信息处理缺陷并训练缺陷解决方法。
104.案例训练步骤340是指用户通过反复处理或解决与二次电池生产装置关联的多个缺陷场景中的每一个或其组合来熟练掌握缺陷解决方法的步骤。例如，用户可直接选择并训练多个缺陷场景中的一个缺陷场景，但并不限定于此，也可训练通过模拟装置随机确定的缺陷场景。在此情况下，案例训练步骤340可显示或输出引导信息，上述引导信息包括用于解决缺陷场景的各个缺陷所需的条件信息及行为信息。其中，当用户对特定调整参数进行操作或变更三维模型装置的设定值时，可实时变更三维模型装置的工作及与三维模型装置关联的物质的质量。如上所述，随着确认变更的质量，用户可通过反复训练的方式解决缺陷，从而能够提高应对缺陷的熟练度。
105.测试步骤350是指通过对用户解决缺陷场景的过程进行测试来评估用户的运转能力的步骤。例如，当用户解决各个缺陷场景时，可基于各个缺陷场景的执行时间、损失值等测定或评估相应用户的运转能力。通过确认这种运转能力、是否通过测试等，用户可对不足的缺陷场景进行额外学习或训练。
106.在图3中，虽然图示了各个步骤被依次执行，但并不限定于此，多个步骤中的一部
分可被省略。并且，也可变更各个步骤的执行顺序。例如，在测试步骤350之后，也可再次执行案例训练步骤340。通过如上所述的配置，用户可根据用户的作业熟练度通过按照各个步骤执行的模拟来轻松学习二次电池生产装置的操作方法。
107.图4为示出本发明一实施例的装置工作部130显示或输出的显示画面的例示图。如图所示，装置工作部130可在显示画面显示或输出包括作业指示书410、三维模型装置420、用户引导430、下一步(next)按钮440等的文本、图像、影像等。在图4中，图示了作业指示书410、三维模型装置420、用户引导430、下一步(next)按钮440等显示在显示画面上的特定区域，但并不限定于此，各个文本、图像、影像等可显示在显示画面的任意区域。
108.如上所述，作业指示书410作为包括三维模型装置420的初始设定值及条件值等的文件(document)，可预先确定或通过任意算法生成。例如，模拟装置可接收并提供用于操作实际二次电池生产装置的作业指示书的内容或基于输入的多个作业指示书计算三维模型装置420的初始设定值及条件值等来生成新作业指示书。其中，三维模型装置420可以为将二次电池生产装置实现为三维形态的三维图像、影像等。例如，三维模型装置420可基于从用户输入的用户条件信息和/或用户行为信息进行工作。
109.用户引导430包括使三维模型装置420进行工作所需的信息、用于解决缺陷场景所需的条件信息及行为信息等，可以为用于引导用户执行下一行为的信息。即，当不知道模拟装置的操作方法时，用户也可利用用户引导430训练模拟装置的操作方法及缺陷应对方法等。
110.当利用以上述方式显示的作业指示书410及用户引导430等来确定三维模型装置的条件值、设定值等或使三维模型装置420进行操作时，解决相应步骤(例如，hmi引导步骤、条件调整准备步骤等)后，可激活用于进入下一步骤(例如，条件调整执行步骤、案例训练步骤、测试步骤等)的下一步(next)按钮440。用户可通过以触摸输入等方式选择已激活的下一步(next)按钮440，执行与下一步骤相对应的训练。
111.图5为示出本发明另一实施例的装置工作部130显示或输出的显示画面的例示图。如图所示，装置工作部130可在显示画面中显示或输出包括多个缺陷场景510、520、530等的文本、图像、影像等。在图5中，图示了第一缺陷场景510、第二缺陷场景520、第三缺陷场景530等显示在显示画面上的特定区域，但并不限定于此，各个文本、图像、影像等可显示在显示画面的任意区域。
112.根据一实施例，各个缺陷场景可包括缺陷场景的内容、难度等。例如，第一缺陷场景510可以为低难度的切割缺陷，第二缺陷场景520可以为低难度的x轴配合缺陷，第三缺陷场景530可以为低难度的y轴配合缺陷。用户可通过触摸输入等选择显示在显示画面的多个缺陷场景510、520、530中的至少一部分来执行所选缺陷场景的训练。
113.附加性地或代替性地，多个缺陷场景510、520、530中的一个缺陷场景可通过预定算法等确定。例如，模拟装置可通过用户用于执行训练的用户账号(或与用户账号关联的信息)来确定作业熟练度较低的缺陷场景或缺陷场景的组合。其中，用户的作业熟练度可基于各个缺陷场景的测试结果计算或确定，但并不限定于此。通过如上所述的配置，用户可轻松确认并处理训练不足的缺陷场景，从而可以仅集中训练作业熟练度较低的缺陷场景。
114.图6为示出本发明再一实施例的装置工作部130显示或输出的显示画面的例示图。如图所示，装置工作部130可在显示画面显示或输出与引导信息610、620、630关联的文本、
图像、影像等，上述引导信息包括用于解决各个缺陷所需的条件信息及行为信息。在图6中，图示了第一引导信息610、第二引导信息620、第三引导信息630等显示在显示画面上的特定区域，但并不限定于此，各个文本、图像、影像等可显示在显示画面的任意区域。
115.根据一实施例，引导信息610、620、630可包括基于缺陷现象、处置方法、三维模型装置的设定值和/或条件值的变化的质量变化量等。例如，第一引导信息610可包括与切割缺陷关联的处置方法、质量变化量等，第二引导信息620可包括与x轴配合缺陷关联的处置方法、质量变化量等，第三引导信息630可包括与y轴配合缺陷关联的处置方法、质量变化量等。用户可确认缺陷现象及与各个缺陷现象相对应的处置方法，可通过操作调整参数的条件和/或值，或者，调整三维模拟装置的设定值来执行训练，以生成具备正常范围内的质量的物质。
116.在图6中，图示了引导信息610、620、630显示或输出在装置工作部130，但并不限定于此，引导信息也可显示在额外的显示装置上。
117.图7为示出本发明一实施例的与三维l&s装置710关联的装置工作部130显示或输出的显示画面的例示图。根据一实施例，l&s装置是指通过热接合等对经剖切(notching)及干燥的电极与分隔膜进行密封(sealing)并且切割(cutting)的装置。例如，为了提高电极组件的接合力，l&s装置切割电极和/或分隔膜，将切割的电极与分隔膜配合并移送后，可对配合的电极与分隔膜进行热接合等的层压工序并且执行堆叠通过层压工序生成的单电池单体等从而制备叠层电池单体(stacked cell)的堆叠工序。如图所示，三维l&s装置710可包括层压机，可通过层叠从位于层压机端部的整列仓生成的单电池单体来执行l&s工序，但并不限定于此，三维l&s装置710可包括任意数量的层压机。
118.在这种l&s装置执行的l&s工序中，为了生成优质物质(例如，单电池单体)，按照规定的切割位置、以x轴及y轴的预定基准实现配合的方式执行层压及堆叠尤为重要。其中，切割位置、x轴配合位置、y轴配合位置等可根据切割偏移参数、x轴偏移参数、y轴偏移参数(例如，边缘位置控制(epc，edge position control)等)的设定值和/或条件值而变化。
119.根据一实施例，模拟装置(图1的100)可执行装置工作部130、设备运转部及质量确认部，上述装置工作部130包括与二次电池的生产关联的三维l&s装置710，上述设备运转部包括用于确定三维l&s装置710的工作的多个调整参数，上述质量确认部包括与由三维l&s装置710生成的单电池单体(mono-cell)的质量关联的信息。其中，模拟装置可获取通过装置工作部130获取的第一用户行为信息及通过设备运转部获取的第一用户条件信息中的至少一个，基于所获取的第一用户行为信息及第一用户条件信息中的至少一个来确定三维l&s装置710的工作。在此情况下，模拟装置可基于所确定的工作来执行对与三维l&s装置710关联的多个电极及分隔膜进行密封(sealing)并切割(cutting)的工作。在附图所示的例中，三维l&s装置710可对经剖切及干燥的上部电极、下部电极和/或分隔膜执行切割，并执行将所切割的多个电极与分隔膜配合来生成单电池单体的工作。
120.根据一实施例，在三维l&s装置710执行工作的情况下，可生成并输出与根据三维l&s装置710的工作而生成的单电池单体的质量关联的质量信息。在此情况下，模拟装置的用户确认与输出的单电池单体的质量关联的质量信息，在发生缺陷的情况下，可通过调整多个调整参数中的至少一部分来对三维l&s装置710的工作和/或质量信息进行修改或校正。例如，模拟装置的用户可通过调整切割偏移参数、x轴偏移参数、y轴偏移参数、分隔膜偏
移参数的设定值和/或条件值等来对切割位置、x轴配合位置、y轴配合位置、匹配位置、分隔膜的移动路径等进行修改或校正。附加性地或代替性地，用户可通过触摸输入、拖动输入等操作三维l&s装置710来对三维l&s装置710的工作进行修改或校正。
121.在图7中，图示了装置工作部130显示表示三维l&s装置710的一部分的图像、影像和/或动画，但并不限定于此，装置工作部130可包括与实际三维l&s装置形状相同的图像、影像和/或动画。
122.图8为示出本发明一实施例的发生切割缺陷场景的例示图。如上所述，模拟装置(图1的100)可确定与三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景中的一个以上缺陷场景，并基于所确定的一个以上缺陷场景变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个。其中，多个缺陷场景可包括切割缺陷场景。例如，切割缺陷场景是指电极v槽的切割位置(例如，切断面)并非在预定正常位置而在非正常位置切割从而生成缺陷物质的场景。
123.根据一实施例，当所确定的一个以上缺陷场景包括切割缺陷场景时，模拟装置可将质量信息中包括的表示切割位置的负极接片位置(tpc，tap position cathode)图表及正极接片位置(tpa，tap position anode)图表中的至少一个图表820的值变更为缺陷范围。其中，tpc图表和/或tpa图表可以为表示从切断面(切割位置)到负极和/或正极的距离的图表。例如，在发生切割缺陷场景的情况下，tpc(tap position cathode)图表及tpa(tap position anode)图表中的至少一个图表820的计测值可变更为缺陷范围。在计测值变更为缺陷范围的情况下，可显示为表示图表820的线(line)脱离中心。在此情况下，用户可通过确认显示在质量确认部140的图表820的值来判断是否发生切割缺陷场景。其中，图表820可以包括与一个以上质量参数关联的一个以上的图表。
124.附加性地或代替性地，质量信息可包括表示因切割产生的切断面等的切割图像。当所确定的一个以上缺陷场景包括切割缺陷场景时，模拟装置可将切割图像所包括的至少一部分区域变更为表示切割缺陷的预定区域。即，模拟装置可将切割图像的一部分区域变更为切断面的位置在脱离预定正常位置的任意位置切割的图像的一部分区域。换言之，切割图像的一部分区域可变更为表示缺陷的预定区域(例如，表示缺陷的点、线、面等的图像、影像、动画等)。在此情况下，用户可通过确认显示在质量确认部140的切割图像来判断是否发生切割缺陷场景。
125.在发生切割缺陷场景的情况下，用户可通过设备运转部120变更多个调整参数包括的切割偏移(cutting offset)参数810。例如，切割偏移参数810与三维l&s装置的切割时间点(cutting timing)相关，可包括上部(upper)切割、下部(lower)切割、电池单体(cell)切割等的切割参数。即，用户可通过操作切割偏移参数810校正三维l&s装置的切割时间点，来对执行切割的位置进行修改或校正。
126.在此情况下，响应于接收到变更切割偏移参数810的值的用户条件信息，模拟装置可对tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的值进行校正，并基于tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的校正值来判断是否已解决切割缺陷场景。附加性地或代替性地，响应于接收到变更切割偏移参数810的值的用户条件信息，模拟装置可对切割图像进行校正，并基于所校正的切割图像来判断是否已解决切割缺陷场景。
127.根据一实施例，当与切割偏移参数的值相对应地校正的切割图像和/或图表820的
值包括在正常范围内时，模拟装置可判断为已解决切割缺陷场景。
128.在图8中，图示了设备运转部120显示切割偏移参数810，但并不限定于此，设备运转部120还可包括与三维l&s装置关联的任意其他调整参数。并且，在图8中，图示了图表820显示在质量确认部140，但并不限定于此，质量确认部140还可包括与三维l&s装置关联的任意其他质量信息。通过如上所述的配置，针对有可能在l&s工序中产生的问题，用户可预先有效训练应对方法等，模拟装置可基于输入或接收的用户的动作有效判断问题是否已得到解决。
129.图9为示出本发明一实施例的发生x轴配合缺陷场景的例示图。如上所述，模拟装置(图1的100)可确定与三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景中的一个以上缺陷场景，并基于所确定的一个以上缺陷场景变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个。其中，多个缺陷场景可包括x轴配合缺陷场景。例如，x轴配合缺陷场景是指在构成单电池单体的上部电极、下部电极和/或分隔膜中发生对应于行进方向的x轴偏差的情况的场景。
130.根据一实施例，当所确定的一个以上缺陷场景包括x轴配合缺陷场景时，模拟装置可将显示在质量确认部140的质量信息所包含的x轴配合图像(未图示)和表示x轴是否配合的图表920的值(例如，图表的各个参数的值)变更为缺陷范围。例如，当发生x轴配合缺陷场景时，可将与上部电极、下部电极和/或分隔膜(例如，上部分隔膜、下部分隔膜等)的左/右间隙(gap)关联的ac_1、ac_2、ac_3、ac_4、cs_1、cs_2、cs_3、cs_4等的图表920的计测值变更为缺陷范围。当计测值变更为缺陷范围时，可显示为表示图表920的线(line)脱离中心。其中，图表920可包括与一个以上质量参数关联的一个以上图表。
131.在发生x轴配合缺陷场景的情况下，用户可通过设备运转部120变更或调整能够变更上部电极、下部电极和/或分隔膜的左/右间隙的x轴偏移参数910的条件值来应对x轴配合缺陷场景。在此情况下，模拟装置可响应于接收到用于分别变更上部电极、下部电极和/或分隔膜的用户条件信息，对变更的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表920的值进行校正。例如，当上部电极的x轴向右倾斜时，用户可变更上部电极的x轴偏移参数910的条件值，模拟装置可通过接收所变更的条件值，对上部电极的x轴值进行校正。
132.之后，模拟装置可基于校正的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表920的校正值来判断是否已解决x轴配合缺陷场景。例如，模拟装置可通过任意算法基于分别与上部电极、下部电极和/或分隔膜相对应的x轴偏移参数910的值来计算图表920的值并校正。当判断为所计算的图表920的值在预定的正常范围内时，模拟装置可判断为已解决x轴配合缺陷场景。例如，当表示图表920的线接近中心时，模拟装置可判断为已解决x轴配合缺陷场景。
133.图10为示出本发明一实施例的发生y轴配合缺陷场景的例示图。如上所述，模拟装置(图1的100)可确定与三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景中的一个以上缺陷场景，基于所确定的一个以上缺陷场景变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个。其中，多个缺陷场景可包括y轴配合缺陷场景。例如，y轴配合缺陷场景是指在构成单电池单体的上部电极、下部电极、上部分隔膜和/或下部分隔膜中发生与垂直于行进方向的方向(例如，用户和/或设备方向)相对应的y轴偏差的情况的场景。
134.根据一实施例，当所确定的一个以上缺陷场景包括y轴配合缺陷场景时，模拟装置可将显示在质量确认部140的质量信息所包含的y轴配合图像(未图示)和表示y轴是否配合
的图表1020的值(例如，图表1020的各个参数的值)变更为缺陷范围。例如，当发生y轴配合缺陷场景时，可将与上部电极、下部电极、上部分隔膜和/或下部分隔膜的上/下间隙(gap)关联的ac_a、ac_c、cs_a、cs_c等的图表1020的计测值变更为缺陷范围。其中，ac_a、ac_c、cs_a、cs_c等的图表1020可以为表示从剖切的电极(正极或负极)的上侧和/或下侧的外围到分隔膜的距离的图表。当计测值变更为缺陷范围时，可显示为表示图表1020的线(line)脱离中心。其中，图表1020可包括与一个以上质量参数关联的一个以上图表。
135.在发生y轴配合缺陷场景的情况下，用户可通过设备运转部120变更或调节能够变更上部电极、下部电极、上部分隔膜和/或下部分隔膜的上/下间隙的y轴偏移参数1010(例如，epc参数)的条件值来应对y轴配合缺陷场景。在此情况下，模拟装置可响应于接收到用于分别变更上部电极、下部电极、上部分隔膜和/或下部分隔膜的用户条件信息，对变更的y轴配合图像和表示x轴是否配合的图表1020的值进行校正。例如，当上部电极的y轴向上倾斜时，用户可变更上部电极的y轴偏移参数1010的条件值，模拟装置可通过接收所变更的条件值，对上部电极的y轴值进行校正。
136.之后，模拟装置可基于校正的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表1020的校正值来判断是否已解决y轴配合缺陷场景。例如，模拟装置可通过任意算法基于分别与上部电极和/或下部电极相对应的y轴偏移参数1010的值来计算图表1020的值并校正。当判断为所计算的图表1020的值在预定的正常范围内时，模拟装置可判断为已解决y轴配合缺陷场景。例如，当表示图表1020的线接近中心时，模拟装置可判断为已解决y轴配合缺陷场景。
137.在图8至图10中，虽然说明了存在切割缺陷场景、x轴配合缺陷场景、y轴配合缺陷场景等的情况，但是，多个缺陷场景还可包括有可能在l&s装置发生的其他任意缺陷场景。例如，多个缺陷场景还可包括分隔膜脱离路径线(path line)的路径线脱离缺陷场景、上部分隔膜及下部分隔膜发生倾斜的不匹配缺陷场景。
138.根据一实施例，当所确定的一个以上缺陷场景包括路径线脱离缺陷场景时，模拟装置可将质量信息包含的表示是否脱离路径线的图表的值变更为缺陷范围。其中，表示是否脱离路径线的图表可以为表示分隔膜行进线的sgl图表。当发生路径线脱离缺陷场景时，用户可变更或调整能够变更分隔膜的y轴值的分隔膜偏移参数的条件值来应对路径线脱离缺陷场景。在此情况下，响应于接收到变更分隔膜偏移参数用户条件信息，模拟装置可对变更的表示是否脱离路径线的图表的值进行校正，并基于表示是否脱离路径线的图表的校正值来判断是否已解决路径线脱离缺陷场景。例如，模拟装置可通过任意算法基于分隔膜偏移参数的值来计算图表的值并校正。当判断为所计算的图表的值在预定的正常范围内时，模拟装置可判断为已解决路径线脱离缺陷场景。例如，当表示图表的线接近中心时，模拟装置可判断为已解决路径线脱离缺陷场景。
139.图11为示出本发明一实施例的生成缺陷场景1122的例示图。如图所示，模拟装置100可以与外部装置1110(例如，二次电池生产装置等)、缺陷场景数据库(db)1120等进行通信，并且收发生成缺陷场景1122所需的数据和/或信息。
140.根据一实施例，当外部装置1110发生故障时，模拟装置100可接收或获取与外部装置1110发生的故障关联的错误信息1112。其中，错误信息1112可包括外部装置1110在发生故障的时间点的工作信息及在外部装置1110中生成的物质的质量变化量。在此情况下，模拟装置100可确定三维模型装置(例如，三维l&s装置)的条件值、设定值和/或质量信息的各
个质量参数的值，以对应于相应的错误信息1112，并且可生成具有所确定的三维模型装置的条件值、设定值和/或质量参数的值的缺陷场景1122。以上述方式生成的缺陷场景1122可存储在缺陷场景数据库1120进行管理。例如，模拟装置100可利用生成缺陷场景1122所需的任意算法和/或经学习的机器学习模型来确定三维模型装置的条件值、设定值和/或质量信息的各个质量参数的值以对应于错误信息1112，并生成缺陷场景1122。
141.根据一实施例，处理器将外部装置1110的工作信息转换为与三维模型装置的工作关联的第一组参数，可将由外部装置1110生成的物质的质量变化量转换为与由三维模型装置生成的物质的质量关联的质量信息关联的第二组参数。之后，处理器利用转换的第一组参数及第二组参数判断外部装置1110发生的故障类别(category)，可基于判断的类别、第一组参数及第二组参数来生成缺陷场景。
142.在图11中，虽然以上描述了当外部装置1110发生故障时，生成缺陷场景，但并不限定于此，例如，缺陷场景可通过任意用户预先确定。在另一示例中，缺陷场景也可在预定的非正常范围内随机确定并生成与三维模型装置关联的设定值、条件值及质量信息等。通过如上所述的配置，用户可以利用基于实际工作环境中发生的故障生成的缺陷场景进行训练来有效提高应对缺陷的能力。
143.图12为示出本发明一实施例的生成运转能力信息1230及测试结果1240的例示图。如上所述，当发生缺陷场景时，模拟装置100可从用户接收用户条件信息1210、用户行为信息1220等，并基于所接收的用户条件信息1210、用户行为信息1220等判断是否已解决缺陷场景。
144.根据一实施例，当判断为已解决缺陷场景时，模拟装置100可计算在执行缺陷场景的期间的缺陷场景的执行时间及损失值，基于所计算的执行时间及损失值生成用户账号的三维模型装置的运转能力信息1230。在此情况下，也可以与运转能力信息1230一并输出测试结果1240。例如，与相应用户账号关联的用户可执行对于任意缺陷场景的测试，当按照预定基准解决与特定三维模型装置关联的所有缺陷场景时，模拟装置100可判断为相应用户通过特定三维模型装置的模拟测试。
145.图13为示出本发明一实施例的用于二次电池生产的模拟方法1300的例示图。用于二次电池生产的模拟方法1300可由处理器(例如，模拟装置的至少一个处理器)执行。如图所示，用于二次电池生产的模拟方法1300可通过由处理器输出装置工作部、设备运转部及质量确认部来启动(s1310)，上述装置工作部包括与二次电池生产关联的三维模型装置，上述设备运转部包括用于确定三维模型装置的工作的多个调整参数，上述质量确认部包括与由三维模型装置生成的物质的质量关联的质量信息。
146.处理器可获取通过装置工作部获取的第一用户行为信息及通过设备运转部获取的第一用户条件信息中的至少一个(s1320)。其中，第一用户条件信息可包括与多个调整参数中的至少一个调整参数所对应的值关联的信息。
147.处理器可基于所获取的第一用户行为信息及第一用户条件信息中的至少一个确定三维模型装置的工作(s1330)。并且，处理器可基于所确定的工作执行装置工作部所包括的三维模型装置的工作(s1340)。当接收到第一用户行为信息时，处理器判断所接收的第一用户行为信息是否与三维模型装置的预定工作条件相对应，若判断为第一用户行为信息与三维模型装置的预定工作条件相对应，则可允许三维模型装置的工作。
148.根据一实施例，处理器可确定用于确定由三维模型装置生成的物质的质量的一个以上质量参数，在三维模型装置的工作的执行期间，可以基于所执行的三维模型装置的工作计算分别与所确定的一个以上质量参数相对应的值。并且，处理器可基于所计算的分别与一个以上质量参数相对应的值，生成与由三维模型装置生成的物质的质量关联的质量信息。
149.根据一实施例，处理器可在与三维模型装置的故障关联的多个缺陷场景中确定一个以上缺陷场景，并且可基于所确定的一个以上缺陷场景变更三维模型装置的工作及与物质的质量关联的质量信息中的至少一个。之后，处理器可接收用于解决所确定的一个以上缺陷场景的第二用户行为信息及第二用户条件信息中的至少一个，可基于所接收的第二用户行为信息及第二用户条件信息中的至少一个对变更的三维模型装置的工作进行校正。并且，在校正的三维模型装置的工作执行期间，处理器可基于所执行的三维模型装置的工作计算分别与由三维模型装置生成的物质的质量关联的多个质量参数相对应的值。在此情况下，处理器可基于所计算的分别与多个质量参数相对应的值，对与由校正的三维模型装置生成的物质的质量关联的质量信息进行校正，并且可利用校正的质量信息判断是否已解决一个以上缺陷场景。
150.图14为示出本发明一实施例的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法1400的例示图。用于二次电池生产的l&s装置模拟方法1400可由处理器(例如，模拟装置的至少一个处理器)执行。如图所示，用于二次电池生产l&s装置模拟方法1400可通过由处理器接收与使用与二次电池的生产关联的模拟装置的用户的用户账号关联的信息来启动(s1410)。其中，与用户账号关联的信息可包括使用模拟装置的用户的id、执行测试评估的缺陷场景的信息、未执行测试评估的缺陷场景的信息、测试通过与否等信息，但并不限定于此。
151.当接收到与用户账号关联的信息时，处理器可执行装置工作部、设备运转部及质量确认部，上述装置工作部包括与二次电池的生产关联的三维l&s装置，上述设备运转部包括用于确定上述三维l&s装置的工作的多个调整参数，上述质量确认部包括与由上述三维l&s装置生成的单电池单体的质量关联的信息(s1420)。在此情况下，处理器可获取通过装置工作部获取的第一用户行为信息及通过设备运转部获取的第一用户条件信息中的至少一个(s1430)。并且，处理器可基于所获取的第一用户行为信息及第一用户条件信息中的至少一个来确定三维l&s装置的工作(s1440)。并且，处理器可基于所确定的工作来执行对与三维l&s装置关联的多个电极及分隔膜进行密封并且切割的工作(s1450)。
152.处理器可确定用于确定由三维l&s装置生成的单电池单体的质量的一个以上质量参数，在三维l&s装置执行工作期间，可基于执行的三维l&s装置的工作来计算分别与确定的一个以上质量参数相对应的值。在此情况下，处理器可基于所计算的分别与一个以上质量参数相对应的值来生成与由三维l&s装置生成的单电池单体的质量关联的质量信息。
153.根据一实施例，处理器从用户接收对三维l&s装置的运转能力的测试请求，在接收到测试请求的情况下，可在与三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景中确定一个以上缺陷场景。例如，多个缺陷场景可包括切割缺陷场景、x轴配合缺陷场景、y轴配合缺陷场景、不匹配缺陷场景、路径线脱离缺陷场景等。在此情况下，处理器可基于所确定的一个以上缺陷场景来变更三维l&s装置的工作及与单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个。可通过从用户输入的任意用户条件信息及用户行为信息来解决如上述的各个缺陷场景。
154.图15为示出本发明一实施例的测试结果计算方法1500的例示图。测试结果计算方法1500可由处理器(例如，模拟装置的至少一个处理器)执行。如图所示，测试结果计算方法1500可通过由处理器接收用于解决所确定的一个以上缺陷场景的第二用户行为信息及第二用户条件信息中的至少一个来启动(s1510)。
155.如上所述，处理器可基于所接收的第二用户行为信息及第二用户条件信息中的至少一个对变更的三维模型的工作进行校正(s1520)。并且，在校正的三维模型装置的工作执行期间，处理器可基于所执行的三维模型装置的工作计算分别与由三维模型装置生成的物质的质量关联的多个质量参数相对应的值(s1530)。在此情况下，处理器可基于所计算的分别与多个质量参数相对应的值，对与由校正的三维模型装置生成的物质的质量关联的质量信息进行校正(s1540)。
156.之后，处理器可利用校正的质量信息和/或三维模型装置的设定值、条件值等判断是否已解决一个以上缺陷场景(s1550)。当判断为未解决缺陷场景时，处理器可利用用户输入的信息再次生成或获取第二用户行为信息、第二用户条件信息等。
157.当判断为已解决一个以上缺陷场景时，处理器可计算在执行一个以上缺陷场景期间的一个以上缺陷场景的执行时间及损失值(s1560)。并且，处理器可基于所计算的执行时间及损失值生成用户账号的三维模型装置的运转能力信息(s1570)。其中，运转能力信息可包括基于执行时间、损失值等计算的执行速度、准确度等，但并不限定于此，还可包括用户的测试分数、测试是否通过等。在此情况下，执行二次电池生产的每个用户可分配有一个用户账号，基于相应用户的缺陷场景执行时间、损失值等生成的运转能力信息与相应用户账号关联地存储或管理。
158.图16为示出本发明一实施例的缺陷场景生成方法1600的例示图。缺陷场景生成方法1600可由处理器(例如，模拟装置的至少一个处理器)执行。如图所示，当与三维模型装置关联的外部装置发生故障时，缺陷场景生成方法1600可通过由处理器获取与故障关联的错误信息来启动(s1610)。
159.处理器可基于所获取的错误信息生成与三维模型装置的故障关联的缺陷场景(s1620)。其中，错误信息可包括与三维模型装置关联的实际二次电池生产装置发生故障时的相应生产装置的各个调整参数的值及设定值。例如，当由二次电池生产装置生成的物质的质量脱离预定的正常范围时，可判断为发生故障，若判断为发生故障，则处理器可获取与故障关联的错误信息，并基于所获取的错误信息生成与三维模型装置的故障关联的缺陷场景。
160.图17示出用于执行上述方法/或实施例等的示例性的计算装置1700。根据一实施例，计算装置1700可由被配置为与用户相互作用的硬件和/或软件实现。其中，计算装置1700可包括上述模拟装置(图1的100)。例如，计算装置1700可被配置为支持虚拟现实(vr，virtual reality)环境、增强现实(ar，augmented reality)环境或混合现实(mr，mixed reality)环境，但并不限定于此。计算装置1700可包括膝上型计算机(laptop)、台式计算机(desktop)、工作站(workstation)、个人信息终端(personal digital assistant)、服务器(server)、刀锋服务器(blade server)、大型商业服务器(main frame)等，但并不限定于此。上述计算装置1700的构成要素、其连接关系及其功能仅为示例，并不限定本说明书的说明和/或本发明的公开实例。
161.计算装置1700包括处理器1710、存储器1720、存储装置1730、通信装置1740、与存储器1720及高速扩展端口相连接的高速接口1750及与低速总线及存储装置相连接的低速接口1760。构成要素1710、1720、1730、1740及1750可分别通过多种总线(bus)相连接，可安装在相同主板(main board)或按照其他适当方式安装并连接。处理器1710可被配置为通过执行基本算术、逻辑及输入输出运算来处理计算机程序的指令。例如，处理器1710可处理存储在存储器1720、存储装置1730等的指令和/或在计算装置1700内执行的指令，可在与高速接口1750相结合的显示装置等外部输入输出装置1770上显示图形信息。
162.通信装置1740可通过网络提供用于输入输出装置1770与计算装置1700进行通信的配置或功能，可提供支持输入输出装置1770和/或计算装置1700与其他外部装置等进行通信的配置或功能。例如，外部装置的处理器根据任意程序代码生成的请求或数据可在通信装置1740的控制下通过网络传输到计算装置1700。相反，在计算装置1700的处理器1710的控制下提供的控制信号或指令可经由通信装置1740和网络传输到其他外部装置。
163.在图17中，图示了计算装置1700包括一个处理器1710、一个存储器1720等，但并不限定于此，计算装置1700可利用多个存储器、多个处理器和/或多个总线等实现。并且，在图17中，虽然描述了仅存在一个计算装置1700，但并不限定于此，多个计算装置可相互作用，并执行用于实现上述方法所需的工作。
164.存储器1720可用于在计算装置1700内存储信息。根据一实施例，存储器1720可由易失性存储单元或多个存储单元构成。附加性地或代替性地，存储器1720可由非易失性存储单元或多个存储单元构成。并且，存储器1720可由磁盘或光盘等其他类型的计算机可读介质构成。并且，存储器1720可存储操作系统和至少一个程序代码和/或指令。
165.存储装置1730可以为一个以上大容量存储装置，用于为计算装置1700存储数据。例如，存储装置1730可以为硬盘、移动硬盘等磁盘(magnetic disc)、光盘(optical disc)、可擦除可编程只读存储器(eprom，erasable programmable read-only memory)、电可擦可编程只读存储器(eeprom，electrically erasable prom)、闪存装置等半导体存储装置、包括cd-rom及dvd-rom盘等的计算机可读介质，或者，可以被配置为包括上述计算机可读介质。并且，计算机程序可有形地体现在这种计算机可读介质中。
166.高速接口1750及低速接口1760可以为用于与输入输出装置1770相互作用的工具。例如，输入装置可以为包括音频传感器和/或图像传感器的摄像机、键盘、麦克风、鼠标等装置，而且，输出装置可包括显示器、扬声器或触觉反馈设备(haptic feedback device)等装置。在另一例中，高速接口1750及低速接口1760可以为用于对接触摸屏等将执行输入及输出的配置或功能集成为一体的装置的工具。
167.根据一实施例，高速接口1750可管理计算装置1700的带宽密集型操作，而低速接口1760可管理比高速接口1750更低的带宽密集型操作，但是，这种功能分配仅是示例性的。根据一实施例，高速接口1750可以与能够收容存储器1720、输入输出装置1770、多种扩展卡(未图示)的高速扩展端口相结合。并且，低速接口1760可以与存储装置1730及低速扩展端口相结合。附加性地，可包括多个通信端口(例如，usb、蓝牙、以太网、无线以太网)的低速扩展端口可以与键盘(keyboard)、定点装置(pointing device)、扫描仪(scanner)等一个以上输入输出装置1770相结合，或者，可通过网络适配器等与路由器(router)、交换机(switch)等网络装置相结合。
168.计算装置1700可由多种不同形态实现。例如，计算装置1700可以由标准服务器实现，或者，可由这种标准服务器的组合来实现。附加性地或代替性地，计算装置1700由机架服务器系统(rack server system)的部分实现，或者，也可由膝上型计算机等个人计算机实现。在此情况下，计算装置1700的构成要素可以与任意移动装置(未图示)内的其他构成要素相结合。这种计算装置1700包括一个以上其他计算装置，或者，可以与一个以上其他计算装置进行通信。
169.在图17中，图示了输入输出装置1770并不包括在计算装置1700，但并不限定于此，可以被配置为与计算装置1700一起的单个装置。并且，在图17中，高速接口1750和/或低速接口1760被图示为独立于处理器1710的构成要素，但并不限定于此，高速接口1750和/或低速接口1760可以被配置为包括在处理器1710中。
170.上述方法和/或多个实施例可由数字电子电路、计算机硬件、固件、软件和/或它们的组合实现。本发明多个实施例由数据处理装置执行，例如，通过可编程的一个以上处理器和/或一个以上计算装置执行，或者，可由计算机可读介质和/或存储在计算机可读介质的计算机程序实现。上述计算机程序可以用包括编译的语言或解释的语言的任何类型的编程语言编写，可按照独立执行程序、模块或子例程等任意形态分布。计算机程序可通过一个计算装置、由相同网络连接的多个计算装置和/或由多个不同的网络连接的分布的多个计算装置分布。
171.上述方法和/或多个实施例可由一个以上处理器执行，上述一个以上处理器被配置为基于输入数据进行工作或生成输出数据，从而运行用于处理、存储和/或管理任意功能、函数等的一个以上计算机程序。例如，本发明的方法和/或多个实施例可由现场可编程逻辑门阵列(fpga，field programmable gate array)或专用集成电路(asic，application specific integrated circuit)等专用逻辑电路执行，用于执行本发明的方法和/或实施例的装置和/或系统可由现场可编程逻辑门阵列或专用集成电路等专用逻辑电路实现。
172.运行计算机程序的一个以上处理器可包括通用或专用的微(micro)处理器和/或任意类型的数字计算装置的一个以上处理器。处理器可分别从只读存储器、随机存取存储器接收指令和/或数据，或者，可从只读存储器、随机存取存储器接收指令和/或数据。在本发明中，执行方法和/或实施例的计算装置的构成要素可包括用于执行指令的一个以上处理器、用于存储指令和/或数据的一个以上存储器。
173.根据一实施例，计算装置可以与用于存储数据的一个以上大容量存储装置收发数据。例如，计算装置可从磁盘(magnetic disc)或光盘(optical disc)接收数据，和/或，向磁盘或光盘传输数据。适用于存储与计算机程序关联的指令和/或数据的计算机可读介质可包括可擦除可编程只读存储器(eprom，erasable programmable read-only memory)、电可擦可编程只读存储器(eeprom，electrically erasable prom)、闪存装置等半导体存储装置在内的任意形态的非易失性存储器，但并不限定于此。例如，计算机可读介质可包括内部硬盘或移动硬盘等磁盘(magnetic disc)、光磁盘(photomagnetic disc)、cd-rom及dvd-rom盘。
174.为了提供与用户的相互作用，计算装置可包括用于向用户提供信息或显示信息的显示装置(例如，阴极射线管(crt，cathode ray tube)、液晶显示器(lcd，liquid crystal display)等)及用于用户向计算装置提供输入和/或指令等的定点装置(例如，键盘、鼠标、
轨迹球等)，但并不限定于此。即，计算装置还可包括用于提供与用户的相互作用的任意类型的其他装置。例如，为了与用户相互作用，计算装置可向用户提供包括视觉反馈、听觉反馈和/或触觉反馈等的任意形态的感官反馈。对此，用户可通过视觉、声音、动作等多种姿态向计算装置提供输入。
175.在本发明中，多个实施例可以在包括后端(back-end)构成要素(例如，数据服务器)、中间件构成要素(例如，应用服务器)和/或前端(front-end)构成要素的计算装置中实现。在此情况下，构成要素可通过通信网络等数字数据通信的任意形态或介质相连接。根据一实施例，通信网络可由以太网(ethernet)、电力线通信(power line communication)、电话线通信装置及rs-serial通信等的有线网络、移动通信网、无线局域网(wlan，wireless lan)、移动热点(wi-fi)、蓝牙(bluetooth)及紫蜂(zigbee)等无线网络或其组合构成。例如，通信网络可包括局域网(lan，local area network)、广域网(wan，wide area network)等。
176.在本说明书中，基于所述例示性实施例的计算装置可包括用户设备、用户界面(ui)设备、用户终端或客户端设备，可使用与用户相互作用的硬件和/或软件实现。例如，计算装置可包括膝上型计算机(laptop)等便携式计算装置。附加性地或代替性地，计算装置可包括个人数字助理(pda，personal digital assistants)、平板pc、游戏机(game console)、可穿戴设备(wearabledevice)、物联网(iot，internet of things)设备、虚拟现实(vr，virtual reality)设备、增强现实(ar，augmented reality)设备等，但并不限定于此。计算装置还可包括与用户相互作用的其他类型装置。并且，计算装置可包括使用移动通信网络等网络的适用于无线通信的便携式通信设备(例如，移动电话、智能电话、无线蜂窝电话等)等。计算装置可使用无线电频率(rf，radio frequency)、微波频率(mwf，microwave frequency)和/或红外线频率(irf，infrared ray frequency)等无线通信技术和/或协议来与网络服务器进行无线通信。
177.在本发明中，包括特定结构及功能详细内容的多个实施例仅为示例。因此，本发明实施例并不限定于上述内容，可通过多种实施方式实现。并且，在本发明中，所使用的术语仅用于说明部分实施例，不应解释为限制实施例的含义。例如，除非在文脉上明确表示其他含义，否则表示单数的表达包括复数的表达。
178.在本说明书中，除非另有定义，否则包括技术术语或科学术语在内的在此使用的所有术语的含义与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同。并且，通常使用的词典中定义的术语应解释成含义与相关技术在文脉上所具有的含义相同。
179.在本说明书中，虽然说明了有关本发明的部分实施例，但应当理解的是，在不脱离本发明范围的情况下，本发明所属技术领域的普通技术人员可实现多种变形及变更。并且，这种变形及变更也属于本说明书所附的发明要求保护范围内。

技术特征：
1.一种用于二次电池生产的模拟装置，包括：存储器，被配置为存储至少一个指令；以及至少一个处理器，被配置为执行存储在所述存储器的所述至少一个指令，所述至少一个指令包括用于以下的指令：接收与用户的用户账号关联的信息，所述用户使用与二次电池的生产关联的模拟装置；当接收到与所述用户账号关联的信息时，执行装置工作部、设备运转部及质量确认部，所述装置工作部包括与二次电池的生产关联的三维层压及堆叠(l&s)装置，所述设备运转部包括用于确定所述三维l&s装置的工作的多个调整参数，所述质量确认部包括与由所述三维l&s装置生成的单电池单体的质量关联的信息；获取通过所述装置工作部获取的第一用户行为信息及通过所述设备运转部获取的第一用户条件信息中的至少一个；基于所获取的第一用户行为信息及第一用户条件信息中的至少一个来确定所述三维l&s装置的工作；基于所确定的工作来执行对与所述三维l&s装置关联的多个电极及分隔膜进行密封并切割的工作。2.根据权利要求1所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：确定一个以上质量参数，所述一个以上质量参数用于确定由所述三维l&s装置生成的单电池单体的质量；在所述三维l&s装置执行工作的期间，基于所执行的三维l&s装置的工作来计算分别与所确定的一个以上质量参数相对应的值；基于所计算的分别与一个以上质量参数相对应的值来生成与由所述三维l&s装置生成的单电池单体的质量关联的质量信息。3.根据权利要求1所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：从所述用户接收对所述三维l&s装置的运转能力的测试请求；在接收到所述测试请求的情况下，在与所述三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景中确定一个以上缺陷场景；基于所确定的一个以上缺陷场景来变更所述三维l&s装置的工作及与所述单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个。4.根据权利要求3所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述多个缺陷场景包括切割缺陷场景，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：当所确定的一个以上缺陷场景包括所述切割缺陷场景时，将所述质量信息包含的表示切割位置的负极接片位置(tpc)图表及正极接片位置(tpa)图表中的至少一个图表的值变更为缺陷范围并将切割图像包括的至少一部分区域变更为表示切割缺陷的预定区域。5.根据权利要求4所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述多个调整参数包括与所述三维l&s装置的切割时间点关联的切割偏移参数，
所述至少一个指令还包括用于以下的指令：响应于接收到第二用户条件信息，对所述切割图像、所述tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的值进行校正，所述第二用户条件信息用于变更所述切割偏移参数的值；基于所校正的切割图像、所述tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的校正值来判断是否已解决所述切割缺陷场景；当判断为已解决所述切割缺陷场景时，执行对所述切割缺陷场景的所述用户账号的测试评估。6.根据权利要求3所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述多个缺陷场景包括x轴配合缺陷场景，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：当所确定的一个以上缺陷场景包括所述x轴配合缺陷场景时，将所述质量信息包含的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表的值变更为缺陷范围。7.根据权利要求6所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述多个调整参数包括x轴偏移参数，所述x轴偏移参数能够变更所述多个电极包括的上部电极、下部电极及分隔膜中的至少一部分的x轴值，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：响应于接收到第三用户条件信息，对所变更的x轴配合图像和表示所述x轴是否配合的图表的值进行校正，所述第三用户条件信息用于变更所述x轴偏移参数；基于所校正的x轴配合图像和表示所述x轴是否配合的图表的校正值来判断是否已解决所述x轴配合缺陷场景；当判断为已解决所述x轴配合缺陷场景时，执行对所述x轴配合缺陷场景的所述用户账号的测试评估。8.根据权利要求3所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述多个缺陷场景包括y轴配合缺陷场景，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：当所确定的一个以上缺陷场景包括所述y轴配合缺陷场景时，将所述质量信息包含的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表的值变更为缺陷范围。9.根据权利要求8所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述多个调整参数包括y轴偏移参数，所述y轴偏移参数能够变更所述多个电极包括的上部电极、下部电极以及多个分隔膜包括的上部分隔膜及下部分隔膜中的至少一部分的y轴值，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：响应于接收到第四用户条件信息，对所变更的y轴配合图像和表示所述y轴是否配合的图表的值进行校正，所述第四用户条件信息用于变更所述y轴偏移参数；基于所校正的y轴配合图像和表示所述y轴是否配合的图表的校正值来判断是否已解决所述y轴配合缺陷场景；当判断为已解决所述y轴配合缺陷场景时，执行对所述y轴配合缺陷场景的所述用户账号的测试评估。10.根据权利要求3所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，
所述多个缺陷场景包括表示所述分隔膜脱离路径线的路径线脱离缺陷场景，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：当所确定的一个以上缺陷场景包括所述路径线脱离缺陷场景时，将所述质量信息包含的表示是否脱离路径线的图表的值变更为缺陷范围。11.根据权利要求10所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述多个调整参数包括能够变更所述分隔膜的y轴值的分隔膜偏移参数，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：响应于接收到第五用户条件信息，对所变更的表示是否脱离路径线的图表的值进行校正，所述第五用户条件信息用于变更所述分隔膜偏移参数；基于表示是否脱离所述路径线的图表的校正值来判断是否已解决所述路径线脱离缺陷场景；当判断为已解决所述路径线脱离缺陷场景时，执行对所述路径线脱离缺陷场景的所述用户账号的测试评估。12.根据权利要求3所述的用于二次电池生产的模拟装置，其中，所述至少一个指令还包括用于以下的指令：判断所述用户账号是否已解决与所述三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景；当判断为所述用户账号已解决所述多个缺陷场景时，基于与所述多个缺陷场景中包括的各个缺陷场景对应地生成的所述用户账号的运转能力信息来判断所述用户是否通过测试。13.一种用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，由至少一个处理器执行，所述方法包括以下步骤：接收与用户的用户账号关联的信息，所述用户使用与二次电池的生产关联的模拟装置；当接收到与所述用户账号关联的信息时，执行装置工作部、设备运转部及质量确认部，所述装置工作部包括与二次电池的生产关联的三维l&s装置，所述设备运转部包括用于确定所述三维l&s装置的工作的多个调整参数，所述质量确认部包括与由所述三维l&s装置生成的单电池单体的质量关联的信息；获取通过所述装置工作部获取的第一用户行为信息及通过所述设备运转部获取的第一用户条件信息中的至少一个；基于所获取的第一用户行为信息及第一用户条件信息中的至少一个来确定所述三维l&s装置的工作；以及基于所确定的工作来执行对与所述三维l&s装置关联的多个电极及分隔膜进行密封并切割的工作。14.根据权利要求13所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，还包括以下步骤：确定一个以上质量参数，所述一个以上质量参数用于确定由所述三维l&s装置生成的单电池单体的质量；在所述三维l&s装置执行工作的期间，基于所执行的三维l&s装置的工作来计算分别与所确定的一个以上质量参数相对应的值；以及基于所计算的分别与一个以上质量参数相对应的值来生成与由所述三维l&s装置生成
的单电池单体的质量关联的质量信息。15.根据权利要求13所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，还包括以下步骤：从所述用户接收对所述三维l&s装置的运转能力的测试请求；在接收到所述测试请求的情况下，在与所述三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景中确定一个以上缺陷场景；以及基于所确定的一个以上缺陷场景来变更所述三维l&s装置的工作及与所述单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个。16.根据权利要求15所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，所述多个缺陷场景包括切割缺陷场景，基于所确定的一个以上缺陷场景来变更所述三维l&s装置的工作及与所述单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个的步骤包括以下步骤：当所确定的一个以上缺陷场景包括所述切割缺陷场景时，将所述质量信息包含的表示切割位置的tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的值变更为缺陷范围并将切割图像包括的至少一部分区域变更为表示切割缺陷的预定区域。17.根据权利要求16所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，所述多个调整参数包括与所述三维l&s装置的切割时间点关联的切割偏移参数，所述方法还包括以下步骤：响应于接收到第二用户条件信息，对所述切割图像、所述tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的值进行校正，所述第二用户条件信息用于变更所述切割偏移参数的值；基于所校正的切割图像、所述tpc图表及tpa图表中的至少一个图表的校正值来判断是否已解决所述切割缺陷场景；以及当判断为已解决所述切割缺陷场景时，执行对所述切割缺陷场景的所述用户账号的测试评估。18.根据权利要求15所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，所述多个缺陷场景包括x轴配合缺陷场景，基于所确定的一个以上缺陷场景来变更所述三维l&s装置的工作及与所述单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个的步骤包括以下步骤：当所确定的一个以上缺陷场景包括所述x轴配合缺陷场景时，将所述质量信息包含的x轴配合图像和表示x轴是否配合的图表的值变更为缺陷范围。19.根据权利要求18所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，所述多个调整参数包括x轴偏移参数，所述x轴偏移参数能够变更所述多个电极包括的上部电极、下部电极及分隔膜中的至少一部分的x轴值，所述方法还包括以下步骤：响应于接收到第三用户条件信息，对所变更的x轴配合图像和表示所述x轴是否配合的图表的值进行校正，所述第三用户条件信息用于变更所述x轴偏移参数；基于所校正的x轴配合图像和表示所述x轴是否配合的图表的校正值来判断是否已解决所述x轴配合缺陷场景；以及当判断为已解决所述x轴配合缺陷场景时，执行对所述x轴配合缺陷场景的所述用户账号的测试评估。
20.根据权利要求15所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，所述多个缺陷场景包括y轴配合缺陷场景，基于所确定的一个以上缺陷场景来变更所述三维l&s装置的工作及与所述单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个的步骤包括以下步骤：当所确定的一个以上缺陷场景包括所述y轴配合缺陷场景时，将所述质量信息包含的y轴配合图像和表示y轴是否配合的图表的值变更为缺陷范围。21.根据权利要求20所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，所述多个调整参数包括y轴偏移参数，所述y轴偏移参数能够变更所述多个电极包括的上部电极、下部电极以及多个分隔膜包括的上部分隔膜及下部分隔膜中的至少一部分的y轴值，所述方法还包括以下步骤：响应于接收到第四用户条件信息，对所变更的y轴配合图像和表示所述y轴是否配合的图表的值进行校正，所述第四用户条件信息用于变更所述y轴偏移参数；基于所校正的y轴配合图像和表示所述y轴是否配合的图表的校正值来判断是否已解决所述y轴配合缺陷场景；以及当判断为已解决所述y轴配合缺陷场景时，执行对所述y轴配合缺陷场景的所述用户账号的测试评估。22.根据权利要求15所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，所述多个缺陷场景包括表示所述分隔膜脱离路径线的路径线脱离缺陷场景，基于所确定的一个以上缺陷场景来变更所述三维l&s装置的工作及与所述单电池单体的质量关联的质量信息中的至少一个的步骤包括以下步骤：当所确定的一个以上缺陷场景包括所述路径线脱离缺陷场景时，将所述质量信息包含的表示是否脱离路径线的图表的值变更为缺陷范围。23.根据权利要求22所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，所述多个调整参数包括能够变更所述分隔膜的y轴值的分隔膜偏移参数，所述方法还包括以下步骤：响应于接收到第五用户条件信息，对所变更的表示是否脱离路径线的图表的值进行校正，所述第五用户条件信息用于变更所述分隔膜偏移参数；基于表示是否脱离所述路径线的图表的校正值来判断是否已解决所述路径线脱离缺陷场景；以及当判断为已解决所述路径线脱离缺陷场景时，执行对所述路径线脱离缺陷场景的所述用户账号的测试评估。24.根据权利要求15所述的用于二次电池生产的l&s装置模拟方法，其中，还包括以下步骤：判断所述用户账号是否已解决与所述三维l&s装置的故障关联的多个缺陷场景；以及当判断为所述用户账号已解决所述多个缺陷场景时，基于与所述多个缺陷场景中包括的各个缺陷场景对应地生成的所述用户账号的运转能力信息来判断所述用户是否通过测试。25.一种存储在计算机可读介质中的计算机程序，用于在计算机上执行根据权利要求
13至24中任一项所述的方法。

技术总结
本发明涉及用于二次电池生产的模拟装置。用于二次电池生产的模拟装置包括：存储器，被配置为存储至少一个指令；以及至少一个处理器，被配置为执行存储在存储器的至少一个指令。至少一个指令包括用于以下的指令：接收与用户的用户账号关联的信息，该用户使用与二次电池的生产关联的模拟装置；以及当接收到与用户账号关联的信息时，执行装置工作部、设备运转部及质量确认部，装置工作部包括与二次电池的生产关联的三维L&S装置，设备运转部包括用于确定三维L&S装置的工作的多个调整参数，质量确认部包括与由三维L&S装置生成的单电池单体的质量关联的信息；获取通过装置工作部获取的第一用户行为信息及通过设备运转部获取的第一用户条件信息中的至少一个；基于获取的第一用户行为信息及第一用户条件信息中的至少一个来确定三维L&S装置的工作；基于确定的工作来执行对与三维L&S装置关联的多个电极及分隔膜进行密封并切割的工作。隔膜进行密封并切割的工作。隔膜进行密封并切割的工作。


技术研发人员：郑大云 金汉承 金南赫 金永得 全秀镐
受保护的技术使用者：株式会社LG新能源
技术研发日：2022.07.19
技术公布日：2023/10/5