量子点组合物、光学构件和电子设备的制作方法

量子点组合物、光学构件和电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年3月24日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2022-0036928的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用特此并入。
技术领域
3.本公开的一个或多个实施方案的各方面涉及量子点组合物、光学构件和包括量子点组合物的电子设备。


背景技术：

4.量子点可用作在光学构件和/或一个或多个合适的电子设备中执行一个或多个合适的光学功能(例如，光转换功能、光发射功能和/或类似物)的材料。为具有量子限制效应的半导体纳米晶体的量子点可通过控制纳米晶体的尺寸和组分而具有不同的能带隙，并且因此可发射一种或多种合适的发射波长的光。
5.包括这样的量子点的光学构件可具有薄膜(例如，对于每个子像素图案化的薄膜)的形式。这样的光学构件可用作包括一个或多个合适光源的装置的颜色转换构件。
6.量子点可在一个或多个合适的电子设备中出于各种目的被利用。例如，量子点可用作发射体。例如，量子点可包括在包括一对电极和发射层的发光器件的发射层中，并且可充当发射体。


技术实现要素：

7.本公开的一个或多个实施方案的一方面包括具有改进的发光效率的量子点组合物和包括量子点组合物的电子设备。
8.额外的方面将在下面的描述中部分阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践本公开的呈现的实施方案而习得。
9.根据本公开的一个或多个实施方案，
10.量子点组合物可包括第一量子点和第二量子点，
11.其中，第一量子点和第二量子点可各自独立地包括核和覆盖核的至少一部分的壳，
12.第一量子点的核可包括第一半导体化合物，
13.第二量子点的核可包括第二半导体化合物，
14.第一半导体化合物和第二半导体化合物可彼此不同，并且
15.第一量子点的光致发光(pl)光谱的最大发射波长可大于第二量子点的pl光谱的最大发射波长。
16.根据本公开的一个或多个实施方案，光学构件可包括量子点组合物。
17.根据本公开的一个或多个实施方案，电子设备可包括量子点组合物。
18.附图简述
19.通过下面的结合附图的描述，本公开的某些实施方案的以上和其他的方面和特征将更显而易见，在附图中：
20.图1显示量子点的示意性剖视图的实施方案；
21.图2显示电子设备的示意性剖视图的实施方案；
22.图3显示电子设备的示意性剖视图的另一实施方案；
23.图4显示制备例1和制备例2的量子点和制备例3的量子点组合物的uv-vis吸收光谱；以及
24.图5显示制备例1和制备例2的量子点以及制备例3的量子点组合物的光致发光(pl)光谱。
具体实施方式
25.现将更详细地参考实施例在附图中示出的实施方案，在附图中类似的附图标记始终是指类似的元件，并且可不提供它们的重复描述。在这点上，本实施方案可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。相应地，仅通过参考附图来描述实施方案，以解释本公开的各方面。如本文中所用，术语“和/或”包括相关联列出项中的一个或多个的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”、“选自a、b和c之中的至少一个”等指示仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如，同时)、a和c两者(例如，同时)、b和c两者(例如，同时)、a、b和c中的所有、或它们的变体。
26.由于本公开考虑到一个或多个合适的变化和许多实施方案，因此具体的实施方案将在附图中示出并且在书面描述中更详细地描述。通过参考参照附图的本公开的实例实施方案，实现本公开的效果、特征以及方法将为显而易见的。然而，本公开可以许多不同形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的本公开的实施方案。
27.将理解的是，尽管术语第一、第二等可在本文中被利用为描述一个或多个合适的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅被利用为将一个元件与另一个区分开。
28.在本公开中描述的实施方案中，利用单数的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有清楚不同的含义。
29.在本说明书中，应理解的是，术语诸如“包括(including)”、“具有(having)”和“包括(comprising)”旨在指示本公开中公开的特征或组件的存在，并且不旨在排除可存在或者可添加一个或多个其他特征或组件的可能性。例如，除非另有限制，否则术语诸如“包括(including)”或“具有(having)”可是指仅由在说明书中描述的特征或组件组成或者还包括其他特征或组件。
30.本文中所用的术语“第ii族”可包括iupac元素周期表上的第iia族元素和/或第iib族元素，并且第ii族元素包括例如镁(mg)、钙(ca)、锌(zn)、镉(cd)和/或汞(hg)。
31.本文中所用的术语“第iii族”可包括iupac元素周期表上的第iiia族元素和/或第iiib族元素，并且第iii族元素可包括例如铝(al)、镓(ga)、铟(in)和/或铊(tl)。
32.本文中所用的术语“第v族”可包括iupac元素周期表上的第va族元素和/或第vb族元素，并且第v族元素可包括例如氮(n)、磷(p)、砷(as)和/或锑(sb)。
33.本文中所用的术语“第vi族”可包括iupac元素周期表上的第via族元素和/或第vib族元素，并且第vi族元素可包括例如硫(s)、硒(se)和/或碲(te)。
34.量子点组合物
35.根据实施方案的量子点组合物可包括第一量子点和第二量子点，其中，第一量子点的pl光谱的最大发射波长可大于第二量子点的pl光谱的最大发射波长。
36.在根据实施方案的量子点组合物中，第二量子点可具有小于第一量子点的最大发射波长的最大发射波长。相应地，量子点组合物可发射具有在第一量子点可吸收的范围内的波长的光。当一起利用第一量子点和第二量子点时，由于第一量子点可通过除了从光源发射的光以外还吸收由第二量子点发射的光来发射光，因此与单独利用第一量子点时相比，发光效率可提高。
37.在实施方案中，第一量子点的pl光谱的最大发射波长可在以下范围内：约520nm至约550nm、约520nm至约540nm、约520nm至约530nm、或约522nm至约528nm。
38.在实施方案中，第二量子点的pl光谱的最大发射波长可在以下范围内：约500nm至约525nm、约505nm至约520nm、或约510nm至约515nm。
39.在实施方案中，量子点组合物的pl光谱的最大发射波长可在以下范围内：约515nm至约550nm、约515nm至约540nm、或约520nm至约535nm。
40.在实施方案中，第二量子点的pl光谱的半峰全宽(fwhm)可在以下范围内：约40nm至约60nm、约42nm至约58nm、或约45nm至约55nm。
41.在实施方案中，在量子点组合物的uv-vis吸收光谱的谷之前的部分(例如，在460nm之前)中的斜率(gradient)可具有在约0.005至约0.013的范围内的绝对值。例如，在第一量子点的uv-vis吸收光谱的谷之前的部分(例如，在460nm之前)中的斜率可具有在约0.010至约0.015的范围内的绝对值，并且在第二量子点的uv-vis吸收光谱的谷之前的部分(例如，在460nm之前)中的斜率可具有在约0.004至约0.006的范围内的绝对值。
42.在实施方案中，第一量子点的平均直径可大于第二量子点的平均直径。
43.在实施方案中，第一量子点的平均直径可在以下范围内：约5.5nm至约7.5nm、约6nm至约7nm、或约6.2nm至约6.8nm。
44.在实施方案中，第二量子点的平均直径可在约5nm至约5.5nm或约5.1nm至约5.4nm的范围内。当第二量子点的平均直径小于5nm时，可能难以产出包括第一量子点和第二量子点的量子点组合物的最大发射波长的期望或合适的水平。当第二量子点的平均直径大于5.5nm时，在约455nm至约505nm的范围内的第二量子点的pl光谱中的光谱面积可减小。
45.在实施方案中，量子点组合物中第一量子点与第二量子点的颗粒比可在约3：7至约7：3、约3.5：6.5至约6.5：3.5、或约4：6至约6：4的范围内。
46.在下文中，将参考图1更详细地描述第一量子点和第二量子点。
47.图1显示量子点100的示意性剖视图的实施方案。根据实施方案，量子点100可为第一量子点或第二量子点。
48.第一量子点和第二量子点可各自独立地包括：核心10；以及覆盖核10的至少一部分的壳20。
49.在实施方案中，第一量子点中的核可包括第一半导体化合物，第二量子点中的核可包括第二半导体化合物，其中，第一半导体化合物和第二半导体化合物可彼此不同。
50.在实施方案中，第一半导体化合物和第二半导体化合物可各自独立地包括：第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半
导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物、或它们的一种或多种组合。
51.第ii-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、或mgs；三元化合物，诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、或mgzns；四元化合物，诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、或hgznste；或它们的一种或多种组合。
52.第iii-v族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、或insb；三元化合物，诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、或inpsb；四元化合物，诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、或inalpsb；或它们的一种或多种组合。在一些实施方案中，第iii-v族半导体化合物可还包括第ii族元素。还包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例可包括inznp、ingaznp、inalznp和/或类似物。
53.第iii-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3、inte和/或类似物；三元化合物，诸如ingas3、ingase3和/或类似物；或它们的一种或多种组合。
54.第i-iii-vi族半导体化合物的实例可包括：三元化合物，诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2或它们的一种或多种组合。
55.第iv-vi族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如sns、snse、snte、pbs、pbse、或pbte；三元化合物，诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、或snpbte；四元化合物，诸如snpbsse、snpbsete、或snpbste；或它们的一种或多种组合。
56.第iv族元素或化合物可为单元素物质，诸如si或ge；二元化合物，诸如sic或sige；或它们的一种或多种组合。
57.包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的个别元素可以基本上均匀或非均匀的浓度存在于其颗粒形式中。
58.在一些实施方案中，第一半导体化合物和第二半导体化合物可各自包括铟(in)。
59.在一些实施方案中，第一半导体化合物可不包括(例如，可排除)镓(ga)(例如，不包括任何ga)，并且第二半导体化合物可包括镓(ga)。
60.例如，第一半导体化合物可包括inp，并且第二半导体化合物可包括ingap。当第一半导体化合物包括inp并且第二半导体化合物包括ingap时，与第二半导体化合物包括inp的实施方案相比，第二量子点的pl光谱可为宽的，因此增加了pl光谱中的约455nm至约505nm的范围内的光谱面积。
61.在实施方案中，壳20可包括金属氧化物、类金属氧化物、非金属氧化物、第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、或它们的一种或多种组合。第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物和第iv-vi族半导体化合物可通过参考本文中提供的它们的描述而分别理解。
62.量子点100的壳20可充当用于防止或减少核10的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或充当用于赋予量子点电泳特性的充电层。壳20可为单层或多层。核10和壳20之间的界面可具有存在于壳20中的元素的浓度朝向核10降低的浓度梯度。
63.金属氧化物、类金属氧化物或非金属氧化物的实例可包括：二元化合物，诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、或nio；三元化合物，诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、或comn2o4；以及它们的一种或多种组合。
64.第一量子点的壳可包括第三半导体化合物，第二量子点的壳可包括第四半导体化合物。第三半导体化合物和第四半导体化合物可各自独立地包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、或它们的一种或多种组合。
65.在一些实施方案中，第三半导体化合物和第四半导体化合物可彼此不同。
66.在实施方案中，第三半导体化合物和第四半导体化合物可各自包括锌(zn)。
67.在实施方案中，第一量子点的壳可为多层。
68.在实施方案中，第一量子点的壳可包括：覆盖核的至少一部分的第一壳；以及覆盖第一壳的至少一部分的第二壳，其中，第一壳和第二壳可彼此不同。
69.例如，第一壳可包括znse，并且第二壳可包括zns。
70.在实施方案中，第二量子点的壳可为单层。
71.例如，第二量子点的壳可包括znses。通过利用含znses的单层作为第二量子点的壳，在保持第二量子点的稳定性的同时使pl光谱的最大发射波长移位至较短的波长是可能的。
72.在实施方案中，第二量子点可包括铟(in)和镓(ga)，并且基于100％的in含量(例如，量)，ga含量(例如，量)可在约5％至约50％的范围内。
73.在实施方案中，第二量子点可包括铟(in)和硒(se)，并且基于100％的in含量(例如，量)，se含量(例如，量)可在约3％至约6％的范围内。
74.在实施方案中，第二量子点可包括铟(in)和硫(s)，并且基于100％的in含量(例如，量)，s含量(例如，量)可在约8％至约12％的范围内。
75.在实施方案中，量子点组合物可包括铟(in)和镓(ga)，并且基于量子点组合物中的100％的in含量(例如，量)，量子点组合物中的ga含量(例如，量)可在约5％至约50％的范围内。例如，量子点组合物包括铟和镓，并且基于量子点组合物中的100％的铟含量，量子点组合物中的镓含量在5％至50％的范围内。
76.在一些实施方案中，量子点100可为例如基本上球形、金字塔形、多臂、或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、或纳米板。
77.在一个或多个实施方案中，第一配体可在第一量子点的表面上，并且第二配体可在第二量子点表面上。第一配体和第二配体可各自独立地包括含硫醇的化合物或含羧酸的化合物。例如，含羧酸的化合物可为油酸、mpeg4-乙酸、或琥珀酸单-2-(丙烯酰氧基)乙酯。例如，含硫醇化合物可在其末端包括硫醇基。例如，第一配体的末端和第二配体的末端可各自独立地包括硫醇基和/或羧基以及包括聚乙二醇的化合物。
78.量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺(mocvd)、分子束外延工艺(mbe)或任何合适的相似工艺来合成。
79.湿化学工艺为通过将前体材料与有机溶剂混合来使量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂可自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长。因此，湿化学法可比诸如金属有机化学气相沉积的气相沉积工艺或分子束外延工艺更容易执行。此外，可用较低的制造成本来控制或选择量子点颗粒的生长。
80.光学构件
81.量子点可在一个或多个合适的光学构件中被利用。根据本公开的一个或多个实施方案的各方面，提供了一种包括量子点的光学构件。
82.在本公开的一个或多个实施方案中，光学构件可为光控制器。
83.在本公开的一个或多个实施方案中，光学构件可为滤色器、颜色转换构件、覆盖层、光提取效率增强层、选择性光吸收层或偏振层。
84.电子设备
85.量子点可在一个或多个合适的电子设备中被利用。根据本公开的一个或多个实施方案的各方面，提供了一种包括量子点的电子设备。
86.根据本公开的实施方案，提供了包括以下的电子设备：光源，其中，光源被配置成发射光；以及颜色转换构件，位于从光源发射的光的路径上，其中颜色转换构件可包括量子点。
87.图2为显示根据实施方案的电子设备200a的结构的示意性剖视图。图2的电子设备200a可包括衬底210、排列在衬底210上的光源220以及排列在光源220上的颜色转换构件230。
88.例如，光源220可为用于在液晶显示器(lcd)、荧光灯、发光器件、有机发光器件或量子点发光器件(qled)、或它们的一种或多种组合中被利用的背光单元(blu)。颜色转换构件230可排列在从光源220发射的光的至少一个行进方向上。
89.电子设备200a中的颜色转换构件230的至少一部分可包括量子点，并且区域可吸收从光源220发射的光，从而发射具有在约400nm至约490nm的范围内的最大发射波长的蓝光。
90.颜色转换构件230排列在从光源220发射的光的至少一个行进方向上可不排除其他元件还包括在颜色转换构件230和光源220之间。
91.例如，在光源220和颜色转换构件230之间，可额外排列有偏振片、液晶层、导光板、漫射板、棱镜片、微透镜片、亮度增强片、反射膜、滤色器或它们的一种或多种组合。
92.在一些实施方案中，偏振片、液晶层、导光板、漫射板、棱镜片、微透镜片、亮度增强片、反射膜、滤色器或它们的任何组合可额外排列在颜色转换构件230上。
93.根据本公开的实施方案的图2中所示的电子设备200a可具有一个或多个合适的通常利用/通常可用的形状中的任何，并且相应地，可还包括一个或多个合适的通常利用/通常可用的结构。
94.在一些实施方案中，电子设备可包括以下结构：包括依次排列的光源、导光板、颜色转换构件、第一偏振片、液晶层、滤色器和第二偏振片。
95.在一些实施方案中，电子设备可包括以下结构：包括依次排列的光源、导光板、第一偏振片、液晶层、第二偏振片和颜色转换构件。
96.在上述实施方案中，滤色器可包括颜料和/或染料。在上述实施方案中，第一偏振
片和第二偏振片中的一个可为垂直偏振片，并且另一个可为水平偏振片。
97.在一些实施方案中，如本公开中描述的量子点可用作发射体。根据另一实施方案，提供了一种包括发光器件的电子设备，该发光器件可包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及位于第一电极和第二电极之间的发射层，其中，发光器件(例如，发光器件的发射层)可包括量子点。发光器件可还包括在第一电极和发射层之间的空穴传输区、在发射层和第二电极之间的电子传输区、或它们的一种或多种组合。
98.图3的描述
99.图3为根据实施方案的发光器件1a的示意性剖视图。发光器件1a可包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
100.在下文中，将结合图3描述根据实施方案的发光器件1a的结构和根据实施方案的制造发光器件1a的方法。
101.第一电极11o
102.在图3中，衬底可额外位于第一电极110下方或第二电极150上方。衬底可为玻璃衬底或塑料衬底。衬底可为柔性衬底，该柔性衬底包括具有优异或合适的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺、或它们的一种或多种组合。
103.第一电极110可通过在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，可容易注入空穴的高功函材料可用作用于第一电极的材料。
104.第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或它们的一种或多种组合。在一些实施方案中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或它们的一种或多种组合可用作形成第一电极110的材料。
105.第一电极110可具有包括单层(例如，由单层组成)的单层结构、或者包括两层或更多层的多层结构。在一些实施方案中，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
106.中间层130
107.中间层130可在第一电极110上。中间层130可包括发射层。
108.中间层130可还包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极150之间的电子传输区。
109.除了一种或多种合适的有机材料以外，中间层130可还包括含金属的化合物(诸如有机金属化合物)、无机材料(诸如量子点)和/或类似物。
110.中间层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的至少两个发光单元；以及ii)位于至少两个发光单元之间的电荷产生层。当中间层130包括至少两个发光单元和电荷产生层时，发光器件1a可为串联发光器件。
111.中间层130中的空穴传输区
112.空穴传输区可具有：i)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括单一材料(例如，由单一材料组成)；ii)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括多种不同材料；或iii)具有多层的多层结构，该多层包括多种不同材料。
113.空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层、或它们的
一种或多种组合。
114.例如，空穴传输区可具有多层结构，例如空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层结构、空穴注入层/发光辅助层结构、空穴传输层/发光辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，每种结构的各层在第一电极110上以各自所陈述的顺序依次堆叠。
115.空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的组合：
116.式201
[0117][0118]
式202
[0119][0120]
其中，在式201和式202中，
[0121]
l
201
至l
204
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
(以下限定)取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0122]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0123]
xa1至xa4可各自独立地为0至5的整数，
[0124]
xa5可为1至10的整数，
[0125]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0126]r201
和r
202
可任选地通过以下彼此键合：单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代(例如，本文中描述的化合物ht16)的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基和/或类似物)，
[0127]r203
和r
204
可任选地通过以下彼此键合：单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0128]
na1可为1至4的整数。
[0129]
在一些实施方案中，式201和式202可各自包括选自由式cy201至式cy217表示的基团之中的至少一个：
[0130][0131]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可各自通过参考r
10a
的描述来理解，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且在式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0132]
在一些实施方案中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基团(benzene group)、萘基、菲基或蒽基。
[0133]
在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自包括选自由式cy201至式cy203表示的基团之中的至少一个。
[0134]
在一个或多个实施方案中，式201可包括选自由式cy201至式cy203表示的基团之中的至少一个和选自由式cy204至式cy217表示的基团之中的至少一个。
[0135]
在一个或多个实施方案中，在式201中，xa1可为1，r
201
可为由选自式cy201至式cy203之中的任何一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由选自式cy204至式cy207之中的任何一个表示的基团。
[0136]
在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括(例如，可排除(例如，可不包括任何))由式cy201至式cy203表示的基团。
[0137]
在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括(例如，可排除)由式cy201至式cy203表示的基团，并且可包括选自由式cy204至式cy217表示的基团之中的至少一个。
[0138]
在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括(例如，可排除)由式cy201至式cy217表示的基团。
[0139]
在一些实施方案中，空穴传输区可包括以下中的一个或多个：化合物ht1至化合物ht46和m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸)(pani/pss)或它们的一个或多个组合：
[0140]
[0141]
[0142]
[0143]
[0144][0145]
空穴传输区的厚度可在约50埃至约(例如，约至约)的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或它们的组合时，空穴注入层的厚度可在约至约(例如，约至约)的范围内，空穴传输层的厚度可在约至约(例如，约至约)的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围中的任何内时，在不显著增加驱动电压的情况下可获得优异或合适的空穴传输特性。
[0146]
发光辅助层可根据由发射层发射的光的波长、通过补偿光学共振距离来提高光发射效率。电子阻挡层可防止或减少电子从发射层到空穴传输区的渗漏。可包括在空穴传输区中的材料也可包括在发光辅助层和/或电子阻挡层中。
[0147]
p型掺杂剂
[0148]
空穴传输区可包括电荷产生材料以及前述材料，以改进空穴传输区的导电性。电荷产生材料可基本上均匀或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，作为包括电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单层)。
[0149]
例如，电荷产生材料可包括p型掺杂剂。
[0150]
在一些实施方案中，p型掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可为-3.5ev或更低。
[0151]
在一些实施方案中，p型掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基的化合物、含元素el1和元素el2的化合物、或它们的一种或多种组合。
[0152]
醌衍生物的实例可包括tcnq、f4-tcnq和/或类似物。
[0153]
含氰基的化合物的实例包括hat-cn、由式221表示的化合物和/或类似物：
[0154][0155]
式221
[0156][0157]
其中，在式221中，
[0158]r221
至r
223
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且
[0159]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为：被以下取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或它们的一种或多种组合取代的c
1-c
20
烷基；或它们的一种或多种组合。
[0160]
在含元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、类金属或它们的组合，并且元素el2可为非金属、类金属或它们的一种或多种组合。
[0161]
金属的实例可包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)和/或类似物)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)和/或类似物)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)和/或类似物)；过渡后金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)和/或类似物)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)和/或类似物)；和/或类似物。
[0162]
类金属的实例可包括硅(si)、锑(sb)、碲(te)和/或类似物。
[0163]
非金属的实例可包括氧(o)、卤素(例如，f、cl、br、i和/或类似物)和/或类似物。
[0164]
例如，含元素el1和元素el2的化合物可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物和/或类似物)、类金属卤化物(例如，类金属氟化物、类金属氯化物、类金属溴化物、类金属碘化物和/或类似物)、金属碲化物或它们的
一种或多种组合。
[0165]
金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5和/或类似物)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5和/或类似物)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5和/或类似物)、铼氧化物(例如，reo3和/或类似物)和/或类似物。
[0166]
金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、过渡后金属卤化物、镧系金属卤化物和/或类似物。
[0167]
碱金属卤化物的实例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi和/或类似物。
[0168]
碱土金属卤化物的实例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2和/或类似物。
[0169]
过渡金属卤化物的实例可包括卤化钛(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4和/或类似物)、卤化锆(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4和/或类似物)、卤化铪(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4和/或类似物)、卤化钒(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3和/或类似物)、卤化铌(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3和/或类似物)、卤化钽(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3和/或类似物)、卤化铬(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3和/或类似物)、卤化钼(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3和/或类似物)、卤化钨(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3和/或类似物)、卤化锰(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2和/或类似物)、卤化锝(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2和/或类似物)、卤化铼(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2和/或类似物)、卤化铁(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2和/或类似物)、卤化钌(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2和/或类似物)、卤化锇(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2和/或类似物)、卤化钴(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2和/或类似物)、卤化铑(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2和/或类似物)、卤化铱(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2和/或类似物)、卤化镍(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2和/或类似物)、卤化钯(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2和/或类似物)、卤化铂(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2和/或类似物)、卤化铜(例如，cuf、cucl、cubr、cui和/或类似物)、卤化银(例如，agf、agcl、agbr、agi和/或类似物)、卤化金(例如，auf、aucl、aubr、aui和/或类似物)和/或类似物。
[0170]
过渡后金属卤化物的实例可包括卤化锌(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2和/或类似物)、卤化铟(例如，ini3和/或类似物)、卤化锡(例如，sni2和/或类似物)和/或类似物。
[0171]
镧系金属卤化物的实例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3和/或类似物。
[0172]
类金属卤化物的实例可包括卤化锑(例如，sbcl5和/或类似物)和/或类似物。
[0173]
金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te和/或类似物)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate和/或类似物)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te和/或类似物)、过渡后金属碲化物(例如，znte和/或类似物)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute和/或类似物)和/或类似物。
[0174]
中间层130中的发射层
[0175]
发射层可为量子点单层、或者至少两个量子点层的层压结构。在一些实施方案中，
发射层可为量子点单层或2至100个量子点层的层压结构。
[0176]
发射层可包括本文中描述的量子点。
[0177]
发射层可还包括不同于本文中描述的量子点的量子点。
[0178]
除了如本文中描述的量子点以外，发射层可还包括量子点以配位形式天然分散的分散介质。分散介质可包括有机溶剂、聚合物树脂或它们的组合。可利用任何合适的透明介质，只要分散介质可不影响(即，负面影响)量子点的光学性能、可不改变或反射光、并且可不引起光吸收。例如，溶剂可包括甲苯、氯仿、乙醇、辛烷或它们的一种或多种组合，并且聚合物树脂可包括环氧树脂、硅树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯酸酯树脂或它们的一种或多种组合。
[0179]
发射层可通过如下形成：将用于形成发射层的包括量子点的组合物施涂在空穴传输区上，以及使包括在用于形成发射层的组合物中的溶剂中的至少一些挥发。
[0180]
例如，作为溶剂，可利用水、己烷、氯仿、甲苯、辛烷和/或类似物。
[0181]
涂覆用于形成发射层的组合物可利用以下来执行：旋涂法、流延法、微凹版涂覆法、凹版涂覆法、棒涂覆法、滚涂法、线材涂覆法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法和/或类似方法。
[0182]
当发光器件1a为全色发光器件时，在发射层130中，个别子像素可包括发射不同颜色的发射层。
[0183]
在一些实施方案中，根据子像素，发射层130可图案化为第一颜色发射层、第二颜色发射层和第三颜色发射层。在这个实施方案中，前面的发射层之中的至少一个发射层可必需包括量子点。在一些实施方案中，第一颜色发射层可为包括量子点的量子点发射层，并且第二颜色发射层和第三颜色发射层可为各自包括不同的有机化合物的有机发射层。在这个实施方案中，第一颜色至第三颜色可彼此不同，并且在一些实施方案中，第一颜色至第三颜色可具有不同的最大发射波长。第一颜色至第三颜色可组合成白光(例如，组合白光)。
[0184]
在一些实施方案中，发射层可还包括第四颜色发射层，第一颜色发射层至第四颜色发射层中的至少一个发射层可为包括量子点的量子点发射层，并且其他发射层可为各自包括有机化合物的有机发射层。可进行这样的变型。例如，在一个实施方案中，第一颜色至第四颜色可彼此不同，并且在其他实施方案中，第一颜色至第四颜色可各自具有不同的最大发射波长。第一颜色至第四颜色可组合成白光(例如，组合白光)。
[0185]
在一些实施方案中，发光器件1a可具有以下结构：各自发射相同颜色或不同颜色的至少两个发射层可彼此接触或者彼此间隔开(分开)。至少两个发射层中的至少一个发射层可为包括量子点的量子点发射层，并且其他发射层可为包括有机化合物的有机发射层。可进行这样的变型。例如，发光器件1a可包括第一颜色发射层和第二颜色发射层，其中，第一颜色和第二颜色可具有相同颜色或不同颜色。在另一实施方案中，第一颜色和第二颜色两者(例如，同时)可为蓝色。
[0186]
除了量子点以外，发射层可还包括选自有机化合物和半导体化合物之中的至少一种。
[0187]
更详细地，有机化合物可包括主体和掺杂剂。主体和掺杂剂可包括在有机发光器件中通常利用/通常可用的主体和掺杂剂。
[0188]
在一些实施方案中，半导体化合物可为有机钙钛矿和/或无机钙钛矿。
[0189]
中间层130中的电子传输区
[0190]
电子传输区可具有：i)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括单一材料(例如，由单一材料组成)；ii)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括多种不同材料；或iii)具有多层的多层结构，该多层包括多种不同材料。
[0191]
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或电子注入层。
[0192]
在一些实施方案中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，每种结构的各层在发射层上以各自所陈述的顺序依次堆叠。
[0193]
电子传输区可包括导电金属氧化物。电子传输区可包括例如zno、tio2、wo3、sno2、in2o3、nb2o5、fe2o3、ceo2、srtio3、zn2sno4、basno3、in2s3、znsio、pc60bm、pc70bm、znmgo、azo、gzo、izo、al-掺杂tio2、ga-掺杂tio2、in-掺杂tio2、al-掺杂wo3、ga-掺杂wo3、in-掺杂wo3、al-掺杂sno2、ga-掺杂sno2、in-掺杂sno2、mg-掺杂in2o3、al-掺杂in2o3、ga-掺杂in2o3、mg-掺杂nb2o5、al-掺杂nb2o5、ga-掺杂nb2o5、mg-掺杂fe2o3、al-掺杂fe2o3、ga-掺杂fe2o3、in-掺杂fe2o3、mg-掺杂ceo2、al-掺杂ceo2、ga-掺杂ceo2、in-掺杂ceo2、mg-掺杂srtio3、al-掺杂srtio3、ga-掺杂srtio3、in-掺杂srtio3、mg-掺杂zn2sno4、al-掺杂zn2sno4、ga-掺杂zn2sno4、in-掺杂zn2sno4、mg-掺杂basno3、al-掺杂basno3、ga-掺杂basno3、in-掺杂basno3、mg-掺杂in2s3、al-掺杂in2s3、ga-掺杂in2s3、in-掺杂in2s3、mg-掺杂znsio、al-掺杂znsio、ga-掺杂znsio、in-掺杂znsio、或它们的一种或多种组合。
[0194]
电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、或电子传输层)可包括不含金属的、包括至少一个缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团的化合物。
[0195]
在一些实施方案中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：
[0196]
式601
[0197]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0198]
其中，在式601中，
[0199]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0200]
xe11可为1、2或3，
[0201]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0202]r601
可为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)、或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0203]q601
至q
603
可各自通过参考本文中提供的q1的描述来理解，
[0204]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0205]
选自ar
601
、l
601
和r
601
之中的至少一个可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0206]
在一些实施方案中，当在式601中的xe11为2或更大时，至少两个ar
601
可通过单键键合。
[0207]
在一些实施方案中，在式601中，ar
601
可为被取代或未被取代的蒽基。
[0208]
在一些实施方案中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0209]
式601-1
[0210][0211]
其中，在式601-1中，
[0212]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0213]
l
611
至l
613
可各自通过参考本文中提供的l
601
的描述来理解，
[0214]
xe611至xe613可各自通过参考本文中提供的xe1的描述来理解，
[0215]r611
至r
613
可各自通过参考本文中提供的r
601
的描述来理解，并且
[0216]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0217]
例如，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0218]
电子传输区可包括以下中的一个或多个：化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz、或它们的一种或多种组合：
[0219]
[0220]
[0221][0222]
电子传输区的厚度可在约100埃至约(例如，约至约)的范围内。当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的一种或多种组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地在约至约(例如，约至约)的范围内，并且电子传输层的厚度可在约至约(例如，约至约)的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，在不显著增加驱动电压的情况下可获得优异或合适的电子传输特性。
[0223]
除了上述材料以外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可还包括含金属的材料。
[0224]
含金属的材料可包括碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的组合。碱金属配合
物的金属离子可为锂(li)离子、钠(na)离子、钾(k)离子、铷(rb)离子或铯(cs)离子。碱土金属配合物的金属离子可为铍(be)离子、镁(mg)离子、钙(ca)离子、锶(sr)离子或钡(ba)离子。与碱金属配合物和碱土金属配合物的金属离子配位的每个配体可独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的一种或多种组合。
[0225]
例如，含金属的材料可包括li配合物。li配合物可包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0226][0227]
电子传输区可包括促进电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0228]
电子注入层可具有：i)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括单一材料(例如，由单一材料组成)；ii)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括多种不同材料；或iii)具有多层的多层结构，该多层包括多种不同材料。
[0229]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的一种或多种组合。
[0230]
碱金属可为li、na、k、rb、cs或它们的一种或多种组合。碱土金属可为mg、ca、sr、ba或它们的一种或多种组合。稀土金属可为sc、y、ce、tb、yb、gd或它们的一种或多种组合。
[0231]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可分别为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、碱金属、碱土金属和稀土金属的卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碱金属、碱土金属和稀土金属的碲化物、或它们的一种或多种组合。
[0232]
含碱金属的化合物可为：碱金属氧化物，诸如li2o、cs2o或k2o；碱金属卤化物，诸如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki；或它们的一种或多种组合。含碱土金属的化合物可包括碱土金属氧化物，诸如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中，x为满足条件0《x《1的实数)和/或ba
x
ca
1-x
o(其中，x为满足条件0《x《1的实数)。含稀土金属的化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或它们的一种或多种组合。在一些实施方案中，含稀土金属的化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3、lu2te3和/或类似物。
[0233]
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可包括：i)上述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一个；以及ii)结合到金属离子上的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯、或它们的一种或多种组合。
[0234]
电子注入层可包括以下(例如，由以下组成)：如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物、或它们的一种或多种组合。在一些实施方案中，电子注入层可还包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0235]
在一些实施方案中，电子注入层可包括以下(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；或ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属、或它们的一种或多种组合。在一些实施方案中，电子注入层可为ki：yb共沉积层、rbi：yb共沉积层、lif：yb共沉积层和/或类似物。
[0236]
当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的一种或多种组合可基本上均匀或非均匀地分散在包括有机材料的基体中。
[0237]
电子注入层的厚度可在约至约的范围内，并且在一些实施方案中，为约至约当电子注入层的厚度在这些范围的任何内时，在不显著增加驱动电压的情况下可获得优异或合适的电子注入特性。
[0238]
第二电极150
[0239]
第二电极150可在中间层130上。在实施方案中，第二电极150可为阴极，阴极为电子注入电极。在这个实施方案中，形成第二电极150的材料可为具有低功函的材料，例如金属、合金、导电化合物或它们的一种或多种组合。
[0240]
第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或它们的一种或多种组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0241]
第二电极150可具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构。
[0242]
覆盖层
[0243]
第一覆盖层可位于第一电极110外部，和/或第二覆盖层可位于第二电极150外部。在一些实施方案中，发光器件1a可具有：第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以这个所陈述的顺序依次堆叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以这个所陈述的顺序依次堆叠的结构；或者第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以这个所陈述的顺序依次堆叠的结构。
[0244]
在发光器件1a中，从中间层130中的发射层发射的光可通过第一电极110(第一电极110可为半透射电极或透射电极)并通过第一覆盖层至外部。在发光器件1a中，从中间层130中的发射层发射的光可通过第二电极150(第二电极150可为半透射电极或透射电极)并通过第二覆盖层至外部。
[0245]
基于相长干涉的原理，第一覆盖层和第二覆盖层可改进外部发光效率。相应地，可提高发光器件1a的光提取效率，因此改进了发光器件1a的发光效率。
[0246]
第一覆盖层和第二覆盖层可各自包括具有(在589nm)1.6或更高的折射率的材料。
[0247]
第一覆盖层和第二覆盖层可各自独立地为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或者包括有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0248]
选自第一覆盖层和第二覆盖层之中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的一种或多种组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基的化合物可任选被取代基o、n、s、se、si、f、cl、br、i或它们的一种或多种组合取代。在一些实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层之中的至少一个可各自独立地包括含胺基的化合物。
[0249]
在一些实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层之中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的组合。
[0250]
在一个或多个实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层之中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至化合物ht33中的一种或多种、化合物cp1至化合物cp6中的一种或多种、或它们的一种或多种组合：
[0251][0252]
发光器件可包括在一种或多种合适的电子设备中。在一些实施方案中，包括发光器件的电子设备可为发光设备或认证设备。
[0253]
除了发光器件以外，电子设备(例如，发光设备)可还包括i)滤色器、ii)颜色转换
层、或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可布置在从发光器件发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光器件发射的光可为蓝光或白光。发光器件可通过参考本文中提供的描述来理解。在一些实施方案中，颜色转换层可包括量子点。量子点可例如为本文中描述的量子点。
[0254]
电子设备可包括第一衬底。第一衬底可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0255]
像素限定膜可位于多个子像素区域之间，以限定每个子像素区域。
[0256]
滤色器可还包括多个滤色器区域和在多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可还包括多个颜色转换区域和在多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0257]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一些实施方案中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。在一些实施方案中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点(例如，可不包括任何量子点)。量子点可通过参考本文中提供的量子点的描述来理解。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自还包括发射体。
[0258]
在一些实施方案中，发光器件可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第1-1颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第2-1颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第3-1颜色光。在这个实施方案中，第1-1颜色光、第2-1颜色光和第3-1颜色光可各自具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一光可为蓝光，第1-1颜色光可为红光，第2-1颜色光可为绿光，并且第3-1颜色光可为蓝光。
[0259]
除了发光器件以外，电子设备可还包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的一个可电连接到发光器件的第一电极或第二电极。
[0260]
薄膜晶体管可还包括栅电极、栅绝缘膜和/或类似物。
[0261]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体。
[0262]
电子设备可还包括用于密封发光器件的封装单元。封装单元可位于滤色器和/或颜色转换层与发光器件之间。封装单元可允许光从发光器件传送至外部并且同时(兼有)防止或减少空气和湿气渗透到发光器件。封装单元可为包括透明玻璃或塑料衬底的密封衬底。封装单元可为包括至少一个有机层和/或无机层的薄膜封装层。当封装单元为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
[0263]
根据如何利用电子设备，除了滤色器和/或颜色转换层以外，一个或多个合适的功能层可还布置在封装单元上。功能层的实例可包括触摸屏层、偏振层和/或类似物。触摸屏层可为电阻式触摸屏层、电容式触摸屏层或红外光束触摸屏层。认证设备可为例如根据生物测定信息(例如，指尖、瞳孔和/或类似物)来认证个体的生物测定认证设备。
[0264]
除了上述发光器件以外，认证设备可还包括生物测定信息收集单元。
[0265]
电子设备可适用于一种或多种合适的显示器、光源、照明器、个人计算机(例如，移
动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子笔记、电子词典、电子游戏机、医疗装置(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录仪、超声波诊断装置、或内窥镜显示装置)、鱼探测器、一种或多种合适的测量装置、仪表(例如，车辆、飞机或船舶的仪表)和/或投影仪。
[0266]
制造方法
[0267]
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过利用一种或多种合适的方法(诸如真空沉积、旋涂、流延、langmuir-blodgett(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和/或激光诱导热成像)在特定的区中形成。
[0268]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可各自独立地通过真空沉积形成时，根据待包括在每层中的材料和待形成的每层的结构，可在约100℃至约500℃的范围内的沉积温度下、约10-8
托至约10-3
托的范围内的真空度下和约0.01埃/秒至约的范围内的沉积速度下执行真空沉积。
[0269]
术语的一般限定
[0270]
如本文中所用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳原子组成并且具有3至60个碳原子作为成环原子的环状基团。如本文中所用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指除了不同于碳原子的杂原子以外还具有1至60个碳原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或至少两个环稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子的数量可在3至61的范围内。
[0271]
如本文中所用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0272]
术语“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有3至60个碳原子并且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团。如本文中所用的术语“缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”是指具有1至60个碳原子和*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0273]
在一些实施方案中，
[0274]c3-c
60
碳环基团可为i)t1基团、或ii)至少两个t1基团稠合的基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基团、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基(pentaphene)、庚搭烯基、萘并萘基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、六苯并苯基、卵苯基、茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并非基或茚并蒽基)，
[0275]c1-c
60
杂环基团可为i)t2基团、或ii)至少两个t2基团稠合的基团、或iii)至少一个t2基团和至少一个t1基团稠合的基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹
喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和/或类似基团)，
[0276]
富含π电子的c
3-c
60
环状基团可为：i)t1基团；ii)至少两个t1基团稠合的稠合基团；iii)t3基团；iv)至少两个t3基团稠合的稠合基团；或者v)至少一个t3基团和至少一个t1基团稠合的稠合基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基、硅杂环戊二烯基(silole)、硼杂环戊二烯基(borole)、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基和/或类似基团)，并且
[0277]
缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为：i)t4基团；ii)至少两个t4基团稠合的基团；iii)至少一个t4基团和至少一个t1基团稠合的基团；iv)至少一个t4基团和至少一个t3基团稠合的基团；或v)至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团稠合的基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和/或类似基团)，
[0278]
其中，t1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、双环[1.1.1]戊烷基、双环[2.1.1]己烷基、双环[2.2.2]辛烷基或苯基团，
[0279]
t2基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、硅杂环戊二烯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0280]
t3基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、硅氧环戊二烯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0281]
t4基团可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0282]
根据应用术语的式的结构，如本文中所用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”可为与任何合适环状基团、单价基团、或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团和/或
类似基团)稠合的基团。例如，“苯基团”可为苯环、苯基、亚苯基和/或类似基团，并且根据包括“苯基团”的式的结构，这可被本领域普通技术人员理解。
[0283]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和/或单价非芳族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和/或被取代或未被取代的二价非芳族稠合杂多环基团。
[0284]
如本文中所用的术语“c
1-c
60
烷基”是指具有1至60个碳原子的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基。如本文中所用的术语“c
1-c
60
亚烷基”是指与c
1-c
60
烷基具有相同结构的二价基团。
[0285]
如本文中所用的术语“c
2-c
60
烯基”是指在c
2-c
60
烷基的中间(即，不在末端)或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基。其实例包括乙烯基、丙烯基和/或丁烯基。如本文中所用的术语“c
2-c
60
亚烷基”是指与c
2-c
60
烯基具有相同结构的二价基团。
[0286]
如本文中所用的术语“c
2-c
60
炔基”是指在c
2-c
60
烷基的中间(即，不在末端)和/或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基。其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文中所用的术语“c
2-c
60
亚炔基”是指与c
2-c
60
炔基具有相同结构的二价基团。
[0287]
如本文中所用的术语“c
1-c
60
烷氧基”是指由-oa
101
表示的单价基团(其中，a
101
为c
1-c
60
烷基)。其实例包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基。
[0288]
如本文中所用的术语“c
3-c
10
环烷基”是指包括3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团。如本文中所用的c
3-c
10
环烷基的实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基或双环[2.2.2]辛基。如本文中所用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”是指与c
3-c
10
环烷基具有相同结构的二价基团。
[0289]
如本文中所用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”是指单价环状基团，单价环状基团包括除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且具有1至10个碳原子。其实例包括1,2,3,4-氧杂三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基。如本文中所用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”是指与c
1-c
10
杂环烷基具有相同结构的二价基团。
[0290]
如本文中所用的术语“c
3-c
10
环烯基”是指其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且为非芳族的单价环状基团。其实例包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基。如本文中所用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”是指与c
3-c
10
环烯基具有相同结构的二价基团。
[0291]
如本文中所用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”是指单价环状基团，单价环状基团包括作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子、1至10个碳原子和在其环中的至少一个双键。c
1-c
10
杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基。如本文中所用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”是指与c
1-c
10
杂环烯基具有相同结构的二价基团。
[0292]
如本文中所用的术语“c
6-c
60
芳基”是指具有带有6至60个碳原子的碳环芳族体系的单价基团。如本文中所用的术语“c
6-c
60
亚芳基”是指具有带有6至60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例包括苯基、并环戊二烯基(pentalenyl)、萘基、薁基、引达省基、苊基、萉基(phenalenyl)、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基(pentaphenyl)、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、晕苯基和/或莪基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各自的环可为稠合的。
[0293]
如本文中所用的术语“c
1-c
60
杂芳基”是指具有杂环芳族体系的单价基团，该杂环芳族体系还包括作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子和1至60个碳原子。如本文中所用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”是指具有杂环芳族体系的二价基团，该杂环芳族体系还包括作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子和1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和/或萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各自的环可为稠合的。
[0294]
如本文中所用的术语“单价非芳族稠合多环基团”是指具有两个或更多个稠合环并且仅具有碳原子(例如，8至60个碳原子)作为成环原子的单价基团，其中，当整体考虑时分子结构为非芳族的。单价非芳族稠合多环基团的实例包括茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基。如本文中所用的术语“二价非芳族稠合多环基团”是指与单价非芳族稠合多环基团具有基本上相同结构的二价基团。
[0295]
如本文中所用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”是指具有两个或更多个稠合环并且具有除了碳原子(例如，1至60个碳原子)之外的至少一个杂原子作为成环原子的单价基团，其中，当整体考虑时分子结构为非芳族的。单价非芳族稠合杂多环基团的实例包括：吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并苯并噻吩基。如本文中所用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”是指与单价非芳族稠合杂多环基团具有基本上相同结构的二价基团。
[0296]
如本文中所用的术语“c
6-c
60
芳氧基”是指-oa
102
(其中，a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且如本文中所用的c
6-c
60
芳硫基是指-sa
103
(其中，a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0297]
本文中所用的术语“c
7-c
60
芳烷基”是指-a
104a105
(其中，a
104
可为c
1-c
54
亚烷基，并且a
105
可为c
6-c
59
芳基)，并且本文中所用的术语“c
2-c
60
杂芳烷基”是指-a
106a107
(其中，a
106
可为c
1-c
59
亚烷基，并且a
107
可为c
1-c
59
杂芳基)。
[0298]
如本文中所用的术语“r
10a”可各自独立地为：
[0299]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0300]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、或c
1-c
60
烷氧基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、
[0301]-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的一种或多种组合；
[0302]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的一种或多种组合；或
[0303]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0304]
q1、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的一种或多种组合；c
7-c
60
芳烷基；或c
2-c
60
杂芳烷基。
[0305]
如本文中所用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的实例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se或它们的一种或多种组合。
[0306]
本文中所用的“ph”表示苯基，本文中所用的“me”表示甲基，本文中所用的“et”表示乙基，本文中所用的“ter-bu”或“bu
t”表示叔丁基，并且本文中所用的“ome”表示甲氧基。
[0307]
如本文中所用的术语“联苯基”是指被苯基取代的苯基。“联苯基”属于具有c
6-c
60
芳基作为取代基的被取代的苯基。
[0308]
如本文中所用的术语“三联苯基”是指被联苯基取代的苯基。“三联苯基”属于具有“被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基”作为取代基的“被取代的苯基”。
[0309]
除非另有限定，否则如本文中所用的符号*和*'是指在对应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
[0310]
在下文中，将参考制备例和实施例更详细地描述根据一个或多个实施方案的化合物和发光器件。在描述制备例中利用的措词“利用b代替a”指示利用的b的量在摩尔当量方面与利用的a的量相同。
[0311]
实施例
[0312]
制备例1.inp/znse/zns量子点
[0313]
1.核的合成
[0314]
向烧瓶添加2.5克(g)in(ac)3、5g月桂酸、0.1g na(oa)和140毫升(ml)ode，随后在120℃的温度下在真空中反应60分钟。接下来，在切换到n2吹扫状态(在氮气气氛下)之后，将温度升高至180℃，并且保持温度30分钟。此后，将温度降至50℃。
[0315]
在氮气气氛中，将3.4ml(tms)3p和13.6ml top混合以制备前体，并且向保持在50℃的温度下的反应器快速添加7.5ml制备的前体。接着，将反应器的温度在50℃下保持3分钟，并且向其添加9ml 0.5m zn(oa)2溶液，随后将温度升高至250℃。
[0316]
将0.4m in(la)3和0.2m(tms)3p各自添加到6ml注射器并且注入反应器，随后添加27ml 0.5m zn(oa)2并且进行温度淬火。
[0317]
在室温下，将粗反应溶液、甲苯和丙酮以3：1：9的体积比混合并且在5,800rpm下离心10分钟，然后丢弃上清液，并且然后将沉淀的qd(量子点)分散在甲苯中并再次离心(在5,800rpm下离心3分钟)以去除沉淀，从而合成核。
[0318]
2.壳的合成
[0319]
在混合15g乙酸锌、44g油酸和100ml三辛胺(toa)之后，将温度升高至120℃达15分钟，并且保持真空10分钟。然后，通过切换到n2吹扫状态，将温度升高至280℃，保持20分钟，并且冷却至100℃。
[0320]
向冷却的溶液添加0.8ml 2m top-se、13ml油胺和0.1ml二氯二苯基三氯乙烷(ddt)，并且将温度升高至280℃。然后，注入1.2ml 2mtop-se，反应5分钟，并且将温度升高至320℃。
[0321]
然后，注入3.1ml 2m top-s溶液，并且将温度升高至280℃并保持30分钟，随后快速冷却。
[0322]
在室温下，将该溶液、甲苯和丙酮以3：1：9的体积比混合，并且在5,800rpm下离心10分钟。此后，丢弃上清液并将沉淀的qd分散在甲苯中，并且然后再次离心(在5,800rpm下离心3分钟)以去除沉淀，从而获得inp/znse/zns量子点。
[0323]
制备例2.inp/znses量子点
[0324]
1.核的合成
[0325]
为了混合，向烧瓶添加1.5g in(ac)3、2g ga(ac)3、5g月桂酸、0.1gna(oa)和140ml ode，随后在120℃的温度下在真空中反应60分钟。接下来，在切换到n2吹扫状态之后，将温度升高至180℃，并且保持温度30分钟。此后，将温度降至50℃。
[0326]
在氮气气氛中，将3.4ml(tms)3p和13.6ml top混合以制备前体，并且向保持在50℃的温度下的反应器快速添加7.5ml制备的前体。接着，将反应器的温度在50℃下保持3分钟，并且向其添加9ml 0.5m zn(oa)2溶液，随后将温度升高至250℃。
[0327]
将0.4m in(la)3和0.2m(tms)3p各自添加到6ml注射器并且注入反应器，随后添加27ml 0.5m zn(oa)2直至达到目标波长并且进行温度淬火。
[0328]
在室温下，将该溶液、甲苯和丙酮以3：1：9的体积比混合，并且在5,800rpm下离心10分钟。此后，丢弃上清液，并且将沉淀的qd分散在甲苯中并然后再次离心(在5,800rpm下离心3分钟)以去除沉淀。
[0329]
2.壳的合成
[0330]
在混合12g乙酸锌、40g油酸和100ml三辛胺(toa)之后，将温度升高至120℃达15分钟，并且保持真空10分钟。在那之后，将其切换到n2吹扫状态，加热至280℃并且保持20分钟。然后，添加0.1ml hf(@1.5ml丙酮)并且保持3分钟。
[0331]
在添加2ml核溶液、7.0ml 0.4m top-se和1.9ml ddt之后，将其保持20分钟，并且然后添加3.2ml 1m top-s和6.4ml 0.5m zn(oa)2并保持30分钟，随后快速冷却。
[0332]
在室温下，将该溶液、甲苯和丙酮以3：1：9的体积比混合，并且在5,800rpm下离心10分钟。此后，丢弃上清液并将沉淀的qd分散在甲苯中，并且然后再次离心(在5,800rpm下离心3分钟)以去除沉淀，从而获得inp/znses量子点。
[0333]
制备例3
[0334]
将制备例1中制备的量子点和制备例2中制备的量子点以3：7的重量比混合，并且溶解在1,6-己二醇二丙烯酸酯(hdda)中，以制备量子点组合物。
[0335]
对于根据制备例1和制备例2的每个量子点，利用电感耦合等离子体(icp)的分析结果显示在表1和表2中。
[0336]
表1
[0337][0338]
表2
[0339][0340]
评估例1
[0341]
测量根据制备例1和制备例2的量子点和根据制备例3的量子点组合物的uv-vis吸收光谱和pl光谱，并且结果分别显示在图4和图5中。
[0342]
l)uv-vis吸收光谱测量
[0343]
将10μl 25wt％qd甲苯溶液与3,000μl甲苯混合之后，通过利用可获自perkinelmer的lambda 365uv/vis分光光度计来执行测量。
[0344]
2)pl光谱的测量
[0345]
将10μl 25wt％qd甲苯溶液与3,000μl甲苯混合之后，通过利用可获自hitachi的f7000来执行测量。
[0346]
根据制备例1和制备例2的量子点的波长的吸收量显示在图4中。
[0347]
如图5中显示的，制备例2的量子点的pl光谱的最大发射波长小于制备例1的量子点的pl光谱的最大发射波长，并且可看出的是，制备例2的量子点的pl光谱的从455nm至505nm光谱的面积显现大于制备例1的面积。在一些实施方案中，可看出的是，在制备例3的量子点组合物的pl光谱的最大发射波长处的强度大于制备例1和制备例2的量子点的强度。
[0348]
比较例1、比较例2和实施例1
[0349]
1.具有排列在表面上的配体的量子点的制造
[0350]
1)qd-配体置换
[0351]
将2ml乙酸环己酯、25wt％至30wt％的量子点(qd)和0.4g配体混合，并且然后在70℃下反应2小时。在那之后，向反应溶液添加20ml己烯并离心(在9,500rpm下离心3分钟)以丢弃溶液，并且在真空中干燥沉降的qd粉末。
[0352]
1)qd油墨制备
[0353]
在如表3中显示地混合之后，通宵执行摇动。
[0354]
2)制造单层膜的方法
[0355]
在利用旋涂机进行油墨涂覆之后，通过uv(12j)执行固化以形成具有10μm的厚度的膜。
[0356]
表3
[0357][0358][0359]
评估例2
[0360]
利用otsuka qe2100装备测量根据比较例1和比较例2以及实施例1的膜的光转换效率、吸收量和发射波长，其结果显示在表4中。
[0361]
表4
[0362] 比较例1比较例2实施例1光转换效率31.5％27％33.5％吸收量83％78％84％发射波长535nm530nm534nm
[0363]
参考表3，可看出的是，与根据比较例1和比较例2的膜相比，根据实施例1的膜具有改进的光转换效率。
[0364]
如通过前面的描述显而易见的，根据一个或多个实施方案的量子点组合物具有优异或合适的发光效率，可提供通过利用量子点组合物的高质量光学构件和电子设备。
[0365]
当描述本公开的实施方案时，“可”的使用是指“本公开的一个或多个实施方案”。
[0366]
如本文中所使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另有清楚指示。
[0367]
在本公开中，当颗粒为球形时，“直径”指示平均粒径，并且当颗粒为非球形时，“直径”指示长轴长度。颗粒的直径(或尺寸)可利用扫描电子显微镜或粒度分析仪来测量。作为粒度分析仪，例如，可利用horiba、la-950激光粒度分析仪。当利用粒度分析仪测量颗粒的尺寸时，平均粒径(或粒度)被称为d50。d50是指累积体积对应于粒度分布(例如，累积分布)中50vol％的颗粒的平均直径(或尺寸)，并且是指在以最小粒度到最大粒度的顺序累积的分布曲线中当颗粒总数为100％时对应于从最小颗粒起的50％的粒度的值。
[0368]
如本文中所使用，术语“基本上”、“约”和相似术语作为近似的术语被使用且不作为程度的术语被使用，并且旨在解释将被本领域普通技术人员所认识到的在测量值或计算值上的固有偏差。考虑到所讨论的测量和与具体量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约”、“基本上”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的对于具体值的偏差的可接受范围内。例如，“约”可意味着在一个或多个标准偏差内、或在所陈述的值的
±
30％、20％、10％、5％内。
[0369]
此外，本文中列举的任何数值范围旨在包括归入在列举范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在列举的最小值1.0和列举的最大值10.0之间(并且包括端点)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围(诸如以2.4至7.6为例)。本文中列举的任何最大数值限制旨在包括归入其中的所有较低数值限制，并且本公开中列举的任何最小数值限制旨在包括归入其中的所有较高数值限制。相应地，申请人保留修改本公开(包括权利要求)以明确列举归入在本文中明确列举的范围内的任何子范围的权利。
[0370]
根据本文中描述的本公开的实施方案的电子设备或者任何其他相关装置或组件可利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，装置的各种组件可形成在一个集成电路(ic)芯片上或形成在分开的ic芯片上。此外，装置的各种组件可在柔性印刷电路薄膜、带载封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或形成在一个衬底上。此外，装置的各种组件可为进程或线程，该进程或线程在一个或多个处理器上运行，在一个或多个计算装置中运行计算机程序指令并且与用于执行本文中描述的各种功能的其他系统组件交互。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(ram)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令也可存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如以cd-rom、闪存驱动或类似物为例)中。此外，本领域技术人员应认识到的是，各种计算装置的功能可被组合或集成到单个计算装置中，或者具体计算装置的功能可跨一个或多个其他计算装置分配，而不脱离本公开的实施方案的范围。
[0371]
应理解的是，本文中描述的实施方案应仅被认为是描述性意义，并且不出于限制的目的。每个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方案中的其他相似的特征或方面。虽然已参考附图描述一个或多个实施方案，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由随附权利要求书以及其等同物限定的精神和范围的情况下，其中可在形式和细节上进行一种或多种合适的改变。

技术特征：
1.一种量子点组合物，包括：第一量子点；以及第二量子点，其中，所述第一量子点和所述第二量子点各自独立地包括：核；以及覆盖所述核的至少一部分的壳，所述第一量子点的所述核包括第一半导体化合物，所述第二量子点的所述核包括第二半导体化合物，所述第一半导体化合物和所述第二半导体化合物彼此不同，并且所述第一量子点的光致发光光谱的最大发射波长大于所述第二量子点的光致发光光谱的最大发射波长。2.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一量子点的所述光致发光光谱的所述最大发射波长在520nm至540nm的范围内。3.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第二量子点的所述光致发光光谱的所述最大发射波长在500nm至520nm的范围内。4.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一量子点的平均直径大于所述第二量子点的平均直径。5.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一量子点的平均直径在6nm至7nm的范围内。6.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第二量子点的平均直径在5nm至5.5nm的范围内。7.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一量子点与所述第二量子点的颗粒比在3：7至7：3的范围内，或为5：5。8.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一半导体化合物和所述第二半导体化合物各自独立地包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、或它们的任何组合。9.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一半导体化合物和所述第二半导体化合物各自包括铟。10.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一半导体化合物不包括任何镓，并且所述第二半导体化合物包括镓。11.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一量子点的所述壳包括第三半导体化合物，所述第二量子点的所述壳包括第四半导体化合物，并且所述第三半导体化合物和所述第四半导体化合物彼此不同。12.根据权利要求11所述的量子点组合物，其中，所述第三半导体化合物和所述第四半导体化合物各自包括锌。13.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述第一量子点的所述壳为多层，并且所述第二量子点的所述壳为单层。14.根据权利要求1所述的量子点组合物，其中，所述量子点组合物包括铟和镓，并且
基于所述量子点组合物中的100％的铟含量，所述量子点组合物中的镓含量在5％至50％的范围内。15.一种光学构件，包括根据权利要求1-14中的任何一项所述的量子点组合物。16.一种电子设备，包括根据权利要求1-14中的任何一项所述的量子点组合物。17.根据权利要求16所述的电子设备，还包括：光源，其中所述光源被配置成发射光；以及颜色转换构件，所述颜色转换构件位于从所述光源发射的所述光的路径上，其中，所述量子点组合物包括在所述颜色转换构件中。18.根据权利要求16所述的电子设备，还包括：发光器件，所述发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中，所述量子点组合物包括在所述发光器件中。19.根据权利要求18所述的电子设备，其中，所述发射层包括所述量子点组合物。20.根据权利要求18所述的电子设备，其中，所述发射层被配置成发射具有在520nm至550nm范围内的最大发射波长的光。

技术总结
提供了量子点组合物、光学构件和电子设备。该量子点组合物包括第一量子点和第二量子点，并且第一量子点和第二量子点各自独立地包括：核；以及覆盖核的至少一部分的壳，第一量子点的核包括第一半导体化合物，第二量子点的核包括第二半导体化合物，第一半导体化合物和第二半导体化合物彼此不同，并且第一量子点的光致发光(PL)光谱的最大发射波长大于第二量子点的PL光谱的最大发射波长。点的PL光谱的最大发射波长。点的PL光谱的最大发射波长。


技术研发人员：李庆植 张宰福 郑濬赫
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.03.20
技术公布日：2023/9/26