感测元件及相关方法与流程

1.这些教导大体上涉及感测元件，尤其是旋转机械的传感器及相关方法。


背景技术：

2.传感器用于众多应用中，包括涉及旋转机械的那些，例如用于火箭、飞行器、汽车和风力涡轮等的发动机应用。通常，监测这些设备的状况(例如压力和温度)是重要的，以确保适当性能和/或防止其损坏。例如，在许多旋转轴应用中，希望通过扭矩传感器监测与旋转轴相关的扭矩，以确保其在期望参数范围内操作。
3.过去，例如表面声波(saw)感测部件和体声波(baw)感测部件的声波传感器已用于测量扭矩。声波的变化可通过测量传感器的频率、幅度或相位特性来监测，然后可以与被监测的相应项目关联来确定其性能特性。
4.在图8中，示出了用于saw传感器的现有技术配置，并且通常由参考标号10来指代。在该示例中，传感器10包括第一换能器12和第二换能器14，其定位成如各自的纵向轴线12a、12b所示彼此成九十度(90
°
)并且相对于轴16的纵向轴线16a成四十五度(45
°
)。利用这个配置，当轴16旋转时，换能器12、14的性能将改变。例如，当轴16在箭头18所示的方向上顺时针旋转时，在saw换能器14中将引起压缩应力，并且在saw换能器12中将引起拉伸应力。温度变化同样适用于换能器12、14，因此不需要考虑测量目的，但温度总体上会限制这种传感器的应用(例如，传感器必须能够承受它们所暴露于的极端温度)。
5.传统应变或扭矩传感器已利用上述物理原理多年。为了尝试和改进这种传感器的耐用性和实用性，传统应变和扭矩传感器已经设置在所有石英包装(aqp)中，以帮助密封并保护它们免受周围环境条件的影响。例如，传统的基于aqp saw的扭矩传感器如图9所示，并且通常由参考标号20指代。在此实施方式中，石英盖22被放置在基底或基座24上。隔膜26座放在基底或基座24上，并且声学感测元件28a、28b、28c定位在隔膜26上。进一步，天线30经由导体32连接到隔膜26的电路，以允许传感器20与例如控制器或控制装置(未显示)的远程系统通信。惰性气体将被困在形成在盖22和基座24之间的间隙34中。然后，该传感器将经由例如软聚合物的粘合剂安装到需要监测扭矩的任何物体(例如，旋转轴、弯曲表面等)，其由表面36表示。不幸的是，这样的配置仍然不能在所有期望的应用中使用，并且仍可以改进。
6.因此，存在对改进感测元件和使用其的传感器以及相关方法的需求。
附图说明
7.通过提供以下详细描述中描述的(特别是当结合附图一起研究时)感测元件及相关方法而至少部分地满足各种需求。针对本领域普通技术人员，在参考附图的说明书中阐述了本描述的各方面的完整且可行的公开，包括其最佳模式，附图中：
8.图1包括根据这些教导的各种实施例来配置并且用在旋转轴上以用于扭矩感测目的的具有感测元件的示例性传感器的示意图；
9.图2包括根据这些教导的各种实施例配置的图1所示的传感器的感测元件的侧视
图或横截面图；
10.图3是根据这些教导的各种实施例配置的图1的传感器中使用的硅谐振器感测元件的模型；
11.图4是示出根据这些教导的各种实施例配置的图3的硅谐振器的硅谐振器感测元件的频率随应变(或微应变)变化的图表；
12.图5是喷气发动机的横截面示意图，该喷气发动机利用根据根据这些教导的各种实施例配置的图1和2的感测元件和传感器的扭矩传感器；
13.图6是燃气涡轮发动机的横截面示意图，该燃气涡轮发动机利用根据根据这些教导的各种实施例配置的图1和2的感测元件和传感器的扭矩传感器；
14.图7是利用根据根据这些教导的各种实施例配置的图1和2的感测元件和传感器的扭矩传感器的空气涡轮的横截面示意图；
15.图8是用于动态扭矩测量的传统saw谐振器换能器系统的横截面示意图；
16.图9是传统aqp扭矩传感器的横截面示意图。
17.附图中的元件是为了简单明了而示出的，不一定被按比例绘制。例如，附图中的一些元件的尺寸和/或相对定位相对于其他元件被放大，以有助于改进理解本教导的各种实施例。此外，在商业上可行实施例中有用或必须的常见但易于理解的元件通常不被描绘，以便于对本教导的这些各种实施例的不受阻碍的视图。某些动作和/或步骤可以按特定顺序描述或描绘，而本领域技术人员将理解，关于顺序的这种专一性实际上不是必需的。
具体实施方式
18.如上所述，通常使用传感器来监测设备在使用之前、使用期间和使用之后的状况。关于旋转机械，通常使用扭矩传感器来确保机器在期望参数内操作。这些传感器通常使用例如谐振器的感测元件(或感应元件)，以完成期望的感测。不幸的是，传统aqp扭矩传感器及其感测元件必须使用软聚合物和刚性/脆性石英来封装。假定使用聚合物，感测元件也必须经由聚合物(例如聚合物粘合剂)来结合。与金属附接方法相比，聚合物和聚合物粘合剂的机械性能受到限制。例如，聚合物不能经受金属附接工艺经常涉及的制造或组装过程中使用的高温和/或高压工艺。此外，石英很脆，可能会开裂，因此不是安全的，因此所有这些故障都会产生一些问题，这些问题限制了此类产品所能经受的工艺类型，并使传感器受到一些缺点的影响，在其他方面这些缺点不会影响特定应用中使用的应用或设备，但使用石英和聚合物会产生这些缺点。例如，这些缺点使aqp扭矩传感器随着时间的推移易受振动和蠕变的影响，并使传感器对温度敏感。进一步，由于aqp扭矩传感器对温度的敏感性，更可靠的制造和组装工艺而无法使用。所有这些都会影响传感器的准确性和寿命，如果传感器工作不正常，可能会损坏传感器和/或传感器所监测的项目。
19.一般来说，本公开的各个方面可以与具有改进的温度和压力特性的感测元件一起使用，所述感测元件包括主要由硅基底形成的至少一个声学感测装置并且具有微机电系统，而不使用石英或聚合物，其中至少一个声学感测装置检测与经受所述扭矩的金属物体相关联的扭矩，以及用于经由高温连接工艺将感测元件直接连接到金属物体的高温结合表面，高温连接工艺包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊中的至少一种，而不需要聚合物粘合剂。本文还公开了相关方法。
20.除非本文中另有不同的具体含义，否则本文所用的术语和表达具有与上述技术领域技术人员所赋予的术语和表述相同的普通技术含义。除非另有特别说明，否则本文所用的“或”一词应解释为具有析取结构而非合取结构。除非本文另有规定，否则术语“联接”、“固定”、“附接”等均指直接联接、固定或附接，以及通过一个或多个中间部件或特征间接联接、固定和附接。
21.除非上下文另有明确规定，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数引用。
22.在整个说明书和权利要求书中使用的近似语言用于修改任何可以允许变化而不会导致其相关的基本功能变化的定量表示。因此，由“大约”、“近似”和“基本上”等术语修改的值不限于指定的精确值。在至少一些情况下，近似语言可以对应于用于测量该值的仪器的精度，或者用于构造或制造部件和/或系统的方法或机器的精度。例如，近似语言可能指在10％的范围内。
23.在对以下详细描述进行全面检查和研究后，上述和其他益处可能会变得更加清晰。如上所述，在图8和图9中示出了现有的传感器、感测元件和工艺，并且这些实施例以及对其进行解释的专利(即，1997年7月30日授权lonsdale的ep0518900b1(图8)和2007年12月4日授权liu的us7302864b2(图9))通过引用全部并入本文。然而，这些都具有关于所用材料的强度和可用于制造和/或组装的工艺的缺点。例如，这些传统传感器使用聚合物和石英，其各自对于构成传感器的传感器或感测元件能够经受(或承受)的温度和传感器或感测元件能够承受的压力具有限制。鉴于此，这些传感器和感测元件只能用聚合物组装或连接到表面，该聚合物不能承受其他材料所能承受的热量和压力，例如其他高温和/或高压金属附接工艺(例如软钎焊、烧结、金属钎焊等)。例如，与例如硅基底的其他材料相比，aqp传感器中的石英基底本身更容易在结合过程中的高热梯度期间开裂。
24.因此，为了解决这些缺点，本文公开了新的传感器和感测元件，其利用硅(si)来创建或形成高真空、高q、密封封装的谐振器感测元件和传感器，其由硅(si)制成(在操作中和初始制造过程中)能够承受高温，这进一步允许使用更有利的组装工艺来连接传感器(例如，高温/高压金属附接工艺，例如软钎焊、烧结和金属钎焊)。例如，通过主要由硅(si)代替石英并且不需要使用聚合物来制作扭矩传感器，扭矩传感器可以直接钎焊到扭矩传感器用于监测的金属表面(这意味着该传感器至少可以在较短的时间内(例如组装时)承受极高的温度暴露，例如高达1100℃)。不仅这种形成方式使扭矩传感器能够承受与这种形式的附接过程相关的高温和高压，而且主要由si形成扭矩传感器也使得扭矩传感器和构成扭矩传感器的相关感测元件能够在传感器操作期间承受更高的温度(例如，在高达300℃(例如在火箭和某些喷气发动机应用中可能发生的情况)下正常操作，甚至在不需要封装(或仅板上芯片)的情况下高达600℃下正常操作)，如果需要的话。这使得模具附接材料具有明显更低的蠕变率，并且由此产生的传感器在更大的使用范围内具有低漂移。
25.由这种感测元件101制成的示例性扭矩传感器100的示意图如图1和2所示。在如图1所示的应用中，传感器100包括至少一个声学感测装置101，其配置在硅基底102上或外，并且能够检测与物体(例如旋转轴120)相关的扭矩。在一种形式中，传感器100包括将接收到的数据通信到控制装置或控制器130的电路。虽然电路可以是传感器100和控制器130之间的硬接线连接，但是在图1示例所示的形式中，电路是无线通信配置。然而，在高温应用中，最好使用硬接线连接。控制器130以虚线示出，因为它是可选的并且可以采取多种形式，并
且传感器100用虚线包围以指示其位置也是可选的并且可位于许多位置。
26.在图2中，示出了传感器100的声学感测元件或装置101的侧视图或横截面。为了达到这一点，该工艺开始于绝缘体上硅晶圆底部102，其上形成有微机电系统(mem)104。绝缘体上硅晶圆的盖106也由硅通孔(tsv)导体108形成。然后将盖106翻转并放置在晶圆底部102的顶部，并且移除上部材料以暴露tsv 108，tsv 108现在连接到mem 104。添加最终金属导体层110，以形成感测元件101的金属化端子。
27.本文设想的使用一个或多个硅谐振器101的传感器100的模型如图3所示，并示出了输入应变如何在许多数量级上调制自然频率，并允许测量0.01至1000微应变。部分原因是硅的断裂应变异常高。因此，该谐振器的大动态范围的可能性是显著的。例如，在一些应用中，传统aqp谐振器技术过于敏感，系统设计者必须通过在附接点处将凸台加工在轴上来部分地解耦感测元件。使用本文公开的硅谐振器解决方案，大的断裂应变允许以低得多的灵敏度水平进行设计，这导致更稳定的传感器。这在图4的图表(硅谐振器的频率随应变变化的图表)中进一步说明，其示出了硅谐振器输出在许多数量级上是线性的。
28.硅的脆性降低，加上其7千兆帕斯卡(7gpa)的屈服强度，使其更能耐受恶劣的环境条件，从而使其能够承受高温和/或高压制造工艺(例如软钎焊、烧结、硬钎焊等)。例如，在一种形式中，传感器100可以通过反应性纳米焊料(rnt)被紧固到旋转轴120，其允许快速和持久的连接，但使传感器100经受高压。如果用石英saw元件尝试这种方法，将传感器100紧固到旋转轴120将导致当暴露于在这样的工艺中使用的高热速率/温度和高压时发生故障(例如，石英将太脆并开裂，将石英和谐振器保持在一起的聚合物及其连接的物体将熔化和/或损坏)。为了比较，硅封装的传感器100可以在工作温度超过500℃的模具中成型，且不依赖于aqp saw工作的压电效应。由于其中使用的聚合物，传统aqp sav传感器的工作温度限制在160℃，并且(即使移除了聚合物)压电效应会随着温度升高而降低(基本上在200℃时消失)。在一些应用中，由于轴的退火或表面处理退化，将不可能将传感器100连接到的整个轴加热到钎焊温度。然而，在这种情况下，可以使用对aqp谐振器来说仍然过于苛刻的其他工艺。
29.传感器100配置的另一个益处是，硅具有百分之四(4％)的断裂应变，因此可以在比传统aqp传感器更宽的动态范围内工作。具有这样的更大范围将使硅整流器可用于更广泛的产品/应用。
30.图5、6和7分别示出了传感器100在喷气发动机140、燃气涡轮发动机150和风力涡轮160中的代表性应用。然而，应当理解，本文公开的传感器元件可以以各种附加方式使用，以根据需要形成不同的传感器和部件。例如，根据期望设计配置，本文公开的传感器元件可以形成saw、baw、表面声波滤波器、表面声波谐振器、表面声波延迟线、体声波谐振器或其组合。
31.本公开的其他方面由以下条项的主题提供：
32.在一些形式中，公开了一种具有改进的温度和压力特性的感测元件，包括：至少一个声学感测装置，所述至少一个声学感测装置由硅基底形成并且具有微机电系统，而不使用石英或聚合物，其中所述至少一个声学感测装置检测与经受扭矩的金属物体相关联的扭矩；和高温结合表面，所述高温结合表面用于经由包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊中的至少一种的高温连接工艺将所述感测元件直接连接到所述金属物体。
33.在一些形式中，任何前述条项的高温连接工艺可以包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊的至少一种，而不使用聚合物粘合剂或不需要聚合物粘合剂。
34.在一些形式中，任何前述条项的至少一个声学感测装置包括硅谐振器。
35.在其他形式中，任何前述条项的至少一个声学感测装置包括碳化硅谐振器。
36.在进一步的形式中，任何前述条项的至少一个声学感测装置包括硅表面声波(saw)谐振器或硅体声波(baw)谐振器。
37.例如，任何前述条项的至少一个声学感测装置可以是硅体声波(baw)谐振器，其中第一硅谐振器与第二硅谐振器成九十度(90
°
)定向，当金属物体在第一方向上(例如图1中的箭头132)旋转时，第一硅谐振器经历压缩应力并且第二硅谐振器经历拉伸应力。在一些形式中，当金属物体在与第一方向相反的第二方向(例如图1中的箭头134)上旋转时(例如，横向于箭头的行进方向)，第一硅谐振器经受拉伸应力并且第二硅谐振器经受压缩应力。
38.在一些形式中，任何前述条项的第一硅谐振器和任何前述条项的第二硅谐振器各自相对于金属物体的纵向轴线成45度(45
°
)定向。
39.任何前述条项的感测元件可以包括第三硅谐振器和第四硅谐振器，第三硅谐振器和第四硅谐振器彼此成九十度(90
°
)定向，并且与金属物体的纵向轴线成四十五度(45
°
)定向，第一硅谐振器、第二硅谐振器、第三硅谐振器和第四硅谐振器一起共同形成单个扭矩传感器或单个扭矩传感器组件。
40.在一种形式中，任何前述条项的单个扭矩传感器组件经由高温结合表面(例如，位于传感器组件底部上或下方)经由包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊中的至少一种的高温连接工艺结合到金属物体，而不需要聚合物粘合剂。任何前述条项的单个扭矩传感器可以被配置为在高达三百摄氏度(300℃)的温度下承受连续操作而不退化。在其他形式中，任何前述条项的单个扭矩传感器可以被配置为在高达三百摄氏度(600℃)的温度下承受连续操作而不退化。
41.如上所述，本文所公开的构思涉及感测元件，并且可用于不同类型的传感器中。除了上述实施例、设备和系统之外，应当理解，本文还公开了各种相关方法。例如，公开了一种用于形成根据任何前述条项的感测元件的方法，包括：提供绝缘体上硅晶圆底部、绝缘体上硅晶圆盖、微机电系统、硅通孔(tsv)和金属；在绝缘体上硅晶圆底部上形成微机电系统；在绝缘体上硅晶圆盖上形成硅通孔(tsv)，并且将所述绝缘体上硅晶圆盖结合到绝缘体上硅晶圆底部；从绝缘体上硅晶圆盖移除硅，以暴露硅通孔(tsv)；和向硅通孔(tsv)添加金属以形成端子，从而形成完整的感测元件。
42.在一些形式中，用于形成根据任何前述条项的感测元件的方法可以包括提供第一感测元件和第二感测元件，和将第一感测元件布置在基座上，并且将第二感测元件布置在基座上，与第一感测元件成第一个九十度(90
°
)角度。
43.用于形成根据任何前述条项的感测元件的方法可以包括提供第三感测元件和第四感测元件，和将第三感测元件布置在基座上，并且将第四感测元件布置在基座上，与第三传感元件成第二个九十度(90
°
)角度。
44.用于形成根据任何前述条项的感测元件的方法可包括将第三感测元件布置在基座上，与第一感测元件成第三个九十度(90
°
)角度，和将第四感测元件布置在基座上，与第二感测元件成第四个九十度(90
°
)角度。
45.用于形成根据任何前述条项的感测元件的方法可以包括布置以上讨论的多个感测元件，以形成扭矩传感器。
46.除了以上讨论的方法之外，还应理解，本文考虑了各种形式的传感器。例如，在一些形式中，公开了一种恶劣环境扭矩传感器，包括：第一声学感测谐振器，所述第一声学感测谐振器由硅基底形成并且具有第一微机电系统；第二声学感测谐振器，所述第二声学感测谐振器由所述硅基底形成并具有第二微机电系统，所述第二声学感测谐振器布置在所述硅基底上，相对于所述第一声学感测谐振器成九十度(90
°
)角度，使得所述第一声学感测谐振器和所述第二声学感测谐振器中的一个感测压缩力，并且所述第一声学感测谐振器和第二声学感测谐振器中的另一个感测拉伸应变，并且所述第一声学感测谐振器和所述第二声学感测谐振器一起形成扭矩传感器；和高温结合表面，所述高温结合表面连接到所述扭矩传感器，用于经由包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊中的至少一种的高温连接工艺将所述扭矩传感器直接连接到金属物体，以形成恶劣环境扭矩传感器，所述恶劣环境扭矩传感器能够承受高达三百摄氏度(300℃)的温度下的长时间暴露。
47.在一些形式下，根据任何前述条项的恶劣环境扭矩传感器具有高温结合表面和高温连接工艺，使恶劣环境扭矩传感器能够承受高达六百摄氏度(600℃)的温度下的长时间暴露。
48.在其他形式中，根据任何前述条项的恶劣环境扭矩传感器可以进一步包括第三声学感测谐振器，所述第三声学感测谐振器由硅基底形成并且具有第三微机电系统；和第四声学感测谐振器，所述第四声学感测谐振器由所述硅基底形成并具有第四微机电系统，所述第四声学感测谐振器布置在所述硅基底上，相对于所述第三声学感测谐振器成九十度(90
°
)角度，使得所述第三声学感测谐振器和所述第四声学感测谐振器中的一个感测压缩力，并且所述第三声学感测谐振器和第四声学感测谐振器中的另一个感测拉伸应变，并且所述第一声学感测谐振器、所述第二声学感测谐振器、所述第三声学感测谐振器和所述第四声学感测谐振器一起形成所述恶劣环境扭矩传感器。
49.在一些形式中，根据任何前述条项的恶劣环境扭矩传感器，所述第一声学感测谐振器布置在所述硅基底上，相对于所述第三声学感测谐振器成九十度(90
°
)角度，并且所述第二声学感测谐振器布置在所述硅基底上，与所述第四声学感测谐振器成九十度(90
°
)角度。
50.在其他形式中，根据任何前述条项的恶劣环境扭矩传感器，所述第一声学感测谐振器、所述第二声学感测谐振器、所述第三声学感测谐振器和所述第四声学感测谐振器是硅声波(saw)谐振器、硅体声波(baw)谐振器和/或碳化硅(sic)谐振器中的至少一个。
51.根据任何前述条项的恶劣环境扭矩传感器可以包括，在所述恶劣环境扭矩传感器上绘制分叉线，将所述恶劣环境扭矩传感器分隔成具有所述第一声学感测谐振器和所述第二声学感测谐振器的第一部分以及具有所述第三声学感测谐振器和所述第四声学感测谐振器的第二部分，并且所述第一声学感测谐振器和所述第二声学感测谐振器定位在所述第一部分上，使得它们相对于所述分叉线成四十五度(45
°
)角度，并且所述第三声学感测谐振器和所述第四声学感测谐振器定位在所述第二部分上，使得它们相对于所述分叉线成四十五度(45
°
)角度。
52.因此，如上所述，本文公开了各种感测元件和传感器，它们能够解决应用于传统感
测元件和感测元件的恶劣环境约束(例如，温度限制、结合强度限制、材料限制(例如刚性或脆性)、漂移限制等)。例如，在一些形式中，可以提供感测元件，其直接形成在具有高温结合表面的硅基底上，并且不使用限制部件可能经受的温度的材料(例如，使用在高温下熔化的聚合物或暴露在高温下变得太脆的材料等)。在一些形式中，使用硅基声学谐振器，其与微机电系统(mem)一起直接形成在硅基底上，并且具有高温接合表面，使得基底可以通过高温结合工艺(例如，软钎焊、金属化和/或硬钎焊)直接连接到要监测的结构。硅声学谐振器可以由表面声波(saw)谐振器、体表面声波(baw)谐振器和/或碳化硅(sic)谐振器制成。
53.本领域技术人员将认识到，在不脱离本公开范围的情况下，可以对上述实施例进行各种修改、变更和组合，并且此类修改、变更或组合将被视为在本公开构思的范围内。

技术特征：
1.一种具有改进的温度和压力特性的感测元件，其特征在于，包括：至少一个声学感测装置，所述至少一个声学感测装置由硅基底形成并且具有微机电系统，而不使用石英或聚合物，其中所述至少一个声学感测装置检测与经受扭矩的金属物体相关联的所述扭矩；和高温结合表面，所述高温结合表面用于经由包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊中的至少一种的高温连接工艺将所述感测元件直接连接到所述金属物体。2.根据权利要求1所述的感测元件，其特征在于，其中所述至少一个声学感测装置包括硅谐振器。3.根据权利要求1所述的感测元件，其特征在于，其中所述至少一个声学感测装置包括碳化硅谐振器。4.根据权利要求1所述的感测元件，其特征在于，其中所述至少一个声学感测装置包括硅表面声波(saw)谐振器或硅体声波(baw)谐振器。5.根据权利要求4所述的感测元件，其特征在于，其中所述至少一个声学感测装置是硅体声波(baw)谐振器，其中第一硅谐振器与第二硅谐振器成九十度(90
°
)定向，当所述金属物体在第一方向上旋转时，所述第一硅谐振器经历压缩应力并且所述第二硅谐振器经历拉伸应力。6.根据权利要求5所述的感测元件，其特征在于，其中所述第一硅谐振器和所述第二硅谐振器各自相对于所述金属物体的纵向轴线成四十五度(45
°
)定向。7.根据权利要求6所述的感测元件，其特征在于，进一步具有第三硅谐振器和第四硅谐振器，所述第三硅谐振器和所述第四硅谐振器彼此成九十度(90
°
)定向，并且与所述金属物体的所述纵向轴线成四十五度(45
°
)定向，所述第一硅谐振器、所述第二硅谐振器、所述第三硅谐振器和所述第四硅谐振器一起共同形成单个扭矩传感器组件。8.根据权利要求7所述的感测元件，其特征在于，其中所述单个扭矩传感器组件经由所述高温结合表面经由包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊中的至少一种的所述高温连接工艺结合到所述金属物体，而不使用聚合物粘合剂。9.根据权利要求7所述的感测元件，其特征在于，其中所述单个扭矩传感器组件被配置为在高达三百摄氏度(300℃)的温度下承受连续操作而不退化。10.根据权利要求7所述的感测元件，其特征在于，其中所述单个扭矩传感器组件被配置为在高达三百摄氏度(600℃)的温度下承受连续操作而不退化。

技术总结
一种具有改进的温度和压力特性的感测元件，包括：至少一个声学感测装置，至少一个声学感测装置主要由硅基底形成并且具有微机电系统，而不使用石英或聚合物，其中至少一个声学感测装置检测与经受扭矩的金属物体相关联的扭矩；和高温结合表面，高温结合表面用于经由包括软钎焊、金属化和/或硬钎焊中的至少一种的高温连接工艺将感测元件直接连接到金属物体，而无需聚合物粘合剂。本文还公开了使用这种感测元件和方法的相关传感器。种感测元件和方法的相关传感器。种感测元件和方法的相关传感器。


技术研发人员：罗伯特
受保护的技术使用者：通用电气公司
技术研发日：2023.03.21
技术公布日：2023/9/26