显示装置、制造其的方法和包括其的拼接显示装置与流程

1.实施例涉及显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的拼接显示装置。


背景技术：

2.随着面向信息的社会的进步，对用于以各种方式显示图像的显示装置提出了越来越多的需求。例如，已经在诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置中实现了显示装置。显示装置包括诸如液晶显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置。在平板显示装置中，由于显示面板的像素中的每个包括能够自身发光的发光元件，所以可以在没有背光单元向显示面板提供光的情况下显示图像。
3.在以大尺寸制造显示装置的情况下，发光元件的缺陷率可能由于像素数量的增大而增大，从而使显示装置的生产率或可靠性劣化。为了解决该问题，在拼接显示装置中，可以通过连接具有小尺寸的多个显示装置来实现大尺寸屏幕。由于彼此相邻的多个显示装置中的每个的非显示区域或边框区域，拼接显示装置可以包括多个显示装置之间的被称为接缝的边界部分。在整个屏幕上显示单个图像的情况下，多个显示装置之间的边界部分引起遍及整个屏幕的断开感，从而降低了图像中的沉浸感。


技术实现要素：

4.实施例提供了一种能够提高蚀刻速率并降低制造成本的显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置。
5.实施例提供了一种能够通过防止识别多个显示装置之间的边界部分或非显示区域来去除多个显示装置之间的断开感或使多个显示装置之间的断开感最小化并且改善图像沉浸感的拼接显示装置。
6.然而，公开的实施例不限于这里所阐述的那些。通过参考下面所呈现的公开的详细描述，以上和其他实施例对于公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
7.根据实施例，显示装置可以包括：基底；第一金属层，设置在基底上；第一阻挡绝缘层，设置在第一金属层上；蚀刻控制层，设置在第一阻挡绝缘层上；第一接触孔，穿过基底、第一阻挡绝缘层和蚀刻控制层；第二阻挡绝缘层，设置在蚀刻控制层上并且包括第二接触孔；扇出线，设置在第二阻挡绝缘层上并且包括在第二金属层中；垫部，插入到第二接触孔中并且包括在第二金属层中，垫部与扇出线成一体；显示层，设置在扇出线上；以及柔性膜，设置在基底下面并且插入到第一接触孔中以电连接到垫部。第一金属层可以包括与第一接触孔相邻的蚀刻标记。
8.蚀刻控制层可以包括绝缘材料，绝缘材料包括聚酰亚胺。
9.蚀刻标记可以包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、钯(pd)、铟(in)、钕(nd)和铜(cu)中的至少一种。
10.蚀刻标记可以设置在第一接触孔的一侧。
11.显示装置还可以包括：保护膜，设置在基底下面；以及弱粘合部分，在平面图中围绕第一接触孔，并且在平面图中被保护膜围绕。
12.弱粘合部分可以通过减少保护膜的一部分的粘合性而形成。
13.显示层可以包括：连接部，设置在第二金属层上并包括在第三金属层中，连接部连接到扇出线；数据线，包括在第三金属层中并在第一方向上延伸；以及高电位线，包括在第三金属层中并在第一方向上延伸。
14.垫部可以通过连接部向数据线供应数据电压，或者可以通过连接部向高电位线供应高电位电压。
15.显示装置还可以包括：薄膜晶体管，包括包含在第四金属层中的栅电极和与栅电极叠置的有源层；以及连接电极，包括在位于第四金属层上的第五金属层中。连接电极的端部可以连接到高电位线，并且连接电极的另一端部可以连接到薄膜晶体管的有源层。
16.显示层还可以包括设置在第五金属层上的发光元件层。发光元件层可以包括连接到连接电极的第一电极、与第一电极相邻的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光元件，第一电极和第二电极设置在同一层。
17.显示装置还可以包括安装在柔性膜上以供应数据电压、电源电压或栅极信号的显示驱动器。
18.根据实施例，一种制造显示装置的方法可以包括以下步骤：提供基底；在基底上形成第一金属层；在第一金属层上形成第一阻挡绝缘层；在第一阻挡绝缘层上形成蚀刻控制层；在蚀刻控制层上形成第二阻挡绝缘层，第二阻挡绝缘层包括第二接触孔；形成设置在第二阻挡绝缘层上的扇出线和插入到第二接触孔中的垫部，扇出线和垫部彼此成一体；在扇出线上形成显示层；执行蚀刻基底、第一金属层和第一阻挡绝缘层的第一蚀刻工艺；执行蚀刻蚀刻控制层以形成第一接触孔的第二蚀刻工艺；以及将柔性膜插入到第一接触孔中以使柔性膜电连接到垫部。
19.第一蚀刻工艺可以是通过使用蚀刻气体的大气压等离子体工艺，蚀刻气体包括三氟化氮(nf3)、四氟化碳(cf4)、氟化甲烷(ch3f)和二氟化甲烷(ch2f2)中的至少一种。
20.执行第一蚀刻工艺的步骤可以包括通过去除第一金属层来控制蚀刻深度。
21.执行第一蚀刻工艺的步骤可以包括通过去除第一金属层来形成蚀刻标记。
22.第二蚀刻工艺可以是通过使用不包括氟(f)自由基的蚀刻气体的大气压等离子体工艺。
23.在形成显示层之后，所述方法还可以包括以下步骤：在基底的表面上形成保护膜；以及通过减少保护膜的一部分的粘合性来形成弱粘合部分。执行第一蚀刻工艺和执行第二蚀刻工艺的步骤可以包括从基底的下部分去除弱粘合部分以蚀刻基底、第一金属层、第一阻挡绝缘层和蚀刻控制层。
24.在执行第二蚀刻工艺之后，所述方法还包括以下步骤：通过用弱粘合部分覆盖第一接触孔来保护垫部。
25.垫部的保护步骤可以包括在弱粘合部分的边缘部分上设置膜粘合剂来将弱粘合部分固定到第一接触孔的开口。
26.根据实施例，一种拼接显示装置可以包括：多个显示装置，多个显示装置中的每个包括显示区域和非显示区域，显示区域包括多个像素，非显示区域围绕显示区域；以及接合
构件，使多个显示装置接合。多个显示装置中的每个可以包括：基底；第一金属层，设置在基底上；第一阻挡绝缘层，设置在第一金属层上；蚀刻控制层，设置在第一阻挡绝缘层上；第一接触孔，穿过基底、第一阻挡绝缘层和蚀刻控制层；第二阻挡绝缘层，设置在蚀刻控制层上并且包括第二接触孔；扇出线，设置在第二阻挡绝缘层上并且包括在第二金属层中；垫部，插入到第二接触孔中并且包括在第二金属层中，垫部与扇出线成一体；显示层，设置在扇出线上；以及柔性膜，设置在基底下面并且插入到第一接触孔中以电连接到垫部。第一金属层可以包括与第一接触孔相邻的蚀刻标记。
27.依照根据实施例的显示装置、用于制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置，通过在第一蚀刻工艺中使用蚀刻标记来调整蚀刻深度，并且在第二蚀刻工艺中使用不包括氟自由基的蚀刻气体来防止对垫部的损坏，从而能够显著提高蚀刻速率并降低制造成本。
28.依照根据实施例的显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置，可以通过使设置在基底下面的显示驱动器电连接到基底上的连接部来使显示装置的非显示区域的面积最小化。因此，显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置可以通过使多个显示装置之间的间隙最小化来防止用户识别多个显示装置之间的非显示区域或边界部分。
29.然而，公开的效果不限于上述效果，并且各种其他效果包括在公开中。
附图说明
30.通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的以上和其他方面及特征将变得更加明显，在附图中：
31.图1是示出根据实施例的拼接显示装置的示意性平面图；
32.图2是沿着图1的线i-i'截取的示意性剖视图的示例；
33.图3是示出根据实施例的显示装置的示意性仰视图；
34.图4是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性放大仰视图；
35.图5是示出根据实施例的显示装置中的垫部、扇出线、感测线和数据线的示意图；
36.图6是示出根据实施例的显示装置中的垫部、电源连接线、高电位线和水平电压线的示意图；
37.图7是示出根据实施例的显示装置中的垫部、电源连接线、低电位线和竖直电压线的示意图；
38.图8是示出根据实施例的显示装置中的垫部、扇出线和栅极线的示意图；
39.图9是示出根据实施例的显示装置的像素和线的框图；
40.图10是图9的像素的等效电路的示意图；
41.图11是沿着图1的线ii-ii'截取的示意性剖视图；
42.图12至图19是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的示意性剖视图；
43.图20是沿着图1的线i-i'截取的示意性剖视图的另一示例；以及图21至图29是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的示意性剖视图。
具体实施方式
44.在以下的描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供对公开的实施例和实施方式的透彻理解。如在这里使用的“实施例”和“实施方式”是采用在这里所公开的公开中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例的可交换词语。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其他示例中，以框图的形式示出了结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离公开的情况下，实施例的特定形状、构造和特性可以在另一实施例中使用或实施。
45.除非另外说明，否则示出的实施例将被理解为提供可以在实践中实施公开的一些方式的变化的细节的特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离公开的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地被称为“元件”)可以另外组合、分离、交换和/或重新布置。
46.通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用是为了使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何要求。
47.此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。在可以不同地实施实施例的情况下，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时地执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
48.在元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层的情形下，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，在元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层的情况下，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。
49.此外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴，而是可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
50.为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个(种/者)”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个或更多个的任意组合，诸如以xyz、xyy、yz和zz为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个任何组合和所有组合。
51.尽管术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件而不脱离公开的教导。
52.出于描述的目的，可以在这里使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下面”、“下”、“在
……
上方”、“上”、“在
……
之上”、“更/较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并由此描述如附图中所示的一个元件与另外的元件的关系。空间相对术语还意图包括除了包括在附图中描绘的方位之外的设备在使用、操作和/或制造中的不同方
位。例如，如果翻转附图中的设备，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，术语“在
……
下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且如此，相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
53.这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述/该”意图也包括复数形式。此外，在术语“包含”、“包括”和/或其变型用在本说明书中的情况下，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在这里使用的，术语“基本上”、“大约(约)”和其他类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且如此被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
54.这里，参照作为理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图和/或分解图来描述各种实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的实施例应不必被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此不必意图成为限制。
55.作为本领域的惯例，根据功能块、单元、部件和/或模块描述并在附图中示出了一些实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元、部件和/或模块通过可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术而形成的电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接等)物理地实现。在由微处理器或其他类似硬件来实现所述块、单元、部件和/或模块的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制以执行在这里讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件来对它们进行驱动。还预期的是，每个块、单元、部件和/或模块可以由专用硬件来实现，或者实现为执行一些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或更多个编程的微处理器和关联电路)的组合。此外，在不脱离公开的范围的情况下，一些实施例的每个块、单元、部件和/或模块可以被物理地分成两个或更多个交互且分立的块、单元、部件和/或模块。此外，在不脱离公开的范围的情况下，一些实施例的块、单元、部件和/或模块可以被物理地组合成更复杂的块、单元、部件和/或模块。
56.除非在这里另外定义或暗示，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和公开的背景下的含义一致的含义，而不应以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
57.在下文中，将参照附图描述公开的详细实施例。
58.图1是示出根据实施例的拼接显示装置的示意性平面图。
59.参照图1，拼接显示装置td可以包括显示装置10(例如，10-1、10-2、10-3和10-4)。显示装置10可以以网格形式布置，但是实施例不限于此。显示装置10可以在第一方向(例如，x轴方向)或第二方向(例如，y轴方向)上彼此连接，并且拼接显示装置td可以具有特定形状。例如，显示装置10可以具有相同的尺寸，但是实施例不限于此。对于另一示例，显示装
置10可以具有不同的尺寸。
60.拼接显示装置td可以包括第一显示装置10-1、第二显示装置10-2、第三显示装置10-3和第四显示装置10-4。显示装置10的数量和连接关系不限于图1的实施例。可以根据显示装置10中的每个和拼接显示装置td的尺寸来确定显示装置10的数量。
61.每个显示装置10可以具有包括长边和短边的矩形形状。显示装置10可以布置为使得其长边或短边彼此连接。显示装置10中的一些可以设置在拼接显示装置td的边缘部分处，以形成拼接显示装置td的一侧。显示装置10中的一些其他显示装置可以设置在拼接显示装置td的拐角处，以形成拼接显示装置td的两个相邻侧。显示装置10中的其他显示装置可以设置在拼接显示装置td的内侧，并且可以被其他显示装置10围绕。
62.显示装置10中的每个可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以包括像素来显示图像。像素中的每个可以包括包含有机发光层的有机发光二极管、包含量子点发光层的量子点led、微型led或包含无机半导体的无机led。在以下中，将描述像素中的每个包括无机发光二极管的情况，但是实施例不限于此。非显示区域nda可以设置在显示区域da周围以围绕显示区域da，并且可以不显示图像。
63.每个显示装置10可以包括在显示区域da中沿着行和列布置的像素。像素中的每个可以包括由像素限定层或堤限定的发射区域la，并且可以通过发射区域la发射具有特定峰值波长的光。例如，每个显示装置10的显示区域da可以包括第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3。第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3中的每个可以是从每个显示装置10的发光元件产生的光被发射到每个显示装置10的外部的区域。
64.第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3可以向每个显示装置10的外部发射具有特定峰值波长的光。第一发射区域la1可以发射第一颜色光，第二发射区域la2可以发射第二颜色光，第三发射区域la3可以发射第三颜色光。例如，第一颜色光可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光，第二颜色光可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，第三颜色光可以是具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光，但是实施例不限于此。
65.第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3可以在显示区域da中在第一方向(例如，x轴方向)上重复地顺序布置。例如，第三发射区域la3的尺寸可以大于第一发射区域la1的尺寸，并且第一发射区域la1的尺寸可以大于第二发射区域la2的尺寸。然而，实施例不限于此。又例如，第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3的尺寸可以基本上相同。
66.每个显示装置10的显示区域da可以包括围绕发射区域la的光阻挡区域ba。光阻挡区域ba可以防止从第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3发射的彩色光彼此混合。
67.拼接显示装置td整体上可以具有平面形状，但是实施例不限于此。拼接显示装置td可以具有三维形状以向用户提供三维效果。例如，在拼接显示装置td具有三维形状的情况下，显示装置10中的至少一些可以具有弯曲形状。又例如，显示装置10均可以具有平面形状并且可以以特定角度彼此连接，使得拼接显示装置td可以具有三维形状。
68.拼接显示装置td可以包括设置在显示区域da之间的结合区域sm。拼接显示装置td可以通过使相邻显示装置10的非显示区域nda连接来形成。显示装置10可以通过设置在结
合区域sm中的粘接构件或粘合构件彼此连接。结合区域sm可以不包括垫(pad，或称为焊盘)部或者附着(或结合)到垫部的柔性膜。因此，显示装置10的显示区域da之间的距离可以是小的，使得结合区域sm可以不被用户识别或观看到。此外，显示装置10的显示区域da的外部光的反射率可以与结合区域sm的外部光的反射率基本上相同。因此，在拼接显示装置td中，可以防止显示装置10之间的结合区域sm被用户识别，从而减少显示装置10之间的断开感并改善在图像中的沉浸感。
69.图2是沿着图1的线i-i'截取的示意性剖视图的示例。
70.参照图2，每个显示装置10的显示区域da可以包括第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3。第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3中的每个可以是从每个显示装置10的发光元件ed产生的光被发射到每个显示装置10的外部的区域。
71.每个显示装置10可以包括第一基底sub1、第一金属层mtl1、第一阻挡绝缘层bil1、蚀刻控制层ecl、第二阻挡绝缘层bil2、第二金属层mtl2、第三阻挡绝缘层bil3、第二基底sub2、第四阻挡绝缘层bil4、显示层dpl、封装层tfe、防反射膜arf、柔性膜fpcb和显示驱动器dic。
72.第一基底sub1可以支撑每个显示装置10。第一基底sub1可以是基体基底或基体构件。第一基底sub1可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。例如，第一基底sub1可以包括诸如聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(pi))的绝缘材料，但是实施例不限于此。作为另一示例，第一基底sub1可以是包括玻璃材料的刚性基底。
73.第一金属层mtl1可以设置在第一基底sub1上。第一金属层mtl1可以包括至少一个蚀刻标记ecm。蚀刻标记ecm可以与第一接触孔cnt1相邻。蚀刻标记ecm可以在形成第一接触孔cnt1期间通过去除第一金属层mtl1的一部分而形成。蚀刻标记ecm的第一侧表面可以被第一阻挡绝缘层bil1覆盖，蚀刻标记ecm的与第一侧表面相反的第二侧表面可以通过第一接触孔cnt1暴露。蚀刻标记ecm可以在第一基底sub1的蚀刻工艺中控制蚀刻深度。在确认第一金属层mtl1在第一蚀刻工艺中被去除之后，显示装置10的制造商可以改变蚀刻气体来执行第二蚀刻工艺。例如，第一蚀刻工艺可以是通过使用包含三氟化氮(nf3)、四氟化碳(cf4)、氟化甲烷(ch3f)和二氟化甲烷(ch2f2)中的至少一种的蚀刻气体的大气压等离子体工艺，而第二蚀刻工艺可以是通过使用不包括氟自由基(f-radical)的蚀刻气体的大气压等离子体工艺，但是实施例不限于此。蚀刻标记ecm可以由包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、钯(pd)、铟(in)、钕(nd)和铜(cu)中的至少一种的单层或多层形成。
74.第一阻挡绝缘层bil1可以设置在第一金属层mtl1和第一基底sub1上。第一阻挡绝缘层bil1可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机层。例如，第一阻挡绝缘层bil1可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一者，但是实施例不限于此。
75.蚀刻控制层ecl可以设置在第一阻挡绝缘层bil1上。蚀刻控制层ecl可以在第一蚀刻工艺中保护垫部pad的底表面(或下表面)，并且可以在第二蚀刻工艺中被部分地去除以暴露垫部pad。例如，蚀刻控制层ecl可以包括诸如聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(pi))的绝缘材料，但是实施例不限于此。
76.第一基底sub1、第一阻挡绝缘层bil1和蚀刻控制层ecl可以包括第一接触孔cnt1。
第一接触孔cnt1可以从第一基底sub1的底表面(或下表面)蚀刻以穿透到蚀刻控制层ecl的顶表面(或上表面)。例如，第一接触孔cnt1可以穿过第一基底sub1、第一阻挡绝缘层bil1和蚀刻控制层ecl。例如，第一接触孔cnt1的下宽度可以大于第一接触孔cnt1的上宽度。在显示装置10的制造工艺期间，插入(或设置)到第二接触孔cnt2中的垫部pad可以通过第一接触孔cnt1暴露，并且垫部pad可以通过插入(或设置)到第一接触孔cnt1中的连接膜acf连接(例如，电连接)到柔性膜fpcb的引线电极lde。
77.第二阻挡绝缘层bil2可以设置在蚀刻控制层ecl上。第二阻挡绝缘层bil2可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机层。例如，第二阻挡绝缘层bil2可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一者，但是实施例不限于此。
78.第二阻挡绝缘层bil2可以包括第二接触孔cnt2。第二接触孔cnt2可以从第二阻挡绝缘层bil2的顶表面(或上表面)蚀刻以穿透第二阻挡绝缘层bil2的底表面(或下表面)。例如，第二接触孔cnt2的上宽度可以大于第二接触孔cnt2的下宽度。
79.第二金属层mtl2可以设置在第二阻挡绝缘层bil2上。第二金属层mtl2可以包括扇出线fol。第二金属层mtl2可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、钯(pd)、铟(in)、钕(nd)和铜(cu)中的至少一种的单层或多层。
80.例如，垫部pad可以包括在第二金属层mtl2中。垫部pad可以与扇出线fol成一体并插入(或设置)到第二接触孔cnt2中。垫部pad可以使柔性膜fpcb和连接部cwl连接(例如，电连接)。垫部pad可以通过第一接触孔cnt1暴露。垫部pad可以通过连接膜acf连接(例如，电连接)到柔性膜fpcb的引线电极lde。扇出线fol可以通过连接部cwl连接(例如，电连接)到数据线、电源线或栅极线。数据线或电源线可以连接到薄膜晶体管tft的漏电极de。栅极线可以连接到薄膜晶体管tft的栅电极ge。因此，扇出线fol可以通过连接部cwl向像素的薄膜晶体管tft供应从柔性膜fpcb的显示驱动器dic接收的数据电压、电源电压或栅极信号。每个显示装置10可以包括设置在显示区域da中的扇出线fol，使得非显示区域nda的面积可以最小化。
81.第三阻挡绝缘层bil3可以设置在第二阻挡绝缘层bil2和第二金属层mtl2上。第三阻挡绝缘层bil3可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机层。例如，第三阻挡绝缘层bil3可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一者，但是实施例不限于此。
82.第二基底sub2可以设置在第三阻挡绝缘层bil3上。第二基底sub2可以是基体基底或基体构件。第二基底sub2可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。例如，第二基底sub2可以包括诸如聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(pi))的绝缘材料，但是实施例不限于此。
83.第四阻挡绝缘层bil4可以设置在第二基底sub2上。第四阻挡绝缘层bil4可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机层。例如，第四阻挡绝缘层bil4可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一者，但是实施例不限于此。
84.第四阻挡绝缘层bil4、第二基底sub2和第三阻挡绝缘层bil3可以包括第三接触孔cnt3。第三接触孔cnt3可以从第四阻挡绝缘层bil4的顶表面(或上表面)蚀刻以穿透(或穿过)第三阻挡绝缘层bil3的底表面(或下表面)。例如，第三接触孔cnt3的上宽度可以大于第三接触孔cnt3的下宽度。在显示装置10的制造工艺期间，扇出线fol的顶表面(或上表面)可以通过第三接触孔cnt3暴露，并且扇出线fol可以与插入(或设置)到第三接触孔cnt3中的
连接部cwl接触。
85.显示层dpl可以设置在第四阻挡绝缘层bil4上。显示层dpl可以包括薄膜晶体管层tftl、发光元件层eml、波长转换层wlcl和滤色器层cfl。薄膜晶体管层tftl可以包括第三金属层mtl3、缓冲层bf、有源层actl、栅极绝缘层gi、第四金属层mtl4、层间绝缘层ild、第五金属层mtl5、第一钝化层pv1和第一平坦化层oc1。
86.第三金属层mtl3可以设置在第四阻挡绝缘层bil4上。第三金属层mtl3可以包括连接部cwl以及第一电压线vl1和第二电压线vl2。连接部cwl以及第一电压线vl1和第二电压线vl2可以由相同的材料形成，并且可以设置在同一层中，但是实施例不限于此。例如，第三金属层mtl3可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、钯(pd)、铟(in)、钕(nd)和铜(cu)中的至少一种的单层或多层。
87.连接部cwl可以插入(或设置)到第三接触孔cnt3中以连接到扇出线fol。例如，连接部cwl可以连接(例如，电连接)到数据线，以向薄膜晶体管tft供应数据电压。连接部cwl可以连接(例如，电连接)到电源线以向薄膜晶体管tft供应电源电压。连接部cwl可以连接(例如，电连接)到栅极线，以向薄膜晶体管tft的栅电极ge供应栅极信号。因此，连接部cwl可以通过扇出线fol向像素的薄膜晶体管tft供应从显示驱动器dic接收的数据电压、电源电压或栅极信号。
88.第一电压线vl1和第二电压线vl2可以在显示区域da中在第二方向(例如，y轴方向)延伸。第一电压线vl1和第二电压线vl2中的每条可以连接(例如，电连接)到扇出线fol。第一电压线vl1和第二电压线vl2中的每条可以连接(例如，电连接)到薄膜晶体管tft或发光元件ed。例如，第一电压线vl1和第二电压线vl2中的每条可以是数据线、高电位线、低电位线或感测线，但是实施例不限于此。
89.缓冲层bf可以设置在第三金属层mtl3和第四阻挡绝缘层bil4上。缓冲层bf可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机材料。例如，缓冲层bf可以包括交替地层叠的无机层。
90.有源层actl可以设置在缓冲层bf上。有源层actl可以包括薄膜晶体管tft的半导体区act、漏电极de和源电极se。半导体区act可以在厚度方向(例如，z轴方向)上与栅电极ge叠置，并且可以通过栅极绝缘层gi与栅电极ge绝缘。漏电极de和源电极se可以通过利用掺杂剂或杂质(例如，n型掺杂剂或p型掺杂剂)对半导体区act掺杂而形成。薄膜晶体管tft可以构成像素中的每个的像素电路。例如，薄膜晶体管tft可以是像素电路的开关晶体管或驱动晶体管。
91.栅极绝缘层gi可以设置在有源层actl和缓冲层bf上。栅极绝缘层gi可以使栅电极ge与薄膜晶体管tft的半导体区act绝缘。栅极绝缘层gi可以包括第一连接电极cne1和第二连接电极cne2中的每个穿过的接触孔。
92.第四金属层mtl4可以设置在栅极绝缘层gi上。第四金属层mtl4可以包括薄膜晶体管tft的栅电极ge。栅电极ge可以与半导体区act叠置，且栅极绝缘层gi置于它们之间。栅电极ge可以从栅极线接收栅极信号。例如，第四金属层mtl4可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、钯(pd)、铟(in)、钕(nd)和铜(cu)中的至少一种的单层或多层。
93.层间绝缘层ild可以设置在第四金属层mtl4上。层间绝缘层ild可以使第五金属层mtl5和第四金属层mtl4绝缘。层间绝缘层ild可以包括第一连接电极cne1和第二连接电极
cne2中的每个穿过的接触孔。
94.第五金属层mtl5可以设置在层间绝缘层ild上。第五金属层mtl5可以包括第一连接电极cne1和第二连接电极cne2。第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以由相同的材料形成，并且可以设置在同一层中，但是实施例不限于此。例如，第五金属层mtl5可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、钯(pd)、铟(in)、钕(nd)和铜(cu)中的至少一种的单层或多层。
95.第一连接电极cne1可以使第一电压线vl1连接(例如，电连接)到薄膜晶体管tft的漏电极de。第一连接电极cne1的一端部可以与第三金属层mtl3的第一电压线vl1接触，并且第一连接电极cne1的另一端部可以与有源层actl的漏电极de接触。
96.第二连接电极cne2可以使薄膜晶体管tft的源电极se连接(例如，电连接)到第一电极rme1。第二连接电极cne2的一端部可以与有源层actl的源电极se接触，并且发光元件层eml的第一电极rme1可以与第二连接电极cne2的另一端部接触。
97.第一钝化层pv1可以设置在第五金属层mtl5和层间绝缘层ild上。第一钝化层pv1可以保护薄膜晶体管tft。第一钝化层pv1可以包括第一电极rme1穿过的接触孔。
98.第一平坦化层oc1可以设置在第一钝化层pv1上，以使薄膜晶体管层tftl的上端部平坦化。例如，第一平坦化层oc1可以包括第一电极rme1穿过的接触孔。这里，第一平坦化层oc1的接触孔可以连接到第一钝化层pv1的接触孔。第一平坦化层oc1可以包含诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料。
99.发光元件层eml可以设置在薄膜晶体管层tftl上。发光元件层eml可以包括突出图案bp、第一电极rme1、第二电极rme2、第一绝缘层pas1、子堤sb、发光元件ed、第二绝缘层pas2、第一接触电极cte1、第二接触电极cte2和第三绝缘层pas3。
100.突出图案bp可以设置在第一平坦化层oc1上。突出图案bp可以从第一平坦化层oc1的顶表面(或上表面)突出。突出图案bp可以包括设置在像素中的每个的开口区域或发射区域la中的多个突出图案bp。发光元件ed可以布置在突出图案bp之间。突出图案bp可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件ed发射的光可以被布置在突出图案bp上的第一电极rme1和第二电极rme2反射。例如，突出图案bp可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料。
101.第一电极rme1可以设置在第一平坦化层oc1和突出图案bp上。第一电极rme1可以设置在位于发光元件ed的一侧的突出图案bp上。第一电极rme1可以设置在突出图案bp的倾斜表面上并且反射从发光元件ed发射的光。第一电极rme1可以插入(或设置)到设置在第一平坦化层oc1和第一钝化层pv1中的接触孔中，并连接到第二连接电极cne2。第一电极rme1可以通过第一接触电极cte1连接(例如，电连接)到发光元件ed的一端部。例如，第一电极rme1可以从像素的薄膜晶体管tft接收与发光元件ed的亮度成比例的电压。
102.第二电极rme2可以设置在第一平坦化层oc1和突出图案bp上。第二电极rme2可以设置在位于发光元件ed的另一侧的突出图案bp上。第二电极rme2可以设置在突出图案bp的倾斜表面上并反射从发光元件ed发射的光。第二电极rme2可以通过第二接触电极cte2连接(例如，电连接)到发光元件ed的另一端部。例如，第二电极rme2可以接收从低电位线供应到所有像素的低电位电压。
103.第一电极rme1和第二电极rme2可以包含具有高反射率的导电材料。例如，第一电极rme1和第二电极rme2可以包含铝(al)、银(ag)、铜(cu)、镍(ni)和镧(la)中的至少一种。
又例如，第一电极rme1和第二电极rme2可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)的材料。在又一示例中，第一电极rme1和第二电极rme2可以包含多层，或者可以包括单层，所述多层包括透明导电材料层和具有高反射率的金属层，所述单层包含透明导电材料或具有高反射率的金属。第一电极rme1和第二电极rme2可以具有ito/ag/ito、ito/ag/izo、ito/ag/itzo/izo等的堆叠结构。
104.第一绝缘层pas1可以设置在第一平坦化层oc1、第一电极rme1和第二电极rme2上。第一绝缘层pas1可以保护第一电极rme1和第二电极rme2并且使第一电极rme1和第二电极rme2彼此绝缘。第一绝缘层pas1可以防止在发光元件ed的对准工艺中由发光元件ed与第一电极rme1和第二电极rme2之间的直接接触引起的损坏。
105.子堤sb可以设置在光阻挡区域ba中的第一绝缘层pas1上。子堤sb可以设置在像素的边界部分处，以区分像素中的每个的发光元件ed。子堤sb可以具有特定高度，并且可以包含诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料。
106.发光元件ed可以布置在第一绝缘层pas1上。发光元件ed可以彼此平行地布置在第一电极rme1与第二电极rme2之间。发光元件ed的长度可以大于第一电极rme1与第二电极rme2之间的距离。发光元件ed可以包括半导体层。例如，可以相对于第一半导体层限定发光元件ed的一端部，并且可以相对于第二半导体层限定与发光元件ed的一端部相对的另一端部。发光元件ed的一端部可以设置在第一电极rme1上，并且发光元件ed的另一端部可以设置在第二电极rme2上。发光元件ed的一端部可以通过第一接触电极cte1连接(例如，电连接)到第一电极rme1，并且发光元件ed的另一端部可以通过第二接触电极cte2连接(例如，电连接)到第二电极rme2。
107.发光元件ed可以具有微米尺寸或纳米尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管。发光元件ed可以通过在第一电极rme1与第二电极rme2之间在特定方向上形成的电场在彼此面对的第一电极rme1和第二电极rme2之间对准。
108.例如，发光元件ed可以包括具有相同材料的活性层并且发射相同波长带的光或相同颜色的光。从发光元件层eml的第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3发射的光可以具有相同的颜色。例如，发光元件ed可以发射峰值波长在约440nm至约480nm范围内的第三颜色的光(或蓝光)，但是实施例不限于此。
109.第二绝缘层pas2可以设置在发光元件ed上。例如，第二绝缘层pas2可以部分地围绕发光元件ed，并且可以不覆盖发光元件ed的端部(例如，相对端部)。在显示装置10的制造工艺中，第二绝缘层pas2可以保护发光元件ed，并且可以固定发光元件ed。第二绝缘层pas2可以填充发光元件ed与第一绝缘层pas1之间的空间。
110.第一接触电极cte1可以设置在第一绝缘层pas1上，并且可以连接到第一电极rme1，第一接触电极cte1被插入(或设置)到设置在第一绝缘层pas1中的接触孔中。例如，第一绝缘层pas1的接触孔可以设置在突出图案bp上，但是实施例不限于此。第一接触电极cte1的一端部可以在突出图案bp上连接到第一电极rme1，并且第一接触电极cte1的另一端部可以连接到发光元件ed的端部。
111.第二接触电极cte2可以设置在第一绝缘层pas1上，并且可以连接到第二电极rme2，第二接触电极cte2被插入(或设置)到设置在第一绝缘层pas1中的接触孔中。例如，第一绝缘层pas1的接触孔可以设置在突出图案bp上，但是实施例不限于此。第二接触电极
cte2的一端部可以连接到发光元件ed的另一端部，并且第二接触电极cte2的另一端部可以在突出图案bp上连接到第二电极rme2。
112.第三绝缘层pas3可以设置在第一接触电极cte1和第二接触电极cte2、子堤sb以及第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2上。第三绝缘层pas3可以设置在发光元件层eml的上端部处以保护发光元件层eml。
113.波长转换层wlcl可以设置在发光元件层eml上。波长转换层wlcl可以包括第一光阻挡构件bk1、第一波长转换构件wlc1、第二波长转换构件wlc2、光透射构件ltu、第二钝化层pv2、第二平坦化层oc2等。
114.第一光阻挡构件bk1可以在光阻挡区域ba中设置在第三绝缘层pas3上。第一光阻挡构件bk1可以在厚度方向(例如，z轴方向)上与子堤sb叠置。第一光阻挡构件bk1可以阻挡光的透射。第一光阻挡构件bk1可以防止第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3之间的光渗透和颜色混合，从而改善显示装置10的颜色再现性。在平面图中，第一光阻挡构件bk1可以以围绕第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3的网格的形式布置。
115.第一波长转换构件wlc1可以在第一发射区域la1中设置在第三绝缘层pas3上。第一波长转换构件wlc1可以被第一光阻挡构件bk1围绕。第一波长转换构件wlc1可以将入射光的峰值波长改变(或偏移)为第一峰值波长。第一波长转换构件wlc1可以包括第一基体树脂bs1、第一散射体sct1和第一波长移位体wls1。
116.第一基体树脂bs1可以包含具有高透光率的材料。第一基体树脂bs1可以由透明有机材料形成。例如，第一基体树脂bs1可以包含诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂或酰亚胺树脂的有机材料中的至少一种。
117.第一散射体sct1可以具有与第一基体树脂bs1的折射率不同的折射率，并且与第一基体树脂bs1形成光学界面。例如，第一散射体sct1可以包含将透射光的至少一部分散射的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体sct1可以包含诸如氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)或氧化锡(sno2)的金属氧化物，或者可以包含诸如丙烯酸树脂和聚氨酯树脂的有机颗粒。无论入射光的入射方向如何，第一散射体sct1都可以在随机方向上散射光，而入射光的峰值波长没有任何实质性改变。
118.第一波长移位体wls1可以将入射光的峰值波长改变(或移位)为第一峰值波长。例如，第一波长移位体wls1可以将从发光元件层eml透射的蓝光转换为具有在约610nm至约650nm范围内的单峰波长的红光并发射红光。第一波长移位体wls1可以是量子点、量子棒或荧光物质。量子点可以是在电子从导带跃迁到价带的情况下发射特定颜色的光的颗粒材料。
119.从发光元件层eml发射的蓝光的一部分可以穿过第一波长转换构件wlc1，而不被第一波长移位体wls1转换为红光。在从发光元件层eml发射的蓝光之中，在没有被第一波长转换构件wlc1转换的情况下入射在第一滤色器cf1上的光可以被第一滤色器cf1阻挡。由转换从发光元件层eml发射的蓝光的第一波长转换构件wlc1产生的红光可以穿过第一滤色器cf1以被发射到外部。因此，可以通过第一发射区域la1发射红光。
120.第二波长转换构件wlc2可以在第二发射区域la2中设置在第三绝缘层pas3上。第二波长转换构件wlc2可以被第一光阻挡构件bk1围绕。第二波长转换构件wlc2可以将入射
光的峰值波长改变(或偏移)为第二峰值波长。第二波长转换构件wlc2可以包括第二基体树脂bs2、第二散射体sct2和第二波长移位体wls2。
121.第二基体树脂bs2可以包含具有高透光率的材料。第二基体树脂bs2可以由透明有机材料形成。例如，第二基体树脂bs2和第一基体树脂bs1可以由相同的材料制成。例如，第二基体树脂bs2可以由包括在第一基体树脂bs1中的材料制成。
122.第二散射体sct2可以具有与第二基体树脂bs2的折射率不同的折射率，并且与第二基体树脂bs2形成光学界面。例如，第二散射体sct2可以包含将透射光的至少一部分散射的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体sct2和第一散射体sct1可以由相同的材料制成。例如，第二散射体sct2可以由包括在第一散射体sct1中的材料制成。
123.第二波长移位体wls2可以将入射光的峰值波长改变(或移位)为与第一波长移位体wls1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长移位体wls2可以将从发光元件层eml透射的蓝光转换为具有在约510nm至约550nm范围内的单峰波长的绿光并发射绿光。第二波长移位体wls2可以是量子点、量子棒或荧光物质。第二波长移位体wls2可以包含在第一波长移位体wls1中所包括的材料。第二波长移位体wls2可以由量子点、量子棒或荧光物质形成，以具有与第一波长移位体wls1的波长转换范围不同的波长转换范围。
124.光透射构件ltu可以在第三发射区域la3中设置在第三绝缘层pas3上。光透射构件ltu可以被第一光阻挡构件bk1围绕。光透射构件ltu可以在保持光的峰值波长的情况下使入射光通过其中。光透射构件ltu可以包括第三基体树脂bs3和第三散射体sct3。
125.第三基体树脂bs3可以包含具有高透光率的材料。第三基体树脂bs3可以由透明有机材料形成。例如，第三基体树脂bs3和第一基体树脂bs1(或第二基体树脂bs2)可以由相同的材料制成。例如，第三基体树脂bs3可以由包括在第一基体树脂bs1中的材料制成。
126.第三散射体sct3可以具有与第三基体树脂bs3的折射率不同的折射率，并且与第三基体树脂bs3形成光学界面。例如，第三散射体sct3可以包含将透射光的至少一部分散射的光散射材料(或光散射颗粒)。例如，第三散射体sct3和第一散射体sct1(或第二散射体sct2)可以由相同的材料形成。例如，第三散射体sct3可以由包括在第一散射体sct1中的材料制成。
127.由于波长转换层wlcl设置(例如，直接设置)在发光元件层eml的第三绝缘层pas3上，因此每个显示装置10可以不需要用于第一波长转换构件wlc1和第二波长转换构件wlc2以及光透射构件ltu的单独的基底。因此，第一波长转换构件wlc1和第二波长转换构件wlc2以及光透射构件ltu可以分别在第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3中容易地对准，并且可减小每个显示装置10的厚度。
128.第二钝化层pv2可以覆盖第一波长转换构件wlc1和第二波长转换构件wlc2、光透射构件ltu以及第一光阻挡构件bk1。例如，第二钝化层pv2可以密封(或封装)第一波长转换构件wlc1和第二波长转换构件wlc2以及光透射构件ltu，从而保护第一波长转换构件wlc1和第二波长转换构件wlc2以及光透射构件ltu免受损坏或污染。例如，第二钝化层pv2可以包含无机材料。
129.第二平坦化层oc2可以设置在第二钝化层pv2上，以使第一波长转换构件wlc1和第二波长转换构件wlc2以及光透射构件ltu的上端部平坦。例如，第二平坦化层oc2可以包含诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料。
130.滤色器层cfl可以设置在波长转换层wlcl上。滤色器层cfl可以包括第二光阻挡构件bk2、第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3以及第三钝化层pv3。
131.第二光阻挡构件bk2可以在光阻挡区域ba中设置在波长转换层wlcl的第二平坦化层oc2上。第二光阻挡构件bk2可以在厚度方向(例如，z轴方向)上与第一光阻挡构件bk1或子堤sb叠置。第二光阻挡构件bk2可以阻挡光的透射。第二光阻挡构件bk2可以防止第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3之间的光渗透和颜色混合，从而改善显示装置10的颜色再现性。在平面图中，第二光阻挡构件bk2可以以围绕第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3的网格的形式布置。
132.第一滤色器cf1可以在第一发射区域la1中设置在第二平坦化层oc2上。第一滤色器cf1可以被第二光阻挡构件bk2围绕。第一滤色器cf1可以在厚度方向(例如，z轴方向)上与第一波长转换构件wlc1叠置。第一滤色器cf1可以选择性地使第一颜色光(例如，红光)通过(或透射)其中，并且阻挡(或吸收)第二颜色光(例如，绿光)和第三颜色光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器cf1可以是红色滤色器并且包含红色着色剂。
133.第二滤色器cf2可以在第二发射区域la2中设置在第二平坦化层oc2上。第二滤色器cf2可以被第二光阻挡构件bk2围绕。第二滤色器cf2可以在厚度方向(例如，z轴方向)上与第二波长转换构件wlc2叠置。第二滤色器cf2可以选择性地使第二颜色光(例如，绿光)通过(或透射)其中，并且阻挡(或吸收)第一颜色光(例如，红光)和第三颜色光(例如，蓝光)。例如，第二滤色器cf2可以是绿色滤色器并且包含绿色着色剂。
134.第三滤色器cf3可以在第三发射区域la3中设置在第二平坦化层oc2上。第三滤色器cf3可以被第二光阻挡构件bk2围绕。第三滤色器cf3可以在厚度方向(例如，z轴方向)上与光透射构件ltu叠置。第三滤色器cf3可以选择性地使第三颜色光(例如，蓝光)通过(或透射)其中，并且阻挡(或吸收)第一颜色光(例如，红光)和第二颜色光(例如，绿光)。例如，第三滤色器cf3可以是蓝色滤色器并且包含蓝色着色剂。
135.第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以吸收从显示装置10的外部透射的光的一部分，以减少外部光的反射(或使外部光的反射最小化)。因此，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以防止由外部光的反射引起的颜色失真。
136.由于第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3设置(例如，直接设置)在波长转换层wlcl的第二平坦化层oc2上，因此每个显示装置10可以不需要用于第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3的单独的基底。因此，可以减小每个显示装置10的厚度。
137.第三钝化层pv3可以覆盖第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3以及第二光阻挡构件bk2。第三钝化层pv3可以保护第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3。
138.封装层tfe可以设置在滤色器层cfl的第三钝化层pv3上。封装层tfe可以覆盖显示层dpl的顶表面和侧表面。例如，封装层tfe可以包括至少一个无机层以防止氧气或湿气的渗透。例如，封装层tfe可以包括至少一个有机层，以保护显示装置10免受诸如灰尘的异物的影响。
139.防反射膜arf可以设置在封装层tfe上。防反射膜arf可以防止外部光的反射，从而减少由于外部光的反射而导致的可见度的降低。防反射膜arf可以保护每个显示装置10的
顶表面(或上表面)。在另一示例中，可以省略防反射膜arf。在另一示例中，可以用偏振膜代替防反射膜arf。
140.柔性膜fpcb可以设置在第一基底sub1下方。柔性膜fpcb可以设置在每个显示装置10的底表面(或下表面)的边缘部分上。柔性膜fpcb可以通过使用粘合构件adm而附着(或结合)到第一基底sub1的底表面(或下表面)。柔性膜fpcb可以包括设置在作为其一侧的顶表面(或上表面)上的引线电极lde。引线电极lde可以插入(或设置)到第一接触孔cnt1中，以通过连接膜acf连接(例如，电连接)到垫部pad。柔性膜fpcb可以支撑设置在作为其另一侧的底表面(或下表面)上的显示驱动器dic。引线电极lde可以通过设置在柔性膜fpcb的底表面(或下表面)上的引线连接(例如，电连接)到显示驱动器dic。柔性膜fpcb的另一侧可以连接到第一基底sub1下面的电源电路板。柔性膜fpcb可以向每个显示装置10传输显示驱动器dic的信号和电压。
141.连接膜acf可以使柔性膜fpcb的引线电极lde附着(或结合)到垫部pad。连接膜acf的表面可以附着(或结合)到垫部pad，并且连接膜acf的另一表面可以附着(或结合)到引线电极lde。例如，连接膜acf可以包括各向异性导电膜。在连接膜acf包括各向异性导电膜的情况下，连接膜acf可以在其中垫部pad和引线电极lde彼此接触的区域中具有导电性，并且可以使柔性膜fpcb连接(例如，电连接)到扇出线fol。
142.显示驱动器dic可以安装在柔性膜fpcb上。显示驱动器dic可以是集成电路(ic)。显示驱动器dic可以基于从时序控制器接收的数据控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且通过柔性膜fpcb向显示区域da的数据线供应模拟数据电压。显示驱动器dic可以通过柔性膜fpcb向显示区域da的电源线供应从电源单元接收的电源电压。显示驱动器dic可以基于栅极控制信号产生栅极信号，并且可以根据设定顺序将栅极信号顺序地供应到栅极线。每个显示装置10可以包括设置在第一基底sub1上的扇出线fol和设置在第一基底sub1下面的显示驱动器dic，从而可以使非显示区域nda的面积最小化。
143.图3是示出根据实施例的每个显示装置10的示意性仰视图，图4是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性放大仰视图。
144.参照图3和图4，柔性膜fpcb、垫部pad和扇出线fol可以设置在显示区域da中。
145.柔性膜fpcb可以设置在第一基底sub1下面。柔性膜fpcb可以设置在每个显示装置10的底表面(或下表面)的边缘部分上。例如，柔性膜fpcb的一部分可以设置在每个显示装置10的长边的边缘部分上，并且柔性膜fpcb的另一部分可以设置在每个显示装置10的短边的边缘部分上。设置在显示装置10的长边的边缘部分处的柔性膜fpcb可以供应数据电压和电源电压，设置在每个显示装置10的短边的边缘部分处的柔性膜fpcb可以供应栅极信号，但是实施例不限于此。
146.柔性膜fpcb可以包括引线电极lde。垫部pad中的每个可以对应于引线电极lde中的每个。引线电极lde可以通过连接膜acf(见图2)连接(例如，电连接)到垫部pad。
147.垫部pad可以插入(或设置)到第二阻挡绝缘层bil2(见图2)的第二接触孔cnt2(见图2)中，并且可以通过第一接触孔cnt1暴露。设置在每个显示装置10的长边的边缘部分处的垫部pad可以在第一方向(例如，x轴方向)上布置。设置在每个显示装置10的短边的边缘部分处的垫部pad可以在第二方向(例如，y轴方向)上布置。
148.扇出线fol可以与垫部pad成一体。扇出线fol可以从垫部pad延伸到每个显示装置
10的边缘部分。例如，设置在每个显示装置10的长边的边缘部分处的扇出线fol可以在与柔性膜fpcb的第二方向(例如，y轴方向)相反的方向上延伸。设置在每个显示装置10的短边的边缘部分上的扇出线fol可以在与柔性膜fpcb的第一方向(例如，x轴方向)相反的方向上延伸。扇出线fol可以通过连接部cwl(见图2)连接(例如，电连接)到显示区域da的数据线或栅极线。
149.蚀刻标记ecm可以与第一接触孔cnt1相邻。蚀刻标记ecm可以设置在第一接触孔cnt1的侧面中的至少一个侧面。蚀刻标记ecm可以通过在形成第一接触孔cnt1期间去除第一金属层mtl1的一部分而形成。蚀刻标记ecm可以用作确定第一接触孔cnt1的平面形状的对准标记。蚀刻标记ecm可以在第一基底sub1的蚀刻工艺中控制蚀刻深度。在形成第一接触孔cnt1期间，蚀刻标记ecm可以改善工艺精度。
150.图5是示出根据实施例的显示装置中的垫部、扇出线、感测线和数据线的示意图，图6是示出根据实施例的显示装置中的垫部、电源连接线、高电位线和水平电压线的示意图。图7是示出根据实施例的显示装置中的垫部、电源连接线、低电位线和竖直电压线的示意图，图8是示出根据实施例的显示装置中的垫部、扇出线和栅极线的示意图。
151.参照图5至图8，显示区域da可以包括感测线sl、数据线dl、高电位线vdl、水平电压线hvdl、低电位线vsl、竖直电压线vvsl和栅极线gl。
152.感测线sl可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开。参照图2，感测线sl可以设置在第三金属层mtl3中以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。感测线sl可以通过连接部cwl连接(例如，电连接)到第二金属层mtl2的扇出线fol。在平面图中，感测线sl可以与扇出线fol交叉。感测线sl可以通过垫部pad接收初始化电压。感测线sl可以向垫部pad提供(或传输)感测信号。
153.数据线dl可以包括第一数据线dl1、第二数据线dl2和第三数据线dl3。第一数据线dl1、第二数据线dl2和第三数据线dl3可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开。参照图2，数据线dl可以设置(或包括)在第三金属层mtl3中以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。数据线dl可以通过连接部cwl连接(例如，电连接)到第二金属层mtl2的扇出线fol。在平面图中，数据线dl可以与扇出线fol交叉。数据线dl可以通过垫部pad接收数据电压。
154.高电位线vdl可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开。高电位线vdl可以连接到水平电压线hvdl并与水平电压线hvdl交叉，并且可以向水平电压线hvdl供应高电位电压。参照图2，高电位线vdl可以设置(或包括)在第三金属层mtl3中以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。高电位线vdl可以通过连接部cwl连接(例如，电连接)到第二金属层mtl2的电源连接线vcl。高电位线vdl可以通过垫部pad接收高电位电压。
155.水平电压线hvdl可以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸，并且可以在第二方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开。水平电压线hvdl可以连接到高电位线vdl并与高电位线vdl交叉，并且可以从高电位线vdl接收高电位电压。参照图2，水平电压线hvdl可以设置(或包括)在第五金属层mtl5中以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。
156.竖直电压线vvsl可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开。竖直电压线vvsl可以连接到低电位线vsl并与低电位线vsl
交叉，并且可以向低电位线vsl供应低电位电压。参照图2，竖直电压线vvsl可以设置(或包括)在第三金属层mtl3中以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。竖直电压线vvsl可以通过连接部cwl连接(例如，电连接)到第二金属层mtl2的电源连接线vcl。竖直电压线vvsl可以通过垫部pad接收低电位电压。
157.低电位线vsl可以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸，并且可以在第二方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开。低电位线vsl可以连接到竖直电压线vvsl并与竖直电压线vvsl交叉，并且可以从竖直电压线vvsl接收低电位电压。参照图2，低电位线vsl可以设置(或包括)在第五金属层mtl5中以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。
158.栅极线gl可以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸，并且可以在第二方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开。参照图2，栅极线gl可以设置(或包括)在第四金属层mtl4或第五金属层mtl5中，以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。栅极线gl可以通过连接部cwl连接(例如，电连接)到第二金属层mtl2的扇出线fol。在平面图中，栅极线gl可以与扇出线fol交叉。栅极线gl可以通过垫部pad接收栅极信号。
159.图9是示出根据实施例的显示装置的像素和线的框图，图10是图9的像素的等效电路的示意图。
160.参照图9至图10，像素sp可以包括第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3。第一像素sp1、第三像素sp3和第二像素sp2的像素电路可以与第二方向(例如，y轴方向)相反的方向上布置，但是像素电路的布置方向不限于此。
161.第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3中的每个可以连接到高电位线vdl、感测线sl、栅极线gl和数据线dl。
162.高电位线vdl可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。高电位线vdl可以设置在第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3的像素电路的左侧(或与第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3的像素电路的左侧相邻)。高电位线vdl可以向第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3中的每个的晶体管供应高电位电压。
163.水平电压线hvdl可以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。水平电压线hvdl可以设置在第一像素sp1的像素电路的上侧(或与第一像素sp1的像素电路相邻)。水平电压线hvdl可以连接到高电位线vdl。水平电压线hvdl可以从高电位线vdl接收高电位电压。
164.感测线sl可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。感测线sl可以设置在高电位线vdl的左侧(或与高电位线vdl的左侧相邻)。感测线sl可以向第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3中的每个的像素电路供应初始化电压。感测线sl可以从第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3中的每个的像素电路接收感测信号，以向显示驱动器dic供应感测信号。
165.栅极线gl可以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。参照图2，栅极线gl可以设置(或包括)在第四金属层mtl4或第五金属层mtl5中。栅极线gl可以设置在第二像素sp2的像素电路的下侧(或与第二像素sp2的像素电路的下侧相邻)。栅极线gl可以设置在低电位线vsl的上侧(或与低电位线vsl的上侧相邻)。栅极线gl可以向辅助栅极线bgl供应栅极信号。
166.辅助栅极线bgl可以从栅极线gl在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。参照图2，辅助栅极线bgl可以设置(或包括)在第四金属层mtl4中。辅助栅极线bgl的一部分可以是第二晶体管st2的栅电极ge，并且辅助栅极线bgl的另一部分可以是第三晶体管st3的栅电极ge。
辅助栅极线bgl可以设置在第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3的像素电路的右侧(或与第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3的像素电路的右侧相邻)。辅助栅极线bgl可以向第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3的像素电路供应从栅极线gl接收的栅极信号。
167.数据线dl可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。数据线dl可以向像素sp供应数据电压。数据线dl可以包括第一数据线dl1、第二数据线dl2和第三数据线dl3。
168.第一数据线dl1可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。第一数据线dl1可以设置在辅助栅极线bgl的右侧(或与辅助栅极线bgl的右侧相邻)。第一数据线dl1可以向第一像素sp1的像素电路供应从显示驱动器dic接收的数据电压。
169.第二数据线dl2可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。第二数据线dl2可以设置在第一数据线dl1的右侧(或与第一数据线dl1的右侧相邻)。第二数据线dl2可以向第二像素sp2的像素电路供应从显示驱动器dic接收的数据电压。
170.第三数据线dl3可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。第三数据线dl3可以设置在第二数据线dl2的右侧(或与第二数据线dl2的右侧相邻)。第三数据线dl3可以向第三像素sp3的像素电路供应从显示驱动器dic接收的数据电压。
171.竖直电压线vvsl可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。竖直电压线vvsl可以设置在第三数据线dl3的右侧(或与第三数据线dl3的右侧相邻)。竖直电压线vvsl可以连接到低电位线vsl，并且可以向低电位线vsl供应低电位电压。
172.低电位线vsl可以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。低电位线vsl可以设置在栅极线gl的下侧(或与栅极线gl的下侧相邻)。低电位线vsl可以向第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3的发光元件ed供应从竖直电压线vvsl接收的低电位电压。
173.第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3中的每个可以包括像素电路和发光元件ed。第一像素sp1、第二像素sp2和第三像素sp3中的每个的像素电路可以包括第一晶体管st1、第二晶体管st2和第三晶体管st3以及第一电容器c1。
174.第一晶体管st1可以包括栅电极、漏电极和源电极。第一晶体管st1的栅电极可以连接到第一节点n1，第一晶体管st1的漏电极可以连接到高电位线vdl，第一晶体管st1的源电极可以连接到第二节点n2。第一晶体管st1可以基于施加到栅电极的数据电压来控制漏-源电流(或驱动电流)。
175.发光元件ed可以包括至少一个发光元件ed。在发光元件ed包括多个发光元件ed的情况下，发光元件ed可以串联连接或并联连接。发光元件ed可以从第一晶体管st1接收驱动电流以发射光。发光元件ed的光发射量或亮度可以与驱动电流的大小(或量)成比例。发光元件ed可以是包括无机半导体的无机发光元件，但是实施例不限于此。
176.发光元件ed的第一电极可以连接到第二节点n2，并且发光元件ed的第二电极可以连接到低电位线vsl。发光元件ed的第一电极可以通过第二节点n2连接到第一晶体管st1的源电极、第三晶体管st3的漏电极和第一电容器c1的第二电容器电极。
177.第二晶体管st2可以通过栅极线gl的栅极信号导通，以使数据线dl连接(例如，电连接)到作为第一晶体管st1的栅电极的第一节点n1。第二晶体管st2可以根据栅极信号导通，以向第一节点n1供应数据电压。第二晶体管st2的栅电极可以连接到栅极线gl，第二晶体管st2的漏电极可以连接到数据线dl，第二晶体管st2的源电极可以连接到第一节点n1。
178.第三晶体管st3可以通过栅极线gl的栅极信号导通，以使感测线sl连接(例如，电连接)到作为第一晶体管st1的源电极的第二节点n2。第三晶体管st3可以通过基于栅极信号导通而向第二节点n2供应初始化电压，并且可以向感测线sl供应感测信号。第三晶体管st3的栅电极可以连接到栅极线gl，第三晶体管st3的漏电极可以连接到第二节点n2，第三晶体管st3的源电极可以连接到感测线sl。
179.图11是沿着图1的线ii-ii'截取的示意性剖视图。
180.参照图1和图11，拼接显示装置td可以包括显示装置10和接合构件20。拼接显示装置td可以包括第一显示装置10-1、第二显示装置10-2、第三显示装置10-3和第四显示装置10-4。显示装置10的数量和连接关系不限于图1的实施例。可以根据显示装置10中的每个的尺寸和拼接显示装置td的尺寸来确定显示装置10的数量。
181.显示装置10中的每个可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以包括像素sp(见图10)以显示图像。非显示区域nda可以设置在显示区域da周围以围绕显示区域da，并且可以不显示图像。
182.拼接显示装置td可以包括设置在显示区域da之间的结合区域sm。拼接显示装置td可以通过使相邻显示装置10的非显示区域nda连接而形成。显示装置10(例如，10-1、10-2、10-3和10-4)可以通过设置在结合区域sm中的接合构件20或粘合构件彼此连接。显示装置10中的每个的结合区域sm可以不包括垫构件或连接到垫构件的扇出线。因此，显示装置10的显示区域da之间的距离可以小，使得结合区域sm可以不被用户识别。此外，显示装置10的显示区域da的外部光的反射率可以与结合区域sm的外部光的反射率基本上相同。因此，在拼接显示装置td中，可以防止显示装置10之间的结合区域sm被用户识别，从而减少显示装置10之间的断开感并改善在图像中的沉浸感。
183.拼接显示装置td可以通过使用设置在显示装置10之间的接合构件20使相邻显示装置10的侧表面彼此接合。接合构件20可以使以网格形式布置的第一显示装置10-1、第二显示装置10-2、第三显示装置10-3和第四显示装置10-4的侧表面连接，以实现拼接显示装置td。接合构件20可以使彼此相邻的显示装置10的第一基底sub1的侧表面、第一阻挡绝缘层bil1的侧表面、蚀刻控制层ecl的侧表面、第二阻挡绝缘层bil2和第三阻挡绝缘层bil3的侧表面、第二基底sub2的侧表面、第四阻挡绝缘层bil4的侧表面、显示层dpl的侧表面、封装层tfe的侧表面以及防反射膜arf的侧表面接合。
184.例如，接合构件20可以由具有薄厚度的粘合带或双面带制成，以使显示装置10之间的间隙最小化。又例如，接合构件20可以由具有薄厚度的接合框架形成，以使显示装置10之间的间隙最小化。因此，在拼接显示装置td中，能够防止用户识别显示装置10之间的结合区域sm。
185.图12至图19是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的剖视图。
186.在图12中，在显示装置10的制造工艺中，第一载体基底cg1可以支撑每个显示装置10。例如，第一载体基底cg1可以是载体玻璃，但是实施例不限于此。
187.可以在第一载体基底cg1上设置第一基底sub1。第一基底sub1可以是基体基底或基体构件。例如，第一基底sub1可以包括诸如聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(pi))的绝缘材料，但是实施例不限于此。
188.可以在第一基底sub1上设置第一金属层mtl1。第一金属层mtl1可以包括至少一个
蚀刻标记ecm。第一金属层mtl1可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、钯(pd)、铟(in)、钕(nd)和铜(cu)中的至少一种的单层或多层。
189.可以在第一金属层mtl1和第一基底sub1上设置第一阻挡绝缘层bil1。第一阻挡绝缘层bil1可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机层。例如，第一阻挡绝缘层bil1可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一者，但是实施例不限于此。
190.可以在第一阻挡绝缘层bil1上设置蚀刻控制层ecl。例如，蚀刻控制层ecl可以包括诸如聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(pi))的绝缘材料，但是实施例不限于此。
191.可以在蚀刻控制层ecl上设置第二阻挡绝缘层bil2。第二阻挡绝缘层bil2可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机层。第二阻挡绝缘层bil2可以包括第二接触孔cnt2。可以从第二阻挡绝缘层bil2的顶表面(或上表面)蚀刻第二接触孔cnt2，以暴露蚀刻控制层ecl的顶表面(或上表面)的一部分。可以通过干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺形成第二接触孔cnt2，但是实施例不限于此。
192.在图13中，可以在第二阻挡绝缘层bil2上设置第二金属层mtl2。第二金属层mtl2可以包括扇出线fol。垫部pad可以与扇出线fol成一体并插入(或设置)到第二接触孔cnt2中。第二金属层mtl2可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、钯(pd)、铟(in)、钕(nd)和铜(cu)中的至少一种的单层或多层。
193.可以在第二阻挡绝缘层bil2和扇出线fol上设置第三阻挡绝缘层bil3。可以在第三阻挡绝缘层bil3上顺序地堆叠第二基底sub2和第四阻挡绝缘层bil4。可以从第四阻挡绝缘层bil4的顶表面(或上表面)蚀刻第三接触孔cnt3，以穿透第三阻挡绝缘层bil3的底表面(或下表面)。例如，可以通过干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺穿透第三阻挡绝缘层bil3和第四阻挡绝缘层bil4以及第二基底sub2，但是实施例不限于此。可以通过第三接触孔cnt3暴露扇出线fol的顶表面(或上表面)。
194.在图14中，可以在第四阻挡绝缘层bil4上堆叠显示层dpl。可以在第四阻挡绝缘层bil4上顺序地堆叠薄膜晶体管层tftl、发光元件层eml、波长转换层wlcl和滤色器层cfl。封装层tfe可以覆盖显示层dpl的顶表面和侧表面。可以在封装层tfe上形成防反射膜arf。
195.在图15和图16中，可以将正在制造的显示装置10竖直地翻转以附着(或结合)柔性膜fpcb。可以从第一基底sub1去除第一载体基底cg1。例如，可以通过使用设置在第一载体基底cg1与第一基底sub1之间的牺牲层从第一基底sub1的底表面(或下表面)去除第一载体基底cg1，但是实施例不限于此。
196.可以在防反射膜arf的表面上设置第二载体基底cg2。第二载体基底cg2可以支撑竖直地翻转的显示装置10。例如，第二载体基底cg2可以是载体玻璃，但是实施例不限于此。
197.可以通过第一蚀刻工艺(例如，图15和图23中的第1蚀刻)蚀刻第一基底sub1、第一金属层mtl1的一部分和第一阻挡绝缘层bil1。例如，第一蚀刻工艺(例如，图15和图23中的第1蚀刻)可以是通过使用包含氟(f)自由基的蚀刻气体的大气压(ap)等离子体工艺，但是实施例不限于此。蚀刻气体可以包括三氟化氮(nf3)、四氟化碳(cf4)、氟化甲烷(ch3f)和二氟化甲烷(ch2f2)中的至少一种，但是实施例不限于此。可以通过在形成第一接触孔cnt1期间去除第一金属层mtl1的一部分来形成蚀刻标记ecm。蚀刻标记ecm的第一侧表面可以被第一阻挡绝缘层bil1覆盖，并且蚀刻标记ecm的与第一侧表面相反的第二侧表面可以通过第
一接触孔cnt1暴露。在去除第一金属层mtl1的情况下，可以完成第一蚀刻工艺(例如，图15和图23中的第1蚀刻)，使得蚀刻标记ecm可以在第一基底sub1的蚀刻工艺中控制蚀刻深度。在确认在第一蚀刻工艺(例如，图15和图23中的第1蚀刻)中去除第一金属层mtl1之后，显示装置10的制造商可以改变蚀刻气体以执行第二蚀刻工艺。
198.在图17中，可以通过第二蚀刻工艺(例如，图16和图24中的第2蚀刻)来蚀刻蚀刻控制层ecl。例如，第二蚀刻工艺(例如，图16和图24中的第2蚀刻)可以是通过使用不包含氟(f)自由基的蚀刻气体的大气压(ap)等离子体工艺，但是实施例不限于此。通过使用不包括氟(f)自由基的蚀刻气体，第二蚀刻工艺(例如，图16和图24中的第2蚀刻)可以不损坏通过第一接触孔cnt1暴露的垫部pad。在第二蚀刻工艺(例如，图16和图24中的第2蚀刻)中，可以仅使用清洁的干燥空气(cda)而不包括氟(f)自由基，并且可以通过调节蚀刻气体的流速来控制蚀刻速率。
199.因此，显示装置10可以通过使用蚀刻气体在ap等离子体工艺中使用蚀刻标记ecm来控制蚀刻深度，并且可以通过在第二蚀刻工艺(例如，图16和图24中的第2蚀刻)中使用不包括氟(f)自由基的蚀刻气体而不损坏垫部pad。在显示装置10中，通过使用两种等离子体工艺而不使用单独的激光设施来形成第一接触孔cnt1，可以显著增大蚀刻速率并且可以降低制造成本。例如，蚀刻标记ecm可以在第一蚀刻工艺(例如，图15和图23中的第1蚀刻)和第二蚀刻工艺(例如，图16和图24中的第2蚀刻)中用作对准标记，因此可以在第一接触孔cnt1的形成期间改善工艺精度。
200.在图18和图19中，可以在第一基底sub1的表面上设置柔性膜fpcb。可以通过对准工艺使柔性膜fpcb和引线电极lde在垫部pad上对准。例如，柔性膜fpcb的引线电极lde可以通过超声波接合或热压接合附着(或结合)到垫部pad，但是接合方法不限于此。连接膜acf可以在其中垫部pad和引线电极lde彼此接触的区域中具有导电性，并且可以使柔性膜fpcb连接(例如，电连接)到垫部pad。
201.图20是沿着图1的线i-i'截取的示意性剖视图的另一示例。除了图2的显示装置之外，图20的显示装置还可以包括保护膜pfm和弱粘合部分wam，并且为了便于描述，将简要地描述与上述构造相同的构造或省略与上述构造相同的构造。
202.参照图20，每个显示装置10(例如，第一显示装置10-1)可以包括第一基底sub1、第一金属层mtl1、第一阻挡绝缘层bil1、蚀刻控制层ecl、第二阻挡绝缘层bil2、第二金属层mtl2、第三阻挡绝缘层bil3、第二基底sub2、第四阻挡绝缘层bil4、显示层dpl、封装层tfe、防反射膜arf、保护膜pfm、弱粘合部分wam、柔性膜fpcb和显示驱动器dic。
203.保护膜pfm和弱粘合部分wam可以设置在第一基底sub1下面。弱粘合部分wam可以通过使保护膜pfm的一部分有弱粘性(或减少保护膜pfm的一部分的粘性)而形成。弱粘合部分wam可以具有比保护膜pfm低的粘性，因此可以容易地从第一基底sub1的下部分分离。弱粘合部分wam可以在平面图中围绕第一接触孔cnt1。例如，弱粘合部分wam可以在平面图中被保护膜pfm围绕，并且可以与保护膜pfm接触。保护膜pfm和弱粘合部分wam可以保护第一基底sub1的下部分。例如，在将柔性膜fpcb接合到第一基底sub1的下部分之前将显示装置10切割成单独的单元的工艺中，弱粘合部分wam可以覆盖第一接触孔cnt1以保护垫部pad。
204.柔性膜fpcb可以设置在保护膜pfm和弱粘合部分wam下面。柔性膜fpcb可以设置在每个显示装置10的底表面(或下表面)的边缘部分上。柔性膜fpcb可以通过使用粘合构件
adm附接(或结合)到保护膜pfm和弱粘合部分wam的底表面(或下表面)。柔性膜fpcb可以包括设置在其一侧的顶表面(或上表面)上的引线电极lde。引线电极lde可以插入(或设置)到第一接触孔cnt1中，以通过连接膜acf连接(例如，电连接)到垫部pad。柔性膜fpcb可以支撑设置在另一侧的底表面(或下表面)上的显示驱动器dic。引线电极lde可以通过设置在柔性膜fpcb的底表面(或下表面)上的引线连接(例如，电连接)到显示驱动器dic。柔性膜fpcb的另一侧可以连接到第一基底sub1下面的电源电路板。柔性膜fpcb可以向每个显示装置10传输显示驱动器dic的信号和电压。
205.图21至图29是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的剖视图。这里，图21的显示装置的制造工艺可以是图14的显示装置的制造工艺的后续工艺。
206.在图21和图22中，可以将正在制造的显示装置10竖直地翻转以附接(或结合)柔性膜fpcb。可以从第一基底sub1去除第一载体基底cg1。例如，可以通过使用设置在第一载体基底cg1与第一基底sub1之间的牺牲层将第一载体基底cg1从第一基底sub1的底表面(或下表面)去除，但是实施例不限于此。
207.可以在防反射膜arf的表面上设置第二载体基底cg2。第二载体基底cg2可以支撑竖直地翻转的显示装置10。例如，第二载体基底cg2可以是载体玻璃，但是实施例不限于此。
208.可以在第一基底sub1的表面上设置保护膜pfm。可以通过使保护膜pfm的一部分有弱粘性(或减少保护膜pfm的一部分的粘性)来形成弱粘合部分wam。例如，可以通过在保护膜pfm的将被弱粘合的一部分上照射激光来形成弱粘合部分wam。弱粘合部分wam可以与蚀刻标记ecm叠置，但是实施例不限于此。
209.在图23至图25中，弱粘合部分wam可以具有低粘性，因此可以容易地从第一基底sub1的下部分分离。由于弱粘合部分wam与其中将设置第一接触孔cnt1的区域分离，所以不会干扰或阻碍形成第一接触孔cnt1的工艺。图23至图25的第一蚀刻工艺(例如，图23中的第1蚀刻)和第二蚀刻工艺(例如，图24中的第2蚀刻)可以以与图15至图17的描述中公开的第一蚀刻工艺(例如，图15中的第1蚀刻)和第二蚀刻工艺(例如，图16中的第2蚀刻)相同的方式进行。
210.在图26中，在形成第一接触孔cnt1并且垫部pad被暴露的情况下，弱粘合部分wam可以覆盖第一接触孔cnt1。例如，通过覆盖第一接触孔cnt1，弱粘合部分wam可以防止垫部pad由于与地接触而被损坏，或者防止在显示装置10的单元切割工艺中异物被引入到第一接触孔cnt1中。例如，由于显示装置10可以在通过使用弱粘合部分wam形成第一接触孔cnt1之后执行单元切割工艺，所以显示装置10中的每个的第一接触孔cnt1可以同时地形成在母基底上。因此，通过同时执行形成显示装置10的第一接触孔cnt1的蚀刻工艺，可以减少工艺时间和制造成本。
211.在图27中，可以在弱粘合部分wam的边缘部分上设置膜粘合剂pam和覆盖膜plm。膜粘合剂pam可以将弱粘合部分wam固定(或结合)到第一接触孔cnt1的开口。显示装置10的制造商可以通过使用膜粘合剂pam和覆盖膜plm容易地将弱粘合部分wam从第一基底sub1的下部分分离。可选地，可以省略膜粘合剂pam和覆盖膜plm。
212.在图28和图29中，在显示装置10的单元切割工艺完成的情况下，可以去除覆盖第一接触孔cnt1的弱粘合部分wam。因此，可以暴露第一接触孔cnt1，并且弱粘合部分wam的一部分可以围绕第一接触孔cnt1。可以以与在图18和图19的描述中公开的柔性膜fpcb的接合
工艺相同的方式执行图28和图29的柔性膜fpcb的接合工艺。

技术特征：
1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；第一金属层，设置在所述基底上；第一阻挡绝缘层，设置在所述第一金属层上；蚀刻控制层，设置在所述第一阻挡绝缘层上；第一接触孔，穿过所述基底、所述第一阻挡绝缘层和所述蚀刻控制层；第二阻挡绝缘层，设置在所述蚀刻控制层上并且包括第二接触孔；扇出线，设置在所述第二阻挡绝缘层上并且包括在第二金属层中；垫部，插入到所述第二接触孔中并且包括在所述第二金属层中，所述垫部与所述扇出线成一体；显示层，设置在所述扇出线上；以及柔性膜，设置在所述基底下面并且插入到所述第一接触孔中以电连接到所述垫部，其中，所述第一金属层包括与所述第一接触孔相邻的蚀刻标记。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述蚀刻控制层包括绝缘材料，所述绝缘材料包括聚酰亚胺，其中，所述蚀刻标记包括钼、铝、铬、金、银、钛、镍、钯、铟、钕和铜中的至少一种。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述蚀刻标记设置在所述第一接触孔的一侧。4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：保护膜，设置在所述基底下面；以及弱粘合部分，在平面图中围绕所述第一接触孔，并且在平面图中被所述保护膜围绕，其中，所述弱粘合部分通过减少所述保护膜的一部分的粘合性而形成。5.一种制造显示装置的方法，所述制造显示装置的方法包括以下步骤：提供基底；在所述基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第一阻挡绝缘层；在所述第一阻挡绝缘层上形成蚀刻控制层；在所述蚀刻控制层上形成第二阻挡绝缘层，所述第二阻挡绝缘层包括第二接触孔；形成设置在所述第二阻挡绝缘层上的扇出线和插入到所述第二接触孔中的垫部，所述扇出线和所述垫部彼此成一体；在所述扇出线上形成显示层；执行蚀刻所述基底、所述第一金属层和所述第一阻挡绝缘层的第一蚀刻工艺；执行蚀刻所述蚀刻控制层以形成第一接触孔的第二蚀刻工艺；以及将柔性膜插入到所述第一接触孔中以使所述柔性膜电连接到所述垫部。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是通过使用蚀刻气体的大气压等离子体工艺，所述蚀刻气体包括三氟化氮、四氟化碳、氟化甲烷和二氟化甲烷中的至少一种。7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述执行所述第一蚀刻工艺的步骤包括：通过去除所述第一金属层来形成蚀刻标记；以及
通过使用所述蚀刻标记来控制蚀刻深度。8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺是通过使用不包括氟自由基的蚀刻气体的大气压等离子体工艺。9.根据权利要求5所述的方法，在形成所述显示层之后，所述方法还包括以下步骤：在所述基底的表面上形成保护膜；以及通过减少所述保护膜的一部分的粘合性来形成弱粘合部分，其中，执行所述第一蚀刻工艺和执行所述第二蚀刻工艺的步骤包括从所述基底的下部分去除所述弱粘合部分以蚀刻所述基底、所述第一金属层、所述第一阻挡绝缘层和所述蚀刻控制层。10.一种拼接显示装置，所述拼接显示装置包括：多个显示装置，所述多个显示装置中的每个包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括多个像素，所述非显示区域围绕所述显示区域；以及接合构件，使所述多个显示装置接合，其中所述多个显示装置中的每个包括：基底；第一金属层，设置在所述基底上；第一阻挡绝缘层，设置在所述第一金属层上；蚀刻控制层，设置在所述第一阻挡绝缘层上；第一接触孔，穿过所述基底、所述第一阻挡绝缘层和所述蚀刻控制层；第二阻挡绝缘层，设置在所述蚀刻控制层上并且包括第二接触孔；扇出线，设置在所述第二阻挡绝缘层上并且包括在第二金属层中；垫部，插入到所述第二接触孔中并且包括在所述第二金属层中，所述垫部与所述扇出线成一体；显示层，设置在所述扇出线上；以及柔性膜，设置在所述基底下面并且插入到所述第一接触孔中以电连接到所述垫部，以及第一金属层，包括与第一接触孔相邻的蚀刻标记。

技术总结
提供了一种显示装置及其制造方法和拼接显示装置，所述显示装置包括：基底；第一金属层，设置在基底上；第一阻挡绝缘层，设置在第一金属层上；蚀刻控制层，在第一阻挡绝缘层上；第一接触孔，穿过基底、第一阻挡绝缘层和蚀刻控制层；第二阻挡绝缘层，在蚀刻控制层上并且包括第二接触孔；扇出线，在第二阻挡绝缘层上并且包括在第二金属层中；垫部，插入到第二接触孔中并且包括在第二金属层中，垫部与扇出线成一体；显示层，在扇出线上；以及柔性膜，在基底下面并且插入到第一接触孔中以电连接到垫部。第一金属层包括与第一接触孔相邻的蚀刻标记。第一金属层包括与第一接触孔相邻的蚀刻标记。第一金属层包括与第一接触孔相邻的蚀刻标记。


技术研发人员：权容焄 金美仙 李东成 崔世宪
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.03.23
技术公布日：2023/9/26