基板处理装置、基板处理方法与流程

1.本发明涉及一种基板处理装置、基板处理方法。


背景技术：

2.以往，已知有逐片式的基板处理装置，其一边使半导体晶片等基板旋转，一边对基板的被处理面供给处理液，以进行蚀刻处理或清洗处理等。基板处理装置包括基板保持部、旋转驱动部、处理液供给部以及处理液回收部。基板保持部通过设于平台的卡销来保持基板的端部。旋转驱动部使基板与基板保持部一同旋转。处理液供给部朝向旋转的基板的被处理面喷出处理液。处理液回收部回收从旋转的基板飞散的处理液。具体而言，通过以包围旋转驱动部的方式而设的杯体(cup)来承接飞散的处理液。处理液顺着杯体的内壁面流向下方，并从设在杯体底部的配管得到回收而再利用。
3.一般而言，基板处理是切换多种处理液而进行。因此，对于承接处理液的杯体，例如已知有下述技术：如专利文献1所记载的那样，通过上下移动来变更高度，由此能够对应于处理液的每个种类来承接从基板飞散的处理液。
4.[现有技术文献]
[0005]
[专利文献]
[0006]
[专利文献1]日本专利特开2009-110985号公报


技术实现要素：

[0007]
[发明所要解决的问题]
[0008]
在通过多种处理液来进行基板处理的情况下，例如有时会因处理液的粘性的差异而导致处理液留在杯体的内壁面。当新飞散的处理液碰撞到留在所述杯体内侧的处理液时，处理液会绽开而成为雾状。所述成为雾状的处理液有可能飞散至杯体的外侧或者反弹至基板侧而附着于基板。尤其存在下述问题：因附着于基板的处理液的雾干燥，而易造成制品不良。
[0009]
本发明的目的在于提供一种基板处理装置、基板处理方法，能够抑制因新飞散的处理液碰撞到留在杯体内壁面的处理液所引起的雾的产生，防止所述雾附着于基板。
[0010]
[解决问题的技术手段]
[0011]
本发明的实施方式的基板处理装置包括：保持部，保持基板；驱动部，设于所述保持部，使所述基板与所述保持部一同旋转；供给部，为了对所述基板进行处理而对所述基板的被处理面供给处理液；第一杯体，以包围所述基板的方式而设；第二杯体，以包围所述第一杯体的方式而设，且内壁面的性质与所述第一杯体不同；以及移动控制部，使所述第一杯体以及所述第二杯体移动，使所述第一杯体的内壁面或所述第二杯体的内壁面的其中任一者承接从所述基板飞散的所述处理液。
[0012]
本发明的实施方式的基板处理方法包括下述工序：保持基板；使所保持的所述基板旋转；对所述基板的被处理面供给处理液；以及使以包围所述基板的方式而设的第一杯
体以及以包围所述第一杯体的方式而设且内壁面的性质与所述第一杯体不同的第二杯体移动，使所述第一杯体的内壁面或所述第二杯体的内壁面的其中任一者承接从所述基板飞散的所述处理液。
[0013]
[发明的效果]
[0014]
根据本发明的实施方式的基板处理装置、基板处理方法，能够抑制因新飞散的处理液碰撞到留在杯体内壁面的处理液所引起的雾的产生，防止所述雾附着于基板。
附图说明
[0015]
图1是表示实施方式的基板处理装置的图。
[0016]
图2是表示在实施方式的基板处理装置中，第一杯体移动至下方的状态的图。
[0017]
图3是表示实施方式的控制部的图。
[0018]
图4是表示实施方式的基板处理装置的作用的流程图。
[0019]
[符号的说明]
[0020]
1：基板处理装置
[0021]
8：控制部
[0022]
11：保持部
[0023]
12：驱动部
[0024]
13：供给部
[0025]
14：排出部
[0026]
15：检测部
[0027]
81：保持控制部
[0028]
82：驱动控制部
[0029]
83：供给控制部
[0030]
84：移动控制部
[0031]
85：存储部
[0032]
86：设定部
[0033]
87：输入/输出控制部
[0034]
91：输入装置
[0035]
92：输出装置
[0036]
c：杯体
[0037]
c1：第一杯体
[0038]
c2：第二杯体
[0039]
d：配管
[0040]
d1：第一配管
[0041]
d2：第二配管
[0042]
m1、m2：移动机构
[0043]
p：卡销
[0044]
s01～s11：工序
[0045]
t：平台
[0046]
w：基板
具体实施方式
[0047]
(结构)
[0048]
以下，参照附图来说明本发明的实施方式。本实施方式的基板处理装置1如图1所示，例如是对半导体晶片等基板w的面(以下也称作被处理面)供给处理液以进行蚀刻处理或清洗处理的逐片式的基板处理装置。基板处理装置1包括：保持部11，保持基板w；驱动部12，使基板w与保持部11一同旋转；供给部13，对基板w供给处理液；排出部14，排出被供给至基板w的处理液；以及检测部15，对从基板w飞散并由后述的杯体c承接而反弹的处理液进行检测。基板处理装置1包括后述的控制部8，由所述控制部8予以控制。
[0049]
保持部11包括平台t与设于平台t的顶面的卡销p。平台t例如为圆筒形状的载台。卡销p被设于平台t的顶面，保持基板w的边缘。
[0050]
驱动部12被设于保持部11。驱动部12例如通过马达等的驱动源，以与基板w正交的轴为中心，使保持部11所保持的基板w与保持部11一同旋转。基板w的转速是由控制部8予以控制。
[0051]
供给部13是与基板w的两面分别相向地设置，朝向通过驱动部12而旋转的基板w的两面喷出处理液的喷嘴。供给部13既可相对于基板w的各面而设有一个，也可设有多个，但以下设为相对于各面设有一个的情况进行说明。与基板w的两面中的、跟平台t的顶面为相同朝向的面(表面)相向的喷嘴连接于未图示的喷嘴移动机构，可在跟基板w的表面的中心相向的喷出位置、与从所述喷出位置处于基板w的径向外侧的待机位置之间往复地设置。与基板w的两面中的跟平台t的顶面相向的面(背面)相向的喷嘴被设于未图示的中空部，所述中空部设于平台t的中心。另外，所述喷嘴是以不受驱动部12的影响，不与平台t一同旋转的方式固定地设置。喷嘴的移动以及处理液的供给量由控制部8予以控制。
[0052]
作为本实施方式的处理液，使用缓冲氟化氢(buffered hydrogen fluoride，bhf)、去离子水(deionized water，diw)、臭氧水、氟化氢(hydrogen fluoride，hf)。
[0053]
bhf是将高纯度的氢氟酸的水溶液与氟化铵的水溶液混合而成的水溶液。bhf被用作用于去除形成于基板w的面上的氧化膜或附着于基板w的面(被处理面)上的金属杂质等的蚀刻液。而且，bhf呈高粘性。
[0054]
diw是几乎不含杂质的纯水。diw被用作用于从基板w去除蚀刻液的冲洗液。而且，diw呈低粘性。
[0055]
臭氧水为臭氧的水溶液。臭氧水被用于在通过bhf或hf去除了氧化膜而si已露出的基板w的面上形成氧化膜。而且，臭氧水呈低粘性。
[0056]
hf为氢氟酸的水溶液。hf与bhf同样，被用作用于去除形成于基板w的面上的氧化膜或附着于基板w的面上的金属杂质等的蚀刻液。而且，hf呈低粘性。
[0057]
排出部14是承接从基板w的面飞散的处理液并予以排出的容器。排出部14包括：杯体c，以包围驱动部12所保持的基板w的方式而设，承接从基板w的面飞散的处理液；以及配管d，设在杯体c的底部，排出顺着杯体c的内壁面而来的处理液。
[0058]
杯体c包括第一杯体c1与第二杯体c2。第一杯体c1以及第二杯体c2为具有使基板w的面(表面)露出的开口的圆筒形状，且均以包围基板w的方式而设。第二杯体c2的直径大于
第一杯体c1，且以包围第一杯体c1的方式而设。形成第一杯体c1以及第二杯体c2的开口的上部的壁面以朝向径向内侧倾斜的方式弯曲。所述弯曲的部分(以下也称作弯曲部)的前端接近保持基板w的保持部11而设。如后所述，在第一杯体c1以及第二杯体c2，为了排出顺着各个内壁面流动的处理液而设有第一配管d1以及第二配管d2，但由第二杯体c2的内壁面所承接的处理液会被第一杯体c1的弯曲部的上表面妨碍，以使其不会误流入第一配管d1(参照图2)。
[0059]
第一杯体c1的内壁面例如刻有无数个细槽，呈亲水性。第二杯体c2的内壁面例如由可溶性聚四氟乙烯(polyfluoroalkoxy，pfa)予以涂覆或者包含聚四氟乙烯(poly tetra fluoroethylene，ptfe)，呈疏水性。这样，第一杯体c1与第二杯体c2的内壁面的性质不同。
[0060]
第一杯体c1包括移动机构m1。移动机构m1由控制部8予以控制，使第一杯体c1上下移动。第二杯体c2包括移动机构m2。移动机构m2由控制部8予以控制，使第二杯体c2上下移动。如图1所示，当处于第一杯体c1移动至上方的状态时，从基板w飞散的处理液由第一杯体c1的内壁面予以承接。另一方面，如图2所示，当处于第二杯体c2移动至上方的状态且第一杯体c1移动至下方的状态时，第二杯体c2的内壁面相对于从基板w飞散的处理液而露出。由此，从基板w飞散的处理液由第二杯体c2的内壁面予以承接。
[0061]
以下，关于处理液的粘性与杯体c的内壁面的性质的关系，对本技术发明人等发现的见解进行说明。
[0062]
在承接高粘性的处理液的情况下，与承接低粘性的处理液的情况相比，处理液容易留在杯体c的内壁面。因此，高粘性的处理液与低粘性的处理液相比，容易以突起的状态(液滴的接触角大的状态)留在杯体c的内壁面。当从基板w新飞散来的处理液碰撞到所述突起状态的处理液时，因其冲击而处理液绽开并细分化，成为雾状。成为雾状的处理液因碰撞的冲击而反弹至基板w侧，附着于基板w的被处理面，由此导致制造不良的可能。
[0063]
高粘性的处理液因其粘性高而难以绽开。但是，如上所述，若成为以突起的状态留在杯体c的内壁面的液滴，则会与从基板w新飞散来的处理液碰撞而液滴的形状崩坏，从而绽开，由此成为雾状。此时，若杯体c的内壁面为亲水性，则由内壁面所承接的处理液以展开的方式留在杯体c的内壁面。即，与杯体c的内壁面为疏水性的情况相比，由内壁面所承接而附着的处理液易成为平坦的形状(液滴的接触角小的状态)。即便从基板w新飞散来的处理液碰撞到以此种平坦的形状附着的处理液，形状也难以崩坏，因此所述处理液绽开而成为雾状的可能也少。即，因碰撞的冲击导致处理液成为雾状而反弹至基板w侧的可能变少。因而，对于高粘性的处理液，优选利用亲水性的第一杯体c1来承接。
[0064]
另一方面，即便是低粘性的处理液，在利用内壁面为亲水性的杯体c来承接的情况下，也容易在杯体c的内壁面成为平坦的形状(液滴的接触角小的状态)。但是，低粘性的处理液由于处理液的粘性其自身，相对于高粘性的处理液容易绽开。即，低粘性的处理液即便只是留在杯体c的内壁面，当从基板w新飞散来的处理液碰撞时，也会因其冲击而绽开，从而容易成为雾状。此时，若杯体c的内壁面为疏水性，则低粘性的处理液由于其粘性低，附着于杯体c的内壁面的力弱，而成为液球状(液滴的接触角大的状态)。即，即便是少量，也难以留在杯体c的内壁面，而容易顺着杯体c的内壁面朝下方流落。因此，从基板w新飞散来的处理液碰撞到留在杯体c内壁面的处理液的可能得到抑制，处理液难以成为雾状。由于处理液难以成为雾状，因此处理液反弹至基板w侧而附着于基板w的可能得到抑制。因而，对于低粘性
的处理液，优选利用疏水性的第二杯体c2来承接。
[0065]
如上所述，根据处理液的粘性而适当地分开使用内壁面为亲水性的第一杯体c1与内壁面为疏水性的第二杯体c2来承接处理液，由此，能够抑制处理液成为雾状的可能。由于处理液难以成为雾状，因此处理液反弹至基板w侧而附着于基板w的可能得到抑制。另外，可预先借助实验等，通过测定雾产生量来求出对于哪种处理液利用哪种性质的内壁面的杯体c来承接是适当的。本实施方式中，对于bhf，使用具有亲水性的内壁面的第一杯体c1来承接处理液，对于diw、臭氧水、hf，使用具有疏水性的内壁面的第二杯体c2来承接处理液。
[0066]
配管d包括：第一配管d1，设于第一杯体c1的底面；以及第二配管d2，在第一杯体c1的外侧设于第二杯体c2的底面。第一配管d1将顺着第一杯体c1的内壁面而来的处理液予以排出(排液)。第二配管d2将顺着第二杯体c2的内壁面而来的处理液予以排出(排液)。具体而言，第一配管d1以及第二配管d2分别连接于未图示的气液分离装置。顺着杯体c的内壁面而来的处理液通过气液分离装置被送往处理液的回收储罐或工厂的排液设备而排出。而且，气液分离装置可根据处理液的种类来变更输送的目标，由此，能够对应于处理液的每个种类而排出。另外，废气通过气液分离装置被送往工厂的废气设备而排出。
[0067]
检测部15例如为光电传感器等传感器。以下，将检测部15设为投光部与受光部成为一体的反射型光电传感器来进行说明。检测部15被设在杯体c的上方且不会对杯体c的升降动作造成障碍的位置。而且，检测部15是以其光轴与基板w的面成为平行的方式而设。检测部15的光轴的高度例如是比移动至上方的杯体c的上端稍高的高度。检测部15对从基板w飞散而由杯体c的内壁面所承接并从杯体c的内壁面反弹至基板w侧的处理液的飞沫(以下也称作雾)进行检测。由此，检测部15对反弹至到达其光轴的高度为止的处理液的飞沫(雾)进行检测。当检测部15检测到规定量以上的处理液的飞沫时，通过控制部8的控制，驱动部12使基板w的转速下降，供给部13减少处理液的供给量。
[0068]
控制部8例如包含专用的电子电路或者以规定的程序运行的计算机等，对基板处理装置1的各结构进行控制。如图3所示，控制部8包括保持控制部81、驱动控制部82、供给控制部83、移动控制部84、存储部85、设定部86以及输入/输出控制部87。
[0069]
保持控制部81控制保持部11使其保持基板w。驱动控制部82控制驱动部12使基板w旋转或停止。而且，驱动控制部82控制驱动部12改变基板w的转速。例如，当检测部15检测到规定量以上的处理液的飞沫时，使基板w的转速下降。
[0070]
供给控制部83控制供给部13使喷嘴移动，进而供给或停止处理液。而且，供给控制部83控制供给部13改变处理液的供给量。例如，当检测部15检测到规定量以上的处理液的飞沫时，使处理液的供给量减少。
[0071]
移动控制部84对排出部14所包括的第一杯体c1以及第二杯体c2进行控制。具体而言，对第一杯体c1所包括的移动机构m1与第二杯体c2所包括的移动机构m2进行控制，使第一杯体c1以及第二杯体移动。例如，在第一杯体c1以及第二杯体c2上升的状态下，使第一杯体c1升降，由此，对于从基板w飞散的处理液，可选择是利用第一杯体c1的内壁面来承接，还是利用第二杯体c2的内壁面来承接。即，移动控制部84使第一杯体c1以及第二杯体c2移动，使第一杯体c1的内壁面或第二杯体c2的内壁面的其中任一者承接从基板w飞散的处理液。由此，能够根据处理液的种类来选择难以产生雾的杯体c。而且，通过设在所选择的杯体c的底部的配管d，能够将处理液对应于其每个种类来予以排出。
[0072]
存储部85是硬盘驱动器(hard disk drive，hdd)或固态硬盘(solid state drive，ssd)等记录介质。在存储部85中，预先存储有系统的运行所需的数据、程序，而且存储系统的运行所需的数据。设定部86是根据输入来将信息设定至存储部85的处理部。输入/输出控制部87是对与作为控制对象的各结构之间的信号的转换或输入/输出进行控制的接口。
[0073]
在控制部8，连接有输入装置91、输出装置92。输入装置91是供作业员经由控制部8来操作基板处理装置1的开关、触控面板、键盘、鼠标等输入部件。作业员可通过输入装置91来输入对存储部85设定的各种信息。输出装置92是将用于确认装置状态的信息设为作业员可看到的状态的显示器、灯、仪表等输出部件。例如，输出装置92可显示来自输入装置91的信息的输入画面。
[0074]
(作用)
[0075]
关于基板处理装置1的作用，参照图4的流程图来进行说明。作为前提，设基板w由设于保持部11的平台t的卡销p予以保持。而且，第一杯体c1以及第二杯体c2如图1所示，通过移动机构m1以及移动机构m2而移动到上方。即，从基板w飞散的处理液由第一杯体c1的内壁面予以承接。另外，此前提是通过下述操作来实现，即，首先，使第一杯体c1以及第二杯体c2下降，将基板w搬送至基板处理装置1，接下来，使保持部11保持基板w，并使第一杯体c1以及第二杯体c2上升。
[0076]
首先，通过驱动控制部82的控制，驱动部12使基板w以规定的转速旋转(工序s01)。接下来，通过供给控制部83的控制，供给部13对基板w的被处理面供给规定量的bhf，使亲水性的第一杯体c1承接从基板w飞散的bhf(工序s02)。由内壁面为亲水性的第一杯体c1所承接的bhf从第一配管d1予以排液。此时，高粘性的bhf以展开的方式留在第一杯体c1的内壁面，容易成为平坦的形状(液滴的接触角小的状态)，因此，因与新飞散的bhf发生碰撞而绽开引起的雾的产生以及朝向基板w侧的反弹得到抑制。由此，能够抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0077]
当借助bhf所进行的基板w的蚀刻进行了规定时间时，通过供给控制部83的控制，供给部13停止bhf的供给(工序s03)。继而，通过移动控制部84的控制，排出部14如图2所示，使第一杯体c1移动至下方，使已预先移动到上方的第二杯体c2露出(工序s04)。当第二杯体c2露出时，通过供给控制部83的控制，供给部13为了从基板w去除bhf，将所供给的处理液由bhf切换为diw，对基板w的面供给规定量的diw，并使内壁面为疏水性的第二杯体c2来承接(工序s05)。由第二杯体c2所承接的diw顺着第二杯体c2的内壁面流向下方并从第二配管d2予以排液。此时，低粘性的diw由于其粘性低，因此附着于疏水性的第二杯体c2的内壁面的力弱，而成为液球状(液滴的接触角大的状态)。即，不会留在第二杯体c2的内壁面而陆续流下，因此与新飞散的diw发生碰撞的可能得到抑制，由此，雾的产生以及朝向基板w侧的反弹得到抑制，可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0078]
当借助diw所进行的基板w的冲洗进行了规定时间时，通过供给控制部83的控制，供给部13停止diw的供给。移动控制部84维持使第一杯体c1下降且使第二杯体c2上升的状态。接下来，通过供给控制部83的控制，供给部13为了在基板w的被处理面上形成氧化膜，将所供给的处理液由diw切换为臭氧水，对基板w的面供给规定量的臭氧水，并使内壁面为疏水性的第二杯体c2来承接(工序s06)。由第二杯体c2所承接的臭氧水顺着第二杯体c2的内
壁面流向下方并从第二配管d2予以排液。此时，低粘性的臭氧水由于其粘性低，因此附着于疏水性的第二杯体c2的内壁面的力弱，而成为液球状(液滴的接触角大的状态)。即，不会留在第二杯体c2的内壁面而陆续流下，因此与新飞散的臭氧水发生碰撞的可能得到抑制，由此，雾的产生以及朝向基板w侧的反弹得到抑制，可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0079]
当借助臭氧水所进行的针对基板w的氧化膜的形成进行了规定时间时，通过供给控制部83的控制，供给部13停止臭氧水的供给。移动控制部84维持使第一杯体c1下降且使第二杯体c2上升的状态。接下来，通过供给控制部83的控制，供给部13为了从基板w去除氧化膜，将所供给的处理液由臭氧水切换为hf，对基板w的被处理面供给规定量的hf，并使内壁面为疏水性的第二杯体c2来承接(工序s07)。由第二杯体c2所承接的hf顺着第二杯体c2的内壁面流向下方并从第二配管d2予以排液。此时，低粘性的hf由于其粘性低，因此附着于疏水性的第二杯体c2的内壁面的力弱，而成为液球状(液滴的接触角大的状态)。即，不会留在第二杯体c2的内壁面而陆续流下，因此与新飞散的hf发生碰撞的可能得到抑制，由此，雾的产生以及朝向基板w侧的反弹得到抑制，可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0080]
当借助hf所进行的基板w的蚀刻进行了规定时间时，通过供给控制部83的控制，供给部13停止hf的供给。移动控制部84维持使第一杯体c1下降且使第二杯体c2上升的状态。接下来，通过供给控制部83的控制，供给部13为了在基板w上形成氧化膜，将所供给的处理液由hf切换为臭氧水，对基板w的被处理面供给规定量的臭氧水，并使内壁面为疏水性的第二杯体c2来承接(工序s08)。由第二杯体c2所承接的臭氧水顺着第二杯体c2的内壁面流向下方并从第二配管d2予以排液。此时，低粘性的臭氧水由于其粘性低，因此附着于疏水性的第二杯体c2的内壁面的力弱，而成为液球状(液滴的接触角大的状态)。即，不会留在第二杯体c2的内壁面而陆续流下，因此与新飞散的臭氧水发生碰撞的可能得到抑制，由此，雾的产生以及朝向基板w侧的反弹得到抑制，可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0081]
当借助臭氧水所进行的针对基板w的氧化膜的形成进行了规定时间时，通过供给控制部83的控制，供给部13停止臭氧水的供给。移动控制部84维持使第一杯体c1下降且使第二杯体c2上升的状态。接下来，通过供给控制部83的控制，供给部13为了从基板w去除hf，将所供给的处理液由臭氧水切换为diw，对基板w的被处理面供给规定量的diw，并使内壁面为疏水性的第二杯体c2来承接(工序s09)。由第二杯体c2所承接的diw顺着第二杯体c2的内壁面流向下方并从第二配管d2予以排液。此时，低粘性的diw由于其粘性低，因此附着于疏水性的第二杯体c2的内壁面的力弱，而成为液球状(液滴的接触角大的状态)。即，不会留在第二杯体c2的内壁面而陆续流下，因此与新飞散的diw发生碰撞的可能得到抑制，由此，雾的产生以及朝向基板w侧的反弹得到抑制，可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0082]
当借助diw所进行的基板w的冲洗进行了规定时间时，通过供给控制部83的控制，供给部13停止diw的供给(工序s10)。最后，通过驱动控制部82的控制，驱动部12使基板w的转速上升(工序s11)。由此，从基板w甩去diw，使基板w干燥。被甩去的diw由第二杯体c2的内壁面来承接并从第二配管d2予以排液。此时，低粘性的diw由于其粘性低，因此附着于疏水性的第二杯体c2的内壁面的力弱，而成为液球状(液滴的接触角大的状态)。即，不会留在第二杯体c2的内壁面而陆续流下，因此与新飞散的diw发生碰撞的可能得到抑制，由此，雾的产生以及朝向基板w侧的反弹得到抑制，可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0083]
而且，在所述工序s01～工序s11中的基板w的处理中，也可为，当检测部15检测到
规定量以上的处理液的飞沫时，通过驱动控制部82的控制，驱动部12使基板w的转速下降，且通过供给控制部83的控制，供给部13使处理液的供给量减少。由此，由杯体c的内壁面所承接的处理液的势头得到抑制，而且，处理液的量也减少，因此在即便选择具有与处理液的粘性相适合的内壁面的杯体c也无法充分抑制雾的情况下，也能够有效地抑制因处理液的碰撞引起的雾的产生以及朝向基板w侧的反弹。由此，能够有效地抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0084]
关于基板w的转速下降，既可使其一律下降至规定转速为止，也可使其逐渐下降，直至检测部15不再检测到规定量以上的处理液的飞沫为止。此时，只要在检测部15不再检测到规定量以上的处理液的飞沫的时间点维持基板w的转速即可。
[0085]
关于处理液的供给量的下降，既可使其一律下降至规定的供给量为止，也可使其逐渐下降至检测部15不再检测到规定量以上的处理液的飞沫为止。此时，只要在检测部15不再检测到规定量以上的处理液的飞沫的时间点维持处理液的供给量即可。
[0086]
而且，在检测部15不再检测到规定量以上的处理液的飞沫的时间点所维持的基板w的转速或处理液的供给量也可存储至存储部85中，以用于下次以后的基板w的处理。另外，也可为，在下次以后的基板w的处理中，当检测部15再次检测到规定量以上的处理液的飞沫时，再次调整基板w的转速或处理液的供给量，并重新使用所述经调整的基板w的转速或处理液的供给量。
[0087]
(效果)
[0088]
(1)本实施方式的基板处理装置1包括：保持部11，保持基板w；驱动部12，设于保持部11，使基板w与保持部11一同旋转；供给部13，为了对基板w进行处理而对基板w的被处理面供给处理液；第一杯体c1，以包围基板w的方式而设；第二杯体c2，以包围第一杯体c1的方式而设，且内壁面的性质与第一杯体c1不同；以及移动控制部84，使第一杯体c1以及第二杯体c2移动，使第一杯体c1的内壁面或第二杯体c2的内壁面的其中任一者承接从基板w飞散的处理液。由此，能够根据处理液的粘性来选择具有适合于承接处理液的内壁面的杯体c。例如，对于由杯体c的内壁面承接而留住的高粘性的处理液，选择可减小内壁面上的液滴的接触角的杯体c，对于在由杯体c的内壁面承接时容易绽开而成为雾状的低粘性的处理液，可选择难以留在内壁面的杯体c。由此，能够抑制留在内壁面的处理液与新飞散的处理液发生碰撞而产生雾的可能、或者不使处理液留在内壁面而抑制与新飞散的处理液发生碰撞的可能，由此，能够抑制雾的产生。无论在哪种情况下，均可抑制雾的产生，由此可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0089]
(2)本实施方式的第一杯体c1的内壁面为亲水性，第二杯体c2的内壁面为疏水性。由此，对于处理液为bhf等高粘性的处理液，利用亲水性的第一杯体c1的内壁面来承接，由此，可减小内壁面上的处理液的接触角，抑制与新飞散的处理液发生碰撞而产生雾的可能。而且，对于处理液为diw、臭氧水、hf等低粘性的处理液，利用疏水性的第二杯体c2的内壁面来承接，由此，可增大内壁面上的处理液的接触角，不使处理液留住而抑制与新飞散的处理液发生碰撞的可能。由此，能够抑制雾的产生。这样，无论处理液为高粘性或低粘性的哪种情况，均可抑制雾的产生，从而可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0090]
(3)本实施方式的基板处理装置1还包括检测部15，所述检测部15对由第一杯体c1的内壁面或第二杯体c2的内壁面的其中一者所承接并反弹至基板w侧的处理液的飞沫进行
检测，当检测部15检测到规定量以上的处理液的飞沫时，驱动部12使基板w的转速下降，供给部13减少对基板w供给的处理液的供给量。由此，由杯体c的内壁面所承接的处理液的势头得到抑制，而且，处理液的量也减少，因此在即便选择具有与处理液的粘性相适合的内壁面的杯体c也无法充分抑制雾的情况下，也能够有效地抑制因处理液的碰撞引起的雾的产生以及朝向基板w侧的反弹。由此，能够有效地抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0091]
[变形例]
[0092]
(1)所述实施方式中，将第一杯体c1设为亲水性，将设在第一杯体c1外侧的第二杯体c2设为疏水性，但并不限于此。也可将第一杯体c1设为疏水性，将设在第一杯体c1外侧的第二杯体c2设为亲水性。此时，若设与所述实施方式同样，首先进行借助高粘性的处理液即bhf的处理，继而进行借助低粘性的处理液即diw、臭氧水、hf的处理，则在借助bhf所进行的处理的阶段，使第一杯体c1移动至下方，相对于从基板w飞散的处理液而使第二杯体c2露出。由此，高粘性的bhf由设在外侧的亲水性的第二杯体c2来承接，因此可减小内壁面上的处理液的接触角，抑制与新飞散的处理液发生碰撞而产生雾的可能。另一方面，在借助diw、臭氧水、hf所进行的处理的阶段，使第一杯体c1移动至上方，相对于从基板w飞散的处理液而使第一杯体c1相向。由此，低粘性的diw、臭氧水、hf由疏水性的第一杯体c1来承接，不会留在第一杯体c1的内壁面而陆续流下，因此可不使处理液留在内壁面而抑制与新飞散的处理液发生碰撞的可能，由此，能够抑制雾的产生。无论在哪种情况下，均可抑制雾的产生，由此可抑制雾附着于基板w的被处理面。
[0093]
(2)当所述实施方式的检测部15检测到规定量以上的处理液的飞沫时，通过驱动控制部82的控制，驱动部12使基板w的转速下降，通过供给控制部83的控制，供给部13使处理液的供给量减少，但并不限于此。例如也可为，驱动部12使基板w的转速下降，但供给部13不使处理液的供给量减少。而且也可为，供给部13使处理液的供给量减少，但驱动部12不使基板w的转速下降。另外，也可省略检测部15，不根据检测部15的检测来控制基板w的转速或处理液的供给量。
[0094]
(3)所述实施方式的检测部15是设为投光部与受光部成为一体的反射型光电传感器，但并不限于此。例如也可为投光部与受光部成为独立体的透射型光电传感器。而且，检测部15并不限于光电传感器，也可为红外线(infra-red，ir)照相机、电荷耦合器件(charge coupled device，ccd)照相机、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)照相机等。
[0095]
(4)所述实施方式的处理液是设为bhf、diw、臭氧水、hf，但并不限于此。例如，只要是适合于处理基板w的处理液，则使用任何处理液皆可，例如硫酸、磷酸等。而且，所述实施方式的使用处理液的顺序为一例，以任何顺序来使用处理液皆可。例如，也可按照低粘性的处理液、高粘性的处理液、低粘性的处理液的顺序来使用。此时，对于从基板w飞散的处理液，只要使疏水性的第二杯体c2的内壁面、亲水性的第一杯体c1的内壁面、疏水性的第二杯体c2的内壁面分别相向而承接各处理液即可。
[0096]
[其他实施方式]
[0097]
以上，对本发明的实施方式以及各部的变形例进行了说明，但所述实施方式或各部的变形例是作为一例而提示，并不意图限定发明的范围。所述的这些新颖的实施方式能够以其他的各种形态来实施，可在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这
些实施方式或其变形包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求所记载的发明中。

技术特征：
1.一种基板处理装置，包括：保持部，保持基板；驱动部，设于所述保持部，使所述基板与所述保持部一同旋转；供给部，为了对所述基板进行处理而对所述基板的被处理面供给处理液；第一杯体，以包围所述基板的方式而设；第二杯体，以包围所述第一杯体的方式而设，且内壁面的性质与所述第一杯体不同；以及移动控制部，使所述第一杯体以及所述第二杯体移动，使所述第一杯体的内壁面或所述第二杯体的内壁面的其中任一者承接从所述基板飞散的所述处理液。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一杯体的内壁面为亲水性或疏水性的其中任一种，所述第二杯体的内壁面为亲水性或疏水性的任意另一种。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述移动控制部使所述第一杯体以及所述第二杯体移动，以使得：在所述处理液为高粘性的情况下，使所述第一杯体或所述第二杯体中的、内壁面为亲水性的杯体的内壁面承接从所述基板飞散的所述处理液，在所述处理液为低粘性的情况下，使所述第一杯体或所述第二杯体中的、内壁面为疏水性的内壁面承接从所述基板飞散的所述处理液。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，还包括：检测部，对由所述第一杯体的内壁面或所述第二杯体的内壁面的其中任一者所承接并反弹至所述基板侧的所述处理液的飞沫进行检测，当所述检测部检测到规定量以上的所述处理液的飞沫时，所述驱动部使所述基板的转速下降。5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，还包括：检测部，对由所述第一杯体的内壁面或所述第二杯体的内壁面的其中任一者所承接并反弹至所述基板侧的所述处理液的飞沫进行检测，当所述检测部检测到规定量以上的所述处理液的飞沫时，所述供给部减少对所述基板供给的所述处理液的供给量。6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，还包括：检测部，对由所述第一杯体的内壁面或所述第二杯体的内壁面的其中一者所承接并反弹至所述基板侧的所述处理液的飞沫进行检测，当所述检测部检测到规定量以上的所述处理液的飞沫时，所述驱动部使所述基板的转速下降，所述供给部减少对所述基板供给的所述处理液的供给量。7.一种基板处理方法，包括下述工序：保持基板的工序；使所保持的所述基板旋转的工序；对所述基板的被处理面供给处理液的工序；以及使以包围所述基板的方式而设的第一杯体以及以包围所述第一杯体的方式而设且内壁面的性质与所述第一杯体不同的第二杯体移动，使所述第一杯体的内壁面或所述第二杯
体的内壁面的其中任一者承接从所述基板飞散的所述处理液的工序。

技术总结
本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法，能够抑制因新飞散的处理液碰撞到留在杯体内壁面的处理液所引起的雾的产生，防止所述雾附着于基板。本发明的基板处理装置包括：保持部，保持基板；驱动部，设于保持部，使基板与所述保持部一同旋转；供给部，为了对基板进行处理而对基板的被处理面供给处理液；第一杯体，以包围基板的方式而设；第二杯体，以包围第一杯体的方式而设，且内壁面的性质与第一杯体不同；以及移动控制部，使第一杯体以及第二杯体移动，使第一杯体的内壁面或第二杯体的内壁面的其中一者承接从基板飞散的处理液。的其中一者承接从基板飞散的处理液。的其中一者承接从基板飞散的处理液。


技术研发人员：林航之介 樋口晃一
受保护的技术使用者：芝浦机械电子装置株式会社
技术研发日：2023.03.20
技术公布日：2023/9/26