具有分层结构的电子装置盖板及其制造方法与流程

1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2021年1月22日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2021-0009537号的优先权。
3.以下公开的内容涉及一种具有分层结构的电子装置盖板以及制造该电子装置盖板的方法。


背景技术：

4.电子装置可以是根据所加载的程序来执行特定功能的设备，例如家用电器、电子票据、便携式多媒体播放器、移动通信终端、平板个人电脑(pc)、视频/音频装置、台式/笔记本电脑、车辆导航系统等。例如，这种电子装置可以将所存储的信息以声音或图像的形式输出。伴随着电子装置集成度的提高和超高速、大容量无线通信的日益普及，近来各种功能都被加载在单个的电子装置中，例如移动通信终端。例如，游戏等娱乐功能、音乐/视频播放等多媒体功能、移动银行的通信和安全功能、日程安排功能和电子钱包功能、以及通信功能都被集成到了单个的电子装置中。
5.一种电子装置包括一个由各种材料形成的盖板。该电子装置的盖板可以保护该电子装置的内部部件免受外部冲击。此外，该盖板可以被制造成容易被用户携带并且可以被制造成对用户来说很美观。
6.由于镁(mg)比铝(al)轻33％或更多，所以镁适合用于便携式通用电子装置。这样的镁(mg)很容易被氧化，而且很难进行表面处理(例如，阳极氧化)以形成薄膜，因此，使用了涂装方法(例如，热喷涂)的涂覆方法已主要用于将镁用于电子装置盖板。


技术实现要素：

7.技术目标
8.根据各种实施例，可以提供一种具有在包含镁的基板上形成多层的分层结构的电子装置盖板。
9.根据各种实施例，可以提供一种可以在包含镁的基板上形成多层以防止镁的氧化并且可以具有各种颜色和图案的电子装置盖板。
10.技术方案
11.根据实施例，一种具有分层结构的电子装置盖板包括：包含镁的基板、形成在基板上的第一化学转化处理层、形成在第一化学转化处理层上的弯曲补充层、形成在弯曲补充层上的有色层、以及形成在有色层上的紫外线(uv)成型层。
12.根据实施例，一种制造具有分层结构的电子装置盖板的方法包括：制备包含镁的基板的步骤；在基板上形成第一化学转化处理层的步骤；在第一化学转化处理层上形成弯曲补充层的步骤；在弯曲补充层上形成有色层的步骤；在有色层上形成uv成型层的步骤；以及固化uv成型层的步骤。
13.技术效果
14.根据各种实施例，可以提供一种具有在包含镁的基板上形成多层的分层结构的电子装置盖板。
15.根据各种实施例，可以提供一种可以在包含镁的基板上形成多层以防止镁的氧化并且可以具有各种颜色和图案的电子装置盖板。
附图说明
16.图1是示出根据各种实施例的网络环境中的电子装置的框图；
17.图2是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图；
18.图3是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图；
19.图4是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图；
20.图5是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图；
21.图6是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图；
22.图7是示出根据实施例的电子装置盖板的制造方法的流程图；
23.图8是示出根据实施例的电子装置盖板的制造方法的流程图；
24.图9是示出根据实施例的电子装置盖板的制造方法的流程图；以及
25.图10是示出根据实施例的电子装置盖板的制造方法的流程图。
具体实施方式
26.下面，将参照附图对实施例进行详细描述。在参照附图描述实施例时，类似的附图标记指的是类似的部件，与此相关的重复描述将被省略。
27.图1是示出根据各种实施例的网络环境100中的电子装置101的框图。
28.参照图1，网络环境100中的电子装置101可经由第一网络198(例如，短距离无线通信网络)与电子装置102进行通信，或者经由第二网络199(例如，长距离无线通信网络)与电子装置104或服务器108中的至少一个进行通信。根据实施例，电子装置101可经由服务器108与电子装置104进行通信。根据实施例，电子装置101可包括处理器120、存储器130、输入模块150、声音输出模块155、显示模块160、音频模块170、传感器模块176、接口177、连接端178、触觉模块179、相机模块180、电力管理模块188、电池189、通信模块190、用户识别模块(sim)196或天线模块197。在一些实施例中，可从电子装置101中省略上述部件中的至少一个(例如，连接端178)，或者可将一个或更多个其它部件添加到电子装置101中。在一些实施例中，可将上述部件中的一些部件(例如，传感器模块176、相机模块180或天线模块197)实现为单个部件(例如，显示模块160)。
29.处理器120可运行例如软件(例如，程序140)来控制电子装置101的与处理器120连接的至少一个其它部件(例如，硬件部件或软件部件)，并可执行各种数据处理或计算。根据一个实施例，作为所述数据处理或计算的至少部分，处理器120可将从另一部件(例如，传感器模块176或通信模块190)接收到的命令或数据存储到易失性存储器132中，对存储在易失性存储器132中的命令或数据进行处理，并将结果数据存储在非易失性存储器134中。根据实施例，处理器120可包括主处理器121(例如，中央处理单元(cpu)或应用处理器(ap))或者与主处理器121在操作上独立的或者相结合的辅助处理器123(例如，图形处理单元(gpu)、
神经处理单元(npu)、图像信号处理器(isp)、传感器中枢处理器或通信处理器(cp))。例如，当电子装置101包括主处理器121和辅助处理器123时，辅助处理器123可被适配为比主处理器121耗电更少，或者被适配为专用于特定的功能。可将辅助处理器123实现为与主处理器121分离，或者实现为主处理器121的部分。
30.在主处理器121处于未激活(例如，睡眠)状态时，辅助处理器123(而非主处理器121)可控制与电子装置101的部件之中的至少一个部件(例如，显示模块160、传感器模块176或通信模块190)相关的功能或状态中的至少一些，或者在主处理器121处于激活状态(例如，运行应用)时，辅助处理器123可与主处理器121一起来控制与电子装置101的部件之中的至少一个部件(例如，显示模块160、传感器模块176或通信模块190)相关的功能或状态中的至少一些。根据实施例，可将辅助处理器123(例如，isp或cp)实现为在功能上与辅助处理器123相关的另一部件(例如，相机模块180或通信模块190)的部分。根据实施例，辅助处理器123(例如，npu)可包括专用于人工智能模型处理的硬件结构。可通过机器学习来生成人工智能模型。例如，可通过人工智能模型被执行之处的电子装置101来执行或经由单独的服务器(例如，服务器108)来执行这样的学习。学习算法可包括但不限于例如监督学习、无监督学习、半监督学习或强化学习。人工智能模型可包括多个人工神经网络层。人工神经网络可以是深度神经网络(dnn)、卷积神经网络(cnn)、循环神经网络(rnn)、受限玻尔兹曼机(rbm)、深度置信网络(dbn)、双向循环深度神经网络(brdnn)或深度q网络或其两个或更多个的组合，但不限于此。另外地或可选地，人工智能模型可包括除了硬件结构以外的软件结构。
31.存储器130可存储由电子装置101的至少一个部件(例如，处理器120或传感器模块176)使用的各种数据。所述各种数据可包括例如软件(例如，程序140)以及针对与其相关的命令的输入数据或输出数据。存储器130可包括易失性存储器132或非易失性存储器134。
32.可将程序140作为软件存储在存储器130中，并且程序140可包括例如操作系统(os)142、中间件144或应用146。
33.输入模块150可从电子装置101的外部(例如，用户)接收将由电子装置101的其它部件(例如，处理器120)使用的命令或数据。输入模块150可包括例如麦克风、鼠标、键盘、键(例如，按钮)或数字笔(例如，手写笔)。
34.声音输出模块155可将声音信号输出到电子装置101的外部。声音输出模块155可包括例如扬声器或接收器。扬声器可用于诸如播放多媒体或播放唱片的通用目的。接收器可用于接收呼入呼叫。根据实施例，可将接收器实现为与扬声器分离，或实现为扬声器的部分。
35.显示模块160可向电子装置101的外部(例如，用户)视觉地提供信息。显示模块160可包括例如显示器、全息装置或投影仪以及用于控制显示器、全息装置和投影仪中的相应一个的控制电路。根据实施例，显示模块160可包括被适配为检测触摸的触摸传感器或被适配为测量由触摸引起的力的强度的压力传感器。
36.音频模块170可将声音转换为电信号，反之亦可。根据实施例，音频模块170可经由输入模块150获得声音，或者经由声音输出模块155或与电子装置101直接(例如，有线地)连接或无线连接的外部电子装置(例如，诸如扬声器或耳机等的电子装置102)输出声音。
37.传感器模块176可检测电子装置101的操作状态(例如，功率或温度)或电子装置
101外部的环境状态(例如，用户的状态)，然后产生与检测到的状态相应的电信号或数据值。根据实施例，传感器模块176可包括例如手势传感器、陀螺仪传感器、大气压力传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(ir)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器或照度传感器。
38.接口177可支持将用来使电子装置101与外部电子装置(例如，电子装置102)直接(例如，有线地)或无线耦接的一个或更多个特定协议。根据实施例，接口177可包括例如高清晰度多媒体接口(hdmi)、通用串行总线(usb)接口、安全数字(sd)卡接口或音频接口。
39.连接端178可包括连接器，其中，电子装置101可经由所述连接器与外部电子装置(例如，电子装置102)物理连接。根据实施例，连接端178可包括例如hdmi连接器、usb连接器、sd卡连接器或音频连接器(例如，耳机连接器)。
40.触觉模块179可将电信号转换为可被用户经由他的触觉或动觉识别的机械刺激(例如，振动或运动)或电刺激。根据实施例，触觉模块179可包括例如电机、压电元件或电刺激器。
41.相机模块180可捕获静止图像或运动图像。根据实施例，相机模块180可包括一个或更多个透镜、图像传感器、isp或闪光灯。
42.电力管理模块188可管理对电子装置101的供电。根据实施例，可将电力管理模块188实现为例如电力管理集成电路(pmic)的至少部分。
43.电池189可对电子装置101的至少一个部件供电。根据实施例，电池189可包括例如不可再充电的原电池、可再充电的蓄电池、或燃料电池。
44.通信模块190可支持在电子装置101与外部电子装置(例如，电子装置102、电子装置104或服务器108)之间建立直接(例如，有线)通信信道或无线通信信道，并经由建立的通信信道执行通信。通信模块190可包括能够与处理器120(例如，ap)独立操作的一个或更多个cp，并支持直接(例如，有线)通信或无线通信。根据实施例，通信模块190可包括无线通信模块192(例如，蜂窝通信模块、短距离无线通信模块或全球导航卫星系统(gnss)通信模块)或有线通信模块194(例如，局域网(lan)通信模块或电力线通信(plc)模块)。这些通信模块中的相应一个可经由第一网络198(例如，短距离通信网络，诸如蓝牙tm、无线保真(wi-fi)直连或红外数据协会(irda))或第二网络199(例如，长距离通信网络，诸如传统蜂窝网络、5g网络、下一代通信网络、互联网或计算机网络(例如，lan或广域网(wan)))与外部电子装置104进行通信。可将这些各种类型的通信模块实现为单个部件(例如，单个芯片)，或可将这些各种类型的通信模块实现为彼此分离的多个部件(例如，多个芯片)。无线通信模块192可使用存储在sim 196中的用户信息(例如，国际移动用户识别码(imsi))识别并验证通信网络(诸如第一网络198或第二网络199)中的电子装置101。
45.无线通信模块192可支持在4g网络之后的5g网络以及下一代通信技术(例如新无线电(nr)接入技术)。nr接入技术可支持增强型移动宽带(embb)、大规模机器类型通信(mmtc)或超可靠低延时通信(urllc)。无线通信模块192可支持高频带(例如，毫米波带)以实现例如高数据传输速率。无线通信模块192可支持用于确保高频带上的性能的各种技术，诸如例如波束成形、大规模多输入多输出(大规模mimo)、全维mimo(fd-mimo)、阵列天线、模拟波束成形或大规模天线。无线通信模块192可支持在电子装置101、外部电子装置(例如，电子装置104)或网络系统(例如，第二网络199)中指定的各种要求。根据实施例，无线通信
模块192可支持用于实现embb的峰值数据速率(例如，20gbps或更大)、用于实现mmtc的丢失覆盖(例如，164db或更小)或者用于实现urllc的u平面延迟(例如，对于下行链路(dl)和上行链路(ul)中的每一个为0.5ms或更小，或者1ms或更小的往返)。
46.天线模块197可将信号或电力发送到电子装置101的外部(例如，外部电子装置)或者从电子装置101的外部(例如，外部电子装置)接收信号或电力。根据实施例，天线模块197可包括天线，所述天线包括辐射元件，所述辐射元件由形成在基板(例如，印刷电路板(pcb))中或形成在基板上的导电材料或导电图案构成。根据实施例，天线模块197可包括多个天线(例如，阵列天线)。在这种情况下，可由例如通信模块190从所述多个天线中选择适合于在通信网络(诸如第一网络198或第二网络199)中使用的通信方案的至少一个天线。可经由至少一个所选择的天线在通信模块190和外部电子装置之间发送或接收信号或电力。根据实施例，除了辐射元件之外的另外的部件(例如，射频集成电路(rfic))可附加地形成为天线模块197的一部分。
47.根据各种实施例，天线模块197可形成毫米波天线模块。根据实施例，毫米波天线模块可包括pcb、rfic和多个天线(例如，阵列天线)，其中，rfic设置在pcb的第一表面(例如，底表面)上，或与第一表面相邻并且能够支持指定的高频带(例如，毫米波带)，所述多个天线设置在pcb的第二表面(例如，顶部表面或侧表面)上，或与第二表面相邻并且能够发送或接收指定高频带中的信号。
48.上述部件中的至少一些可经由外设间通信方案(例如，总线、通用输入输出(gpio)、串行外设接口(spi)或移动工业处理器接口(mipi))相互耦接并在它们之间通信地传送信号(例如，命令或数据)。
49.根据实施例，可经由与第二网络199耦接的服务器108在电子装置101和外部电子装置104之间发送或接收命令或数据。电子装置102或外部电子装置104中的每一个可以是与电子装置101相同类型的装置，或者是与电子装置101不同类型的装置。根据实施例，将在电子装置101运行的全部操作或一些操作可在一个或更多个外部电子装置(外部电子装置102、外部电子装置104和服务器108)处运行。例如，如果电子装置101需要自动执行功能或服务或者需要响应于来自用户或另一装置的请求执行功能或服务，则电子装置101可请求所述一个或更多个外部电子装置执行所述功能或服务中的至少部分，而不是运行所述功能或服务，或者电子装置101除了运行所述功能或服务以外，还可请求所述一个或更多个外部电子装置执行所述功能或服务中的至少部分。接收到所述请求的所述一个或更多个外部电子装置可执行所述功能或服务中的所请求的所述至少部分，或者执行与所述请求相关的另外功能或另外服务，并将执行的结果传送到电子装置101。电子装置101可在对所述结果进行进一步处理的情况下或者在不对所述结果进行进一步处理的情况下将所述结果提供作为对所述请求的至少部分答复。为此，可使用例如云计算技术、分布式计算技术、移动边缘计算(mec)技术或客户机-服务器计算技术。电子装置101可使用例如分布式计算或mec来提供超低延迟服务。在另一实施例中，外部电子装置104可包括物联网(iot)装置。服务器108可以是使用机器学习和/或神经网络的智能服务器。根据实施例，外部电子装置104或服务器108可被包括在第二网络199中。电子装置101可应用于基于5g通信技术或iot相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能城市、智能汽车或医疗保健)。
50.下面，将通过各种实施例进一步描述形成电子装置101外部的电子装置盖板。
51.图2是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图。
52.根据各种实施例，电子装置可以包括盖板。盖板构件可以包括包含镁的合金作为主要材料，并且可以通过向外表露的金属纹理提供美观的效果。由于包含镁的电子装置盖板与铝相比具有相对较低的比重，因此可以提供一种便于携带的轻便的电子装置。
53.参照图2，电子装置盖板200可以包括包含镁的基板210、第一化学转化处理层220、弯曲补充层230、有色层240和紫外线(uv)成型层250。
54.根据实施例，第一化学转化处理层220可以形成在基板210上。第一化学转化处理层220可以形成为覆盖基板210的一部分，或者可以形成为覆盖基板210的整个表面。
55.根据实施例，第一化学转化处理层220可以包括氧化镁薄膜。第一化学转化处理层220可以包括选自由铬酸镁、氧化镁、氧化铝、氧化硅和氧化钛所组成的组中的至少一种。第一化学转化处理层可以形成为覆盖由易氧化的镁形成的基板210的一部分或所有部分，并且可以保护基板210以防止基板210与水和氧气接触。
56.根据实施例，弯曲补充层230可以形成在第一化学转化处理层220上。在可以包括在制造电子装置盖板200的工艺中的使形状发生变形的步骤中，弯曲补充层230可以不开裂(例如，破碎或分裂)。弯曲补充层230可以被定位在第一化学转化处理层220与有色层240之间。当有色层240直接形成在第一化学转化处理层220上时，有色层240可能由于粘附力不足而易于脱落。可以将弯曲补充层230形成在第一化学转化处理层220上以补充粘附力。
57.根据实施例，弯曲补充层230可以包括环氧基聚合物。
58.根据实施例，可以将有色层240形成在弯曲补充层230上。有色层240可以形成电子装置盖板200的整体颜色，并吸引消费者的审美意识。
59.根据实施例，uv成型层250可以形成在有色层240上。uv成型层250可以形成在电子装置盖板200的最外部分上，并且uv成型层250的形状可以确定入射光的反射状态。
60.根据实施例，uv成型层250可以包括具有两个功能团的单体。uv成型层250可以包括具有两个功能团的uv可固化单体。uv成型层250可以包括选自由己二醇二丙烯酸酯(hdda)、三丙二醇二丙烯酸酯(tpgda)、丙烯酸羟丙酯(hpa)和甲基丙烯酸2-羟乙酯(2-hema)所组成的组的至少一种双功能单体。uv成型层250可以包括至少一种丙烯酸酯基单体，该丙烯酸酯基单体选自由己二醇二丙烯酸酯(hdda)、三丙二醇二丙烯酸酯(tpgda)、丙烯酸羟丙酯(hpa)和甲基丙烯酸2-羟乙酯(2-hema)所组成的组。与具有至少三个功能团的单体相比，由于固化后优良的可加工性和柔韧性的原因，即使形状发生变形，双功能单体也可能不会开裂。
61.根据实施例，uv成型层250可以具有f或更高的铅笔硬度。当用铅笔芯在1kgf的负载下压制表面时，可以通过测量该表面上的标记或缺陷的阻力来获得铅笔硬度，并且铅笔硬度可以根据astm d 3363进行测量。铅笔硬度的测量可以从9b(软度)到9h(硬度)。这里，越接近9b，铅笔硬度越低，越接近9h，铅笔硬度越高。
62.根据实施例，弯曲补充层230和uv成型层250可以是无裂纹的。弯曲补充层230和uv成型层250可以在制造电子装置盖板200的工艺中，在使形状变形的步骤中被拉伸或收缩而被变形，并且可以不因变形而开裂。当在弯曲补充层和uv成型层中出现缺陷时，氧气和水可能会接触到包含镁的基板210，从而使镁可能被氧化。弯曲补充层230和uv成型层250可能需要柔韧性，以便即使施加了变形也不会出现缺陷。
63.根据实施例，弯曲补充层230和uv成型层250可以是无裂纹的。裂纹的存在或不存在可以通过在1,000勒克斯的光源下是否目测到裂纹来确定。当弯曲补充层230和uv成型层250中出现裂纹时，基板210可能在通过沉积的可靠性测试(例如，盐雾、抗冲击、抗热水等)中被腐蚀。
64.图3是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图。
65.参照图3，电子装置盖板300可以包括包含镁的基板310(例如，图2的基板210)、第一化学转化处理层320(例如，图2的第一化学转化处理层220)、弯曲补充层330(例如，图2的弯曲补充层230)、有色层340(例如，图2的有色层240)和uv成型层350。
66.参照图3，uv成型层350的至少一个区域可以包括图案。
67.根据实施例，uv成型层350可以在其表面上包括尖顶形图案。
68.参照图2和图3，当uv成型层250是平坦的时，入射在uv成型层250上的光可以被镜面反射，否则，入射在uv成型层350上的光可以被漫反射。反射光的状态可以根据形成在uv成型层的表面上的图案的形状来确定，这可以确定电子装置盖板是否是光滑的。当uv成型层250是平坦的时，入射光可能被镜面反射，因此电子装置盖板200可能是光滑的。入射到形成有图案的uv成型层350上的光可能被漫反射，因此电子装置盖板300可能是不光滑的。
69.图4是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图。
70.参照图4，电子装置盖板400可以包括包含镁的基板410(例如，图2的基板210)、第一化学转化处理层420(例如，图2的第一化学转化处理层220)、弯曲补充层430(例如，图2的弯曲补充层230)、金属沉积层460、有色层440(例如，图2的有色层240)、以及uv成型层450(例如，图2的uv成型层250)。
71.根据实施例，金属沉积层460可以形成在弯曲补充层430上。金属沉积层460可以形成在弯曲补充层430与有色层440之间。金属沉积层460可以包括至少一种选自由锡(sn)、铟(in)、铝(al)和钛(ti)所组成的组中的金属。金属沉积层460可以赋予电子装置盖板400金属纹理，使得用户在使用电子设备时可以被供以美观的效果。
72.图5是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图。
73.参照图5，电子装置盖板500可以包括：包含镁的基板510(例如，图2的基板210)、第一化学转化处理层520(例如，图2的第一化学转化处理层220)，弯曲补充层530(例如，图2的弯曲补充层230)、有色层540(例如，图2的有色层240)、以及uv成型层550(例如，图2的uv成型层250)。
74.参照图5，电子装置盖板500可以还包括切割部分570、第二化学转化处理层580和电沉积涂覆层590。
75.根据实施例，为了形成切割部分，可以对电子装置盖板500执行切割步骤。为了满足各种电子装置的规格，可以考虑其尺寸而对基板510进行切割。在此，基板510可以暴露出来与外部接触，以形成切割部分570。切割部分570可以形成为与基板510、第一化学转化处理层520、弯曲补充层530、有色层540和uv成型层550的至少一部分接触。为了覆盖板切割部分570，可以将第二化学转化处理层580形成在切割部分570上。第二化学转化处理层580可以保护基板510，以防止基板510与外部接触，并且可以提前防止氧化。
76.根据实施例，第二化学转化处理层580可以包含锆。第二化学转化处理层580可以具有透明的颜色，并且可以不污染第一化学转化处理层520(图2的第一化学转化处理层
220)、有色层540(图2的有色层240)、或uv成型层550(图2的uv成型层250)的颜色。包含锆的第二化学转化处理层580可以导电，并且可以适用于电沉积涂覆。
77.根据实施例，电沉积涂覆层590可以形成在第二化学转化处理层580上。电沉积涂覆层590可以包括环氧基或丙烯酸基电沉积涂料。电沉积涂覆层590可以从外部保护第二化学转化处理层580，并且可以以预定厚度(例如，10μm至20μm的厚度)均匀地形成。
78.图6是根据各种实施例的具有分层结构的电子装置盖板的横截面图。
79.参照图6，电子装置盖板600可以包括：包含镁的基板610(例如，图2的基板210)、第一化学转化处理层620(例如，图2的第一化学转化处理层220)、弯曲补充层630(例如，图2的弯曲补充层230)、金属沉积层660(例如，图4的金属沉积层460)、有色层640(例如，图2的有色层240)、以及uv成型层650(例如，图2的uv成型层250)。
80.参照图6，电子装置盖板600可以还包括：切割部分670、第二化学转化处理层680和电沉积涂覆层690。
81.根据实施例，金属沉积层660可以形成在弯曲补充层630上。金属沉积层660可以形成在弯曲补充层630与有色层640之间。金属沉积层660可以包括至少一种选自由锡(sn)、铟(in)、铝(al)和钛(ti)所组成的组中的金属。金属沉积层660赋予电子装置盖板600金属纹理，以便用户在使用电子装置时可以被供以美观的效果。
82.根据实施例，为了形成切割部分，可以在电子装置盖板600上执行切割步骤。为了满足各种电子装置的规格，可以考虑其尺寸而对基板610进行切割。在此，基板610可以暴露出来与外部接触，以形成切割部分670。切割部分670可以形成为与基板610、第一化学转化处理层620、弯曲补充层630、金属沉积层660、有色层640和uv成型层650的至少一部分接触。为了覆盖切割部分670，可以将第二化学转化处理层680形成在切割部分670上。第二化学转化处理层680可以保护基板610，以防止基板610与外部接触，并且可以提前防止氧化。
83.根据实施例，第二化学转化处理层680可以包含锆。第二化学转化处理层680可以具有透明的颜色，并且可以不污染第一化学转化处理层620(图2的第一化学转化处理层220)、有色层640(图2的有色层240)或uv成型层650(图2的uv成型层250)的颜色。包含锆的第二化学转化处理层680可以导电，并且可以适用于电沉积涂覆。
84.根据实施例，电沉积涂覆层690可以形成在第二化学转化处理层680上。电沉积涂覆层690可以包括环氧基或丙烯酸基电沉积涂料。电沉积涂覆层690可以从外部保护第二化学转化处理层680，并且可以以预定厚度(例如，10μm至20μm的厚度)均匀地形成。
85.根据实施例，弯曲补充层(例如，图2的弯曲补充层230)可以包括环氧基聚合物。
86.根据实施例的具有分层结构的电子装置盖板可以还包括在弯曲补充层(例如，图4的弯曲补充层430)与有色层(例如，图4的有色层440)之间形成的金属沉积层(例如，图4的金属沉积层460)。
87.根据实施例，金属沉积层(例如，图4的金属沉积层460)可以包括至少一种选自由锡(sn)、铟(in)、铝(al)和钛(ti)所组成的组中的金属。
88.根据实施例，uv成型层(例如，图2的uv成型层250)可以包括至少一种选自由hdda、tpgda、hpa和2-hema所组成的组的双功能单体。
89.根据实施例，uv成型层(例如，图2的uv成型层250)可以具有f或更高的铅笔硬度。
90.根据实施例，第一化学转化处理层(例如，图2的第一化学转化处理层220)可以包
括选自由铬酸镁、氧化镁、氧化铝、氧化硅和氧化钛的所组成的组中至少一种。
91.根据实施例，弯曲补充层(例如，图2的弯曲补充层230)和uv成型层(例如，图2的uv成型层250)可以是无裂纹的。
92.根据实施例，uv成型层(例如，图2的uv成型层250)的至少一个区域可以包括图案。
93.根据实施例的具有分层结构的电子装置盖板可以还包括：切割部分(例如，图5的切割部分570)、形成在切割部分上的第二化学转化处理层(例如，图5的第二化学转化处理层580)、以及形成在第二化学转化处理层上的电沉积涂覆层(例如，图5的电沉积涂覆层590)。
94.根据实施例，第二化学转化处理层(例如，图5的第二化学转化处理层580)可以包含锆。
95.根据实施例，电沉积涂覆层(例如，图5的电沉积涂覆层590)可以以10μm至20μm的厚度形成。
96.图7是示出根据实施例的电子装置盖板的制造方法的流程图。
97.参照图7，电子装置盖板的制造方法可以包括：制备包含镁的基板的步骤701；形成第一化学转化处理层的步骤702；形成弯曲补充层的步骤703；形成有色层的步骤704；形成uv成型层的步骤705；以及，固化uv成型层的步骤706。
98.根据实施例，可以通过铸造成型、压制成型或cnc成型来制备基板。该基板可以包括常规镁系列或镁锂(mg-li)合金。在一个示例中，基板可以包括选自由az31b、az91和az91d所组成的组中的至少一种作为常规镁系列。
99.根据实施例，在形成第一化学转化处理层的步骤702中，第一化学转化处理层可以在基板上形成。第一化学转化处理层可以被形成为覆盖基板的一部分，并且可以执行形成第一化学转化处理层以覆盖板基板的整个表面的步骤。形成第一化学转化处理层的步骤702可以使用铬酸盐化合物或使用微弧氧化(mao)来执行，该铬酸盐化合物包括选自由铬酸钠(na2cro4)、铬酸钾(k2cro4)、铬酸铵((nh4)2cro4)、铬酸钙(cacro4)、铬酸锌(zncro4)、重铬酸钠(na2cr2o7)、重铬酸钾(k2cr2o7)和重铬酸铵((nh4)2cr2o7)所组成的组中的至少一种。
100.根据实施例，在形成弯曲补充层的步骤703中，弯曲补充层可以形成在第一化学转化处理层上。弯曲补充层可以包括环氧基聚合物。包括环氧基聚合物的弯曲补充层可以通过喷涂形成在第一化学转化处理层上。
101.根据实施例，在形成有色层的步骤704中，有色层可以形成在弯曲补充层上。该有色层可以通过用彩色涂料进行喷涂而形成在弯曲补充层上。
102.根据实施例，在形成uv成型层的步骤705中，uv成型层可以形成在有色层上。形成uv成型层的步骤705可以包括形成图案。
103.根据实施例，形成uv成型层的步骤705可以包括将uv可固化树脂涂覆在有色层上的步骤(未示出)和使用在其上形成有图案的印章压制uv可固化树脂的步骤(未示出)。与图案相对的图案可以通过在印章上形成的图案而形成在uv可固化树脂上。当使用在其上形成有压花或雕刻图案的印章压制uv可固化树脂时，可以在uv可固化树脂上形成与该图案相对的图案。
104.图8是示出根据实施例的电子装置盖板的制造方法的流程图。
105.参照图8，制造电子装置盖板的方法可以包括：制备包含镁的基板的步骤801(图7
中的制备基板的步骤701)；形成第一化学转化处理层的步骤802(图7中的形成第一化学转化处理层的步骤702)；形成弯曲补充层的步骤803(图7中的形成弯曲补充层的步骤703)；形成有色层的步骤804(图7中的形成有色层的步骤704)；形成uv成型层的步骤805(图7中的形成uv成型层的步骤705)；固化uv成型层的步骤806(图7中的固化uv成型层的步骤706)；使在其上形成有uv成型层的基板的形状发生变形的步骤807；以及，对uv成型层进行二次固化的步骤808。
106.根据实施例，在步骤807中，可以通过将基板的弯曲分为至少三次操作，使曲率半径小于1.0毫米来弯曲基板。当基板被突然弯曲以使曲率半径小于1.0毫米时，在基板、第一化学转化处理层、弯曲补充层、有色层、或uv成型层中可能出现缺陷。因此，可以通过将基板的弯曲分为几个操作来弯曲基板。可以在变形步骤之间执行稳定化步骤。
107.根据实施例，步骤807可以围绕参考线执行，该参考线与基板的最外周间隔3毫米或更远的距离。基板的具有片状形状的侧表面可以被称为最外周。如果在距基板最外周的3毫米或更小的区域内执行变形，则在第一化学转化处理层、弯曲补充层、有色层、或uv成型层中可能出现缺陷，并且可以围绕间隔开足够距离(例如，3毫米或更大)的参考线执行变形。
108.图9是示出根据实施例的电子装置盖板的制造方法的流程图。
109.参照图9，制造电子装置盖板的方法可以包括：制备包含镁的基板的步骤901(图7中的制备基板的步骤701)；形成第一化学转化处理层的步骤902(图7中的形成第一化学转化处理层的步骤702)；形成弯曲补充层的步骤903(图7中的形成弯曲补充层的步骤703)；形成有色层的步骤904(图7中的形成有色层的步骤704)；形成uv成型层的步骤905(图7中的形成uv成型层的步骤705)；固化uv成型层的步骤906(图7中的固化uv成型层的步骤706)；切割基板的步骤909；形成第二化学转化处理层的步骤910；以及，形成电沉积涂覆层的步骤911。
110.根据实施例，切割基板的步骤909可以通过金刚石切割或cnc加工来执行。可以使用pcd或mcd作为cnc加工工具，加工可以执行约1分钟至2分钟。
111.根据实施例，在形成电沉积涂覆层的步骤911之后，可以进一步执行清洁步骤(未显示)和洗涤步骤(未显示)。清洁步骤可以通过使用含酒精的清洁溶液在40℃至45℃的温度下浸泡清洗120秒或更短的时间来执行。洗涤步骤可以使用蒸馏水来执行。
112.图10是示出根据实施例的电子装置盖板的制造方法的流程图。
113.参照图10，制造电子装置盖板的方法可以包括：制备包含镁的基板的步骤1001(图7中的制备基板的步骤701)；形成第一化学转化处理层的步骤1002(图7中的形成第一化学转化处理层的步骤702)；形成弯曲补充层的步骤1003(图7中的形成弯曲补充层的步骤703)；沉积金属的步骤1012；形成有色层的步骤1004(图7中的形成有色层的步骤704)；形成uv成型层的步骤1005(图7中的形成uv成型层的步骤705)；固化uv成型层的步骤1006(图7中的固化uv成型层的步骤706)。
114.根据实施例，沉积金属的步骤1012可以在形成弯曲补充层的步骤1003之后执行，并且可以通过物理气相沉积(pvd)方案执行。形成在弯曲补充层上的金属沉积层可以赋予电子装置盖板金属纹理，使得用户在使用电子装置时可以被供以美观的效果。沉积金属的步骤可以通过物理气相沉积方案在弯曲补充层上沉积至少一种选自由锡(sn)、铟(in)、铝(al)和钛(ti)所组成的组中的金属来执行。
115.根据实施例，形成第一化学转化处理层的步骤(例如，图7中的形成第一化学转化处理层的步骤702)可以使用铬酸盐化合物或使用微弧氧化(mao)来执行。该铬酸盐化合物包括选自由铬酸钠(na2cro4)、铬酸钾(k2cro4)、铬酸铵((nh4)2cro4)、铬酸钙(cacro4)、铬酸锌(zncro4)、重铬酸钠(na2cr2o7)、重铬酸钾(k2cr2o7)和重铬酸铵((nh4)2cr2o7)所组成的组中的至少一种。
116.根据实施例，在固化步骤(例如，图8中的固化uv成型层的步骤806)之后，可以还包括：使在其上形成有uv成型层的基板的形状发生变形的步骤(例如，图8中的使在其上形成有uv成型层的基板的形状发生变形的步骤807)和对uv成型层进行二次固化的步骤(例如，图8中的对uv成型层进行二次固化的步骤808)。
117.根据实施例，使基板的形状发生变形的步骤(例如，图8中的使在其上形成有uv成型层的基板的形状发生变形的步骤807)可以包括：通过将基板的弯曲分为至少三次操作使曲率半径小于1.0毫米来弯曲基板。
118.根据实施例，使基板的形状发生变形的步骤(例如，图8中的使在其上形成有uv成型层的基板的形状发生变形的步骤807)可以围绕与基板的最外周间隔开3毫米或更远的距离的参考线来执行。
119.根据实施例，在固化步骤(例如，图9中的固化uv成型层的步骤906)之后，可以还包括：切割基板的步骤(例如，图9中的切割基板的步骤909)；在通过切割基板所形成的切割部分上形成第二化学转化处理层的步骤(例如，图9中的形成第二化学转化处理层的步骤910)；以及，在第二化学转化处理层上形成电沉积涂覆层的步骤(例如，图9中的形成电沉积涂覆层的步骤911)。
120.根据实施例，在形成弯曲补充层的步骤(例如，图10中的形成弯曲补充层1003的步骤)之后，可以还包括：通过物理气相沉积(pvd)方案来沉积金属的步骤(例如，图10中的沉积金属的步骤1012)。
121.根据实施例，形成uv成型层的步骤(例如，图7中的形成uv成型层的步骤705)可以包括形成图案。
122.在本文公开的根据各种实施例的电子装置可以是各种类型的电子装置之一。电子装置可包括例如便携式通信装置(例如，智能电话)、计算机装置、便携式多媒体装置、便携式医疗装置、相机、可穿戴装置或家用电器装置。根据本公开的实施例，电子装置不限于以上所述的那些电子装置。
123.应该理解的是，本公开的各种实施例以及其中使用的术语并不意图将在此阐述的技术特征限制于具体实施例，而是包括针对相应实施例的各种改变、等同形式或替换形式。对于附图的描述，相似的参考标号可用来指代相似或相关的元件。将理解的是，与项相应的单数形式的名词可包括一个或更多个事物，除非相关上下文另有明确指示。如这里所使用的，诸如“a或b”、“a和b中的至少一个”、“a或b中的至少一个”、“a、b或c”、“a、b和c中的至少一个”以及“a、b或c中的至少一个”的短语中的每一个短语可包括在与所述多个短语中的相应一个短语中一起列举出的项的任意一项或其所有可能组合。诸如“第1”、“第2”或者“第一”和“第二”的术语可用于将部件与讨论中的其他部件进行简单区分，并且不在其它方面(例如，重要性或顺序)限制所述部件。将理解的是，在使用了术语“可操作地”或“通信地”的情况下或者在不使用术语“可操作地”或“通信地”的情况下，如果一元件(例如，第一元件)
被称为“与另一元件(例如，第二元件)耦接”、“耦接到另一元件(例如，第二元件)”、“与另一元件(例如，第二元件)连接”或“连接到另一元件(例如，第二元件)”，则意味着所述一元件可与所述另一元件直接(例如，有线地)耦接、与所述另一元件无线耦接、或经由第三元件与所述另一元件耦接。
124.如与本公开的各种实施例关联使用的，术语“模块”可包括以硬件、软件或固件实现的单元，并可与其他术语(例如，“逻辑”、“逻辑块”、“部分”或“电路”)可互换地使用。模块可以是被适配为执行一个或更多个功能的单个集成部件或者是该单个集成部件的最小单元或部分。例如，根据实施例，可以以专用集成电路(asic)的形式来实现模块。
125.可将在此阐述的各种实施例实现为包括存储在存储介质(例如，内部存储器136或外部存储器138)中的可由机器(例如，电子装置101)读取的一个或更多个指令的软件(例如，程序140)。例如，在处理器的控制下，所述机器(例如，电子装置101)的处理器(例如，处理器120)可调用存储在存储介质中的所述一个或更多个指令中的至少一个指令并运行所述至少一个指令。这使得所述机器能够操作用于根据所调用的至少一个指令执行至少一个功能。所述一个或更多个指令可包括由编译器产生的代码或能够由解释器运行的代码。可以以非暂时性存储介质的形式来提供机器可读存储介质。其中，术语“非暂时性”仅意味着所述存储介质是有形装置，并且不包括信号(例如，电磁波)，但是该术语并不在数据被半永久性地存储在存储介质中与数据被临时存储在存储介质中之间进行区分。
126.根据实施例，可在计算机程序产品中包括和提供根据本公开的各种实施例的方法。计算机程序产品可作为产品在销售者和购买者之间进行交易。可以以机器可读存储介质(例如，紧凑盘只读存储器(cd-rom))的形式来发布计算机程序产品，或者可经由应用商店(例如，play storetm)在线发布(例如，下载或上传)计算机程序产品，或者可直接在两个用户装置(例如，智能电话)之间发布(例如，下载或上传)计算机程序产品。如果是在线发布的，则计算机程序产品中的至少部分可以是临时产生的，或者可将计算机程序产品中的至少部分至少临时存储在机器可读存储介质(诸如制造商的服务器、应用商店的服务器或转发服务器的存储器)中。
127.根据各种实施例，上述部件中的每个部件(例如，模块或程序)可包括单个实体或多个实体，并且多个实体中的一些实体可分离地设置在不同的部件中。根据各种实施例，可省略上述部件中的一个或更多个部件，或者可添加一个或更多个其它部件。可选择地或者另外地，可将多个部件(例如，模块或程序)集成为单个部件。在这种情况下，该集成部件可仍旧按照与所述多个部件中的相应一个部件在集成之前执行一个或更多个功能相同或相似的方式，执行所述多个部件中的每一个部件的所述一个或更多个功能。根据各种实施例，由模块、程序或另一部件所执行的操作可顺序地、并行地、重复地或以启发式方式来执行，或者所述操作中的一个或更多个操作可按照不同的顺序来运行或被省略，或者可添加一个或更多个其它操作。

技术特征：
1.一种具有分层结构的电子装置盖板，所述电子装置盖板包括：包含镁的基板；形成在所述基板上的第一化学转化处理层；形成在所述第一化学转化处理层上的弯曲补充层；形成在所述弯曲补充层上的有色层；以及形成在所述有色层上的紫外线(uv)成型层。2.根据权利要求1所述的电子装置盖板，其中，所述弯曲补充层包括环氧基聚合物。3.根据权利要求1所述的电子装置盖板，所述电子装置盖板还包括：形成在所述弯曲补充层与所述有色层之间的金属沉积层，其中，所述金属沉积层包括至少一种选自由锡(sn)、铟(in)、铝(al)和钛(ti)所组成的组中的金属。4.根据权利要求1所述的电子装置盖板，其中，所述uv成型层包括至少一种选自由己二醇二丙烯酸酯(hdda)、三丙二醇二丙烯酸酯(tpgda)、丙烯酸羟丙酯(hpa)和甲基丙烯酸2-羟乙酯(2-hema)所组成的组中的双功能单体。5.根据权利要求1所述的电子装置盖板，其中，所述uv成型层的铅笔硬度为f或更高。6.根据权利要求1所述的电子装置盖板，其中，所述第一化学转化处理层包括选自由铬酸镁、氧化镁、氧化铝、氧化硅和氧化钛所组成的组中的至少一种。7.根据权利要求1所述的电子装置盖板，其中，所述弯曲补充层和所述uv成型层是无裂纹的。8.根据权利要求1所述的电子装置盖板，其中，所述uv成型层的至少一个区域包括图案。9.根据权利要求1所述的电子装置盖板，所述电子装置盖板还包括：切割部分；形成在所述切割部分上的第二化学转化处理层；以及形成在所述第二化学转化处理层上的电沉积涂覆层，其中，所述第二化学转化处理层包含锆，并且其中，所述电沉积涂覆层以10μm至20μm的厚度形成。10.一种制造具有分层结构的电子装置盖板的方法，所述方法包括以下步骤：制备包含镁的基板；在所述基板上形成第一化学转化处理层；在所述第一化学转化处理层上形成弯曲补充层；在所述弯曲补充层上形成有色层；在所述有色层上形成紫外线(uv)成型层；以及固化所述uv成型层。11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第一化学转化处理层的步骤是使用以下来执行的：铬酸盐化合物，所述铬酸盐化合物包括选自由铬酸钠(na2cro4)、铬酸钾(k2cro4)、铬酸铵((nh4)2cro4)、铬酸钙(cacro4)、铬酸锌(zncro4)、重铬酸钠(na2cr2o7)、重铬酸钾(k2cr2o7)和重铬酸铵((nh4)2cr2o7)所组成的组中的至少一种；或
微弧氧化(mao)。12.根据权利要求10所述的方法，所述方法在固化所述uv成型层的步骤之后，还包括：使在其上形成有所述uv成型层的基板的形状发生变形的步骤；以及对所述uv成型层进行二次固化的步骤，其中，使所述基板的形状发生变形的步骤包括：通过将所述基板的弯曲分为至少三次操作使得曲率半径小于1.0毫米来弯曲所述基板，并且其中，使所述基板的形状发生变形的步骤是围绕参考线来执行的，所述参考线与所述基板的最外周间隔开3毫米或更远的距离。13.根据权利要求10所述的方法，所述方法在固化所述uv成型层的步骤之后，还包括：切割所述基板的步骤；在通过切割所述基板形成的切割部分上形成第二化学转化处理层的步骤；以及在所述第二化学转化处理层上形成电沉积涂覆层的步骤。14.根据权利要求10所述的方法，所述方法在形成所述弯曲补充层的步骤之后，还包括：通过物理气相沉积(pvd)方案来沉积金属的步骤。15.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述uv成型层的步骤包括形成图案。

技术总结
所公开的是一种具有分层结构的电子装置盖板和用于制造该电子装置盖板的方法。一个实施例可以包括：包含镁的基板、形成在该基板上的第一化学转化处理层、形成在该第一化学转化处理层上的弯曲补充层、形成在该弯曲补充层上的有色层、以及形成在该有色层上的紫外线(UV)成型层。其他各种实施例也是可能的。其他各种实施例也是可能的。其他各种实施例也是可能的。


技术研发人员：李寿揆 林在雄
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.01.10
技术公布日：2023/9/22