高电子迁移率晶体管结构及其制造方法与流程

1.本发明与半导体技术有关；特别是指一种高电子迁移率晶体管。


背景技术：

2.已知高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)是具有二维电子气(two dimensional electron gas,2-deg)的一种晶体管，其二维电子气邻近于能隙不同的两种材料之间的异质接合面，由于高电子移动率晶体管并非使用掺杂区域作为晶体管的载子通道，而是使用具有高电子移动性二维电子气作为晶体管的载子通道，因此高电子迁移率晶体管具有高崩溃电压、高电子迁移率、低导通电阻与低输入电容等特性，而能广泛应用于高功率半导体装置中。
3.一般为了提升效能，通常会于高电子迁移率晶体管的缓冲层进行掺杂，但缓冲层中的掺杂物会通过扩散于通道层析出，而造成例如通道层的片电阻值升高的问题。因此，如何降低掺杂物对通道层的片电阻值的影响并提供一种具有良好效能的高电子迁移率晶体管，是亟待解决的问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明的目的在于提供一种高电子迁移率晶体管结构及其制造方法，能降低掺杂物对通道层的片电阻值的影响并提供一种具有良好效能的高电子迁移率晶体管。
5.缘以达成上述目的，本发明提供的一种高电子迁移率晶体管改良结构包括有一基板、一氮化物成核层、一氮化物缓冲层、一氮化物通道层及一阻障层，所述氮化物缓冲层包含金属掺杂物；所述氮化物通道层相较于所述氮化物缓冲层具有较低的金属掺杂浓度；一二维电子气体沿所述氮化物通道层与所述阻障层间的界面形成于所述氮化物通道层中；所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度x定义为每立方公分的金属原子数量，所述氮化物通道层的厚度y的单位为微米(μm)，所述氮化物通道层的厚度y满足：y≤(0.2171)ln(x)-8.34。
6.本发明另提供一种高电子迁移率晶体管结构制造方法，包含提供一基板；于所述基板上方形成所述氮化物缓冲层并同时进行一金属掺杂步骤；于所述氮化物缓冲层上方形成厚度y微米(μm)的一氮化物通道层并停止所述金属掺杂步骤；于所述氮化物通道层上方形成一阻障层；所述氮化物通道层的金属掺杂浓度定义为每立方公分有x个金属原子，所述氮化物通道层的厚度y满足：y≤(0.2171)ln(x)-8.34。
7.本发明另提供一种优化高电子迁移率晶体管结构的氮化物通道层厚度及金属掺杂浓度的制造方法，包含提供一基板；于所述基板上方形成一氮化物成核层；于所述氮化物成核层上方形成一氮化物缓冲层并同时进行一金属原子掺杂步骤；停止所述金属掺杂步骤，并于所述氮化物缓冲层上方形成一氮化物通道层；于所述氮化物缓冲层中与所述氮化物通道层交界处量测金属的浓度，以及于所述氮化物通道层的表面及不同厚度处量测金属
原子的浓度，得到多个金属掺杂浓度数值，依据所述多个金属掺杂浓度数值及对应的所述氮化物通道层厚度位置推算出金属掺杂浓度于所述氮化物通道层中每单位厚度的变化量为c；限定金属掺杂浓度数值介于所述多个金属掺杂浓度数值中的两者x1、x2之间，从而，当于所述氮化物缓冲层中与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度为x，以及所述氮化物通道层的厚度为y时，满足x1≤x-c*y≤x2，能得到优化的金属掺杂浓度值及相对应的氮化物通道层厚度值。
8.本发明的效果在于，通过所述氮化物通道层的厚度y满足：y≤(0.2171)ln(x)-8.34的设计，能降低所述金属掺杂物对所述氮化物通道层的片电阻值的影响并提供一种具有良好效能的高电子迁移率晶体管改良结构，当金属掺杂浓度x为一定值时，能推算出所述氮化物通道层厚度y的最大值，反之当所述氮化物通道层厚度y为一定值时，能推算出金属掺杂浓度x的最小值，从而，能得到对应金属掺杂浓度的优化的氮化物通道层厚度数值范围，或是对应氮化物通道层厚度的优化的金属掺杂浓度数值范围，除此之外，本发明通过所述优化高电子迁移率晶体管结构的氮化物通道层厚度及金属掺杂浓度的制造方法，能得到优化的金属掺杂浓度值及相对应的氮化物通道层厚度值。
附图说明
9.图1本发明一优选实施例的高电子迁移率晶体管改良结构的示意图。
10.图2为本发明一优选实施例的高电子迁移率晶体管结构制造方法的流程图。
11.图3为本发明一优选实施例的优化高电子迁移率晶体管结构的氮化物通道层厚度及金属掺杂浓度的制造方法的流程图。
12.图4为本发明一优选实施例的铁原子掺杂浓度与厚度的关系图。
13.图5为本发明一优选实施例的片电阻值与铁原子掺杂浓度的关系图。
具体实施方式
14.为能更清楚地说明本发明，兹举优选实施例并配合附图详细说明如后。
15.请参图1所示，为本发明一优选实施例的高电子迁移率晶体管改良结构1，依序包含一基板10、一成核层20、一缓冲层30、一通道层40及一阻障层50，本发明的高电子迁移率晶体管改良结构可以是通过金属有机化学气相沉积法(mocvd)于所述基板上形成。
16.进一步说明的是，所述基板10为电阻率大于或等于1000ω/cm的基板，举例来说，所述基板可以是sic基板、蓝宝石基板或si基板。
17.所述成核层20为氮化铝(aln)或氮化铝镓(algan)的一氮化物成核层，且位于所述基板10与所述缓冲层30之间。
18.所述缓冲层30包含一掺杂物，于本实施例中，所述缓冲层30为例如氮化镓的一氮化物缓冲层，所述掺杂物为一金属掺杂物，所述金属掺杂物以铁为例说明，所述缓冲层30的所述掺杂物掺杂浓度大于或等于2
×
10
17
cm-3
，所述缓冲层30与所述通道层40交界处的金属掺杂浓度大于或等于2
×
10
17
cm-3
。
19.所述通道层40为例如氮化铝镓或氮化镓的一氮化物通道层，一二维电子气体沿所述通道层40与所述阻障层50间的界面形成于所述通道层40中。于一实施例中，所述缓冲层30与所述通道层40是由相同且均匀分布的氮化物组成，所述通道层40的厚度y介于0.6～
1.2微米，所述缓冲层30与所述通道层40的总厚度t小于或等于2微米，且相较于所述缓冲层30，所述通道层40具有较低的所述掺杂物的掺杂浓度，所述通道层40中的金属掺杂浓度，也就是铁原子浓度是自所述缓冲层30与所述通道层40交界处往所述通道层40与所述阻障层50间的界面的方向递减，于其他实施例中，所述铁原子浓度也可以是以其他方式分布于所述缓冲层30与所述通道层40中。
20.再说明的是，于一实施例中，所述缓冲层30的所述掺杂物的掺杂浓度于厚度相同处均匀分布，所述通道层40的所述掺杂物的掺杂浓度于厚度相同处均匀分布，其中，所述缓冲层30的厚度是指所述缓冲层30自所述缓冲层30与所述成核层20交界处至所述缓冲层的上表面或是往接近所述通道层40的方向的延伸距离，所述通道层40的厚度是指所述通道层40自所述缓冲层30与所述通道层40交界处至所述通道层40的上表面或是往接近所述阻障层50的方向的延伸距离，优选地，所述缓冲层30于厚度相同处满足(金属掺杂物浓度最大值-金属掺杂物浓度最小值)/金属掺杂物浓度最大值≤0.2的条件，所述通道层于厚度相同处满足(金属掺杂物浓度最大值-金属掺杂物浓度最小值)/金属掺杂物浓度最大值≤0.2。
21.其中，所述通道层40于所述通道层40与所述阻障层50间的界面处的所述掺杂物的掺杂浓度大于或等于1x10
15
cm-3
，于另一实施例中，所述通道层40于所述通道层40与所述阻障层50间的界面处的所述掺杂物的掺杂浓度大于或等于1
×
10
16
cm-3
且小于或等于2
×
10
17
cm-3
。
22.所述氮化物缓冲层30与所述氮化物通道层40交界处的金属掺杂浓度x定义为每立方公分的金属原子数量，所述氮化物通道层40的厚度y的单位为微米(μm)，所述氮化物通道层40的厚度y满足：y≤(0.2171)ln(x)-8.34的条件，优选地，所述氮化物通道层40的厚度y满足：(0.2171)ln(x)-8.54≤y的条件。从而，能降低所述金属掺杂物对所述氮化物通道层40的片电阻值的影响并提供一种具有良好效能的高电子迁移率晶体管改良结构，当金属掺杂浓度x为一定值时，能推算出所述氮化物通道层40厚度y的最大值，反之当所述氮化物通道层40厚度y为一定值时，能推算出金属掺杂浓度x的最小值，以得到对应金属掺杂浓度的优化的氮化物通道层40厚度数值范围，或是对应氮化物通道层40厚度的优化的金属掺杂浓度数值范围。
23.请参图2所示，为本发明一优选实施例的高电子迁移率晶体管结构制造方法流程图，本发明的高电子迁移率晶体管结构可以是通过金属有机化学气相沉积法(mocvd)于一基板上形成，所述高电子迁移率晶体管结构制造方法包含：
24.步骤s02，提供一基板10；所述基板10为电阻率大于或等于1000ω/cm的基板，举例来说，所述基板10可以是sic基板、蓝宝石基板或si基板。
25.步骤s04，于所述基板10上方形成一成核层20；所述成核层20为氮化铝(aln)或氮化铝镓(algan)。
26.步骤s06，于所述成核层20上方形成一缓冲层30并同时进行一掺杂步骤；所述缓冲层30为一氮化物缓冲层，其中所述氮化物缓冲层的磊晶生长条件满足：温度1030～1070℃、压力150～250torr、v/iii比为200～1500，所述掺杂步骤中的掺杂物掺杂浓度大于或等于2
×
10
17
cm-3
，所述掺杂步骤为一金属掺杂步骤，所述金属掺杂步骤中掺杂的金属为铁，所述金属掺杂步骤包含控制cp2fe(环戊二烯基铁)的流量为一定值，进而能得到掺杂物的掺杂浓度于厚度相同处均匀分布的所述缓冲层，优选地，所述缓冲层30于厚度相同处满足(金属
掺杂物浓度最大值-金属掺杂物浓度最小值)/金属掺杂物浓度最大值≤0.2的条件。
27.步骤s08，于所述缓冲层30上方形成一通道层40；所述通道层40为一氮化物通道层40，其中所述氮化物通道层40的磊晶生长条件满足：温度1030～1070℃、压力150～250torr、v/iii比为200～1500，所述氮化物缓冲层30与所述氮化物通道层40交界处的金属掺杂浓度大于或等于2
×
10
17
cm-3
，于本实施例中，所述步骤s08包含停止所述金属掺杂步骤并于所述缓冲层30上方形成厚度y微米(μm)的所述通道层40，所述厚度是指所述通道层40自所述缓冲层30与所述通道层40交界处至所述通道层40的上表面的距离。其中所述缓冲层30与所述通道层40的总厚度小于或等于2微米，所述总厚度是指所述缓冲层30自所述缓冲层30与所述成核层20交界处至所述通道层40的上表面的距离。其中所述缓冲层30中的铁原子自所述缓冲层30与通道层40交界处往所述通道层40扩散，使得所述通道层40中的铁原子浓度自所述缓冲层30与通道层40交界处往所述通道层40表面的方向递减。
28.其中，所述氮化物缓冲层30与所述氮化物通道层40交界处的金属掺杂浓度x定义为每立方公分有x个金属原子，所述氮化物通道层40的厚度y满足：y≤(0.2171)ln(x)-8.34，优选地，所述氮化物通道层40的厚度y满足：(0.2171)ln(x)-8.54≤y。
29.步骤s10，于所述通道层40上方形成一阻障层50，一二维电子气体沿所述通道层40与所述阻障层50间的界面形成于所述通道层40中，其中，所述通道层40于所述通道层40与所述阻障层50间的界面处的所述掺杂物掺杂浓度大于或等于1
×
10
15
cm-3
，优选地，所述通道层40于所述通道层40与所述阻障层50间的所述界面处的所述掺杂物掺杂浓度大于或等于1
×
10
16
cm-3
且小于或等于2
×
10
17
cm-3
。
30.再说明的是，于本实施例中，所述缓冲层30与所述通道层40皆是由均匀分布的氮化镓组成，且所述缓冲层30的所述掺杂物的掺杂浓度于厚度相同处均匀分布，所述通道层40的所述掺杂物的掺杂浓度于厚度相同处均匀分布，其中，所述缓冲层30的厚度是指所述缓冲层30自所述缓冲层30与所述成核层20交界处至所述缓冲层的上表面或是往接近所述通道层40的方向的延伸距离，所述通道层40的厚度是指所述通道层40自所述缓冲层30与所述通道层40交界处至所述通道层40的上表面或是往接近所述阻障层50的方向的延伸距离，优选地，所述缓冲层30于厚度相同处满足(金属掺杂物浓度最大值-金属掺杂物浓度最小值)/金属掺杂物浓度最大值≤0.2的条件，所述通道层于厚度相同处满足(金属掺杂物浓度最大值-金属掺杂物浓度最小值)/金属掺杂物浓度最大值≤0.2。
31.请参图3所示，为本发明一优选实施例的一种优化高电子迁移率晶体管结构的氮化物通道层厚度及金属掺杂浓度的制造方法，包含：
32.步骤s202，提供一基板10；于所述基板10上方形成一氮化物成核层20；
33.步骤s204，于所述氮化物成核层20上方形成一氮化物缓冲层30并同时进行一金属原子掺杂步骤；
34.步骤s206，停止所述金属掺杂步骤，并于所述氮化物缓冲层30上方形成一氮化物通道层40；
35.步骤s208，于所述氮化物缓冲层30中与所述氮化物通道层40交界处量测金属的浓度，以及于所述氮化物通道层40的表面及不同厚度处量测金属原子的浓度，得到多个金属掺杂浓度数值，依据所述多个金属掺杂浓度数值及对应的所述氮化物通道层40厚度位置推算出金属掺杂浓度于所述氮化物通道层中每单位厚度的变化量为c；
36.步骤s210，限定金属掺杂浓度数值介于所述多个金属掺杂浓度数值中的两者x1、x2之间，从而，当所述氮化物缓冲层30于所述氮化物缓冲层30与所述氮化物通道层40交界处的金属掺杂浓度为x，以及所述氮化物通道层的厚度为y时，满足x1≤x-c*y≤x2，能得到优化的金属掺杂浓度值及相对应的氮化物通道层厚度值；所述步骤s208进一步包含，于所述氮化物通道层的不同厚度处量测片电阻及对应的金属掺杂浓度，以得到多个片电阻值及对应的多个金属掺杂浓度数值，取得所述多个片电阻值中的相异两者，以得到对应的两个金属掺杂浓度数值x1、x2。
37.举例来说，使用者能执行步骤s202，提供一sic基板，并通过金属有机化学气相沉积法(mocvd)于所述基板上形成一氮化铝成核层；
38.再执行步骤s204，通过金属有机化学气相沉积法(mocvd)以满足：温度1030～1070℃、压力150～250torr、v/iii比为200～1500的磊晶生长条件于所述氮化铝成核层上方形成一氮化镓缓冲层并同时进行一铁原子掺杂步骤，同时控制cp2fe(环戊二烯基铁)的流量为一定值，使所述铁原子于所述氮化镓缓冲层中的掺杂浓度为一定值5
×
10
18
cm-3
；
39.接着，执行步骤s206，停止所述铁原子掺杂步骤，并通过金属有机化学气相沉积法(mocvd)以满足：温度1030～1070℃、压力150～250torr、v/iii比为200～1500的磊晶生长条件于所述氮化镓缓冲层上方形成厚度为0.6～1.2微米的一氮化镓通道层，其中所述氮化镓缓冲层与所述氮化镓通道层的总厚度小于或等于2微米；
40.接着，执行步骤s208，如图4所示，取得所述氮化镓通道层于不同厚度t1、t2及t3所分别对应的铁原子掺杂浓度数值c1、c2及c3并推算出金属掺杂浓度于所述氮化物通道层中每单位厚度的变化量为c，于本实施例中c＝1/0.2171。
41.接着，执行步骤s210，取得所述氮化镓通道层于不同厚度t1、t2及t3所对应的片电阻值r1、r2及r3，如图5所示，将片电阻值作为y轴，铁原子掺杂浓度数值作为x轴进行制图以得到一回归曲线，通过所述回归曲线判断铁原子掺杂浓度数值小于一固定数值c4时，片电阻值随铁原子掺杂浓度数值降低时的变化量趋近于0，并于接近所述固定数值c4处取得对应的两相异铁原子掺杂浓度数值5
×
10
16
cm-3
、1
×
10
17
cm-3
，限定铁原子掺杂浓度数值介于两相异铁原子掺杂浓度数值5
×
10
16
cm-3
、1
×
10
17
cm-3
之间，当所述氮化镓缓冲层于所述氮化镓缓冲层与所述氮化镓通道层交界处的金属掺杂浓度为x，以及所述氮化镓通道层的厚度为y时，满足5
×
10
16
≤x-c*y≤1
×
10
17
，从而，推得(0.2171)ln(x)-8.54≤y≤(0.2171)ln(x)-8.34。此处以三个不同厚度值、铁原子掺杂浓度数值及片电阻值为例说明，于其他实施例中不排除取得三个以上的厚度值、铁原子掺杂浓度数值及片电阻值。
42.综上所述，本发明的高电子迁移率晶体管改良结构，通过满足y≤(0.2171)ln(x)-8.34，能降低所述金属掺杂物对所述氮化物通道层的片电阻值的影响并提供一种具有良好效能的高电子迁移率晶体管改良结构，当金属掺杂浓度x为一定值时，能推算出所述氮化物通道层厚度y的最大值，反之当所述氮化物通道层厚度y为一定值时，能推算出金属掺杂浓度x的最小值，从而，能得到对应金属掺杂浓度的优化的氮化物通道层厚度数值范围，或是对应氮化物通道层厚度的优化的金属掺杂浓度数值范围；再者本发明的高电子迁移率晶体管改良结构，通过所述通道层于所述通道层与所述阻障层间的界面处的所述掺杂物掺杂浓度大于或等于1
×
10
15
cm-3
的技术特征，能降低所述金属掺杂物对所述氮化物通道层的片电阻值的影响并提供一种具有良好效能的高电子迁移率晶体管改良结构。
43.以上所述仅为本发明优选可行实施例而已，举凡应用本发明说明书及申请专利范围所为的等效变化，理应包含在本发明的专利范围内。
44.附图标记说明
45.[本发明]
[0046]
1：高电子迁移率晶体管改良结构
[0047]
10：基板
[0048]
20：成核层
[0049]
30：缓冲层
[0050]
40：通道层
[0051]
50：阻障层
[0052]
s02,s04,s06,s08,s10：步骤
[0053]
s202,s204,s206,s208,s210：步骤
[0054]
t,y：厚度

技术特征：
1.一种高电子迁移率晶体管改良结构，依序包含：一基板；一氮化物成核层；一氮化物缓冲层，包含金属掺杂物；一氮化物通道层，相较于所述氮化物缓冲层，所述氮化物通道层具有较低的金属掺杂浓度；一阻障层，一二维电子气体沿所述氮化物通道层与所述阻障层间的界面形成于所述氮化物通道层中；所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度x定义为每立方公分的金属原子数量，所述氮化物通道层的厚度y的单位为微米(μm)，所述氮化物通道层的厚度y满足：y≤(0.2171)ln(x)-8.34。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管改良结构，其中，所述氮化物通道层的厚度y满足：(0.2171)ln(x)-8.54≤y。3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管改良结构，其中，所述氮化物缓冲层于厚度相同处的金属掺杂物浓度均匀分布且满足(金属掺杂物浓度最大值-金属掺杂物浓度最小值)/金属掺杂物浓度最大值≤0.2，所述氮化物通道层于厚度相同处的金属掺杂物浓度均匀分布且满足(金属掺杂物浓度最大值-金属掺杂物浓度最小值)/金属掺杂物浓度最大值≤0.2。4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管改良结构，其中，所述氮化物通道层由一均匀分布的氮化物组成。5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管改良结构，其中，所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层由相同的氮化物组成。6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管改良结构，其中，所述氮化物通道层中的金属掺杂浓度自所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处往所述氮化物通道层与所述阻障层间的界面的方向递减。7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管改良结构，其中，所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度大于2
×
10
17
cm-3
。8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管改良结构，其中，所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层的总厚度小于2微米。9.一种高电子迁移率晶体管结构制造方法，包含：提供一基板；于所述基板上方形成一氮化物成核层；于所述氮化物成核层上方形成一氮化物缓冲层并同时进行一金属掺杂步骤；于所述氮化物缓冲层上方形成厚度y微米(μm)的一氮化物通道层并停止所述金属掺杂步骤；于所述氮化物通道层上方形成一阻障层，一二维电子气体沿所述氮化物通道层与所述阻障层间的界面形成于所述通道层中；所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度x定义为每立方公分有x个金属原子，所述氮化物通道层的厚度y满足：y≤(0.2171)ln(x)-8.34。
10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管结构制造方法，其中，所述氮化物通道层的厚度y满足：(0.2171)ln(x)-8.54≤y。11.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管结构制造方法，其中，所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度大于或等于2
×
10
17
cm-3
。12.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管结构制造方法，其中，所述氮化物缓冲层及所述氮化物通道层的磊晶生长条件满足：温度1030～1070℃、压力150～250torr、v/iii比为200～1500。13.一种优化高电子迁移率晶体管结构的氮化物通道层厚度及金属掺杂浓度的制造方法，包含：提供一基板；于所述基板上方形成一氮化物成核层；于所述氮化物成核层上方形成一氮化物缓冲层并同时进行一金属原子掺杂步骤；停止所述金属掺杂步骤，并于所述氮化物缓冲层上方形成一氮化物通道层；于所述氮化物缓冲层中与所述氮化物通道层交界处量测金属的浓度，以及于所述氮化物通道层的表面及不同厚度处量测金属原子的浓度，得到多个金属掺杂浓度数值，依据所述多个金属掺杂浓度数值及对应的所述氮化物通道层厚度位置推算出金属掺杂浓度于所述氮化物通道层中每单位厚度的变化量为c；限定金属掺杂浓度数值介于所述多个金属掺杂浓度数值中的两者x1、x2之间，从而，当于所述氮化物缓冲层中与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度为x，以及所述氮化物通道层的厚度为y时，满足x1≤x-c*y≤x2，能得到优化的金属掺杂浓度值及相对应的氮化物通道层厚度值。14.如权利要求13所述的优化高电子迁移率晶体管结构的氮化物通道层厚度及金属掺杂浓度的制造方法，其中，于所述氮化物通道层的不同厚度处量测片电阻及对应的金属掺杂浓度，以得到多个片电阻值及对应的多个金属掺杂浓度数值，取得所述多个片电阻值中的相异两者，以得到对应的两个金属掺杂浓度数值x1、x2。15.如权利要求13所述的优化高电子迁移率晶体管结构的氮化物通道层厚度及金属掺杂浓度的制造方法，其中，所述氮化物缓冲层及所述氮化物通道层的磊晶生长条件满足：温度1030～1070℃、压力150～250torr、v/iii比为200～1500。

技术总结
本发明提供一种高电子迁移率晶体管改良结构包括有一基板、一氮化物成核层、一氮化物缓冲层、一氮化物通道层及一阻障层，所述氮化物缓冲层包含金属掺杂物；所述氮化物通道层相较于所述氮化物缓冲层具有较低的金属掺杂浓度；一二维电子气体沿所述氮化物通道层与所述阻障层间的界面形成于所述氮化物通道层中；所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度X定义为每立方公分的金属原子数量，所述氮化物通道层的厚度Y的单位为微米(μm)且满足：Y≤(0.2171)ln(X)-8.34，以降低金属掺杂物对所述氮化物通道层的片电阻值的影响并提供具有良好效能的高电子迁移率晶体管改良结构。良结构。良结构。


技术研发人员：林伯融 刘嘉哲
受保护的技术使用者：环球晶圆股份有限公司
技术研发日：2022.09.23
技术公布日：2023/9/22