基板处理装置、基板处理方法以及基板制造方法与流程

1.本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及基板制造方法。


背景技术：

2.在专利文献1中公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括以下工序：加热工序，从半导体基板的背面照射co2激光来将剥离氧化膜局部地加热；以及转印工序，使得在剥离氧化膜中以及/或者在剥离氧化膜与半导体基板之间的界面处产生剥离，来使半导体元件转印到转印目标基板。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2007-220749号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开所涉及的技术使利用激光对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行的基板处理的生产率提高。
8.用于解决问题的方案
9.本公开的一个方式是基板处理装置，用于对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；激光照射部，其对形成于所述第一基板与所述第二基板之间的激光吸收层以脉冲状照射激光；移动机构，其使所述基板保持部和所述激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部基于所述激光吸收层的厚度来设定向所述激光吸收层照射的所述激光的间隔。
10.发明的效果
11.根据本公开，能够使利用激光对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行的基板处理的生产率提高。
附图说明
12.图1是示出在晶圆处理系统中处理的重合晶圆的结构的概要的侧视图。
13.图2是示意性地示出晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。
14.图3是示出晶圆处理装置的结构的概要的侧视图。
15.图4是示出晶圆处理装置的结构的概要的俯视图。
16.图5是示出向激光吸收膜照射激光的情形的说明图。
17.图6是示出向激光吸收膜照射激光的情形的说明图。
18.图7是示出从第二晶圆剥离第一晶圆的情形的说明图。
19.图8是关于向激光吸收膜照射的激光的照射间隔的说明图。
20.图9是示出激光吸收膜的厚度与激光的脉冲能量之间的关系的倾向的曲线图。
21.图10是示出激光吸收膜的厚度与晶圆处理的生产率之间的关系的倾向的曲线图。
22.图11是示出激光吸收膜的厚度与激光的照射间隔之间的相关性的表。
23.图12是示出晶圆处理系统中的其它晶圆处理的主要工序的说明图。
24.图13是示出晶圆处理系统中的其它晶圆处理的主要工序的说明图。
具体实施方式
25.在半导体器件的制造工序中，针对第一基板(半导体等硅基板)与第二基板接合而成的重合基板进行将第一基板的表面的器件层转印于第二基板，该第一基板在表面形成有多个电子电路等器件。此时，有时例如进行使用激光来从第二基板剥离第一基板的、所谓的激光剥离。在激光剥离中，通过向形成于第一基板与第二基板之间的激光吸收层(例如氧化膜)照射激光，来在第一基板与第二基板之间的界面产生剥离。
26.上述的专利文献1所记载的方法是利用该激光剥离的半导体装置的制造方法。在专利文献1中记载了：通过增大氧化膜的厚度，来防止器件层中的半导体元件的特性变动、损伤等，从而进行稳定的激光处理。然而，未考虑到使该激光处理的生产率提高，也没有相关的启示。因而，以往的激光处理存在改善的余地。
27.本公开所涉及的技术使利用激光对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行的基板处理的生产率提高。下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的、作为基板处理装置的晶圆处理装置、作为基板处理方法的晶圆处理方法、以及作为基板制造方法的晶圆制造方法。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。
28.在本实施方式所涉及的后述的晶圆处理系统1中，如图1所示，对作为第一基板的第一晶圆w与作为第二基板的第二晶圆s接合而成的作为重合基板的重合晶圆t进行处理。下面，在第一晶圆w中，将与第二晶圆s接合的一侧的表面称作表面wa，将与表面wa相反的一侧的表面称作背面wb。同样地，在第二晶圆s中，将与第一晶圆w接合的一侧的表面称作表面sa，将与表面sa相反的一侧的表面称作背面sb。
29.第一晶圆w例如为硅基板等半导体晶圆。在第一晶圆w的表面wa层叠地形成有剥离促进膜fm、作为激光吸收层的激光吸收膜fw、包括多个器件的器件层(未图示)、表面膜fe。对于剥离促进膜fm，使用对来自后述的激光照射系统110的激光具有透过性、并且剥离促进膜fm与第一晶圆w(硅)之间的粘合性至少比剥离促进膜fm与激光吸收膜fw之间的粘合性小的膜、例如sin膜。对于激光吸收膜fw，使用能够吸收来自后述的激光照射系统110的激光的膜、例如氧化膜(sio2膜、teos膜)等。对于表面膜fe，例如能够举出氧化膜(thox膜、sio2膜、teos膜)、sic膜、sicn膜或粘接剂等。
30.第二晶圆s也例如是硅基板等半导体晶圆。在第二晶圆s的表面sa形成包括多个器件的器件层(未图示)，还层叠地形成有表面膜fs。作为表面膜fs，例如能够举出氧化膜(thox膜、sio2膜、teos膜)、sic膜、sicn膜或粘接剂等。而且，使第一晶圆w的表面膜fe与第二晶圆s的表面膜fs接合。
31.如图2所示，晶圆处理系统1具有将搬入搬出块10、搬送块20、以及处理块30连接为一体的结构。搬入搬出块10和处理块30设置于搬送块20的周围。具体地说，搬入搬出块10配
置于搬送块20的y轴负方向侧。处理块30的后述的晶圆处理装置31配置于搬送块20的x轴负方向侧，后述的清洗装置32配置于搬送块20的x轴正方向侧。
32.搬入搬出块10例如在与外部之间搬入搬出能够收容多个重合晶圆t的盒ct、能够收容多个第一晶圆w的盒cw、能够收容多个第二晶圆s的盒cs。在搬入搬出块10设置有盒载置台11。在图示的例子中，将多个、例如三个盒ct、cw、cs沿x轴方向呈一列地自由载置于盒载置台11。此外，载置于盒载置台11的盒ct、cw、cs的个数并不限定于本实施方式，能够任意决定。
33.在搬送块20设置有构成为能够在沿x轴方向延伸的搬送路21上移动自如的晶圆搬送装置22。晶圆搬送装置22具有保持并搬送重合晶圆t、第一晶圆w、第二晶圆s的、例如两个搬送臂23、23。各搬送臂23构成为能够沿水平方向、铅垂方向移动自如，并且绕水平轴及铅垂轴移动自如。此外，搬送臂23的结构并不限定于本实施方式，能够采取任意的结构。而且，晶圆搬送装置22构成为能够向盒载置台11的盒ct、cw、cs、后述的晶圆处理装置31以及清洗装置32搬送重合晶圆t、第一晶圆w、第二晶圆s。
34.处理块30具有晶圆处理装置31和清洗装置32。晶圆处理装置31向第一晶圆w的激光吸收膜fw照射激光，来从第二晶圆s剥离第一晶圆w。此外，在后文叙述晶圆处理装置31的结构。
35.清洗装置32对由晶圆处理装置31分离后的第二晶圆s的表面sa侧的最表面(剥离促进膜fm的表面)进行清洗。例如使刷部与剥离促进膜fm的表面抵接，来对该表面进行刷洗。此外，在表面的清洗中也可以使用加压后的清洗液。另外，清洗装置32也可以具有将第二晶圆s的背面sb与表面sa侧一起进行清洗的结构。
36.在以上的晶圆处理系统1中设置有作为控制部的控制装置40。控制装置40例如为计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有对晶圆处理系统1中的重合晶圆t的处理进行控制的程序。另外，在程序保存部中还保存有用于对上述的各种处理装置、搬送装置等的驱动系统的动作进行控制来实现晶圆处理系统1中的后述的晶圆处理的程序。此外，上述程序也可以记录于能够由计算机读取的存储介质h中，并从该存储介质h安装到控制装置40。
37.接着，对上述的晶圆处理装置31进行说明。
38.如图3和图4所示，晶圆处理装置31具有在上表面保持重合晶圆t的作为基板保持部的保持器100。保持器100对第二晶圆s的背面sb进行吸附保持。
39.保持器100经由空气轴承101支承于滑动平台102。在滑动平台102的下表面侧设置有旋转机构103。旋转机构103例如内置有马达作为驱动源。保持器100构成为通过旋转机构103经由空气轴承101绕θ轴(铅垂轴)旋转自如。滑动平台102构成为通过设置于其下表面侧的水平移动机构104能够沿着沿y轴方向延伸的导轨105移动。导轨105设置于基台106。此外，关于水平移动机构104的驱动源没有特别限定，例如使用线性马达。此外，在本实施方式中，上述的旋转机构103和水平移动机构104相当于本公开的技术所涉及的“移动机构”。
40.在保持器100的上方设置有作为激光照射部的激光照射系统110。激光照射系统110具有激光头111以及作为激光照射部的透镜112。透镜112也可以构成为通过升降机构(未图示)升降自如。
41.激光头111具有以脉冲状振荡激光的激光振荡器(未图示)。即，从激光照射系统
110向保持于保持器100的重合晶圆t照射的激光是所谓的脉冲激光，其功率在0(零)与最大值之间重复。另外，在本实施方式中，激光为co2激光，co2激光的波长例如为8.9μm～11μm。此外，激光头111也可以具有除激光振荡器以外的设备、例如放大器等。
42.透镜112是筒状的构件，向保持于保持器100的重合晶圆t照射激光。从激光照射系统110发出的激光透过第一晶圆w，照射于激光吸收膜fw并被吸收。
43.如图4所示，在保持器100的上方设置有作为剥离处理部的搬送垫120。搬送垫120构成为通过升降机构(未图示)升降自如。另外，搬送垫120具有第一晶圆w的吸附面。而且，搬送垫120在保持器100与搬送臂23之间搬送第一晶圆w。具体地说，在使保持器100移动到搬送垫120的下方(与搬送臂23之间的交接位置)后，搬送垫120对第一晶圆w的背面wb进行吸附保持，来将其从第二晶圆s剥离。接着，将被剥离的第一晶圆w从搬送垫120交接到搬送臂23，将其从晶圆处理装置31搬出。
44.此外，在本实施方式中，将激光照射部(激光照射系统110)和剥离处理部(搬送垫120)设置于同一晶圆处理装置31的内部，但也可以将激光照射装置和剥离处理装置设置为分开的处理装置。
45.接着，对使用如以上那样构成的晶圆处理系统1所进行的晶圆处理进行说明。此外，在本实施方式中，在晶圆处理系统1的外部的接合装置(未图示)中，将第一晶圆w与第二晶圆s接合来预先形成重合晶圆t。
46.首先，将收纳有多个重合晶圆t的盒ct载置于搬入搬出块10的盒载置台11。
47.接着，通过晶圆搬送装置22取出盒ct内的重合晶圆t，并搬送到晶圆处理装置31。在晶圆处理装置31中，将重合晶圆t从搬送臂23交接到保持器100，并且吸附保持于保持器100。接着，通过水平移动机构104使保持器100移动到处理位置。该处理位置是能够从激光照射系统110向重合晶圆t(激光吸收膜fw)照射激光的位置。
48.接着，如图5和图6所示，从激光照射系统110向激光吸收膜fw以脉冲状照射激光l。激光l从第一晶圆w的背面wb侧透过该第一晶圆w及剥离促进膜fm，并在激光吸收膜fw处被吸收。此时，激光吸收膜fw由于激光l的吸收而蓄积能量，由此温度上升而膨胀。由该激光吸收膜fw的膨胀而产生的剪切应力也传递到剥离促进膜fm。而且，由于剥离促进膜fm对第一晶圆w的粘合力比激光吸收膜fw的粘合力小，因此在第一晶圆w与剥离促进膜fm之间的界面处产生剥离。
49.在向激光吸收膜fw照射激光l时，通过旋转机构103使保持器100(重合晶圆t)旋转，并且通过水平移动机构104使保持器100沿y轴方向移动。于是，激光l从径向外侧朝向内侧地照射到激光吸收膜fw，其结果是，从外侧向内侧螺旋状地进行照射。此外，图6所示的黑底箭头表示保持器100的旋转方向。
50.激光l也可以环状地照射为同心圆状。另外，在激光吸收膜fw，激光l也可以从径向内侧朝向外侧照射。另外，也可以是，重复进行在呈以激光吸收膜fw的中心为顶点的扇状地照射激光l后，使保持器100移动，来进一步对未照射激光l的部分扇状地照射激光l，以对激光吸收膜fw的整体进行照射。并且，还可以使保持器100移动，以直线状照射激光l，来对激光吸收膜fw的整体进行照射。
51.另外，在本实施方式中，在向激光吸收膜fw照射激光l时，使保持器100旋转，但也可以使透镜112移动，来使透镜112相对于保持器100相对地旋转。另外，使保持器100沿y轴
方向移动，但也可以使透镜112沿y轴方向移动。
52.像这样，在晶圆处理装置31中，向激光吸收膜fw以脉冲状照射激光l。而且，在以脉冲状使激光l振荡的情况下，能够提高峰值功率(激光的最大强度)，来在第一晶圆w与剥离促进膜fm之间的界面处产生剥离。其结果是，能够使第一晶圆w从第二晶圆s适当地剥离。
53.此外，在本实施方式中，向激光吸收膜fw照射的激光l的周向间隔(脉冲间距(pulse pitch))和径向间隔(分度间距(index pitch))基于激光吸收膜fw的厚度来设定。在后文叙述该脉冲间距和分度间距的设定方法。
54.在如以上的那样向激光吸收膜fw照射激光l后，接着通过水平移动机构104使保持器100移动到交接位置。然后，如图7的(a)所示，通过搬送垫120对第一晶圆w的背面wb进行吸附保持。之后，如图7的(b)所示，在搬送垫120吸附保持第一晶圆w的状态下，使该搬送垫120上升，来从剥离促进膜fm剥离第一晶圆w。此时，如上所述，通过激光l的照射在第一晶圆w与剥离促进膜fm之间的界面处产生了剥离，因此能够不施加较大的荷重地从剥离促进膜fm剥离第一晶圆w。然后，第一晶圆w的器件层被转印于第二晶圆s。此外，在使搬送垫120上升时，也可以使搬送垫120绕铅垂轴旋转，来将第一晶圆w剥离。
55.将被剥离的第一晶圆w从搬送垫120交接到晶圆搬送装置22的搬送臂23，搬送到盒载置台11的盒cw。此外，从晶圆处理装置31搬出的第一晶圆w也可以在被搬送到盒cw之前搬送到清洗装置32，并对其剥离面即表面wa进行清洗。在该情况下，也可以通过搬送垫120在使第一晶圆w的表面和背面翻转来交接到搬送臂23。
56.另一方面，关于保持于保持器100的第二晶圆s，被交接到搬送臂23，搬送到清洗装置32。在清洗装置32中，对剥离面即表面sa侧的最表面(剥离促进膜fm的表面)进行刷洗。此外，在清洗装置32中，也可以将第二晶圆s的背面sb与剥离促进膜fm的表面一起进行清洗。另外，也可以分别设置分别对剥离促进膜fm表面和第二晶圆s的背面sb进行清洗的清洗部。
57.之后，通过晶圆搬送装置22将被实施了全部处理的第二晶圆s搬送到盒载置台11的盒cs。像这样，晶圆处理系统1中的一系列的晶圆处理结束。
58.接着，对在晶圆处理装置31中向激光吸收膜fw照射激光l时的、图8所示的针对周向的激光l的照射间隔即脉冲间距p以及针对径向的激光l的照射间隔即分度间距q的设定方法进行说明。
59.首先，如图9所示，发明人们在使激光吸收膜fw(sio2膜)的厚度(图9的横轴)变化的情况下调查了为了从第二晶圆s剥离第一晶圆w所需的激光l的脉冲能量(图9的纵轴)。在激光吸收膜fw的厚度较小的情况下，吸收脉冲能量的体积小且吸收效率小，因此剥离所需的脉冲能量变大。另一方面，在激光吸收膜fw较大的情况下，剥离所需的脉冲能量变小。
60.接着，如图10所示，发明人们在使激光吸收膜fw(sio2膜)的厚度(图10的横轴)变化的情况下调查了晶圆处理的生产率(图10的纵轴)。如上所述，在激光吸收膜fw的厚度较小的情况下，剥离所需的脉冲能量变大。在该情况下，当想要增大脉冲能量时需要使激光l的脉冲频率减小，因此晶圆处理的生产率下降。另一方面，在激光吸收膜fw较大的情况下，剥离所需的脉冲能量较小，能够使激光l的脉冲频率增大，因此晶圆处理的生产率提高。
61.如上所述，激光吸收膜fw的厚度与晶圆处理的生产率具有相关性。而且，经过发明人们进一步认真研究，结果发现，如图11所示，用于使剥离成为可能的激光吸收膜fw(sio2膜)的厚度与激光l的脉冲间距p及分度间距q之间具有相关性。即，能够根据激光吸收膜fw
的厚度来从第二晶圆s剥离第一晶圆w。例如，在图11中的阴影部分的脉冲间距p及分度间距q的范围内，能够从第二晶圆s剥离第一晶圆w。此外，在图11所示的例子中，是脉冲间距p与分度间距q相同的情况，但这些脉冲间距p与分度间距q也可以不同。
62.本实施方式的脉冲间距p和分度间距q的设定方法是基于上述见解的，基于激光吸收膜fw的厚度来设定脉冲间距p和分度间距q。
63.首先，获取激光吸收膜fw的厚度。激光吸收膜fw的厚度可以通过晶圆处理装置31获取，也可以预先在晶圆处理装置31的外部获取。另外，关于激光吸收膜fw的厚度的获取方法没有特别限定，例如可以通过传感器等直接或者间接地进行测定，也可以通过由摄像机等拍摄重合晶圆t来获取。然后，将像这样获取到的激光吸收膜fw的厚度输出到控制装置40。
64.在控制装置40中，基于获取到的激光吸收膜fw的厚度来设定脉冲间距p和分度间距q。例如，也可以是，以使使用激光进行晶圆处理的处理时间(即，本公开中的激光处理时间)成为最小而生产率成为最大的方式来设定脉冲间距p和分度间距q。例如，在图11所示的例子中，根据激光吸收膜fw的厚度将脉冲间距p和分度间距q设定为能够剥离的最大间距。在该情况下，能够使晶圆处理的生产率最大，从而使生产性提高。此外，脉冲间距p和分度间距q可以如上述的那样是相同的，也可以是不同的。
65.另外，例如也可以以使晶圆处理的处理时间(生产率)成为晶圆处理装置31所要求的处理时间(生产率)的方式来设定脉冲间距p和分度间距q。在该情况下，能够确保晶圆处理的生产率，并且能够最大限地发挥晶圆处理装置31的装置能力。
66.如上所述，根据本实施方式，基于激光吸收膜fw的厚度来设定激光l的脉冲间距p及分度间距q，因此能够适当地控制晶圆处理的生产率。
67.接着，对上述的、基于激光吸收膜fw的厚度与激光l的脉冲间距p及分度间距q之间具有相关性这一发现的、重合晶圆t的制造方法进行说明。
68.在晶圆处理系统1的外部的接合装置(未图示)中，将第一晶圆w与第二晶圆s接合，来制造重合晶圆t。此时，在第一晶圆w的表面wa层叠地形成有剥离促进膜fm、激光吸收膜fw、器件层(未图示)、表面膜fe。另外，在第二晶圆s的表面sa层叠地形成有器件层(未图示)、表面膜fs。而且，使第一晶圆w的表面膜fe与第二晶圆s的表面膜fs接合。
69.激光吸收膜fw的厚度基于在制造了重合晶圆t后在晶圆处理装置31中向激光吸收膜fw照射的激光l的脉冲间距p及分度间距q进行设定。即，如上所述，基于根据晶圆处理装置31中的晶圆处理的处理时间(生产率)而设定的脉冲间距p及分度间距q，使用例如图11所示的相关性来设定激光吸收膜fw的厚度。
70.如上所述，根据本实施方式，能够基于激光l的脉冲间距p和分度间距q来最佳地设定激光吸收膜fw的厚度，因此能够适当地控制晶圆处理装置31中的晶圆处理的生产率。
71.此外，在以上的实施方式中，在重合晶圆t中对激光吸收膜fw照射激光l来从第二晶圆s剥离第一晶圆w、即进行激光剥离时，应用了本公开的脉冲间距p和分度间距q的设定方法，但作为应用对象的激光处理并不限定于此。
72.例如，如图12所示，在重合晶圆t中去除第一晶圆w的周缘部we、即进行所谓的边缘修剪时，也可以应用本公开的脉冲间距p和分度间距q的设定方法。此外，第一晶圆w的周缘部we例如是从第一晶圆w的外端部起的径向0.5mm～3mm的范围。
73.具体地说，如图12的(a)所示，向第一晶圆w的内部照射激光(例如yag激光)，来形成周缘改性层m1和分割改性层m2。周缘改性层m1环状地形成于第一晶圆w的同心圆上。分割改性层m2形成为从周缘改性层m1向径向延伸。
74.之后，如图12的(b)所示，向与周缘部we对应的位置处的激光吸收膜fw以脉冲状照射激光(例如co2激光)，来形成第一晶圆w与第二晶圆s之间的接合强度下降的未接合区域ae。
75.之后，如图12的(c)所示，进行第一晶圆w的周缘部we的去除、即边缘修剪。此时，以周缘改性层m1为基点从第一晶圆w的中央部剥离周缘部we，并且以未接合区域ae为基点从第二晶圆s完全剥离该周缘部we。另外，此时，去除的周缘部we以分割改性层m2为基点而碎片化。
76.在本实施方式中，如图12的(b)所示，在向激光吸收膜fw照射激光时，该激光的脉冲间距p和分度间距q与上述实施方式同样地基于激光吸收膜fw来设定。其结果，能够享受与上述实施方式同样的效果，即能够使晶圆处理的生产率提高。
77.例如，如图13所示，在第一晶圆w的内部形成有作为该第一晶圆w的薄化的基点的内部面改性层m3并且在此时将周缘部we与第一晶圆w的背面wb侧一体地去除的情况下，也可以应用本公开的脉冲间距p和分度间距q的设定方法。
78.具体地说，如图13的(a)所示，向第一晶圆w的内部照射激光，依次形成周缘改性层m1和内部面改性层m3。内部面改性层m3形成为在第一晶圆w的内部中沿表面方向延伸。
79.之后，如图13的(b)所示，向与周缘部we对应的位置处的激光吸收膜fw以脉冲状照射激光(例如co2激光)，来形成未接合区域ae。
80.之后，如图13的(c)所示，第一晶圆w以内部面改性层m3为基点被薄化，并且以周缘改性层m1和未接合区域ae为基点将周缘部we一体地剥离并去除。
81.在本实施方式中，如图13的(b)所示，在向激光吸收膜fw照射激光时，该激光的脉冲间距p及分度间距q与上述实施方式同样地基于激光吸收膜fw来设定。其结果，能够享受与上述实施方式同样的效果，即能够使晶圆处理的生产率提高。此外，在本实施方式中，在第一晶圆w的表面wa形成有器件层，但在对例如未形成有器件层的soi晶圆进行同样的处理的情况下，也能够应用本公开的技术。
82.此外，在上述图12所示的例子中，图12的(a)的周缘改性层m1及分割改性层m2的形成与图12的(b)的未接合区域ae的形成的顺序也可以是相反的。同样地，在上述图13所示的例子中，图13的(a)的周缘改性层m1及内部面改性层m3的形成与图13的(b)的未接合区域ae的形成的顺序也可以是相反的。
83.应当认为本次公开的实施方式在所有方面均是例示而非限制性的。上述的实施方式也可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
84.附图标记说明
85.1：晶圆处理系统；31：晶圆处理装置；40：控制装置；100：保持器；103：旋转机构；104：水平移动机构；110：激光照射系统；112：透镜；fw：激光吸收膜；p：脉冲间距；q：分度间距；s：第二晶圆；t：重合晶圆；w：第一晶圆。

技术特征：
1.一种基板处理装置，用于对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；激光照射部，其对形成于所述第一基板与所述第二基板之间的激光吸收层以脉冲状照射激光；移动机构，其使所述基板保持部和所述激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部基于所述激光吸收层的厚度来设定向所述激光吸收层照射的所述激光的间隔。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述移动机构具备：旋转机构，其使所述基板保持部和所述激光照射部相对地旋转；以及水平移动机构，其使所述基板保持部和所述激光照射部相对地沿水平方向移动，其中，作为所述激光的间隔，所述控制部设定周向间隔和径向间隔。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部基于所述激光吸收层的厚度，以使所述重合基板的激光处理时间成为最小的方式来设定所述激光的间隔。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部基于所述激光吸收层的厚度，以使所述重合基板的激光处理时间成为所述基板处理装置所要求的激光处理时间的方式来设定所述激光的间隔。5.一种基板处理方法，对第一基板与第二基板接合而成的重合基板中的形成于所述第一基板与所述第二基板之间的激光吸收层照射激光，所述基板处理方法包括：基于所述激光吸收层的厚度来设定向所述激光吸收层照射的所述激光的间隔；以及以成为所述激光的间隔的方式向所述激光吸收层照射所述激光。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述激光的间隔包括周向间隔和径向间隔，以成为所述周向间隔的方式，一边使保持所述重合基板的基板保持部与照射所述激光的激光照射部相对地旋转一边从所述激光照射部向所述激光吸收层照射所述激光，以成为所述径向间隔的方式，一边使所述基板保持部与所述激光照射部相对地沿水平方向移动一边从所述激光照射部向所述激光吸收层照射所述激光。7.根据权利要求5或6所述的基板处理方法，其特征在于，基于所述激光吸收层的厚度，以使所述重合基板的激光处理时间成为最小的方式来设定所述激光的间隔。8.根据权利要求5或6所述的基板处理方法，其特征在于，基于所述激光吸收层的厚度，以使所述重合基板的激光处理时间成为基板处理装置所要求的激光处理时间的方式来设定所述激光的间隔。9.一种基板制造方法，用于制造第一基板与第二基板接合而成的重合基板，在所述基板制造方法中，在所述第一基板与所述第二基板之间形成激光吸收层，将该第一基板与第二基板接合
来制造所述重合基板，所述激光吸收层在所述第一基板与所述第二基板接合后被以脉冲状照射激光，基于向所述激光吸收层照射的所述激光的间隔来设定所述激光吸收层的厚度。10.根据权利要求9所述的基板制造方法，其特征在于，所述激光的间隔包括周向间隔和径向间隔，基于所述周向间隔和所述径向间隔来设定所述激光吸收层的厚度。11.根据权利要求9或10所述的基板制造方法，其特征在于，所述激光的间隔被设定为使所述重合基板的激光处理时间成为最小。12.根据权利要求9或10所述的基板制造方法，其特征在于，所述激光的间隔被设定为使所述重合基板的激光处理时间成为所要求的激光处理时间。

技术总结
本公开提供一种对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置，所述基板处理装置具备：基板保持部，其保持所述重合基板；激光照射部，其对形成于所述第一基板与所述第二基板之间的激光吸收层以脉冲状照射激光；移动机构，其使所述基板保持部与所述激光照射部相对地移动；以及控制部，其控制所述激光照射部和所述移动机构，其中，所述控制部基于所述激光吸收层的厚度来设定向所述激光吸收层照射的所述激光的间隔。激光吸收层照射的所述激光的间隔。激光吸收层照射的所述激光的间隔。


技术研发人员：田之上隼斗 荒木健人 山下阳平 白石豪介
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2022.01.04
技术公布日：2023/9/23