检测装置、检测程序、存储介质、检测方法及发光装置与流程

1.本发明涉及一种检测装置、检测程序、存储介质、检测方法及发光装置。


背景技术：

2.专利文献1中公开了一种测定深度的方法，所述深度对由内部反射产生的破坏光不敏感，所述方法包括如下步骤：通过光源将光发射到场景上；在破坏光击中像素但来自所述像素的视场内的物体的返回光不会击中所述像素的第一期间内，控制所述像素的第一电荷蓄积单元，以根据击中所述像素的光来收集电荷，由此进行破坏光的测定；根据所述破坏光的测定从受所述破坏光影响的一个以上测定中去除所述破坏光的贡献；及根据去除所述破坏光的所述贡献后的所述一个以上测定来判断所述深度。
3.专利文献2中公开了一种距离测定装置，其特征在于，具备：投光部，其向对象物投射光；受光部，其接收被所述对象物反射或散射的光；扫描部，其向扫描区域扫描从所述投光部投射的光；及距离测定部，其测量从所述投光部投射光至所述受光部接收光为止的时间，测定到所述对象物的距离，若将所述扫描区域分割为多个分割区域，并将该分割的所有分割区域中的一个分割区域的扫描开始至所有分割区域的扫描结束为止定义为一次扫描，则根据在所述一次扫描期间由所述距离测定部测得的第一分割区域的测定值和在所述第一分割区域的测定值之前测得的第二分割区域的测定值来判定所述第一分割区域的测定值是否能够作为所述第一分割区域的测定结果，在判定为能够作为所述第一分割区域的测定结果的情况下，输出所述第一分割区域的测定值作为所述第一分割区域中的到对象物的距离。
4.专利文献3中公开了一种光飞行型测距装置，其特征在于，具备：第一光源，其向第一发光空间发射第一光；受光部，其具有多个像素，并且通过各像素接收光；距离图像获取部，其在从所述第一光源反复发射所述第一光的发光期间，在所述受光部接收包括该第一光被对象物的表面反射而产生的第一反射光的光，由此获取表示每个像素的从本装置到对象物的距离的距离图像；亮度值图像获取部，其在不从所述第一光源反复发射所述第一光的非发光期间，在所述受光部接收包括第二反射光的光，由此获取表示每个像素的亮度值的亮度值图像，所述第二反射光是以使光轴与所述第一光不同的方式从第二光源向包括第一发光空间的至少一部分的第二发光空间发射的第二光被对象物的表面反射而产生的光；及多路径检测部，其使用所述距离图像和所述亮度值图像来检测产生了多路径的区域。
5.专利文献4中公开了一种距离测定装置，其具备：发光部，其射出探测光；及受光部，其接收所述探测光的反射光，所述距离测定装置根据由所述受光部接收的反射光来测定到反射所述探测光的对象物的距离，所述距离测定装置的特征在于，将通过所述探测光透射具有比该探测光的波长大的直径的水滴或通过所述探测光被该水滴反射而产生的散射光的强度成为超过所述受光部的噪声水平的大小的以所述发光部为中心的区域作为强散射区域，将所述受光部设置于所述强散射区域外的位置，并且设置有遮光装置，所述遮光装置遮挡所述散射光中向特定方向会聚的会聚散射光及要以大于该会聚散射光的入射角
入射于所述受光部的散射光。
6.现有技术文献
7.专利文献
8.专利文献1：日本特开2019-219400号公报
9.专利文献2：日本特开2019-028039号公报
10.专利文献3：日本特开2017-15448号公报
11.专利文献4：日本特开2007-333592号公报


技术实现要素：

12.发明要解决的技术课题
13.本发明的实施方式涉及提供一种在通过检测从具备多个发光元件的发光元件阵列向检测对象物发射的光的反射光来检测检测对象物的情况下，相较于未考虑发光的发光元件的配置变化的影响的情况，即使发光的发光元件的配置发生变化，也能够抑制发光上升特性的变化的影响的检测装置、检测程序、存储介质、检测方法及发光装置。
14.用于解决技术课题的手段
15.[1]根据本发明的一方式，提供一种检测装置，其具备：发光元件阵列，其具备多个发光元件；受光元件阵列，其具备多个受光元件，所述受光元件接收从所述发光元件阵列向检测对象物发射的光的反射光；驱动部，其驱动所述发光元件；以及检测部，其控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及所述受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。
[0016]
[2]在[1]所涉及的检测装置中，在即使发光的所述发光元件的数量发生变化也不改变发光的所述发光元件各自的光量的情况下，所述检测部可以根据发光的所述发光元件的数量来控制所述供给定时及所述受光定时中的至少一方。
[0017]
[3]在[2]所涉及的检测装置中，所述检测部可以控制所述供给定时，以使所述供给定时随着发光的所述发光元件的数量增加而变得更早。
[0018]
[4]在[2]所涉及的检测装置中，所述检测部可以控制所述受光定时，以使所述受光定时随着发光的所述发光元件的数量增加而变得更晚。
[0019]
[5]在[1]所涉及的检测装置中，在发光的所述发光元件的数量发生变化也不改变发光的所述发光元件整体的光量的情况下，所述检测部可以控制根据流向发光的所述发光元件的驱动电流的电流路径的电感来确定的所述供给定时及所述受光定时中的至少一方。
[0020]
[6]在[5]所涉及的检测装置中，所述检测部可以控制所述供给定时，以使所述供给定时随着发光的所述发光元件的数量减少而变得更早。
[0021]
[7]在[5]所涉及的检测装置中，所述检测部可以控制所述受光定时，以使所述受光定时随着发光的所述发光元件的数量减少而变得更晚。
[0022]
[8]在[1]至[7]中任一项所涉及的检测装置中，所述发光元件阵列中，可以使多个发光分区均能够各自发光，所述发光分区包括至少两个以上发光元件，所述检测部可以针对所述多个发光分区的每一个控制所述发光元件的发光。
[0023]
[9]在[1]至[8]中任一项的方式所涉及的检测装置中，所述检测部可以根据飞行
时间来检测从所述检测装置到所述检测对象物的距离。
[0024]
[10]根据本发明的另一方式，提供一种检测装置，其具备处理器，所述处理器构成为：控制发光元件阵列所包括的多个发光元件的发光；及控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及受光元件阵列所包括的受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。
[0025]
[11]根据本发明的另一方式，提供一种检测程序，其用于使计算机执行包括如下步骤的处理：控制发光元件阵列所包括的多个发光元件的发光；及控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及受光元件阵列所包括的受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。
[0026]
[12]根据本发明的另一方式，提供一种存储介质，其存储检测程序，所述检测程序用于使计算机执行包括如下步骤的处理：控制发光元件阵列所包括的多个发光元件的发光；及控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及受光元件阵列所包括的受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。
[0027]
[13]根据本发明的另一方式，提供一种检测方法，其包括如下步骤：控制发光元件阵列所包括的多个发光元件的发光；及控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及受光元件阵列所包括的受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。
[0028]
[14]根据本发明的另一方式，提供一种发光装置，其具备：发光元件阵列，其具备多个发光元件；驱动部，其驱动所述发光元件；以及控制部，其控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内。
[0029]
[15]根据本发明的另一方式，提供一种发光装置，其具备：发光元件阵列，其具备多个发光元件；驱动部，其驱动所述发光元件；及控制部，其控制向所述发光元件供给驱动电流的供给定时，以使所述供给定时随着发光的所述发光元件的数量增加而变得更早。
[0030]
发明效果
[0031]
根据[1]、[10]～[14]，在通过检测从具备多个发光元件的发光元件阵列向检测对象物发射的光的反射光来检测检测对象物的情况下，相较于未考虑发光的发光元件的配置变化的影响的情况，即使发光的发光元件的配置发生变化，也能够抑制发光上升特性的变化的影响。
[0032]
根据[2]，即使发光的发光元件的数量发生变化，也能够抑制发光上升特性的变化的影响。
[0033]
根据[3]，相较于与发光的发光元件的数量无关地统一驱动电流的供给定时的情况，即使发光的发光元件的数量增加，也能够抑制发光上升特性的变化的影响。
[0034]
根据[4]，相较于与发光的发光元件的数量无关地统一受光定时的情况，即使发光
的发光元件的数量增加，也能够抑制发光上升特性的变化的影响。
[0035]
根据[5]，即使发光的发光元件的数量发生变化，也能够抑制发光上升特性的变化的影响。
[0036]
根据[6]，相较于与发光的发光元件的数量无关地统一驱动电流的供给定时的情况，即使发光的发光元件的数量减少，也能够抑制发光上升特性的变化的影响。
[0037]
根据[7]，相较于与发光的发光元件的数量无关地统一受光定时的情况，即使发光的发光元件的数量减少，也能够抑制发光上升特性的变化的影响。
[0038]
根据[8]，相较于针对每个发光元件控制发光的情况，能够抑制发光元件的控制变得复杂。
[0039]
根据[9]，能够确定检测对象物的三维形状。
[0040]
根据[15]，即使发光的发光元件的数量发生变化，发光的发光元件各自的光量也不会发生变化。
附图说明
[0041]
图1是表示第一示例性实施方式所涉及的测量装置的结构的概略结构图。
[0042]
图2是表示测量装置的电气系统的主要部分结构的框图。
[0043]
图3是光源的俯视图。
[0044]
图4是用于说明发光分区的图。
[0045]
图5是测量装置的电路图。
[0046]
图6是3d传感器的俯视图。
[0047]
图7是表示第一示例性实施方式所涉及的测量程序的处理的流程的一例的流程图。
[0048]
图8a是用于说明第一发光分区的数量为1个时的驱动电流的供给定时的时序图。
[0049]
图8b是用于说明第一发光分区的数量为12个时的驱动电流的供给定时的时序图。
[0050]
图9a是用于说明第一发光分区的数量为1个时的受光定时的时序图。
[0051]
图9b是用于说明第一发光分区的数量为12个时的受光定时的时序图。
[0052]
图10是3d传感器的俯视图。
[0053]
图11是用于说明多路径的图。
[0054]
图12是用于说明多路径的图。
[0055]
图13是表示第二示例性实施方式所涉及的测量程序的处理的流程的一例的流程图。
[0056]
图14a是用于说明发光的发光分区的数量为12个时的驱动电流的供给定时的另一例的时序图。
[0057]
图14b是用于说明发光的发光分区的数量为1个时的驱动电流的供给定时的另一例的时序图。
[0058]
图15a是用于说明发光的发光分区的数量为12个时的受光定时的另一例的时序图。
[0059]
图15b是用于说明发光的发光分区的数量为1个时的受光定时的另一例的时序图。
[0060]
图16a是用于说明电流值jp较大时的驱动电流的供给定时的另一例的时序图。
[0061]
图16b是用于说明电流值jp较小时的驱动电流的供给定时的另一例的时序图。
[0062]
图17a是用于说明电流值jp较大时的受光定时的另一例的时序图。
[0063]
图17b是用于说明电流值jp较小时的受光定时的另一例的时序图。
具体实施方式
[0064]
以下，参考附图对发明的技术所涉及的示例性实施方式进行详细说明。
[0065]
＜第一示例性实施方式＞
[0066]
测量被测物的三维形状的测量装置有根据光的飞行时间，即基于所谓的tof(time of flight(飞行时间))法来测量三维形状的装置。在tof法中，测量自光从测量装置的光源射出的定时至照射的光被被测物反射后由测量装置的三维传感器(以下，称为3d传感器。)接收的定时为止的时间，测定从测量装置到被测物的距离，由此确定三维形状。另外，将测量三维形状的对象称为被测物。被测物为检测对象物的一例。并且，有时将测量三维形状称为三维测量、3d测量或3d感测。
[0067]
tof法有直接法及相位差法(间接法)。直接法为如下方法：对被测物照射仅发光极短时间的脉冲光，并实际测量该光返回为止的时间。相位差法为如下方法：使脉冲光周期性地闪烁，并检测多个脉冲光在与被测物之间往复时的时间延迟作为相位差的方法。在本示例性实施方式中，对通过相位差法测量三维形状的情况进行说明。
[0068]
这种测量装置搭载于便携式信息处理装置等，用于要访问的用户的面部认证等。以往，在便携式信息处理装置等中，使用了利用密码、指纹、虹膜等来认证用户的方法。近年来，已开始要求安全性更高的认证方法。因此，已开始在便携式信息处理装置上搭载测量三维形状的测量装置。即，在搭载有测量装置的便携式信息处理装置中，获取所访问的用户的面部的三维图像，识别是否允许访问，并仅在被认证是允许访问的用户的情况下，允许使用本装置(便携式信息处理装置)。
[0069]
这种测量装置还适用于增强现实(ar：augmented reality)等持续测量被测物的三维形状的情况。
[0070]
以下说明的示例性实施方式中说明的结构、功能、方法等并不仅适用于面部认证或增强现实，也可适用于其他被测物的三维形状的测量。
[0071]
(测量装置1)
[0072]
图1是说明测量三维形状的测量装置1的结构的一例的框图。
[0073]
测量装置1具备光学装置3和控制部8。控制部8控制光学装置3。控制部8包括确定被测物的三维形状的三维形状确定部81。测量装置1为检测装置的一例。并且，控制部8为检测部的一例。
[0074]
图2是表示控制部8的硬件结构的框图。如图2所示，控制部8具备控制器12。控制器12具备cpu(central processing unit(中央处理器))12a、rom(read only memory(只读存储器))12b、ram(random access memory(随机存取存储器))12c及输入/输出接口(i/o)12d。并且，cpu12a、rom12b、ram12c及i/o12d经由系统总线12e彼此连接。系统总线12e包括控制总线、地址总线及数据总线。
[0075]
并且，i/o12d上连接有通信部14及存储部16。
[0076]
通信部14为用于与外部装置进行数据通信的接口。
[0077]
存储部16由闪存rom等非易失性可改写存储器等构成，存储后述的测量程序16a及后述的分区对应表16b等。cpu12a将存储于存储部16中的测量程序16a读入ram12c中来执行，由此构成三维形状确定部81，可确定被测物的三维形状。另外，测量程序16a为检测程序的一例。
[0078]
光学装置3具备发光装置4和3d传感器5。发光装置4具备配线基板10、散热基材100、光源20、光扩散部件30、驱动部50、保持部60及电容器70a、70b。发光装置4可以具备电阻元件6、电容器7等无源元件(passive element)，以使驱动部50动作。在此，发光装置4具备两个电阻元件6和两个电容器7。并且，示出了两个电容器70a、70b，但也可以为一个。另外，在不区分电容器70a、70b的情况下，称为电容器70。进而，电阻元件6及电容器7的数量分别也可以为一个，也可以为多个。在此，有时将光源20、驱动部50及电容器70以外的3d传感器5、电阻元件6、电容器7等电气零件称为电路零件，而不进行区分。另外，电容器有时称为蓄电器。3d传感器5为受光元件阵列的一例。
[0079]
发光装置4的散热基材100、驱动部50、电阻元件6及电容器7设置于配线基板10的表面上。另外，在图1中，3d传感器5未设置于配线基板10的表面上，但也可以设置于配线基板10的表面上。
[0080]
光源20、电容器70a、70b及保持部60设置于散热基材100的表面上。并且，光扩散部件30设置于保持部60上。在此，散热基材100的外形与光扩散部件30的外形相同。在此，表面是指图1的纸面的正面侧。更具体地说，在配线基板10中，将设置有散热基材100的一侧称为表面、正面侧或表面侧。并且，在散热基材100中，将设置有光源20的一侧称为表面、正面侧或表面侧。
[0081]
光源20构成为二维设置有多个发光元件的发光元件阵列(参考后述的图3)。作为一例，发光元件为垂直腔面发射激光元件vcsel(vertical cavity surface emitting laser)。以下，视发光元件为垂直腔面发射激光元件vcsel进行说明。以下，将垂直腔面发射激光元件vcsel称为vcsel。光源20设置于散热基材100的表面上，因此光源20相对于散热基材100的表面垂直地向远离散热基材100的方向射出光。即，发光元件阵列为面发射激光元件阵列。另外，有时将光源20中二维设置有多个发光元件且射出光的光源20的面称为射出面。
[0082]
光源20射出的光入射于光扩散部件30。光扩散部件30将入射的光扩散并射出。光扩散部件30设置成覆盖光源20及电容器70a、70b。即，光扩散部件30设置成通过设置于散热基材100的表面上的保持部60与设置于散热基材100上的光源20及电容器70a、70b隔开预定距离。光源20射出的光被光扩散部件30扩散并照射于被测物。相较于不具备光扩散部件30的情况，光源20射出的光被光扩散部件30扩散，从而能够照射于更宽的范围。
[0083]
在通过tof法进行三维测量的情况下，要求光源20通过驱动部50射出例如100mhz以上且上升时间为1ns以下的脉冲光(以下，称为出射光脉冲。)。在以面部认证为例的情况下，光所照射的距离为10cm左右至1m左右。光所照射的范围为1m见方左右。另外，将光所照射的距离称为测量距离，将光所照射的范围称为照射范围或测量范围。并且，将虚拟设置于照射范围或测量范围内的面称为照射面。另外，在面部认证以外的情况下，到被测物的测量距离及针对被测物的照射范围也可以为上述以外。
[0084]
3d传感器5具备多个受光元件(例如，640
×
480个受光元件)，输出相当于自光从光
源20射出的定时至由3d传感器5接收的定时为止的时间的信号。
[0085]
例如，3d传感器5的各受光元件接收针对来自光源20的出射光脉冲的来自被测物的脉冲状反射光(以下，称为受光脉冲。)，并针对每个受光元件蓄积与至受光为止的时间对应的电荷。3d传感器5构成为各受光元件具备两个栅极和与它们对应的电荷蓄积部的cmos结构的器件。并且，通过对两个栅极交替施加脉冲，将产生的光电子高速传送至两个电荷蓄积部中的任一个。与出射光脉冲和受光脉冲之间的相位差对应的电荷蓄积于两个电荷蓄积部。然后，3d传感器5经由ad转换器针对每个受光元件输出与出射光脉冲和受光脉冲之间的相位差对应的数字值作为信号。即，3d传感器5输出相当于自光从光源20射出的定时至由3d传感器5接收的定时为止的时间的信号。即，从3d传感器5获取与被测物的三维形状对应的信号。另外，ad转换器可以设置于3d传感器5，也可以设置于3d传感器5的外部。
[0086]
如上所述，测量装置1将光源20射出的光扩散并照射于被测物，并由3d传感器5接收来自被测物的反射光。如此，测量装置1测量被测物的三维形状。
[0087]
首先，对构成发光装置4的光源20、光扩散部件30、驱动部50及电容器70a、70b进行说明。
[0088]
(光源20的结构)
[0089]
图3是光源20的俯视图。光源20构成为，二维阵列状设置有多个vcsel。即，光源20构成为以vcsel为发光元件的发光元件阵列。将纸面的右方向设为x方向，将纸面的上方向设为y方向。
[0090]
将与x方向及y方向正交的方向设为z方向。另外，光源20的表面是指纸面的正面侧(即，+z方向侧)的面，光源20的背面是指纸面的背面侧(即，-z方向侧)的面。光源20的俯视图是从表面侧观察光源20时的图。
[0091]
若进一步说明，则在光源20中，将形成有发挥发光层(后述的活性区域206)的功能的外延层的一侧称为光源20的表面、正面侧或表面侧。
[0092]
vcsel为如下发光元件：在层压在半导体基板200上的下部多层膜反射镜与上部多层膜反射镜之间设置有作为发光区域的活性区域，并向与表面垂直的方向射出激光束。如此一来，相较于使用端面射出型激光的情况，vcsel容易二维阵列化。作为一例，光源20所具备的vcsel的数量为100个～1000个。另外，多个vcsel彼此并联连接，并且被并联驱动。上述vcsel的数量仅为一例，根据测量距离或照射范围来设定即可。
[0093]
如图4所示，光源20被分为多个发光分区24，并且按每个发光分区被驱动。在图4的例子中，如虚线所示，光源20被分为4
×
3的12个发光分区24
11
～24
34
，但发光分区的数量并不限于此。在不特别区分发光分区的情况下，简称为发光分区24。并且，在图4的例子中，一个发光分区24包括16个vcsel，但一个发光分区24所包括的vcsel的数量并不限于此，包括一个以上vcsel即可。
[0094]
在光源20的表面设置有多个vcsel共用的阳极电极218(参考图5)。在光源20的背面设置有阴极电极214(参考图5)。即，多个vcsel并联连接。通过并联连接多个vcsel来驱动，相较于单独驱动vcsel的情况，可射出强度更强的光。
[0095]
在此，光源20设为从表面侧观察时的形状(称为平面形状。以下相同。)为长方形。并且，将-y方向侧的侧面称为侧面21a，将+y方向侧的侧面称为侧面21b，将-x方向侧的侧面称为侧面22a，并且将+x方向侧的侧面称为侧面22b。侧面21a和侧面21b彼此相对。侧面22a
和侧面22b分别连接侧面21a和侧面21b，并且彼此相对。
[0096]
并且，将光源20的平面形状的中心(即，x方向及y方向的中央)设为中心ov。
[0097]
(驱动部50及电容器70a、70b)
[0098]
若要更高速地驱动光源20，则优选进行低侧驱动。低侧驱动是指相对于vcsel等驱动对象使mos晶体管等驱动元件位于电流路径的下游侧的结构。相反地，将使驱动元件位于上游侧的结构称为高侧驱动。
[0099]
图5是表示通过低侧驱动来驱动光源20时的等效电路的一例的图。在图5中，示出光源20的vcsel、驱动部50、电容器70a、70b及电源82。另外，电源82设置于图1所示的控制部8。电源82产生以+侧为电源电位且以-侧为基准电位的直流电压。电源电位向电源线83供给，基准电位向基准线84供给。另外，基准电位可以为接地电位(有时称为gnd。图5中标为[g]。)。
[0100]
如上所述，光源20由多个vcsel并联连接而构成。vcsel的阳极电极218(参考图3。图5中标为[a]。)与电源线83连接。
[0101]
如上所述，光源20被分为多个发光分区24，控制部8按每个发光分区24驱动vcsel。另外，在图5中，仅在一个发光分区24中图示了3个vcsel，省略了其他vcsel及发光分区的图示。
[0102]
如图5所示，在各vcsel与电源线83之间设置有开关元件sw，各开关元件sw根据来自控制部8的指令同时开启或关闭。由此，控制包括在一个发光分区24中的vcsel在同一定时发光或不发光。
[0103]
驱动部50具备n沟道型mos晶体管51和开启或关闭mos晶体管51的信号产生电路52。mos晶体管51的漏极(图5中标为[d]。)与vcsel的阴极电极214(参考图3。图5中标为[k]。)连接。mos晶体管51的源极(图5中标为[s]。)与基准线84连接。mos晶体管51的栅极与信号产生电路52连接。即，vcsel和驱动部50的mos晶体管51串联连接在电源线83与基准线84之间。信号产生电路52在控制部8的控制下产生使mos晶体管51成为开启状态的“h电平”的信号和使mos晶体管51成为关闭状态的“l电平”的信号。
[0104]
电容器70a、70b的一个端子与电源线83连接，另一个端子与基准线84连接。在存在多个电容器70的情况下，多个电容器70并联连接。在图5中，设为电容器70为2个电容器70a、70b。另外，电容器70例如为电解蓄电器或陶瓷蓄电器等。
[0105]
接着，对光源20的驱动方法(低侧驱动)进行说明。
[0106]
首先，控制部8开启希望使vcsel发光的发光分区24的开关元件sw，关闭不希望使vcsel发光的发光分区24的开关元件sw。
[0107]
以下，对开启了开关元件sw的发光分区24所包括的vcsel的驱动进行说明。
[0108]
首先，设为驱动部50中的信号产生电路52产生的信号为“l电平”。在该情况下，mos晶体管51处于关闭状态。即，mos晶体管51的源极(图5的[s])-漏极(图5的[d])之间没有电流流过。因此，与mos晶体管51串联连接的vcsel也没有电流流过。即，vcsel不发光。
[0109]
此时，电容器70a、70b与电源82连接，电容器70a、70b的与电源线83连接的一个端子成为电源电位，与基准线84连接的另一个端子成为基准电位。因此，电容器70a、70b被从电源82流过来的电流(供给的电荷)充电。
[0110]
接着，当驱动部50中的信号产生电路52产生的信号成为“h电平”时，mos晶体管51
从关闭状态转移到开启状态。如此一来，电容器70a、70b与串联连接的mos晶体管51及vcsel构成闭环，蓄积于电容器70a、70b的电荷供给至串联连接的mos晶体管51和vcsel。即，驱动电流流过vcsel，使vcsel发光。该闭环为驱动光源20的驱动电路。
[0111]
然后，当驱动部50中的信号产生电路52产生的信号重新成为“l电平”时，mos晶体管51从开启状态转移到关闭状态。由此，电容器70a、70b与串联连接的mos晶体管51及vcsel的闭环(驱动电路)成为开环，驱动电流不会流过vcsel。由此，vcsel停止发光。如此一来，电容器70a、70b从电源82被供给电荷而被充电。
[0112]
如上所述，每当信号产生电路52输出的信号转移到“h电平”和“l电平”时，mos晶体管51重复开启和关闭，使vcsel重复发光和不发光。mos晶体管51重复开启和关闭有时称为开关。
[0113]
在本示例性实施方式中，如图6所示，将3d传感器5分为多个受光分区26。受光分区26包括一个以上受光元件pd。在图6的例子中，一个受光分区26包括16个受光元件pd，但受光元件pd的数量并不限于此。另外，在图6的例子中，为了便于说明，与发光分区24相同地，将3d传感器5分为4
×
3个受光分区26
11
～26
34
，但也可以分为与发光分区24不同的数量。另外，在不特别区分受光分区的情况下，简称为受光分区26。
[0114]
并且，在本示例性实施方式中，假设在针对每个发光分区24使属于发光分区24的所有vcsel发光的情况下，直接接收光的受光元件pd所属的受光分区26是预先确定的。发光分区24与受光分区26之间的对应关系以分区对应表16b的形式预先存储于存储部16中(参考图2)。
[0115]
分区对应表16b例如根据在不存在障碍物等的状态下使每个发光分区24对预定被测物依次发光并由各受光分区26接收的光的受光量求出。
[0116]
另外，发光分区24和受光分区26可以为一对一、多对一、一对多及多对多中的任一对应关系，但在本示例性实施方式中，为了便于说明，设为一对一对应。
[0117]
若能够由3d传感器5仅接收从光源20射出的光直接入射于被测物而被其反射而产生的光，则能够精确地测量从光学装置3到被测物的距离。
[0118]
然而，实际上，3d传感器5具备未图示的透镜，存在原本不应接收光的受光元件接收到被该透镜多重反射的多余的光的透镜眩光的问题。另外，以下，将由受光元件直接接收的直接入射于被测物而被其反射而产生的光称为直接光。并且，将直接光以外的多余的光称为间接光。
[0119]
在因透镜眩光而不仅接收直接光而且还接收间接光的受光元件中，受光量有时会超过预期，导致饱和。并且，例如，在测量装置1与被测物之间存在用户的手指等障碍物的情况下，受光量有时也会因被障碍物反射的多余的间接光而超过预期。
[0120]
因此，在本示例性实施方式中，仅使与小于预定阈值的受光量的受光元件pd所属的受光分区26对应的发光分区24发光，而不使与预定阈值以上的受光量的受光元件pd所属的受光分区26对应的发光分区24发光。另外，有时将从使光源20发光至测定到被测物的距离的一连串的处理称为一体化。并且，以下，有时将属于发光分区24的vcsel发光简称为发光分区24发光。
[0121]
如此，发光的发光分区24的数量根据预定阈值以上的受光量的受光元件pd所属的受光分区26的数量而不同，但在使各发光分区24的光量保持不变的情况下，流过各发光分
区24的电流值不变，因此需要使供给至光源20整体的驱动电流随着发光分区24的数量增加而增加。
[0122]
在本示例性实施方式中，为了使发光的各发光分区24的光量不变，控制部8控制光源20及驱动部50，以使供给至光源20整体的驱动电流随着发光的发光分区24的数量增加而增加。若如此使驱动电流增加，则光源20的驱动电流上升的时间变长。其结果，到被测物的距离的测定精度会根据发光的发光分区24的数量而产生偏差。这是因为，由驱动部50驱动的总电流增加。另外，由于流过各发光分区24的电流值不变，因此自驱动电流被供给到光源20至发光分区24因弛豫振荡而实际上开始发光为止的延迟时间(发光的上升时间)不变。
[0123]
在本示例性实施方式中，控制驱动电流的供给定时，以便即使发光的发光分区24的数量发生变化，即，发光的发光分区24的配置发生变化，也使属于受光分区26的受光元件的受光定时的变化在预定范围内。在此，预定范围是指使到被测物的距离的测定误差在允许范围内的范围。
[0124]
具体地说，在即使发光的发光分区24的数量发生变化也不改变发光的发光分区24各自的光量的情况下，随着发光的发光分区24的数量增加而使发光的发光分区24的驱动电流的供给定时更早。由此，即使发光分区24的数量发生变化，受光元件pd的受光定时的变化也会在预定范围内，从而能够抑制到被测物的距离的测定精度的偏差。
[0125]
另外，发光的发光分区24的配置是指发光的发光分区24的位置，具体地说，是指图4中的xy平面上的位置。并且，发光的发光分区24的配置发生变化是指，发光的发光分区24的数量发生变化导致发光的发光分区24中的至少一个发光的发光分区24的位置发生变化，或者尽管发光的发光分区24的数量相同，但发光的发光分区24中的至少一个发光的发光分区24的位置发生变化。
[0126]
接着，对本示例性实施方式所涉及的测量装置1的作用进行说明。图7是表示由本示例性实施方式所涉及的测量装置1的控制部8执行的测量处理的流程的流程图。图7所示的测量处理通过由cpu12a读入存储于存储部16中的测量程序16a来执行。
[0127]
在步骤s100中，使驱动部50的mos晶体管51成为开启状态，并且使所有开关元件sw成为开启状态，以使光源20的所有发光分区24的vcsel发光。由此，所有vcsel发光。
[0128]
在步骤s102中，从3d传感器5获取由所有受光分区26的受光元件接收的光的受光量(电荷量)。
[0129]
在步骤s104中，判定是否存在受光量为预定阈值以上的受光元件。阈值设定为还接收直接光以外的间接光且能够判定受光量已饱和的值。并且，在存在受光量为预定阈值以上的受光元件的情况下，进入步骤s106。另一方面，在不存在受光量为预定阈值以上的受光元件的情况下，进入步骤s110。
[0130]
在步骤s106中，参考分区对应表16b来确定与受光量为阈值以上的受光元件所属的受光分区26对应的发光分区24。然后，以所确定的发光分区24以外的发光分区24为第一发光分区24，向第一发光分区24供给驱动电流，使属于第一发光分区24的vcsel发光预定次数。
[0131]
此时，根据第一发光分区24的数量来设定用于使第一发光分区24发光的驱动电流的供给定时t1。具体地说，随着第一发光分区24的数量增加而提前驱动电流的供给定时t1。作为一例，如图8a、8b所示，以使第一发光分区24的数量为12个(n＝12)时的驱动电流的供
给定时t1’比第一发光分区24的数量为1个(n＝1)时更早的方式设定驱动电流的供给定时。由此，即使第一发光分区24的数量发生变化，也能够抑制从第一发光分区24开始发光t2至受光元件的受光定时t3为止的时间发生变化。
[0132]
然后，从3d传感器5获取属于与发光的第一发光分区24对应的受光分区26的受光元件的受光量，并通过上述相位差法来测定到被测物的距离。即，使属于与受光量小于阈值的受光元件所属的受光分区26对应的第一发光分区24的vcsel发光来测定到被测物的距离。如此，使属于与间接光的影响较少的受光分区26对应的第一发光分区24的vcsel发光来测定到被测物的距离。另外，也可以仅获取属于与第一发光分区24对应的受光分区26的受光元件的受光量来测定到被测物的距离。
[0133]
另外，也可以代替根据第一发光分区24的数量来设定用于使第一发光分区24发光的驱动电流的供给定时t1，根据第一发光分区24的数量来设定3d传感器5的受光定时t3。具体地说，随着第一发光分区24的数量增加而延迟受光定时t3。作为一例，如图9a、9b所示，以使第一发光分区24的数量为12个(n＝12)时的受光定时t3’比第一发光分区24的数量为1个(n＝1)时更晚的方式设定受光定时。在此，受光定时是指使3d传感器5的受光生效的定时。如此，即使第一发光分区24的数量发生变化，也能够抑制从第一发光分区24开始发光t2至受光元件的受光定时t3为止的时间发生变化。
[0134]
在步骤s108中，使属于第一发光分区24以外的第二发光分区24的vcsel发光，并从3d传感器5获取属于与发光的第二发光分区24对应的受光分区26的受光元件的受光量，测定到被测物的距离。此时，使属于第二发光分区24的vcsel以比在步骤s106中使第一发光分区24的vcsel发光的次数n1少的次数n2发光。另外，次数n2设定为使由受光元件接收的光的受光量小于阈值的次数。由此，能够抑制由受光元件接收的光的受光量成为阈值以上。
[0135]
另外，在步骤s108中，也与步骤s106相同地，根据第二发光分区24的数量来设定用于使第二发光分区24发光的驱动电流的供给定时t1，或者根据第一发光分区24的数量来设定3d传感器5的受光定时t3。
[0136]
在步骤s110中，由于没有受光量为阈值以上的受光元件，因此根据在步骤s102中获取的所有受光元件的受光量来测定到被测物的距离。
[0137]
如此，在本示例性实施方式中，以与受光量小于预定阈值的受光元件所属的受光分区26对应的发光分区为第一发光分区24，以与受光量为预定阈值以上的受光元件所属的受光分区26对应的发光分区为第二发光分区24。并且，减少第二发光分区24的发光次数使第二发光分区24发光。
[0138]
例如，如图10所示，假设属于受光分区26
22
、26
23
、26
31
、26
34
的至少一部分受光元件的受光量为阈值以上，并且如箭头所示，周边的受光分区也接收到光。在该情况下，与受光分区26
22
、26
23
、26
31
、26
34
对应的发光分区24
22
、24
23
、24
31
、24
34
被设定为第二发光分区24，与除此之外的受光分区26对应的发光分区24被设定为第一发光分区24。
[0139]
另外，在图7的处理中，在执行步骤s106的处理之后执行了步骤s108的处理，但也可以同时执行步骤s106的处理和步骤s108的处理。即，同时执行第一发光分区24的发光和第二发光分区24的发光。由此，处理时间缩短。
[0140]
＜第二示例性实施方式＞
[0141]
接着，对第二示例性实施方式进行说明。另外，对与第一示例性实施方式相同的部
分标注相同的符号，并省略详细说明。
[0142]
测量装置1的结构与第一示例性实施方式相同，因此省略说明。
[0143]
第一示例性实施方式中说明的透镜眩光并不是将来自光源20的光照射于被测物并接收其反射光来测定到被测物的距离时发生的唯一的问题。例如，如图11所示，从光源20射出的光并非仅是直接入射于被测物28而被其反射而产生的直接光l1。例如，存在被壁32等障碍物等反射并经由多个路径以多路径光l2的形式由3d传感器5接收这一多路径的问题。
[0144]
受光元件因多路径而不仅接收直接光而且还接收原本不应接收的间接光，因此测得的距离的精度有时会受影响。
[0145]
因此，在本示例性实施方式中，不使与接收到原本不应接收的间接光的受光元件所属的受光分区26对应的第二发光分区24发光，而使属于第二发光分区24以外的第一发光分区24的vcsel发光来测定到被测物的距离。由此，如图12所示，在抑制了多路径光l2的影响的状态下测定到被测物28的距离。
[0146]
以下，对本示例性实施方式的作用进行说明。图13是表示由本示例性实施方式所涉及的测量装置1的控制部8执行的测量处理的流程的流程图。
[0147]
在步骤s200中，使未发光的一个发光分区24发光。即，使驱动部50的mos晶体管51成为开启状态，并且使未发光的一个发光分区24的开关元件sw成为开启状态，以使未发光的一个发光分区24的vcsel发光。由此，一个发光分区24的vcsel发光，其他发光分区24的vcsel不发光。
[0148]
在步骤s202中，从3d传感器5获取所有属于受光分区26的受光元件的受光量。
[0149]
在步骤s204中，参考分区对应表16b来确定与在步骤s200中发光的发光分区24对应的第一受光分区26。然后，根据在步骤s202中获取的所有属于受光分区26的受光元件的受光量来判定是否由第一受光分区26以外的第二受光分区26接收到光。
[0150]
然后，在由第二受光分区26接收到光的情况下，进入步骤s206，在未由第二受光分区26接收到光的情况下，进入步骤s208。
[0151]
在步骤s206中，将在步骤s200中发光的发光分区24设定为第二发光分区24。
[0152]
另一方面，在步骤s208中，将在步骤s200中发光的发光分区24设定为第一发光分区24。
[0153]
在步骤s210中，判定是否所有发光分区24已发光，并在所有发光分区24已发光的情况下，进入步骤s212。另一方面，在存在未发光的发光分区24的情况下，进入步骤s200，使未发光的发光分区24发光，进行与上述相同的处理。
[0154]
在步骤s212中，仅使在步骤s208中设定的第一发光分区24发光预定次数。
[0155]
此时，与第一示例性实施方式相同地，根据第一发光分区24的数量来设定用于使第一发光分区24发光的驱动电流的供给定时t1。即，随着第一发光分区24的数量增加而提前驱动电流的供给定时。
[0156]
然后，从3d传感器5获取各受光元件的受光量，并通过上述相位差法来测定到被测物的距离。
[0157]
另外，也可以与第一示例性实施方式相同地，代替根据第一发光分区24的数量来设定用于使第一发光分区24发光的驱动电流的供给定时t1，根据第一发光分区24的数量来
设定3d传感器5的受光定时t3。即，也可以随着第一发光分区24的数量增加而延迟受光定时t3。
[0158]
如此，在本示例性实施方式中，在由属于与发光的发光分区24对应的第一受光分区26以外的第二受光分区26的受光元件接收到光的情况下，使与第二受光分区26对应的第二发光分区24以外的第一发光分区24发光来测定到被测物的距离。
[0159]
以上，对示例性实施方式进行了说明，但本发明的技术范围并不限定于上述实施方式中记载的范围。可以在不脱离发明的宗旨的范围内对上述示例性实施方式进行各种变更或改进，经该变更或改进的方式也包括在本发明的技术范围内。
[0160]
并且，上述示例性实施方式并不限定于技术方案所涉及的发明，并且实施方式中说明的特征的所有组合并不一定是发明的解決方案所必要的。上述示例性实施方式包括各种阶段性发明，可以通过组合所公开的多个构成要件来提取各种发明。即使从示例性实施方式中示出的所有构成要件中删除若干个构成要件，只要能够获得效果，则也能够提取删除该若干个构成要件后的结构作为发明。
[0161]
例如，在第一示例性实施方式中，为了避免透镜眩光的影响，并且在第二示例性实施方式中，为了避免多路径的影响，根据发光的发光分区24的数量控制了驱动电流的供给定时t1或3d传感器5的受光定时t3，但例如有时也会以省电为目的希望减少发光分区24的数量进行发光。在该情况下，也可以与第一示例性实施方式及第二示例性实施方式相同地，根据发光分区24的数量来设定用于使发光分区24发光的驱动电流的供给定时t1。并且，也可以代替驱动电流的供给定时t1的设定，根据发光分区24的数量来设定3d传感器5的受光定时t3。
[0162]
并且，为了延长测定距离，有时会希望提高从一部分发光分区24发射的光的功率进行发光。在该情况下，即使发光的发光分区24的数量发生变化，也不改变发光的发光分区24整体的光量。由于光源20整体的驱动电流的大小与使所有发光分区24发光时相同，因此若减少发光的发光分区24的数量，则供给至一个发光分区24的驱动电流增加。
[0163]
并且，在减少了发光分区24的数量的情况下，驱动电流所流过的电流路径比使所有发光分区24发光时细，因此电感有时会增加。若电感增加，则mos晶体管51的漏极电压有时会因瞬变电流而下降，使得驱动电流的供给定时t1延迟。
[0164]
如此，若减少发光的发光分区24的数量，则根据供给至一个发光分区24的驱动电流增加与驱动电流的电流路径的电感增加之间的平衡，从供给驱动电流至实际上发光为止的时间既会缩短也会延长。
[0165]
因此，在即使发光的发光分区24的数量发生变化也不改变发光的发光分区24整体的光量的情况下，设定根据流向发光的发光分区24的驱动电流的电流路径的电感来确定的、驱动电流的供给定时t1。例如，预先通过实验等求出如从开始发光至受光定时为止的时间不发生变化的、发光分区24的数量与驱动电流的供给定时t1之间的对应关系，并将其存储于存储部16中。然后，设定与发光分区24的数量对应的供给定时t1即可。在该例子中，具体地说，随着电感增加，即，随着为了提高发光的光的功率而减少发光的发光分区24的数量，而提前驱动电流的供给定时t1。作为一例，如图14a、14b所示，以使发光的发光分区24的数量为1个(n＝1)时的驱动电流的供给定时t1’比发光的发光分区24的数量为12个(n＝12)时更早的方式设定驱动电流的供给定时。由此，即使发光的发光分区24的数量发生变化，也
能够抑制从发光的发光分区24开始发光t2至受光元件的受光定时t3为止的时间发生变化。并且，也可以代替驱动电流的供给定时t1的设定，根据发光分区24的数量来设定3d传感器5的受光定时t3。具体地说，随着电感增加，即，随着发光的发光分区24的数量减少，而延迟受光定时t3。作为一例，如图15a、15b所示，以使发光的发光分区24的数量为1个(n＝1)时的受光定时t3’比发光的发光分区24的数量为12个(n＝12)时更晚的方式设定受光定时。由此，即使发光的发光分区24的数量发生变化，也能够抑制从发光的发光分区24开始发光t2至受光元件的受光定时t3为止的时间发生变化。
[0166]
另外，在发光的发光分区24的数量相同但发光的发光分区24的位置不相同的情况下，可以根据发光的发光分区24的位置来控制驱动电流的供给定时t1及受光定时t3中的任一个。
[0167]
并且，在上述各示例性实施方式中，对根据发光的发光分区24的数量来控制驱动电流的供给定时t1及受光定时t3中的任一个的情况进行了说明，但也可以根据发光的发光分区24的数量来控制驱动电流的供给定时t1及受光定时t3这两者。
[0168]
并且，在上述示例性实施方式中，对流过各发光分区24的电流值不发生变化的情况进行了说明，但作为变形例，对改变流过各发光分区24的电流值的情况进行说明。
[0169]
也可以与发光的发光分区24的数量一并，根据测距范围来改变发光的各发光分区24的驱动电流。例如，若在不改变向光源20供给的驱动电流的总电流的情况下减少发光的发光分区24的数量，则发光的各发光分区24的驱动电流增加。此时，自驱动电流被供给到光源20至发光分区24的vcsel实际上开始发光为止的延迟时间缩短。
[0170]
该延迟时间td由下式表示。
[0171]
td＝τa
×
ln(jp/(jp-jth+jb))
···
(1)
[0172]
在此，τa为载流子寿命，jp为步进状驱动电流的电流值，jb为偏置电流的电流值，jth为阈值电流的电流值。并且，jb≤jth。
[0173]
根据上述(1)式，延迟时间td随着驱动电流的电流值jp增加而缩短。其结果，若改变每个发光的发光分区24的驱动电流，则到被测物的距离的测定精度会产生偏差。
[0174]
因此，根据延迟时间td，即根据驱动电流的电流值jp，来设定驱动电流的供给定时t1。具体地说，随着电流值jp减小而提前驱动电流的供给定时t1。作为一例，如图16a、16b所示，以使电流值jp较小时的驱动电流的供给定时t1’比电流值jp较大时更早的方式设定驱动电流的供给定时。由此，即使电流值jp发生变化，也能够抑制从发光的发光分区24开始发光t2至受光元件的受光定时t3为止的时间发生变化。并且，也可以代替驱动电流的供给定时t1的设定，根据电流值jp来设定3d传感器5的受光定时t3。具体地说，随着电流值jp减小而延迟受光定时t3。作为一例，如图17a、17b所示，以使电流值jp较小时的受光定时t3’比电流值jp较大时更晚的方式设定受光定时。由此，即使电流值jp发生变化，也能够抑制从发光的发光分区24开始发光t2至受光元件的受光定时t3为止的时间发生变化。
[0175]
并且，在上述各示例性实施方式中，对通过测定到被测物的距离来确定被测物的三维形状的情况进行了说明，但例如也可以仅检测预定距离以内是否存在被测物。
[0176]
并且，执行图7、13的处理中的控制光源20的驱动电流的供给定时的处理的控制部可以设为组装于发光装置4中的结构。
[0177]
另外，在上述示例性实施方式中，对测量程序16a安装于存储部16中的形式进行了
说明，但并不限定于此。也可以以记录在计算机可读取的存储介质中的形式提供上述示例性实施方式所涉及的测量程序16a。例如，也可以以记录在cd(compact disc(高密度光盘))-rom及dvd(digital versatile disc(数字通用光盘))-rom等光盘中的形式或记录在usb(universal serial bus(通用串行总线))存储器及存储卡等半导体存储器中的形式提供上述示例性实施方式所涉及的测量程序16a。并且，也可以经由与通信部14连接的通信线路从外部装置获取上述示例性实施方式所涉及的测量程序16a。
[0178]
在上述示例性实施方式中，处理器是指广义的处理器，包括通用的处理器(例如，cpu：central processing unit(中央处理器)等)或专用的处理器(例如，gpu：graphics processing unit(图形处理器))、asic：application specific integrated circuit(专用集成电路)、fpga：field programmable gate array(现场可编程门阵列)、可编程逻辑器件等)。
[0179]
并且，上述示例性实施方式中的处理器的动作不仅可以由一个处理器完成，也可以由在物理上存在于相隔的位置的多个处理器协作完成。并且，处理器的各动作的顺序并不仅限定于上述各示例性实施方式中记载的顺序，也可以适当进行变更。
[0180]
在上述示例性实施方式中，对将向与光源20的表面垂直的方向射出光的面发射型发光元件用作光源20的情况进行了说明，但也可以使用向与光源20的背面垂直的方向射出光的面发射型发光元件，也可以使用从光源20的侧面射出光的发光元件。并且，在上述实施方式中，对将激光元件用作发光元件的情况进行了说明，但也可以使用led(light emitting diode(发光二极管))等其他发光元件。
[0181]
并且，在上述示例性实施方式中，对包括在一个发光分区24中且由同一开关元件sw开启或关闭的多个发光元件被彼此相邻地设置的情况，即包括在一个发光分区24中的多个发光元件集中在一起成套的情况进行了说明，但并不限于此。包括在一个发光分区24中且由同一开关元件sw开启或关闭的多个发光元件也可以分散设置，而不彼此相邻。
[0182]
并且，在上述示例性实施方式中，以存在预定阈值以上的受光量的受光元件的情况和希望提高发光的光的功率的情况等为例进行了说明，但用途并不限定于此。例如，也可以适用于如下情况等：从另行准备的二维图像中自动检测希望三维测量的区域，并根据其结果来确定发光的发光分区的数量等。
[0183]
另外，本技术基于2021年3月25日申请的日本专利申请(日本特愿2021-051646)，其内容通过参考援用于本技术中。

技术特征：
1.一种检测装置，其具备：发光元件阵列，其具备多个发光元件；受光元件阵列，其具备多个受光元件，所述受光元件接收从所述发光元件阵列向检测对象物发射的光的反射光；驱动部，其驱动所述发光元件；以及检测部，其控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及所述受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。2.根据权利要求1所述的检测装置，其中，在即使发光的所述发光元件的数量发生变化也不改变发光的所述发光元件各自的光量的情况下，所述检测部根据发光的所述发光元件的数量来控制所述供给定时及所述受光定时中的至少一方。3.根据权利要求2所述的检测装置，其中，所述检测部控制所述供给定时，以使所述供给定时随着发光的所述发光元件的数量增加而变得更早。4.根据权利要求2所述的检测装置，其中，所述检测部控制所述受光定时，以使所述受光定时随着发光的所述发光元件的数量增加而变得更晚。5.根据权利要求1所述的检测装置，其中，在即使发光的所述发光元件的数量发生变化也不改变发光的所述发光元件整体的光量的情况下，所述检测部控制根据流向发光的所述发光元件的驱动电流的电流路径的电感来确定的所述供给定时及所述受光定时中的至少一方。6.根据权利要求5所述的检测装置，其中，所述检测部控制所述供给定时，以使所述供给定时随着发光的所述发光元件的数量减少而变得更早。7.根据权利要求5所述的检测装置，其中，所述检测部控制所述受光定时，以使所述受光定时随着发光的所述发光元件的数量减少而变得更晚。8.根据权利要求1至7中任一项所述的检测装置，其中，所述发光元件阵列中，多个发光分区均能够各自发光，所述发光分区包括至少两个以上发光元件，所述检测部针对所述多个发光分区的每一个控制所述发光元件的发光。9.根据权利要求1至8中任一项所述的检测装置，其中，所述检测部根据飞行时间来检测从所述检测装置到所述检测对象物的距离。10.一种检测装置，其具备处理器，所述处理器构成为：控制发光元件阵列所包括的多个发光元件的发光；及控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及受光元件阵列所包括的受光
元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。11.一种检测程序，其用于使计算机执行包括如下步骤的处理：控制发光元件阵列所包括的多个发光元件的发光；及控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及受光元件阵列所包括的受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。12.一种存储介质，其存储检测程序，所述检测程序用于使计算机执行包括如下步骤的处理：控制发光元件阵列所包括的多个发光元件的发光；及控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及受光元件阵列所包括的受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。13.一种检测方法，其包括如下步骤：控制发光元件阵列所包括的多个发光元件的发光；及控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及受光元件阵列所包括的受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。14.一种发光装置，其具备：发光元件阵列，其具备多个发光元件；驱动部，其驱动所述发光元件；以及控制部，其控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时，以便即使发光的所述发光元件的配置发生变化，也使从发光的所述发光元件开始发光至受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内。15.一种发光装置，其具备：发光元件阵列，其具备多个发光元件；驱动部，其驱动所述发光元件；以及控制部，其控制向所述发光元件供给驱动电流的供给定时，以使所述供给定时随着发光的所述发光元件的数量增加而变得更早。

技术总结
本发明的检测装置(1)具备：发光元件阵列(20)，其具备多个发光元件；受光元件阵列，其具备多个受光元件(5)，所述受光元件接收从所述发光元件阵列向检测对象物发射的光的反射光；驱动部(50)，其驱动所述发光元件；以及检测部(8)，其控制向发光的所述发光元件供给驱动电流的供给定时及所述受光元件的受光定时中的至少一方，以便即使发光的发光元件的配置发生变化，也使从发光的发光元件开始发光至所述受光元件的受光定时为止的时间的变化在预定范围内，并检测检测对象物。并检测检测对象物。并检测检测对象物。


技术研发人员：井口大介 近藤崇 崎田智明
受保护的技术使用者：富士胶片商业创新有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2023/10/5