布线图案的制作方法

1.本公开有关于布线图案，且特别有关于形成于半导体芯片上的布线图案。


背景技术：

2.光刻(photolithography)工艺为集成电路(integrated circuits，ics)制造中重要的工艺之一，其可应用于将布线图案自光掩模上以一定的比例转移至半导体芯片表面上的光刻胶层，进而将集成电路的布线图案转移至半导体芯片上。上述形成布线图案的工艺还可能包含使用流体的清洁步骤与干燥步骤，以去除多个处理步骤留下的残余物。
3.然而，随着集成电路的复杂度与集成度日益提升，布线图案的线宽与间距亦随之不断缩小，具有细小线宽与间距的布线图案容易倒塌(collapse)，进而降低产品的可靠度(reliability)与良率。
4.因此，改善图案倒塌问题是相当重要的。


技术实现要素：

5.本公开有关于布线图案(routing pattern)，其可改善图案倒塌问题，并可有效提升布线图案制造过程的工艺窗口(process window)。
6.根据本公开的一实施例，提供布线图案。布线图案包含多个线型特征与配置于多个线型特征中的二者之间的内连线特征。多个线型特征沿着第一方向延伸且具有沿着第二方向的第一线宽(line width)。第二方向垂直于第一方向。内连线特征包含沿着第二方向凹陷的凹部。内连线特征具有沿着第二方向的第二线宽。第一线宽小于第二线宽。
7.根据本公开的一实施例，提供布线图案。布线图案包含第一布线区域、第二布线区域与内连线区。第一布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第一导线。多条第一导线沿垂直于该第一方向的第二方向具有第一节距(pitch)。第二布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第二导线。多条第二导线沿着第二方向具有第二节距，第二节距大致相等于第一节距。内连线区包含二沿着第一方向分离配置的主体部、以及连接于二主体部的连接部。连接部沿着第二方向的宽度小于二主体部沿着第二方向的宽度。
8.为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下。
附图说明
9.图1为根据本公开的第一实施例的布线图案的俯视示意图；
10.图1a为沿着图1的延伸线e1的布线图案的剖面示意图；
11.图2为根据本公开的第二实施例的布线图案的俯视示意图；
12.图2a为图2的圈选处的放大示意图；
13.图3为根据本公开的第三实施例的布线图案的俯视示意图；
14.图4为根据本公开的第四实施例的布线图案的俯视示意图；
15.图4a为图4的圈选处的放大示意图；
16.图5为根据本公开的第五实施例的布线图案的俯视示意图；
17.图6为根据本公开的第六实施例的布线图案的俯视示意图；及
18.图7-12为根据本公开一实施例的用以形成布线图案的方法。
19.附图标记说明
20.10，20，30，40，50，60：布线图案
21.101，102：布线区域
22.101a，102a：线型特征
23.101lw，102lw，103lw：线宽
24.101p，102p，103p：节距
25.103，203，403：内连线区
26.103a，203a，403a，503a，603a，907：内连线特征
27.104，204，904：绝缘区
28.105，205，405：通孔元件
29.110，210，410：主体部
30.110w，111w：宽度
31.111，211，411：连接部
32.112，212，412，512，612：凹部
33.201-1～201-n，401-1～401-n，501-1～501-n，906-1，906-2，906-3：线型特征
34.203s1，203s2：侧边
35.701：基板
36.702：绝缘层
37.703：未图案化光刻胶层
38.801：光掩模
39.802：光掩模图案
40.803：光刻胶曝光区
41.804：光刻胶非曝光区
42.960：图案化光刻胶层
43.962：沟道
44.961：线型光刻胶特征
45.905：导电材料层
46.d1，d2：方向
47.e1：延伸线
48.l1，l2：凹部长度
49.lw1，lw2，lw3，lw4：线宽
50.p1，p2，p3，p4：节距
51.vl1，vl2：通孔长度
52.vw1，vw2：通孔宽度
53.w1，w2，w3，w4：宽度
具体实施方式
54.以下提出相关实施例，配合附图以详细说明本公开所提出的布线图案及其制造方法。然而，本公开并不以此为限。实施例中的叙述，例如细部结构、制造方法的步骤和材料应用等，仅为举例说明之用，本公开欲保护的范围并非仅限于所述态样。相关技术领域者当可在不脱离本公开的精神和范围的前提下，对实施例的结构和制造方法加以变化与修饰，以符合实际应用所需。因此，未于本公开提出的其他实施态样也可能可以应用。再者，附图简化以利清楚说明实施例的内容，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和附图仅作叙述实施例之用，而非用以限缩本公开保护范围。相同或相似的元件符号用以代表相同或相似的元件。
55.说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等用词是为了修饰元件，其本身并不意含及代表该元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，这些序数的使用，仅是用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。
56.本公开的多个实施例可应用于多种布线图案。例如，实施例可应用于，但不限于，形成于层间(inter-layer)介电层中或层间介电层上的导电线路。布线图案可例如形成于半导体结构中的第一金属层(ml1)、第二金属层(ml2)及/或第三金属层(ml3)中。
57.请参照图1，图1为根据本公开的第一实施例的布线图案10的俯视示意图。布线图案10包含布线区域101、布线区域102与内连线区103。内连线区103可配置于布线区域101与布线区域102之间。
58.布线区域101可包含多个线型特征101a。多个线型特征101a可沿着第一方向d1延伸。多个线型特征101a可彼此分散地配置。布线区域102可包含多个线型特征102a。多个线型特征102a可沿着第一方向d1延伸。多个线型特征102a可彼此分散地配置。内连线区103可包含内连线特征103a，内连线特征103a可配置于线型特征101a与线型特征102a之间。内连线特征103a包含凹部112。凹部112可例如是沿着第二方向d2凹陷的侧向凹部，第一方向d1垂直于第二方向d2。在此实施例中，如图1所示，凹部112的开口沿第二方向d2朝向布线区域102。但本公开不以此为限，凹部112的开口可沿第二方向d2朝向布线区域101。
59.具体而言，内连线区103的内连线特征103a可包含两个主体部110与配置于两个主体部110之间的连接部111。两个主体部110可沿着第一方向d1彼此分离地配置。两个主体部110可配置为在第二方向d2上互不重叠。连接部111可连接两个主体部110。主体部110可具有沿着第二方向d2的宽度110w，连接部111可具有沿着第二方向d2的宽度111w，连接部111的宽度111w可小于主体部110的宽度110w。内连线特征103a的两个主体部110与连接部111的宽度差异可界定出凹部112。
60.线型特征101a具有沿着第二方向d2的线宽101lw。多个线型特征101a中的两个相邻线型特征101a之间具有沿着第二方向d2的节距101p。线型特征102a具有沿着第二方向d2的线宽102lw。多个线型特征102a中的两个相邻线型特征102a之间可具有沿着第二方向d2的节距102p。在一实施例中，每一线型特征101a具有大致相同的线宽；每一线型特征102a具有大致相同的线宽。在一实施例中，多个线型特征101a具有相同的节距；多个线型特征102a具有相同的节距。在一实施例中，线型特征101a的线宽101lw可大致相等于线型特征102a的线宽102lw。在一实施例中，线型特征101a的节距101p可大致相等于线型特征102a的节距
102p。内连线特征103a具有沿着第二方向d2的线宽103lw。内连线特征103a的线宽103lw可相等于主体部110的宽度110w。内连线特征103a与相邻的线型特征(例如是线型特征102a)之间可具有沿着第二方向d2的节距103p。在一实施例中，内连线特征103a的线宽103lw可大于线型特征101a的线宽101lw和线型特征102a的线宽102lw。在一实施例中，内连线特征103a的节距103p可大于线型特征101a的节距101p和线型特征102a的节距102p。在一实施例中，节距101p与节距102p可等于或小于100纳米(nm)。线型特征101a、线型特征102a与内连线特征103a可包含导电材料，例如金属。在一实施例中，线型特征101a与线型特征102a可为导线。
61.布线图案10还可包含绝缘区104。绝缘区104可配置于线型特征101a、线型特征102a与内连线特征103a之间。绝缘区104可包含绝缘材料，例如氧化物。
62.请同时参照图1与图1a，图1a为沿着图1的延伸线e1的布线图案10的剖面示意图。布线图案10还可包含配置于内连线区103的两个通孔元件105。通孔元件105可分别配置于内连线区103的内连线特征103a的连接部111的相对两侧。具体而言，如图1a所示，通孔元件105可分别配置于内连线区103的内连线特征103a的主体部110，且可和内连线特征103a位于不同层中。例如，通孔元件105可位于内连线特征103a上方的层中且直接接触主体部110。通孔元件105可包含导电材料，例如金属。在一实施例中，通孔元件105可用以提供层间电性连接。本公开的布线图案的内连线区可包含多于一个的内连线特征及/或不同方面的内连线特征，以下将以第二实施例至第六实施例示例性说明。
63.请同时参照图2与图2a，图2为根据本公开的第二实施例的布线图案20的俯视示意图，图2a为图2的圈选处的放大示意图。布线图案20可包含沿着第一方向d1延伸的多个线型特征201-1、201-2、201-3、201-4、201-5、201-6、201-7、201-8、...、201-n、以及配置于多个线型特征201-1～201-n之间的内连线区203。多个线型特征201-1～201-n可例如彼此大致平行地配置。布线图案20中的内连线区203以外的区域可理解为一或多个布线区域。
64.内连线区203可包含至少一配置于任意两个线型特征之间的内连线特征203a，例如配置于线型特征201-3与线型特征201-6之间，或配置于线型特征201-6与线型特征201-9之间。以下将以配置于线型特征201-3与线型特征201-6之间的内连线特征203a为例说明，其他内连线特征203a可以此类推。
65.内连线特征203a包含凹部212。凹部212可例如是沿着第二方向d2凹陷的侧向凹部。如图2a所示，凹部212可沿着第二方向d2从内连线特征203a的第一侧边203s1朝向第二侧边203s2凹陷，第一侧边203s1相对于第二侧边203s2。具体而言，内连线区203的内连线特征203a可包含两个主体部210与配置于两个主体部210之间的连接部211。两个主体部210可沿着第一方向d1彼此分离地配置。两个主体部210可配置为在第二方向d2上互不重叠。连接部211可连接二主体部210。主体部210在第二方向d2上的宽度w1可大于连接部211在第二方向d2上的宽度w2。内连线特征203a的两个主体部210与连接部211的宽度差异可界定出凹部212。在一实施例中，凹部212的底部和第二侧边203s2之间在第二方向d2的距离可等于连接部211在第二方向d2上的宽度w2。线型特征201-1～201-n与内连线特征203a可包含导电材料，例如金属。在一实施例中，线型特征201-1～201-n可为导线。
66.布线图案20可包含配置于内连线区203的两个通孔元件205。两个通孔元件205可分别配置于内连线区203的内连线特征203a的两个主体部210，且位于内连线区203的内连
线特征203a的连接部211的相对两侧。两个通孔元件205可分别配置于凹部212的相对两侧。通孔元件205可和内连线特征203a位于不同层中。例如，通孔元件205可位于内连线特征203a上方的层中且直接接触主体部210。通孔元件205可包含导电材料，例如金属。在一实施例中，通孔元件205可用以提供层间电性连接。
67.如图2a所示，线型特征201-3具有沿着第二方向d2的线宽lw1。多个线型特征201-1～201-n中的二相邻线型特征之间(例如线型特征201-2与线型特征201-3之间)具有沿着第二方向d2的节距p1。在一实施例中，多个线型特征201-1～201-n中的每一个具有大致相同的线宽，多个线型特征201-1～201-n中的两个相邻线型特征之间的节距大致相等。内连线特征203a具有沿着第二方向d2的线宽lw2。内连线特征203a的线宽lw2可相等于主体部210的宽度w1。内连线特征203a与相邻的线型特征(例如是线型特征201-3)之间可具有沿着第二方向d2的节距p2。在一实施例中，内连线特征203a的线宽lw2可大于线型特征201-3的线宽lw1。在一实施例中，节距p2可大于节距p1。连接部211的宽度w2可大于或等于线型特征201-3的线宽lw1。在一实施例中，线型特征201-3的线宽lw1可等于或小于50纳米。节距p1可等于或小于100纳米。在一实施例中，内连线特征203a的线宽lw2可等于或小于150纳米，但本公开不以此为限。
68.内连线特征203a的凹部212具有沿着第一方向d1的凹部长度l1，凹部长度l1可例如介于线型特征201-3的线宽lw1的2倍至4倍之间。
69.通孔元件205具有沿着第一方向d1的通孔长度vl1，通孔长度vl1可例如介于线型特征201-3的线宽lw1的2倍至3倍之间。通孔元件205具有沿着第二方向d2的通孔宽度vw1，通孔宽度vw1可例如介于线型特征201-3的线宽lw1的1倍至2倍之间。在一实施例中，通孔元件205的通孔宽度vw1可约为线型特征201-3的线宽lw1的1.5倍。
70.布线图案20还可包含绝缘区204。绝缘区204可配置于线型特征201-1～201-n与内连线特征203a之间。绝缘区204可包含绝缘材料，例如氧化物。
71.在一实施例中，布线图案中20可包含凹部开口朝向不同方向的多个内连线特征。举例来说，图2中，介于线型特征201-3与线型特征201-6之间的内连线特征203a的凹部212开口朝向正的第二方向d2(或朝向图的右侧)，介于线型特征201-6与线型特征201-9之间的内连线特征203a的凹部开口朝向负的第二方向d2(或朝向图的左侧)。本公开的布线图案可包含任意数量的凹部开口朝向不同方向的多个内连线特征或凹部开口朝向相同方向的多个内连线特征。例如，在图3所示中，布线图案30的内连线区203可包含多个内连线特征203a，多个内连线特征203a的凹部212的开口朝向相同方向。
72.请同时参照图4与图4a，图4为根据本公开的第四实施例的布线图案40的俯视示意图，图4a为图4的圈选处的放大示意图。布线图案40和布线图案20的差异在于，布线图案40的内连线区403的每一内连线特征403a所包含的凹部数量可多于布线图案20的内连线区203的每一内连线特征203a所包含的凹部数量，且布线图案40中配置于每一内连线特征403a的通孔元件405的数量可多于布线图案20中配置于每一内连线特征203a的通孔元件205的数量。
73.布线图案40可包含沿着第一方向d1延伸的多个线型特征401-1、401-2、401-3、...、401-n、以及配置于多个线型特征401-1～401-n之间的内连线区403。多个线型特征401-1～401-n可例如彼此大致平行地配置。在一实施例中，线型特征401-1～401-n可例如
是导线，内连线区403以外的区域可理解为一或多个布线区域。布线图案40的线型特征401-1～401-n可相似于布线图案20的线型特征201-1～201-n。
74.内连线区403可包含至少一配置于任意两个线型特征之间的内连线特征403a，例如配置于线型特征401-2与线型特征401-5之间，或配置于线型特征401-5与线型特征401-8之间。以下将以配置于线型特征401-2与线型特征401-5之间的内连线特征403a为例说明，其他内连线特征403a可以此类推。内连线特征403a包含两个凹部412。凹部412可例如是沿着第二方向d2凹陷的侧向凹部。两个凹部412可彼此分散地配置。两个凹部412可在第二方向d2上不重叠。在此实施例中，内连线特征403a的两个凹部412的开口朝向相同方向。内连线区403的内连线特征403a可包含三个主体部410与配置于三个主体部410之间的两个连接部411。三个主体部410可沿着第一方向d1彼此分离地配置。三个主体部410可配置为在第二方向d2上互不重叠。连接部411可连接相邻的两个主体部410。如图4a所示，主体部410在第二方向d2上的宽度w3可大于连接部411在第二方向d2上的宽度w4。主体部410与连接部411的宽度差异可界定出凹部412。线型特征401-1～401-n与内连线特征403a可包含导电材料，例如金属。在一实施例中，线型特征401-1～401-n可为导线。
75.布线图案40可包含配置于内连线区403的三个通孔元件405。三个通孔元件405可分别配置于内连线区403的内连线特征403a的三个主体部410，且位于内连线区403的内连线特征403a的连接部411的相对两侧。三个通孔元件405与内连线特征403a的两个凹部412可沿着第一方向d1交错配置。通孔元件405可和内连线特征403a位于不同层中。例如，通孔元件405可位于内连线特征403a上方的层中且直接接触主体部410。通孔元件405可包含导电材料，例如金属。在一实施例中，通孔元件405可用以提供层间电性连接。
76.如图4a所示，线型特征401-2具有沿着第二方向d2的线宽lw3。多个线型特征401-1～401-n中的两个相邻线型特征之间(例如线型特征401-1与线型特征401-2之间)具有沿着第二方向d2的节距p3。在一实施例中，多个线型特征401-1～401-n中的每一个具有大致相同的线宽，多个线型特征401-1～401-n中的两个相邻线型特征之间的节距大致相等。内连线特征403a具有沿着第二方向d2的线宽lw4。内连线特征403a的线宽lw4可相等于主体部410的宽度w3。内连线特征403a与相邻的线型特征(例如是线型特征401-2)之间可具有沿着第二方向d2的节距p4。在一实施例中，内连线特征403a的线宽lw4可大于线型特征401-2的线宽lw3。在一实施例中，节距p4可大于节距p3。连接部411的宽度w4可大于或等于线型特征401-2的线宽lw3。在一实施例中，线型特征401-2的线宽lw3可等于或小于50纳米。节距p3可等于或小于100纳米。在一实施例中，内连线特征403a的线宽lw4可等于或小于150纳米，但本公开不以此为限。
77.内连线特征403a的凹部412具有沿着第一方向d1的凹部长度l2，凹部长度l2可例如介于线型特征401-2的线宽lw3的2倍至4倍之间。内连线特征403a的两个凹部412的尺寸可彼此相同或不同。
78.通孔元件405具有沿着第一方向d1的通孔长度vl2，通孔长度vl2可介于线型特征401-2的线宽lw3的2倍至3倍之间。通孔元件405具有沿着第二方向d2的通孔宽度vw2，通孔宽度vw2可介于线型特征401-2的线宽lw3的1倍至2倍之间。在一实施例中，通孔元件405的通孔宽度vw2可约为线型特征401-2的线宽lw3的1.5倍。
79.请参照图5，图5为根据本公开的第五实施例的布线图案50的俯视示意图。布线图
案50和布线图案40的差异在于，布线图案40的单一内连线特征403a的两个凹部412的开口朝向同一侧，而布线图案50的单一内连线特征503a的两个凹部512的开口朝向相异侧。
80.布线图案50包含多个线型特征501-1～501-n、以及配置于多个线型特征501-1～501-n之间的内连线区。布线图案50的多个线型特征501-1～501-n可相似于布线图案20的线型特征201-1～201-n及/或布线图案40的线型特征401-1～401-n。内连线区可包含至少一配置于任意两个线型特征之间的内连线特征503a。内连线特征503a包含两个凹部512，两个凹部512的开口朝向不同方向。凹部512可例如是沿着第二方向d2凹陷的侧向凹部。两个凹部512可彼此分散地配置。两个凹部512可在第二方向d2上不重叠。
81.在一实施例中，图4所示的布线图案40所包含的内连线特征403a与图5所示的布线图案50所包含的内连线特征503a可并用于一布线图案中，如图6所示。图6为根据本公开的第六实施例的布线图案60的俯视示意图，在此实施例中，布线图案60同时包含内连线特征403a(其凹部的开口朝向同一侧)与内连线特征503a(其凹部的开口朝向相异侧)。布线图案60还可包含内连线特征603a。内连线特征603a和内连线特征403a的差异在于，内连线特征403a的两个凹部开口皆朝向正的第二方向d2(或朝向图的右侧)，而内连线特征603a的两个凹部612开口皆朝向负的第二方向d2(或朝向图的左侧)。本公开的布线图案的内连线区可包含多个内连线特征彼此分散地配置于多个线型特征之间，且可包含上述不同类型的内连线特征(例如内连线特征103a、203a、403a、503a、603a)的任意组合。
82.图7-12为根据本公开一实施例的用以形成布线图案的方法。
83.请参照图7。在基板701上形成绝缘层702与未图案化光刻胶光掩模层703。
84.请参照图8-9。使用光掩模801对未图案化光刻胶层703进行曝光处理，以形成可对应于光掩模图案802的光刻胶曝光区803与光刻胶非曝光区804。在经过适当的烘烤步骤后，使用显影液处理光刻胶曝光区803与光刻胶非曝光区804，再经过清洗、旋干等步骤以移除光刻胶曝光区803，从而定义出多个线型光刻胶特征961(例如对应于光刻胶非曝光区804)与多个沟道962(例如对应于光刻胶曝光区803)，形成图案化光刻胶层960。
85.接着，通过图案化光刻胶层960中的沟道962对绝缘层702进行蚀刻处理以移除部分的绝缘层702，并移除绝缘层702上的图案化光刻胶层960(例如通过干法光刻胶去除工艺(photoresist dry stripping)或湿法光刻胶去除工艺(photoresist wet stripping))，形成如图10所示的绝缘区904。请参照图11，对图10所示的结构进行沉积处理，以在绝缘区904上形成导电材料层905。在一实施例中，导电材料层905可包含铜。接着，对图11所示的结构进行化学机械抛光(chemical-mechanical planarization；cmp)处理，移除部分的导电材料层905后，形成线型特征906-1、906-2、906-3与内连线特征907，如图12所示。
86.在一实施例中，通过施行上述图7-12的方法，可形成如图1-6所示的布线图案。图案化光刻胶层中的线型光刻胶特征的位置可对应于布线图案的绝缘区的位置。图案化光掩模层中的沟道的位置可对应于布线图案的线型特征与内连线特征的位置。图案化光刻胶层中的线型光刻胶特征可包含光刻胶凸部，光刻胶凸部可形状互补于布线图案的内连线特征的凹部。
87.布线图案通常包含具有密集排列的线型特征或导线的布线区域、以及具有内连线特征的内连线区以配置多种半导体元件，半导体元件例如是通孔元件。内连线区中的内连线特征的线宽通常会大于布线区域中的线型特征的线宽以便于配置半导体元件。然而，此
种线宽不一致的配置可能会在光刻胶显影的清洗及旋干的过程中，因光刻胶图案受力不平均，而发生光刻胶图案倒塌问题，进而影响电性的良率与可靠度。
88.在本公开的布线图案中，内连线区中的内连线特征包含凹部，其可改善受力不平均而导致的图案倒塌问题。此外，在形成本公开的包含凹部的内连线特征的过程中，用以形成布线图案的线型光刻胶特征包含形状互补于内连线特征的凹部的光刻胶凸部，此种配置可进一步避免线型光刻胶特征因两侧受力不平均(例如线型光刻胶特征两侧的清洗液在旋干的动态过程中，两侧液面高度不一致，而导致的光刻胶两侧受力不平均)而倒塌，并可避免图案倒塌造成的布线图案不良的问题。因此，本公开可有效减少图案倒塌问题，并可提升工艺窗口、产品可靠度与良率。本公开的凹部的尺寸可以在不影响通孔元件的安装空间的情况下解决图案倒塌问题，亦适用于密集图案中，特别适用于节距等于或小于100纳米的精细图案。
89.综上所述，虽然本公开已以实施例公开如上，然而其并非用以限定本公开。本公开所属技术领域的技术人员，在不脱离本公开的精神和范围前提下，当可作各种的更动与润饰。因此，本公开的保护范围当视随附的权利要求范围所界定的为准。

技术特征：
1.一种布线图案，包含：一第一布线区域，包含多条沿着一第一方向延伸的第一导线，这些第一导线沿着一垂直于该第一方向的第二方向具有一第一节距；一第二布线区域，包含多条沿着该第一方向延伸的第二导线，这些第二导线沿着该第二方向具有一第二节距，该第二节距大致相等于该第一节距；以及一内连线区，包含二沿着该第一方向分离配置的主体部、以及一连接于这些主体部的连接部，该连接部沿着该第二方向的一宽度小于这些主体部沿着该第二方向的一宽度。2.根据权利要求1所述的布线图案，其中，该内连线区的这些主体部和该连接部界定出一凹部，该凹部的开口沿该第二方向朝向该第一布线区域或该第二布线区。3.根据权利要求1所述的布线图案，还包含两个通孔元件，这些通孔元件分别配置于该内连线区的这些主体部。4.一种布线图案，包含：多个线型特征，沿着一第一方向延伸且具有沿着一第二方向的一第一线宽，该第二方向垂直于该第一方向；以及一内连线特征，配置于这些线型特征中的二者之间，该内连线特征包含沿着该第二方向凹陷的一凹部，该内连线特征具有沿着该第二方向的一第二线宽，该第一线宽小于该第二线宽。5.根据权利要求4所述的布线图案，其中该内连线特征包含两个沿着该第一方向分离配置的主体部、以及一连接于这些主体部的连接部，该连接部沿着该第二方向的一宽度小于这些主体部沿着该第二方向的一宽度。6.根据权利要求4所述的布线图案，其中该内连线特征的该凹部沿着该第二方向从该内连线特征的一第一侧边朝向一第二侧边凹陷，该第一侧边相对于该第二侧边，该凹部的底部和该第二侧边之间的一距离大于或等于该第一线宽。7.根据权利要求4所述的布线图案，其中该内连线特征的该凹部具有沿着该第一方向的一凹部长度，该凹部长度介于该第一线宽的2倍至4倍之间。8.根据权利要求4所述的布线图案，还包含配置于该内连线特征的两个通孔元件，这些通孔元件分别配置于该内连线特征的该凹部的相对两侧。9.根据权利要求4所述的布线图案，其中该内连线特征包含两个该凹部，这些凹部在该第二方向上不重叠。10.根据权利要求9所述的布线图案，还包含配置于该内连线特征的三个通孔元件，这些通孔元件与该内连线特征的这些凹部沿着该第一方向交错配置。

技术总结
本公开提供一种布线图案。布线图案包含第一布线区域、第二布线区域与内连线区。第一布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第一导线。多条第一导线沿垂直于该第一方向的第二方向具有第一节距。第二布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第二导线。多条第二导线沿着第二方向具有第二节距，第二节距大致相等于第一节距。内连线区包含二沿着第一方向分离配置的主体部、以及连接于二主体部的连接部。连接部沿着第二方向的宽度小于二主体部沿着第二方向的宽度。的宽度。的宽度。


技术研发人员：杨金成 林云珠
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2022.03.23
技术公布日：2023/9/23