半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

半导体装置及半导体装置的制造方法
1.[相关申请]
[0002]
本技术享有以日本专利申请2022-041598号(申请日：2022年3月16日)为基础申请的优先权。本技术通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
[0003]
本实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。


背景技术：

[0004]
在半导体封装中，有时会设置电极垫用于电连接。对于电极垫，期望连接可靠性高。


技术实现要素：

[0005]
本发明提供一种能提高可靠性的半导体装置及半导体装置的制造方法。
[0006]
本实施方式的半导体装置具备：绝缘部件，具有第1面；柱状电极，具有至少1层第1金属层、及第2金属层，所述至少1层第1金属层沿与所述第1面大致垂直的方向延伸到所述绝缘部件中，且至少一部分从所述绝缘部件的所述第1面露出，所述第2金属层的至少一部分从所述绝缘部件露出，且设置在所述第1金属层的内侧；部件，设置在所述第1面上，且以从大致垂直于所述第1面的第1方向观察时，与所述第1金属层的至少一部分重叠的方式配置；以及电极，以被覆所述部件的方式设置在所述第1面上，且与所述柱状电极电连接。
附图说明
[0007]
图1是表示第1实施方式的半导体装置的构成的一例的剖视图。
[0008]
图2是表示第1实施方式的电极垫及柱状电极的构成的一例的图。
[0009]
图3a是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的一例的图。
[0010]
图3b是表示继图3a之后的半导体装置的制造方法的一例的图。
[0011]
图3c是表示继图3b之后的半导体装置的制造方法的一例的图。
[0012]
图3d是表示继图3c之后的半导体装置的制造方法的一例的图。
[0013]
图3e是表示继图3d之后的半导体装置的制造方法的一例的图。
[0014]
图4是表示第2实施方式的半导体装置的构成的一例的图。
具体实施方式
[0015]
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本发明。附图是示意性或概念性的图，各部分的比率等不一定与实物相同。在说明书及附图中，对与上文中关于已示出的附图所叙述的要素相同的要素标注相同的符号，并适当省略详细的说明。
[0016]
(第1实施方式)
[0017]
图1是表示第1实施方式的半导体装置1的构成的一例的剖视图。半导体装置1具备
积层体s1、柱状电极30、金属凸块160、电极垫170、树脂层90、半导体芯片200、金属凸块210、底部填充胶220、粘接剂230、配线衬底100及金属凸块150。半导体装置1例如可以是nand(not-and，与非)型闪存、lsi(large scale integration，大规模集成电路)等半导体封装。
[0018]
积层体s1设置在配线衬底100的上方。积层体s1具有半导体芯片10及粘接层20。粘接层20例如为daf(die attachment film，裸片粘接膜)。积层体s1是多个半导体芯片10向与积层方向垂直的方向错开地积层而成的积层体。
[0019]
多个半导体芯片10分别具有第1面f10a、及与第1面f10a为相反侧的第2面f10b。存储单元阵列、晶体管或电容器等半导体元件(未图示)形成在各半导体芯片10的第1面f10a上。半导体芯片10的第1面f10a上的半导体元件由未图示的绝缘膜被覆而加以保护。该绝缘膜例如使用氧化硅膜或氮化硅膜等无机系绝缘材料。此外，该绝缘膜也可以使用在无机系绝缘材料上形成有机系绝缘材料而成的材料。作为有机系绝缘材料，例如使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、pbo(p-phenylenebenzobisoxazole，聚对苯撑苯并二噁唑)系树脂、硅酮系树脂、苯并环丁烯系树脂等树脂、或它们的混合材料、复合材料等有机系绝缘材料。半导体芯片10例如可以是nand型闪存的存储芯片或搭载任意lsi的半导体芯片。半导体芯片10可以是彼此具有相同构成的半导体芯片，也可以是彼此具有不同构成的半导体芯片。
[0020]
多个半导体芯片10积层，通过粘接层20而粘接。作为粘接层20，例如使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、pbo(p-phenylenebenzobisoxazole)系树脂、硅酮系树脂、苯并环丁烯系树脂等树脂、或它们的混合材料、复合材料等有机系绝缘材料。多个半导体芯片10分别具有在第1面f10a上露出的电极垫15。在半导体芯片10(上层半导体芯片10)之下积层的其它半导体芯片10(下层半导体芯片10)是以不重叠在上层半导体芯片10的电极垫15上的方式，相对于上层半导体芯片10的设置着电极垫15的边沿大致垂直方向(x方向)错开而积层。
[0021]
电极垫15与设置于半导体芯片10的任一半导体元件电连接。电极垫15例如使用cu、ni、w、au、ag、pd、sn、bi、zn、cr、al、ti、ta、tin、tan、crn等单一成分、它们中的2种以上的复合膜、或它们中的2种以上的合金等低电阻金属。
[0022]
柱状电极30连接于半导体芯片10的电极垫15，在多个半导体芯片10的积层方向(z方向)上延伸。粘接层20被局部去除以使电极垫15的一部分露出，从而使柱状电极30能够连接于电极垫15。或者，粘接层20贴附在下层半导体芯片10的第2面f10b，且以不与上层半导体芯片10的电极垫15重叠的方式设置。柱状电极30的上端例如通过导线结合法而与电极垫15连接。柱状电极30的下端到达树脂层91的下表面，并在该下表面露出。柱状电极30的下端与配线衬底100的电极垫(未图示)连接。柱状电极30的材料例如使用au、cu、ag、pd、pt等导电性金属、或至少包含其中一种的合金。
[0023]
金属凸块160设置在配线衬底100的电极垫(未图示)上。金属凸块160例如使用sn、ag、cu、au、pd、bi、zn、ni、sb、in、ge的单质、它们中的2种以上的复合膜、或合金。
[0024]
电极垫170设置在树脂层91的下表面。电极垫170与柱状电极30电连接。电极垫170将柱状电极30与金属凸块160电连接。此外，关于电极垫170与柱状电极30的连接的详细情况，将参照图2在下文中进行说明。
[0025]
树脂层90被覆(密封)积层体s1、柱状电极30及金属凸块160等。
[0026]
树脂层90例如使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、pbo(p-phenylenebenzobisoxazole)系树脂、硅酮系树脂、苯并环丁烯系树脂等树脂、或它们的混合材料、复合材料等有机系绝缘材料。
[0027]
树脂层90具有树脂层91、92。
[0028]
树脂层91具有与配线衬底100对向的面f91。树脂层91被覆积层体s1及柱状电极30。在树脂层91的下表面即面f91设置着与柱状电极30的下端连接的电极垫170。
[0029]
树脂层92以填充树脂层91与配线衬底100之间的方式设置，且以被覆树脂层91的方式设置。
[0030]
树脂层91与树脂层92之间材料或特性可以相同。此外，树脂层91与树脂层92之间材料或特性也可以不同。树脂层91与树脂层92之间，例如硬化收缩率、弹性模量、线膨胀系数、及玻璃转移点(tg)中的至少1个不同。树脂层91、树脂层92可以使用所谓的模具树脂。模具树脂是在树脂层中混合有无机绝缘物的填料。树脂层91与树脂层92中，填料与树脂的混合率、填料的材质、填料的形状、填料的直径等可以不同。
[0031]
半导体芯片200具有第1面f200a、及与第1面f200a为相反侧的第2面f200b。晶体管或电容器等半导体元件(未图示)形成在各半导体芯片200的第1面f200a上。半导体芯片200的第1面f200a上的半导体元件由未图示的绝缘膜被覆而加以保护。该绝缘膜例如使用氧化硅膜或氮化硅膜等无机系绝缘材料。此外，该绝缘膜也可以使用在无机系绝缘材料上形成有机系绝缘材料而成的材料。作为有机系绝缘材料，例如使用酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、pbo(p-phenylenebenzobisoxazole)系树脂、硅酮系树脂、苯并环丁烯系树脂等树脂、或它们的混合材料、复合材料等有机系绝缘材料。半导体芯片200例如可以是控制存储芯片(半导体芯片10)的控制器芯片或搭载任意lsi的半导体芯片。
[0032]
半导体芯片200设置在配线衬底100上。半导体芯片200在第1面f200a上具有金属凸块210。
[0033]
金属凸块210与半导体芯片200的电极垫(未图示)连接。金属凸块210与配线衬底100的电极垫(未图示)连接。
[0034]
底部填充胶220是以填充半导体芯片200与配线衬底100之间的方式设置的，被覆金属凸块210的周围而加以保护。
[0035]
粘接剂230设置在树脂层91与半导体芯片200之间。
[0036]
配线衬底100是包含配线层与绝缘层的多层衬底。绝缘层例如为预浸料。绝缘层例如为玻璃布等纤维状补强材与环氧树脂等热固性树脂的复合材料。
[0037]
金属凸块150设置在配线衬底100之下，电连接于配线衬底100的配线层。金属凸块150用于与外部装置(未图示)的连接。金属凸块150例如使用sn、ag、cu、au、pd、bi、zn、ni、sb、in、ge的单质、它们中的2种以上的复合膜、或合金。
[0038]
接下来，对电极垫170与柱状电极30的连接的详细情况进行说明。此外，以下，将-z方向设为上方向。
[0039]
图2是表示第1实施方式的电极垫170及柱状电极30的构成的一例的图。图2的左侧是将图1所示的虚线框d内的电极垫170及其周边放大所得的剖视图。另外，图2的剖视图是由图1使上下反转来表示的。图2的右侧是表示从-z方向观察时的电极垫170的周边的俯视
图。另外，在图2的俯视图中，省略了电极垫170及金属层171、172。此外，图2的剖视图是对应于图2的俯视图的沿a-a线的剖面的剖视图。
[0040]
柱状电极(导线)30在面f91的周边，沿着与面f91大致垂直的方向(z方向)贯通树脂层91。从与面f91大致垂直的方向观察时，柱状电极30的外周部从面f91露出。此外，柱状电极30在上端部具有凹部33。即，柱状电极30在从大致垂直于面f91的方向观察时的柱状电极30的中心部，具有从面f91凹陷的凹部33。凹部33的深度例如为约5μm。另外，柱状电极30的外周部对应于下文进行说明的金属层32。此外，柱状电极30的中心部对应于下文进行说明的柱状电极部件31。
[0041]
柱状电极30具有柱状电极部件31及金属层32。柱状电极30的凹部33具有作为金属层32的侧面部、及作为柱状电极部件31的底部。
[0042]
柱状电极部件(导线部件)31在树脂层91的内部具有端部311。即，柱状电极部件31在树脂层91的内部终止。柱状电极部件31的材料例如使用au、cu、ag、pd、pt、ni等导电性金属、或至少包含其中一种的合金。以下，对使用cu作为柱状电极部件31的材料的情况进行说明。
[0043]
电极垫170以与柱状电极部件31电连接的方式在凹部33的内部延伸。因此，柱状电极部件31与电极垫170的交界位于树脂层91的内部。电极垫170的材料例如使用ni、cu等。以下，对使用ni作为电极垫170的材料的情况进行说明。
[0044]
金属层(第1金属层)32被覆柱状电极部件31的外周。另外，柱状电极部件31的外周是从柱状电极部件31的延伸方向(z方向)观察时的外周。金属层32沿-z方向延伸，直至从面f91露出。金属层32保护柱状电极部件31不被氧化等。由此，能够容易地处理柱状电极部件31。金属层32的材料例如使用pd、au、ag、pt等贵金属。以下，对使用pd作为金属层32的材料的情况进行说明。
[0045]
此处，如上所述，电极垫170延伸到通过柱状电极部件31凹陷而设置的凹部33的内部。由此，能够利用投锚效应提高电极垫170的强度。结果能够提高电极垫170的连接可靠性。此外，如下文所说明，通过形成凹部33来去除柱状电极部件31的研磨条痕及加工影响区域，也能提高电极垫170的强度。
[0046]
但是，如果设置凹部33，则金属层32变得不稳定，金属层32有可能发生剥离而倒向凹部33内。
[0047]
因此，半导体装置1还具备部件180。部件180是为了固定金属层32而设置的。
[0048]
部件180设置在面f91上。部件180以从大致垂直于面f91的方向观察时，与柱状电极30的外周部的至少一部分重叠的方式配置。更详细来说，部件180以从大致垂直于面f91的方向观察时，与从面f91露出的金属层32的至少一部分重叠的方式配置。在图2的俯视图所示的例子中，部件180例如呈大致环状配置。
[0049]
此外，部件180以从大致垂直于面f91的方向观察时，不与柱状电极30的至少一部分重叠的方式配置。即，部件180以不完全盖住柱状电极30的方式配置。
[0050]
部件180的材料例如使用ni、co、au、ag、pd、rh、pt、in、sn等金属、或它们中的2种以上的合金。部件180的材料优选与柱状电极部件31的材料不同，以使其在参照图3c于下文进行说明的步骤中，不会因对柱状电极部件31进行的蚀刻而被去除。以下，对将ni用作部件180的材料的情况进行说明。
[0051]
另外，部件180的材料例如也可以使用pi(polyimide，聚酰亚胺)等有机物。例如，可以使用感光性pi，通过光刻法而形成部件180。
[0052]
电极垫170以被覆部件180的方式设置在面f91上。
[0053]
半导体装置1还具备被覆电极垫170的至少1层金属层(第2金属层)。更详细来说，半导体装置1还具备金属层171、172。
[0054]
金属层171、172的材料例如使用au、pd等贵金属。由此，能够保护电极垫170。以下，对使用pd作为金属层171的材料，且使用au作为金属层172的材料的情况进行说明。
[0055]
另外，金属层171、172的材料例如也可以使用in、sn等低熔点金属。由此，能够容易地将电极垫170与金属凸块160连接。
[0056]
接下来，对电极垫170及部件180的形成方法进行说明。
[0057]
图3a～3e是表示第1实施方式的半导体装置1的制造方法的一例的图。图3a～图3e的左侧与图2的左侧同样地表示剖视图。图3a～图3d的右侧与图2的右侧同样地表示俯视图。
[0058]
首先，如图3a所示，形成具有柱状电极部件31及金属层32的柱状电极30，形成被覆柱状电极30的树脂层91，对树脂层91进行研磨以使柱状电极30的上端部34从面f91露出。对树脂层91的研磨例如通过机械研磨来进行，但也可以通过cmp(chemical mechanical polishing，化学机械抛光)等来进行。
[0059]
接着，如图3b所示，在面f91上形成部件180。部件180以从大致垂直于面f91的方向观察时，与从面f91露出的金属层32的至少一部分重叠的方式形成。部件180例如通过无电解镀覆法而形成。
[0060]
部件180中的ni例如通过以金属层32中的pd为催化剂的无电解镀覆而析出。然后，以析出的ni为自体催化剂而使ni析出。由此，从与面f91大致垂直的方向观察时，部件180形成在整个金属层32的位置。在图3b的俯视图所示的例子中，部件180例如形成为大致环状。
[0061]
接着，如图3c所示，去除柱状电极部件31的一部分，而形成凹部33。更详细来说，通过从面f91侧去除柱状电极部件31的一部分，而在柱状电极30的上端部34形成具有作为金属层32的侧面、及作为柱状电极部件31的底部的凹部33。凹部33例如通过蚀刻而形成。凹部33的底部为柱状电极部件31的端部311。
[0062]
接着，如图3d所示，在凹部33的底部、即柱状电极部件31的端部311上添加催化剂c。催化剂c吸附在端部311的上表面。催化剂c例如为pd催化剂。
[0063]
接着，如图3e所示，在凹部33的内部、及部件180上形成与柱状电极30电连接的电极垫170。此外，形成被覆电极垫170的金属层171，并形成被覆金属层171的金属层172。电极垫170及金属层171、172例如通过无电解镀覆而形成。电极垫170中的ni是以部件180中的ni为自体催化剂而析出的，且以金属层32及催化剂c中的pd为催化剂而析出。
[0064]
接着，对通过形成凹部33来提高电极垫170的强度的情况进行说明。
[0065]
在图3a所示的步骤中，于柱状电极30的上端部34的表面形成研磨条痕所致的凹凸。用来形成电极垫170的催化剂c容易吸附在研磨条痕的凸部。该情况下，在形成电极垫170时，可能会在研磨条痕的凹部(柱状电极部件31与电极垫170的界面)产生大量的小孔隙。孔隙会导致电极垫170的连接可靠性降低。通过在图3c所示的步骤中形成凹部33，而去除研磨条痕所致的凹凸，从而露出凹凸相对较少的端部311的表面。由此，能够改善柱状电
极部件31与电极垫170的界面的状态，从而能够提高电极垫170的连接可靠性。
[0066]
此外，在图3a所示的步骤中，于柱状电极30的上端部34例如会形成厚度为数μm左右的加工影响区域。加工影响区域是结晶变小、或结晶产生应变的区域。结晶的应变等会使蚀刻速率增大。因此，在加工影响区域中，图3c所示的对柱状电极部件31的蚀刻无法均匀地进行，容易在柱状电极部件31的表面产生凹凸。在该情况下，有可能会在柱状电极部件31与电极垫170的界面产生大量的小孔隙。孔隙会导致电极垫170的连接可靠性降低。因此，通过使蚀刻进行到结晶应变较少的区域而形成凹部33，从而将加工影响区域全部去除，露出凹凸相对较少的端部311的表面。由此，能够改善柱状电极部件31与电极垫170的界面的状态，从而能够提高电极垫170的连接可靠性。
[0067]
通过形成凹部33，除了获得投锚效应以外，还去除了研磨条痕及加工影响区域，从而能够提高电极垫170的强度。由此，能够提高电极垫170的连接可靠性。
[0068]
如上所述，根据第1实施方式，部件180设置在面f91上，且以从大致垂直于面f91的方向观察时，与从面f91露出的金属层32的至少一部分重叠的方式配置。能够利用部件180来固定金属层32，能够抑制金属层32在凹部33的内部剥离。由此，能够提高电极垫170的连接可靠性。
[0069]
此外，在第1实施方式中，电极垫170以与柱状电极部件31电连接的方式延伸到凹部33的内部。通过投锚效应、以及柱状电极部件31的研磨条痕及加工影响区域的去除，能够提高电极垫170的强度。由此，能够提高电极垫170的连接可靠性。
[0070]
此外，在图2所示的例子中，示出了1层金属层32。金属层32也可以设置至少1层。因此，也可以设置2层以上的金属层32。
[0071]
如上所述，树脂层91例如为包含填料的有机物。树脂层91的有机物例如为模具树脂、环氧树脂、或pi等。但是，作为绝缘部件的树脂层91例如也可以是sio2等无机物。此外，树脂层(绝缘部件)91也可以具有材料或特性不同的多个树脂层(多个绝缘部件)。由此，能够抑制半导体装置1的封装翘曲。多个绝缘部件例如硬化收缩率、弹性模量、线膨胀系数、及玻璃转移点(tg)中的至少1个不同。此外，树脂层91可以使用所谓的模具树脂。模具树脂是在树脂层中混合有无机绝缘物的填料。关于树脂层91所具有的多个树脂层，填料与树脂的混合率、填料的材质、填料的形状、填料的直径等可以不同。
[0072]
(第2实施方式)
[0073]
图4是表示第2实施方式的半导体装置1的制造方法的一例的图。第2实施方式与第1实施方式相比，部件180的形成方法不同。
[0074]
在使柱状电极30的上端部34露出后(参照图3a)，如图4所示，在面f91上形成部件180。部件180例如通过喷墨法而形成。在该情况下，部件180可以逐个位置地形成，也可以一次形成在多个位置。另外，部件180并不限定于第1实施方式中的无电解镀覆法、或第2实施方式中的喷墨法，例如也可以通过印刷法等其它方法来形成。
[0075]
然后，进行与图3c～图3e所示的步骤相同的步骤。
[0076]
另外，部件180可以不必以与整个金属层32(大致环状)重叠的方式配置。为了能够抑制金属层32的剥离，部件180还可以从大致垂直于面f91的方向观察时，与从面f91露出的金属层32的一部分重叠的方式配置。
[0077]
也可以如第2实施方式那样变更部件180的形成方法。第2实施方式的半导体装置1
能够获得与第1实施方式相同的效果。
[0078]
虽然对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提出的，并不意在限定发明的范围。这些实施方式能够以其它各种方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内，进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变化包含在发明的范围或主旨内，也同样地包含在权利要求书中记载的发明及其均等的范围内。
[0079]
[符号的说明]
[0080]
1:半导体装置
[0081]
30:柱状电极
[0082]
31:柱状电极部件
[0083]
311:端部
[0084]
32:金属层
[0085]
33:凹部
[0086]
34:上端部
[0087]
90:树脂层
[0088]
91:树脂层
[0089]
f91:面
[0090]
170:电极垫
[0091]
171:金属层
[0092]
172:金属层
[0093]
180:部件
[0094]
c:催化剂。

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：绝缘部件，具有第1面；柱状电极，具有至少1层第1金属层、及第2金属层，所述至少1层第1金属层沿与所述第1面大致垂直的方向延伸到所述绝缘部件中，且至少一部分从所述绝缘部件的所述第1面露出，所述第2金属层的至少一部分从所述绝缘部件露出，且设置在所述第1金属层的内侧；部件，设置在所述第1面上，且以从大致垂直于所述第1面的第1方向观察时，与所述第1金属层的至少一部分重叠的方式配置；以及电极，以被覆所述部件的方式设置在所述第1面上，与所述柱状电极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1金属层的上端部比所述第2金属层的上端部更靠近所述第1面，所述电极与所述第2金属层电连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中从所述第1方向观察时，所述第1金属层为环状。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部件以从所述第1方向观察时，不与所述柱状电极的至少一部分重叠的方式配置。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中从所述第1方向观察时，所述部件为环状。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部件的材料与所述柱状电极的材料不同。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部件的材料使用金属或有机物。8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中作为所述部件的材料的金属包括ni、co、au、ag、pd、rh、pt、in、sn，作为所述部件的材料的有机物包括pi。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绝缘部件使用包含填料的有机物、或无机物。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1金属层的材料使用贵金属。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述贵金属为pd。12.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备被覆所述电极的至少1层第3金属层。13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电极是通过镀覆而形成的。14.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成具有第1金属层、及形成在所述第1金属层内部的第2金属层的柱状电极；形成被覆所述柱状电极的绝缘部件，去除所述绝缘部件，以使所述柱状电极的上端部从所述绝缘部件的第1面露出；以从大致垂直于所述第1面的第1方向观察时，与从所述第1面露出的所述第1金属层的至少一部分重叠的方式，在所述第1面上形成部件；从所述第1面侧去除所述第2金属层的一部分，以使所述第1金属层的上端部比所述第2金属层的上端部更靠近所述第1面；以及在所述柱状电极的上部侧形成电极垫。15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：通过无电解镀覆法、印刷法、或喷墨法而在所述第1面上形成所述部件。
16.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中所述电极是通过镀覆而形成的。

技术总结
本发明提供一种能提高可靠性的半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备：绝缘部件，具有第1面；柱状电极，具有至少1层第1金属层、及第2金属层，所述至少1层第1金属层沿与所述第1面大致垂直的方向延伸到所述绝缘部件中，且至少一部分从所述绝缘部件的所述第1面露出，所述第2金属层的至少一部分从所述绝缘部件露出，且设置在所述第1金属层的内侧；部件，设置在所述第1面上，且以从大致垂直于所述第1面的第1方向观察时，与所述第1金属层的至少一部分重叠的方式配置；以及电极，以被覆所述部件的方式设置在所述第1面上，且与所述柱状电极电连接。且与所述柱状电极电连接。且与所述柱状电极电连接。


技术研发人员：正村将利 右田达夫
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2022.08.11
技术公布日：2023/9/23