薄层电阻组件的制作方法

1.本发明涉及一种具有多个oled像素的有源oled显示器以及一种用于制造至少一个共同层的方法。


背景技术：

2.自1987年tang等人已经证明了低工作电压(c.w.tang等人，appl.phys.lett.51(12)913(1987))以来，有机发光二极管已成为实现大面积显示器的有希望的候选者。它们由一系列有机材料薄层(通常为1nm至1μm)组成，薄层可以例如经由热真空蒸发或溶液处理进行沉积，然后经由金属层形成电接触。有机电子器件提供种类繁多的电子或光电组件，例如二极管、发光二极管、光电二极管和薄膜晶体管(tft)，其在特性上可与基于无机材料的现有组件竞争。
3.在有机发光二极管(oled)的情况下，由于外部施加的电压，通过发光二极管经由将电荷载流子(电子来自一侧，空穴来自另一侧)从触点注入至相邻的有机层，随后在活性区形成激子(电子-空穴对)以及这些激子的辐射重合来产生光并发光。
4.这种有机组件相对于传统无机组件(基于无机半导体，例如硅或砷化镓)的优点为可选择生产大面积组件(例如大型显示组件(视觉显示器、屏幕)或灯(用于照明应用))。与无机材料相比，有机材料相对便宜(材料和能源消耗较少)。此外，与无机材料相比，由于这些材料的低加工温度，这些材料可以沉积在柔性基底上，从而在显示和照明工程中开辟一整个系列新的应用。这种组件的基本结构包括一个或多个下列层的排列：载体基底；空穴注入(正接触)基础电极，其通常是透明的；空穴注入层(hil)；空穴传输层(htl)；发光层(el)；电子传输层(etl)；电子注入层(eil)；电子注入(负接触)覆盖电极，通常是具有低逸出功的金属；以及封装，以排除环境影响。
5.虽然上述代表了最典型的情况，但通常可以省略若干层(htl和etl除外)，或者一层可以结合多个特性。
6.在文献us 5,093,698中，描述掺杂电荷-载流子传输层的用途(通过类受体分子的混合物对htl的p掺杂、通过类供体分子的混合物对etl的n掺杂)。从这个意义上，掺杂意味着所述掺杂剂质的混合物掺入到所述层中增加该层中的平衡电荷-载流子浓度，与相关的两种物质中的一种的纯层相比，这导致改进的导电率和从相邻的接触层进入这个混合层的更好的电荷-载流子注入。电荷-载流子的传输仍然发生在基质分子上。根据us 5,093,698，掺杂层用作接触材料界面处的注入层，发光层位于两者之间(或者，当仅使用一个掺杂层时，紧邻另一个接触)。通过掺杂而增加的平衡电荷载流子密度和相关的能带弯曲有助于电荷载流子注入。根据us 5,093,698，应获得有机层的能级(homo＝最高占据分子轨道或最高能量价带能量；lumo＝最低未占据分子轨道或最低能量导带能量)，以便etl中的电子以及htl中的空穴可以注入el(发光层)，而无需进一步的势垒，这需要htl材料的非常高的电离能和etl材料的非常低的电子亲和力。
7.对于有源oled显示器，显示器的像素之间的所谓串扰一直是一个主要问题。像素
或颜色串扰是指由像素产生的一种颜色的光子与从靠近的像素散射的另一种颜色的光子错误地混合。例如，文献gb 2 492400a和wo 2002/015292a2提供用于减少oled器件中颜色串扰的措施。此外，或作为替代方面，可发生电串扰。在这种情况下，例如，施加到像素之一的驱动电流可导致从靠近为其提供驱动电流的像素的另一像素发光。两者将会对显示器件的性能具有负面影响(参见yamazaki等人，a.(2013)，33.2：有机发光二极管显示器的空间分辨率性能：手持和工作站格式的mtf对比分析。sid研讨会技术论文摘要，44:419-422。doi:10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x)(yamazaki et al.,a.(2013),33.2:spatial resolution characteristics of organic light-emitting diode displays:a comparative analysis of mtf for handheld and workstation formats.sid symposium digest of technical papers,44:419-422.doi:10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x)。
8.在典型的商用有源矩阵oled显示器中，电像素串扰可通过在由更多oled像素共享的空穴传输层(htl)中应用氧化还原p掺杂引起(从某种意义上，共享的htl被电连接到显示器中存在的多个像素的阳极)。使用氧化还原p掺杂剂有利于低工作电压、高工作稳定性和高产量，所述氧化还原p掺杂剂通过将电子从掺杂基质的分子转移到掺杂剂分子来产生新的电荷载流子(空穴)来增加电荷载流子密度。另一方面，氧化还原p掺杂将空穴传输层的导电率从没有p掺杂剂的小于10-8
s/cm(通常从小于10-10
s/cm)提高到大于10-6
s/cm(通常，p掺杂剂的浓度在1到5重量％之间)。因此，氧化还原掺杂的htl通常负责有源矩阵显示器(包括多个像素共享的htl)中的任何电像素串扰。如果使用氧化还原n掺杂剂进行n掺杂，etl也可示出与氧化还原掺杂htl相似的高导电率，然而，由于具有共同阴极的显示器布局，etl不会导致电像素串扰。


技术实现要素：

9.一个目的是为有源矩阵oled显示器提供改进的技术，特别是应减少有源oled显示器的相邻像素之间的串扰。
10.在一方面，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0011]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0012]-阳极层，
[0013]-共同阴极层，
[0014]-至少一个有机层叠层，其包括
[0015]-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0016]-至少共同第一半导体层，所述至少第一共同半导体层为共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0017]-至少共同第二半导体层，
[0018]-至少一个发光层，其可选地为共同发光层，并且
[0019]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。
[0020]
根据一个实施方式，其中共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0021]
根据一个实施方式，其中共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0022]
在一方面，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0023]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0024]-阳极层，
[0025]-共同阴极层，
[0026]-至少一个有机层叠层，其包括
[0027]-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0028]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层为共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0029]-至少共同第二半导体层，
[0030]-至少一个发光层，其可选地为共同发光层，并且
[0031]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述共同第一半导体层以及所述共同第二半导体层的所述薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0032]
在一方面，提供一个有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0033]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0034]-阳极层，
[0035]-共同阴极层，
[0036]-至少一个有机层叠层，其包括
[0037]-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0038]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层为共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0039]-至少共同第二半导体层，
[0040]-至少一个发光层，其可选地为共同发光层，并且
[0041]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述共同第一半导体层以及所述共同第二半导体层的所述薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0042]
根据一个实施方式，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0043]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0044]-阳极层，
[0045]-共同阴极层，
[0046]-至少一个有机层叠层，其包括
[0047]-多个半导体层，其中所述共同第一半导体层在该oled显示器中的所述多个像素中的所有像素上延伸或者在所述多个像素中的至少两个像素上延伸，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0048]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0049]-至少共同第二半导体层，
[0050]-至少一个发光层，其可选地为共同发光层，并且
[0051]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中可选的所述共同第一半导体层以及所述共同第二半导体层的所述薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0052]
根据一个实施方式，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0053]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0054]-阳极层，
[0055]-共同阴极层，
[0056]-至少一个有机层叠层，其包括
[0057]-多个半导体层，其中所述共同第一半导体层在该oled显示器中的所述多个像素中的所有像素上延伸或者在所述多个像素中的至少两个像素上延伸，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0058]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0059]-至少共同第二半导体层，
[0060]-至少一个发光层，可选地为共同发光层，并且
[0061]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中可选的所述共同第一半导体层以及所述共同第二半导体层的所述薄层电阻被单独地一起测量，其中可选的所述共同第一半导体层以及所述共同第二半导体层的所述薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0062]
根据一个实施方式，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0063]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0064]-阳极层，
[0065]-共同阴极层，
[0066]-至少一个有机层叠层，其包括
[0067]-多个半导体层，其中所述共同第一半导体层在该oled显示器中的所述多个像素中的所有像素上延伸或者在所述多个像素中的至少两个像素上延伸，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0068]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0069]-至少共同第二半导体层，
[0070]-可选地为共同发光层的至少一发光层，并且
[0071]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0072]
根据一个实施方式，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0073]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0074]-阳极层，
[0075]-共同阴极层，
[0076]-至少一个有机层叠层，其包括
[0077]-多个半导体层，其中所述共同第一半导体层在该oled显示器中的所述多个像素中的所有像素上延伸或者在所述多个像素中的至少两个像素上延伸，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0078]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0079]-至少共同第二半导体层，
[0080]-可选地为共同发光层的至少一个发光层，并且
[0081]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，所述共同第二半导体层直接沉积在所述共同空穴注入层上，以及共同空穴注入层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0082]
有机半导体器件的一个特性是它们的导电性。通过使用空穴注入材料，可以显著提高有机半导体器件层的导电率。薄层电阻例如由所谓的“传输线方法”确定。此时，对薄层施加电压并测量流过该层的电流。通过考虑触点的几何形状和样品层的厚度，分别地得出薄层电阻、导电率。
[0083]
薄层电阻是由传输线方法确定的。
[0084]
根据实施方式，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0085]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0086]-阳极层，
[0087]-共同阴极层，
[0088]-至少一个有机层叠层，其包括，
[0089]-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0090]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0091]-至少共同第二半导体层，
[0092]-至少一个发光层，其可选地为共同发光层，并且
[0093]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述薄层电阻是由传输线方法确定，其中可选的所述共同第一半导体层以及所述共同第二半导体层的所述薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0094]
薄层电阻由传输线方法确定。
[0095]
根据实施方式，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0096]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0097]-阳极层，
[0098]-共同阴极层，
[0099]-至少一个有机层叠层，其包括
[0100]-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0101]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0102]-至少共同第二半导体层，
[0103]-至少一个发光层，其可选地为共同发光层，并且
[0104]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述薄层电阻是由传输线方法确定，其中可选的所述共同第一半导体层以及所述共同第二半导体层的所述薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0105]
根据实施方式，提供一种有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0106]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0107]-阳极层，
[0108]-共同阴极层，
[0109]-至少一个有机层叠层，其包括
[0110]-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0111]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所
述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0112]-至少共同第二半导体层，
[0113]-至少一个发光层，其可选地为共同发光层，并且
[0114]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述薄层电阻是由传输线方法确定，其中共同空穴注入层以及共同第二半导体层的薄层电阻被单独地一起测量。其中为了薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0115]
根据实施方式，提供有源矩阵oled显示器，其包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中
[0116]-至少第一oled像素以及第二oled像素包括
[0117]-阳极层，
[0118]-共同阴极层，
[0119]-至少一个有机层叠层，其包括
[0120]-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括
[0121]-至少共同第一半导体层，所述至少共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，
[0122]-至少共同第二半导体层，
[0123]-至少一个发光层，其可选地为共同发光层，并且
[0124]
其中所述共同空穴注入层以及所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述薄层电阻是由传输线方法确定的，其中共同空穴注入层以及共同第二半导体层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，所述共同第二半导体层直接沉积在所述共同空穴注入层上，以及共同空穴注入层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0125]
在本说明书中，当没有另外定义时，“空穴注入材料”是指能够促进空穴注入的材料，即正电荷从阳极优选地注入有机层(特别是空穴传输层)中，以及其中该材料如果存在，该材料能够在一定电流密度下降低工作电压。
[0126]
空穴注入材料可为金属化合物或有机化合物。
[0127]
当加入到半导体中时，空穴注入材料可提供从阳极至空穴传输基质的空穴注入，而不会实质上增加自由电荷载流子的浓度至高于与在纯基质中观察到的导电率对应的水平，或者可能够增加空穴传输材料或空穴传输层中正电荷载流子的密度。空穴注入材料可单独在层内使用或与空穴传输材料或空穴传输层结合使用。
[0128]
优选地，空穴注入材料是氧化还原掺杂剂，即当加入到半导体时能够增加空穴传输材料或空穴传输层中正电荷载流子的密度。
[0129]
根据一个实施方式，空穴注入层的本质层可以仅由或基本上由空穴注入材料组成。空穴注入材料与空穴传输材料或空穴传输基质化合物不同。
[0130]
术语“单独地一起测量”是指在没有oled显示器的其它层或共同层的情况下测量各自的层的薄层电阻。
[0131]
换言之，术语“单独地一起测量”是指在没有oled显示器的其它层或共同层的情况下，彼此层叠的各自的层的薄层电阻的测量。
[0132]
因此，术语“单独地一起测量”是指各自的共同层的结合的薄层电阻的测量，其中所述共同层在没有oled显示器的其它层或共同层的情况下彼此层叠。
[0133]
例如，在共同第一半导体层和共同第二半导体层的薄层电阻被单独地一起测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同第一半导体层和共同第二半导体层彼此层叠并且不存在其它层。
[0134]
在另一个实例中，在共同空穴注入层和共同第二半导体层的薄层电阻被单独地一起测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同空穴注入层和共同第二半导体层彼此层叠并且不存在其它层。
[0135]
在另一个实例中，在共同空穴半导体层和共同空穴传输层的薄层电阻被单独地一起测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同空穴注入层和共同空穴传输层彼此层叠并且不存在其它层。
[0136]
在另一个实例中，在共同第一半导体层、共同第二半导体层和共同第三半导体层的薄层电阻被单独地一起测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同第一半导体层、共同第二半导体层和共同第三半导体层彼此层叠并且不存在其它层。
[0137]
在另一个实例中，在共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层和共同发光层的薄层电阻被单独地一起测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层和共同发光层彼此层叠并且不存在其它层。
[0138]
在另一个实例中，在共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层和发光层的薄层电阻被单独地一起测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层和发光层彼此层叠并且不存在其它层。
[0139]
传输线方法
[0140]
薄层电阻rs是针对测试元件组上的给定沉积层叠层(参见图2)测量的，该测试元件组是由称为通道的测试元件所组成，该通道为两个高导电电极提供了彼此之间的间隙“l”并且每个电极的宽度“w”(参见图1)。为了改进噪声水平，可以使用大的“w”，并在指叉结构中形成电极，以减少面积要求(参见图3)。可靠的rs计算需要具有不同通道长度“l”的至少三个此类通道。
[0141]
测量以下列方式完成：
[0142]
第一电压在-5v到+5v之间以小于1v的步长扫描并测量电流。此测量期间的基底温度优选为23+/-2℃。使用线性拟合，x轴上的电流值和y轴上的电压值拟合斜率给出通道电阻“r”。对每个通道“n”重复此程序，导致通道“n”的“rn”具有间隙“ln”和宽度“w”。针对rs计算，宽度“w”必须在所有通道上保持不变。对于可靠的电阻值，拟合质量指数r2必须大于0.9。
[0143]
在第二步中，对于具有间隙“ln”通道绘制电阻“rn”，而且进行线性拟合。此拟合的斜率乘以通道宽度“w”，得出沉积层叠层的薄层电阻rs。此计算消除了从测量设置中接触电阻和串联电阻的影响。电极间隙应接近目标应用间隙，例如20μm、40μm、60μm。低导电层的通道宽度可为100000μm。
[0144]
测量是在带有ito电极的玻璃基底(corning eagle xg)上完成。使用基于水的界
面活性剂溶液进行湿式清洁并以吹氮干燥，然后在200℃于氮气氛中烘烤120分钟后，用氮等离子体调节基底。在有机层沉积之后，在电测量之前，使用包括干燥剂的封装玻璃盖封装样品。
[0145]
传输线方法是测量薄层电阻的常用方法，尤其被描述于：
[0146]-williams,ralph(1990).modern gaas processing methods.artech house.isbn 0890063435。
[0147]-schroder,dieter k.(2006).semiconductor material and device characterization.john wiley&sons.isbn 0471739065。
[0148]-reeves,g.k.,ieee electron device letters(volume:3,issue:5,may 1982),pages 113-133(https://ieeexplore.ieee.org/document/1482607)
[0149]
优选的薄层电阻测量
[0150]
在接触电阻远低于电极之间通道区域的电阻的情况下，则可以使用简化的薄层电阻测量方法。在具有例如103500μm的通道宽度w和80μm的通道长度l的电极对上，施加5v的电压v并使用keithley sm2635电源测量单元测量电流i。通道电阻r是通过公式r＝v/i计算得出。在接下来的步骤中，薄层电阻rs是通过rs＝r*w/l计算。薄层电阻是在23+/-2℃下测量。以图6中5v的80μm通道电流为实施例数据，得到r＝5v/1.33e.7a＝3.76e7 ohm以及rs＝r*w/l＝3.76e7ohm*103500μm/80μm＝48.6gohm/平方。
[0151]
替代的薄层电阻测量
[0152]
作为替代，可以依如下方式测量薄层电阻：
[0153]
根据图4，具有90nm ito和10欧姆/平方的薄层电阻的ito涂布基底用指叉结构图案化为。两个电极上的12个ito指叉结构总共形成23个导电区域：n＝23。指叉长度we为4.5mm。因此总通道宽度为103.5mm。通道长度w在20和80μm之间以20μm的步长变化。具有4种不同通道长度的电极对结合在尺寸为25x25mm2的一个基底上，如图5所示。有机层沉积在基底上，覆盖完整的指叉图案。在基底上，第一共同半导体层包括具有10nm厚度的至少一个空穴注入材料，例如第一共同半导体层是由掺杂的共价基质化合物组成的空穴注入层，合适的共价基质化合物描述于说明书中，通过共蒸发而沉积。温度范围取决于材料、并被汽化开始时的汽化温度和分解温度限制。这些值是材料参数，且这些值对于每一材料都不同。这些值通常介于50℃和500℃之间，大部分介于150℃和350℃之间。例如，共价基质化合物沉积以(埃/秒)的恒定速率及272℃的蒸发源温度进行。空穴注入材料源例如在174℃以工作。在该层上以的沉积速率及280℃的温度沉积厚度为128nm的第二共同半导体层，其为例如共同空穴传输层或共同电子阻挡层，其中优选是空穴传输层。在整个沉积工序期间，腔室压力为3e-7毫巴。然而，如上所述，使用的蒸发温度取决于汽化开始时的汽化温度和分解温度。有机材料的蒸发温度取决于材料，且通常在80℃和500℃之间。在有机层沉积后，使用带有集成干燥剂的玻璃盖将获得的基底层器件封装在填充氮气的手套箱中，以防止样品降解。
[0154]
在对应于给定通道长度的每个电极对上，以0.5v的步长施加-5v和+5v之间的电压并测量电流。这是使用keithley sm2635电源测量单元完成的。图6示出此测量的示例图。对应于给定通道长度的每次测量的斜率计算得出此通道长度的电阻rn。在对应的通道长度上绘制rn，计算该斜率并将其乘以103500μm的通道宽度，得出测量层叠层的薄层电阻rs。在给
定的实例中，470199欧姆/μm的斜率乘以103500μm的通道宽度。结果是48.7g欧姆/平方的薄层电阻。薄层电阻是在23℃和1013毫巴下测量的。
[0155]
共同层
[0156]
共同层是指在一个处理步骤中经由一个大掩模开口沉积在整个显示区域或至少两个像素的区域上的层和/或由在若干连续步骤中沉积的多个重叠区域组成的层，即使重叠层由不同的材料组成。
[0157]
根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，共同第二半导体层可为共同空穴传输层或共同电子阻挡层，更优选地，共同空穴注入层与第二共同半导体层(其为共同空穴传输层或共同电子阻挡层)直接接触；以及又更优选地，共同第二半导体层为共同空穴传输层。
[0158]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，多个共同半导体层还可包括共同第三半导体层，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。
[0159]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，多个共同半导体层还可包括共同第三半导体层，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0160]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，多个共同半导体层还可包括共同第三半导体层，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第三半导体层直接沉积在共同第二半导体层上，以及共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0161]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，共同第三半导体层可为共同电子阻挡层，其中共同第一半导体层为共同空穴注入层，以及共同第二半导体层为共同空穴传输层；以及其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)、共同第二半导体层(其为共同空穴传输层)以及共同第三半导体层(其为共同电子阻挡层)一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。
[0162]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，共同第三半导体层可为共同电子阻挡层，其中共同第一半导体层为共同空穴注入层，以及共同第二半导体层为共同空穴传输层；以及其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)、以及共同第二半导体层(其为共同空穴传输层)、以及共同第三半导体层(其为共同电子阻挡层)一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0163]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，共同第三半导体层可为共同电子阻挡层，其中共同第一半导体层为共同空穴注入层，以及共同第二半导体层为共同空穴传输层；以及其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)、以及共同第二半导体层(其为共同空穴传输层)、以及共同第三半导体层(其为共同电子阻挡层)一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第三半导体层直接沉积在共同第二
半导体层上，以及共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0164]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，共同第三半导体层可为共同电子阻挡层，其中共同第一半导体层为共同空穴注入层，以及共同第二半导体层为共同空穴传输层；以及其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)、以及共同第二半导体层(其为共同空穴传输层)、以及共同第三半导体层(其为共同电子阻挡层)一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方或≥50000千兆欧姆/平方。
[0165]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，共同第三半导体层可为共同电子阻挡层，其中共同第一半导体层为共同空穴注入层，以及共同第二半导体层为共同空穴传输层；以及其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)、以及共同第二半导体层(其为共同空穴传输层)、以及共同第三半导体层(其为共同电子阻挡层)一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0166]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，共同第三半导体层可为共同电子阻挡层，其中共同第一半导体层为共同空穴注入层，以及共同第二半导体层为共同空穴传输层；以及其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)、以及共同第二半导体层(其为共同空穴传输层)、以及共同第三半导体层(其为共同电子阻挡层)一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同第三半导体层直接沉积在共同第二半导体层上，以及共同第二半导体层直接沉积在共同第一半导体层上，以及共同第一半导体层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0167]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同第三半导体层(其为共同电子阻挡层)可被设置在共同第二半导体层(其为共同空穴传输层)以及发光层之间。
[0168]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中每个像素的该发光层掺杂有颜色定义的发光体掺杂剂，其中颜色定义的发光体掺杂剂的颜色是针对每个像素独立选择的或选择为相同。
[0169]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中第一oled像素的阳极层以及第二oled像素的阳极层可被像素定义层隔开，使得第一oled像素的阳极层以及第二oled像素的阳极层不形成为共同层且不互相接触。
[0170]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层可至少部分地设置成与阳极层直接接触，以及共同空穴传输层被设置在共同发光层以及共同空穴注入层之间。
[0171]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中每个单独的像素都可有它自己的阳极，该阳极可不接触其它单独像素的阳极。
[0172]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中每个单独的像素都可包括它自己的半导体层，该半导体层可不接触其它单独像素的半导体层，如果这些半导体层或多个半导体层不是共同半导体层。
[0173]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层可一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。
[0174]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及发光层可一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及发光层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0175]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及发光层可一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及发光层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，发光层直接沉积在共同第三半导体层上，以及共同第三半导体层直接沉积在共同第二半导体层上，以及共同第二半导体层直接沉积在共同空穴注入层上，以及共同空穴注入层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0176]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层可一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0177]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层可一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同发光层直接沉积在共同第三半导体层上，共同第三半导体层直接沉积在共同第二半导体层上，以及共同第二半导体层直接沉积在共同空穴注入层上，以及共同空穴注入层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0178]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层可一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方或≥50000千兆欧姆/平方。
[0179]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层可一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧
姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及发光层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0180]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层可一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及发光层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，发光层直接沉积在共同第三半导体层上，以及共同第三半导体层直接沉积在共同第二半导体层上，以及共同第二半导体层直接沉积在共同空穴注入层上，以及共同空穴注入层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0181]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层可一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0182]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层可一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同空穴注入层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同发光层直接沉积在共同第三半导体层上，共同第三半导体层直接沉积在共同第二半导体层上，以及共同第二半导体层直接沉积在共同发光层上，以及共同空穴注入层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0183]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵oled显示器包括多个oled像素，其中每个像素本身都包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，或多个有机层可形成多个半导体层，其中至少第一oled像素以及第二oled像素各自包括阳极层，其中
[0184]-第二oled像素以及第一oled像素的阳极层可选地由像素定义层隔开，并且其中至少第一oled像素以及至少第二oled像素包括共同阴极层以及至少一个有机层叠层，所述至少一个有机层叠层包括多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中
[0185]-有机层叠层的至少两个共同半导体层或所述多个半导体层被设置在所述共同阴极层以及阳极层之间，其中所述阳极层并非共同层，并且其中
[0186]-至少两个共同半导体层或所述多个共同半导体层包括至少第一共同半导体层(其为共同空穴注入层)、以及至少共同第二半导体层(其为共同空穴传输层或电子阻挡层)、以及至少一个发光层(其可选的为共同发光层)，以及优选地至少共同第二半导体层为共同空穴传输层，其中
[0187]-共同空穴注入层被至少部分地设置成与阳极层直接接触，以及至少共同第二半导体层(优选地，其为共同空穴传输层)被设置在发光层以及所述共同空穴注入层之间，其中发光层可选地为共同发光层；
[0188]
并且其中所述共同空穴注入层以及所述共同空穴传输层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。
[0189]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵oled显示器包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，或多个有机层可形成多个半导体层，其中至少第一oled像素以及第二oled像素各自包括阳极层，其中
[0190]-第二oled像素以及第一oled像素的阳极层可选地被像素定义层隔开，并且其中至少第一oled像素以及该至少第二oled像素包括共同阴极层以及至少一个有机层叠层，所述至少一个有机层叠层包括多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中
[0191]-有机层叠层的至少两个共同半导体层或所述多个半导体层被设置在所述共同阴极层以及阳极层之间，其中阳极层并非共同层，以及其中
[0192]-至少两个共同半导体层或所述多个共同半导体层包括至少第一共同半导体层(其为共同空穴注入层)、以及至少共同第二半导体层(其为共同空穴传输层或电子阻挡层)、以及至少发光层(其可选的为共同发光层)，以及优选地至少共同第二半导体层为共同空穴传输层，其中
[0193]-共同空穴注入层被至少部分地设置成与阳极层直接接触，以及至少共同第二半导体层(优选地，其为共同空穴传输层)被设置在发光层以及所述共同空穴注入层之间，其中发光层可选地为共同发光层；
[0194]
并且其中所述共同空穴注入层以及所述共同空穴传输层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述共同空穴注入层以及所述共同空穴传输层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0195]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵oled显示器包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，或多个有机层可形成多个半导体层，其中至少第一oled像素以及第二oled像素各自包括阳极层，其中
[0196]-第二oled像素以及第一oled像素的阳极层可选地被像素定义层分隔，以及其中至少第一oled像素以及至少第二oled像素包括共同阴极层以及至少一个有机层叠层，所述至少一个有机层叠层包括多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中
[0197]-有机层叠层的至少两个共同半导体层或所述多个半导体层被设置在所述共同阴极层以及阳极层之间，其中阳极层并非共同层，以及其中
[0198]-至少两个共同半导体层或所述多个共同半导体层包括至少第一共同半导体层(其为共同空穴注入层)、以及至少共同第二半导体层(其为共同空穴传输层或电子阻挡层)、以及至少发光层(其可选的为共同发光层)，以及优选地该至少共同第二半导体层为共同空穴传输层，其中
[0199]-共同空穴注入层被至少部分地设置成与该阳极层直接接触，以及至少共同第二半导体层(优选地，其为共同空穴传输层)被设置在发光层以及所述共同空穴注入层之间，其中发光层可选地为共同发光层；
[0200]
并且其中所述共同空穴注入层以及所述共同空穴传输层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中所述共同空穴注入层以及所述共同空穴传输层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，所述共同空穴传输层直接沉积在共同空穴注入层上，以及所述共同空穴注入层直接沉积在测量电极(优选地，ito电极)上。
[0201]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层以及共同空穴传输层一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方或≥50000千兆欧姆/平方。
[0202]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层以及共同空穴传输层一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同空穴注入层以及共同空穴传输层的薄层电阻被单独地一起测量。
[0203]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层以及共同空穴传输层一起具有选自下列的薄层电阻：≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同空穴注入层以及共同空穴传输层的薄层电阻被单独地一起测量，其中为了薄层电阻的测量，共同空穴传输层直接沉积在共同空穴注入层上，以及共同空穴注入层直接沉积在测量电极(优选地，ito)上。
[0204]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层可包含空穴注入材料，且共同空穴注入层选自以下：i-空穴注入层和/或空穴注入掺杂层，优选地，基于空穴注入材料掺杂的空穴注入层的重量，空穴注入材料的浓度为≥0.1重量％且≤40重量％、优选地≥0.5重量％且≤25重量％、更优选地≥1重量％且≤10重量％、以及更优选地≥1重量％且≤5重量％。
[0205]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同有机层叠层还可包括共同
电子传输层，优选地，共同电子传输层被设置在发光层和共同阴极层之间。
[0206]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同有机层叠层还包括共同有机层，所述共同有机层是选自：共同电子注入层、共同空穴阻挡层和/或电子传输层，优选地，共同电子注入层是与共同阴极层直接接触。
[0207]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中像素定义层不带正电和/或不是阳极或不包含阳极材料，优选地，像素定义层包括si基化合物sin、不带正电的寡聚物和/或聚合物材料。
[0208]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同第一半导体层(优选地，共同空穴注入层)可具有≥1nm且≤100nm、优选地≥2nm且≤50nm、更优选地≥3nm且≤40nm、更优选地≥4nm且≤30nm、更优选地≥5nm且≤20nm、更优选地≥6nm且≤15nm、更优选地≥8nm且≤10nm的层厚度。
[0209]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同第二半导体层(优选地，共同空穴传输层)可具有≥5nm且≤250nm、优选地≥10nm且≤240nm、更优选地≥15nm且≤230nm、更优选地≥20nm且≤220nm、更优选地≥25nm且≤210nm、更优选地≥30nm且≤200nm、更优选地≥35nm且≤190nm、更优选地≥40nm且≤180nm、以及优选地≥50nm且≤150nm的层厚度。
[0210]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同第二半导体层(优选地，共同空穴传输层)可包含化合物，所述化合物的最高占据分子轨道的能量的范围为《4.27ev至≥6.0ev、《4.3ev至≥5.5ev、优选地《-4.5ev至≥-5.4ev、更优选地《-4.6ev至≥5.3ev，该能量是参考真空能级为零以绝对标度表示的且使用程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和gaussian 6-31g*基组计算的。
[0211]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中电子阻挡层可包含化合物，所述化合物的最高占据分子轨道的能量的范围为《4.7ev至≥6.0ev、《4.8ev至≥5.5ev、优选地《-4.9ev至≥-5.4ev、更优选地《-5.0ev至≥5.3ev，该能量是参考真空能级为零以绝对标度表示的且使用程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和gaussian 6-31g*基组计算的。
[0212]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中电子阻挡层(ebl)可具有≥1nm且≤20nm、优选地≥2nm且≤18nm、更优选地≥3nm且≤16nm、更优选地≥4nm且≤14nm、更优选地≥5nm且≤12nm、更优选地≥6nm且≤11nm、更优选地≥7nm且≤10nm的层厚度。
[0213]
电子阻挡层(ebl)通常是5nm至10nm厚且具有低迁移率。》20nm的高厚度将会造成显著的电压损失。比5nm薄的层可无法充分阻挡并且不是优选的。
[0214]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中至少一个阳极层可包括第一阳极子层以及第二阳极子层，其中第一阳极子层包含第一金属，第一金属具有在≥4且≤6ev范围内的逸出功，以及第二阳极子层包含透明导电氧化物；以及第二阳极子层被设置为较靠近共同空穴注入层。
[0215]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵oled显示器包括驱动电路，所述驱动电路被配置成分别地驱动多个有机发光二极管像素的像素。
[0216]
根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)可包括具有最高占据能级e
第一
(homo)的化合物，并且共同第二半导体层(其优选
地是共同空穴传输层)可包括具有最高占据能级e
第二
(homo)的化合物，其中e
第一
(homo)≥e
第二
(homo)。根据一个实施方式，共同第二半导体层(其优选地为共同空穴传输层)中的化合物不是空穴注入材料。
[0217]
根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中共同第三半导体层(其可为共同电子阻挡层)可包括具有最低未占据能级e
第三
(lumo)的化合物，并且发光层可包括具有最低未占据能级e
eml
(lumo)的化合物，其中e
第三
(lumo)≥e
eml
(lumo)，其中优选地，共同第三半导体层中的化合物以及发光层中的化合物不是空穴注入材料，例如氧化还原掺杂剂。
[0218]
根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)可包括具有最高占据能级e
第一
(homo)的空穴注入材料，共同第二半导体层(其可为共同空穴传输层)可包括具有最高占据能级e
第二
(homo)的空穴传输化合物，共同第三半导体层(其可为共同电子阻挡层)可包括具有最高占据能级e
第三
(homo)的电子阻挡化合物，其中e
第一
(homo)≥e
第二
(homo)≥e
第三
(homo)，其中优选地，共同第二半导体层中的化合物以及共同第三半导体层中的化合物不是空穴注入材料。
[0219]
根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中共同第一半导体层(其为共同空穴注入层)可包括具有最高占据能级e
第一
(homo)的空穴注入材料，共同第二半导体层(其可为共同空穴传输层)可包括具有最高占据能级e
第二
(homo)的空穴传输化合物，共同第三半导体层(其可为共同电子阻挡层)可包括具有最高占据能级e
第三
(homo)的电子阻挡化合物，其中e
第一
(homo)＝e
第二
(homo)》e
第三
(homo)，其中优选地，共同第二半导体层中的化合物以及共同第三半导体层中的化合物不是空穴注入材料。
[0220]
根据有源矩阵oled显示器的一个实施方式，其中共同第二半导体层(其可为共同空穴传输层)可包括具有最高占据能级e
第二
(homo)以及最低未占据能级e
第二
(lumo)的空穴传输化合物，共同第三半导体层(其可为共同电子阻挡层)可包括具有最高占据能级e
第三
(homo)以及最低未占据能级e
第三
(lumo)的电子阻挡化合物，以及发光层可包括具有最高占据能级e
eml
(homo)以及最低未占据能级e
eml
(lumo)的化合物，其中
[0221]e第三(homo)-e
eml(homo)
《0.3ev
[0222]e第三(lumo)
》e
eml(lumo)
[0223]e第二(homo)
》e
第三(homo)
，假设e
第二(homo)
》e
eml(homo)
[0224]
以及
[0225]e第二(lumo)
》e
eml(lumo)
；其中优选地，共同第二半导体层中的化合物、共同第三半导体层中的化合物以及发光层中的化合物不是空穴注入材料。
[0226]
空穴注入材料
[0227]
根据有源矩阵oled显示器的另一个实施方式，其中共同空穴注入层包含是金属化合物的空穴注入材料，其中空穴注入材料可为金属络合物、共价金属化合物或离子化合物。根据一个实施方式，其中金属m的价数可以是0、1、2、3或4，优选地1、2、3或4。根据一个实施方式，其中金属m具有≥22da或者≥24da的原子质量。
[0228]
根据一个实施方式，其中空穴注入材料包含至少一种金属，其中金属m选自金属离子，其中对应的金属具有小于2.4、优选地小于2、更优选地小于1.9的根据艾伦的电负性值。因此，可以在有机电子器件中实现特别好的性能。
[0229]
术语“根据艾伦的电负性”特别参考allen,leland c.(1989).“electronegativity is the average one-electron energy of the valence-shell electrons in ground-state free atoms”.journal of the american chemical society.111(25):9003-9014。
[0230]
根据一个实施方式，m的价数n为1或2。
[0231]
根据一个实施方式，其中m选自金属离子，其中对应的金属具有小于2.4、优选地小于2、更优选地小于1.9的根据艾伦的电负性值，且金属m的价数为1或2。
[0232]
根据一个实施方式，其中金属m选自碱金属、碱土金属、稀土金属或过渡金属，或者m选自碱金属、碱土金属、第4周期或第5周期过渡金属。
[0233]
根据一个实施方式，其中金属m选自金属离子，其中对应的金属具有小于2.4、优选地小于2、更优选地小于1.9的根据艾伦的电负性值，且m选自碱金属、碱土金属、稀土金属、或第4周期或第5周期过渡金属，而且金属m具有≥22da或≥24da的原子量。
[0234]
根据一个实施方式，其中空穴注入材料为金属化合物，其中金属化合物选自包括至少一个金属阳离子和至少一个配体的化合物，或包括至少一个金属阳离子、至少一个配体以及另外至少一个碳原子、两个碳原子、三个碳原子或四个碳原子的化合物。
[0235]
根据一个实施方式，其中金属m选自：li、na、k、cs、mg、ca、sr、ba、al、in、bi、sc、ti、zr、hf、v、cr、mo、w、mn、re、fe、ru、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、la、ce、eu、或yb，优选地金属选自：al、bi、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、mo、ag、re、au或ce，且更优选地，金属选自：al、mn、fe、cu、mo、ag、au或ce。
[0236]
根据一个实施方式，其中金属m选自碱土金属、过渡金属或稀土金属，优选地cu(ii)、ag(i)、zn(ii)、fe(ii)、fe(iii)、ce(iv)，以及更优选地fe(ii)。
[0237]
根据一个实施方式，其中金属m选自：li、na、k、cs、mg、mn、cu、zn、ag和mo；优选地，m选自：na、k、cs、mg、mn、cu、zn和ag；还优选地m选自：na、k、mg、mn、cu、zn和ag，其中如果金属m是cu，则n为2。
[0238]
空穴注入材料是非发光的。在本说明书的上下文中，术语“基本上非发光的”或“非发光的”意指，空穴注入材料对来自有机电子器件(优选是oled或显示器件)的可见发光光谱的贡献相对于可见发光光谱为小于10％，优选小于5％。可见发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。
[0239]
半导体层
[0240]
至少第一共同半导体层(优选地共同hil)和至少第二共同半导体层(优选地共同htl)是非发光的。
[0241]
根据本发明的一个实施方式，至少一个共同半导体层(优选地第一共同层，优选地共同hil)可以被设置和/或提供为邻近阳极，其中阳极不形成为共同层。
[0242]
根据本发明的一个实施方式，至少一个共同半导体层与阳极直接接触，其中阳极不形成为共同层。每个单独的像素可有它自己的阳极，该阳极可不接触其它单独像素的阳极。
[0243]
根据本发明的一个实施方式，其中至少一个共同半导体层为共同空穴注入层。
[0244]
根据本发明的一个实施方式，其中至少一个共同半导体层为共同空穴注入层，所述共同空穴注入层由至少一种空穴注入材料组成或包含至少一种空穴注入材料。
[0245]
在至少一个共同半导体层是共同空穴注入层和/或被设置和/或提供为邻近阳极
的情况下，其中阳极不形成为共同层，则优选该层基本上由至少一种空穴注入材料组成。
[0246]
根据一个优选实施方式，空穴注入材料仅针对诸如金属化合物之类的化合物，如果存在一定电流密度，其能够在一定电流密度下降低电压。这意味着包括金属化合物的空穴注入材料能够促进空穴的注入。
[0247]
基质化合物
[0248]
根据一个实施方式，其中半导体层可包含至少一种基质化合物，其中所述至少一种基质化合物是非聚合化合物，优选地，所述基质化合物是共价基质化合物或基本上共价的基质化合物。
[0249]
优选地，至少一个共同半导体层包含共价基质化合物或基本上共价的基质化合物。
[0250]
除了空穴注入材料之外，空穴注入层还可包含至少一种基质共价基质化合物和/或至少一种基本上共价的基质化合物。
[0251]
共价基质化合物的优选实施方式是有机化合物，主要由共价结合的c、h、o、n、s组成，其还可以任选地包含共价结合的b、p、as、se。包含共价键碳-金属的有机金属化合物、包含有机配体的金属络合物以及有机酸的金属盐是可作为有机共价基质化合物或基本上共价的基质化合物的有机化合物的其它实施方式。
[0252]
在一个实施方式中，其中共价基质化合物或基本上共价的基质化合物缺乏金属原子，而且其大部分骨架原子选自c、o、s、n。或者，共价基质化合物或基本上共价的基质化合物缺乏金属原子，而且其大部分骨架原子选自c和n。
[0253]
根据一个实施方式，基本上共价的基质化合物可具有≥400且≤2000g/mol的分子量mw，优选地为≥450以及≤1500g/mol的分子量mw，更优选地为≥500以及≤1000g/mol的分子量mw，更加优选地为≥550以及≤900g/mol的分子量mw，再更优选地为≥600以及≤800g/mol的分子量mw。
[0254]
在一个实施方式中，其中当在相同条件下测定时，共价基质化合物或基本上共价的基质化合物的homo能级可以比n2,n2,n2',n2',n7,n7,n7',n7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺(cas207739-72-8)的homo能级更负。
[0255]
在一个实施方式中，其中共价基质化合物或基本上共价的基质化合物的所计算homo能级可以比-4.27ev更负、优选地比-4.3ev更负、或者比-4.5ev更负、或者比-4.6更负ev、或者比-4.65ev更负。
[0256]
根据另一方面，半导体层还包含具有氧化电位的共价基质化合物或基本上共价的基质化合物，当通过在二氯甲烷中的循环伏安法对fc/fc+进行测量时，所述氧化电位比-0.2v更正且比1.22v更负，优选地比-0.18v更正且比1.12v更负。在这些条件下，螺-meo-tad(cas207739-72-8)的氧化电位为-0.07v。
[0257]
在一个实施方式中，其中在相同条件下测定时，共价基质化合物或基本上共价的基质化合物的homo能级可比n2,n2,n2',n2',n7,n7,n7',n7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺双[芴]-2,2',7,7'-四胺(cas207739-72-8)的homo能级更负，且比n4,n4”'-二(萘-1-基)-n4,n4”'-二苯基-[1,1':4',1”:4”,1”'-联四苯]-4,4”'-二胺的homo能级更正。
[0258]
在一个实施方式中，其中共价基质化合物或基本上共价的基质化合物可以不含烷氧基。
[0259]
当使用turbomole v6.5(turbomole gmbh,litzenhardtstrasse 19,76135karlsruhe，德国)通过在气相中应用杂化泛函b3lyp和6-31g*基组计算时，以绝对标度(表示真空能级为零)表示的共价基质化合物或基本上共价的基质化合物的homo能级可以在《-4.27ev且≥-5.3ev的范围内选择、或者在《-4.3ev且≥-5.3ev的范围内选择、或者在《-4.5ev且≥-5.3ev的范围内选择、或者在《-4.6ev且≥-5.3ev的范围内选择。
[0260]
在一个实施方式中，其中当使用turbomole v6.5(turbomole gmbh,litzenhardtstrasse 19,76135karlsruhe，德国)通过在气相中应用杂化泛函b3lyp和6-31g*基组计算时，以绝对标度(表示真空能级为零)表示的共价基质化合物或基本上共价基质化合物的所计算homo能级可以在《-4.27ev且》-4.84ev的范围内选择、或者在《-4.3ev且》-4.84ev的范围内选择、或者在《-4.5ev且》-4.84ev的范围内选择、或者在《-4.5ev且》-4.84ev的范围内选择、或者在《-4.6ev且》-4.84ev的范围内选择。
[0261]
在一个实施方式中，其中当使用turbomole v6.5(turbomole gmbh,litzenhardtstrasse 19,76135karlsruhe，德国)通过在气相中应用杂化泛函b3lyp和6-31g*基组计算时，以绝对标度(表示真空能级为零)表示的共价基质化合物或基本上共价基质化合物的所计算homo能级可以在《-4.27ev且》-4.8ev的范围内选择、或者在《-4.3ev且》-4.8ev的范围内选择、或者在《-4.5ev且》-4.8ev的范围内选择、或者在《-4.5ev且》-4.8ev的范围内选择、或者在《-4.6ev且》-4.8ev的范围内选择、或者在《-4.65ev且》-4.8ev的范围内选择。
[0262]
优选地，共价基质化合物或基本上共价的基质化合物包括至少一种芳基胺化合物、或者二芳基胺化合物、或者三芳基胺化合物。根据有机电子器件的实施方式，其中共同空穴注入层和/或共同空穴传输层可包含二芳基胺化合物、或者三芳基胺化合物。
[0263]
根据有机电子器件的一个实施例，其中共同空穴注入层和/或共同空穴传输层可包含式(2)或式(3)的化合物：
[0264][0265]
其中
[0266]
t1、t2、t3、t4以及t5独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选
单键或苯亚基；
[0267]
t6选自取代的或未取代的苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，其中苯亚基上的取代基选自c6至c
18
芳基、c3至c
18
杂芳基、苯基、联苯、咔唑、苯基咔唑，优选地联苯或9-苯基咔唑；
[0268]
ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5独立地选自取代的或未取代的c6至c
20
芳基、或取代的或未取代的c3至c
20
杂芳亚基、取代的或未取代的联二苯叉、取代的或未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、取代的或未取代的萘、取代的或未取代的蒽、取代的或未取代的菲、取代的或未取代的芘、取代的或未取代的苝、取代的或未取代的联三苯叉、取代的或未取代的并四苯、取代的或未取代的苯并蒽、取代的或未取代的二苯并呋喃、取代的或未取代的二苯并噻吩、取代的或未取代的呫吨、取代的或未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、取代的或未取代的氮杂环庚熳、取代的或未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚熳、取代的或未取代的9,9'-螺二[芴]、取代的或未取代的9,9'-螺二[芴](具有至少一个稠合芳族环)、取代的或未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]、取代的或未取代的芳族稠合环系(包括两个芳族6元环以及两个芳族5元环，其中至少一个5元环包括杂原子)、取代的或未取代的芳族稠合环系(包括两个芳族6元环以及两个芳族5元环，其中至少一个5元环包括氧原子)、或取代的或未取代的芳族稠合环系(包括至少三个取代的或未取代的芳族环，选自以下：取代的或未取代的非杂5元环、取代的或未取代的杂5元环、取代的或未取代的6元环和/或取代的或未取代的7元环)、取代的或未取代的芴、取代的或未取代的芴(具有增环的取代的或未取代的杂环系或非杂环系，其包括2至6个取代的或未取代的5、6或7元环)、或是包括2至6个取代的或未取代的5至7元环的稠合环系，而且这些环选自以下：(i)不饱和5至7元环的杂环，(ii)5至6元的芳族杂环，(iii)不饱和5至7元环的非杂环，(iv)6元环的芳族非杂环)；
[0269]
其中ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5的取代基相同或不同地选自：h、d、f、c(＝o)r2、cn、si(r2)3、p(＝o)(r2)2、or2、s(＝o)r2、s(＝o)2r2、具有1至20个碳原子的取代的或未取代的直链烷基、具有1至20个碳原子的取代的或未取代的支链烷基、具有3至20个碳原子的取代的或未取代的环状烷基、具有2至20个碳原子的取代的或未取代的烯基或炔基基团、具有1至20个碳原子的取代的或未取代的烷氧基基团、具有6至40个芳族环原子的取代的或未取代的芳族环系、以及具有5至40个芳族环原子的取代的或未取代的杂芳族环系、未取代的c6至c
18
芳基、未取代的c3至c
18
杂芳基、稠合环系(包括2至6个未取代的5至7元环，而且这些环是选自以下：不饱和的5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和的5至7元环的非杂环、以及6元环的芳族非杂环)，
[0270]
其中r2选自h、d、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基基团、c6至c
18
芳基或c3至c
18
杂芳基。
[0271]
优选地，若没有另外定义，则ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5的取代基相同或不同地选自：h、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基基团、具有1至6个碳原子的烷氧基基团、c6至c
18
芳基、c3至c
18
杂芳基、稠合环系(包括2至4个未取代的5至7元环，而且这些环选自以下：不饱和的5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和的5至7元环的非杂环、以及6元环的芳族非杂环)；更优选地，取代基相同或不同地选自：h、具有1至4个碳原子的直链烷基、具有1至4个
碳原子的支链烷基、具有3至4个碳原子的环状烷基和/或苯基。
[0272]
因此，式(2)或(3)化合物可具有适合大量生产的标准起始温度。
[0273]
根据有机电子器件的一个实施例，其中共同空穴注入层和/或共同空穴传输层(优选地为共同空穴注入层或共同空穴传输层的基质化合物)可包含式(2)或式(3)的化合物：
[0274][0275]
其中
[0276]
t1、t2、t3、t4以及t5可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；
[0277]
t6为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；
[0278]
ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5可独立地选自未取代的c6至c
20
芳基、或未取代的c3至c
20
杂芳亚基、未取代的联二苯叉、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚熳、未取代的二苯并[b，f]氮杂环庚熳、未取代的9,9'-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]、或未取代的芳族稠合环系(包括至少三个未取代的芳族环，其选自以下：未取代的非杂5元环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的7元环)、未取代的芴、或稠合环系(包括2至6个未取代的5至7元环，而且这些环选自以下：(i)不饱和的5至7元环的杂环，(ii)5至6元的芳族杂环，(iii)不饱和的5至7元环的非杂环，以及(iv)6元环的芳族非杂环)。
[0279]
根据有机电子器件的一个实施例，其中共价基质化合物或基本共价的基质化合物(优选地为空穴注入层或共同空穴传输层的共价基质化合物或基本共价基质化合物)可包含式(2)或式(3)的化合物：
[0280][0281]
其中
[0282]
t1、t2、t3、t4以及t5可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；
[0283]
t6为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；
[0284]
ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5可独立地选自未取代的c6至c
20
芳基、或未取代的c3至c
20
杂芳亚基、未取代的联二苯叉、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚熳、未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚熳、未取代的9,9'-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]。
[0285]
因此，式(2)或(3)的化合物可以具有适合大量生产的标准起始温度。
[0286]
根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4以及t5可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4以及t5可独立地选自苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基，而且t1、t2、t3、t4以及t5之一是单键。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4以及t5可独立地选自苯亚基、联苯亚基，而且t1、t2、t3、t4以及t5之一是单键。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4以及t5可独立地选自苯亚基或联苯亚基，而且t1、t2、t3、t4以及t5中的两个是单键。
[0287]
根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4以及t5、或t1、t2以及t3可独立地选自苯亚基，而且t1、t2、t3、t4以及t5之一、或t1、t2以及t3之一是单键。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4以及t5、或t1、t2以及t3可独立地选自苯亚基，而且t1、t2、t3、t4以及t5中的两个，或t1、t2以及t3中的两个是单键。
[0288]
根据一个实施方式，其中t6可为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基。根据一个实施例，其中t6可为苯亚基。根据一个实施方式，其中t6可为联苯亚基。根据一个实施方式，其中t6可为三联苯亚基。
[0289]
根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5可独立地选自d1至d16：
[0290][0291][0292]
其中星号“*”表示结合位置。
[0293]
根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5可独立地选自d1至d15；可替代地，选自d1至d10以及d13至d15。
[0294]
根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5可独立地选自以下：d1、d2、d5、d7、d9、d10、d13至d16。
[0295]
当ar1、ar2、ar3、ar4以及ar5在适合大量生产的范围内选择时，标准起始温度可以在此范围内。
[0296]“式(2)或式(3)的共价基质化合物”可用于共同空穴注入层和/或可用作共同空穴传输化合物的基质化合物。
[0297]
根据一个实施例，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括包含芳族杂环的至少≥1至≤6个的取代的或未取代的芳族稠合环系。
[0298]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括包含芳族杂环的至少≥1至≤6个的取代的或未取代的芳族稠合环系、以及至少≥1至≤3个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环，优选地包含芳族杂环的≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系。
[0299]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括包含芳族杂环的至少≥1至≤6个的取代的或未取代的芳族稠合环系、以及至少≥1至≤3个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环，优选地包含芳族杂环的≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及至少≥1至≤3个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环，更优选地包含芳族杂环的3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及任选的至少≥1至≤3个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环，而且进一步优选地，其中包括芳族杂环的芳族稠合环系是未取代的，且任选的至少≥1至≤3个未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0300]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系、且更优选地3至4个取代的或未取代的芳族稠合环系。
[0301]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳香稠合环系、而且更优选地3至4个取代的或未取代的芳族稠合环系统，其包括取代的或未取代的杂芳族环。
[0302]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0303]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和7元环的杂环。
[0304]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物或基本上共价的基质化合物的取代的或未取代的芳族稠合环系可包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0305]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物或基本上共价的基质化合物的取代的或未取代的芳族稠合环系可包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和7元环的杂环。
[0306]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及更优选地3至4个取代的或未取代的芳族稠合环系，以及其中该芳族稠合环系包括取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0307]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及更优选地3至4个取代的或未取代的芳族稠合环系，该芳族稠合环系包括取代的或未取代的杂芳族环，以及其中芳族稠合环系包括取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0308]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及更优选地3至4个取代的或未取代的芳族稠合环系，以及其中芳族稠合环系包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0309]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及更优选地3至4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其包括取代的或未取代的杂芳族环，以及其中芳族稠合环系包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0310]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括：
[0311]-具有至少≥2至≤6个、优选地≥3至≤5个、或4个稠合芳族环的取代的或未取代的芳族稠合环系，该稠合芳族环选自以下：取代的或未取代的非杂芳族环、取代的或未取代的杂5元环、取代的或未取代的6元环和/或取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环；或
[0312]-具有至少≥2至≤6个、优选地≥3至≤5个、或4个稠合芳族环的未取代的芳族稠合环系，该稠合芳族环选自以下：未取代的非杂芳族环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0313]
在此应注意，术语“芳族稠合环系”可包括至少一个芳族环以及至少一个取代的或未取代的不饱和5至7元环。在此应注意，取代的或未取代的不饱和5至7元环可以不是芳族环。
[0314]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个、优选地≥2至≤5个、或更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其具有：
[0315]-至少一个不饱和5元环，和/或
[0316]-至少一个不饱和6元环，和/或
[0317]-至少一个不饱和7元环；其中，优选地至少一个不饱和5元环和/或至少一个不饱和7元环包括至少1至3个(优选地1个)杂原子。
[0318]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6、优选地≥2至≤5、或更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其具有：
[0319]-至少一个芳族5元环，和/或
[0320]-至少一个芳族6元环，和/或
[0321]-至少一个芳族7元环；其中，优选地至少一个芳族5元环和/或至少一个芳族7元环包括至少1至3(优选地1)个杂原子；
[0322]
其中取代的或未取代的芳族稠合环系包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。
[0323]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括：
[0324]-至少≥6至≤12、优选地≥7至≤11、更优选地≥8至≤10或9个芳族环；和/或
[0325]-至少≥4至≤11、优选地≥5至≤10、更优选地≥6至≤9、或再更优选地7或8个芳族非杂环，优选地芳族非杂环是芳族c6环；和/或
[0326]-至少≥1至≤4、优选地2或3个芳族5元环、优选地杂芳族5元环；和/或
[0327]-至少1或2个不饱和5至7元环的杂环、优选地至少1或2个不饱和7元环的杂环；
[0328]-至少≥6至≤12、优选地≥7至≤11、更优选地≥8至≤10或9个芳族环，其中由此
[0329]
至少≥4至≤11、优选地≥5至≤10、更优选地≥6至≤9、或再更优选地7或8个芳族环是芳族非杂环，以及
[0330]
至少≥1至≤4、优选地2或3个芳族环是芳族杂环，其中芳族非杂环以及芳族杂环的总数不超过12个芳族环；和/或
[0331]-至少≥6至≤12、优选地≥7至≤11、更优选地≥8至≤10或9个芳族环，其中由此
[0332]
至少≥4至≤11、优选地≥5至≤10、更优选地≥6至≤9、或再更优选地7或8个芳族环是芳族非杂环，以及
[0333]
至少≥1至≤4、优选地2或3个芳族环是芳族杂环，其中芳族非杂环以及芳族杂环
的总数不超过12个芳族环；以及
[0334]
根据式(1)的共同空穴注入层或共同空穴传输层包括至少≥1至≤4、优选地2或3个芳族5元环、优选地杂芳族5元环，和/或
[0335]
根据式(1)的化合物包括至少1或2个不饱和5至7元环的杂环、优选地至少1或2个不饱和7元环的的杂环。
[0336]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包含杂原子，其可以选自以下：o、s、n、b或p，优选地，杂原子可选自以下：o、s或n。
[0337]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6、优选地≥2至≤5、或更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其具有：
[0338]-至少一个芳族5元环，和/或
[0339]-至少一个芳族6元环，和/或
[0340]-至少一个芳族7元环；其中优选地至少一个芳族5元环和/或至少一个芳族7元环包括至少1至3、优选地1个杂原子；
[0341]
其中取代的或未取代的芳族稠合环系任选地包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环；而且其中取代的或未取代的芳族稠合环系包含杂原子，其可以选自以下：o、s、n、b、p或si，优选地，杂原子可以选自以下：o、s或n。
[0342]
根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质共价化合物可以不含不是芳族环的一部分和/或不饱和7元环的一部分的杂原子，优选地，除了n原子是芳族环的一部分或不饱和7元环的一部分，根据式(1)的化合物可以不含n原子。
[0343]
根据一个实施方式，其中根据式(1)的共价基质化合物包含至少一个萘基基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团和/或取代的芴基基团，其中取代基独立地选自甲基、苯基或芴基。
[0344]
根据电子器件的一个实施方式，其中共价基质化合物或基本上共价的基质化合物选自f1至f21：
[0345]
[0346]
[0347]
[0348]
[0349]
[0350][0351]
基质化合物可适合使用于选自f22至f25的电子阻挡层中：
[0352]
[0353][0354]
空穴注入层的共价基质化合物可以不含htm014、htm081、htm163、htm222、el-301、htm226、htm355、htm133、htm334、htm604以及el-22t。缩写表示制造商的名称，例如merck或lumtec。
[0355]
根据一个更优选实施方式，共价基质化合物或基本上共价的基质化合物具有如表1所示的式(t-1)至(t-6)。
[0356]
表1
[0357]
[0358][0359]
根据另一方面，至少第一共同半导体层(优选地为共同hil)和/或共同第二半导体层(优选地htl)可包含共价基质化合物或基本上共价的基质化合物，而且可包含至少约≥0.1重量％至约≤50重量％、优选地约≥1重量％至约≤25重量％以及更优选地约≥2重量％至约≤15重量％的共价基质化合物或基本上共价的基质化合物，优选地为式(2)或式(3)的共价基质化合物或基本上共价的基质化合物。
[0360]
根据一个实施方式，其中共同半导体层被设置在阳极层以及发光层之间，优选地共同半导体层为共同空穴注入层，或共同半导体层为共同空穴注入层以及共同空穴传输层。
[0361]
另外的层
[0362]
根据本发明，除了上面已经提及的层外，有机发光二极管还可包括另外的层或共同层。下面描述各个层或共同层的示例性实施方式：
[0363]
基底
[0364]
基底可以是在制造电子器件(优选是有机发光二极管)中通常使用的任何基底。如果经由基底发出，则该基底应是透明的或半透明材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果光是经由顶面发出的，则该基底可以是透明材料及非透明材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底或硅基底。
[0365]
阳极电极
[0366]
每个单独的像素可具有它自己的阳极，该阳极可不与其它单独像素的阳极接触。
[0367]
阳极电极亦称为阳极层，其可通过沉积或溅射用于形成阳极电极的材料来形成。阳极或阳极层并不形成为共同阳极层。用于形成阳极电极的材料可为高逸出功材料，以促进空穴注入。阳极材料亦可选自低逸出功材料(即，铝)。阳极电极可为透明或反射电极。可使用透明导电氧化物(优选为氧化锡铟(ito)、氧化铟锌(izo)、二氧化锡(sno2)、氧化锌铝(alzo)、以及氧化锌(zno))来形成阳极电极。亦可使用金属(典型地，银(ag)、金(au))或金属合金来形成阳极电极。
[0368]
根据一个实施方式，其中阳极层可包括第一阳极子层、第二阳极子层和可选地第三阳极子层，第一阳极子层包含ag或au或由ag或au组成，第二阳极子层包含ito或izo或由ito或izo组成，第三阳极子层包含ito或izo或由ito或izo组成。优选地，第一阳极子层可包含ag或由ag组成，第二阳极子层可包含ito或由ito组成，并且第三阳极子层可包含ito或由ito组成。优选地，第二和第三阳极子层中的透明导电氧化物可被选择为相同。
[0369]
根据一个实施方式，其中阳极层可包括第一阳极子层、第二阳极子层及第三阳极子层，第一阳极子层包含ag或au且具有100至150nm的厚度，第二阳极子层包含ito或izo且具有3至20nm的厚度，第三阳极子层包含ito或izo且具有3至20nm的厚度。
[0370]
阳极子层
[0371]
阳极层可包括第一阳极子层以及第二阳极子层，其中第一阳极子层包含第一金属，第一金属具有在≥4且≤6ev范围内的逸出功，并且第二阳极子层包含透明导电氧化物(tco)。
[0372]
每个单独的像素可有它自己的阳极，该阳极可不接触其它单独像素的阳极。阳极子层不形成为共同层。
[0373]
根据一个实施方式，阳极层包括第一阳极子层和第二阳极子层以及可选的第三阳极子层，其中第一阳极子层包含具有的逸出功在≥4且≤6ev范围内的第一金属，并且第二阳极子层包含透明导电氧化物(tco)；其中，空穴注入层被设置在第一发光层与阳极层之间，第一子阳极层被设置为较靠近基底，且第二子阳极层被设置为较靠近空穴注入层。
[0374]
第一阳极子层
[0375]
根据一个实施方式，其中第一阳极子层的第一金属可以具有在≥4.2和≤6ev范围内的逸出功。第一金属可以选自金属或金属合金。
[0376]
根据一个实施方式，其中第一阳极子层的第一金属可以选自以下：ag、mg、al、cr、pt、au、pd、ni、nd、ir，优选地选自ag、au或al，并且更优选地选自ag。
[0377]
第一阳极子层可以具有在5至200nm、或者8至180nm、或者8至150nm、或者100至150nm的范围内的厚度。
[0378]
可以通过真空热蒸发沉积第一金属来形成第一阳极子层。
[0379]
应当理解，第一阳极层不是基底的一部分。
[0380]
第二阳极子层
[0381]
根据一个实施方式，其中透明导电氧化物可以选自：氧化锡铟(ito)或氧化铟锌(izo)，更优选地选自氧化锡铟(ito)，优选地选自ito或izo。
[0382]
第一阳极子层可以具有在3至200nm、或者3至180nm、或者3至150nm、或者3至20nm的范围内的厚度。
[0383]
第二阳极子层可以通过透明导电氧化物的溅射形成。
[0384]
第三阳极子层
[0385]
根据一个实施方式，有机发光二极管的阳极层可包括第一阳极子层、第二阳极子层和第三阳极子层的至少三个阳极子层。根据一个实施方式，除了第一和第二阳极子层之外，有机发光二极管的阳极层可包括第三阳极子层，其中第三阳极子层包含透明导电氧化物，其中第三阳极子层可被设置在基底和第一阳极子层之间。
[0386]
第三阳极子层可具有在3至200nm、或者3至180nm、或者3至150nm、或者3至20nm的范围内的厚度。
[0387]
第三阳极子层可以通过透明导电氧化物的溅射形成。
[0388]
应当理解，第三阳极层不是基底的一部分。
[0389]
空穴注入层
[0390]
共同空穴注入层(hil)可为oled显示器中的多个oled像素形成。在一个实施方式中，共同hil可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0391]
每个单独的像素都可有它自己的阳极，该阳极可不接触其它单独像素的阳极。
[0392]
此外，有源oled显示器具有驱动电路，所述驱动电路被配置成分别地驱动提供在oled显示器中的多个像素的单独像素。在一个实施方式中，分别地驱动的步骤可以包括施加到单独像素的驱动电流的分别控制。
[0393]
共同hil可包含空穴注入材料或者由空穴注入材料制成，其中空穴注入材料可包括金属化合物。根据一个实施方式，空穴注入层包含空穴注入材料和可选的基质化合物。
[0394]
根据另一个实施方式，空穴注入层另外包含可以是有机化合物的基质化合物。
[0395]
空穴注入材料优选是有机化合物和/或金属化合物。
[0396]
应当理解，hil材料由一种或多种空穴注入化合物组成，而术语空穴注入材料是本技术案通篇使用于所有半导体材料的更广泛的术语，所述半导体材料包括提供从阳极到空穴传输基质的空穴的注入的至少一种空穴注入材料化合物，当加入到半导体中时不会实质上增加自由电荷载流子的浓度至高于对应于在纯基质中观察到的导电率的水平、或可能够增加空穴传输材料或空穴传输层中正电荷载流子的密度。
[0397]
作为空穴注入材料的金属化合物的lumo能级(其参考真空能级为零以绝对标度表示)可以比共价基质化合物或基本上共价基质化合物的最高homo能级高出至少150mev、至少200mev、至少250mev、至少300mev、或至少350mev。
[0398]
作为空穴注入材料的金属化合物的lumo能级(其参考真空能级为零以绝对标度表示)可以比共价基质化合物或基本上共价基质化合物的最高homo能级高出少于1000mev、少于750mev、600mev、少于550mev、少于500mev、少于450mev或少于400mev。
[0399]
当使用turbomole v6.5(turbomole gmbh,litzenhardtstrasse 19,76135karlsruhe，德国)计算时，通过在气相中应用杂化泛函b3lyp和6-31g*基组，以参考真空能级为零的绝对标度表示的作为空穴注入材料的有机化合物的lumo能级可选自≤-3.5ev、≤-3.6ev、≤-3.7ev、≤-3.8ev、≤-3.9ev、≤-4.0ev、≤-4.5ev、≤-4.6ev、≤-4.7ev、≤-4.8ev、≤-4.85ev、以及≤-4.9ev。
[0400]
共同空穴注入层的厚度可为≥1nm且≤100nm、优选地为≥2nm且≤50nm、更优选地
为≥3nm且≤40nm、更优选地为≥4nm且≤30nm、更优选地为≥5nm且≤20nm、更优选地为≥6nm且≤15nm、更优选地为≥8nm且≤10nm。
[0401]
hil可以被形成为多个像素或至少两个像素的共同hil。共同hil可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0402]
空穴注入层(hil)可例如通过真空沉积、旋转涂布、印刷、浇铸、狭缝式模头涂布、朗缪-布洛杰特沉积(langmuir-blodgett(lb))沉积等被形成为阳极电极上的共同空穴注入层(hil)，其中阳极电极不形成为共同阳极电极层。当使用真空沉积形成hil时，沉积条件可根据用于形成hil的化合物以及共同hil的期望结构及热性能而变化。然而，一般而言，用于真空沉积的条件可包括：100℃至500℃的沉积温度、10-8
至10-3
托的压力(1托等于133.322pa)以及0.1至10nm/秒的沉积速率。
[0403]
当使用旋转涂布或印刷形成共同hil时，涂布条件可根据用于形成共同hil的化合物以及hil的期望结构及热性能而变化。例如，涂布条件可包括约2000rpm至约5000rpm的涂布速度以及约80℃至约200℃的热处理温度。进行涂布后，热处理去除溶剂。
[0404]
可用于形成共同hil的化合物的实例包括酞青化合物(优选为酞菁铜(cupc))、4,4',4"-三(3-甲基苯苯基胺基)三苯基胺(m-mtdata)、tdata、2t-nata、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙叉二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)以及聚苯胺/聚4-苯乙烯磺酸(pani/pss)。
[0405]
共同hil可包含空穴注入材料或由空穴注入材料组成，该空穴注入材料可选自四氟四氰基醌二甲烷(f4tcnq)、2,2’(全氟萘-2,6-二亚甲基)二丙二腈、或2,2',2"-(环丙烷-1,2,3-三亚甲基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)，但不限于此。共同hil可选自以空穴注入材料掺杂的空穴传输共价基质化合物。
[0406]
已知的掺杂空穴传输材料的典型实例为：酞菁铜(cupc)，其homo能级为约-5.2ev，掺杂有四氟四氰基醌二甲烷(f4tcnq)，其lumo能级为约-5.2ev；掺杂有f4tcnq的酞菁锌(znpc)(homo＝-5.2ev)；掺杂有f4tcnq的α-npd(n,n'-双(萘-1-基)-n,n'-双(苯基)-联苯胺)。掺杂有2,2'-(全氟萘-2,6-二亚甲基)二丙二腈的α-npd。空穴注入材料浓度可以选自1至20重量％，更优选地选自3重量％至10重量％。
[0407]
根据有机电子器件的一个实施方式，其中共同空穴注入层可包括第一共同空穴注入子层以及第二共同空穴注入子层，第一共同空穴注入子层包含根据本发明的金属化合物，第二共同空穴注入子层包含共价基质化合物或基本上共价的基质化合物。
[0408]
根据有机电子器件的另一个实施方式，其中共同空穴注入层可包括共同第一空穴注入子层以及共同第二空穴注入子层，共同第一空穴注入子层包含根据本发明的空穴注入材料，共同第二空穴注入子层包含基质化合物，该基质化合物是共价基质化合物或基本上共价基质化合物，其中共同第一空穴注入子层被设置为较靠近包括第一阳极子层和第二阳极子层的阳极层，且第二共同空穴注入子层被设置为较靠近至少一个发光层。
[0409]
根据一个实施方式，其中被设置为较靠近阳极层的共同第一空穴注入子层被掺杂且第二空穴注入子层不被掺杂。
[0410]
根据有机电子器件的一个实施方式，其中共同空穴注入层可包括第一共同空穴注入子层以及第二共同空穴注入子层，第一共同空穴注入子层包含根据本发明的空穴注入材料，第二共同空穴注入子层包含基质化合物，该基质化合物包括至少一种芳基胺化合物、二
芳基胺化合物、三芳基胺化合物，其中第一共同空穴注入子层被设置为较靠近阳极层，且第二共同空穴注入子层被设置为较靠近至少一个发光层。
[0411]
根据有机电子器件的一个实施方式，其中共同空穴注入层可包括第一空穴注入子层以及第二共同空穴注入子层，第一空穴注入子层包含根据本发明的空穴注入材料，第二共同空穴注入子层包含基质化合物，该基质化合物包括至少一种芳基胺化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物，其中第一空穴注入子层被设置为较靠近包括第一阳极子层和第二阳极子层的阳极层，且第二空穴注入子层被设置为较靠近至少一个发光层。
[0412]
根据一个实施方式，空穴注入层材料可以选自式h1至h20的化合物：
[0413]
[0414]
[0415][0416]
空穴传输层(htl)
[0417]
htl可以形成为多个像素或至少两个像素的共同htl。共同htl可以在oled显示器中的多个像素的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0418]
空穴传输层(htl)可通过真空沉积、旋转涂布、狭缝式模头涂布、印刷、浇铸、朗缪-布洛杰特(lb)沉积等形成于共同hil上。
[0419]
空穴传输层可被形成为共同空穴传输层。
[0420]
当空穴传输层(htl)或是共同空穴传输层(htl)通过真空沉积或旋转涂布形成时，沉积及涂布的条件可与hil的形成条件相似。然而，用于真空或溶液沉积的条件可根据用于形成空穴传输层(htl)或是共同空穴传输层(htl)的化合物而变化。
[0421]
在一个实施方式中，其中有机发光二极管还包含空穴传输层(htl)或共同空穴传输层(htl)，其中空穴传输层(htl)或共同空穴传输层(htl)被设置在共同空穴注入层和至少一个发光层之间。
[0422]
在一个实施方式中，其中空穴传输层(htl)或共同空穴传输层(htl)包含共价基质化合物或基本上共价基质化合物。
[0423]
在一个实施方式中，其中至少一个共同空穴注入层以及空穴传输层(htl)或共同空穴传输层(htl)包含共价基质化合物或基本上共价基质化合物，其中所述共价基质化合物或基本上共价基质化合物在两层中被选为相同。
[0424]
htl的厚度可在约5nm至约250nm的范围中、优选在约10nm至约200nm的范围中、更优选约20nm至约190nm的范围中、更优选约40nm至约180nm的范围中、更优选约60nm至约170nm的范围中、更优选约80nm至约160nm的范围中、更优选约100nm至约160nm的范围中、更优选约120nm至约140nm的范围中。
[0425]
当htl的厚度是在此范围内时，htl可具有优异的空穴传输特性，而驱动电压无实质损失。
[0426]
可以针对oled显示器中的多个oled像素形成共同空穴传输层(htl)。在一个实施方式中，共同htl可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。类似地，阴极可被形成为多个像素或至少两个像素的共同阴极。共同阴极可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。每个单独的像素都可有它自己的阳极，该阳极可不接触其它单独的像素的阳极。此外，有源oled显示器具有驱动电路，所述驱动电路被配置成分别地驱动提供在oled
显示器中的多个像素中的各个像素。在一个实施方式中，分别地驱动的步骤可以包括施加在单独像素的驱动电流的分别控制。
[0427]
共同htl可由被掺杂空穴注入材料的空穴传输基质(htm)材料制成。空穴传输基质材料可掺杂有超过一种空穴注入材料。应当理解，htm材料由一种或多种htm化合物组成，而术语空穴传输材料是本技术案通篇使用于所有半导体材料(包括至少一种htm材料)的更广泛的术语。空穴传输基质材料可以由一种或多种有机化合物组成。
[0428]
作为空穴注入材料的金属化合物的lumo能级(其参考真空能级为零以绝对标度表示)可高出形成共同第二半导体层(其优选为空穴传输层)的化合物的最高homo能级小于1000mev、小于750mev、600mev、小于550mev、小于500mev、小于450mev、或小于400mev。
[0429]
htm可以包括具有其最高占据分子轨道的能量(其参考真空能级为零以绝对标度表示)的化合物或由该化合物组成，使用在程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp及gaussian 6-31g*基组计算的范围内，其在从《4.27ev至≥6.0ev的范围内、《4.3ev至≥5.5ev的范围内、优选地《-4.5ev至≥-5.4ev的范围内、更优选地从《-4.6ev至≥-5.3ev的范围内。
[0430]
共同空穴传输层可以具有小于50nm、小于40nm、小于30nm、小于20nm、或小于15nm的厚度。共同空穴传输层可以具有大于3nm、大于5nm、大于8nm或大于10nm的厚度。阳极可由氧化锡铟(ito)的透明导电氧化物(tco)制成。或者，阳极可由一个或多个薄金属层制成，导致半透明阳极。在另一个实施方式中，阳极可以由对可见光不透明的厚金属层制成。
[0431]
在一个实施方式中，阳极的逸出功(其参考真空能级为零以绝对标度表示)可比在共同空穴注入层中形成空穴注入材料的化合物的最高lumo能级高出不到500mev、不到450mev、不到400mev、不到350mev、或不到300mev。
[0432]
已知的掺杂空穴传输材料的典型实例是：铜酞青(cupc)，其能级为约-5.2ev，掺杂有四氟四氰基醌二甲烷(f4tcnq)，其lumo能级为约-5.2ev；掺杂有f4tcnq的酞菁锌(znpc)(homo＝-5.2ev)；掺杂有f4tcnq的α-npd(n,n
’‑
双(萘-1-基)-n,n
’‑
双(苯基)-联苯胺)；掺杂有2,2'-((全氟萘-2,6-二亚甲基))二丙二腈掺杂的α-npd。空穴注入材料浓度可以选自1至20重量％，更优选地选自3重量％至10重量％。
[0433]
电子阻挡层
[0434]
电子阻挡层(ebl)可被形成为共同电子阻挡层(ebl)或形成为并非共同电子阻挡层(ebl)的分开的层。ebl可被形成为多个像素或至少两个像素的共同ebl。共同ebl可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。优选地，每个单独的像素都可有它自己的ebl，其可不与其它单独像素的ebl接触。
[0435]
电子阻挡层(ebl)的作用是防止电子从发光层转移到空穴传输层，从而将电子限制在发光层。ebl可与共同htl和eml直接接触。电子阻挡层可以是由有机空穴传输基质材料制成的非掺杂层(或者换句话说，它可以没有空穴注入材料)。共同空穴传输层的有机空穴传输基质材料的组成可以与电子阻挡层的有机空穴传输基质材料的组成相同。在本发明的另一个实施方式中，两种空穴传输基质材料的组成可以不同。
[0436]
因此，可以改进效率、工作电压和/或寿命。通常，电子阻挡层包含三芳基胺化合物。三芳基胺化合物可具有比空穴传输层的lumo能级更接近真空能级的lumo能级。形成电子阻挡层的每一化合物可具有比形成共同空穴传输层的空穴传输基质材料的任何化合物
的homo能级还高的homo能级(其参考真空能级为零以绝对标度表示)。与空穴传输层的homo能级相比，电子阻挡层可具有更远离真空能级的homo能级。
[0437]
电子阻挡层的有机基质材料可具有空穴迁移率，该空穴迁移率等于或高于空穴传输层的基质材料的空穴迁移率。共同htl和/或ebl的空穴传输基质(htm)材料可选自包含离域电子的共轭体系的化合物，所述共轭体系包括至少两个三级胺氮原子的孤电子对。
[0438]
如果电子阻挡层具有高三重态能级，则其亦可被描述为三重态控制层。如果使用绿色或蓝色磷光发光层，则三重态控制层的功能是减少三重态的淬灭。因此，可达成来自磷光发光层的较高发光效率。三重态控制层选自三重态能级高于相邻发光层中的磷光发光体的三重态能级的三芳基胺化合物。用于三重态控制层的适合化合物(特别是三芳基胺化合物)描述于ep 2 722 908 a1中。
[0439]
电子阻挡层的厚度可在2与20nm之间选择。ebl可以具有大于30nm、大于50nm、大于70nm、大于100nm或大于110nm的层厚度。ebl的厚度可以小于200nm、小于170nm、小于140nm或小于130nm。与ebl相比，共同htl可会薄约一个数量级。
[0440]
电子阻挡层可包括一含化合物，其中该化合物具有其最高占据分子轨道的能量，其以参考真空能级为零的绝对标度表示，使用在程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp及gaussian 6-31g*基组计算的范围为《-4.7ev至≥-6.0ev、《-4.8ev至≥-5.5ev、优选地《-4.9ev至≥-5.4ev、更优选地从《-5.0ev至≥-5.3ev。
[0441]
光活性层(pal)
[0442]
光活性层将电流转换为光子或将光子转换为电流。光活性层可被形成为共同光活性层或形成为并非共同光活性层的分离层。pal可以形成为多个像素或至少两个像素的共同pal。共同pal可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0443]
pal可通过真空沉积、旋转涂布、狭缝式模头涂布、印刷、浇铸、lb沉积或类似者形成于htl上。当pal是使用真空沉积或旋转涂布形成时，沉积及涂布的条件可与hil的形成条件相似。然而，沉积及涂布的条件可根据用于形成pal的化合物而变化。
[0444]
可以规定，光活性层不包含本发明的金属化合物。
[0445]
发光层(eml)
[0446]
eml层可被形成为共同eml层或形成为并非共同eml层的分离层。对于rgb显示器，优选的是eml层形成为并非共同eml层的分开的层。eml可被形成为多个像素或至少两个像素的共同eml。共同eml可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0447]
eml可通过使用真空沉积、旋转涂布、狭缝式模头涂布、印刷、浇铸、lb沉积等形成于htl上。当eml是使用真空沉积或旋转涂布形成时，沉积及涂布的条件可与hil的形成条件相似。然而，沉积及涂布的条件可根据用于形成eml的化合物而变化。
[0448]
共同电子传输层可包含有机电子传输基质(etm)材料。此外，共同电子传输层可包含一种或多种n掺杂剂。用于etm的适合的化合物包含芳族或杂芳族结构部分，如在例如文献ep 1 970 371 a1或wo 2013/079217 a1中所公开的。
[0449]
可以规定，发光层不包含如本发明所述的用于hil和/或htl的金属化合物。
[0450]
发光层(eml)可由主体和发光体掺杂剂的组合形成。主体的实例为alq3、4,4'-n,
n'-二咔唑-联苯(cbp)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(tbadn)、二苯乙烯芳亚基(dsa)和双(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑)锌(zn(btz)2)。
[0451]
发光体掺杂剂可为磷光或荧光发光体。磷光发光体与经由热活化延迟荧光(tadf)机制发光的发光体因为其较高的效率可为优选的。发光体可为小分子或聚合物。
[0452]
红色发光体掺杂剂的实例为ptoep、ir(piq)3、和btp2lr(acac)，但不限于此。这些化合物为磷光发光体，然而，红色荧光发光体掺杂剂亦可被使用。
[0453]
绿色磷光发光体掺杂剂的实例为ir(ppy)3(ppy＝苯吡啶)、ir(ppy)2(acac)、ir(mpyp)3。
[0454]
蓝色磷光发光体掺杂剂的实例为f2irpic、(f2ppy)2ir(tmd)及ir(dfppz)3和三芴。4,4'-双(4-二苯基胺基苯乙烯基)联苯(dpavbi)、2,5,8,11-四-叔丁基苝(tbpe)为蓝色荧光发光体掺杂剂的实例。
[0455]
基于100重量份的主体，发光体掺杂剂的量可在约0.01至约50重量份的范围中。替代地，发光层可由发光聚合物组成。eml可具有约10nm至约100nm的厚度，例如约20nm至约60nm的厚度。当eml的厚度在此范围内时，eml可具有优异的光发光性，而驱动电压无实质损失。
[0456]
空穴阻挡层(hbl)
[0457]
空穴阻挡层(hbl)可被形成为共同空穴阻挡层(hbl)或形成为并非共同空穴阻挡层(hbl)的分开的空穴阻挡层(hbl)。hbl可被形成为多个像素或至少两个像素的共同hbl。共同hbl可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0458]
空穴阻挡层(hbl)可通过使用真空沉积、旋转涂布、狭缝式模头涂布、印刷、浇铸、lb沉积等形成于eml上，以防止空穴扩散至etl内。当eml包括磷光掺杂剂时，hbl亦可具有三重态激子阻挡功能。
[0459]
亦可将hbl称为辅助etl或a-etl。
[0460]
当hbl是使用真空沉积或旋转涂布形成时，沉积和涂布的条件可与hil的形成条件相似。然而，沉积及涂布的条件可根据用于形成hbl的化合物而变化。可使用通常用于形成hbl的任何化合物。用于形成hbl的化合物的实例包括二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、和三嗪衍生物。
[0461]
hbl可具有在约5nm至约100nm的范围中的厚度，例如在约10nm至约30nm范围中的厚度。当hbl的厚度在此范围内时，hbl可具有优异的空穴阻挡性能，而驱动电压无实质损失。
[0462]
电子传输层(etl)
[0463]
电子传输层(etl)可被形成为共同电子传输层(etl)或形成为并非共同电子传输层(etl)的分离的电子传输层(etl)。
[0464]
etl可被形成为多个像素或至少两个像素的共同etl。共同etl可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0465]
每个单独的像素可有它自己的etl，该etl可不会接触其它单独像素的etl。
[0466]
根据本发明的有机发光二极管还可以包括电子传输层(etl)。
[0467]
根据另一个实施方式，电子传输层还可以包含吖嗪化合物，优选地包含三嗪化合物。
[0468]
在一个实施方式中，其中电子传输层还可包含选自碱性有机络合物(优选地为liq)的掺杂剂。
[0469]
etl的厚度可为在约15nm至约50nm的范围中，例如在约20nm至约40nm的范围中。当eil的厚度在此范围中时，etl可具有令人满意的电子注入性能，而驱动电压无实质损失。
[0470]
根据另一个实施方式，有机发光二极管还可包含空穴阻挡层以及电子传输层，其中空穴阻挡层以及电子传输层包含吖嗪化合物。优选地，吖嗪化合物为三嗪化合物。
[0471]
电子注入层(eil)
[0472]
eil可被形成为共同eil层或形成为并非共同eil层的分离的eil层。
[0473]
eil可被形成为多个像素或至少两个像素的共同eil。共同eil可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0474]
可促进电子从阴极注入的可选eil可形成于etl上，优选地直接形成于电子传输层上。用于形成eil的材料的实例包括本领域已知的8-羟基喹啉锂(liq)、lif、nacl、csf、li2o、bao、ca、ba、yb、mg。用于形成eil的沉积和涂布的条件与用于形成hil的条件相似，尽管沉积及涂布的条件可根据用于形成eil的材料而变化。
[0475]
eil的厚度可在约0.1nm至约10nm的范围中，例如在约0.5nm至约9nm的范围中。当eil的厚度在此范围内时，eil可具有令人满意的电子注入性能，而驱动电压无实质损失。
[0476]
阴极电极
[0477]
阴极电极可被形成为共同阴极电极层或形成为并非共同阴极电极层的个别的阴极电极层。
[0478]
阴极可被形成为多个像素或至少两个像素的共同阴极。共同阴极可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0479]
阴极电极(也称为阴极层)形成在etl或可选的eil上。
[0480]
阴极可由具有低逸出功的金属或金属合金制成。由tco制成的透明阴极在本领域中也是众所周知的。优选地，阴极电极可由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。阴极电极可具有低逸出功。例如，阴极电极可由锂(li)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、钡(ba)、镱(yb)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)等形成。替代地，阴极电极可由例如ito或izo的透明导电氧化物形成。
[0481]
阴极电极的厚度可在约5nm至约1000nm的范围中，例如在约10nm至约100nm的范围中。当阴极电极的厚度在约5nm至约50nm的范围中时，即使由金属或金属合金形成，阴极电极仍可为透明的或半透明的。
[0482]
应当理解，阴极电极不是电子注入层或电子传输层的一部分。
[0483]
有机层叠层
[0484]
有机层叠层可由具有的分子量小于2000g/mol的有机化合物制成。在一个替代实施方式中，有机化合物可以具有小于1000g/mol的分子量。
[0485]
有机层叠层或其至少一个有机层(该有机层为hil)可被形成为针对多个像素或至少两个像素的共同有机层叠层或形成为共同hil。共同有机层叠层或hil可以在oled显示器
中的多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。
[0486]
根据一个实施方式，有机层叠层的hil和htl在oled显示器中的多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。
[0487]
根据一个实施方式，有机层叠层的hil、htl和hbl在oled显示器中的多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。
[0488]
根据一个实施方式，有机层叠层的hil、htl和ebl在oled显示器中的多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。
[0489]
根据一个实施方式，有机层叠层的hil、htl、ebl和etl可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0490]
根据一个实施方式，有机层叠层的hil、htl和n侧在oled显示器中的多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。
[0491]
根据一个实施方式，有机层叠层的hil、htl、hbl和n侧在oled显示器中的多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。
[0492]
根据一个实施方式，有机层叠层的hil、htl、ebl和n侧在oled显示器中的多个像素的所有像素上延伸或在多个像素的至少两个像素上延伸。
[0493]
根据一个实施方式，有机层叠层的hil、htl、ebl、etl和n侧可以在oled显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。
[0494]
优选地，每个单独的像素都可有它自己的etl，该etl可不接触其它单独像素的etl。
[0495]
优选地，每个单独的像素都可有它自己的etl，该etl可不接触其它单独像素的etl。
[0496]
优选地，每个单独的像素都可有它自己的ebl，该ebl可不接触其它单独像素的ebl。
[0497]
优选地，每个单独的像素都可有它自己的n侧，该n侧可不接触其它单独像素的n侧。
[0498]
制造方法
[0499]
另一方面涉及用于制造至少一个共同层的方法。
[0500]
用于制造至少一个共同层的方法包括，其中，该制造至少一个共同层的方法包括在一个处理步骤中经由一个大掩模开口将每一共同层沉积在整个显示区域上。
[0501]
在下文中，将参考实例对实施方式进行更详细的示例。然而，本公开内容不限于以下实例。现在将详细参考示例性方面。
附图说明
[0502]
在所述实施方案中上述组件以及所要求保护的组件和根据本发明的使用的组件在其尺寸、形状、材料选择和技术概念方面不受任何特殊例外的限制，从而能够无限制地应用相关领域中已知的选择标准。
[0503]
本发明目的的附加细节、特征及优点公开于从属权利要求和以下对相应附图的描述中，这些附图以示范性方式显示了根据本发明优选的实施例。然而，任一个实施方式不一定代表本发明的全部范围，并且因此，参考申请专利范围以及本文以解释本发明的范围。应
理解，前面的一般描述及以下的详细描述仅为示例性的和解释性的，且旨在对所请提供进一步解释。
[0504]
图1至图9
[0505]
图1是具有两个像素和共同hil、共同htl和共同阴极层的显示器的示意截面图；
[0506]
图2是测试元件的示意截面图；
[0507]
图3是沉积层叠结构的示意截面图；
[0508]
图4是测试元件的示意截面图；
[0509]
图5显示涂布ito的基底；
[0510]
图6是电流-电压测量图；
[0511]
图7是电阻的示例图；
[0512]
图8是有机发光二极管的示意截面图；
[0513]
图9是有机发光二极管的示意截面图。
[0514]
在下文中，参考实例更详细说明图1至图4。然而，本发明并不限于下面的附图。
[0515]
在本文中，当称第一组件形成或配置于第二组件“上”或“之上”时，第一组件可直接配置于第二组件上，或者可在它们之间设置一个或多个其它元件。当第一元件是指“直接在第二元件上”或“直接在第二元件之上”形成或设置时，在它们之间没有设置其它元件。
[0516]
图1是根据示例性实施方式的具有两个像素(100；200)的显示器的示意截面图。第一像素(100)包括阳极层(120)，且第二像素包括阳极层(120)。第一像素(100)具有它自己的阳极层(120)，且第二像素(200)具有它自己的阳极(120)，其中第一像素(100)的阳极(120)不接触其它的第二像素(200)的阳极层(120)。在第一像素(100)的阳极(120)和第二像素(200)的阳极(120)之间可以设置像素定义层(125)。共同空穴注入层(hil)(130)被设置在从第一像素(100)延伸至第二像素(200)的阳极层(120)上。共同空穴传输层(htl)(140)被设置在共同hil(130)之上，且从第一像素(100)延伸到第二像素(200)。电子阻挡层(ebl)(145)被设置在空穴传输层(htl)(140)之上，使得第一像素(100)具有它自己的电子阻挡层(ebl)(145)，且第二像素(200)具有它自己的电子阻挡层(ebl)(145)，第一像素(100)的电子阻挡层(ebl)(145)可以接触其它的第二像素(200)的电子阻挡层(ebl)(145)。发光层(eml)(150)设置在电子阻挡层(ebl)(145)之上，使得第一像素(100)具有它自己的发光层(eml)(150)且第二像素(200)具有它自己的发光层(eml)(150)，其中第一像素(100)的发光层(eml)(150)可以接触其它的第二像素(200)的发光层(eml)(150)。电子传输层(etl)(160)设置在发光层(eml)(150)之上，使得第一像素(100)具有它自己的电子传输层(etl)(160)且第二像素(200)具有它自己的电子传输层(etl)(160)。共同阴极层(190)设置在电子传输层(etl)(160)之上，且从第一像素(100)延伸至第二像素(200)。在第一像素(100)和第二像素(200)之间设置有分隔部(300)，该分隔部(300)不具有阳极层(120)，但是像素定义层(125)用作薄层电阻层，薄层电阻层并非阳极(120)。
[0517]
如图1所示，分隔部(300)包含至少一层，其为共同空穴注入层(hil)(130)，且作为共同层从像素(100)延伸穿过分隔部(300)到像素(200)。分隔部(300)至少包括两层，即电子阻挡(ebl)(145)和发光层(eml)(150)，每一层从像素(100)和像素(200)延伸到分隔部(300)中。分隔部(300)的空穴传输层(htl)(140)和电子传输层(etl)(160)不延伸到像素(100)和像素(200)中。
[0518]
图1只是一个实例，且本发明不限于该实施方式。存在多个层配置，其中一层例如从一个像素延伸到分隔部(300)中或不延伸到分隔部(300)中。此外，多个像素和分隔部(例如像素(100)、像素(200)和分隔部(300))的每个非共同层的材料组成可以单独地选择为不同和/或相同。
[0519]
图2显示了包括2个高导电电极的测试元件，2个高导电电极之间具有间隙“i”以及各自的高导电电极的宽度“w”。
[0520]
图3显示了用于确定薄层电阻的测试元件组上的沉积层叠结构的示意图。测试元件由一个通道(测试元件)组成。沉积层(300)位于电极的顶部。
[0521]
图4显示了包括具有指叉图案的2个高导电电极的测试元件，电极指之间的间隙“l”和总宽度“w”，总宽度“w”为指状交叉宽度“we”和指状交叉区域的数量的乘积。
[0522]
在下文中，将参考实例对实施方式进行更详细的说明。然而，本揭露内容不限于以下实例。
[0523]
图5显示了具有90nm ito和10欧姆/平方薄层电阻的ito涂布基底，其图案为具有在一个25x25mm2尺寸的基底上被组合的4个不同通道长度的电极对。
[0524]
图6显示了在图5中所示的基底上的电流-电压测量的示例图。
[0525]
图7显示了从图6中显示的电流-电压测量得到的电阻在对应的通道长度上绘制的示例图及其斜率的计算。
[0526]
图8是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(oled)100的示意截面图。oled100包括基底(110)、包括第一阳极子层(121)和第二阳极子层(122)的阳极层(120)、包含式(i)化合物的半导体层(130)、空穴传输层(htl)(140)、电子阻挡层(ebl)(145)、发光层(eml)(150)、空穴阻挡层(ebl)(155)、电子传输层(etl)(160)和阴极层(190)。这些层完全按照前面提到的顺序排列。
[0527]
图9是根据本发明示例性实施方式的有机发光二极管(oled)100的示意截面图。oled100包括基底(110)、包括第一阳极子层(121)、第二阳极子层(122)和第三阳极子层(123)的阳极层(120)、包含式(i)化合物的半导体层(130)、空穴传输层(htl)(140)、电子阻挡层(ebl)(145)、发光层(eml)(150)、空穴阻挡层(ebl)(155)、电子传输层(etl)(160)和阴极层(190)。这些层完全按照前面提到的顺序排列。
[0528]
在下文中，将参考实例对实施方式进行更详细的说明。然而，本发明不限于以下实例。
具体实施方式
[0529]
本发明通过以下实施方式进一步示例，这些实施方式仅是示例性的并且不具有约束力。
[0530]
化合物可以如文献中描述的方式制备，或者替代的化合物可以如文献中描述的类似化合物的方式来制备。
[0531]
计算的homo以及lumo
[0532]
使用程序包turbomole v6.5(turbomole gmbh，litzenhardtstrasse 19，76135karlsruhe，德国)计算homo及lumo能级。通过在气相中应用杂化泛函b3lyp和6-31g*基组来确定分子结构的优化的几何形状和homo及lumo能级。如果多于一个构形是可行的，
则选择具有最低总能量的构形。homo和lumo能级以电子伏特(ev)记录。
[0533]
更详细地描述传输线方法
[0534]
根据本发明，用于测量包括有机p型掺杂剂的第一共同半导体层以及在第一共同半导体上的第二共同半导体层的薄层电阻的传输线方法可以如下所述地进行。
[0535]
基底与样品制备
[0536]
根据图4，将具有90nm ito和10欧姆/平方薄层电阻的ito涂布基底用指叉结构图案化。两个电极上的12个ito指形成总共23个导电区域：n＝23。指叉长度we为4.5mm。因此总通道宽度为103.5mm。通道长度w在20和80μm之间以20μm的步长变化。具有4种不同通道长度的电极对被组合在具有25x25 mm2尺寸的基底上，如图5所示。有机层沉积在基底上，覆盖了完整的指叉图案。在基底上，第一共同半导体层包括具有10nm厚度的至少一个空穴注入材料，例如第一共同半导体层是由掺杂的共价基质化合物组成的空穴注入层，说明书中描述适合的共价基质化合物通过共蒸发沉积。温度范围取决于材料，并受汽化开始时的汽化温度和分解温度的限制。这些值是材料参数，且这些值对于每个材料都不同。这些值通常介于50℃和500℃之间，大部分介于150℃和350℃之间。例如，共价基质化合物沉积以(埃/秒)的恒定速率及272℃的蒸发源温度进行。空穴注入材料源例如在174℃以的速率工作。在该层上以的沉积速率及280℃的温度沉积厚度为128nm的第二共同半导体层，其为例如共同空穴传输层或共同电子阻挡层，其中优选是空穴传输层。在整个沉积过程期间，腔室压力为3e-7毫巴。然而，如上所述，使用的蒸发温度取决于汽化开始时的汽化温度和分解温度。有机材料的蒸发温度取决于材料，且通常在50℃和500℃之间。在有机层沉积后，使用带有集成干燥剂的玻璃盖将获得的基底层器件封装在充满氮气的手套箱中，以防止样品降解。
[0537]
根据本发明，用于测量包括有机p掺杂剂的共同第一半导体层、在共同第一半导体上的共同第二半导体层、和在共同第三半导体层上的共同第三半导体层的薄层电阻的传输线方法可以如下所述被执行。
[0538]
根据图4，将具有90nm ito和10欧姆/平方薄层电阻的ito涂布基底用指叉结构图案化。两个电极上的12个ito指形成总共23个导电区域：n＝23。指叉长度we为4.5mm。因此总通道宽度为103.5mm。通道长度w在20和80μm之间以20μm的步长变化。具有4种不同通道长度的电极对被组合在尺寸为25x25mm2的基底上，如图5所示。有机层被沉积在基底上，其覆盖完整的指叉图案。在基底上，第一共同半导体层包括具有10nm厚度的至少一个空穴注入材料，例如第一共同半导体层是由掺杂的共价基质化合物组成的空穴注入层，说明书描述了适合的共价基质化合物通过共蒸发沉积。温度范围取决于材料，并被汽化开始时的汽化温度和分解温度限制。这些值是材料参数、且对于每种材料都不同。这些值通常介于50℃和500℃之间，大部分介于150℃和350℃之间。例如，共价基质化合物沉积以(埃/秒)的恒定速率和272℃的蒸发源温度进行。空穴注入材料源例如在174℃以的速率工作。在该层上以的沉积速率和280℃的温度沉积厚度为128nm的第二共同半导体层，其为例如共同空穴传输层或共同电子阻挡层，其中优选是空穴传输层。在该层上，以的沉积速率和244℃的温度沉积厚度为5nm的第三共同半导体层，其为例如共同电子阻挡层。在整个沉积程序中，腔室压力为3e-7毫巴。然而，如上所述，使用的蒸发温度取决于汽化
开始时的汽化温度和分解温度。有机材料的蒸发温度取决于材料，且通常在50℃和500℃之间。在有机层沉积后，使用带有集成干燥剂的玻璃盖将获得的基底层器件封装在充满氮气的手套箱中，以避免样品降解。
[0539]
根据本发明，用于测量包括有机p掺杂剂的共同第一半导体层、在共同第一半导体上的共同第二半导体层、在共同第二半导体层上的共同第三半导体层、以及在共同第三半导体层上的共同发光层(eml)的薄层电阻的传输线方法可以如下所述进行。
[0540]
根据图4，将具有90nm ito和10欧姆/sq薄层电阻的ito涂布基底用指叉结构图案化。两个电极上的12个ito指形成总共23个导电区域：n＝23。指状交叉长度we为4.5mm。因此总通道宽度为103.5mm。通道长度w在20和80μm之间以20μm的步长变化。具有4种不同通道长度的电极对被组合在具有25x25mm2尺寸的基底上，如图5所示。有机层被沉积在基底上，覆盖了完整的指叉图案。在基底上，第一共同半导体层包括具有10nm厚度的至少一个空穴注入材料，例如第一共同半导体层是由掺杂的共价基质化合物组成的空穴注入层，合适的共价基质化合物描述于说明书，其是通过共蒸发沉积。温度范围取决于材料，并被汽化开始时的汽化温度和分解温度限制。这些值是材料参数，且这些值对于每一材料都不同。这些值通常介于50℃和500℃之间，大部分介于150℃和350℃之间。例如，共价基质化合物沉积以(埃/秒)的恒定速率及272℃的蒸发源温度进行。空穴注入材料源例如在174℃以的速率被工作。在该层上以的沉积速率及280℃的温度沉积厚度为128nm的第二共同半导体层，其为例如共同空穴传输层或共同电子阻挡层，其中优选是空穴传输层。在该层上，以的沉积速率和244℃的温度沉积厚度为5nm的第三共同半导体层，其为例如共同电子阻挡层。在该层上，针对主体化合物以的沉积速率和183℃的温度、且针对发光体掺杂剂以的沉积速率和197℃的温度而沉积厚度为20nm的发光层，其为例如蓝色发光层。在整个沉积过程期间，腔室压力为3e-7毫巴。然而，如上所述，使用的蒸发温度取决于汽化开始时的汽化温度和分解温度。有机材料的蒸发温度取决于材料，且通常在50℃和500℃之间。在有机层沉积后，使用带有集成干燥剂的玻璃盖将获得的基底层器件封装在充满氮气的手套箱中，以避免样品降解。
[0541]
制造oled的一般程序
[0542]
对于实施例1、实施例2及比较例1，将具有包括120nm ag的第一阳极子层、8nm ito的第二阳极子层及10nm ito的第三阳极子层的阳极层的玻璃基底切割为50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸、用水超声清洗60分钟、且接着用异丙醇超声清洗20分钟。
[0543]
接着，在真空中基本上共价基质化合物以及空穴注入材料被共同沉积在阳极层上，以形成空穴注入层(hil)。接着，将基本上共价基质化合物真空沉积在hil上，以形成具有128nm厚度的htl。htl中基本上共价基质化合物的化学式与hil中所使用的基本上共价基质化合物相同。
[0544]
接着，在htl上真空沉积，以形成具有5nm厚度的电子阻挡层(ebl)。
[0545]
接着，将作为eml主体的97体积％的h09(sun fine chemicals，韩国)以及作为蓝色荧光发光体掺杂剂的3体积％bd200(sun fine chemicals，韩国)沉积于ebl上，以形成具有20nm厚度的蓝色发光第一发光层(eml)。
[0546]
接着，通过沉积2-(3'-(9,9-二甲基-9h-芴-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯
基-1,3,5-三嗪在发光层eml上，以形成具有5nm厚度的空穴阻挡层。
[0547]
接着，通过沉积50重量％的4'-(4-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)萘-1-基)-[1,1'-联苯]-4-甲腈以及50重量％的liq，以于空穴阻挡层上形成具有31nm厚度的电子传输层。
[0548]
接着，通过在10-7
毫巴下以0.01至的速率沉积镱，在电子传输层上形成厚度为2nm的电子注入层。
[0549]
然后，在10-7
毫巴下以0.01至的速率蒸发ag:mg(90:10vol.-％)，以在电子注入层上形成厚度为100nm的阴极层。
[0550]
通过具有载玻片的器件封装来保护oled叠层以免于环境条件的影响。因此，形成包括用于进一步保护的吸气剂材料的空腔。
[0551]
为评估发明实例相较于现有技术的性能，在20℃测量电流效率。电流-电压特性是使用keithley 2635电源测量单元测定的，其通过提供以v为单位的工作电压并以ma为单位测量流经受测器件的电流。施加至器件的电压在0v与10v之间的范围中以0.1v的步长变化。同样地，亮度-电压特性以及cie坐标是通过使用instrument systems cas-140ct阵列光谱仪(由deutsche akkreditierungs-stelle(dakks)校准)测量每一电压值的亮度(单位为cd/m2)来确定的。
[0552]
在环境条件(20℃)和30ma/cm2下，使用keithley 2400电源量测仪测量器件的寿命lt，并以小时为单位进行记录。器件的亮度是使用经校正的光二极管来测量。寿命lt被定义为直到器件的亮度降低至其初始值的97％的时间。
[0553]
为了确定随时间的电压稳定性u(100h)-(1h)，将30ma/cm2的电流密度施加至器件。在1小时后以及50小时后测量工作电压u，接着计算1小时至50小时时间周期的电压稳定性。
[0554]
表2示出更优选的htl基质材料，且其中一些在表4中使用。
[0555]
表2：htl基质材料
[0556]
[0557][0558]
表3显示了更优选的ebl基质材料，且其中一些在表4中使用。
[0559]
表3：ebl基质材料
[0560][0561]
[0562]
[0563]
[0564]
[0565]
[0566]
[0567]
[0568]
[0569]
[0570]
[0571]
[0572][0573]
本发明的技术效果
[0574]
从表4可以看出，因为工作电压较低，且同时薄层电阻较高或高至50千兆欧姆/平
方，从而器件具有有益的工作电压。此外，除了工作电压之外，eqe和/或寿命也获得改进。
[0575]
上面的详细实施方式中的元件及特征的特定组合仅是示例性的；还明确预期将这些教导与本文中的其它教导以及通过引用并入的专利/申请进行交换和替代。在不脱离所要求保护的本发明的主旨和范围的情况下，本领域技术人员可以想到本文中所描述的变化、修改和其它实现方式。因此，前面的描述仅作为示例而不旨在是限制性的。在权利要求中，词语“包含”不排除其它元件或步骤，并且不定冠词“一个”或“一种”不排除复数。在互不相同的从属权利要求中列举的特定措施这一事实并不表示这些措施的组合不能被有利地使用。本发明的范围由权利要求及其等同物来限定。此外，说明书和权利要求中使用的附图标记不限制要求保护的本发明的范围。

技术特征：
1.一种有源矩阵oled显示器，所述有源矩阵oled显示器包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，并且所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中，-至少第一oled像素以及第二oled像素包括-阳极层，-共同阴极层，-至少一个有机层叠层，所述有机层叠层包括-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括-至少共同第一半导体层，所述共同第一半导体层是共同空穴注入层，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，并且其中所述共同空穴注入层在所述oled显示器中的所述多个像素中的所有像素上延伸或者在所述多个像素中的至少两个像素上延伸，-至少共同第二半导体层，-至少一个发光层，所述发光层可选地为共同发光层，并且其中所述共同空穴注入层和所述共同第二半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。2.根据权利要求1所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同第二半导体层是共同空穴传输层或共同电子阻挡层，更优选地，所述共同空穴注入层与是共同空穴传输层或共同电子阻挡层的所述第二共同半导体层直接接触，并且更优选地，所述共同第二半导体层是共同空穴传输层。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵oled显示器，其中所述多个共同半导体层还包括共同第三半导体层，其中所述共同第一半导体层、所述共同第二半导体层以及所述共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同第三半导体层是共同电子阻挡层，其中所述共同第一半导体层是共同空穴注入层，并且所述共同第二半导体层是共同空穴传输层；并且其中是共同空穴注入层的所述共同第一半导体层、以及是共同空穴传输层的所述共同第二半导体层、以及是共同电子阻挡层的所述共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。5.根据前述权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中是共同电子阻挡层的所述共同第三半导体层设置在是共同空穴传输层的所述共同第二半导体层和所述发光层之间。6.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中每个像素的所述发光层掺杂有颜色定义的发光体掺杂剂，其中所述颜色定义的发光体掺杂剂的颜色是针对每个像素独立选择的或选择为相同。7.根据前述权利要求1至6中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述薄层电阻是由传输线方法确定的。8.根据前述权利要求1至7中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述第一oled像素的阳极层和所述第二oled像素的阳极层被像素定义层隔开，使得所述第一oled像素的阳极层和所述第二oled像素的阳极层不形成为共同层且彼此不接触。9.根据前述权利要求1至8中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同空穴
注入层被至少部分地设置成与所述阳极层直接接触，以及所述共同空穴传输层被设置在所述共同发光层和所述共同空穴注入层之间。10.根据前述权利要求1至9中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中每个单独的像素都可有它自己的阳极，所述阳极可不接触其它单独像素的阳极。11.根据前述权利要求1至10中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同空穴注入层、所述共同第二半导体层、所述共同第三半导体层以及所述共同发光层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。12.根据前述权利要求1至11中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，所述有源矩阵oled显示器包括多个oled像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，并且所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，或多个有机层可形成多个半导体层，其中至少第一oled像素以及第二oled像素各自包括一个阳极层，其中-所述第二oled像素以及所述第一oled像素的阳极层可选地由像素定义层隔开，并且其中所述至少第一oled像素以及所述至少第二oled像素包括共同阴极层以及至少一个有机层叠层，所述至少一个有机层叠层包括多个半导体层，并且所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中-所述有机层叠层的所述至少两个共同半导体层或所述多个半导体层设置在所述共同阴极层以及所述阳极层之间，其中所述阳极层并非共同层，并且其中-所述至少两个共同半导体层或所述多个共同半导体层包括至少第一共同半导体层、至少共同第二半导体层以及至少发光层，所述至少第一共同半导体层为共同空穴注入层，所述至少共同第二半导体层为共同空穴传输层或电子阻挡层，所述至少发光层可选地为共同发光层，优选地，所述至少共同第二半导体层为共同空穴传输层，其中-所述共同空穴注入层被至少部分地设置成与所述阳极层直接接触，以及所述至少共同第二半导体层，优选地为共同空穴传输层，被设置在所述发光层以及所述共同空穴注入层之间，其中所述发光层可选地为共同发光层；并且其中所述共同空穴注入层以及所述至少共同第二半导体层，优选地为共同空穴传输层，一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。13.根据前述权利要求1至12中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同空穴注入层以及所述共同空穴传输层一起具有薄层电阻，所述薄层电阻选自≥100千兆欧姆/平方、≥150千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方或≥50000千兆欧姆/平方。14.根据前述权利要求1至13中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同空穴注入层包含空穴注入材料，以及所述共同空穴注入层选自i-空穴注入层和/或空穴注入材料掺杂层，优选地，基于空穴注入材料掺杂的空穴注入层的重量，空穴注入材料的浓度为≥0.1重量％且≤40重量％、优选地≥0.5重量％且≤25重量％、更优选地≥1重量％且≤10重量％以及更优选地≥1重量％且≤5重量％。15.根据前述权利要求1至14中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同有机层叠层还包括共同电子传输层，优选地，所述共同电子传输层设置在所述发光层和所述
共同阴极层之间。16.根据前述权利要求1至15中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同有机层叠层还包括共同有机层，所述共同有机层选自共同电子注入层、共同空穴阻挡层和/或电子传输层，优选地，共同电子注入层与共同阴极层直接接触。17.根据前述权利要求1至16中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同第一半导体层，优选所述共同空穴注入层，具有≥1nm且≤100nm、优选地≥2nm且≤50nm、更优选地≥3nm且≤40nm、更优选地≥4nm且≤30nm、更优选地≥5nm且≤20nm、更优选地≥6nm且≤15nm、更优选地≥8nm且≤10nm的层厚度。18.根据前述权利要求1至17中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同第二半导体层，优选所述共同空穴传输层，具有≥5nm且≤250nm、优选地≥10nm且≤240nm、更优选地≥15nm且≤230nm、更优选地≥20nm且≤220nm、更优选地≥25nm且≤210nm、更优选地≥30nm且≤200nm、更优选地≥35nm且≤190nm、更优选地≥40nm且≤180nm、以及优选地≥50nm且≤150nm的层厚度。19.根据前述权利要求1至18中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述共同第二半导体层，优选所述共同空穴传输层，包含化合物，所述化合物的最高占据分子轨道的能量的范围为<-4.27ev至≥-6.0ev，<-4.3ev至≥-5.5ev，优选<-4.5ev至≥-5.4ev，更优选-<-4.6ev至≥-5.3ev，所述能量是参考真空能级为零以绝对标度表示的并使用程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和gaussian 6-31g*基组计算的。20.根据前述权利要求1至19中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述电子阻挡层包含化合物，所述化合物的最高占据分子轨道的能量的范围为<-4.7ev至≥-6.0ev，<-4.8ev至≥-5.5ev，优选<-4.9ev至≥-5.4ev，更优选-<-5.0ev至≥-5.3ev，所述能量是参考真空能级为零以绝对标度表示的并使用程序包turbomole v6.5中实施的杂化泛函b3lyp和gaussian 6-31g*基组计算的。21.根据前述权利要求1至20中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述电子阻挡层具有≥1nm且≤20nm、优选地≥2nm且≤18nm、更优选地≥3nm且≤16nm、更优选地≥4nm且≤14nm、更优选地≥5nm且≤12nm、更优选地≥6nm且≤11nm、更优选地≥7nm且≤10nm的层厚度。22.根据前述权利要求1至21中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中至少一个阳极层包括第一阳极子层和第二阳极子层，其中所述第一阳极子层包含第一金属，所述第一金属具有在≥4且≤6ev的范围内的逸出功，以及所述第二阳极子层包含透明导电氧化物；以及所述第二阳极子层被设置为较靠近所述共同空穴注入层。23.根据前述权利要求1至22中的任一项所述的有源矩阵oled显示器，其中所述有源矩阵oled显示器包括驱动电路，所述驱动电路被配置成分别地驱动多个有机发光二极管像素的像素。24.一种用于制造根据权利要求1至23所述的至少一个共同层的方法，其中用于制造至少一个共同层的所述方法包括在一个处理步骤中经由一个大掩模开口将每一共同层沉积在整个显示区域上。

技术总结
本发明涉及一种有源矩阵OLED显示器，所述有源矩阵OLED显示器包括多个OLED像素，其中每个像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中-至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括-阳极层，-共同阴极层，-至少一个有机层叠层，所述有机层叠层包括多个半导体层。包括多个半导体层。包括多个半导体层。


技术研发人员：奥利弗
受保护的技术使用者：诺瓦尔德股份有限公司
技术研发日：2022.06.15
技术公布日：2023/9/23