嵌体、部件承载件以及制造嵌体和部件承载件的方法与流程

1.本发明涉及一种用于部件承载件的嵌体，该嵌体具有气体可渗透的多孔层结构，特别地该嵌体具有被层结构和金属层结构至少部分地覆盖的多孔层结构。此外，本发明还涉及一种包括该嵌体的部件承载件。本发明还涉及一种制造该嵌体的方法，以及一种制造具有该嵌体的部件承载件的方法。
2.因此，本发明可以涉及部件承载件的技术领域，该部件承载件诸如为印刷电路板或集成电路(integrated circuit，ic)基板及其制造方法。


背景技术：

3.在配备有一个或更多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增加、这样的电子部件日益小型化以及安装在部件承载件诸如印刷电路板上的电子部件的数量不断增加的情况下，具有多个电子部件的越来越强大的阵列式部件或封装件被采用，这些部件或封装件具有多个接触部或连接部，这些接触部之间的间距越来越小。在操作期间，移除由这些电子部件和部件承载件本身产生的热成为越来越大的问题。此外，对电磁干扰(electromagnetic interference，emi)的有效保护也成为越来越大的问题。同时，部件承载件应在机械上鲁棒，并且在电气和磁性上可靠，以便即使在恶劣条件下也能操作。
4.特别地，在部件承载件内提供特定的功能可能被认为是具有挑战的。ep 3 820 258a1描述了一种具有暴露层的部件承载件，由此暴露层与部件承载件一起在同一个过程中制造。


技术实现要素：

5.可能需要以可靠且设计灵活的方式在部件承载件内提供特定的功能。
6.提供了一种嵌体、一种部件承载件、一种制造嵌体的方法和一种制造部件承载件的方法。
7.根据本发明的一方面，描述了一种用于部件承载件的嵌体，该嵌体包括下述各者或由下述各者构成：
8.i)气体(特别地空气)可渗透的多孔层结构(例如聚四氟乙烯(ptfe)层)；
9.ii)上部层结构(特别地介电层结构)，该上部层结构被布置在(特别地被直接地布置在)气体可渗透的多孔层结构上，
10.其中，上部层结构包括腔，该腔被构造成(例如，被构造为盲孔)使得气体可渗透的多孔层结构的上部部分被暴露；以及
11.iii)上部金属层结构(特别地铜层)，该上部金属层结构被布置在(特别地被直接地布置在)上部层结构上。
12.根据本发明的另一方面，描述了一种部件承载件，该部件承载件包括：
13.i)叠置件，该叠置件包括至少一个电传导层结构和至少一个电绝缘层结构；以及
14.ii)嵌体(如上所描述的)，其中嵌体被组装至叠置件，特别地，嵌体被嵌入叠置件
dielectric，pid)材料，并被构造为粘合膜。在该示例中，腔可以通过光刻技术有效地形成(另外和/或替代性地，可以应用剥离和/或钻孔工艺来形成)。尽管在一个示例中，层结构完全暴露了下方的多孔层结构的特定区域，但在另一示例中，层结构可以被图形化，从而使暴露的区域被图形化的层结构材料部分地覆盖。层结构可以附接至多孔层结构(膜)，并例如通过uv辐射和显影的方式被图形化。层结构可以对在特定区域上受保护的多孔层结构进行保护，而其他区域则可以接触到周围环境。层结构材料可以用于保护多孔层结构免受潮湿、氧化和其他(机械)影响，例如压力。通过这种设计，气流可以在指定区域中穿过多孔层结构。在实施方式中，层结构还可以包括粘合特性。
29.在本文的上下文中，术语“金属层结构”可以指连续或不连续的金属层，例如箔，该金属层被布置在上部/下部层结构上/下方。金属层结构可以具有与层结构相同的尺寸/形状，或者金属层结构可以包括不同的尺寸/形状特性。在示例中，金属层结构(部分地)覆盖腔。在另一示例中，金属层包括金属腔以使多孔层结构完全暴露。
30.在本文的上下文中，术语“嵌体(inlay)”可以指在嵌体制造过程中制造的单独部件/元件，该嵌体制造过程(基本上)独立于部件承载件制造过程。嵌体可以被构造为表面安装在所述部件承载件上或嵌入所述部件承载件中。然而，嵌体可以以完全独立于部件承载件地方式被生产、销售和运输。然而，在实施方式中，嵌体和部件承载件的制造过程可以交织在一起。嵌体也可以被称为独立构件，并且可以在部件承载件技术的基础上形成，特别地在印刷电路板(printed circuit board，pcb)技术的基础上形成，并且嵌体可以表面安装至单独形成的部件承载件或嵌入单独形成的部件承载件，所述单独形成的部件承载件为诸如pcb。然而，嵌体部件也可以与非部件承载件应用结合起来使用。
31.嵌体可以基本上被成形为板，也就是说，嵌体包括两个方向：沿x轴和y轴的主要延伸方向(就像主表面)以及沿z轴的相对较短的延伸方向。因此，在这种情况下，术语“水平”可以指“与主延伸方向平行地定向”，而术语“竖向”可以指“与主延伸方向垂直地定向”。因此，即使嵌体被翻转，术语“竖向”和“水平”总是具有相同的含义。此外，嵌体可以包括不同的形状，例如圆形、矩形、多边形中的一种。
32.根据示例性实施方式，本发明可以基于以下构思：当气体可渗透的多孔层结构(其可以实现多种功能)以嵌体的形式布置在上部层结构和金属层结构上(特别地夹置在上部层结构与金属层结构中间)时，可以以可靠且设计灵活的方式提供部件承载件内的特定功能。这样的嵌体可以独立于部件承载件(层叠置件)来生产和处理。因此，功能嵌体的制造和设计更加灵活，并且可以有利地适应特定的应用。许多有利的结构能够实现相对于部件承载件层叠置件进行表面安装或嵌入的嵌体，特别地，部件承载件层叠置件包括一个或更多个另外的电子部件。
33.通过提供上部/下部层结构，可以调节/调整多孔层结构的具体特性(例如，气流性能、防潮/抗氧化等)。部件承载件独立制造过程可以实现若干优点，例如，避免去污和机械材料移除过程，多孔层结构上的异物残留较少，材料移除过程较干净，前后偏移比机械材料移除后更少，以及对周围材料的损坏较小。
34.如下文中将变得明显的，可以存在多个有利的架构，该有利的架构可以通过部件承载件中的嵌体来实现。尽管嵌体可以与部件承载件分开制造，但既定的部件承载件过程可以应用于生产嵌体，从而能够在现有的部件承载件生产线中直接实施。
35.示例性实施方式
36.在下文中，将解释嵌体、部件承载件和方法的另外的示例性实施方式。
37.根据实施方式，下部层结构被布置在气体可渗透的多孔层结构的下方，其中下部层结构包括另外的腔，该另外的腔被构造成使得气体可渗透的多孔层结构的下部部分被暴露。在这种构造中，气体可渗透的多孔层结构可以被夹置在两个(介电)层结构之间。因此，气体可渗透的多孔层结构的上部主表面和下部主表面可以被暴露。暴露区域可以完全彼此相对，或者可以相对于水平方向移位。
38.根据另一实施方式，上部层结构和/或下部层结构包括可光成像材料(例如，pid材料，或纳米压印光刻(nanoimprint lithography，nil)抗蚀剂。使用光成像技术，可以以一种可靠且有效的方式执行腔和/或(介电)层结构的图形化。可以克服用于切割层结构区域的其他方法的缺点，例如，前/后偏移或树脂流动。
39.根据另一实施方式，可光成像材料包括可光成像介电(pid)材料或者由pid材料构成。
40.在本文的上下文中，术语“可光成像介电层结构”可以指被构造为使用光成像来处理(显示效果)的任何介电(层)结构。特别地，该术语指的是可以(仅)使用光成像技术就能够在其中形成腔的pid介电层结构。优选地，pid层结构包括非纤维增强树脂，例如聚酰亚胺。用于pid应用的基础材料可以包括：i)热固性材料，例如环氧树脂、bcb、苯酚；ii)热塑性材料，例如pi、pbo。pid材料还可以包括可以通过电磁波例如可见光和/或uv光进行固化的光引发剂(光敏剂)。pid材料可以被层压在基板(例如叠置件)上，随后可以通过图形掩膜暴露于光刻源，其中图形掩膜限定了待制造的腔。另外地和/或替代性地，pid材料可以通过其他技术例如喷涂、旋涂和/或狭缝涂覆来应用。pid材料的一部分可以被显影(暴露于电磁波)，并且暴露部分和未暴露部分中的一者(可以使用正性光刻或负性光刻)可以被移除以获得多个腔。光刻工艺的示例可以包括x射线光刻、uv光刻、立体光刻、电子束光刻和激光光刻。
41.根据另一实施方式，可光成像材料包括改进的粘合特性(所述粘合特性可以由pid材料和/或粘合促进添加剂来产生)。这可以提供以下优势，即该层结构可以以有效且稳定的方式粘接至多孔层结构。此外，金属层结构可以以可靠的方式附接至这种粘合层结构。这可以提供特别的优势，因为铜/树脂接合部在粘合方面往往是不稳定的，特别地在没有提供附加的表面粗糙化的情况下更是如此。此外，该粘合可以促进与部件承载件材料的稳定连接。
42.根据另一实施方式，可光成像材料包括聚合物或由聚合物构成，该聚合物特别地是聚合物的混合物。这可以提供以下优势：可以增强粘合特性，特别地通过一种或更多种聚合物的疏水相互作用来增强粘合特性。
43.根据另一实施方式，可光成像材料包括可光成像介电(pid)材料或由pid材料构成，该可光成像材料包括添加剂，特别地，该可光成像材料包括共轭π体系。
44.术语“共轭π体系”可以指分子中具有离域电子的连接p-轨道体系，这通常会降低分子的总能量并增加稳定性。这种体系的示例可以包括芳族化合物(特别地杂环化合物)、非芳族化合物和抗芳族化合物。具体示例可以包括氮化合物(特别地咪唑)、磷化合物、氧化合物或硫化合物。
45.根据另一实施方式，可光成像材料被构造成温度稳定性高的材料，特别地，可光成像材料在达至少250℃的情况下是温度稳定的。因此，该材料在可能包括高温的部件承载件过程中基本上稳定，例如在需要高温和/或压力的层压过程中基本上稳定。
46.根据另一实施方式，可光成像材料对电磁波辐射例如uv辐射敏感。因此，可以有效地应用选择性标准程序来准确地移除可光照成像材料的一部分。
47.根据另一实施方式，可光成像材料包括负性材料或正性材料，或者由负性材料或正性材料构成。
48.根据另一实施方式，可光成像固化温度在100℃至300℃的范围内，特别地在150℃至250℃的范围内。
49.上述确定的特性在使用基于pcb制造工艺的制造中可能特别有利。
50.根据另一实施方式，可光成像材料包括200gf/cm或更高的剥离强度，特别地可光成像材料包括在200gf/cm至1500gf/cm的范围内的剥离强度，更特别地是可光成像材料包括500gf/cm或更低的剥离强度。因此，嵌体的稳定性可以得到改善。
51.根据另一实施方式，嵌体还包括至少部分涂层，特别地包括表面处理部，该涂层被布置在气体可渗透的多孔层结构的至少一个主要表面上。这一措施可以为多孔层结构提供保护，特别地在嵌体被表面安装至部件承载件中或仅部分嵌入部件承载件中的情况下。
52.涂层(表面处理部层结构)可以布置在嵌体的外主表面处。在实施方式中，涂层可以(直接地)布置在多孔层结构上。因此，可以没有(下部)层结构附接至多孔层结构，并且多孔层结构可以仅包括上部层结构和上部金属层结构(例如参见图3中的f))。
53.根据另一实施方式，下部层结构包括与上部层结构相比不同的尺寸和/或形状。因此，提供了许多优势设计选项。例如，层结构可以以不同的方式被图形化(特别地在暴露区域处)，或者层结构中的仅一者可以被图形化。在另一示例中，层结构的厚度或长度/宽度可以(至少部分)不同。
54.根据另一实施方式，下部层结构包括相对于上部层结构的水平偏移。该措施可以是一种特定情况：下部层结构和上部层结构具有不同的尺寸和/或形状。可以通过在水平方向(沿x轴、y轴)上提供差异来实现特定功能。
55.根据另一实施方式，腔或另外的腔包括筒形或平行六面体的形状。根据期望的应用，可以实现特定的功能。
56.根据另外的实施方式，腔包括上部层结构的子结构，该子结构特别地是图形化子结构。根据另一实施方式，另外的腔包括下部层结构的另外的子结构，该另外的子结构特别地是图形化子结构。根据期望的应用，可以实现特定的功能。
57.根据另一实施方式，嵌体还包括下部金属层结构，该下部金属层结构布置在介电的下部层结构的下方。在这种构造中，层结构和多孔层结构可以被夹置在两个金属层之间。这可以提供鲁棒性和与部件承载件的有效互连。
58.根据另外的实施方式，上部金属层和/或下部金属层包括金属层腔，该金属层腔被构造成使得气体可渗透的多孔层结构的一部分暴露。尽管在一个示例中，金属层结构可以覆盖暴露部分(至少是暂时的，例如在嵌体的运输期间)，但可以提供金属腔以将暴露区域完全暴露。这种暴露对于多种应用来说可能是必要的。
59.根据另一实施方式，金属层腔包括渐缩侧壁。这种结构特征可以反映出使用激光
钻孔来制造腔的步骤。在另一示例中，金属层腔可以包括(基本上)直的/竖向的侧壁，这可以反映出例如机械钻孔的制造步骤。
60.根据另外的实施方式，金属层腔比腔和/或另外的腔更大，特别地金属层腔包括比腔和/或另外的腔更大的直径。然而，在另一实施方式中，(另外的)腔可以比(另外的)金属腔大。
61.根据另一实施方式，下部层结构和/或上部层结构包括电传导连接结构，特别地为垫。由此，可以实现嵌体的有效电连接。
62.根据另一实施方式，嵌体(或部件承载件)包括(电子)部件，特别地包括半导体芯片，该部件(电)连接至传导连接结构(垫)中的至少一者。在示例中(例如参见图3中的f))，嵌体包括电子部件，该电子部件特别地电连接至嵌体。因此，嵌体可以被构造成电子模块。
63.根据另一实施方式，上部金属层结构是位于腔的上方的连续层，以及/或者下部金属层结构是位于另外的腔的下方的连续层。在这种构造中，多孔层结构可以例如在运输期间得到有效保护。
64.根据另一实施方式，腔和/或另外的腔包括基本上没有渐缩的侧壁(即(基本上)是竖向/直的)。这种结构特征可以反映出不使用激光钻孔而使用例如机械钻孔和/或蚀刻来制造的步骤。
65.根据另外的实施方式，上部金属层结构和/或下部金属层结构的厚度大于上部介电层结构和/或下部介电层结构的厚度。
66.根据期望的应用，该构造也可以是另外的方式。
67.根据另一实施方式，气体可渗透的多孔层结构被构造为膜。
68.根据另一实施方式，气体可渗透的多孔层结构包括非织造材料。
69.根据另外的实施方式，气体可渗透的多孔层结构被构造为半透明或不透明的。
70.根据另外的实施方式，气体可渗透的多孔层结构包括电传导材料和电绝缘材料中的至少一种或者由电传导材料和电绝缘材料中的至少一种材料构成，特别地，气体可渗透的多孔层结构包括高性能塑料材料或者由高性能塑料材料构成，其中，更特别地，高性能塑料材料包括下述材料中的至少一种：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲醛、聚酰胺、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚醚醚酮、聚醚酮醚酮酮、聚醚酮、乙烯四氟乙烯共聚物、全氟烷氧基烷烃、氟化乙烯丙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚偏二氟乙烯、苯乙烯聚合物、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚砜、聚苯砜、聚异戊二烯和聚砜。
71.根据另一实施方式，气体可渗透的多孔层结构是不能渗透水的。这可以提供以下优势：电子部件和/或部件承载件的其他部分可以得到保护免受湿气影响。
72.根据另一实施方式，气体可渗透的多孔层结构包括芯部和涂层，其中芯部的材料不同于涂层的材料。
73.根据另一实施方式，气体可渗透的多孔层结构包括经处理的表面。
74.根据另一实施方式，其中，气体可渗透的多孔层结构包括以下功能中的至少一者：抗菌、疏水、亲水、防异味(anti-odor)、亲异味(pro-odor)、引导声波(例如通过表面上的微结构)。
75.在实施方式中，多孔层结构是单一材料层。在这种实施方式中，(暴露)层是由均质材料制成。这确保了暴露层作为整体的均质特性。
76.在另一实施方式中，多孔层结构包括不同材料的多个子结构。在所述实施方式中，暴露层可以具有异质材料成分(例如由不同的层制成，每个层具有另一种材料)，这使得可以对暴露层的期望特性进行微调或调整。例如，暴露层可以由多个子层构成，这些子层可以被叠置或夹置，从而一起形成暴露层。
77.在实施方式中，多孔层结构的厚度在1μm至30μm的范围内，特别地在3μm至7μm的范围内。
78.根据另外的实施方式，部件承载件还包括上部叠置件腔，该上部叠置件腔被构造为使得气体可渗透的多孔层结构的上部部分被暴露。根据另一实施方式，部件承载件还包括下部叠置件腔，该下部叠置件腔被构造为使得气体可渗透的多孔层结构的下部部分被暴露。通过这种方式，可以利用嵌体/膜的功能，即使嵌体被嵌入部件承载件(特别地芯部层)中也是如此。在实施方式中，嵌体可以保护部件承载件的特定区域(特别地电子部件)免受水/湿气的影响。此外，嵌体可以对声波是可渗透的，从而用作电声换能器的一部分或用作传感器。
79.根据另一实施方式，上部叠置件腔或下部叠置件腔被形成为部件承载件孔(为盲孔或通孔)，特别地被形成为具有至少一个阶梯状侧壁的通孔。通孔的示例被示出在图5和图6中。在示例中，侧壁包括至少一个阶梯部，该阶梯部可以用作对已嵌入的嵌体的保护，或者甚至可以用作平台以将嵌体的至少一部分放置在该平台上。
80.根据另外的实施方式，上部层结构和/或下部层结构通过一个或更多个垫连接至电传导层结构。因此，可以在嵌体(和/或嵌体的电子部件)与部件承载件之间建立可靠且有效的电连接。
81.根据另一实施方式，部件承载件还包括部件以及通孔或盲孔(即部件承载件孔)，其中，部件至少部分地布置在通孔或盲孔内，特别地安装在盲孔的底部上。除了嵌体之外，电子部件可以以设计灵活的方式与部件承载件结合。
82.根据另一实施方式，通孔或盲孔被嵌体周向地封闭，特别地以流体密封的方式封闭。一种实施方式例如在图4中示出。当电子部件被放置在部件承载件腔中时，嵌体可以被用于对腔和/或电子部件进行覆盖。因此，嵌体的功能可以与对嵌入式部件进行保护相结合。在另一实施方式中，部件可以被封装(例如在树脂中)在孔内。
83.根据另一实施方式，叠置件包括(中央)芯部层结构，并且嵌体至少部分地嵌入在芯部层结构中。芯部层结构可以包括电绝缘材料(典型的pcb材料)和/或电传导材料(例如，铜或铝芯)。在诸如树脂的绝缘材料的情况下，优选地应用(完全)固化的树脂。将嵌体(至少部分地)嵌入芯部层结构中可以提供特别鲁棒的堆叠。在示例中，可以在芯部层结构中形成腔，并且将嵌件放置在所述腔中。
84.根据另一实施方式，部件承载件还包括粘合材料，特别地包括粘合促进剂，该粘合材料至少部分地布置在嵌体与叠置件之间。粘合材料可以包括pcb材料，例如未固化的树脂、预浸料、聚酰亚胺或abf中的一种。因此，可以在嵌体与叠置件之间提供稳定且可靠的接合。
85.根据另外的实施方式，部件承载件被构造为下述中的至少一者：电声换能器(特别地声发射器或发送器之一，例如麦克风)、传感器(特别地压力传感器、加速度传感器、气体传感器之一)、致动器(特别地声接收器，例如扬声器)、微机电系统。在另一示例中，气体可
渗透的多孔层结构在叠置件中形成功能性隔膜和/或传感器。
86.在实施方式中，部件承载件被构造为传感器(特别地声发射器、压力传感器、湿度传感器、加速度传感器和气体传感器之一)、致动器(特别地声接收器)或微机电系统(microelectromechanical system,mems)。在这种应用的上下文下，暴露(多孔)层可以是功能上激活的组成部分。
87.在实施方式中，暴露(多孔)层形成了功能性隔膜(可以替代性地表示为隔膜或分隔结构的功能性层，该分隔结构特别地为超敏感分隔结构)。当体现为功能性隔膜时，暴露层可以被构造并使得能够在其暴露部分中由相对的盲孔界定的容积内自由振动或移动。这种自由振动的功能性隔膜对于诸如传感器或电声应用等功能(例如当部件承载件用作声发射器时)和对于执行功能(例如当部件承载件用作声接收器时)可以是有利的。在示例中，多孔层结构可以被构造为同时形成声发送器和声接收器。
88.根据另外的实施方式，层结构通过下述各者中的至少一者被设置为片材：喷墨、3d印刷、糊剂印刷、喷涂、幕式淋涂、旋涂。
89.根据另一实施方式，形成腔包括光刻和/或蚀刻，该光刻特别地是电磁波(例如uv)辐射。
90.根据另一实施方式，该方法还包括：在上部金属层中形成金属层腔，特别地通过激光加工和/或蚀刻在上部金属层中形成金属层腔。
91.因此，可以直接实施既定的pcb制造方法。
92.根据另一实施方式，腔是在金属层腔被形成之前形成的。在该示例中，金属层结构可以用作对暴露区域进行保护，并且可以在之后，例如在将嵌体组装至部件承载件之后，将金属层结构移除。根据另一实施方式，腔是在金属层腔被形成之后形成的。在该示例中，腔可以直接地通过金属层结构和上部/下部层结构来形成。
93.根据另一实施方式，该方法还包括形成上部(下部)叠置件腔，从而使得气体可渗透的多孔层结构的上部(下部)部分暴露，特别地其中，形成上部(下部)叠置件腔是在形成腔之后。因此，在层堆叠(层压)期间，具有腔的嵌体被组装至部件承载件，并且仅在之后才形成叠置件腔以使嵌体暴露并另外使多孔层结构暴露。
94.根据另一实施方式，该方法还包括：i)在形成上部叠置件腔之前，对至少一个另外的电传导层结构和/或至少一个另外的电绝缘层结构进行层压；以及ii)通过蚀刻将嵌体的上部金属层结构和/或下部金属层结构至少部分地移除。在该示例中(参见例如图6)，嵌体(特别地嵌体的边缘部分)被嵌入部件承载件材料中(特别地嵌入部件承载件孔的侧壁中)，该架构可以通过在层堆叠(层压)期间将嵌体放置在层叠置件中来获得。嵌体可以被嵌入并在稍后(至少部分地)暴露。例如，一个或更多个金属层结构可以保护暴露区域(参见例如图1)，并在随后的暴露步骤中(至少部分地)被移除。如上所述，通过蚀刻移除金属材料可能造成一个或者更多个余留金属层结构的凹部。
95.在实施方式中，叠置件内的至少一个金属层结构(特别地作为嵌体的一部分)具有凹部(在叠置件的内侧壁处)。这种凹部可以是包括蚀刻(或激光加工)在内的有利的制造方法的特点，如下所述。在实施方式中，金属层结构(和凹部)至少部分地被表面处理部层结构覆盖。
96.在实施方式中，嵌体包括表面处理部，该表面处理部特别地(直接地)在多孔层结
构的一个(例如下部)主表面上。在该示例中，上部主表面可以被上部层结构和金属层结构覆盖，而下部主表面则被表面处理部覆盖。因此，表面处理部可以包括腔以将下部主表面部分地暴露。通过这种方式，多孔层结构可以得到有效的保护，而空间(特别地沿z方向)和另外的材料则得到节省。
97.在实施方式中，(另外的)腔中的(上部/下部)层结构的一个或更多个侧壁是(基本上)直的/竖向的或渐缩的。
98.在实施方式中，(另外的)金属腔中的(上部/下部)金属层结构的一个或更多个侧壁是(基本上)直的/竖向的或渐缩的。这些结构特征可以反映出例如蚀刻、激光钻孔、机械钻孔、光刻的制造步骤。
99.在实施方式中，多孔层对某些材料是不可渗透的，例如对液态水是不可渗透的，但是多孔层对物理压力是可渗透的。因此，与压力变化相互作用的部件可以放置在多孔层的一侧上，例如压力传感器诸如压电元件。所述压电元件能够将压力转化为电压/电势，这对特定的应用可能是有用的。
100.在本文的上下文中，连接结构可以包括垫、焊球、柱、烧结材料中的至少一种。连接结构可以被构造为机械地和电气地连接电传导结构/层。
101.在实施方式中，部件承载件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个电传导层结构的叠置件。例如，部件承载件可以是所提到的一个或更多个电绝缘层结构和一个或更多个电传导层结构的层压件，特别是通过施加机械压力和/或热能而形成的所提到的一个或更多个电绝缘层结构和一个或更多个电传导层结构的层压件。所提到的叠置件可以提供板状部件承载件，该板状部件承载件能够为其他部件提供大的安装表面并且仍然是非常薄且紧凑的。术语“层结构”可以特别地表示共同平面内的连续的层、图形化的层、或多个不连续的岛状部。
102.在实施方式中，部件承载件被成形为板。这有助于实现紧凑的设计，其中，尽管如此，部件承载件仍为该部件承载件上的安装部件提供了较大的基底。此外，特别地作为嵌入式电子部件的示例的裸晶片(die)，由于其厚度小，可以方便地嵌入到薄板诸如印刷电路板中。
103.在实施方式中，部件承载件被构造为以下中的一者：印刷电路板、基板(特别地为ic基板)、和中介层。
104.在本技术的上下文中，术语“印刷电路板”(pcb)可以特别地表示例如通过施加压力和/或供给热能而将多个电传导层结构与多个电绝缘层结构进行层压而形成的板状部件承载件。作为用于pcb技术的优选材料，电传导层结构由铜制成，而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸料、或fr4材料。通过例如以激光钻孔或机械钻孔的方式形成穿过层压件的孔并且通过用电传导材料(特别是铜)对这些孔进行部分地或完全地填充从而形成过孔或任何其他通孔连接部，各个电传导层结构可以以期望的方式彼此连接。经填充的孔将整个叠置件连接(延伸穿过多个层或整个叠置件的通孔连接部)，或者经填充的孔将至少两个电传导层连接，该经填充的孔为所谓的过孔。类似地，光学互连部可以穿过叠置件的各个层而形成以接纳电光电路板(electro-optical circuit boar，eocb)。除了可能被嵌入印刷电路板中的一个或更多个部件之外，印刷电路板通常被构造为将一个或更多个部件容置在板状印刷电路板的一个表面或相反的两个表面上。该一个或更多个部件可以
通过焊接而连接至相应的主表面。pcb的介电部分可以包括具有增强纤维(比如，玻璃纤维)的树脂。
105.在本技术的上下文中，术语“基板”可以特别地表示小的部件承载件。相对于pcb而言，基板可以是相对较小的部件承载件，该部件承载件上可以安装一个或更多个部件并且该部件承载件可以用作一个或更多个芯片与另外的pcb之间的连接介质。例如，基板可以具有与待安装在该基板上的部件(特别是，电子部件)大致相同的尺寸(例如，在芯片级封装(chip scale package，csp)的情况下)。更具体地，基板可以理解为这样的承载件：用于电连接件或电网的承载件、以及与印刷电路板(pcb)相当但具有相当高密度的横向和/或竖向布置的连接件的部件承载件。横向连接件例如是传导路径，而竖向连接件可以是例如钻孔。这些横向连接件和/或竖向连接件布置在基板内并且可以用于提供已容置部件或未容置部件(比如，裸晶片)、特别是ic芯片与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接、热连接和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“ic基板”。基板的介电部分可以包括具有增强颗粒(比如，增强球状件，特别是玻璃球状件)的树脂。
106.基板或中介层可以包括以下各者中的至少一者的层或由以下各者中的至少一者的层构成：玻璃；硅(si)和/或可光成像的或可干蚀刻的有机材料、如环氧基堆叠材料(诸如，环氧基堆叠膜)；或者聚合物化合物(聚合物化合物可以包括或可以不包括光敏和/或热敏分子)、如聚酰亚胺或聚苯并恶唑。
107.在实施方式中，该至少一个电绝缘层结构包括以下各者中的至少一者：树脂或聚合物，诸如环氧树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂；聚亚苯基衍生物(例如，基于聚苯醚，ppe)、聚酰亚胺(pi)、聚酰胺(pa)、液晶聚合物(lcp)、聚四氟乙烯(ptfe)和/或它们的组合。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强结构——诸如网状物、纤维、球状件或其他种类的填充物颗粒——以形成复合物。与增强剂结合的半固化树脂、例如用上述树脂浸渍的纤维被称为预浸料。这些预浸料通常是以它们的性能命名的，例如fr4或fr5，这些预浸料的性能描述了其阻燃性能。尽管预浸料特别是fr4对于刚性pcb而言通常是优选的，但是也可以使用其他材料特别是环氧基堆叠材料(比如，堆叠膜)或可光成像介电材料。对于高频应用，高频材料、比如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂可以是优选的。除了这些聚合物以外，低温共烧陶瓷(low temperature cofired ceramics，ltcc)或其他低的、非常低的或超低的dk材料可以作为电绝缘结构而应用在部件承载件中。
108.在实施方式中，所述至少一个电传导层结构包括以下各者中的至少一者：铜、铝、镍、银、金、钯、钨和镁。尽管铜通常是优选的，但是也是可以是其他材料或其涂覆变型、特别是涂覆有超导材料或传导性聚合物的变型，超导材料或传导性聚合物分别比如为石墨烯或聚(3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene))(pedot)。
109.至少一个部件可以嵌入部件承载件中和/或可以表面安装在部件承载件上。这样的部件可以选自下述各者：非电传导嵌体、电传导嵌体(比如，金属嵌体，优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如，热管)、光引导元件(例如，光波导或光导体连接件)、电子部件或其组合。嵌体可以是例如带有或不带有绝缘材料涂层的金属块(ims-嵌体)，该金属块可以嵌入或表面安装以用于促进散热的目的。合适的材料是根据材料的热导率限定的，热导率应当为至少2w/mk。这种材料通常是基于但不限于金属、金属氧化物和/或陶瓷，例如为铜、氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)。为了提高热交换能力，也经常使用具有增加的表面面积的其他
几何形状。此外，部件可以是：有源电子部件(实现了至少一个pn结)、无源电子部件比如电阻器、电感器或电容器、电子芯片、存储装置(例如dram或其他数据存储器)、滤波器、集成电路(比如现场可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)、可编程阵列逻辑(programmable array logic，pal)、通用阵列逻辑(generic array logic，gal)和复杂可编程逻辑器件(complex programmable logic device，cpld))、信号处理部件、电源管理部件(比如场效应晶体管(field-effect transistor，fet)、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)、互补金属氧化物半导体(complementary metal
–
oxide
–
semiconductor，cmos)、结型场效应晶体管(junction field-effect transistor，jfet)、或绝缘栅场效应晶体管(insulated-gate field-effect transistor，igfet)，以上均基于诸如碳化硅(sic)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、氧化镓(ga2o3)、砷化铟镓(ingaas)之类的半导体材料和/或任何其他合适的无机化合物)、光电接口元件、发光二极管、光耦接器、电压转换器(例如，dc/dc转换器或ac/dc转换器)、密码部件、发送器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(mems)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片和能量收集单元。然而，其他部件也可以嵌入到部件承载件中。例如，磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永磁性元件(比如，铁磁性元件、反铁磁性元件、多铁性元件或亚铁磁性元件，例如铁氧体芯)，或者这种磁性元件可以是顺磁性元件。然而，该部件还可以是例如呈板中板构型的ic基板、中介层或另外的部件承载件。部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入部件承载件的内部中。此外，还可以使用其他部件、特别是使用那些产生和发射电磁辐射和/或对从环境传播的电磁辐射敏感的部件来作为部件。
110.在一种实施方式中，部件承载件是层压式部件承载件。在这样的实施方式中，部件承载件是通过施加压力和/或热而被叠置并连接在一起的多层结构的复合物。
111.在对部件承载件的内部层结构进行处理之后，可以用一个或更多个另外的电绝缘层结构和/或电传导层结构对称地或不对称地覆盖(特别是通过层压)经处理的层结构的一个主表面或相反的两个主表面。换句话说，可以持续堆叠，直到获得期望的层数为止。
112.在完成电绝缘层结构和电传导层结构的叠置件的形成之后，可以对所获得的层结构或部件承载件进行表面处理。
113.特别地，在表面处理方面，可以将电绝缘的阻焊剂施加至层叠置件或部件承载件的一个主表面或相反的两个主表面。例如，可以在整个主表面上形成这种阻焊剂并且随后对阻焊剂的层进行图形化，以使一个或更多个电传导表面部分暴露，所述一个或更多个电传导表面部分用于将部件承载件电耦合至电子外围件。部件承载件的用阻焊剂保持覆盖的表面部分、特别是含铜的表面部分可以被有效地保护以免受氧化或腐蚀。
114.在表面处理方面，还可以将表面处理部选择性地施加至部件承载件的暴露的电传导表面部分。这种表面处理部可以是部件承载件的表面上的暴露的电传导层结构(诸如垫、传导迹线等，特别地包括铜或由铜构成)上的电传导覆盖材料。如果不对这种暴露的电传导层结构进行保护，则暴露的电传导部件承载件材料(特别是铜)会被氧化，从而导致部件承载件可靠性较低。
115.表面处理部则可以形成为例如表面安装部件与部件承载件之间的接合部。表面处理部具有保护暴露的电传导层结构(特别是铜电路)的功能，并且表面处理部例如通过焊接
而实现与一个或更多个部件的接合过程。用于表面处理部的合适材料的示例是有机可焊性保护剂(organic solderability preservative，osp)、非电镀镍浸金(electroless nickel immersion gold，enig)、非电镀镍浸钯浸金(electroless nickel immersion palladium immersion gold，enipig)、金(特别是硬金)、化学锡、镍金、镍钯等。
附图说明
116.本发明的以上限定的方面和另外的方面通过将在下文中描述的实施方式的示例变得明显并且参照这些实施方式的示例进行说明。
117.图1示出了根据本发明的示例性实施方式的嵌体的截面图。
118.图2示出了根据本发明的另一示例性实施方式的嵌体的截面图。
119.图3中的a)至f)示出了根据本发明的示例性实施方式的嵌体的制造过程。
120.图4至图6示出了根据本发明的另外的示例性实施方式的具有嵌体的相应部件承载件的截面图。
具体实施方式
121.附图中的图示是示意性的。在不同的附图中，相似或相同的元件被提供以相同的附图标记。
122.在将参照附图对示例性实施方式进行更详细地描述之前，将对开发本发明的示例性实施方式所基于的一些基本考虑进行总结。
123.根据示例性实施方式，目的是将例如由ptfe膜和铜端子构成的部件嵌入到印刷电路板(printed circuit board，pcb)中。在该部件内，使用粘合材料将铜箔附接至膜。然后，将该部件嵌入。为了使ptfe膜能够接触到周围环境，将使用激光来切割空气腔，并对该部件的铜端子进行蚀刻。膜应当是气体可渗透的且不能渗透水的。因此，粘合材料需要在空气腔的位置处具有开口。
124.图1示出了根据本发明的示例性实施方式的嵌体150的截面图。嵌体150包括气体可渗透且不能渗透水的多孔层结构110，该气体可渗透且不能渗透水的多孔层结构被构造为夹置在上部层结构120与下部层结构121之间的聚四氟乙烯膜。在该示例中，层结构120、121是介电的，并且层结构120、121包括pid材料。层结构120、121被直接地布置在气体可渗透的多孔层结构110上，而层结构120、121包括相应的腔125、126，所述相应的腔125、126在腔125的底部处使气体可渗透的多孔层结构110的上部部分暴露，并且在另外的腔126的顶部处使气体可渗透的多孔层结构110的下部部分暴露。暴露部分被直接地布置在气体可渗透的多孔层结构110的相对的主表面上。可以看出，气体可渗透的多孔层结构110的暴露区域比气体可渗透的多孔层结构110的覆盖区域小，从而可以提供有效的保护。
125.嵌体150还包括上部金属层结构130和下部金属层结构131，该上部金属层结构和该下部金属层结构夹置气体可渗透的多孔层结构110，并分别布置在上部层结构120上和下部层结构121下方。在该示例中，金属层结构130、131被构造为完全覆盖了介电层结构120、121和腔125、126的连续铜箔。为了实现该实施方式，腔125、126首先被制造出来(例如通过光刻)，然后通过金属层结构来覆盖腔125、126。
126.图2示出了根据本发明的另一示例性实施方式的嵌体150的截面图。该嵌体150是
半成品，其中气体可渗透的多孔层结构110尚未暴露并且仍被上部层结构120和下部层结构121完全覆盖。与图1所示的示例相比，上部金属层结构130和下部金属层结构131不是连续的，而是例如通过蚀刻已经形成了相应的金属腔135、136以使下方的介电层结构128暴露。替代性地，上部层结构120和/或下部层结构121可以不被暴露和显影，并且因此也可以作为附加的多孔层结构。换言之，多孔层结构的厚度因此可以在叠置件厚度方向(z)上扩大。
127.图3中的a)至f)示出了根据本发明的示例性实施方式的嵌体150的制造过程。
128.图3中的a)：提供了气体可渗透的多孔层结构110。
129.图3中的b)：上部层结构120被布置在气体可渗透的多孔层结构110的顶部上，以及下部层结构121被布置在气体可渗透的多孔层结构110的下方。
130.图3中的c)：在上部层结构120中形成腔125，从而使气体可渗透的多孔层结构110的上部主表面暴露，以及在下部层结构121中形成另外的腔126，从而使气体可渗透的多孔层结构110的下部主表面暴露。
131.图3中的d)：替代性地，在上部暴露区域处仅移除了上部层结构120的一部分(换言之，上部层结构120被图形化)，留下了上部层结构120的子结构127。此外，可以看到，下部层结构121包括相对于上部层结构120的水平偏移。
132.图3中的e)：上部金属层结构130作为连续层被放置在上部层结构120上，从而覆盖腔125，以及下部金属层结构131作为连续层被放置在下部层结构121下方，从而覆盖另外的腔126。
133.图3中的f)示出了替代性实施方式，其中，气体可渗透的多孔层结构110的上部主表面被暴露，以及电子部件145被表面安装至嵌件150，从而覆盖腔125。本示例中，在气体可渗透的多孔层结构110的下部主表面处没有下部层结构121，而是替代地布置了表面处理部层结构140。特别地，表面处理部140像涂层一样被布置在气体可渗透的多孔层结构110的下部主表面上。
134.图4示出了根据本发明的另一示例性实施方式的具有嵌体150的部件承载件100的截面图。在该示例中，部件承载件孔160被形成为叠置件101(叠置件101包括电绝缘层结构和电传导层结构，以及过孔互连部(未示出))的上部区域中的盲孔。电子部件145被放置在部件承载件盲孔160的底部处并且电连接至叠置件101。嵌体150(如图4所述)表面安装至直接位于部件承载件盲孔160上方的叠置件101，以便覆盖所述孔160和嵌入式电子部件145。气体可渗透的多孔层结构110在此直接地布置在电子部件145的上方，在气体可渗透的多孔层结构与电子部件之间没有其他结构。在本示例中，上部金属层结构130被布置在翻转的嵌体150的下侧处，并且通过连接结构诸如垫142将上部金属层结构130电连接至层叠置件101。除了垫142之外，层叠置件101还包括作为涂层的表面处理部层结构141。嵌体150的上部主表面也由于嵌体表面处理部层结构140而得到了保护。在示例中，嵌体150通过叠置件101电连接至嵌入式部件145。
135.图5示出了根据本发明的另一示例性实施方式的具有嵌体150的部件承载件100的截面图。在该示例中，部件承载件孔160被形成为延伸通过层叠置件101的通孔。然而，通孔160在叠置件101的上部区域中的直径比在叠置件101的下部区域中的直径更宽。因此，通孔160的上部区域和下部区域之间的接合部产生了阶梯状侧壁。此外，所述阶梯部被用作用于放置嵌体150的平台。同样地，图4的嵌体150被应用，并且该嵌体被放置在阶梯部上，使得仅
嵌体150的边缘区域被定位在该阶梯部上。所述边缘区域包括下部表面处的垫142，以及垫142电连接至叠置件101的电传导层结构104。
136.由于使用了与针对图4所描述的完全相同的嵌体150，电子部件145通过另外的垫连接至嵌体150的上部金属层结构130。通过将嵌体150以翻转的状态布置在通孔160中，电子部件145被布置在通孔160的下部区域中。在实施方式中，电子部件145通过嵌体150电连接至层叠置件101。嵌体150的表面处理部140可以被定位成与部件承载件141的表面处理部基本一致，从而提供有效的表面保护。
137.图6示出了根据本发明的另一示例性实施方式的具有嵌体150的部件承载件100的截面图。同样在该示例中，部件承载件孔160被构造成通孔。与图5相比，通孔160的上部部分比下部部分更窄。嵌体150没有被定位在阶梯部上，而是将嵌体150的侧面部分——气体可渗透的多孔层结构110在该处没有暴露——嵌入叠置件101中。该实施方式可以例如通过在层叠置件堆叠过程期间将嵌体150布置在部件承载件100中来制造。
138.特别地，金属层结构130、131可以像图1中那样被提供为连续层。然后，在部件承载件制造期间，可以通过仅在暴露区域的上方和下方移除金属层结构130、131来使气体可渗透的多孔层结构110完全暴露。移除可以通过蚀刻来完成，这导致了金属层结构130、131的凹部(参见细节图)，其中凹部133也可以在最终的部件承载件产品中被检测到。金属层结构131和/或凹部133能够至少部分地被表面处理部层结构所覆盖。
139.应当指出的是，术语“包括”不排除其他元件或步骤，并且单数形式的“一”或“一种”不排除多个。此外，可以对结合不同实施方式描述的元件进行组合。
140.还应当指出的是，权利要求中的附图标记不应当被解释为限制权利要求的范围。
141.本发明的实现形式不限于图中所示和上面描述的优选实施方式。相反，即使在根本不同的实施方式的情况下，使用所示的解决方案和根据本发明的原理的多种变型也是可能的。
142.附图标记
143.100 部件承载件
144.101 叠置件
145.102 电绝缘层结构
146.104 电传导层结构
147.105 芯部层
148.108 粘合层
149.110气体可渗透的多孔层结构
150.120 上部介电层结构
151.121 下部介电层结构
152.125 腔
153.126 另外的腔
154.127 图形化的上部层结构
155.128 暴露部分
156.130 上部金属层结构
157.131 下部金属层结构
158.133 凹部
159.135 金属腔
160.136 另外的金属腔
161.140表面处理部(层结构)
162.141部件承载件表面处理部
163.142连接结构、垫
164.145 电子部件
165.150 嵌体
166.160部件承载件通孔/盲孔。

技术特征：
1.一种用于部件承载件(100)的嵌体(150)，所述嵌体(150)包括下述各者或由下述各者构成：气体可渗透的多孔层结构(110)；上部层结构(120)，所述上部层结构被布置在所述气体可渗透的多孔层结构(110)上，其中，所述上部层结构(120)包括腔(125)，所述腔被构造成使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的上部部分暴露；以及上部金属层结构(130)，所述上部金属层结构被布置在所述上部层结构(120)上。2.根据权利要求1所述的嵌体(150)，所述嵌体还包括：下部层结构(121)，所述下部层结构被布置在所述气体可渗透的多孔层结构(110)的下方，其中，所述下部层结构(121)包括另外的腔(126)，所述另外的腔被构造成使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的下部部分暴露。3.根据权利要求2所述的嵌体(150)，其中，所述上部层结构(120)和/或所述下部层结构(121)包括可光成像材料和/或纳米压印光刻抗蚀剂。4.根据权利要求3所述的嵌体(150)，其中，所述可光成像材料包括可光成像介电材料，或者所述可光成像材料由可光成像介电材料构成；以及/或者其中，所述可光成像材料包括改进的粘合性能；以及/或者其中，所述可光成像材料包括聚合物或由聚合物构成，特别地所述可光成像材料包括聚合物的混合物或由聚合物的混合物构成；以及/或者其中，所述可光成像材料包括添加剂，特别地所述可光成像材料包括共轭π体系；以及/或者其中，所述可光成像材料被构造为温度稳定性高的材料，特别地所述可光成像材料在达至少250℃的情况下是温度稳定的；以及/或者其中，所述可光成像材料对uv辐射敏感；以及/或者其中，所述可光成像材料包括负性材料或正性材料，或者由负性材料或正性材料构成；以及/或者其中，所述可光成像材料包括200gf/cm或更高的剥离强度，特别地，所述可光成像材料包括在200gf/cm至1500gf/cm的范围内的剥离强度，更特别地，所述可光成像材料包括500gf/cm或更低的剥离强度；和/或其中，可光成像固化温度在100℃至300℃的范围内，特别地，可光成像固化温度在150℃至250℃的范围内。5.根据权利要求1所述的嵌体(150)，所述嵌体还包括至少部分涂层，所述涂层被布置在所述气体可渗透的多孔层结构(110)的至少一个主表面上，特别地，所述嵌体还包括表面处理部(140)。6.根据权利要求2所述的嵌体(150)，其中，所述下部层结构(121)包括与所述上部层结构(120)相比不同的尺寸和/或形状。7.根据权利要求2所述的嵌体(150)，
其中，所述下部层结构(121)包括相对于所述上部层结构(120)的水平偏移；以及/或者其中，所述腔(125)或所述另外的腔(126)包括筒形或平行六面体的形状；以及/或者其中，所述腔(125)包括所述上部层结构(120)的子结构，特别地，所述腔(125)包括所述上部层结构(120)的图形化的子结构(127)；以及/或者其中，所述另外的腔(126)包括所述下部层结构(121)的另外的子结构，特别地，所述另外的腔(126)包括所述下部层结构(121)的另外的图形化子结构。8.根据权利要求2所述的嵌体(150)，所述嵌体还包括：下部金属层结构(131)，所述下部金属层结构被布置在介电的所述下部层结构(121)的下方。9.根据权利要求8所述的嵌体(150)，其中，所述上部金属层(130)和/或所述下部金属层(131)包括金属层腔(135、136)，所述金属层腔被构造成使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的一部分被暴露，特别地，其中，所述金属层腔(135、136)包括渐缩的侧壁；以及/或者其中，所述金属层腔(135、136)比所述腔(125)和/或所述另外的腔(126)更大，特别地所述金属层腔(135、136)与所述腔(125)和/或所述另外的腔(126)相比具有更大的直径。10.根据权利要求2所述的嵌体(150)，其中，所述下部层结构(121)和/或所述上部层结构(120)包括传导连接结构(142)，特别地，所述下部层结构(121)和/或所述上部层结构(120)包括传导垫，特别地其中，电子部件(145)被连接至所述传导连接结构(142)中的至少一个传导连接结构，特别地，所述电子部件是半导体芯片。11.根据权利要求8所述的嵌体(150)，其中，所述上部金属层结构(130)是位于所述腔(125)的上方的连续的层；以及/或者所述下部金属层结构(131)是位于所述另外的腔(126)的下方的连续的层；以及/或者其中，所述腔(125)和/或所述另外的腔(126)包括基本上不渐缩的侧壁。12.根据权利要求1所述的嵌体(150)，其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)被构造为膜；以及/或者其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)包括非织造材料；和/或其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)被构造为半透明或不透明的；以及/或者其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)是不能渗透水的；以及/或者其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)包括芯部和涂层，其中，所述芯部的材料与所述涂层的材料不同；以及/或者其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)包括经处理的表面，特别地其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)包括下述功能中的至少一者：抗菌、疏水、防异味、亲异味。13.根据权利要求1所述的嵌体(150)，其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)包括电传导材料和电绝缘材料中的至少一种材料，或者所述气体可渗透的多孔层结构(110)由电传导材料和电绝缘材料中的至少一种材料构成，特别地，所述气体可渗透的多孔层结构(110)包括高性能塑料材料或者由高性能塑料材料构成，其中，更特别地，所述高性能塑料材料包括下述材料中的至少一种：聚对
苯二甲酸乙二醇酯、聚甲醛、聚酰胺、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚醚醚酮、聚醚酮醚酮酮、聚醚酮、乙烯四氟乙烯共聚物、全氟烷氧基烷烃、氟化乙烯丙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚偏二氟乙烯、苯乙烯聚合物、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚砜、聚苯砜、聚异戊二烯和聚砜。14.一种部件承载件(100)，所述部件承载件包括：叠置件(101)，所述叠置件包括至少一个电传导层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(102)；以及根据权利要求1所述的嵌体(150)，其中，所述嵌体(150)被组装至所述叠置件(101)，特别地，所述嵌体(150)被嵌入所述叠置件(101)中和/或表面安装至所述叠置件(101)。15.根据权利要求14所述的部件承载件(100)，所述部件承载件(100)还包括：上部叠置件腔，所述上部叠置件腔被构造成使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的上部部分暴露；以及/或者下部叠置件腔，所述下部叠置件腔被构造成使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的下部部分暴露；以及/或者其中，所述上部叠置件腔或所述下部叠置件腔被形成为部件承载件孔(160)，所述部件承载件孔(160)是盲孔或通孔，特别地，所述部件承载件孔(160)是具有至少一个阶梯状侧壁的通孔；以及/或者其中，所述上部层结构(120)和/或所述下部层结构(121)通过一个或更多个垫(142)连接至所述电传导层结构(104)；以及/或者所述部件承载件(100)还包括：电子部件(145)，以及所述部件承载件孔(160)，所述部件承载件孔(160)是通孔或盲孔，其中，所述电子部件(145)至少部分地被布置在所述通孔或所述盲孔内，特别地，所述电子部件(145)被安装在所述盲孔的底部处，更特别地其中，所述通孔或所述盲孔被所述嵌体(150)周向地封闭，特别地，所述通孔或所述盲孔被所述嵌体(150)以流体密封的方式封闭；和/或其中，所述叠置件(101)包括芯部层结构(105)，以及其中，所述嵌体(150)至少部分地嵌入所述芯部层结构(105)中；和/或所述部件承载件(100)还包括：粘合材料(108)，特别地，所述粘合材料是粘合促进剂，所述粘合材料至少部分地布置在所述嵌体(150)与所述叠置件(101)之间。16.一种制造用于部件承载件(100)的嵌体(150)的方法，所述方法包括下述步骤或由下述步骤构成：提供气体可渗透的多孔层结构(110)；在所述气体可渗透的多孔层结构(110)上布置上部层结构(120)；在所述上部层结构(120)中形成腔(125)，从而使所述气体可渗透的多孔层结构(110)的上部部分暴露；以及在介电的所述上部层结构(120)上布置上部金属层结构(130)。17.根据权利要求16所述的方法，
其中，所述上部层结构(120)通过下述各者中的至少一者被设置为片材：喷墨、3d印刷、糊剂印刷、喷涂、幕式淋涂、旋涂；以及/或者所述方法还包括：在所述上部金属层(130)中形成金属层腔(135)，特别地，通过激光加工和/或蚀刻在所述上部金属层(130)中形成金属层腔(135)；以及/或者其中，所述腔(125)是在所述金属层腔(135)被形成之前形成的；或者其中，所述腔(125)是在所述金属层腔(135)被形成之后形成的。18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述腔(125)包括光刻和/或蚀刻，特别地，所述光刻是电磁波辐射。19.一种制造部件承载件(100)的方法，所述方法包括：形成叠置件(101)，所述叠置件(101)包括至少一个电传导层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(102)；以及将根据权利要求1所述的嵌体(150)组装至所述叠置件(101)，特别地，将所述嵌体(150)嵌入所述叠置件(101)中和/或表面安装至所述叠置件(101)。20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：形成上部叠置件腔，使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的上部部分暴露，特别地其中，形成上部叠置件腔是在形成所述腔(125)之后。21.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：在形成所述上部叠置件腔之前，对至少一个另外的电传导层结构(104)和/或至少一个另外的电绝缘层结构(102)进行层压，以及通过蚀刻将所述嵌体(150)的所述上部金属层结构(130)和/或下部金属层结构(131)至少部分地移除。

技术总结
描述了一种用于部件承载件(100)的嵌体(150)，该嵌体(150)包括以下各者或由以下各者构成：i)气体可渗透的多孔层结构(110)；ii)上部层结构(120)，该上部层结构被布置在气体可渗透的多孔层结构(110)上，其中，该上部层结构(120)包括腔(125)，该腔被构造成使得气体可渗透的多孔层结构(110)的上部部分暴露；以及iii)上部金属层结构(130)，该上部金属层结构被布置在上部层结构(120)上。此外，还描述了一种包括嵌体的部件承载件以及一种制造嵌体和部件承载件的方法。部件承载件的方法。部件承载件的方法。


技术研发人员：斯蒂芬妮
受保护的技术使用者：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司
技术研发日：2023.03.17
技术公布日：2023/9/26