量子点、其制备方法及包含量子点的墨组合物、发光装置、光学构件和设备与流程

量子点、其制备方法及包含量子点的墨组合物、发光装置、光学构件和设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年3月25日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0037405号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。
技术领域
3.本公开内容的一个或多于一个的实施方案的方面涉及量子点、制备量子点的方法以及包含量子点的墨组合物、发光装置、光学构件和设备。


背景技术：

4.量子点是半导体材料的纳米晶体并且表现出量子限制效应。当量子点通过接收来自激发源的光而达到能量激发态时，它们自身根据相应的能带间隙发射能量。在这点上，即使在相同的材料中，波长根据颗粒尺寸而变化，并且因此，通过调节量子点的尺寸，可以获得具有期望波长范围的光，并且可以获得优异的颜色纯度和高的发光效率。因此，量子点可应用于一个或多于一个的适合的装置。
5.此外，量子点可以用作在光学构件中执行一种或多于一种的适合的光学功能(例如，光转换功能)的材料。通过调节纳米晶体的尺寸和组成，作为纳米尺寸的半导体纳米晶体的量子点可以具有不同的能带间隙，并且因此可以发射一种或多于一种的适合的发射波长的光。
6.包含此类量子点的光学构件可以具有薄膜的形式，例如，对于每个子像素图案化的薄膜。此类光学构件可以用作包括一种或多于一种的适合的光源的装置的颜色转换构件。


技术实现要素：

7.本公开内容的一个或多于一个的实施方案的方面包括具有减少的表面缺陷的量子点、制备量子点的方法以及包含量子点的发光装置、光学构件和设备。
8.其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
9.根据一个或多于一个的实施方案，量子点包括
10.纳米颗粒，以及
11.在所述纳米颗粒的表面上的至少一种配体，
12.其中所述量子点具有第一发射光谱，
13.所述第一发射光谱不包括约400nm至约800nm的光致发光峰(例如，不包括任何光致发光峰)，以及
14.由含有所述量子点的溶液测量所述第一发射光谱。
15.根据一个或多于一个的实施方案，制备量子点的方法包括形成包括核前体、第一
配体前体和第一溶剂的第一混合物；以及
16.由所述第一混合物形成包括核和第一配体的第一纳米中间体，随后形成包含所述第一纳米中间体的第二混合物，其中
17.所述方法进一步包括步骤或动作(1)、或者步骤或动作(1)和(2)两者。
18.关于制备所述量子点的方法，
19.步骤或动作(1)包括通过在约250℃至约350℃的温度下加热所述第二混合物来形成量子点，以及
20.步骤或动作(2)包括：通过向所述量子点添加第二配体前体来形成第三混合物；
21.由所述第三混合物形成包含核和第二配体的第二纳米中间体，随后形成包含所述第二纳米中间体的第四混合物；以及
22.通过在约20℃至约100℃的温度下加热所述第四混合物来形成量子点。
23.根据一个或多于一个的实施方案，发光装置包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述发射层包含所述量子点。
24.根据一个或多于一个的实施方案，光学构件包含所述量子点。
25.根据一个或多于一个的实施方案，设备包含所述量子点。
附图说明
26.根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面和特征将更加显而易见，在附图中：
27.图1是示出根据本公开内容的实施方案的量子点的光致发光光谱的图；
28.图2是示出根据本公开内容的实施方案的量子点的光致发光光谱的图；
29.图3是根据本公开内容的实施方案的发光装置的结构的示意图；
30.图4是根据本公开内容的实施方案的发光设备的示意性横截面视图；
31.图5是根据本公开内容的实施方案的发光设备的示意性横截面视图；以及
32.图6示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的电流密度相对于电压的变化。
具体实施方式
33.现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示了所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，通过参考附图仅描述实施方案，以解释本描述的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b或c中的至少一个”、“选自a、b和c中的至少一个”等表示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时)，a和c两者(例如，同时)，b和c两者(例如，同时)，a、b和c全部或其变体。
34.因为本公开内容可以具有多种修改的实施方案，所以在附图中例示并且在详细描述中描述实施方案。当提及参考附图描述的实施方案时，本公开内容的效果和特性以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开内容可以以许多不同的形式实施并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。
35.在下文，将参考附图更详细地描述本公开内容的实施方案。将由相同的参考数字表示相同的组件或相应的组件，并且因此可以省略其冗余的描述。
36.应理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述一种或多于一种的适合的组件，但这些组件不应受到这些术语限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一个。
37.以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
38.应进一步理解，本文使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指明规定的特征或元件的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征或元件的存在或增添。
39.在以下实施方案中，当一个或多于一个的适合的组件(例如层、膜、区、板等)被称为“在”另一组件“上”时，这不仅可以包括其中其它组件“直接在”层、膜、区或板“上”的实施方案，还可以包括其中其它组件可以置于其间的实施方案。为了便于解释，可以放大附图中的元件的尺寸。例如，因为附图中的组件的尺寸和厚度为了便于解释而被任意地例示，所以以下实施方案不限于此。
40.量子点
41.本公开内容的一个或多于一个的实施方案的方面涉及量子点，所述量子点包括：
42.纳米颗粒；以及在纳米颗粒的表面上的至少一种配体，其中
43.量子点具有第一发射光谱，并且第一发射光谱不包括在约400nm至约800nm的(例如，任何)光致发光峰，并且相对于含有量子点的溶液测量。
44.在根据实施方案的量子点中，
45.纳米颗粒可以包括选自金属氧化物、准金属氧化物和非金属氧化物中的一种或多于一种。
46.在根据实施方案的量子点中，
47.纳米颗粒可以包括选自二元化合物和三元化合物中的一种或多于一种。
48.在根据实施方案的量子点中，
49.二元化合物可以包括选自sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和nio中的一种或多于一种，以及
50.三元化合物可以包括选自mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和comn2o4中的一种或多于一种，或者可以是其中在二元化合物上掺杂一种或多于一种金属原子的化合物。
51.在根据实施方案的量子点中，
52.至少一种配体可以包括主链和官能团，其中主链(最长链)可以是疏水性的，并且官能团可以包括化学键合至纳米颗粒的位点。
53.在根据实施方案的量子点中，
54.主链可以包括选自c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
3-c
60
环烷基基团和c
6-c
60
芳基基团中的一种或多于一种。
55.在根据实施方案的量子点中，
56.官能团可以包含一个或多于一个的非共用电子对、碳原子之间的一个或多于一个的多重键、或者碳原子与杂原子之间的一个或多于一个的多重键。
57.在根据实施方案的量子点中，
58.官能团可以具有非芳香族性质或芳香族性质。
59.在根据实施方案的量子点中，
60.官能团可以包括选自羟基基团、烷氧基基团、醚基团、醛基团、酮基团、羧酸基团、酯基团、碳酸酯基团、胺基团、亚胺基团、酰胺基团、氰基基团、硫醇基团和硫醚基团的残基中的一种或多于一种的残基。
61.在根据实施方案的量子点中，
62.纳米颗粒可以在其表面上不具有缺陷位点，从而具有光滑的表面。
63.在根据实施方案的量子点中，量子点的形式不受限制，并且可以是本领域中通常使用/通常可用的任何形式。
64.例如，量子点可以是大致球形、角锥形、多臂或立方体的纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维或纳米板。
65.在根据实施方案的量子点中，量子点可以不具有陷阱能级。
66.在根据实施方案的量子点中，量子点的平均直径可以是，例如，约1nm至约10nm。
67.量子点的制备方法
68.本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一方面涉及制备量子点的方法，所述方法包括：
69.形成包括核前体、第一配体前体和第一溶剂的第一混合物，以及
70.由第一混合物形成包括核和第一配体的第一纳米中间体，随后形成包含第一纳米中间体的第二混合物，其中
71.方法包括步骤或动作(1)、或者步骤或动作(1)和(2)两者。
72.步骤或动作(1)可以包括通过在250℃至350℃的温度下加热第二混合物来形成量子点，以及
73.步骤或动作(2)可以包括：通过向步骤(1)中的量子点添加第二配体前体来形成第三混合物；
74.由第三混合物形成包含核和第二配体的第二纳米中间体，随后形成包含第二纳米中间体的第四混合物；以及
75.通过在约20℃至约100℃的温度下加热第四混合物来改性量子点的表面。
76.在根据实施方案的制备量子点的方法中，
77.关于通过加热第二混合物形成量子点，加热可以进行至少1小时。
78.在根据实施方案的制备量子点的方法中，
79.关于通过加热第四混合物形成量子点，加热可以进行至少1小时。
80.在根据实施方案的制备量子点的方法中，第一配体可以是疏水性的。
81.在根据实施方案的制备量子点的方法中，第二配体可以是亲水性的。
82.在根据实施方案的制备量子点的方法中，
83.第一配体和第二配体的形式电荷可以各自独立地是正、负或中性。
84.可以另外提供通过制备量子点的方法的任一个实施方案制备的量子点。
85.基于总计100重量份的第一混合物，核前体的量可以是约1重量份至约10重量份。
86.基于总计100重量份的第一混合物，第一配体前体的量可以是约0.5重量份至约5重量份。
87.基于总计100重量份的第一混合物，溶剂的量可以是约80重量份至约99重量份。
88.基于总计100重量份的第三混合物，第二配体前体的量可以是约30重量份至约70重量份。
89.墨组合物
90.本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一方面涉及
91.包含任一个实施方案的量子点和溶剂的墨组合物。
92.在根据实施方案的墨组合物中，
93.基于总计100重量份的墨组合物，溶剂的量可以是约80重量份至约99重量份。
94.根据实施方案的墨组合物可以满足全部条件1)至条件3)：
95.条件1)墨组合物的粘度是约2cp至约10cp；
96.条件2)墨组合物的表面张力是约20达因/cm至约40达因/cm；以及
97.条件3)墨组合物的蒸气压小于或等于10-2
mm hg。
98.在根据实施方案的墨组合物中，
99.量子点可以包含第一配体，以及
100.溶剂可以是疏水性的。
101.在根据实施方案的墨组合物中，
102.疏水性溶剂可以包括选自基于脂肪族烃的材料和基于芳香族烃的材料中的一种或多于一种。
103.在根据实施方案的墨组合物中，
104.疏水性溶剂可以包括选自以下的一种或多于一种：基于烷烃的材料，例如正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、十二烷、十六烷、氧杂癸烷等；基于卤代烷烃的材料，例如二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷等；基于环烷烃的材料，例如环己烷、甲基环己烷等；基于芳基的材料，例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙苯、正己基苯、环己基苯、三甲基苯、四氢萘等；以及基于卤代芳基的材料，例如氯苯、邻二氯苯、环己基苯等。
105.在根据实施方案的墨组合物中，
106.量子点可以包含第二配体，以及
107.溶剂可以是亲水性的。
108.在根据实施方案的墨组合物中，
109.亲水性溶剂可以包括选自醇基团、醚基团、酮基团和酯基团中的一种或多于一种。
110.在根据实施方案的墨组合物中，
111.亲水性溶剂可以包括选自以下的一种或多于一种：基于亚烷基二醇烷基醚的材料，例如乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇甲基乙基醚等；基于二乙二醇二烷基醚的材料，例如二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚等；基于亚烷基二醇烷基醚乙酸酯的材料，例如甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单乙基醚乙酸酯、丙二醇单丙基醚乙酸酯等；基于烷氧基烷基乙酸酯的材料，例如甲氧基丁基乙酸酯、甲氧基戊基乙酸酯等；基于芳香族烃的材料，例如苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯等；基于酮的材料，例如甲基乙基酮、丙酮、甲基戊基酮、甲基异丁基酮、环己酮等；基于醇的材料，例如乙醇、丙醇、丁醇、己醇、环己醇、乙二醇、甘油等；基于酯的材料，例如3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-苯基-丙酸乙酯等；基于环酯的材料，例如γ-丁内酯等；以及甲氧基苯(苯甲醚)。
112.基于总计100重量份的墨组合物，量子点的量可以是约1.0重量份至约10重量份，例如，约2重量份至约5重量份。
113.基于总计100重量份的墨组合物，溶剂的量可以是约80重量份至约99.9重量份，例如，约90重量份至约99.8重量份。
114.光学构件和设备
115.本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一方面涉及包含任一个实施方案的量子点的光学构件。
116.本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一方面涉及包含任一个实施方案的光学构件的设备。
117.根据实施方案的设备可以进一步包括光源，以及
118.量子点可以在从光源发射的光的路径上。
119.在根据实施方案的设备中，光源可以是有机发光装置(oled)或发光二极管(led)。
120.在根据实施方案的设备中，
121.光学构件的至少一个区可以包含量子点，以及
122.至少一个区可以吸收从光源发射的光。
123.在根据实施方案的设备中，
124.至少一个区可以吸收具有约200nm至约400nm的发射波长的光。
125.根据实施方案的量子点可以具有第一发射光谱，并且第一发射光谱可以不包括约400nm至约800nm的光致发光峰。此外，根据实施方案的量子点可以不具有陷阱能级，并且因此量子点可以不具有引起陷阱能级的表面缺陷。
126.结果，可以基本上均匀地获得量子点的物理化学性质，从而改善通过量子点传递电子和/或空穴的效率。此外，由于没有表面缺陷，电子和/或空穴的传递对量子点的损伤可以被延迟，从而改善量子点的使用寿命。
127.此外，根据实施方案的制备量子点的方法可以包括在约250℃至约350℃的温度下加热，使得可以容易地以高产率获得没有表面缺陷的量子点。此外，通过制备量子点的方法键合至量子点的配体的类型(种类)和量可以容易地改变。
128.因此，根据一个或多于一个的适合的目的，可以容易地制备具有不同物理化学性质的量子点，并且可以通过制备量子点的方法以高再现性再现量子点的物理化学性质。此外，可以节省在量子点的制备中消耗的工艺成本(即，工艺成本较低)。
129.此外，包含量子点的装置、光学构件和设备可以具有改善的发光效率和长的使用寿命。
130.发光装置
131.本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一方面涉及发光装置，所述发光装置包括：
132.衬底；
133.在衬底上的第一电极；
134.面对第一电极的第二电极；以及
135.在第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中
136.中间层包含根据任一个实施方案的量子点。
137.根据实施方案的发光装置可以满足条件i)至条件iv)中的一种：
138.条件i)
139.第一电极是阳极，并且第二电极是阴极，
140.中间层进一步包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极之间的电子传输区，以及
141.电子传输区包含根据实施方案的量子点；
142.条件ii)
143.第一电极是阳极，并且第二电极是阴极，
144.中间层进一步包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极之间的电子传输区，以及
145.空穴传输区包含根据实施方案的量子点；
146.条件iii)
147.第一电极是阴极，并且第二电极是阳极，
148.中间层进一步包括在第一电极与发射层之间的电子传输区和在发射层与第二电极之间的空穴传输区，以及
149.电子传输区包含根据实施方案的量子点；以及
150.条件iv)
151.第一电极是阴极，并且第二电极是阳极，
152.中间层进一步包括在第一电极与发射层之间的电子传输区和在发射层与第二电极之间的空穴传输区，以及
153.空穴传输区包含根据实施方案的量子点。
154.图3是根据实施方案的发光装置30的示意性横截面视图。发光装置30包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
155.在下文，将参考图3描述根据实施方案的发光装置30的结构和制造发光装置30的方法。
156.中间层或发射层可以包含量子点。
157.第一电极110
158.在图3中，衬底可以额外地布置在第一电极110下方或第二电极150上方。在实施方案中，作为衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且例如，可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其一种或多于一种的组合。
159.可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函材料。
160.第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。在实施方案中，当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其一种或多于一种的组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以
包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其一种或多于一种的组合。
161.第一电极110可以具有包括单个层(例如由单个层组成)的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
162.中间层130
163.中间层130在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
164.中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。
165.在实施方案中，除了一种或多于一种的适合的有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
166.例如，中间层130可以包含量子点。量子点与以上描述的相同。
167.在一个或多于一个的实施方案中，中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)两个或多于两个的发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括两个或多于两个的发射单元和电荷产生层时，发光装置30可以是串联发光装置。
168.中间层130中的空穴传输区
169.空穴传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含彼此不同的多种材料(例如，由彼此不同的多种材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含彼此不同的多种材料的多个层。
170.空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其一种或多于一种的组合。
171.例如，空穴传输区可以具有多层结构，包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中每种结构的构成层(按各自规定的顺序)从第一电极110依次堆叠。
172.空穴传输区可以包含根据实施方案的量子点、由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其一种或多于一种的组合：
173.式201
[0174][0175]
式202
[0176][0177]
其中，在式201和式202中，
[0178]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0179]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，以及*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，
[0180]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0181]
xa5可以是1至10的整数，
[0182]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0183]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此键合以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物ht16等)，
[0184]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此键合以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，以及
[0185]
na1可以是1至4的整数，并且r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解。
[0186]
例如，式201和式202中的每一个可以包含选自由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种：
[0187][0188]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可以各自与关于r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以是未取代的或被r
10a
取代。
[0189]
在实施方案中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0190]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含选自由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种。
[0191]
在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含选自由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种和选自由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0192]
在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，r
201
可以是由式cy201至式cy203表示的基团中的一种，xa2可以是0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy207表示的基团中的一种。
[0193]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团。
[0194]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203表示的基团，并且可以包含选自由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0195]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217表示的基团。
[0196]
例如，空穴传输区可以包含化合物ht1至化合物ht46、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)中的一种或多于一种：
[0197]
[0198]
[0199]
[0200]
[0201][0202]
空穴传输区的厚度可以是约至约例如，约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约例如约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0203]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0204]
p-掺杂剂
[0205]
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以基本上均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以包含电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层的形式)。
[0206]
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
[0207]
例如，p-掺杂剂可以具有约-3.5ev或低于-3.5ev的lumo能级。
[0208]
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含元素el1和元素el2的化合物或其一种或多于一种的组合。
[0209]
醌衍生物的实例可以是tcnq、f4-tcnq等。
[0210]
含氰基基团的化合物的实例可以是hat-cn、由式221表示的化合物等:
[0211][0212]
式221
[0213][0214]
其中，在式221中，
[0215]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，以及
[0216]
选自r
221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其一种或多于一种的组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或其一种或多于一种的组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0217]
在包含元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其组合。
[0218]
金属的实例可以包括碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)；等。
[0219]
准金属的实例可以包括硅(si)、锑(sb)、碲(te)等。
[0220]
非金属的实例可以包括氧(o)、卤素(例如f、cl、br、i等)等。
[0221]
包含元素el1和元素el2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其一种或多于一种的组合。
[0222]
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)、铼氧化物(例如，reo3等)等。
[0223]
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。
[0224]
碱金属卤化物的实例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi等。
[0225]
碱土金属卤化物的实例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2等。
[0226]
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)、金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)等。
[0227]
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)、锡卤化物(例如，sni2等)等。
[0228]
镧系金属卤化物的实例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3等。
[0229]
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，sbcl5等)等。
[0230]
金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)等。
[0231]
中间层130中的发射层
[0232]
当发光装置30是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此分开以发射白色光。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。
[0233]
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其组合。
[0234]
在发射层中，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0235]
在实施方案中，发射层可以包含量子点。
[0236]
在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0237]
发射层的厚度可以是约至约例如，约至约当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的(或适合的)发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0238]
主体
[0239]
在实施方案中，主体可以包括由式301表示的化合物：
[0240]
式301
[0241]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0242]
其中，在式301中，
[0243]
ar
301
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，和l
301
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0244]
xb11可以是1、2或3，
[0245]
xb1可以是0至5的整数，
[0246]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0247]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0248]q301
至q
303
可以各自与关于q1描述的相同，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解。
[0249]
例如，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键彼此键合。
[0250]
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其组合：
[0251]
式301-1
[0252][0253]
式301-2
[0254][0255]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0256]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0257]
x
301
可以是o、s、n[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0258]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0259]
l
301
、xb1和r
301
可以各自与本文描述的相同，
[0260]
l
302
至l
304
可以各自独立地与关于l
301
描述的相同，
[0261]
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
[0262]r302
至r
305
以及r
311
至r
314
可以各自与关于r
301
描述的相同。
[0263]
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。在实施方案中，主体可以包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其一种或多于一种的组合。
[0264]
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括：化合物h1至化合物h124；9,10-二(2-萘基)蒽(adn)；2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)；9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)；4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)；1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)；1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)中的一种或多于一种：
[0265]
[0266]
[0267]
[0268]
[0269]
[0270]
[0271][0272]
磷光掺杂剂
[0273]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
[0274]
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其一种或多于一种的组合。
[0275]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0276]
例如，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
[0277]
式401
[0278]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0279]
式402
[0280][0281]
其中，在式401和式402中，
[0282]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0283]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，
两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0284]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0285]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0286]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0287]
t
401
可以是单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，以及*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，
[0288]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0289]q411
至q
414
可以各自与关于q1描述的相同，
[0290]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0291]q401
至q
403
可以各自与关于q1描述的相同。
[0292]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0293]
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0294]
例如，在式402中，i)x
401
可以是氮，并且x
402
可以是碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可以是氮。
[0295]
当式401中的xc1是2或大于2时，在两个或多于两个的l
401
中，两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，并且两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接。t
402
和t
403
可以各自与关于t
401
描述的相同。
[0296]
在式401中，l
402
可以是有机配体。例如，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其一种或多于一种的组合。
[0297]
磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物pd1至化合物pd39中的一种或多于一种：
[0298]
[0299]
[0300][0301]
荧光掺杂剂
[0302]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其组合。
[0303]
例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0304]
式501
[0305][0306]
其中，在式501中，
[0307]
ar
501
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
501
至l
503
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，以及r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0308]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
[0309]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0310]
在实施方案中，式501中的ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团、芘基团等)。
[0311]
在实施方案中，式501中的xd4可以是2。
[0312]
例如，荧光掺杂剂可以包括：化合物fd1至化合物fd36；dpvbi；dpavbi中的一种或多于一种：
[0313]
[0314]
[0315][0316]
延迟荧光材料
[0317]
发射层可以包含延迟荧光材料。
[0318]
在本公开内容中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。
[0319]
根据包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
[0320]
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以是0ev以上且0.5ev以下。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足在以上范围内时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此发光装置30可以具有改善的发光效率。
[0321]
例如，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团等，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团、缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团等)的材料，ii)包含包括彼此稠合同时共用硼(b)的至少两个环状基团的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0322]
延迟荧光材料的实例可以包括选自化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0323][0324]
中间层130中的电子传输区
[0325]
电子传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含彼此不同的多种材料(例如，由彼此不同的多种材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含彼此不同的多种材料的多个层。
[0326]
电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其一种或多于一种的组合。
[0327]
例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的构成层(按各自规定的顺序)从发射层依次堆叠。
[0328]
电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含根据实施方案的量子点。
[0329]
在实施方案中，电子传输区可以进一步包括包含至少一种缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0330]
例如，电子传输区可以进一步包含由式601表示的化合物：
[0331]
式601
[0332]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0333]
其中，在式601中，
[0334]
ar
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，和l
601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0335]
xe11可以是1、2或3，
[0336]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0337]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0338]q601
至q
603
可以各自与关于q1描述的相同，并且r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0339]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0340]
选自ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮(二价)c
1-c
60
环状基团。
[0341]
例如，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
601
可以经由单键彼此连接。
[0342]
在实施方案中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0343]
在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以进一步包含由式601-1表示的化合物：
[0344]
式601-1
[0345][0346]
其中，在式601-1中，
[0347]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，并且选自x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0348]
l
611
至l
613
可以各自与关于l
601
描述的相同，
[0349]
xe611至xe613可以各自与关于xe1描述的相同，
[0350]r611
至r
613
可以各自与关于r
601
描述的相同，以及
[0351]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0352]
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0353]
在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以进一步包含：化合物et1至化合
物et45；2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)；4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)；alq3；balq；taz；ntaz中的一种或多于一种：
[0354]
[0355]
[0356][0357]
电子传输区的厚度可以是约至约例如约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以是(例如，可以各自是)约至约例如约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0358]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0359]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其一种或多于一种的组合。
[0360]
例如，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0361][0362]
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
[0363]
电子注入层可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
[0364]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其一种或多于一种的组合。
[0365]
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其一种或多于一种的组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其一种或多于一种的组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其一种或多于一种的组合。
[0366]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)或碲化物，或其一种或多于一种的组合。
[0367]
含碱金属的化合物可以包括：碱金属氧化物，例如li2o、cs2o、k2o等；碱金属卤化物，例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、ki等；或其一种或多于一种的组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中x是满足0《x《1的实数)、ba
x
ca
1-x
o(其中x是满足0《x《1的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其一种或多于一种的组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例是late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3、lu2te3等。
[0368]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种或多于一种，和ii)作为键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其一种或多于一种的组合。
[0369]
在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱
土金属络合物、稀土金属络合物或其一种或多于一种的组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0370]
在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属，或其一种或多于一种的组合。例如，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层等。
[0371]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其一种或多于一种的组合可以基本上均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0372]
电子注入层的厚度可以是约至约并且例如，约至约当电子注入层的厚度在以上范围内时，可以获得令人满意的(适合的)电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0373]
第二电极150
[0374]
第二电极150可以在具有如以上描述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其一种或多于一种的组合作为用于形成第二电极150的材料。
[0375]
第二电极150可以包含锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其一种或多于一种的组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
[0376]
第二电极150可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。
[0377]
覆盖层
[0378]
第一覆盖层可以布置在第一电极110外部和/或第二覆盖层可以布置在第二电极150外部。特别地，发光装置30可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构。
[0379]
发光装置30的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出。发光装置30的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。
[0380]
第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，增加了发光装置30的出光效率，使得可以改善发光装置30的发光效率。
[0381]
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可各自包含具有大于或等于1.6(在589nm处)的折射率的材料。
[0382]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0383]
选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其一种或多于一种的组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物
可以任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其一种或多于一种的组合的取代基取代。在实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0384]
在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合。
[0385]
在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含：化合物ht28至化合物ht33中的一种或多于一种；化合物cp1至化合物cp6中的一种或多于一种；β-npb；或其一种或多于一种的组合：
[0386][0387][0388]
膜
[0389]
量子点可以被包含在一种或多于一种的适合的膜中。因此，本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一方面涉及包含量子点的膜。膜可以是，例如，光学构件(或光控制)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、出光效率增强层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点的层等)、光阻挡构件(例如，光反射层、光吸收层等)、保护构件(例如，绝缘层、介电层等)。
[0390]
电子设备
[0391]
发光装置可以被包括在一种或多于一种的适合的电子设备中。例如，包括发光装
置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0392]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以布置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与本文描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以例如与本文描述的相同。
[0393]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。
[0394]
像素限定层可以布置在子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。
[0395]
滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和布置在滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和布置在颜色转换区域之间的遮光图案。
[0396]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。第三颜色光可以是具有约400nm至约490nm的最大发射波长的蓝色光。
[0397]
例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包含量子点。例如，第一区域可以包含绿色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以包含量子点。
[0398]
量子点可以与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体。
[0399]
例如，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三-第一颜色光。在该实施方案中，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。特别地，第一光可以是蓝色光，第一-第一颜色光可以是红色光，第二-第一颜色光可以是绿色光，并且第三-第一颜色光可以是蓝色光。
[0400]
除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可以电连接至发光装置的第一电极或第二电极。
[0401]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0402]
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0403]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，并且同时地(并行地)防止(降低)环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0404]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，一种或多于一种的适合的功能层可以额外地布置在密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生
命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
[0405]
除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0406]
电子设备可以应用于一种或多于一种的适合的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、一种或多于一种的适合的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和/或船舶的仪表)、投影仪等。
[0407]
光学构件和设备
[0408]
本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一方面涉及包含量子点的光学构件。
[0409]
光学构件可以是颜色转换构件。
[0410]
颜色转换构件可以包括衬底和形成在衬底上的图案层。
[0411]
衬底可以是构成颜色转换构件的衬底，或者可以是颜色转换构件布置在其中的一个或多于一个的适合的设备(例如，显示设备)的区。衬底可以是玻璃、硅(si)、硅氧化物(sio
x
)或聚合物衬底，并且聚合物衬底可以是聚醚砜(pes)或聚碳酸酯(pc)。
[0412]
图案层可以包含薄膜形式的量子点。例如，图案层可以是薄膜量子点。
[0413]
包括衬底和图案层的颜色转换构件可以进一步包括形成在图案层之间的间隔壁或黑色矩阵。在一些实施方案中，颜色转换构件可以进一步包括滤色器以进一步改善光转换效率。
[0414]
颜色转换构件可以包括能够发射红色光的红色图案层、能够发射绿色光的绿色图案层、能够发射蓝色光的蓝色图案层、或其一种或多于一种的组合。可以通过控制(选择)量子点的组分、组成和/或结构来实现红色图案层、绿色图案层和/或蓝色图案层。
[0415]
本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一方面涉及包含量子点的设备(或包含量子点的光学构件)。
[0416]
设备可以进一步包括光源，并且量子点(或包含量子点的光学构件)可以在由光源发射的光的路径上。
[0417]
光源可以发射蓝色光、红色光、绿色光或白色光。例如，光源可以发射蓝色光。
[0418]
光源可以是有机发光装置(oled)或发光二极管(led)。
[0419]
由如以上描述的光源发射的光可以在穿过量子点的同时被量子点光转换。因此，由于量子点，可以发射具有与由光源发射的光的波长不同的波长的光。
[0420]
设备可以是显示设备、照明设备等。
[0421]
图4和图5的描述
[0422]
图4是示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。
[0423]
图4的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
[0424]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以在衬底100上。缓冲层210可以防止(减少)杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
[0425]
tft可以在缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极
270。
[0426]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
[0427]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以在有源层220上，并且栅电极240可以在栅绝缘膜230上。
[0428]
层间绝缘膜250可以在栅电极240上。层间绝缘膜250可以在栅电极240与源电极260之间以及在栅电极240与漏电极270之间，以使彼此绝缘(以使栅电极与源电极绝缘并且使绝缘栅电极与漏电极绝缘)。
[0429]
源电极260和漏电极270可以在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以接触有源层220的源区和漏区的暴露部分布置。
[0430]
tft可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。可以在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0431]
第一电极110可以在钝化层280上。钝化层280可以布置成暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以布置成连接至漏电极270的暴露部分。
[0432]
包含绝缘材料的像素限定层290可以在第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某一区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部，并且可以因此布置成公共层的形式。
[0433]
第二电极150可以在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0434]
封装部300可以在覆盖层170上。封装部300可以在发光装置上以保护(降低/最小化对湿气/氧气的暴露)发光装置免于湿气或氧气。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其一种或多于一种的组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或其一种或多于一种的组合；或者无机膜和有机膜的一种或多于一种的组合。
[0435]
图5是根据另一个实施方案的发光设备的横截面视图。
[0436]
图5的发光设备与图4的发光设备相同，但遮光图案500和功能区400额外地布置在封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多于一个的实施方案中，包括在图4的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[0437]
制造方法
[0438]
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像等中的一种或多于一种的适合的方法在特定区域中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。
[0439]
当通过真空沉积形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度进行沉积。
[0440]
术语的定义
[0441]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳作为成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子数可以是3至61(例如，3至30、3至20、3至15或3至10)。
[0442]
如本文使用的“环状基团”可以包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团二者(例如，同时)。
[0443]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)并且不包含*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且包含*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0444]
例如，
[0445]c3-c
60
碳环基团可以是i)t1基团或者ii)其中两个或多于两个的t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0446]c1-c
60
杂环基团可以是i)t2基团，ii)其中至少两个t2基团彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个t2基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯
并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0447]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是i)t1基团，ii)其中至少两个t1基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)t3基团，iv)其中至少两个t3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个t3基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
[0448]
缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可以是i)t4基团，ii)其中至少两个t4基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个t4基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个t4基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0449]
t1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0450]
t2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，
[0451]
t3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
[0452]
t4基团可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0453]
如本文使用的术语“环状基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、富π电子的c
3-c
60
环状基团或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”是指根据使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构可以理解的。
[0454]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例可以是c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
60
芳基基团、c
1-c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和/或单价非芳香族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例是c
3-c
10
亚环烷基基团、c
1-c
10
亚杂环烷基基团、c
3-c
10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和/或二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0455]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例可以包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和/或叔癸基基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”是指具有与c
1-c
60
烷基基团相同的结构的二价基团。
[0456]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙烯基基团、丙烯基基团、丁烯基基团等。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”是指具有与c
2-c
60
烯基基团相同的结构的二价基团。
[0457]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间(即，不在末端处)或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙炔基基团、丙炔基基团等。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”是指具有与c
2-c
60
炔基基团相同的结构的二价基团。
[0458]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”是指由-oa
101
(其中a
101
是c
1-c
60
烷基基团)表示的单价基团，并且其实例可以包括甲氧基基团、乙氧基基团、异丙氧基基团等。
[0459]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团、双环[2.2.2]辛基基团等。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”是指具有与c
3-c
10
环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0460]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团、四氢噻吩基基团等。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0461]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基基团”是指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例可以包括环戊烯基基团、环己
烯基基团、环庚烯基基团等。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”是指具有与c
3-c
10
环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0462]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”是指在其环状结构中进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且具有至少一个双键的1个至10个碳原子的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团、2,3-二氢噻吩基基团等。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0463]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例可以包括苯基基团、庚搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团等。当c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
[0464]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例可以包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
[0465]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8至30、8至20、8至15或8至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团、茚并蒽基基团等。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0466]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴
基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0467]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”表示-oa
102
(其中a
102
是c
6-c
60
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”表示-sa
103
(其中a
103
是c
6-c
60
芳基基团)。
[0468]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基基团”是指-a
104a105
(其中a
104
是c
1-c
54
亚烷基基团，并且a
105
是c
6-c
59
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基基团”是指-a
106a107
(其中a
106
是c
1-c
59
亚烷基基团，并且a
107
是c
1-c
59
杂芳基基团)。
[0469]
如本文使用的术语“r
10a”可以是：
[0470]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0471]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其一种或多于一种的组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0472]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其一种或多于一种的组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者
[0473]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0474]
在本公开内容中，q1、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其一种或多于一种的组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团；c
7-c
60
芳基烷基基团；或者c
2-c
60
杂芳基烷基基团。
[0475]
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的实例是o、s、n、p、si、b、ge、se或其一种或多于一种的组合。如本文使用的术语“至少一个杂原子”可以是指1至5个杂原子或1至3个杂原子，例如1、2、3、4、5个杂原子。
[0476]
如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括hf、ta、w、re、os、ir、pt、au等。
[0477]
如本文使用的“ph”是指苯基基团，如本文使用的“me”是指甲基基团，如本文使用的“et”是指乙基基团，如本文使用的“tert-bu”或“bu
t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的“ome”是指甲氧基基团。
[0478]
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。例如，“联苯基基团”是具有c
6-c
60
芳基基团(即，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0479]
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。例如，“三联苯基基团”是具有被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团(即，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0480]
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
[0481]
在下文，将参考以下合成例和实施例更详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述合成例的措辞“使用b代替a”表示使用等摩尔当量的b代替a。
[0482]
实施例
[0483]
合成例1：
[0484]
将乙酸锌(1mmol)、油酸(3mmol)和1-十八碳烯(20ml)混合并且在氮气流下加热至200℃。在200℃下静置1小时之后，将油胺(3mmol)添加至其中并且将反应温度升高至300℃。在300℃下加热约30分钟之后，将温度冷却至室温。对反应物进行离心以从中去除初级副产物。将乙醇添加至上清液，并且对其进行离心以沉淀产物，然后将产物再分散在辛烷中。
[0485]
合成例2
[0486]
以与实施例1中基本上相同的方式制备量子点，但将反应温度改变成250℃而不是300℃。
[0487]
合成例3
[0488]
以与实施例1中基本上相同的方式制备量子点，但将反应温度改变成200℃而不是300℃。
[0489]
合成例4
[0490]
将乙酸锌(10mmol)溶解在二甲亚砜(dmso，40ml)中。将氢氧化四甲基铵(tmah，10mmol)溶解在乙醇(10ml)中，并且将混合溶液逐滴添加至乙酸锌-dmso溶液进行混合。允许反应物在4℃下反应1小时。反应完成之后，添加过量的丙酮并且离心以沉淀产物。然后，将得到的产物再分散在乙醇中。
[0491]
评价例1：光致发光光谱
[0492]
通过将含有量子点的溶液的浓度调节至0.4的吸光度并通过在350nm下激发来测量光致发光光谱。
[0493]
图1示出了合成例1和合成例4的量子点的光致发光光谱。参考图1，证实合成例1的量子点的光致发光光谱在约400nm至约800nm的波长区中没有光致发光峰。并且证实合成例4的量子点的光致发光光谱在约400nm至约800nm的波长区中具有峰值。
[0494]
因此，合成例1的量子点没有陷阱能级，并且因此，在合成例1的量子点中没有引起陷阱能级的表面缺陷。然而，可以得出(预期)合成例4的量子点具有陷阱能级和表面缺陷。
(4,4
′‑
(n-(4-仲丁基苯基)二苯基胺)](tfb)真空沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的空穴传输层。
[0513]
将具有540nm的发光波长的量子点(inp/znse/zns)旋涂在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射层，以及将组合物例3的第三墨组合物旋涂在其上以形成具有的厚度的电子传输层。将al沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的阴极，从而完成发光装置的制造。
[0514]
比较例1
[0515]
以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，但在形成电子传输层时，使用第二墨组合物代替第三墨组合物。
[0516]
评价例4
[0517]
为了评价实施例1和比较例1的发光装置的特性，当通过向发光装置施加约0v至约5v的电压来操作发光装置时，使用吉时利(keithley)2400源/表测量每个发光装置的电流密度。评价的结果显示在图6中。
[0518]
发光装置的特性评价的结果显示在表2中。图6示出了用不同电压评价根据实施方案的发光装置的电流密度的结果。参考图6，证实在低电压条件下，实施例1的发光装置比比较例1的发光装置具有更高的电流密度。
[0519]
因此，证实与比较例1的发光装置相比，每个实施例的发光装置具有优异的(适合的)发光效率和长的使用寿命。
[0520]
根据一个或多于一个的实施方案，量子点可以不具有陷阱能级，并且包含量子点的装置、光学构件和设备可以具有改善的发光效率。
[0521]“可以”的使用当描述本公开内容的实施方案时是指“本公开内容的一个或多于一个的实施方案”。
[0522]
如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0523]
在本公开内容中，当颗粒是球形时，“直径”表示平均颗粒直径，并且当颗粒是非球形时，“直径”表示长轴长度。可以使用扫描电子显微镜或粒度分析仪测量颗粒的直径(或尺寸)。作为粒度分析仪，可以使用例如horiba、la-950激光粒度分析仪。当使用粒度分析仪测量颗粒的尺寸时，平均颗粒直径(或尺寸)被称为d50。d50是指其累积体积对应于颗粒尺寸分布(例如，累积分布)中的50体积％的颗粒的平均直径(或尺寸)，并且是指在以最小颗粒尺寸至最大颗粒尺寸的顺序累积的分布曲线中当颗粒的总数是100％时，对应于距最小颗粒50％的颗粒尺寸的值。
[0524]
如本文使用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认知到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文使用的“约”、“基本上”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限度)确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
[0525]
此外，本文列举的任何数值范围旨在包括归入所列举的范围内的相同数值精度的
所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(并且包括端值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文列举的任何最大数值限定旨在包括归入其中的所有较低的数值限定，并且本公开内容中所列举的任何最小数值限定旨在包括归入其中的所有较高的数值限定。因此，申请人保留修改本公开内容(包括权利要求书)以明确列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围的权利。
[0526]
可以使用任何适合的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件，或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文描述的本公开内容的实施方案的发光装置、电子设备或任何其它相关的装置或组件。例如，装置的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或在单独的ic芯片上。此外，装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带式封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上，或者形成在一个衬底上。此外，装置的各种组件可以是在一个或多于一个的计算装置中的一个或多于一个的处理器上运行，执行计算机程序指令并且与用于执行本文描述的各种功能的其它系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，所述存储器可以使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(ram)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如以cd-rom、闪存驱动器等为例。此外，本领域技术人员应认识，在不背离本公开内容的实施方案的范围的情况下，各种计算装置的功能可以被结合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或多于一个的其它计算装置分布。
[0527]
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由所附权利要求及其等同物限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的一种或多于一种的适合的改变。

技术特征：
1.量子点，包括：纳米颗粒；以及在所述纳米颗粒的表面上的至少一种配体，其中所述量子点具有第一发射光谱，所述第一发射光谱不包括400nm至800nm的任何发射峰，以及由含有所述量子点的溶液测量所述第一发射光谱。2.如权利要求1所述的量子点，其中所述纳米颗粒包括选自金属氧化物、准金属氧化物和非金属氧化物中的一种或多于一种。3.如权利要求1所述的量子点，其中所述至少一种配体包含主链和官能团，所述主链是疏水性的，以及所述官能团包含化学键合至所述纳米颗粒的位点。4.如权利要求3所述的量子点，其中所述主链包括选自c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
3-c
60
环烷基基团和c
6-c
60
芳基基团中的一种或多于一种。5.如权利要求4所述的量子点，其中所述官能团包括一个或多于一个的非共用电子对。6.如权利要求4所述的量子点，其中所述官能团包括选自羟基基团、烷氧基基团、醚基团、醛基团、酮基团、羧酸基团、酯基团、碳酸酯基团、胺基团、亚胺基团、酰胺基团、氰基基团、硫醇基团和硫醚基团的残基中的一种或多于一种的残基。7.如权利要求1所述的量子点，其中所述纳米颗粒的所述表面没有任何缺陷位点。8.制备量子点的方法，所述方法包括：形成包括核前体、第一配体前体和第一溶剂的第一混合物；以及由所述第一混合物形成包括核和第一配体的第一纳米中间体，随后形成包含所述第一纳米中间体的第二混合物，其中所述方法进一步包括动作(1)、或动作(1)和动作(2)两者，动作(1)：通过在250℃至350℃的温度下加热所述第二混合物来形成量子点，动作(2)：通过向所述量子点添加第二配体前体形成第三混合物；由所述第三混合物形成包含核和第二配体的第二纳米中间体，随后形成包含所述第二纳米中间体的第四混合物；以及通过在20℃至100℃的温度下加热所述第四混合物来改性所述量子点的表面。9.发光装置，包括：衬底；在所述衬底上的第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述中间层包含权利要求1至7中任一项所述的量子点。10.包括光学构件的设备，其中所述光学构件包含权利要求1至7中任一项所述的量子点。

技术总结
本申请提供了制备量子点的方法，所述方法能够控制量子点的能级。本申请还提供了具有受控能级的量子点，以及包含所述量子点的发光装置、光学构件和设备。光学构件和设备。光学构件和设备。


技术研发人员：郑然九 徐耀汉 李秀浩 高崙赫
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.03.23
技术公布日：2023/9/26