边缘修整装置的制作方法

1.本发明涉及对工件的边缘进行修整加工的边缘修整装置。


背景技术：

2.半导体制造工序之一存在背面研磨(back grind)。背面研磨是所谓的后工序之一，是对在表面形成有图案的晶片的背面整体进行磨削以减薄其厚度的工序。但是，若对外周被倒角了的晶片进行背面研磨，则晶片的外周成为刀口状，从而引发破裂成为课题。对于该课题，已知在预先去除(修整)了成为刀口状的部分后进行背面研磨的方法(例如专利文献1等)。将预先去除成为刀口状的部分的加工称为“边缘修整”。边缘修整使用刀片(旋转刃)进行。具体而言，通过一边使刀片切入晶片的外周一边使晶片旋转来进行(例如专利文献2等)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2000-173961号公报
6.专利文献2：日本特开2010-245167号公报


技术实现要素：

7.发明所要解决的课题
8.然而，当进行边缘修整时，存在污垢附着于晶片的背面的情况，从而存在该污垢对后工序的装置造成污染、或在载体内对下部的晶片的表面造成污染这样的问题。
9.本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供能够抑制晶片的背面的污垢的边缘修整装置。
10.用于解决课题的方案
11.为了解决上述课题，本发明的边缘修整装置具备：加工部，其具备保持板状的工件的第一工作台、以及装配有刀片的主轴，并使用刀片对被保持于第一工作台的工件进行边缘修整；清洗部，其具备保持工件的第二工作台、以及供给清洗用的流体的喷嘴，并从喷嘴对被保持于第二工作台且旋转的工件供给流体，从而对工件进行清洗；以及搬运部，其从加工部向清洗部搬运工件，第一工作台具有沿着工件的背面的外周进行接触的环状的第一保持部，利用第一保持部吸附工件的背面从而保持工件，第二工作台具有在比第一保持部靠内侧的区域与工件的背面接触的第二保持部，利用第二保持部吸附工件的背面从而保持工件。
12.在本发明的一方案中，优选的是，第二保持部为圆形状，具有比第一保持部的内径小的外径。
13.在本发明的一方案中，优选的是，第二工作台在第二保持部的外周还具有凸缘部，凸缘部以在凸缘部与工件之间具有间隙的方式配置，从喷嘴向间隙供给流体，从而对工件的背面进行清洗。
14.在本发明的一方案中，优选的是，凸缘部具有比工件大的外径，从喷嘴对凸缘部的从工件伸出的区域供给流体，从而向间隙供给流体。
15.在本发明的一方案中，优选的是，在凸缘部没置有将从喷嘴供给的流体朝向间隙引导的槽。
16.在本发明的一方案中，优选的是，槽沿着被第二保持部保持的工件的外周配置。
17.在本发明的一方案中，优选的是，第二工作台还具有与间隙相通的流体流路，从流体流路向间隙供给流体。
18.在本发明的一方案中，优选的是，第二工作台还具有：凸缘部，其设置在第二保持部的外周，以在凸缘部与工件之间具有间隙的方式配置；以及流体流路，其与间隙相通，第二工作台从流体流路向间隙供给流体，从而对工件的背面进行清洗。
19.在本发明的一方案中，优选的是，加工部对被保持于第一工作台的工件一边供给切削液一边使用刀片进行边缘修整。
20.发明效果
21.根据本发明，能够抑制晶片的背面的污垢。
附图说明
22.图1是示出边缘修整装置的整体的概要结构的立体图。
23.图2是示出加工部的概要结构的概要图。
24.图3是边缘修整的概念图。
25.图4是边缘修整的概念图。
26.图5是进行了边缘修整的晶片的立体图。
27.图6是示出清洗部的概要结构的俯视图。
28.图7是示出清洗部的概要结构的剖视图。
29.图8是第一工作台的立体图。
30.图9是第一工作台的剖视图。
31.图10是第二工作台的立体图。
32.图11是第二工作台的剖视图。
33.图12是对晶片的背面进行清洗的情况下的第二工作台的剖视图。
34.图13是示出第二工作台的另一例的立体图。
35.图14是图13所示的第二工作台的剖视图。
36.图15是示出第二工作台的又一例的立体图。
37.图16是图15所示的第二工作台的剖视图。
38.附图标记说明
39.10
…
边缘修整装置、12
…
供给回收部、14
…
加工部、16
…
清洗部、18
…
搬运部、20
…
装载口、22
…
机械臂、24
…
滑鞍、26
…
门型立柱、28
…
架台、30
…
x轴工作台、32
…
x轴导轨、34
…
x轴马达、36
…
第一工作台驱动部、40
…
y轴工作台、42
…
y轴导轨、44
…
y轴马达、46
…
z轴工作台、48
…
z轴导轨、50
…
z轴马达、52
…
加工单元、54
…
主轴马达、54a
…
主轴、56
…
刀片、60
…
清洗槽、62
…
第二工作台驱动部、64
…
清洗喷嘴、64a
…
清洗用臂、64b
…
清洗用马达、66
…
冲洗喷嘴、66a
…
冲洗用臂、66b
…
冲洗用马达、68
…
干燥喷嘴、68a
…
干燥用臂、
68b
…
干燥用马达、100
…
第一工作台、102
…
第一工作台的凹部、104
…
第一保持部、104a
…
第一保持部的上表面、106
…
第一吸引部、106a
…
槽、106b
…
第一多孔构件、108
…
吸引用流路、110
…
第一吸引源、200
…
第二工作台、202
…
第二保持部、202a
…
第二保持部的上表面、204
…
凸缘部、204a
…
凸缘部的上表面、206
…
第二吸引部、206a
…
凹部、206b
…
第二多孔构件、208
…
吸引用流路、210
…
第二吸引源、212
…
间隙、220
…
槽、230
…
喷出口、232
…
流体流路、234
…
第一阀、236
…
第一液体供给源、238
…
第二阀、240
…
第二液体供给源、a
…
切削量、b
…
通过切削而去除的宽度、c
…
倒角的宽度、g
…
切槽、pp
…
伸出区域、w
…
晶片、
…
第一保持部的内径、
…
第一保持部的外径、
…
第二保持部的外径、
…
凸缘部的外径、
…
晶片的外径、δ
…
间隙的宽度。
具体实施方式
40.以下，按照附图对本发明的优选的实施方式进行说明。
41.[整体结构]
[0042]
图1是示出边缘修整装置的整体的概要结构的立体图。
[0043]
本实施方式的边缘修整装置10是对圆板状(包括外周的一部分被切除的形状)的晶片w进行边缘修整的装置。
[0044]
需要说明的是，在图1中，x轴、y轴、z轴是相互正交的轴。包含x轴以及y轴的面构成水平的面。
[0045]
如图1所示，本实施方式的边缘修整装置10具备进行晶片w的供给以及回收的供给回收部12、对晶片w进行加工的加工部14、对加工后的晶片w进行清洗(包括干燥)的清洗部16、以及进行晶片w的搬运的搬运部18，且自动地进行从晶片w的供给到回收这一系列处理。
[0046]
供给回收部12包括装载口20，从设置于装载口20的盒(未图示)供给作为加工对象的晶片w。另外，经由装载口20，将加工后的晶片w回收到盒(未图示)中。
[0047]
作为加工对象的晶片w是外周呈圆弧状倒角(所谓的r倒角)的圆板状的晶片。晶片w是工件的一例。
[0048]
加工部14使用一对刀片56来进行晶片w的边缘修整。具体而言，一边使一对刀片56切入晶片w的外周一边使晶片w旋转，从而利用刀片56将晶片w的外周部分去除。去除的部分是在之后的背面研磨工序中对晶片w的背面整体进行了磨削的情况下成为刀口状的部分(外周的表面侧的r形状的部分)。关于加工部14的详细内容后文叙述。
[0049]
清洗部16对加工后的晶片w进行清洗(包括清洗)。具体而言，一边使晶片w旋转一边向晶片w供给清洗液，从而对晶片w进行清洗(所谓的旋转清洗)。在清洗后，一边使晶片w旋转一边向晶片w吹送气体，从而使晶片w干燥(所谓的旋转干燥)。在本实施方式的边缘修整装置10中，在清洗时，同时清洗晶片w的表面和背面。关于清洗部16的详细内容后文叙述。
[0050]
搬运部18具有机械臂22，利用机械臂22向各部搬运晶片w。具体而言，利用机械臂22向加工部14供给从供给回收部12供给的晶片w。然后，利用机械臂22将加工后的晶片w从加工部14向清洗部16搬运。然后，利用机械臂22将清洗后的晶片w从清洗部16向供给回收部12搬运。需要说明的是，由于由机械臂22进行的晶片w的搬运自身是公知的技术，因此省略对其详细情况的说明。
[0051]
[加工部]
[0052]
图2是示出加工部的概要结构的概要图。
[0053]
如该图所示，加工部14具有滑鞍24以及门型立柱26。滑鞍24以及门型立柱26设置在架台28上。
[0054]
在滑鞍24设置有沿着x轴的方向移动的x轴工作台30。x轴工作台30被配设于滑鞍24的x轴导轨32引导，被支承为沿着x轴的方向移动自如。x轴工作台30被x轴马达34驱动而移动。x轴马达34例如由线性马达构成。另外，利用x轴传感器来检测x轴工作台30在其移动轴上的位置(x轴方向上的位置)。x轴传感器例如由线性标尺构成。
[0055]
在x轴工作台30设置有保持晶片w的第一工作台100、以及使该第一工作台100旋转的第一工作台驱动部36。
[0056]
第一工作台100吸附晶片w的背面而将晶片w保持为水平。晶片w被保持在第一工作台100的同轴上。关于第一工作台100的详细内容后文叙述。
[0057]
第一工作台驱动部36内置有马达以作为驱动源。第一工作台100通过被第一工作台驱动部36驱动从而以θ1轴为中心而旋转。θ1轴是穿过第一工作台100的中心且与z轴平行的轴。
[0058]
在门型立柱26设置有一对沿着y轴的方向移动的y轴工作台40。各y轴工作台40被配设于门型立柱26的共用的y轴导轨42引导，被支承为沿着y轴的方向移动自如。各y轴工作台40分别被y轴马达44驱动而分别移动。y轴马达44例如由线性马达构成。另外，利用y轴传感器来分别检测各y轴工作台40在其移动轴上的位置(y轴方向上的位置)。y轴传感器例如由线性标尺构成。
[0059]
在各y轴工作台40设置有沿着z轴的方向移动的z轴工作台46。各z轴工作台46被配设于y轴工作台40的z轴导轨48引导，被支承为沿着z轴的方向移动自如。各z轴工作台46分别被z轴马达50驱动而分别移动。z轴马达50例如由线性马达构成。另外，利用z轴传感器来分别检测各z轴工作台46在其移动轴上的位置(z轴方向上的位置)。z轴传感器例如由线性标尺构成。
[0060]
在各z轴工作台46设置有对晶片w进行加工的加工单元52。加工单元52包括主轴马达54、在主轴马达54的主轴54a装配的刀片56以及未图示的切削液供给部。主轴马达54以其作为旋转部的主轴54a与y轴平行的方式配置。刀片56以可装卸的方式装配于主轴54a的前端。切削液供给部包括喷嘴(未图示)，从喷嘴向切削中的部位(刀片56与晶片w接触的部位)供给切削液。
[0061]
在以上那样构成的加工部14中，通过驱动x轴马达34，第一工作台100沿着x轴移动。另外，通过驱动第一工作台驱动部36，第一工作台100以θ1轴为中心而旋转。另外，通过驱动y轴马达44，加工单元52沿着y轴移动。另外，通过驱动z轴马达50，加工单元52沿着z轴移动。另外，通过驱动主轴马达54，刀片56旋转。
[0062]
图3以及图4是边缘修整的概念图。另外，图5是进行了边缘修整的晶片的立体图。
[0063]
如图3以及图4所示，一边使刀片56切入晶片w的外周一边使晶片w旋转。需要说明的是，图4示出使晶片w从开始刀片56的切入起旋转了90度的状态。
[0064]
像这样，通过一边使刀片56切入一边使晶片w旋转，沿着外周形成切槽g，如图5所示，晶片w的外周被实施了阶梯加工。
[0065]
在此，使刀片56切入的量(切削量)a根据之后的背面研磨工序中的晶片w的精加工厚度而设定，被设定为比精加工厚度大的值(被设定为比精加工厚度稍大的值。)。
[0066]
另外，通过切削而去除的宽度b被设定为比倒角的宽度(r倒角的情况下为半径)c大的值(被设定为比倒角的宽度c稍大的值。)。
[0067]
由此，能够预先去除(修整)在之后的背面研磨工序中加工后成为刀口状的部分。
[0068]
需要说明的是，刀片56能够通过使用比宽度b厚的刀片而一次性地去除应去除的区域。本实施方式的边缘修整装置10具有一对刀片56，因此能够同时对两个部位进行加工。因此，能够通过旋转1/2周而进行加工。
[0069]
在规定的加工位置处进行加工。第一工作台100在规定的接收位置通过机械臂22接收晶片w，然后向加工位置移动。在加工结束后，第一工作台100向接收位置移动。当第一工作台100位于接收位置时，被机械臂22回收并被移送至清洗部16。
[0070]
[清洗部]
[0071]
图6是示出清洗部的概要结构的俯视图。图7是示出清洗部的概要结构的剖视图。
[0072]
如图6以及图7所示，清洗部16具有上部开口的清洗槽60。在清洗槽60的内部设置有第二工作台200、第二工作台驱动部62、清洗喷嘴64、冲洗喷嘴66、干燥喷嘴68等。
[0073]
第二工作台200吸附晶片w的背面而将晶片w保持为水平。晶片w被保持在第二工作台200的同轴上。关于第二工作台200的详细内容后文叙述。
[0074]
第二工作台驱动部62内置有马达以作为驱动源。第二工作台200通过被第二工作台驱动部62驱动从而以θ2轴为中心而旋转。θ2轴是穿过第二工作台200的中心且与z轴平行的轴。
[0075]
清洗喷嘴64是清洗用的喷嘴，朝向被保持于第二工作台200的晶片w喷射清洗液。清洗液的成分根据晶片w的种类等而适当设定。清洗液是清洗用的流体的一例。在本实施方式中，朝向晶片w向铅垂方向下方喷射清洗液。清洗喷嘴64设置在清洗用臂64a的前端。清洗用臂64a被清洗用马达64b驱动而水平地摆动。通过使清洗用臂64a摆动，清洗喷嘴64沿着穿过第二工作台200的中心的移动轨迹往复移动。
[0076]
冲洗喷嘴66是冲洗用的喷嘴，朝向被保持于第二工作台200的晶片w喷射冲洗液。冲洗液例如是超纯水。冲洗液是清洗用的流体的另一例。在本实施方式中，朝向晶片w向铅垂方向下方喷射冲洗液。冲洗喷嘴66设置在冲洗用臂66a的前端。冲洗用臂66a被冲洗用马达66b驱动而水平地摆动。通过使冲洗用臂66a摆动，冲洗喷嘴66沿着穿过第二工作台200的中心的移动轨迹往复移动。
[0077]
干燥喷嘴68是干燥用的喷嘴，向被保持于第二工作台200的晶片w喷射气体(例如压缩空气)。气体是清洗用的流体的又一例。在本实施方式中，朝向晶片w向铅垂方向下方喷射气体。干燥喷嘴68设置在干燥用臂68a的前端。干燥用臂68a被干燥用马达68b驱动而水平地摆动。通过使干燥用臂68a摆动，干燥喷嘴68沿着穿过第二工作台200的中心的移动轨迹往复移动。
[0078]
在以上那样构成的清洗部16中，晶片w的清洗以如下的步骤进行。
[0079]
首先，进行基于清洗液的清洗。基于清洗液的清洗是所谓的旋转清洗。即，一边使晶片w旋转一边供给(喷射)清洗液，从而对晶片w进行清洗。清洗喷嘴64一边进行往复移动一边朝向旋转的晶片w喷射清洗液。
[0080]
在基于清洗液的清洗后，进行基于冲洗液的冲洗(涮洗)。基于冲洗液的冲洗也通过使晶片w旋转来进行。即，一边使晶片w旋转一边供给(喷射)冲洗液，从而对晶片w进行冲洗。冲洗喷嘴66一边进行往复移动一边朝向旋转的晶片w喷射冲洗液。
[0081]
在冲洗后，进行干燥。干燥也通过使晶片w旋转来进行(所谓的旋转干燥)。即，一边使晶片w旋转一边喷射气体，从而使晶片w干燥。干燥喷嘴68一边进行往复移动一边朝向旋转的晶片w喷射气体。
[0082]
在干燥后，晶片w被机械臂22从第二工作台200回收，并被移送至供给回收部12。
[0083]
[第一工作台]
[0084]
图8是第一工作台的立体图。图9是第一工作台的剖视图。
[0085]
如图8以及图9所示，第一工作台100具有圆板状的形状，并在其上表面将晶片w保持为水平。
[0086]
第一工作台100在上表面的中央具有圆锥台形状的凹部102，在该凹部102的周围具有圆环状的第一保持部104。第一保持部104是载置晶片w而与晶片w的背面接触的部分。第一保持部104具有比晶片w的外径小的内径并且具有比晶片w的外径大的外径外径
[0087]
第一保持部104的上表面104a构成晶片w的吸附面。第一保持部104的上表面104a由平面构成，以与θ1轴正交的方式配置。晶片w通过载置于第一保持部104的上表面104a，而被保持为其背面的外周呈圆环状与第一保持部104的上表面104a接触。另一方面，晶片w的背面的中央部分被保持为非接触状态。
[0088]
在第一保持部104的上表面104a设置有圆环状的第一吸引部106。第一吸引部106由多孔件(多孔质体)构成。具体而言，在设置于上表面104a的圆环状的槽106a嵌合由多孔质陶瓷等构成的圆环状的第一多孔构件106b，从而构成第一吸引部106。第一吸引部106的上表面与第一保持部104的上表面104a构成同一面(所谓的共面)。
[0089]
在第一工作台100的内部设置有与第一吸引部106的槽106a相通的吸引用流路108。吸引用流路108与由喷射器等构成的第一吸引源110连接。当使第一吸引源110动作时，经由吸引用流路108向第一吸引部106的上表面传递负压。
[0090]
在以上那样构成的第一工作台100中，当将晶片w载置于第一保持部104的上表面104a并使第一吸引源110动作时，晶片w被吸附并保持于第一保持部104。更详细而言，晶片w的背面的外周部分被吸附并保持于在第一保持部104的上表面104a设置的第一吸引部106。此时，晶片w仅背面的外周部与第一保持部104接触。由此，在与第一工作台100非接触的部分(凹部102的部分)处，能够抑制晶片w的背面被污染的情况。
[0091]
[第二工作台]
[0092]
图10是第二工作台的立体图。图11是第二工作台的剖视图。
[0093]
如图10以及图11所示，第二工作台200具有圆板状的第二保持部202、以及一体地设置于该第二保持部202的外周的圆环状的凸缘部204，且第二工作台200整体具有圆板状的形状。
[0094]
第二保持部202是第二工作台200中的载置晶片w而与晶片w的背面接触的部分。第二保持部202具有比第一工作台100的第一保持部104的内径小的外径
因此，第二保持部202在第一工作台100的第一保持部104的内侧的区域(凹部102的区域)与晶片w的背面接触。
[0095]
第二保持部202的上表面202a构成晶片w的吸附面。第二保持部202的上表面202a由平面构成，以与θ2轴正交的方式配置。晶片w通过载置于第二保持部202的上表面202a，而被保持为其背面的中央部分与第二保持部202接触。
[0096]
在第二保持部202的上表面202a设置有圆形状的第二吸引部206。第二吸引部206由多孔件构成。具体而言，在设置于上表面202a的圆形状的凹部206a嵌合由多孔质陶瓷等构成的圆板状的第二多孔构件206b，从而构成第二吸引部206。第二吸引部206的上表面与第二保持部202的上表面202a构成同一面(所谓的共面)。
[0097]
在第二工作台200的内部设置有与第二吸引部206的凹部206a相通的吸引用流路208。吸引用流路208与由喷射器等构成的第二吸引源210连接。
[0098]
当将晶片w载置于第二保持部202的上表面202a并使第二吸引源210动作时，向第二吸引部206的上表面传递负压，从而晶片w的背面被吸附并保持于第二保持部202。
[0099]
凸缘部204的上表面(上侧的端面)204a由平面构成，以与θ2轴正交的方式配置。
[0100]
凸缘部204具有比晶片w的外径大的外径因此，将通过第二保持部202将晶片w保持在同轴上时，如图11所示，该第二保持部202配置为其外周部分从晶片w的外周伸出。
[0101]
另外，凸缘部204配置为其上表面204a从第二保持部202的上表面202a退开规定距离(δ)。因此，当通过第二保持部202保持晶片w时，如图11所示，在凸缘部204的上表面204a与晶片w的背面之间形成有规定的宽度δ的间隙212。
[0102]
在以上那样构成的第二工作台200中，当将晶片w载置于第二保持部202的上表面202a并使第二吸引源210动作时，晶片w被吸附并保持于第二保持部202。更详细而言，晶片w的背面的中央部分被吸附并保持于在第二保持部202的上表面202a设置的第二吸引部206。
[0103]
如上所述，第二保持部202具有比第一工作台100的第一保持部104的内径小的外径因此，在比第一工作台100的第一保持部104靠内侧的区域(凹部102的区域)与晶片w接触，并保持晶片w。如上所述，在第一工作台100中，比第一保持部104靠内侧的区域是能够抑制污染的区域。因此，通过保持该区域，能够抑制第二保持部202的污染。另外，由此，能够抑制晶片w的污染。
[0104]
另外，本实施方式的第二工作台200通过在第二保持部202的外周具有凸缘部204而能够进行晶片w的背面的清洗。
[0105]
图12是对晶片的背面进行清洗的情况下的第二工作台的剖视图。
[0106]
如上所述，被保持于第二保持部202的晶片w在其背面与凸缘部204的上表面204a之间形成有间隙212。通过从清洗喷嘴64向该间隙供给清洗液，能够对晶片w的背面的外周部分(比被第二保持部202保持的区域靠外侧的部分)进行清洗。
[0107]
清洗液向凸缘部204的上表面204a中的从晶片w的外周伸出的区域(伸出区域)pp供给。通过从清洗喷嘴64向该伸出区域pp供给清洗液，清洗液进入间隙212，利用进入到该间隙212的清洗液来清洗晶片w的背面的外周部分。
[0108]
一边使晶片w旋转一边进行晶片w的背面的清洗。在清洗晶片w的背面时，调整清洗液的供给量以及/或者第二工作台200的旋转量以使得清洗液到达间隙212的里部(内周部分)。
[0109]
像这样，在本实施方式的第二工作台200中，利用在保持晶片w时产生的间隙212对晶片w的背面进行清洗。因此，该间隙212的宽度δ考虑清洗效果而设定。即，该间隙212的宽度δ被设定为能够最有效地清洗晶片w的背面的宽度。
[0110]
需要说明的是，晶片w的清洗可以分为表面侧的清洗和背面侧的清洗来进行，也可以同时进行。在分开进行的情况下，例如，在表面侧的清洗结束后，向伸出区域pp以规定时间供给清洗液，从而对晶片w的背面进行清洗。在同时进行的情况下，例如，将使清洗喷嘴64移动的区域放大至区域pp，也向伸出区域pp供给清洗液。
[0111]
在冲洗时也同样地向伸出区域pp供给冲洗液，从而对晶片w的背面进行冲洗。在干燥时也同样地向伸出区域pp供给气体，从而使晶片w的背面干燥。
[0112]
如以上说明的那样，根据本实施方式的边缘修整装置10，在清洗部16中，第二工作台200在比加工部14的第一工作台100靠内侧的区域吸附并保持晶片w的背面。由此，能够抑制第二工作台200的吸附面(第二保持部202的上表面202a)被污染的情况。另外，由此，能够抑制晶片w的背面被污染的情况。
[0113]
另外，根据本实施方式的边缘修整装置10，在清洗部16中，能够对晶片w的背面的外周部分进行清洗。由此，例如，即使在晶片w的背面的外周部分被加工部14污染了的情况下，也能够利用清洗部16进行清洗，从而将由供给回收部12回收的晶片w的背面保持为洁净。因此，也能够抑制对后工序的装置造成污染、或在载体内对下部的晶片w的表面造成污染的情况。
[0114]
另外，本实施方式的边缘修整装置10在具备加工部和清洗部的通常的刀片切割机(blade dicer)(利用在高速旋转的主轴的前端安装的刀片对晶片进行切削或在晶片加工出切槽的装置)中，仅通过更换工作台即可实现。因此，也能够兼用作刀片切割机。
[0115]
[变形例]
[0116]
[第二工作台的变形例(1)]
[0117]
图13是示出第二工作台的另一例的立体图。图14是图13所示的第二工作台的剖视图。
[0118]
如图13以及图14所示，本例子的第二工作台200在凸缘部204的上表面204a具有槽220。槽220具有三角形状的截面，且沿着保持于第二保持部202的晶片w的外周呈圆环状配置。
[0119]
通过沿着晶片w的外周配置这样的槽220，能够使向凸缘部204的上表面204a供给的液体(清洗液以及冲洗液)积极地与晶片w的背面接触。即，能够将被凸缘部204的上表面204a反射的液体积极地朝向晶片w的背面喷洒。另外，通过沿着晶片w的外周配置这样的槽220，能够使向凸缘部204的上表面204a供给的液体容易进入间隙212。由此，能够提高清洗效果。对于喷射干燥用的气体的情况，也能够得到同样的效果。
[0120]
需要说明的是，在本例子中，将槽220的截面形状设为三角形状，但其形状并没有特别限定。优选考虑流体向晶片w的背面的接触容易度、流体向间隙212的进入容易度等来进行设定。对于配置槽220的位置也同样。
[0121]
[第二工作台的变形例(2)]
[0122]
图15是示出第二工作台的又一例的立体图。图16是图15所示的第二工作台的剖视图。
[0123]
如图15以及图16所示，本例子的第二工作台200在凸缘部204的上表面204a具有多个喷出口230。喷出口230沿着周向以恒定的间隔配置。在第二工作台200的内部设置有与各喷出口230相通的流体流路232。在流体流路232经由第一阀234而连接有第一液体供给源236，并且经由第二阀238而连接有第二液体供给源240。
[0124]
第一液体供给源236是清洗液的供给源，具备贮存有清洗液的罐以及将该罐内的清洗液送至流体流路232的泵等。
[0125]
第二液体供给源240是冲洗液的供给源，具备贮存有冲洗液的罐以及将该罐内的冲洗液送至流体流路232的泵等。
[0126]
第一阀234以及第二阀238例如由电磁阀构成，其开闭由控制单元(未图示)控制。控制单元是对边缘修整装置10的整体的动作进行控制的单元。控制单元例如由具备处理器以及存储器的计算机构成。
[0127]
当打开第一阀234并使第一液体供给源236动作时，从第一液体供给源236向流体流路232供给清洗液。供给到流体流路232的清洗液从各喷出口230自凸缘部204的上表面204a喷出。
[0128]
当打开第二阀238并使第二液体供给源240动作时，从第二液体供给源240向流体流路232供给冲洗液。供给到流体流路232的冲洗液与清洗液同样地从各喷出口230自凸缘部204的上表面204a喷出。
[0129]
在对晶片w进行清洗的情况下，一边使晶片w旋转一边从各喷出口230喷出清洗液。由此，向间隙212供给清洗液，从而对晶片w的背面的外周部分进行清洗。
[0130]
另外，在对晶片w进行冲洗的情况下，一边使晶片w旋转一边从各喷出口230喷出冲洗液。由此，向间隙212供给冲洗液，从而对晶片w的背面的外周部分进行冲洗。
[0131]
根据本例子的第二工作台200，通过在凸缘部204设置喷出口230，能够更可靠地向间隙212供给清洗用的流体。
[0132]
需要说明的是，在上述的例子中，沿周向以一定的间隔配置喷出口230，但配置喷出口230的位置并不限定于此。能够根据所处理的晶片w的尺寸、第二保持部202的外径等来适当设定。
[0133]
也能够组合使用清洗喷嘴64对晶片w的背面进行清洗。即，一边从喷出口230向间隙212供给清洗液，一边利用凸缘部204的伸出区域pp而也从清洗喷嘴64向间隙212供给清洗液。在该情况下，通过在凸缘部204的上表面204a设置槽220，能够进一步提高清洗效果。需要说明的是，清洗液的供给可以从喷出口230和清洗喷嘴64这双方同时进行，也可以交替地进行。对于冲洗也同样。
[0134]
需要说明的是，在不组合使用清洗喷嘴64对晶片w的背面进行清洗的情况下，不需要凸缘部204的伸出区域pp。因此，在该情况下，能够将凸缘部204的伸出区域pp去除。即，能够将凸缘部204的外径设定为与晶片w的外径大致相同的直径。由此，能够使第二工作台200的整体小型轻量化。
[0135]
另外，在上述的例子中，喷出口230仅用于清洗和冲洗，但喷出口230也能够用于干
燥。即，能够在干燥时，使气体从喷出口230喷出，从而用于晶片w的背面的干燥。
[0136]
另外，在上述的例子中，在清洗和冲洗中共用喷出口230，但也可以将喷出清洗液的喷出口和喷出冲洗液的喷出口分开设置。对于喷出气体的情况，也可以进一步单独设置喷出气体的喷出口。
[0137]
[其他变形例]
[0138]
在上述实施方式中，在第二工作台200设置有凸缘部204，但第二工作台200也能够采用没有凸缘部204的结构。在该情况下，例如，能够采用另外设置朝向晶片w的背面喷射流体(清洗液、冲洗液、气体等)的喷嘴而对晶片w的背面进行清洗(包括干燥)的结构。
[0139]
另外，在上述实施方式中，采用相对于晶片w向铅垂方向下方供给清洗液等的结构，但供给清洗液等的朝向(角度)并不限定于此。例如，也能够采用从斜向方向进行供给的结构。另外，也能够采用从横方向(水平方向)对间隙212进行供给的结构。
[0140]
另外，在上述实施方式中，对处理圆板状的晶片w的情况进行了说明，但处理对象(工件)并不限定于此。例如，也能够以玻璃基板等作为处理对象。另外，倒角的形状也没有特别限定。
[0141]
另外，在上述实施方式中，在加工部14设置有一对刀片56，但加工部14所具备的刀片56的数量并不限定于此。至少设置有一个刀片56即可。
[0142]
另外，关于清洗，也能够省略冲洗。在该情况下，不需要冲洗喷嘴66。

技术特征：
1.一种边缘修整装置，其中，所述边缘修整装置具备：加工部，其具备保持板状的工件的第一工作台、以及装配有刀片的主轴，并使用所述刀片对被保持于所述第一工作台的所述工件进行边缘修整；清洗部，其具备保持所述工件的第二工作台、以及供给清洗用的流体的喷嘴，并从所述喷嘴对被保持于所述第二工作台且旋转的所述工件供给所述流体，从而对所述工件进行清洗；以及搬运部，其从所述加工部向所述清洗部搬运所述工件，所述第一工作台具有沿着所述工件的背面的外周进行接触的环状的第一保持部，利用所述第一保持部吸附所述工件的背面从而保持所述工件，所述第二工作台在具有比所述第一保持部靠内侧的区域与所述工件的背面接触的第二保持部，利用所述第二保持部吸附所述工件的背面从而保持所述工件。2.根据权利要求1所述的边缘修整装置，其中，所述第二保持部为圆形状，具有比所述第一保持部的内径小的外径。3.根据权利要求1或2所述的边缘修整装置，其中，所述第二工作台在所述第二保持部的外周还具有凸缘部，所述凸缘部以在所述凸缘部与所述工件之间具有间隙的方式配置，从所述喷嘴向所述间隙供给所述流体，从而对所述工件的背面进行清洗。4.根据权利要求3所述的边缘修整装置，其中，所述凸缘部具有比所述工件大的外径，从所述喷嘴对所述凸缘部的从所述工件伸出的区域供给所述流体，从而向所述间隙供给所述流体。5.根据权利要求4所述的边缘修整装置，其中，在所述凸缘部设置有将从所述喷嘴供给的所述流体朝向所述间隙引导的槽。6.根据权利要求5所述的边缘修整装置，其中，所述槽沿着被所述第二保持部保持的所述工件的外周配置。7.根据权利要求3～6中任一项所述的边缘修整装置，其中，所述第二工作台还具有与所述间隙相通的流体流路，从所述流体流路向所述间隙供给所述流体。8.根据权利要求1或2所述的边缘修整装置，其中，所述第二工作台还具有：凸缘部，其设置在所述第二保持部的外周，以在所述凸缘部与所述工件之间具有间隙的方式配置；以及流体流路，其与所述间隙相通，所述第二工作台从所述流体流路向所述间隙供给所述流体，从而对所述工件的背面进行清洗。9.根据权利要求1～8中任一项所述的边缘修整装置，其中，所述加工部对被保持于所述第一工作台的所述工件一边供给切削液一边使用所述刀片进行边缘修整。

技术总结
本发明提供能够抑制晶片的背面的污垢的边缘修整装置。边缘修整装置(10)具备使用刀片(56)对被保持于第一工作台(100)的晶片(W)进行边缘修整的加工部(14)、以及对被保持于第二工作台(200)且旋转的晶片(W)供给清洗用的流体以进行清洗的清洗部(16)。第一工作台(100)沿着晶片(W)的背面的外周呈环状进行接触并保持晶片(W)。第二工作台(200)在比第一工作台(100)靠内侧的区域与晶片(W)的背面接触并保持晶片(W)。持晶片(W)。持晶片(W)。


技术研发人员：金城裕介
受保护的技术使用者：株式会社东京精密
技术研发日：2023.03.21
技术公布日：2023/9/26