生产半导体制造系统的方法与流程

生产半导体制造系统的方法
1.本专利申请要求于2022年3月22日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0035199号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开涉及生产半导体制造系统的方法，更具体地，涉及提高系统之间的性能的一致性的方法。


背景技术：

3.半导体装置通过各种工艺被制造。例如，半导体装置的制造可包括对晶片(例如，硅晶片)执行的光刻工艺、蚀刻工艺、沉积工艺、抛光工艺和清洁工艺。一些工艺在真空条件下被执行。对于真空条件，泵连接到处理室。将处理室连接到泵的真空管被用于对处理室施加由泵产生的真空压力。


技术实现要素：

4.发明构思的实施例提供能够提高用于以相同的配方执行相同的工艺的多个处理室之间的性能的一致性的系统生产方法。
5.发明构思的实施例提供能够容易地控制多个处理室的系统生产方法。
6.发明构思的实施例提供能够减小处理室之间的性能变化从而提高半导体装置的制造良率的系统生产方法。
7.发明构思的实施例提供允许处理室和/或泵的自由设置的系统生产方法。
8.根据发明构思的实施例，一种生产半导体制造系统的方法可包括：准备第一真空管；准备第二真空管；通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵；以及通过第二真空管将与第一处理室间隔开的第二处理室连接到第二泵。准备第一真空管的步骤可包括：连接多个第一单元管以形成第一真空管；并且计算作为第一真空管的总流导的第一流导。准备第二真空管的步骤可包括；通过连接多个第二单元管来形成第二真空管，使得作为第二真空管的总流导的第二流导等于第一流导。
9.根据发明构思的实施例，一种生产半导体制造系统的方法可包括：准备多个真空管；以及通过所述多个真空管中的对应一个将多个处理室中的每个连接到多个泵中的对应一个。准备多个真空管的步骤可包括：计算所述多个真空管中的每个的流导，并且所述多个真空管中的全部可具有基本相同的流导。
10.根据发明构思的实施例，一种生产半导体制造系统的方法可包括：准备第一真空管；准备与第一真空管间隔开并且具有与第一真空管不同的形状的第二真空管；通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵；以及通过第二真空管将第二处理室连接到第二泵。准备第一真空管的步骤可包括：计算作为第一真空管的总流导的第一流导。准备第二真空管的步骤可包括：形成第二真空管，使得作为第二真空管的总流导的第二流导等于第一流导。
附图说明
11.图1是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的透视图。
12.图2是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的一部分的透视图。
13.图3是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的一部分的前视图。
14.图4是示出根据发明构思的实施例的真空管的分解前视图。
15.图5是示出根据发明构思的实施例的真空管的分解前视图。
16.图6是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的处理室的示例的截面图。
17.图7是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的处理室的示例的截面图。
18.图8是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的处理室的示例的截面图。
19.图9是示出根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法的流程图。
20.图10是示出根据发明构思的实施例的在生产半导体制造系统期间获得的单元数据的表。
具体实施方式
21.现在将参照示出示例实施例的附图来更全面地描述发明构思的示例实施例。附图中相同的参考数字表示相同的元件，因此它们的重复描述将被省略。
22.图1是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的透视图。
23.在本技术中，如图1中所示，参考标号d1、d2和d3将分别用于表示彼此不平行的第一方向、第二方向和第三方向。例如，第一方向d1、第二方向d2和第三方向d3可彼此垂直。
24.参照图1，半导体制造系统可被设置。半导体制造系统可被配置为对基底执行制造工艺。例如，半导体制造系统可以是被配置为对基底执行蚀刻工艺、沉积工艺、清洁工艺或曝光工艺的系统。例如，半导体制造系统可包括用于处理基底的蚀刻室、沉积室、清洁室、干燥室或曝光室。基底可以是以晶片的形式设置的硅基底，但发明构思不限于该示例。为了对基底执行工艺，半导体制造系统可包括处理室1、泵3和真空管2。
25.在一个实施例中，多个处理室1可被设置。例如，如图1中所示，第一处理室11、第二处理室12、第三处理室13、第四处理室14、第五处理室15和第六处理室16可被设置。处理室1可设置为彼此间隔开。图1示出处理室1在水平方向上(在第二方向d2上)彼此间隔开的示例，但发明构思不限于该示例。例如，尽管图1中未示出，但处理室1可在垂直方向上(例如，在第一方向d1上)和/或在第三方向d3上彼此间隔开。所有处理室1可被配置为执行相同的工艺。例如，所有处理室1可被配置为执行蚀刻工艺。在示例实施例中，在处理室1内执行的工艺可用相同的配方执行。例如，所有处理室1可被配置为用相同的配方执行相同的工艺。这将在下面被更详细地描述。为了降低描述的复杂性，处理室1中的一个将被示例性地描述。所有处理室1可与描述的处理室相同。
26.泵3可包括真空泵或者可以是真空泵。在一个实施例中，多个泵3可被设置。例如，如图1中所示，第一泵31、第二泵32、第三泵33、第四泵34、第五泵35和第六泵36可被设置。在一个实施例中，多个泵3可设置为共同组合的单个结构。例如，泵3可彼此邻近地设置，并且可被组合以形成一个泵组(cluster)/架。例如，如图1中所示，第一泵31、第二泵32和第三泵33可彼此连接以形成第一泵组/架3a，第四泵34、第五泵35和第六泵36可彼此连接以形成第二泵组/架3b。例如，第一至第三泵31、32和33可彼此接触，第四至第六泵34、35和36可彼此
接触。在特定实施例中，第一至第三泵31、32和33可紧密地设置以形成一组泵，第四至第六泵34、35和36可紧密地设置以形成一组泵。泵3可以是相同的类型。例如，所有泵3可在尺寸和形状上相同。因此，泵3可设置为具有相同的输出。例如，当泵3处于相同的条件下时，它们的输出可相同。这将在下面被更详细地描述。为了降低描述的复杂性，泵3中的一个将被示例性地描。所有泵3可与描述的泵相同。
27.对基底的处理可在处理室1内被执行。对基底的处理可在真空环境下被执行。为了实现真空环境，泵3可连接到处理室1。例如，第一泵31可连接到第一处理室11，第二泵32可连接到第二处理室12。泵3中的每个可以以前述的一对一方式连接到处理室1中的对应一个。
28.真空管2可将处理室1连接到泵3。在一个实施例中，多个真空管2可被设置。例如，如图1中所示，第一真空管21、第二真空管22、第三真空管23、第四真空管24、第五真空管25和第六真空管26可被设置。真空管2中的每个可将处理室1中的对应一个连接到泵3中的对应一个。例如，处理室1中的每个可通过对应的真空管2与泵3中的对应一个流体连通。真空管2中的每个可通过将多个单元管彼此连接而形成。这将在下面被更详细地描述。为了降低描述的复杂性，真空管2中的一个可被示例性地描述。除非在本公开中另外指示，否则所有真空管2的特征可与描述的真空管的特征相同。
29.泵3可设置在与处理室1的水平不同的水平处。例如，泵3可放置在第一层f1上。处理室1可放置在第二层f2上。例如，处理室1可在第一方向d1上与泵3间隔开。因此，将泵3连接到处理室1的真空管2可垂直地延伸。
30.真空管2可具有至少两种不同的形状。例如，真空管2中的至少一个可具有与真空管2中的其他真空管的形状不同的形状。例如，第一真空管21的形状可不同于第二真空管22的形状。例如，第一真空管21的长度可大于第二真空管22的长度。可选地，第一真空管21和第二真空管22可在形状、结构和/或弯曲位置方面彼此不同。然而，第一真空管21可具有与第二真空管22的流导基本相等或类似的流导。这将在下面被更详细地描述。
31.如在此使用的诸如“相同”、“相等”、“平面”或“共面”的术语在表示方位、布局、位置、形状、尺寸、组成、量或其他度量时，不一定意味着完全相同的方位、布局、位置、形状、尺寸、组成、量或其他度量，而是意在包含例如由于生产工艺可发生的可接受变化内的几乎相同的方位、布局、位置、形状、尺寸、组成、量或其他度量。除非上下文或其他声明另外指示，否则术语“基本上”可在此用于强调该含义。例如，描述为“基本上相同”、“基本上相等”或“基本上平面”的项可完全相同、完全相等或完全平面，或者可例如由于生产工艺可发生的可接受变化内的相同、相等或平面。
32.图2是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的一部分的透视图，图3是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的一部分的前视图。
33.参照图2和图3，第一处理室11和第二处理室12可在水平方向上彼此间隔开。例如，第一处理室11和第二处理室12可彼此间隔开第一距离ds1。第一处理室11与第二处理室12之间的距离可以是第一处理室11的中心与第二处理室12的中心之间的距离。
34.处理室之间的距离可不同于泵之间的距离。例如，在第一泵组/架3a中，第一泵31与第二泵32之间的距离可以是第二距离ds2。第二泵32与第一泵31之间的距离可以是第一泵31的中心与第二泵32的中心之间的距离。第二距离ds2可不同于第一距离ds1。例如，第二
距离ds2可小于第一距离ds1。
35.由于处理室之间的距离不同于泵之间的距离，因此将处理室连接到泵的真空管可具有至少两个不同的长度。例如，第一真空管21的形状可不同于第二真空管22的形状。例如，如图3中所示，第一真空管21的长度可多于/长于/大于第二真空管22的长度。然而，如上所述，第一真空管21的流导可基本等于或类似于第二真空管22的流导。
36.在本说明书中，术语“流导(conductance)”可意味着流体的流动流导(例如，流体流导)。例如，流导可被理解为在真空技术领域中通常被定义的物理量。在这种情况下，流导可如下被定义：
[0037][0038]
在上面的等式中，c表示流导。流导c具有m3/s的维度。q表示压力通量(pressure throughput)。压力通量q具有pam3/s的维度。p1表示管中第一位置处的压力。p2表示管中的第二位置处的压力。如果管的形状/设计被固定，则管的流导可被唯一地给定。例如，管的流体流导可取决于管的形状、尺寸、材料和/或表面纹理。这将在下面被更详细地描述。
[0039]
返回参照图3，阀可被组合到每个真空管。例如，第一阀v1可放置在第一真空管21上。第二阀v2可放置在第二真空管22上。第三阀v3可放置在第三真空管23上。为了降低描述的复杂性，阀中的一个可被示例性地描述。除非在本公开中另外指示，否则所有阀可与描述的阀相同。阀可被配置为控制流过真空管的流体的流速。例如，当阀被关闭时，真空管中的流体可静止(例如，可停止流动)。通过调整阀的打开程度，流体的流速可在真空管中被控制。阀可包括或者可以是手动阀。在这种情况下，阀的打开程度可由操作者手动调整。然而，发明构思不限于该示例，并且阀可包括或者可以是自动阀(例如，由电信号控制的阀)。在特定实施例中，阀可以是被动阀。这将在下面被更详细地描述。
[0040]
图4是示出根据发明构思的实施例的真空管的分解前视图，图5是示出根据发明构思的实施例的真空管的分解前视图。
[0041]
参照图4，第二真空管22可通过连接多个单元管7而被形成。例如，第一单元管711、第二单元管751和第三单元管713可串联连接以形成一个第二真空管22。第一单元管711和第三单元管713中的每个可以是直管。然而，第一单元管711的长度可不同于第三单元管713的长度。在一些实施例中，第一单元管711的直径可不同于第三单元管713的直径。另一方面，第二单元管751可以是渐缩管(reducer pipe)。例如，渐缩管可将管尺寸从较大的内径减小到较小的内径。在特定实施例中，渐缩管可用于将管尺寸从较小的内径增大到较大的内径。例如，渐缩管的两端可具有拥有彼此不同的直径的相应内径。
[0042]
参照图5，第一真空管21可通过连接单元管7而被形成。例如，第三单元管713、第二单元管751、第六单元管731、第七单元管715、第八单元管733和第九单元管717可串联连接以形成第一真空管21。第一真空管21的第三单元管713和第二单元管751可分别与第二真空管22的第三单元管713和第二单元管751相同。第三单元管713、第七单元管715和第九单元管717中的每个可以是直管。第二单元管751可以是渐缩管。第六单元管731和第八单元管733中的每个可以是弯管。例如，弯管可以是被配置为连接彼此延伸不同方向的两个管的弯曲管。
[0043]
流导可针对单元管7中的每个被定义。每个单元管7的流导将被称为单元流导。每
个单元管7的单元流导可用于计算第一至第六真空管21、22、23、24、25和26中的每个的总流导。这将在下面更详细地描述。
[0044]
图6是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的处理室的示例的截面图。
[0045]
参照图6，处理室1x可以是参照图1描述的处理室1的示例。图6的处理室1x可以是蚀刻系统。在这种情况下，处理室1x可包括蚀刻室41、静电吸盘43和喷头45。蚀刻室41可提供蚀刻空间4h。蚀刻空间4h可通过第一排气孔47连接到泵3x。来自泵3x的真空压力可用于将蚀刻空间4h抽真空。例如，泵3x可用于在蚀刻空间4h中实现真空状态。
[0046]
基底w可设置在静电卡盘43上。从第一气体供应部gsx供应的处理气体可通过喷头45传送到蚀刻空间4h。处理气体可在蚀刻空间4h中对基底w执行的蚀刻处理中被使用，然后可通过由泵3x形成的真空压力经由第一排气孔47排出到蚀刻空间4h的外部。例如，处理气体可与设置在晶片上的材料组合，并且得到的化合物可通过第一排出孔47排出。
[0047]
图7是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的处理室的示例的截面图。
[0048]
参照图7，处理室1y可以是参照图1描述的处理室1的示例。图7的处理室1y可包括沉积系统。在这种情况下，处理室1y也可包括沉积室61、台(stage)63、气体喷嘴65和第二排气孔67。气体喷嘴65可连接到第二气体供应部分gsy。气体喷嘴65可被配置为朝向台63喷射流体。第二排气孔67可连接到泵3y。由泵3y施加的真空压力可用于将沉积室61的内部空间抽真空。
[0049]
基底w可设置在台63上。例如，基底w可设置在台63上以彼此垂直间隔开。第二气体供应部分gsy中的处理气体可通过气体喷嘴65供应到台63上的基底w上。在对基底w进行的沉积工艺之后，处理气体可通过来自泵3y的真空压力经由第二排出孔67排出到外部。例如，沉积工艺可用处理气体在基底w上形成层，并且剩余的处理气体可通过泵3y排出到外部。
[0050]
图8是示出根据发明构思的实施例的半导体制造系统的处理室的示例的截面图。
[0051]
参照图8，处理室1z可以是参照图1描述的处理室1的示例。图8的处理室1z可包括基底清洁系统或可与基底清洁系统组合。在这种情况下，处理室1z可包括干燥室81、干燥台83、流体供应孔85和第三排气孔87。在特定实施例中，基底清洁系统可包括干燥室81，干燥室81包括干燥台83、流体供应孔85和第三排气孔87。干燥室81可提供干燥空间8h。流体供应孔85可连接到干燥流体供应部gsz。第三排气孔87可连接到泵3z。通过泵3z的操作形成的真空压力可用于将干燥空间8h抽真空。
[0052]
基底w可设置在干燥台83上。包含在干燥流体供应部gsz中的干燥流体可通过流体供应孔85供应到干燥台83上的基底w。干燥流体可以是超临界流体(scf)。例如，干燥流体可以是超临界二氧化碳(co2)。在对基底w进行的干燥工艺之后，干燥流体可通过由泵3z形成的真空压力经由第三排气孔87排出到外部。例如，供应到基底的顶表面的干燥流体可通过第三排气孔87从干燥室81排出。
[0053]
图9是示出根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法的流程图。
[0054]
参照图9，生产半导体制造系统的方法s可被提供。生产方法s可以是制造参考图1至图8描述的生产半导体制造系统的方法。制造方法s可包括准备单元数据(在s1中)，准备第一真空管(在s2中)，准备第二真空管(在s3中)，使用/通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵(在s4中)，以及使用/通过第二真空管将第二处理室连接到第二泵(在s5中)。
[0055]
准备单元数据(在s1中)可包括准备单元管类型数据(在s11中)和计算单元流导
(在s12中)。
[0056]
准备第一真空管(在s2中)可包括设计第一真空管(在s21中)，计算第一流导(在s22中)，以及连接多个第一单元管以形成第一真空管(在s23中)。
[0057]
准备第二真空管(在s3中)可包括设计第二真空管(在s31中)，计算第二流导(在s32中)，以及连接多个第二单元管以形成第二真空管(在s33中)。
[0058]
在下文中，图9的生产方法s将参照图1至图8和图10被更详细地描述。
[0059]
图10是示出根据发明构思的实施例的在生产半导体制造系统期间获得的单元数据的表。例如，单元数据可以是单元管的信息，单元管的信息包括单元管类型、单元管的尺寸和每个单元管的流体流导。
[0060]
参照图10、图4、图5和图9，准备单元管类型数据(在s11中)可包括基于单元管7的类型对单元管7进行分类。例如，单元管可被分类为直管、弯管和渐缩管。在图10的表中，直管由“pipe”表示。弯管由“elbow”表示。渐缩管由“reducer”表示。通过基于单元管的类型对单元管进行分类而准备的数据可被称为单元管分类数据up。准备单元管类型数据(在s11中)还可包括准备关于单元管的规格数据。例如，针对直管，关于直径(φ)和长度(l)的规格数据可被准备。针对弯管，关于直径和弯曲角度(α)的规格数据可被准备。对于渐缩管，关于第一直径(d1)和第二直径(d2)的规格数据可被准备。关于每个单元管的规格数据可被称为单元管规格数据ups。单元管分类数据up和单元管规格数据ups可被共同地称为单元管类型数据upd。
[0061]
在一个实施例中，单元管类型数据upd还可包括使用3d工具建模的形状数据。例如，单元管类型数据upd还可包括通过使用3d工具进行的建模处理获得并且包含关于每个单元管的形状和长度的信息的3d形状数据。当单元管类型数据upd包括3d形状数据时，获得3d形状数据的操作可被预先执行。例如，每个单元管的3d形状数据可被创建并存储。单元管分类数据up和/或单元管规格数据ups可从3d形状数据被提取。例如，单元管分类数据up可根据在显示装置上可视化的3d形状数据而被识别。此外，单元管规格数据ups可从3d形状数据而被获得。通过使用该3d形状数据，可容易并快速地获得单元管分类数据up和单元管规格数据ups。
[0062]
计算单元流导(在s12中)可包括计算作为每个单元管的流导的单元流导uc。单元流导uc可使用关于每个单元管的规格数据而被计算。单元流导uc可针对在单元管分类数据up中单独分类的每个单元管而被计算。在图10的表中，每个单元管的单元流导uc可由c1至c8表示。
[0063]
返回参照图5、图9和图10，设计第一真空管(在s21中)可包括选择用于形成第一真空管21的多个单元管。例如，用于形成第一真空管的单元管可基于图10的单元管分类数据up而被选择。在该步骤期间，第一泵31与第一处理室11之间的距离(例如，见图1)可被考虑。此外，相邻元件的设置也可被考虑。
[0064]
计算第一流导(在s22中)可包括计算作为设计的第一真空管21的总流导的第一流导。计算第一流导可使用每个单元管的单元流导而被执行。例如，第一流导可使用单元管类型数据upd和单元流导uc而被计算。例如，在多个单元管串联连接的情况下，第一流导可如下被计算：
[0065][0066]
在上面的等式中，c
t
表示第一流导，c1、c2、
……
、cn中的每个表示对应单元管的单元流导。例如，第一流导的倒数可等于值的总和，每个值作为构成第一真空管21的对应单元管的单元流导的倒数而被给出。作为第一真空管21的总流导的第一流导可以以这种方式计算。
[0067]
连接第一单元管以形成第一真空管(在s23中)可包括实际连接多个单元管以形成第一真空管21。
[0068]
返回参照图4、图9和图10，设计第二真空管(在s31中)可包括选择用作第二真空管22的部分的多个单元管。设计第二真空管(在s31中)可类似于设计第一真空管的步骤(在s21中)。然而，构成第二真空管的单元管的数量可不同于构成第一真空管的单元管的数量，和/或构成第二真空管的单元管的类型可不同于构成第一真空管的单元管的类型。例如，构成第一真空管的单元管中的至少一个可与构成第二真空管的第二单元管中的每个具有不同的形状。
[0069]
计算第二流导(在s32中)可包括计算作为设计的第二真空管22的总流导的第二流导。计算第二流导(在s32中)可类似于计算第一流导(在s22中)。然而，第二流导可被设置为等于第一流导。如果计算出的第二流导不同于先前计算出的第一流导，则设计第二真空管(在s31中)可被再次执行。例如，设计第二真空管(在s31中)可被执行，使得计算出的第二流导等于第一流导。
[0070]
连接第二单元管以形成第二真空管(在s33中)可包括实际上连接多个单元管以形成第二真空管22。由于在s31和s32的步骤中，第二流导被设置为等于第一流导，因此第二真空管22的最终结构中的总流导可等于第一真空管21的总流导。例如，第二真空管22可被形成，使得作为第二真空管22的总流导的第二流导变得等于第一流导。
[0071]
在一个实施例中，多个真空管可通过重复上面的步骤而被形成。
[0072]
参照图9和图1，使用/通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵的(在s4中)可包括使用/通过第一真空管21将第一处理室11连接到第一泵31。因此，第一处理室11可连接到第一泵31。参考图9和图3，使用/通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵(在s4中)还可包括将第一阀v1放置在第一真空管21上。第一阀v1可以是手动阀。在特定实施例中，第一阀v1可以是被动阀和/或自动阀。
[0073]
使用/通过第二真空管将第二处理室连接到第二泵的步骤(在s5中)可包括使用/通过第二真空管22将第二处理室12连接到第二泵32。因此，第二处理室12可连接到第二泵32。参考图9和图3，使用/通过第二真空管将第二处理室连接到第二泵的步骤(在s5中)还可包括将第二阀v2放置在第二真空管22上。第二阀v2可与第一阀v1具有相同的类型。
[0074]
到目前为止，已经描述了步骤被顺序地执行，但发明构思不限于此。例如，关于图9的流程图的步骤的次序可被部分地改变。例如，连接第一单元管以形成第一真空管(在s33中)可在计算第一流导(在s22中)之前被执行。
[0075]
可选地，流程图上的步骤中的一些可临时彼此重叠(例如，在时间上重叠)。例如，设计第二真空管(在s31中)和计算第二流导(在s32中)可基本同时被执行。
[0076]
在根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法中，真空管可设置为具有
相同的流导，并且在这种情况下，处理室可具有相同的排气性能。因此，可提高处理室的处理性能的一致性。例如，当处理室用于以相同的配方执行相同的工艺时，处理室的处理性能可被一致地控制。因此，可防止对基底执行的处理结果正在室与室之间改变/变化。例如，可减少处理室之间的处理变化从而提高制造良率。
[0077]
在根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法中，即使在处理被重复时/之后，也可容易地控制阀。例如，如果处理被重复，则颗粒可积累在真空管中。在这种情况下，为了将流导维持在恒定值，进一步打开真空管上的阀可以是必要的。在多个真空管具有相同的流导的情况下，所有的阀可以以相同的方式被控制。因此，即使在处理被重复时/之后，控制阀也可被快速并简单地实现。
[0078]
在根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法中，即使在处理室与泵之间的距离变化时(例如，当该距离彼此不同时)，真空管的流导也可被维持在相同的值。这可增加设置处理室和/或泵的自由度。
[0079]
在一个实施例中，真空管的流导可取决于温度。例如，温度的改变可引起真空管的流导的改变。因此，温度的改变可被考虑以提高真空管的流导一致性。例如，在准备第二真空管(在s3中)时，第二流导可考虑第二真空管22被设置的环境而被计算。例如，如果第一真空管21和第二真空管22被计划为放置在不同的温度条件下，则第二流导可考虑第一真空管21与第二真空管22之间的温度差异而被计算。可选地，温度调整装置可在第一真空管21和/或第二真空管22附近被设置，以减小第一真空管21与第二真空管22之间的温度差异和/或维持真空管21和22的恒定温度。例如，有循环冷却水的导管和/或加热装置(例如，加热丝)可用作温度调整装置。
[0080]
在根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法中，温度条件可被考虑以提高真空管的流导一致性。因此，即使在真空管中的一个处于与其他真空管不同的温度条件下时，处理室也可以以相同的条件操作。
[0081]
在根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法中，可提高用于以相同的配方执行相同的工艺的多个处理室之间的性能的一致性。
[0082]
在根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法中，可容易地控制多个处理室。
[0083]
在根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法中，可减少处理室之间的性能变化从而提高半导体装置的制造良率。
[0084]
在根据发明构思的实施例的生产半导体制造系统的方法中，可自由地设置处理室和/或泵。
[0085]
生产半导体制造系统的方法在上面的描述中被提供。根据本公开的实施例，半导体制造系统被提供。半导体制造系统可以是通过上面公开的生产半导体制造系统的方法而生产的系统。例如，除了其他部件和组件之外，半导体制造系统可包括上述室、泵和真空管。
[0086]
根据本公开的另一实施例，生产半导体装置的方法被提供。生产半导体装置的方法可包括将基底(例如，半导体基底)提供给处理室，在基底上沉积层，图案化基底和/或在基底上形成的层(例如，通过光刻工艺)，清洁并干燥基底。例如，导体图案、半导体图案和/或绝缘图案/层可形成在基底上。基底可被切割为半导体芯片，半导体芯片可被封装以产生半导体装置。半导体装置的生产工艺的一个或多个步骤可在上述半导体制造系统中被执
行。例如，图案化半导体图案、导体图案和/或绝缘图案的一个或多个蚀刻工艺可在半导体制造系统的处理室中被执行。形成金属层、半导体层和/或绝缘层的一个或多个沉积工艺可在半导体制造系统的室中被执行。基底的清洁工艺中的一个或多个可在半导体制造系统的室中被执行。光刻工艺的一个或多个曝光工艺可在半导体制造系统的室中被执行以在基底上形成图案。
[0087]
尽管不同的图示出示例性实施例的变化，并且不同的实施例公开彼此不同的特征，但这些图和实施例不一定意在彼此相互排斥。相反，如从上面的详细描述的上下文认识到的，当将图和实施例的相关描述作为整体考虑时，在不同图中描绘的和/或上面在不同实施例中描述的特定特征可与来自其他图/实施例的其他特征组合以产生附加的各种实施例。
[0088]
虽然已经具体地示出和描述了发明构思的示例实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的变化。

技术特征：
1.一种生产半导体制造系统的方法，包括：准备第一真空管；准备第二真空管；通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵；以及通过第二真空管将与第一处理室间隔开的第二处理室连接到第二泵，其中，准备第一真空管的步骤包括：连接多个第一单元管以形成第一真空管；并且计算作为第一真空管的总流导的第一流导，其中，准备第二真空管的步骤包括：通过连接多个第二单元管来形成第二真空管，使得作为第二真空管的总流导的第二流导等于第一流导。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：准备关于所述多个第一单元管和所述多个第二单元管的单元数据。3.根据权利要求2所述的方法，其中，准备单元数据的步骤包括：准备单元管类型数据，单元管类型数据通过基于所述多个第一单元管和所述多个第二单元管的类型对所述多个第一单元管和所述多个第二单元管进行分类而被获得。4.根据权利要求3所述的方法，其中，准备单元数据的步骤还包括：计算所述多个第一单元管和所述多个第二单元管中的每个的单元流导。5.根据权利要求4所述的方法，其中，计算第一流导的步骤包括：使用单元管类型数据和单元流导来计算第一流导。6.根据权利要求1所述的方法，其中，构成第一真空管的所述多个第一单元管的数量不同于构成第二真空管的所述多个第二单元管的数量。7.根据权利要求1所述的方法，其中，构成第一真空管的所述多个第一单元管中的至少一个具有与构成第二真空管的所述多个第二单元管中的每个的形状不同的形状。8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的方法，其中，所述多个第一单元管包括直管、弯管和渐缩管。9.一种生产半导体制造系统的方法，包括：准备多个真空管；以及通过所述多个真空管中的对应一个将多个处理室中的每个连接到多个泵中的对应一个，其中，准备多个真空管的步骤包括：计算所述多个真空管中的每个的流导，并且所述多个真空管中的全部具有相同的流导。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个处理室中的每个包括蚀刻室、沉积室和基底清洁室中的一个。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述多个处理室中的全部被配置为执行相同的半导体工艺。12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个泵中的全部被配置为具有相同的输出。13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个真空管中的至少一个具有与所述多个真空管中的其他真空管的形状不同的形状。14.根据权利要求9至13中的任何一项所述的方法，其中，准备多个真空管的步骤还包
括：连接多个单元管以形成所述多个真空管中的每个，并且计算所述多个真空管中的每个的流导的步骤使用所述多个单元管中的每个的单元流导被执行。15.一种生产半导体制造系统的方法，包括：准备第一真空管；准备与第一真空管间隔开并且具有与第一真空管不同的形状的第二真空管；通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵；以及通过第二真空管将第二处理室连接到第二泵，其中，准备第一真空管的步骤包括：计算作为第一真空管的总流导的第一流导，准备第二真空管的步骤包括：形成第二真空管，使得作为第二真空管的总流导的第二流导等于第一流导。16.根据权利要求15所述的方法，其中，第一真空管的长度不同于第二真空管的长度。17.根据权利要求15所述的方法，其中，第一处理室和第二处理室彼此间隔开第一距离，并且第一泵和第二泵彼此间隔开与第一距离不同的第二距离。18.根据权利要求17所述的方法，其中，第二距离小于第一距离。19.根据权利要求15至18中的任何一项所述的方法，其中，将第一处理室连接到第一泵的步骤包括：将第一阀放置在第一真空管上，将第二处理室连接到第二泵的步骤包括：将第二阀放置在第二真空管上，并且第一阀和第二阀具有相同的类型。20.根据权利要求15至18中的任何一项所述的方法，其中，准备第一真空管的步骤还包括：连接多个第一单元管以形成第一真空管，并且计算第一流导的步骤包括：使用所述多个第一单元管中的每个的单元流导来计算第一流导。

技术总结
提供生产半导体制造系统的方法。所述方法可包括：准备第一真空管；准备第二真空管；通过第一真空管将第一处理室连接到第一泵；以及通过第二真空管将与第一处理室间隔开的第二处理室连接到第二泵。准备第一真空管的步骤可包括：连接多个第一单元管以形成第一真空管；并且计算作为第一真空管的总流导的第一流导。准备第二真空管的步骤可包括：通过连接多个第二单元管来形成第二真空管，使得作为第二真空管的总流导的第二流导等于第一流导。的总流导的第二流导等于第一流导。的总流导的第二流导等于第一流导。


技术研发人员：朴西螺 崔正植
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.12.27
技术公布日：2023/9/23