抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法与流程

1.本发明磁性随机存储器技术，特别是一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法。


背景技术：

2.现有磁性随机存储器的磁隧道结的核心结构如图1a所示，其隧穿磁阻效应的原理如图1b所示；磁性随机存储器是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器，它采用磁化的方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1。
3.作为磁性随机存储器，两个磁性层的磁矩平行或者反平行排列，磁电阻表现为低电阻或者高电阻状态，对应存储器的“0”和“1”；通过固定一层磁性层的磁矩取向，用电流或者磁场调控另一磁性层磁矩的方向，从而获得高低电阻状态，用于存储信息。如图2所示，现有的磁性随机存储器的磁性存储层在磁场为零时存在高电阻和低电阻两个状态，电流将存储信息设置为“1”，这个过程是信息的写入，然后读取信息的时候，如果有外部磁场的干扰，零磁场的存储信息可能被破坏，变为“0”。这是一种非易失性存储器技术，正在作为一种主流的数据存储技术被业界所广泛接受，关键属性有非易失性、低电压工作、无限次读写的耐用性、快速读写操作，并且作为后端技术而容易集成。这些特性使得磁性随机访问存储器有可能替代各种应用中的许多类型存储器，只要外部磁场不改变，磁化的方向就不会变化，所以外部的干扰磁场对存储信息稳定性的影响很大。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法，从而克服现有技术中的不足。
5.为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
6.本发明实施例提供了一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，包括至少一个磁存储单元，
7.所述磁存储单元包括沿指定方向依次层叠的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，所述磁性存储层被所述第一反铁磁层钉扎，所述铁磁固定层被所述第二反铁磁层钉扎，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随所述第一反铁磁层中产生的自旋电流改变，所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。
8.本发明实施例还提供了一种信息存储方法，包括：
9.提供所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器；
10.设定所述自旋轨道磁性随机存储器在初始状态下存储有第一信息；
11.以第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的一端及第二反铁磁层作为第一电极，并以第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的另一端作为负极，向所述第一反铁磁层内输入电流，使磁性存储层的磁矩取向改变，从而在所述自旋轨道磁性随机存储器内存储第二
信息。
12.与现有技术相比，本发明的优点包括：本发明提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的能够抵抗外部磁场干扰，具有热稳定性高的特点。
附图说明
13.图1a是现有技术中的一种磁性随机存储器的磁隧道结的核心结构示意图；
14.图1b是现有技术中的一种磁性随机存储器的隧穿磁阻效应的原理图；
15.图2是现有技术中的一种磁性随机存储器的隧穿磁阻效应的原理图；
16.图3是本发明一典型实施案例中提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的单个磁性存储单元的结构示意图；
17.图4是本发明一典型实施案例中提供的另一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的单个磁性存储单元的结构示意图；
18.图5是本发明一典型实施案例中提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的原理示意图；
19.图6a、图6b、图6c分别是本发明一典型实施案例中提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的磁性存储单元的初始状态、信息写入、信息读取下的原理示意图；
20.图7是本发明实施例1中一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器工作状态下的结构示意图；
21.图8是本发明实施例1中一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的测试结果；
22.图9是本发明实施例2中一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器工作状态下的结构示意图；
23.图10是本发明实施例2中一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的测试结果。
具体实施方式
24.鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
25.本发明实施例提供了一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，包括至少一个磁存储单元，
26.所述磁存储单元包括沿指定方向依次层叠的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，所述磁性存储层被所述第一反铁磁层钉扎，所述铁磁固定层被所述第二反铁磁层钉扎，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随所述第一反铁磁层中产生的自旋电流改变，所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。
27.在一具体实施方式中，所述第一反铁磁层、第二反铁磁层为单层结构。
28.在一具体实施方式中，所述单层结构的材质包括但不限于irmn、ptmn、femn、mn3sn、cumnsn、mn2au中的任意一种合金。
29.在一具体实施方式中，所述单层结构的厚度为3-30nm。
30.在另一具体实施方式中，所述第一反铁磁层、第二反铁磁层为多层结构，所述多层
结构包括两层铁磁薄膜和设置在两层铁磁薄膜之间的非磁性薄膜。
31.在一具体实施方式中，所述铁磁薄膜的材质包括但不限于cofe、nife、cofeb、feb、co/pt、co/pd、co/ni、fe、co中的任意一种或两种以上的组合。
32.在一具体实施方式中，所述非磁性薄膜的材质包括但不限于ru、ir、cu、ta中的任意一种或两种以上的组合。
33.在一具体实施方式中，所述磁性存储层和铁磁固定层的材质包括但不限于cofe、nife、cofeb、feb、co/pt、co/pd、co/ni、fe、co中的任意一种或两种以上的组合。
34.在一具体实施方式中，所述磁性存储层或铁磁固定层的磁矩取向与自身的薄膜平面的方向平行或垂直。
35.在一具体实施方式中，所述磁性存储层的磁矩取向能够随所述第一反铁磁层中产生的自旋电流产生0-180
°
的转变。
36.在一具体实施方式中，在向所述第一反铁磁层输入所述的电流时，是以所述第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的一端及第二反铁磁层作为第一电极，并以所述第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的另一端作为第二电极。
37.在一具体实施方式中，所述非磁性层的材质包括但不限于mgo、al2o3、cu中的任意一种。
38.在一具体实施方式中，所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器包括：多个磁存储单元，多个所述磁存储单元彼此独立设置，或者，多个所述磁存储单元之间通过串联或并联的方式连接。
39.本发明实施例还提供了一种信息存储方法，包括：
40.提供所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器；
41.设定所述自旋轨道磁性随机存储器在初始状态下存储有第一信息；
42.以第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的一端及第二反铁磁层作为第一电极，并以第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的另一端作为负极，向所述第一反铁磁层内输入电流，使磁性存储层的磁矩取向改变，从而在所述自旋轨道磁性随机存储器内存储第二信息。
43.在一具体实施方式中，所述的信息存储方法包括：在无磁场存在或有磁场存在的情况下，利用所述自旋轨道磁性随机存储器进行信息存储。
44.在一具体实施方式中，所述电流包括正向脉冲电流或反向脉冲电流。
45.在一具体实施方式中，所述的信息存储方法还包括：
46.在撤去所述正向脉冲电流后，从所述自旋轨道磁性随机存储器中读取到第二信息；
47.以及，在撤去所述负向脉冲电流后，从所述自旋轨道磁性随机存储器中读取到第一信息。
48.如下将结合附图以及具体实施案例对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
49.本发明提供的自旋轨道磁性随机存储器作为磁性随机存储器，两个磁性层的磁矩平行或者反平行排列，磁电阻表现为低电阻或者高电阻状态，对应存储器的“0”和“1”。通过固定一层磁性层的磁矩取向，用电流或者磁场调控另一磁性层的磁矩取向，从而获得高低
电阻状态，用于存储信息，自旋轨道的磁存储是指利用第一反铁磁层1产生的自旋电流调控磁性存储层2的磁矩取向，而抗磁场干扰是基于现有的自旋轨道存储器技术提出的一个技术创新和技术优势。
50.本发明一典型实施案例中提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的结构如图3或图4所示，该自旋轨道磁性随机存储器包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括第一反铁磁层1、设于第一反铁磁层1上的磁性存储层2、设于磁性存储层2上的非磁性层3、设于非磁性层3上的铁磁固定层4，以及设于铁磁固定层4上的第二反铁磁层5，所述第一反铁磁层1、磁性存储层2、非磁性层3、铁磁固定层4和第二反铁磁层5层叠设置，通入所述第一反铁磁层1的电流能够改变磁性存储层2的磁矩取向，进而调控磁性存储层的信息写入，且所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态，从而使所述自旋轨道磁性随机存储器具有抗外部磁场干扰、热稳定性高等特点。
51.经本案发明人研究发现，如图2所示，传统的磁性存储单元中的磁性存储层在磁场为零时存在高电阻和低电阻两个状态，电流将存储信息设置为“1”，这个过程是信息的写入，然后读取信息的时候，如果有外部磁场的干扰，零磁场的存储信息可能被破坏，变为“0”。
52.请参阅图5，采用本发明实施例提供的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的交换耦合的磁存储单元时，由于磁场存储层在零磁场时只对应一种电阻状态，当电流将交换耦合场从负磁场改变到正磁场时(对应信息写入过程)，零磁场下的存储信息读取只有一种状态，而且这种状态不会因为外部磁场干扰而发生变化，因此本发明实施例提供的自旋轨道磁性随机存储器是一种具有抗磁场干扰的磁存储器。
53.需要说明的是，现有的磁存储器，由于没有交换耦合场的存在，所以在零磁场下对应两个电阻态，当受到外磁场干扰后，零场下的电阻态会发生改变。而本发明实施例提供的磁存储器，由于交换耦合场的存在，零场下只有一种电阻态，且通过电流可以改变交换耦合场的正负，从而改变零场下电阻的状态，实现信息的写入，而且，即使受到外部磁场的干扰，在零磁场下只有一种电阻态，所以电阻态不会发生改变。
54.请参阅图6a-图6c，采用本发明实施例提供的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的交换耦合的磁存储单元进行信息写入和读取的过程包括：
55.初始状态下，由于存在负的交换耦合场，在零磁场下的存在状态为高电阻态，对应信息“1”。
56.信息写入：对抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器通入电流，正负电流可以改变磁存储单元的存储状态，并分别对应正负电流下的高低电阻态，而且正负电流可以改变交换耦合场的正负，不过在图6b中看不到耦合场的变化。
57.信息读取：撤去所加的正向电流脉冲后，可以在零磁场下读取到低电阻态，对应信息“0”；撤去所加的负向电流脉冲后，可以在零磁场下读取到高电阻态，对应信息“1”。
58.在一较为典型的实施案例中，一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的结构如图3和图4所示，该自旋轨道磁性随机存储器包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括第一反铁磁层1、设于第一反铁磁层1上的磁性存储层2、设于磁性存储层2上的非磁性层3、设于非磁性层3上的铁磁固定层4，以及设于铁磁固定层4上的第二反铁磁层5，所述第一反铁磁层1、磁性存储层2、非磁性层3、铁磁固定层4和第二反铁磁层5层叠设置。
59.在本实施例中，所述第一反铁磁层1和第二反铁磁层5均包括一层反铁磁性薄膜，所述反铁磁性薄膜的材质包括但不限于irmn、ptmn、mn2au等合金，或者，所述第一反铁磁层和第二反铁磁层均包括至少一层非磁性薄膜和至少两层铁磁薄膜，所述非磁性薄膜设置在两层铁磁薄膜之间，其中，所述铁磁薄膜的材质包括但不限于cofe、nife、cofeb、feb、co/pt、co/pd、co/ni、fe、co等，所述非磁性薄膜的材质包括但不限于ru、ir、cu、ta等。
60.在本实施例中，所述磁性存储层2和铁磁固定层4均为铁磁层，所述铁磁固定层4被所述第二反铁磁层5钉扎，因此被称为磁性固定层，所述磁性存储层2被所述第一反铁磁层1钉扎，同时，通入所述第一反铁磁层1的电流能够改变磁性存储层2的磁矩取向，因此被称为磁性存储层。
61.在本实施例中，所述磁性存储层2和铁磁固定层4的材质包括但不限于cofe、nife、cofeb、feb、co/pt、co/pd、co/ni、fe、co等。
62.在本实施例中，磁性存储层2和铁磁固定层4的磁矩取向与自身的薄膜平面的方向垂直(如图3所示)或平行(如图4所示)，通入所述第一反铁磁层1的电流能够使磁性存储层2的磁矩取向产生0-180
°
的转变，图3和图4中的箭头指向为铁磁层的磁矩取向。
63.在本实施例中，所述非磁性层3的材质包括但不限于mgo、al2o3、cu等。
64.实施例1
65.在本实施例中，该自旋轨道磁性随机存储器的磁存储单元的结构为热氧化硅衬底/ta(2nm)/pt(5nm)/irmn(4nm)/[co/pt]2co/ta(0.4nm)cofeb(0.9nm)/mgo(2nm)/cofeb(1.2nm)ta(0.5nm)[co/pt]co/ru[co/pt]3ru(5nm)。
[0066]
需要说明的是，该结构中的irmn层作为第一反铁磁层，[co/pt]2cotacofeb层作为磁性存储层，mgo层作为非磁性层，mgo层是用于磁性隧道结的绝缘势垒层，是薄膜的核心结构，cofeb层作为铁磁固定层，[co/pt]co/ru[co/pt]3层作为第二反铁磁层，其中的ta层、pt层等作为黏附层和/或种子层，其主要是起耦合结构层的作用。
[0067]
通过电子束曝光、离子束刻蚀等一系列微纳米加工技术，制备出如图7所示的三端器件，器件的每一磁存储单元具有三个电测量端口a、b和c，电测量端口a和电测量端口b设置在第一反铁磁层1上，电测量端口c设置在第二反铁磁层5上，电测量端口a和电测量端口c都作为正电极端口，电测量端口b作为负电极端口，电测量端口b也可以视为接地端；其中，磁性存储层2和铁磁固定层4的磁矩取向都是垂直于薄膜平面，采用该抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的结构进行信息写入和读取的方式具体包括：
[0068]
初始状态，在零磁场下检测电测量端口b和电测量端口c两端的电阻，在本实施例中电测量端口b和电测量端口c两端的电阻是40ω，此时零磁场下磁性存储层2和铁磁固定层4的磁矩反平行排列，呈现低电阻态，对应信息“1”，交换偏置场为+100oe；
[0069]
然后从电测量端口a和电测量端口b两个端口注入一个脉冲电流，比如如图8所示，脉冲电流是-15ma/cm2，磁性存储层2的磁矩方向发生180
°
转变；
[0070]
撤去脉冲电流后，在零磁场下检测电测量端口b和电测量端口c两端的电阻，电阻从40ω变为63ω，此时零磁场下磁性存储层2和铁磁固定层4两磁性层的磁矩取向平行排列，呈现高电阻态，对应信息“0”，交换偏置场也从+100oe变为-70oe；
[0071]
继续从电测量端口a和电测量端口b两个端口施加一个脉冲电流，如图8所示，脉冲电流是+15ma/cm2，磁性存储层2的磁矩方向发生180
°
转变；
[0072]
撤去脉冲电流后，在零磁场下检测电测量端口b和电测量端口c两端的电阻，电阻从63ω变为40ω，此时零磁场下磁性存储层2和铁磁固定层4两磁性层的磁矩平行排列，呈现低电阻态，对应信息“1”，交换偏置场也从-70oe变为+100oe。
[0073]
因此，我们可以通过施加正负电流脉冲，实现高低电阻态的转变，也即是实现信息的写入，同时可以通过磁性隧道结进行信息状态的读取，这一过程即是磁性存储器的基本工作原理，而作为自旋轨道力矩的磁性存储器，是通过电测量端口a和电测量端口b两个端口施加脉冲电流，可以有效避免电流或者电压过大对磁性隧道结的势垒层造成的击穿。
[0074]
为了验证该自旋轨道磁性随机存储器的抗磁场干扰的能力，分别在高电阻状态和低电阻状态下对自旋轨道磁性随机存储器施加正负磁场，比如+10000oe和-10000oe大小的磁场，撤去磁场后，在零磁场下检测电阻态，可以发现高电阻态或低电阻态均保持不变。
[0075]
实施例2
[0076]
本实施例中的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的结构中单个磁性存储单元的结构为：热氧化硅衬底/ta(2nm)/irmn(5nm)/nife(4nm)/ta(0.4nm)/cofeb(2.5nm)/mgo(2nm)/cofeb(2.5nm)/ru(0.85nm)/cofe(2.6nm)/irmn(8nm)/ta(4nm)/ru(5nm)，其中，irmn层作为第一反铁磁层，nife/ta/cofeb层作为磁性存储层，mgo层作为非磁性层，cofebrucofe层作为铁磁固定层，irmn层作为第二反铁磁层。
[0077]
参照实施例1，加工成如图9所示的三端器件，与实施例1不同的是，本实施例中的磁性存储层2和铁磁固定层4的磁矩取向都是平行于薄膜平面。
[0078]
采用该抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器的结构进行信息写入和读取的方式具体包括：
[0079]
类似的，初始状态，在零磁场下检测电测量端口b和电测量端口c两端的电阻为24ω，此时零磁场下磁性存储层2和铁磁固定层4两磁性层的磁矩平行排列，呈现低电阻态，对应信息“1”，交换偏置磁场的大小为+30oe；
[0080]
然后从电测量端口a和电测量端口b两个端口施加一个脉冲电流，如10所示，脉冲电流为+17ma/cm2，磁性存储层2的磁矩方向发生180
°
转变；
[0081]
撤去脉冲电流后，在零磁场下检测电测量端口b和电测量端口c两端的电阻，电阻从24ω变为48ω，此时零场磁性存储层2和铁磁固定层4两磁性层的磁矩反平行排列，呈现高电阻态，对应信息“0”，交换偏置磁场从+30oe变为-20oe；
[0082]
继续从电测量端口a和电测量端口b两个端口施加一个脉冲电流，如图10所示，脉冲电流为-17ma/cm2，磁性存储层2的磁矩方向发生180
°
转变；
[0083]
撤去脉冲电流后，在零磁场下检测电测量端口b和电测量端口c两端的电阻，电阻从48ω变为24ω，此时零磁场下磁性存储层2和铁磁固定层4两磁性层的磁矩平行排列，呈现低电阻态，对应信息“1”，交换偏置磁场从-20oe变为+30oe；
[0084]
因此，本发明可以通过施加正负电流脉冲，实现高低电阻态的转变，也即是实现信息的写入，同时可以通过磁性隧道结进行信息状态的读取，这一过程即是磁性存储器的基本工作原理。而作为自旋轨道力矩的磁性存储器，是通过电测量端口a和电测量端口b两个端口施加脉冲电流，可以有效避免电流或者电压过大对磁性隧道结的势垒层造成的击穿。
[0085]
进一步，为了验证具有交换耦合作用的磁存储器的抗磁场干扰的能力，在高电阻状态和低电阻状态分别施加正负磁场，比如+10000oe和-10000oe大小的磁场，撤去磁场后，
在零磁场下检测电阻态，可以发现高电阻态或低电阻态均保持不变。
[0086]
应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，其特征在于包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括沿指定方向依次层叠的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，所述磁性存储层被所述第一反铁磁层钉扎，所述铁磁固定层被所述第二反铁磁层钉扎，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随所述第一反铁磁层中产生的自旋电流改变，所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。2.根据权利要求1所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，其特征在于：所述第一反铁磁层、第二反铁磁层为单层结构；优选的，所述单层结构的材质包括irmn、ptmn、femn、mn3sn、cumnsn、mn2au中的任意一种合金；优选的，所述单层结构的厚度为3-30nm。3.根据权利要求1所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，其特征在于：所述第一反铁磁层、第二反铁磁层为多层结构，所述多层结构包括两层铁磁薄膜和设置在两层铁磁薄膜之间的非磁性薄膜；优选的，所述铁磁薄膜的材质包括cofe、nife、cofeb、feb、co/pt、co/pd、co/ni、fe、co中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述非磁性薄膜的材质包括ru、ir、cu、ta中的任意一种或两种以上的组合。4.根据权利要求1所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，其特征在于：所述磁性存储层和铁磁固定层的材质包括cofe、nife、cofeb、feb、co/pt、co/pd、co/ni、fe、co中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述磁性存储层或铁磁固定层的磁矩取向与自身的薄膜平面的方向平行或垂直。5.根据权利要求1所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，其特征在于：所述磁性存储层的磁矩取向能够随所述第一反铁磁层中产生的自旋电流产生0-180
°
的转变；和/或，在向所述第一反铁磁层输入所述的电流时，是以所述第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的一端及第二反铁磁层作为第一电极，并以所述第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的另一端作为第二电极。6.根据权利要求1所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，其特征在于：所述非磁性层的材质包括mgo、al2o3、cu中的任意一种。7.根据权利要求1所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器，其特征在于，包括：多个磁存储单元，多个所述磁存储单元彼此独立设置，或者，多个所述磁存储单元之间通过串联或并联的方式连接。8.一种信息存储方法，其特征在于包括：提供权利要求1-7中任一项所述的抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器；设定所述自旋轨道磁性随机存储器在初始状态下存储有第一信息；以第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的一端及第二反铁磁层作为第一电极，并以第一反铁磁层在平行于膜平面的方向上的另一端作为负极，向所述第一反铁磁层内输入电流，使磁性存储层的磁矩取向改变，从而在所述自旋轨道磁性随机存储器内存储第二信息。
9.根据权利要求8所述的信息存储方法，其特征在于，包括：在无磁场存在或有磁场存在的情况下，利用所述自旋轨道磁性随机存储器进行信息存储。优选的，所述电流包括正向脉冲电流或反向脉冲电流。10.根据权利要求8所述的信息存储方法，其特征在于，还包括：在撤去所述正向脉冲电流后，从所述自旋轨道磁性随机存储器中读取到第二信息；以及，在撤去所述负向脉冲电流后，从所述自旋轨道磁性随机存储器中读取到第一信息。

技术总结
本发明公开了一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法。所述抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括依次层叠设置的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，其中，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随通入所述第一反铁磁层的电流改变，且所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。本发明提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器具有抗外部磁场干扰、热稳定性高等特点。热稳定性高等特点。热稳定性高等特点。


技术研发人员：方彬 范亚明 曾中明
受保护的技术使用者：江西省纳米技术研究院
技术研发日：2022.09.01
技术公布日：2023/9/23