芯片焊接结构的制作方法

1.本公开涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种芯片焊接结构。


背景技术：

2.随着显示技术的逐渐发展，micro-led技术越来越多地被应用。micro-led是一种小型的led芯片，其制作生产工艺包括对芯片的制备、芯片转移以及芯片的焊接。
3.目前的芯片一般是采用倒装焊技术将设置有芯片的芯片基板与设置有焊盘的焊盘基板进行对扣，使芯片与焊盘对接，对接好后，芯片上的金属电极与驱动板上的焊盘再通过热压实现焊接连接，然后再向阵列片与驱动板之间的缝隙注入填充胶，以实现固定。然而，由于空隙很小，填充胶流动受限，导致空隙很难填满，大大增加了金属电极与焊盘之间的焊点脱落的风险。


技术实现要素：

4.为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种芯片焊接结构。
5.本公开提供了一种芯片焊接结构，其包括芯片组件和焊盘组件；
6.所述芯片组件包括第一胶粘层和与所述第一胶粘层同侧设置的芯片，所述焊盘组件包括第二胶粘层和与所述第二胶粘层同侧设置的焊盘，所述芯片靠近所述焊盘的一侧设置，并且所述焊盘与所述芯片的位置相对应；
7.所述芯片组件与所述焊盘组件之间通过所述第一胶粘层和所述第二胶粘层粘接以形成对接状态，并且所述芯片组件与所述焊盘组件之间在对接状态下形成有封装空隙，所述第一胶粘层和所述第二胶粘层完整填充于所述封装空隙。
8.可选的，所述芯片组件包括芯片基板，所述芯片设置在所述芯片基板的内侧，所述第一胶粘层至少覆设于所述芯片基板的内侧的未设置所述芯片的部分上；
9.所述焊盘组件包括焊盘基板，所述焊盘设置在所述焊盘基板的内侧，所述第二胶粘层至少覆设于所述焊盘基板的内侧的未设置所述焊盘的部分上。
10.可选的，所述芯片基板与所述焊盘基板之间形成所述封装空隙，所述第一胶粘层和所述第二胶粘层的厚度之和等于所述封装空隙沿所述芯片基板朝向所述焊盘基板的方向的厚度。
11.可选的，所述第一胶粘层的厚度高于所述芯片的高度，所述第二胶粘层的厚度低于所述焊盘的高度。
12.可选的，所述芯片的数量为至少两个，所有所述芯片间隔布设在所述芯片基板的内侧；
13.所述焊盘的数量为至少两个，所有所述焊盘间隔布设在所述焊盘基板的内侧。
14.可选的，在所述芯片基板的内侧，所有所述芯片之间的间隙形成第一空隙，在所述焊盘基板的内侧，所有所述焊盘之间的间隙形成第二空隙；
15.所述芯片与所述焊盘一一对应设置，以使所述芯片组件与所述焊盘组件在对接状态下，所述第一空隙和所述第二空隙连通，以形成所述封装空隙。
16.可选的，所述芯片基板为pcb板，硅基板或玻璃基板；
17.和/或，所述焊盘基板为pcb板，硅基板或玻璃基板。
18.可选的，所述第一胶粘层和所述第二胶粘层均通过亲水性胶体形成，或者所述第一胶粘层和所述第二胶粘层均通过疏水性胶体形成。
19.可选的，所述第一胶粘层通过涂覆在所述芯片组件上的所述亲水性胶体或所述疏水性胶体加温固化形成；
20.和/或，所述第二胶粘层通过涂覆在所述焊盘组件上的所述亲水性胶体或所述疏水性胶体加温固化形成。
21.可选的，所述第一胶粘层和所述第二胶粘层的厚度之和不大于25μm；
22.其中，所述第一胶粘层的厚度为10μm～15μm。
23.本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
24.本公开提供的芯片焊接结构，通过在芯片组件和焊盘组件的相对应的一侧分别覆设第一胶粘层和第二胶粘层，当芯片组件上的芯片与焊盘组件上的焊盘对接以形成对接状态后，芯片组件的第一胶粘层与焊盘组件的第二胶粘层相互粘接，并且完整填充在芯片组件和焊盘组件之间的封装空隙内，相比于芯片和焊盘对接后再进行注胶的方式，有效保证了胶水的完全填充，进一步保证了芯片组件与焊盘组件的固定效果，防止松脱，而且操作更加方便。
附图说明
25.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
26.为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1为本公开实施例所述的芯片焊接结构的芯片组件的部分结构示意图；
28.图2为本公开实施例所述的芯片焊接结构的芯片组件的结构示意图；
29.图3为本公开实施例所述的芯片焊接结构的焊盘组件的部分结构示意图；
30.图4为本公开实施例所述的芯片焊接结构的焊盘组件的结构示意图；
31.图5为本公开实施例所述的芯片焊接结构的芯片组件和焊盘组件的对接示意图；
32.图6为本公开实施例所述的芯片焊接结构的结构示意图；
33.图7为本公开实施例所述的芯片焊接结构的芯片焊接的方法的流程示意图。
34.其中，1、芯片组件；11、芯片；12、第一胶粘层；13、芯片基板；2、焊盘组件；21、焊盘；22、第二胶粘层；23、焊盘基板。
具体实施方式
35.为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可
以相互组合。
36.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
37.如图1-7所示，本实施例提供一种芯片焊接结构，其包括芯片组件1和焊盘组件2，芯片组件1包括第一胶粘层12和与第一胶粘层12同侧设置的芯片11，焊盘组件2包括第二胶粘层22和与第二胶粘层22同侧设置的焊盘21，焊盘与芯片的位置相对应。
38.芯片组件1与焊盘组件2之间通过第一胶粘层12和第二胶粘层22粘接以形成对接状态，并且芯片组件1与焊盘组件2之间在对接状态下形成有封装空隙，第一胶粘层12和第二胶粘层22完整填充于封装空隙。
39.其中，芯片11的朝向焊盘组件2的表面设置有芯片电极，用于和焊盘组件2上的焊盘21进行对接，具体地，在对接状态下，芯片电极在芯片组件1和焊盘组件2对接后与焊盘21实现接触，然后通过对整体进行加温压合，实现芯片11与焊盘21之间的电连接。芯片11上的电极可通过在芯片11表面蒸镀金属形成。
40.本实施例提供的芯片焊接结构，通过在芯片组件1和焊盘组件2的相对应的一侧分别覆设第一胶粘层12和第二胶粘层22，当芯片组件1上的芯片11与焊盘组件2上的焊盘21对接以形成对接状态后，芯片组件1的第一胶粘层12与焊盘组件2的第二胶粘层22相互粘接，并且完整填充在芯片组件1和焊盘组件2之间的封装空隙内，相比于芯片11和焊盘21对接后再进行注胶的方式，有效保证了胶水的完全填充，进一步保证了芯片组件1与焊盘组件2的固定效果，防止松脱，而且操作更加方便。
41.在一些实施例中，第一胶粘层12和第二胶粘层22可均通过亲水性胶体形成。亲水性胶体，指其胶体具有亲水性，即，对水有亲和能力，能够吸引水分子或溶解于水。当第一胶粘层12和第二胶粘层22均为亲水性胶体时，第一胶粘层12和第二胶粘层22之间能够相互亲和，从而产生相互吸引的分子间作用力，使两个胶粘层更易实现接合处的分子混合，以起到较好的粘接效果。在本实施例中，亲水性胶体可使用例如水性丙烯酸酯胶、聚氨酯胶或聚乙烯醇胶等均可。
42.在其他实施例中，第一胶粘层12和第二胶粘层22也可均通过疏水性胶体形成。疏水性胶体，则指胶体具有疏水性，即分子与水互相排斥，例如多数的脂类物质。当第一胶粘层12和第二胶粘层22均为疏水性胶体时，与上述的第一胶粘层12和第二胶粘层22均为亲水性胶体的效果同理。在本实施例中，疏水性胶体可使用例如油性丙烯酸酯胶、硅酮胶或无影胶等均可。
43.具体可参见图5所示，在设置第一胶粘层12和第二胶粘层22时，只要保证第一胶粘层12的胶体和第二胶粘层22的胶体为同种属性的胶体即可，这样则能够利用两个胶体相互亲和的性质使芯片11或焊盘21表面覆设的胶体则能沿着胶体引力方向30被吸引移动至芯片11或焊盘21的旁侧，从而进一步保证了芯片11与焊盘21之间的连接可靠性。
44.由于胶体在形成胶粘层前为液体状，其形态不稳定，不利于芯片组件1和焊盘组件2的倒装。因此，可使第一胶粘层12通过涂覆在芯片组件1上的亲水性胶体或疏水性胶体加温固化形成，和/或，第二胶粘层22通过涂覆在焊盘组件2上的亲水性胶体或疏水性胶体加温固化形成。
45.倒装的方式需要芯片组件1和焊盘组件2的其中一者进行翻折，从而使芯片11能够和焊盘21进行对位，通常情况下为将芯片组件1倒置，使其位于焊盘组件2的上方，然后进行对接热压，因此，在本实施例中，至少保证第一胶粘层12需要经过胶体加温固化形成。第二胶粘层22为液体状流动状态，或者也经过加温以固化均可。
46.在其他可实现的方式中，对于胶粘层的加温固化，也可采用常温固化或者紫外固化的方式，只要保证最终形成的胶粘层为固体形态即可。
47.在一些实施例中，芯片组件1具体包括有芯片基板13，芯片11设置在芯片基板13的内侧，第一胶粘层至少覆设在芯片基板13的内侧的未设置芯片的部分上。焊盘组件2具体包括有焊盘基板23，焊盘21设置在焊盘基板的内侧，第二胶粘层至少覆设在焊盘基板23的内侧的未设置焊盘21的部分上。
48.在此基础上，芯片组件1和焊盘组件2之间的封装空隙则通过芯片基板13与焊盘基板23之间的空隙形成。
49.示例性的，为了进一步保证芯片组件1和焊盘组件2之间通过第一胶粘层12和第二胶粘层22粘接后，芯片组件1和焊盘组件2之间的缝隙不会存在空隙，可使第一胶粘层12和第二胶粘层22的厚度之和等于封装空隙沿芯片基板13朝向焊盘基板23的方向的厚度。具体地，关于第一胶粘层12和第二胶粘层22可通过计算芯片组件1和焊盘组件2的表面积以及芯片11和焊盘21对接焊接后两者相加的总高度来得到芯片组件1和焊盘组件2的缝隙之间的容积，通过缝隙容积去调配所需要的胶体体积。
50.在一种可实现的方式中，可使第一胶粘层12的厚度高于芯片11的高度，第二胶粘层22的厚度低于焊盘21的高度。这样设置，能够在将芯片组件1翻转后，使芯片组件1表面的胶体由于胶体分子间的吸引力产生自然流动，还能在粘接前保护芯片11的表面。
51.示例性地，当芯片组件1和焊盘组件2对接后形成对接状态后，第一胶粘层12和第二胶粘层22的厚度之和，即芯片组件1和焊盘组件2之间的封装间隙的厚度维持在不大于25μm的范围内，例如20微米。其中，第一胶粘层12的厚度可保持在10μm至15μm之间，同样地，第二胶粘层22的厚度也可保持在10μm至15μm之间。
52.在将芯片组件1倒置在焊盘组件2上方后，第一胶粘层12和第二胶粘层22之间可通过热压方式粘接连接。具体可借助热压操作台，通过外部的压紧力和加热作用，将第一胶粘层12和第二胶粘层22进行融化，进而更好地实现两者间的粘接融和。同时，热压作用也使芯片11和焊盘21之间实现了连接。
53.在一些实施例中，芯片组件1具体包括有至少两个芯片11，所有芯片11间隔排布在芯片基板13的内侧。相对应地，焊盘组件2包括至少两个焊盘21，所有焊盘21间隔排布在焊盘基板23的内侧，且与芯片11的位置相对应。芯片11与焊盘21的大小相对应，方便芯片11与焊盘21之间进行对接。
54.在芯片基板13上设置有至少两个芯片时，在芯片基板13的内侧，所有芯片11之间的间隙形成第一空隙。在焊盘基板23上设置有至少两个焊盘21时，在焊盘基板23的内侧，所有焊盘23之间的间隙形成第二空隙。
55.芯片11与焊盘21一一对应设置，以使芯片组件1与焊盘组件2在对接状态下，第一空隙和第二空隙连通，以形成封装空隙。
56.在一些实施例中，芯片基板13可选择使用pcb板，硅基板或玻璃基板，同样地，焊盘
基板23为pcb板，硅基板或玻璃基板。具体根据操作人员的需求灵活选择。
57.如图7所示，对应上述芯片焊接结构的设置，本实施例还提供一种芯片焊接的方法，其具体包括以下步骤：
58.步骤101、至少向芯片基板各相邻的两个芯片之间的空隙中滴入胶体后，加温固化，以形成第一胶粘层；
59.步骤102、至少向焊盘基板的各相邻的两个焊盘之间的空隙中滴入胶体，形成第二胶粘层；
60.步骤103、将芯片基板倒置在焊盘基板的上方，使所有芯片与焊盘进行对位抵接以形成对接状态后，对芯片基板和焊盘基板进行热压，使芯片与焊盘焊接连接，第一胶粘层和第二胶粘层粘接融和。
61.其中，在步骤102和步骤103中，由于是采用将芯片基板13倒置在焊盘基板23的上方，因此需要将第一胶粘层12进行加温固化，防止对接过程中第一胶粘层12产生流动，影响胶体分布的均匀性。在其他实施例中，也可使第一胶粘层12不加温固化，而使第二胶粘层22加温固化，相对应地，将焊盘基板23倒置在芯片基板13的上方即可。
62.需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
63.以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种芯片焊接结构，其特征在于，包括芯片组件(1)和焊盘组件(2)；所述芯片组件(1)包括第一胶粘层(12)和与所述第一胶粘层(12)同侧设置的芯片(11)，所述焊盘组件(2)包括第二胶粘层(22)和与所述第二胶粘层(22)同侧设置的焊盘(21)，所述芯片(11)靠近所述焊盘(21)的一侧设置，并且所述焊盘(21)与所述芯片(11)的位置相对应；所述芯片组件(1)与所述焊盘组件(2)之间通过所述第一胶粘层(12)和所述第二胶粘层(22)粘接以形成对接状态，并且所述芯片组件(1)与所述焊盘组件(2)之间在对接状态下形成有封装空隙，所述第一胶粘层(12)和所述第二胶粘层(22)完整填充于所述封装空隙。2.根据权利要求1所述的芯片焊接结构，其特征在于，所述芯片组件(1)包括芯片基板(13)，所述芯片(11)设置在所述芯片基板(13)的内侧，所述第一胶粘层(12)至少覆设于所述芯片基板(13)的内侧的未设置所述芯片(11)的部分上；所述焊盘组件(2)包括焊盘基板(23)，所述焊盘(21)设置在所述焊盘基板(23)的内侧，所述第二胶粘层(22)至少覆设于所述焊盘基板(23)的内侧的未设置所述焊盘(21)的部分上。3.根据权利要求2所述的芯片焊接结构，其特征在于，所述芯片基板(13)与所述焊盘基板(23)之间形成所述封装空隙，所述第一胶粘层(12)和所述第二胶粘层(22)的厚度之和等于所述封装空隙沿所述芯片基板(13)朝向所述焊盘基板(23)的方向的厚度。4.根据权利要求3所述的芯片焊接结构，其特征在于，所述第一胶粘层(12)的厚度高于所述芯片(11)的高度，所述第二胶粘层(22)的厚度低于所述焊盘(21)的高度。5.根据权利要求2所述的芯片焊接结构，其特征在于，所述芯片(11)的数量为至少两个，所有所述芯片(11)间隔布设在所述芯片基板(13)的内侧；所述焊盘(21)的数量为至少两个，所有所述焊盘(21)间隔布设在所述焊盘基板(23)的内侧。6.根据权利要求5所述的芯片焊接结构，其特征在于，在所述芯片基板(13)的内侧，所有所述芯片(11)之间的间隙形成第一空隙，在所述焊盘基板(23)的内侧，所有所述焊盘(21)之间的间隙形成第二空隙；所述芯片(11)与所述焊盘(21)一一对应设置，以使所述芯片组件(1)与所述焊盘组件(2)在对接状态下，所述第一空隙和所述第二空隙连通，以形成所述封装空隙。7.根据权利要求2所述的芯片焊接结构，其特征在于，所述芯片基板(13)为pcb板，硅基板或玻璃基板；和/或，所述焊盘基板(23)为pcb板，硅基板或玻璃基板。8.根据权利要求1-7中任一项所述的芯片焊接结构，其特征在于，所述第一胶粘层(12)和所述第二胶粘层(22)均通过亲水性胶体形成，或者所述第一胶粘层(12)和所述第二胶粘层(22)均通过疏水性胶体形成。9.根据权利要求8所述的芯片焊接结构，其特征在于，所述第一胶粘层(12)通过涂覆在所述芯片组件(1)上的所述亲水性胶体或所述疏水性胶体加温固化形成；和/或，所述第二胶粘层(22)通过涂覆在所述焊盘组件(2)上的所述亲水性胶体或所述疏水性胶体加温固化形成。10.根据权利要求1-7中任一项所述的芯片焊接结构，其特征在于，所述第一胶粘层
(12)和所述第二胶粘层(22)的厚度之和不大于25μm；其中，所述第一胶粘层(12)的厚度为10μm～15μm。

技术总结
本公开涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种芯片焊接结构，其包括芯片组件和焊盘组件；芯片组件包括第一胶粘层和与第一胶粘层同侧设置的芯片，焊盘组件包括第二胶粘层和与第二胶粘层同侧设置的焊盘，芯片靠近焊盘的一侧设置，并且焊盘与芯片的位置相对应；芯片组件与焊盘组件之间通过第一胶粘层和第二胶粘层粘接以形成对接状态，并且芯片组件与焊盘组件之间在对接状态下形成有封装空隙，第一胶粘层和第二胶粘层完整填充于封装空隙，相比于芯片和焊盘对接后再进行注胶的方式，有效保证了胶水的完全填充，进一步保证了芯片组件与焊盘组件的固定效果，且操作更加方便。且操作更加方便。且操作更加方便。


技术研发人员：赵云飞
受保护的技术使用者：闻泰通讯股份有限公司
技术研发日：2023.02.06
技术公布日：2023/9/26