基材膜及工件加工用片的制作方法

1.本发明涉及一种基材膜，其适合用作用于半导体晶圆等工件的加工中所使用的工件加工用片的基材膜，本发明还涉及该工件加工用片。


背景技术：

2.硅、砷化镓等半导体晶圆、各种封装类以大直径状态而制造，并在被切断(切割)成芯片、并经过剥离(拾取)后，移至作为后续工序的安装工序。此时，半导体晶圆等工件，以贴附在具备基材膜与粘着剂层的粘着片(以下，有时称之为“工件加工用片”)上的状态，进行背面研磨、切割、清洗、干燥、扩展、拾取、安装等加工。
3.作为上述切割的手法之一，有通过旋转的圆刀(切割刀)将工件切断的方法。在该方法中，为了使工件确实地被切断，通常也会将贴附在工件上的工件加工用片的一部分连同工件一起切断。
4.由此，当工件连同工件加工用片一起被切断时，会自工件加工用片产生由构成粘着剂层与基材膜的材料形成的切削屑。特别是，这种切削屑通常会发生在通过切断所获得的芯片、工件加工用片上的圆刀所通过的线槽(切槽(kerf line))附近。
5.若在切削屑大量附着在芯片上的状态下进行芯片的封装，则附着在芯片上的切削屑会因封装的热而发生分解，其热分解物会破坏封装，成为导致所获得的装置运行不良的原因。由于该切削屑难以通过清洗而去除，会因切削屑的产生而导致切割工序的产率显著降低。因此，在通过旋转的圆刀进行切割时，要求防止切削屑的产生。
6.此外，关于将工件加工用片作为基材膜，已知有将聚酯树脂作为材料之一的基材膜(专利文献1)。现有技术文献专利文献
7.专利文献1：日本特开第2006-152072号公报


技术实现要素：

本发明要解决的技术问题
8.本发明的发明人发现，关于将工件加工用片作为基材膜，通过使用以特定的聚酯树脂作为材料之一的基材膜，能有效地抑制上述切削屑的产生。另一方面，发现这种以聚酯树脂作为材料的基材膜，容易因静电发生尘埃的附着。特别是，发现即使以防止这种尘埃的附着为目的而在膜中掺合了抗静电剂，也仍存在不易获得充分的防止尘埃附着的性能的倾向。
9.本发明鉴于上述情况而完成，目的在于提供一种能够充分抑制切削屑的产生，且同时具有优异的防止尘埃附着的性能的基材膜，以及能够良好地发挥上述功能的工件加工用片。解决技术问题的技术手段
10.为了实现上述目的，首先，本发明提供一种基材膜，其为具备含有聚酯树脂的第一树脂层的基材膜，所述聚酯树脂具有脂环结构，且其通过差示扫描量热法以20℃/min的升温速度所测定的熔解热为2j/g以上，所述基材膜的至少一个面的表面电阻率为1
×
106ω/
□
以上且1
×
10
15
ω/
□
以下(发明1)。
11.上述发明(发明1)的基材膜由含有聚酯树脂的材料形成，并且，通过使该聚酯树脂在具有脂环结构的同时，显示出上述的熔解热，即便在将具备该基材膜的工件加工用片使用于使用了旋转的圆刀的切割时，也可良好地抑制切削屑的产生。在此基础上，通过使基材膜的至少一个面的表面电阻率在上述范围内，可抑制具备该基材膜的工件加工用片在使用时产生静电，可良好地抑制尘埃的附着。
12.在上述发明(发明1)中，所述第一树脂层优选含有抗静电剂(发明2)。
13.在上述发明(发明2)中，优选所述第一树脂层中的所述抗静电剂的含量为1质量％以上且50质量％以下(发明3)。
14.在上述发明(发明2、3)中，优选所述抗静电剂为离子传导型抗静电剂(发明4)。
15.在上述发明(发明2～4)中，优选所述抗静电剂为高分子型抗静电剂(发明5)。
16.在上述发明(发明5)中，优选所述抗静电剂为醚系抗静电剂、酯系抗静电剂、聚酰胺系抗静电剂及丙烯酸系抗静电剂中的至少1种(发明6)。
17.在上述发明(发明2～6)中，优选所述抗静电剂在210℃的温度且5.0kg的载荷下的熔体流动速率为1g/10min以上且100g/10min以下(发明7)。
18.在上述发明(发明2～7)中，优选所述抗静电剂在大气气氛下的5％重量减少温度为250℃以上(发明8)。
19.在上述发明(发明2～8)中，优选所述抗静电剂在氮气气氛下的5％重量减少温度为250℃以上(发明9)。
20.在上述发明(发明1～9)中，优选所述聚酯树脂包含具有所述脂环结构的二羧酸作为构成该聚酯树脂的单体单元(发明10)。
21.在上述发明(发明1～10)中，优选所述聚酯树脂包含具有所述脂环结构的二醇作为构成该聚酯树脂的单体单元(发明11)。
22.在上述发明(发明1～11)中，优选在所述脂环结构中，构成环的碳原子数为6以上且14以下(发明12)。
23.在上述发明(发明1～12)中，优选所述聚酯树脂包含将不饱和脂肪酸二聚化而成的二聚酸作为构成该聚酯树脂的单体单元，且所述不饱和脂肪酸的碳原子数为10以上且30以下(发明13)。
24.在上述发明(发明13)中，优选作为构成所述聚酯树脂的单体单元的所述二聚酸相对于作为构成所述聚酯树脂的单体单元的全部二羧酸的比例为2摩尔％以上且25摩尔％以下(发明14)。
25.在上述发明(发明1～14)中，优选所述基材膜的厚度为20μm以上且600μm以下(发明15)。
26.其次，本发明提供一种工件加工用片，其特征在于，具备所述基材膜(发明1～15)与层叠在所述基材膜的单面侧的粘着剂层(发明16)。
27.在上述发明(发明16)中，优选所述工件加工用片为切割片(发明17)。
发明效果
28.根据本发明的基材膜，能够制造充分抑制切削屑的产生，且同时具有优异的防止尘埃附着的性能的工件加工用片。此外，本发明的工件加工用片能够充分抑制切削屑的产生，且同时具有优异的防止尘埃附着的性能。
具体实施方式
29.以下，对本发明的实施方案进行说明。[基材膜]本实施方案的基材膜具备含有聚酯树脂的第一树脂层。并且，上述聚酯树脂具有脂环结构，且其通过差示扫描量热法以20℃/min的升温速度所测定的熔解热为2j/g以上。
[0030]
本实施方案的基材膜，通过具备上述含有聚酯树脂的第一树脂层，能够使使用该基材膜而构成的工件加工用片，在使用于使用了旋转的圆刀的工件的切割时，良好地抑制切削屑的产生。
[0031]
进一步，本实施方案的基材膜的至少一个面的表面电阻率为1
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106ω/
□
以上且1
×
10
15
ω/
□
以下。通过使本实施方案的基材膜具有上述表面电阻率，能够使使用该基材膜而构成的工件加工用片在进行保存及使用时，不易产生静电，良好地抑制因产生静电而导致的工件加工用片上的尘埃的附着。
[0032]
从有效获得上述防止尘埃附着的性能的角度出发，上述表面电阻率优选为5.0
×
10
14
ω/
□
以下，特别优选为2.0
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10
14
ω/
□
以下。另外，上述表面电阻率的下限值并无特别限定，例如，可以为1
×
108ω/
□
以上，特别是也可以为1
×
107ω/
□
以上。另外，上述表面电阻率的测定方法的详情如后述试验例部分所述。
[0033]
另外，作为可如上所述获得抑制切削屑的效果的理由，推测如下。但是，并不排除下述理由与其他理由相辅相成而获得上述效果的可能性，此外，也不排除因除下述理由以外的理由而获得上述效果的可能性。
[0034]
首先，推测在对使用该聚酯树脂所制作的基材施加切割的力时，聚酯树脂容易在酯键的位置被切断。此外，本实施方案中的聚酯树脂由于如上所述具有脂环结构且显示出上述熔解热，适度地具有高分子链的一部分规则折叠而成的结构(层状结构)。因此，推测在被施加切割的力时，上述聚酯树脂容易在上述层状结构的位置被切断。由此，相较于以往的基材膜中使用的树脂，本实施方案中的聚酯树脂在被施加切割的力时，容易在特定位置发生切断。
[0035]
对此，作为自常规的切割片的基材产生切削屑的机制，认为是由于切割时产生的摩擦热导致基材软化，并且在此基础上，与旋转的圆刀发生接触而对基材的切断部分施加拉伸的力，使得基材的切断部分在被拉伸的同时被削去。特别是，由此产生的切断屑大多具有丝状的形态。
[0036]
另一方面，推测本实施方案中的基材，在以上述方式受到拉伸之前，会在酯键结及层状结构附近有效地发生切断，结果使得切削屑的产生得以抑制。
[0037]
从更加易于实现上述抑制切削屑的效果的角度出发，上述聚酯树脂的通过差示扫描量热法以20℃/min的升温速度所测定的熔解热优选为5j/g以上，特别优选为10j/g以上，进一步优选为15j/g以上。另一方面，该熔解热的上限值并无特别限定，例如，可以为150j/g
以下，还可以为100j/g以下，特别是可以为70j/g以下，进一步可以为50j/g以下，尤其是可以为30j/g以下。另外，上述熔解热的测定方法的详情，如后述实施例部分所述。
[0038]
1.基材膜的材料等(1)聚酯树脂关于上述聚酯树脂的具体组成，只要满足具有脂环结构，且聚酯树脂显示出上述的熔解热的条件，则并无特别限定。
[0039]
从更加良好地获得抑制切削屑的效果的角度出发，上述聚酯树脂所具有的脂环结构中，构成环的碳原子数优选为6以上。此外，该碳原子数优选为14以下，特别优选为10以下。尤其是，上述碳原子数优选为6。此外，该脂环结构可以是由1个环构成的单环式，也可以是由2个环构成的双环式，也可以由3个以上的环构成。
[0040]
此外，从易于满足上述2个条件的角度出发，优选上述聚酯树脂包含具有脂环结构的二羧酸作为构成该聚酯树脂的单体单元。此外，从相同的角度出发，优选上述聚酯树脂包含具有脂环结构的二醇作为构成该聚酯树脂的单体单元。虽然可以在聚酯树脂中仅包含上述二羧酸与二醇中的任一者，然而，从易于满足上述条件的角度出发，优选聚酯树脂包含上述二羧酸与二醇这两者。
[0041]
只要上述二羧酸的结构具有脂环结构，且具有2个羧基，则并无特别限定。例如，二羧酸可以是在脂环结构上键合2个羧基而成的结构，也可是在该脂环结构与羧基之间进一步插入烷基等而成的结构。作为这种二羧酸的优选实例，可列举出1,2-环己烷二甲酸、1,3-环己烷二甲酸、1,4-环己烷二甲酸、1,4-十氢萘二甲酸、1,5-十氢萘二甲酸、2,6-十氢萘二甲酸、2,7-十氢萘二甲酸等，其中，优选使用1,4-环己烷二甲酸。这些二羧酸可以是烷基酯等衍生物。作为这种烷基酯衍生物，例如，可以为碳原子数为1以上且10以下的烷基酯。作为更具体的实例，可列举出二甲酯、二乙酯等，特别优选二甲酯。
[0042]
本实施方案中的聚酯树脂包含具有脂环结构的二羧酸作为构成其的单体单元时，该二羧酸单体相对于构成该聚酯树脂的全部单体单元的比例优选为20摩尔％以上，更优选为25摩尔％以上，特别优选为30摩尔％以上，进一步优选为35摩尔％以上。此外，该比例优选为60摩尔％以下，更优选为55摩尔％以下，特别优选为50摩尔％以下，进一步优选为45摩尔％以下。通过在这些范围内，聚酯树脂变得易于显示出上述的熔解热，结果使得使用本实施方案的基材膜所获得的工件加工用片易于实现更加优异的抑制切削屑的效果。
[0043]
此外，本实施方案中的聚酯树脂包含具有脂环结构的二羧酸作为构成其的单体单元时，具有脂环结构的二羧酸相对于构成该聚酯树脂的具有环结构的二羧酸整体的比例优选为60％以上，更优选为70％以上，特别优选为80％以上，进一步优选为90％以上。通过使上述比例为60％以上，使用本实施方案的基材膜所获得的工件加工用片易于实现更加优异的抑制切削屑的效果。另外，该比例的上限值并无特别限定，例如，可以为100％以下。另外，除了具有脂环结构的二羧酸以外，上述具有环结构的二羧酸中还可包含具有芳香环结构的二羧酸等。
[0044]
只要上述的二醇的结构具有脂环结构，且具有2个羟基，则并无特别限定。例如，二醇可以是在脂环结构上键合2个羟基而成的结构，也可以是在该脂环结构与羟基之间进一步插入烷基而成的结构。作为该二醇的优选实例，可列举出1,2-环己二醇(特别是1,2-环己烷二甲醇)、1,3-环己二醇(特别是1,3-环己烷二甲醇)、1,4-环己二醇(特别是1,4-环己烷
二甲醇)、2,2-双-(4-羟基环己基)-丙烷等，其中，优选使用1,4-环己烷二甲醇。
[0045]
本实施方案中的聚酯树脂包含具有脂环结构的二醇作为构成其的单体单元时，该二醇单体相对于构成该聚酯树脂的全部单体单元的比例优选35摩尔％以上，特别优选为40摩尔％以上，进一步优选为45摩尔％以上。此外，该比例优选为65摩尔％以下，特别优选为60摩尔％以下，进一步优选为55摩尔％以下。通过在这些范围内，聚酯树脂易于显示出上述的熔解热，结果使得使用本实施方案的基材膜所获得的工件加工用片易于实现更加优异的抑制切削屑的效果。
[0046]
从基材易于具有所需的柔软性的角度出发，本实施方案中的聚酯树脂优选包含将不饱和脂肪酸二聚化而成的二聚酸作为构成该聚酯树脂的单体单元。其中，该不饱和脂肪酸的碳原子数优选为10以上，特别优选为15以上。此外，上述碳原子数优选为30以下，特别优选为25以下。作为该二聚酸的实例，可列举出将油酸、亚油酸等碳原子数为18的不饱和脂肪酸二聚化而得到的碳原子数为36的二羧酸，将芥酸等碳原子数为22的不饱和脂肪酸二聚化而得到的碳原子数为44的二羧酸等。另外，在获得上述二聚酸时，有时也会少量产生将上述不饱和脂肪酸三聚化而成的三聚酸。本实施方案中的聚酯树脂在包含上述二聚酸的同时，还可包含这种三聚酸。
[0047]
本实施方案中的聚酯树脂包含上述二聚酸作为构成其的单体单元时，该二聚酸相对于构成该聚酯树脂的全部二羧酸单元的比例优选为2摩尔％以上，特别优选为5摩尔％以上，进一步优选为10摩尔％以上。此外，该比例优选为25摩尔％以下，特别优选为23摩尔％以下，进一步优选为20摩尔％以下。通过在上述范围内，聚酯树脂易于具有所需的柔软性，结果使得使用本实施方案的基材膜所获得的工件加工用片还可实现优异的扩展性、拾取性。
[0048]
本实施方案中的聚酯树脂也可含有除上述的二羧酸、二醇及二聚酸以外的单体作为构成其的单体单元。作为这种单体的实例，可列举出丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸等脂肪族二羧酸；邻苯二甲酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、1,4-萘二甲酸、4,4
’‑
联苯二甲酸等芳香族二羧酸等。此外，还可含有除具有脂环结构的二醇以外的二醇成分。例如，可含有乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、辛二醇、癸二醇；双酚a、双酚s等环氧乙烷加成物；还可含有三羟甲基丙烷等。
[0049]
然而，从易于实现优异的抑制切削屑的效果的角度出发，优选在本实施方案中的聚酯树脂中包含多于具有芳香环结构的单体的具有脂环结构的单体(上述的具有脂环结构的二羧酸、具有脂肪结构的二醇)。特别是，本实施方案中的构成聚酯树脂的单体单元中，具有芳香环结构的单体单元相对于具有脂环结构的单体单元的摩尔比优选小于1，更优选为0.5以下，更优选为0.2以下，更优选为0.1以下，更优选为0.05以下，更优选为0.03以下，更优选为0.01以下，特别优选为0.005以下，进一步优选为0.001以下，最优选为0。
[0050]
本实施方案中的聚酯树脂的制备方法无特别限定，可通过使用公知的催化剂，使上述的单体成分聚合而获得聚酯树脂。
[0051]
本实施方案中的聚酯树脂相对于构成基材的所有成分的比例优选为50％以上，特别优选为60％以上，进一步优选为70％以上。通过使上述比例为50％以上，使用本实施方案的基材膜所获得的工件加工用片易于实现更加优异的抑制切削屑的效果。另外，上述比例的上限值并无特别限定，例如，可以为100％以下。
[0052]
(2)抗静电剂从易于实现上述的表面电阻率的角度出发，本实施方案中的第一树脂层优选包含抗静电剂。作为该抗静电剂，只要能够实现上述的表面电阻率，则并无限定，例如，可以是离子传导型抗静电剂，或者，也可以是电子传导型抗静电剂。然而，从易于维持上述的抑制切削屑的效果，以及易于防止切割刀的破损的角度出发，优选使用离子传导型抗静电剂。
[0053]
此外，作为上述抗静电剂，虽然可以是低分子型，或者也可以是高分子型，但从易于控制自第一树脂层中渗出的角度出发，优选使用高分子型(高分子型抗静电剂)。特别是，作为本实施方案中的抗静电剂，优选使用离子传导型且高分子型的抗静电剂。
[0054]
本说明书中的高分子型抗静电剂是指具有至少2个以上的重复单元的抗静电剂。特别是，本实施方案中的高分子型抗静电剂的重均分子量优选为300以上，特别优选为1000以上。此外，该重均分子量优选为100000以下，特别优选为75000以下，进一步优选为50000以下。另外，本说明书中的重均分子量为通过凝胶渗透色谱法(gpc法)所测定的标准聚苯乙烯换算的值。
[0055]
作为高分子型抗静电剂的优选实例，可列举出醚系抗静电剂、酯系抗静电剂、聚酰胺系抗静电剂、丙烯酸系抗静电剂等。
[0056]
作为本实施方案中的抗静电剂的特别优选的实例，可列举出聚醚酯酰胺系抗静电剂。该聚醚酯酰胺系抗静电剂可分类成醚系抗静电剂、酯系抗静电剂及聚酰胺系抗静电剂中的任一种。
[0057]
作为上述聚醚酯酰胺系抗静电剂的优选实例，可列举出聚醚酯酰胺的无机质子酸的盐。作为该无机质子酸的盐，可列举出碱金属盐、碱土金属、锌盐或铵盐等。
[0058]
上述聚醚酯酰胺只要为具备具有酰胺键的酰胺单元与具有醚键的醚单元的聚合物，则并无特别限定。这些单元在聚醚酯酰胺中可无序地排列，也可以嵌段状排列。特别是，关于酰胺单元，也可以在聚醚酯酰胺中无序地排列。此外，这些单元彼此可通过酯键、酰胺键等连接。作为优选的聚醚酯酰胺，可列举出由多个聚酰胺单元构成的聚酰胺嵌段、与由多个聚醚单元构成的聚醚嵌段交互配置而成的聚醚酯酰胺。
[0059]
上述酰胺单元，例如，可通过二羧酸(例如，草酸、丁二酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸、1,4-环己烷二甲酸等)与二胺(例如，乙二胺、四亚甲基二胺、戊二胺、己二胺、癸二胺、2,2,4-三甲基己二胺、2,4,4-三甲基己二胺、1,3-双(氨基甲基)环己烷、1,4-双(氨基甲基)环己烷、亚甲基双(4-氨基环己烷)、间苯二甲胺、对苯二甲胺等)的缩合及缩聚；ε-己内酰胺、ω-十二内酰胺等内酰胺的开环聚合、6-氨基己酸、9-氨基壬酸、11-氨基十一酸、12-氨基十二酸等氨基羧酸的缩聚，或者上述内酰胺的开环物或氨基羧酸与二羧酸的缩合、上述内酰胺的开环物或氨基羧酸与二羧酸及二胺的缩聚等而获得。这种酰亚胺单元为尼龙4、尼龙6、尼龙46、尼龙66、尼龙610、尼龙612、尼龙6t、尼龙11、尼龙12、尼龙6/66、尼龙6/12、尼龙6/610、尼龙66/12、尼龙6/66/610等，特别优选尼龙11、尼龙12等。酰胺单元的分子量，例如，优选为100～5000左右。
[0060]
此外，作为上述醚单元，可示例出聚氧乙烯二醇(polyoxyethylene glycol)、聚氧丙烯二醇(polyoxypropylene glycol)、聚氧四亚甲基二醇(polyoxytetramethylene glycol)、聚氧乙烯-聚氧丙烯二醇等聚氧亚烷基二醇或者它们的混合物等。这些醚单元的分子量，例如，为400～6000左右，进一步优选为600～5000左右。
[0061]
此外，作为本实施方案中的抗静电剂的特别优选的实例，还可列举出丙烯酸系抗静电剂。在本说明书中，丙烯酸系抗静电剂是指包含丙烯酸及其衍生物(丙烯酸酯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸酯等)中的至少1种作为构成成分的抗静电剂。作为丙烯酸系抗静电剂的优选实例，可列举出在乙烯与丙烯酸及其衍生物中的至少1种的共聚物的分子间，以金属离子进行分子间交联而成的离子聚合物树脂。作为该金属离子的实例，可列举出锂、钠、钾、钙等。特别是，作为本实施方案中的丙烯酸系抗静电剂，优选使用乙烯-甲基丙烯酸共聚物的离子聚合物。
[0062]
本实施方案中的抗静电剂在210℃的温度且5.0kg的载荷下的熔体流动速率优选为100g/10min以下，更优选为95g/10min以下，特别优选为90g/10min以下，进一步优选为80g/10min以下。此外，上述熔体流动速率优选为1g/10min以上，特别优选为5g/10min以上，进一步特别优选为10g/10min以上。通过使上述熔体流动速率在上述范围内，易于调整与本实施方案中的聚酯树脂的熔体流动速率的差。结果使得抗静电剂容易适度地分散在第一树脂层中并形成导电路径，因此易于良好地发挥防止尘埃附着的性能。另外，上述熔体流动速率的测定方法的详情，如后述实施例所述。
[0063]
本实施方案中的抗静电剂在大气气氛下的5％重量减少温度优选为250℃以上，特别优选为270℃以上，进一步优选为300℃以上。通过使上述5％重量减少温度为250℃以上，即使在进行基材膜的材料的捏合、制膜时受到加热，抗静电剂也不易分解，易于发挥充分的防止尘埃附着的性能。另外，上述5％重量减少温度的上限值并无特别限定，例如，可以为1000℃以下，特别是可以为900℃以下，可以进一步为700℃以下。
[0064]
此外，本实施方案中的抗静电剂在氮气气氛下的5％重量减少温度优选为250℃以上，特别优选为270℃以上，进一步优选为300℃以上。通过使上述5％重量减少温度为250℃以上，即使在进行基材膜的材料的捏合、制膜时受到加热，抗静电剂也不易分解，易于发挥充分的防止尘埃附着的性能。另外，上述5％重量减少温度的上限值并无特别限定，例如，可以为1000℃以下，特别是可以为900℃以下，可以进一步为700℃以下。
[0065]
上述在大气气氛下的5％重量减少温度及在氮气气氛下的5％重量减少温度的测定方法的详情，如后述实施例所述。
[0066]
本实施方案的基材膜中，第一树脂层中的抗静电剂的含量优选为1质量％以上，更优选为3质量％以上，特别优选为5质量％以上，进一步优选为10质量％以上。通过使抗静电剂的含量为1质量％以上，使用本实施方案的基材膜所构成的工件加工用片易于实现良好的防止尘埃附着的性能。此外，第一树脂层中的抗静电剂的含量优选为50质量％以下，特别优选为45质量％以下，进一步优选为40质量％以下。通过使抗静电剂的含量为50质量％以下，使用本实施方案的基材膜所构成的工件加工用片易于发挥良好的机械特性，且同时易于发挥充分的抑制切削屑的效果。
[0067]
(3)其他成分本实施方案中的第一树脂层也可含有除上述的聚酯树脂以外的其他成分。特别是该材料中也可含有通常的工件加工用片的基材膜中所使用的成分。
[0068]
作为该成分的实例，可列举出阻燃剂、增塑剂、润滑剂、抗氧化剂、着色剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、离子捕捉剂等各种添加剂。这些添加剂的含量虽然无特别限定，但优选设置在使基材膜发挥所需功能的范围内。
[0069]
(4)基材膜的构成作为本实施方案中的基材膜的层构成，只要具备上述的由含有聚酯树脂的材料形成的第一树脂层，则可以是单层，也可以是多层。从能够降低制造成本的角度出发，本实施方案中的基材膜优选为单层(仅聚酯树脂层)。
[0070]
另一方面，当为多层时，可以层叠多层第一树脂层，或者，也可以层叠第一树脂层与除其以外的层。此时，可兼具聚酯树脂层所带来的抑制切削屑的效果与其他层所带来的所需效果。
[0071]
此外，也可在基材膜的层叠有粘着剂层的面上实施底涂处理、电晕处理、等离子体处理等表面处理，以提高与该粘着剂层的密合性。
[0072]
2.基材膜的厚度本实施方案中的基材膜的厚度优选为20μm以上，特别优选为40μm以上，进一步优选为60μm以上。此外，基材膜的厚度优选为600μm以下，特别优选为300μm以下，进一步优选为200μm以下。通过使基材膜的厚度为20μm以上，工件加工用片容易具有适度的强度，易于良好地支撑固定在工件加工用片上的工件。结果可有效抑制切割时的崩边的产生等。此外，通过使基材膜的厚度为600μm以下，基材膜变得具有良好的加工性。
[0073]
3.基材膜的制造方法本实施方案中的基材膜的制造方法，只要使用含有上述的聚酯树脂的材料，则并无特别限定，例如，可使用t型模具法、圆型模具法等熔融挤出法；压延法；干式法、湿式法等溶液法等。其中，从效率良好地制造基材的角度出发，优选采用熔融挤出法或压延法。
[0074]
通过熔融挤出法制造由单层构成的基材膜时，将基材的材料(含有上述聚酯树脂的材料)捏合，使用共知的挤出机，由所获得的捏合物直接进行制膜，或者由所获得的捏合物制造团粒后再进行制膜即可。
[0075]
此外，通过熔融挤出法制造由多层构成的基材膜时，将构成各层的成分分别进行捏合，使用共知的挤出机，由所获得的捏合物直接同时挤出多层而进行制膜，或者由所获得的捏合物制造团粒后再同时挤出多层而进行制膜即可。
[0076]
此外，基材膜为多层时，也可通过对预先形成为膜状的特定层的一个面，涂布包含含有上述聚酯树脂的材料的涂布液，使其干燥或固化，形成第一树脂层。由此，可获得具备特定层与第一树脂层的基材膜。
[0077]
[工件加工用片]本实施方案的工件加工用片具备上述的基材膜与层叠在该基材膜的单面侧的粘着剂层。
[0078]
1.工件加工用片的构成以下，对构成本实施方案的工件加工用片的构件中的除上述的基材膜以外的构成进行说明。
[0079]
(1)粘着剂层作为构成上述粘着剂层的粘着剂，只要能够对被粘物发挥充分的粘着力(尤其是足以用于进行工件的加工的对工件的粘着力)，则并无特别限定。作为构成粘着剂层的粘着剂的实例，可列举出丙烯酸系粘着剂、橡胶系粘着剂、硅酮系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、聚酯树脂系粘着剂、聚乙烯醚系粘着剂等。其中，从易于发挥所需粘着力的角度出发，优选
使用丙烯酸系粘着剂。
[0080]
本实施方案中的构成粘着剂层的粘着剂，可以是不具有活性能量射线固化性的粘着剂，但优选具有活性能量射线固化性的粘着剂(以下，有时称之为“活性能量射线固化性粘着剂”)。通过使粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，可通过照射活性能量射线，使粘着剂层固化，易于降低工件加工用片对被粘物的粘着力。尤其是通过照射活性能量射线，可使加工后的工件轻易地自该工件加工用片上分离。
[0081]
作为构成粘着剂层的活性能量射线固化性粘着剂，可以将具有活性能量射线固化性的聚合物作为主要成分，也可以将非活性能量射线固化性聚合物(不具有活性能量射线固化性的聚合物)与具有至少1个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物作为主要成分。
[0082]
具有活性能量射线固化性的聚合物优选为在侧链导入有具有活性能量射线固化性的官能团(活性能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(以下，有时称之为“活性能量射线固化性聚合物”)。该活性能量射线固化性聚合物优选为使具有含官能团单体单元的丙烯酸系共聚物、与具有与该官能团进行键合的官能团的含不饱和基团化合物进行反应而获得的聚合物。另外，在本说明书中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸及甲基丙烯酸这两者。其他类似术语也相同。进一步，“聚合物”还包括“共聚物”的概念。
[0083]
上述活性能量射线固化性聚合物的重均分子量优选为1万以上，特别优选为15万以上，进一步优选为20万以上。此外，该重均分子量优选为250万以下，特别优选为200万以下，进一步优选为150万以下。另外，本说明书中的重均分子量(mw)为通过凝胶渗透色谱法(gpc法)所测定的标准聚苯乙烯换算的值。
[0084]
另一方面，当活性能量射线固化性粘着剂将非活性能量射线固化性聚合物成分与具有至少1个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物作为主要成分时，作为该非活性能量射线固化性聚合物成分，例如，能够使用在使含不饱和基团化合物反应之前的上述丙烯酸系共聚物。此外，作为活性能量射线固化性的单体和/或低聚物，例如，能够使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。
[0085]
作为上述非活性能量射线固化性聚合物成分的丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为1万以上，特别优选为15万以上，进一步优选为20万以上。此外，该重均分子量优选为250万以下，特别优选为200万以下，进一步优选为150万以下。
[0086]
另外，当将紫外线用作使活性能量射线固化性粘着剂固化的活性能量射线时，优选对该粘着剂添加光聚合引发剂。此外，该粘着剂中，也可添加非活性能量射线固化性聚合物成分或低聚物成分、交联剂等。
[0087]
本实施方案中的粘着剂层的厚度优选为1μm以上，特别优选为2μm以上，进一步优选为3μm以上。此外，粘着剂层的厚度优选为50μm以下，特别优选为40μm以下，进一步优选为30μm以下。通过使粘着剂层的厚度为1μm以上，本实施方案的工件加工用片易于发挥所需的粘着性。此外，通过使粘着剂层的厚度为50μm以下，在使被粘物从固化后的粘着剂层上分离时，易于分离。
[0088]
(2)剥离片本实施方案的工件加工用片也可在将粘着剂层的与基材膜为相反侧的面(以下，有时称之为“粘着面”)贴附在被粘物上之前的期间内，以保护该面为目的而在该面上层叠
剥离片。
[0089]
上述剥离片的构成为任意，可示例出利用剥离剂等对塑料膜进行剥离处理而成的剥离片。作为该塑料膜的具体实例，可列举出聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯膜；以及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为上述剥离剂，可使用硅酮系、氟系、长链烷系等，其中，优选廉价且能够获得稳定性能的硅酮系。
[0090]
上述剥离片的厚度并无特别限制，例如，可以为20μm以上且250μm以下。
[0091]
(3)其他本实施方案的工件加工用片也可在粘着剂层的与基材膜为相反侧的面上层叠有粘合剂层。此时，本实施方案的工件加工用片可用作切割-固晶片。该片材通过在粘合剂层的与粘着剂层为相反侧的面上贴附工件，并将该工件连同粘合剂层一起进行切割，可获得经个片化的层叠有粘合剂层的芯片。该芯片通过其经个片化的粘合剂层，可易于固定在搭载有该芯片的对象上。作为构成上述粘合剂层的材料，优选使用含有热塑性树脂与低分子量的热固性粘合成分的材料、含有b阶段(半固化状)的热固型粘合成分的材料。
[0092]
此外，本实施方案的工件加工用片也可在粘着剂层的粘着面上层叠有保护膜形成层。此时，本实施方案的工件加工用片可用作保护膜形成兼切割用片。该片材通过在保护膜形成层的与粘着剂层为相反侧的面上贴附工件，并将该工件连同保护膜形成层一起进行切割，可获得经个片化的层叠有保护膜形成层的芯片。作为该工件，优选使用在一面形成有电路的工件，此时，通常在与形成有该电路的面为相反侧的面上层叠保护膜形成层。通过将经个片化的保护膜形成层在特定时机固化，可使具有充分耐久性的保护膜形成在芯片上。保护膜形成层优选由未固化的固化性粘合剂构成。
[0093]
2.工件加工用片的制造方法本实施方案的工件加工用片的制造方法并无特别限定。例如，优选在剥离片上形成粘着剂层之后，在该粘着剂层的与剥离片为相反侧的面上层叠基材膜的一个面，由此获得工件加工用片。
[0094]
上述粘着剂层的形成可通过公知的方法进行。例如，调制用以形成粘着剂层的粘着性组成物，以及根据所需进一步含有溶剂或分散介质的涂布液。然后，在剥离片的具有剥离性的面(以下，有时称之为“剥离面”)上涂布上述涂布液。接着，使所获得的涂膜干燥，由此能够形成粘着剂层。
[0095]
上述的涂布液的涂布可通过公知的方法进行，例如，可通过棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等进行。另外，涂布液只要可进行涂布，则其特性并无特别限定，用以形成粘着剂层的成分有时会作为溶质而含有，有时则会作为分散介质而含有。此外，剥离片可作为工序材料而被剥离，也可在贴附于被粘物之前的期间内保护粘着剂层。
[0096]
用以形成粘着剂层的粘着性组成物含有上述的交联剂时，优选通过变更上述的干燥条件(温度、时间等)，或者通过另外设置加热处理，使涂膜内的聚合物成分与交联剂进行交联反应，在粘着剂层内以所需的存在密度形成交联结构。进一步，为了充分进行上述交联反应，在将粘着剂层与基材膜贴合后，也可在例如23℃、相对湿度50％的环境中静置数日期间，进行所谓的熟化。
[0097]
3.工件加工用片的使用方法
本实施方案的工件加工用片可用于半导体晶圆等工件的加工。此时，可在将本实施方案的工件加工用片的粘着面贴附在工件上后，在工件加工用片上进行工件的加工。根据该加工，本实施方案的工件加工用片，可用作背面研磨片、切割片、扩展片、拾取片等工件加工用片。在此，作为工件的实例，可列举出半导体晶圆、半导体封装等半导体构件、玻璃板等玻璃构件。
[0098]
本实施方案的工件加工用片通过使用本实施方案的基材膜而构成，可实现良好的抑制切削屑的效果，且同时实现优异的防止尘埃附着的性能。因此，本实施方案的工件加工用片尤其适合用作切割片。
[0099]
另外，当本实施方案的工件加工用片具备上述的粘合剂层时，该工件加工用片可用作切割-固晶片。进一步，本实施方案的工件加工用片具备上述的保护膜形成层时，该工件加工用片可用作保护膜形成兼切割用片。
[0100]
此外，本实施方案的工件加工用片中的粘着剂层由上述的活性能量射线固化性粘着剂构成时，优选在使用时照射如下的活性能量射线。即，优选在工件加工用片上完成工件的加工，使加工后的工件自工件加工用片上分离时，在进行该分离之前对粘着剂层照射活性能量射线。由此，粘着剂层固化，工件加工用片对加工后的工件的粘着力良好地降低，加工后的工件的分离变得容易。
[0101]
以上所说明的实施方案，是为了易于理解本发明而记载的，并不用于限定本发明。因此，上述实施方案中所公开的各要素的主旨还包括属于本发明的技术范围内的全部设计变更、均等物。实施例
[0102]
以下，通过实施例等进一步具体说明本发明，但本发明的范围并不限定于这些实施例等。
[0103]
[实施例1](1)基材膜的制作向配备有搅拌机、蒸馏管及减压装置的反应器内，倒入12.90kg的1,4-环己烷二甲酸二甲酯(反式异构体比率为98％)、11.47kg的1,4-环己烷二甲醇、0.3kg乙二醇、及0.11kg包含10％四水合乙酸锰的乙二醇溶液，在氮气气流下加热至200℃后，以1小时升温至230℃。维持该状态2小时，从而进行酯交换反应后，向反应体系内投入10.30kg来自芥酸的二聚酸(碳原子数为44，croda公司制造，产品名称“pripol1004”)、0.11kg包含10％磷酸三甲酯的乙二醇溶液，接着在230℃下进行1小时酯化反应。然后，添加300ppm作为缩聚催化剂的二氧化锗并进行搅拌后，以1小时减压至133pa以下，在此期间内将内温由230℃提高至270℃，在133pa以下的高真空下进行搅拌直至成为特定粘度，从而进行缩聚反应。将所获得的聚合物在水中以股(strand)状挤出并将其剪断，制成团粒状。
[0104]
将由此获得的聚酯树脂的团粒，在85℃下干燥4小时以上。然后，通过双轴捏合机对70质量份干燥后的该团粒、与30质量份作为抗静电剂的聚醚酯酰胺系抗静电剂(sanyo chemical industries,ltd.制造，产品名称“pelectron as”，表1中记为“聚醚酯酰胺系抗静电剂a”)进行捏合。将由此获得的团粒，投入设置有t型模具的单轴挤出机的进料斗。然后，在料筒温度为220℃、模具温度为220℃的条件下，使上述团粒在经溶融捏合的状态下从t型模具中挤出，并通过冷却辊使其冷却，由此获得厚度为80μm的片状的基材膜。
[0105]
另外，上述聚酯树脂包含约50摩尔％的1,4-环己烷二甲醇、约40.5摩尔％的1,4-环己烷二甲酸二甲酯、以及9.5摩尔％的来自芥酸的二聚酸作为构成该树脂的单体。此外，上述二聚酸相对于构成上述聚酯树脂的全部二羧酸单元的比例为19.1摩尔％。进一步，通过后述方法测定上述聚酯树脂的熔解热，结果为20j/g。
[0106]
此外，通过后述方法测定上述聚醚酯酰胺系抗静电剂的熔体流动速率，结果为69g/10min。进一步，通过后述方法测定上述聚醚酯酰胺系抗静电剂的5％重量减少温度，结果其在大气气氛下为340℃，在氮气气氛下为358℃。
[0107]
(2)粘着性组合物的制备通过溶液聚合法使95质量份丙烯酸正丁酯与5质量份丙烯酸进行聚合，获得(甲基)丙烯酸酯聚合物。通过后述方法测定该丙烯酸系聚合物的重均分子量(mw)，结果为50万。
[0108]
将100质量份(固体成分换算，以下相同)以上述方式获得的(甲基)丙烯酸酯聚合物、120质量份氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(mw：8,000)、5质量份异氰酸酯系交联剂(tosoh corporation制造，产品名称“coronate l”)、及4质量份光聚合引发剂(igm resins b.v.公司制造，产品名称“omnirad184”)混合，获得能量射线固化型的粘着性组成物。
[0109]
(3)粘着剂层的形成将上述工序(2)中获得的粘着性组成物涂布在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜的单面经硅酮系剥离剂进行了剥离处理的剥离片(lintec corporation制造，产品名称“sp-pet381031”)的剥离处理面上，并将所得到的涂膜在100℃下干燥1分钟。由此，获得在剥离片的剥离面上形成厚度为10μm的粘着剂层而成的层叠体。
[0110]
(4)工件加工用片的制造将上述工序(1)中获得的基材膜的一个面与上述工序(3)中获得的层叠体的粘着剂层侧的面贴合，由此获得工件加工用片。
[0111]
(5)各种测定方法按照jis k 7121:2012，使用差示扫描量热仪(dsc，ta instruments公司制造，产品名称“dsc q2000”)测定上述聚酯树脂的熔解热。具体而言，首先，以20℃/min的升温速度由常温加热至250℃，在250℃下维持10分钟，以20℃/min的降温速度降低至-60℃，在-60℃下维持10分钟。然后，再次以20℃/min的升温速度加热至250℃，获得dsc曲线，测定熔点。
[0112]
按照jis k 7210-1:2014，并将试验条件变更为如下所示，测定上述的聚醚酯酰胺系抗静电剂的熔体流动速率。
·
试验温度：230℃
·
载荷：5kg
·
模具：孔穴形状φ2.0mm、长度5.0mm
·
料筒直径：11.329mm
[0113]
使用差热-热重同时测定装置(shimadzu corporation制造，产品名称“dtg-60”)，按照jis k7120:1987测定上述的聚醚酯酰胺系抗静电剂的5％重量减少温度。具体而言，作为流入气体，使用大气或氮气，以气体流入速度为100ml/min、升温速度为20℃/min的条件，由40℃升温至550℃，从而进行热重测定。根据所获得的热重曲线，求
出相对于温度100℃下的质量而言，质量减少5％的温度(5％重量减少温度)。
[0114]
此外，上述的重均分子量(mw)为使用凝胶渗透色谱仪(gpc)且在以下的条件下所测定(gpc测定)的标准聚苯乙烯换算的重均分子量。＜测定条件＞
·
测定装置：tosoh corporation制造，hlc-8320
·
gpc色谱柱(按照以下顺序通过)：tosoh corporation制造tsk gel super h-htsk gel super hm-htsk gel super h2000
·
测定溶剂：四氢呋喃
·
测定温度：40℃。
[0115]
[实施例2]除了将丙烯酸系抗静电剂(乙烯-甲基丙烯酸共聚物的离子聚合物，dow-mitsui polychemicals company,ltd.制造，产品名称“entira mk400”)用作抗静电剂以外，以与实施例1相同的方式获得工件加工用片。
[0116]
另外，通过上述方法测定上述丙烯酸系抗静电剂的熔体流动速率，结果为21g/10min。进一步，通过上述方法测定上述丙烯酸系抗静电剂的5％重量减少温度，结果其在大气气氛下为415℃，在氮气气氛下为429℃。
[0117]
[实施例3]除了使用与实施例1所使用的聚醚酯酰胺系抗静电剂不同的聚醚酯酰胺系抗静电剂(sanko chemical industry co.,ltd.制造，产品名称“sankonol tbx-65”，表1中记为“聚醚酯酰胺系抗静电剂b”)作为抗静电剂以外，以与实施例1相同的方式获得工件加工用片。
[0118]
另外，通过上述方法测定上述聚醚酯酰胺系抗静电剂的熔体流动速率，结果为69g/10min。进一步，通过上述方法测定上述聚醚酯酰胺系抗静电剂的5％重量减少温度，结果其在大气气氛下为304℃，在氮气气氛下为373℃。
[0119]
[比较例1]除了未使用抗静电剂以外，以与实施例1相同的方式获得工件加工用片。
[0120]
[比较例2]除了使用厚度为80μm的聚氯乙烯树脂片作为基材膜以外，以与实施例1相同的方式获得工件加工用片。
[0121]
[试验例1](表面电阻率的测定)针对实施例及比较例中制造的基材膜，测定其一个面的表面电阻率。具体而言，对于将基材膜切成100mm
×
100mm的尺寸的样品，使用数码超高电阻/微电流表5450(adc corporation制造)，在施加电压为100v、施加时间为60sec的条件下，测定表面电阻率(ω/
□
)。将结果示于表1。
[0122]
[试验例2](切削屑的数量的测定)将剥离片从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离，将露出的粘着剂层的露出面，贴附在厚度为40μm的硅晶圆的一个面上后，使切割用环状框架附着在工件加工用
片的上述露出面的周缘部(不与硅晶圆重叠的位置)。接着，使用切割机(disco corporation制造，产品名称“dfd6362”)，按照以下的条件，进行该硅晶圆的切割。
·
工件(被粘物)：硅晶圆
·
工件尺寸：直径6英寸，厚度40μm
·
切割刀：disco corporation制造，产品名称“27hecc”，钻石切割刀
·
刀片转速：50,000rpm
·
切割速度：100mm/sec
·
切入深度：自基材表面起切入至20μm的深度
·
切割尺寸：8mm
×
8mm
[0123]
切割后，在硅晶圆经个片化而成的芯片贴附在工件加工用片上的状态下，使用电子显微镜(keyence corporation制造，产品名称“vhx-5000”，倍率：500倍)，计数切槽(切割刀通过而产生的切断线槽)上产生的切削屑的数量。此时，关于切槽，计数多个分别存在于纵向及横向的切槽中的、存在于纵向的中央附近的3条线槽及横向的中央附近的3条线槽上的切削屑的数量。将计数结果示于表1。
[0124]
[试验例3](防止尘埃附着的性能的评价)将实施例及比较例中制造的工件加工用片裁断成a4尺寸，获得样品。将该样品以其基材侧的面为上方的方式载置在水平的台面上之后，在温度23℃、相对湿度50％的环境下静置1小时。然后，通过肉眼确认附着在上述样品的基材侧的面上的尘埃的量。作为其结果，相较于比较例的样品，实施例的样品明显尘埃量较少。因此，关于实施例，防止尘埃附着的性能判断为“良好”，关于比较例，则判断为“不良”。将这些结果也记载于表1中。
[0125]
[表1]
[0126]
根据表1可知，实施例中制造的工件加工用片可在进行切割时有效地抑制切削屑的产生，且同时可良好地控制尘埃的附着。工业实用性
[0127]
本发明的基材膜适合用作构成半导体晶圆等工件的加工中所使用的工件加工用片的基材膜。

技术特征：
1.一种基材膜，其为具备含有聚酯树脂的第一树脂层的基材膜，其特征在于，所述聚酯树脂具有脂环结构，且其通过差示扫描量热法以20℃/min的升温速度所测定的熔解热为2j/g以上，所述基材膜的至少一个面的表面电阻率为1
×
106ω/
□
以上且1
×
10
15
ω/
□
以下。2.根据权利要求1所述的基材膜，其特征在于，所述第一树脂层含有抗静电剂。3.根据权利要求2所述的基材膜，其特征在于，所述第一树脂层中的所述抗静电剂的含量为1质量％以上且50质量％以下。4.根据权利要求2或3所述的基材膜，其特征在于，所述抗静电剂为离子传导型抗静电剂。5.根据权利要求2～4中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述抗静电剂为高分子型抗静电剂。6.根据权利要求5所述的基材膜，其特征在于，所述抗静电剂为醚系抗静电剂、酯系抗静电剂、聚酰胺系抗静电剂及丙烯酸系抗静电剂中的至少1种。7.根据权利要求2～6中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述抗静电剂在210℃的温度且5.0kg的载荷下的熔体流动速率为1g/10min以上且100g/10min以下。8.根据权利要求2～7中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述抗静电剂在大气气氛下的5％重量减少温度为250℃以上。9.根据权利要求2～8中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述抗静电剂在氮气气氛下的5％重量减少温度为250℃以上。10.根据权利要求1～9中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述聚酯树脂包含具有所述脂环结构的二羧酸作为构成该聚酯树脂的单体单元。11.根据权利要求1～10中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述聚酯树脂包含具有所述脂环结构的二醇作为构成该聚酯树脂的单体单元。12.根据权利要求1～11中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述脂环结构中，构成环的碳原子数为6以上且14以下。13.根据权利要求1～12中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述聚酯树脂包含将不饱和脂肪酸二聚化而成的二聚酸作为构成该聚酯树脂的单体单元，所述不饱和脂肪酸的碳原子数为10以上且30以下。14.根据权利要求13所述的基材膜，其特征在于，作为构成所述聚酯树脂的单体单元的所述二聚酸相对于作为构成所述聚酯树脂的单体单元的全部二羧酸的比例为2摩尔％以上且25摩尔％以下。15.根据权利要求1～14中任一项所述的基材膜，其特征在于，所述基材膜的厚度为20μm以上且600μm以下。16.一种工件加工用片，其特征在于，具备权利要求1～15中任一项所述的基材膜、与层叠在所述基材膜的单面侧的粘着剂层。17.根据权利要求16所述的工件加工用片，其特征在于，所述工件加工用片为切割片。

技术总结
本发明提供一种基材膜，其为具备含有聚酯树脂的第一树脂层的基材膜，所述聚酯树脂具有脂环结构，且其通过差示扫描量热法以20℃/min的升温速度所测定的熔解热为2J/g以上，所述基材膜的至少一个面的表面电阻率为1


技术研发人员：原悠介 佐佐木辽
受保护的技术使用者：琳得科株式会社
技术研发日：2021.12.08
技术公布日：2023/9/22