基于5G毫米波通信的宽带通滤波器结构的制作方法

基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构
技术领域
1.本发明涉及通信技术领域，具体而言，涉及一种基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构。


背景技术：

2.随着信息通信技术的高速发展，4g移动网络基础设施已经无法满足高速无线数据传输的需求，第五代(5g)移动通信便应运而生。国际电信联盟(itu)为5g新无线电定义了3个主要应用场景：增强移动宽带(embb)、海量机器类通信(mmtc)和超可靠低延迟通信(urllc)，5g通信技术的应用，也将有力的推动社会和经济发展，并催生更多生态行业进步。从频率资源来看，与3g和4g相比，5g的唯一性在于移动通信中毫米波频段的应用。3gpp将5g频段范围分为fr1和fr2，其中fr1是sub 6ghz，为410mhz-7125mhz，fr2是毫米波，为24.25ghz-52.6ghz。毫米波无线通信是一种新型的通信方式，具有体积小、重量轻、数据传输速率高、保密性好、抗干扰能力强等优点，因此，毫米波技术引起广泛关注，该频段也成为了通信技术重点研发频段。
3.而滤波器作为一种选频元件，是5g毫米波无线通信系统中的一个关键组成模块。为了最大程度地减小噪声对无线通信系统的影响，这也对带通滤波器的插入损耗和带外抑制等性能提出了更高的要求，同时移动终端对滤波器的数量需求急剧增加，需要集成更多的滤波器，这对滤波器的结构简单化和小型化提出了新的要求。但是现有的5g毫米波带通滤波器，难以同时兼顾小型化、低插入损耗和高带外抑制，因此，亟需一种新的滤波器结构，以解决上述技术问题。


技术实现要素：

4.本发明的主要目的在于提供一种基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构，以解决现有技术中滤波器的高带外抑制的问题。
5.为了实现上述目的，根据本发明提供了一种基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构，该基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构包括：基底，包括半导体衬底、第一金属层和第二金属层，其中，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一金属层位于第一表面上，第二金属层位于第一金属层远离半导体衬底一侧的表面上，第一金属层的覆盖有第二金属层的表面中具有第一裸露区域；多个谐振器，均位于第二金属层远离第一金属层一侧的部分表面上，且多个谐振器依次耦合连接，第二金属层的覆盖有谐振器的表面中具有第二裸露区域；两条开路短截线，位于基底具有谐振器的一侧，且两条开路短截线分别与不同的谐振器并联；馈电结构，位于第一裸露区域上和/或第二裸露区域上。
6.进一步地，上述基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构还包括：光波导结构，自第一表面贯穿至第二表面，且与第一金属层电气连接；第三金属层，位于第二表面上，且与光波导结构电气连接。
7.进一步地，多个谐振器沿第一方向在第二金属层上依次间隔排列，在第一方向上
第一个谐振器和最后一个谐振器分别为第一谐振器和第二谐振器，一条开路短截线与第一谐振器并联，另一条开路短截线与第二谐振器并联。
8.进一步地，馈电结构包括第一馈电结构和/或第二馈电结构，其中，第一馈电结构位于第一裸露区域，第二馈电结构位于第二裸露区域。
9.进一步地，馈电结构包括第一馈电结构和第二馈电结构，第一馈电结构中的第一馈电线具有第一长度，第二馈电结构中的第二馈电线具有第二长度，第一长度长于第二长度。
10.进一步地，上述基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构还包括：导电连接层，位于第一裸露区域，且与光波导结构连接。
11.进一步地，半导体衬底为玻璃。
12.进一步地，谐振器为u型谐振器。
13.进一步地，每个u型谐振器具有开口，相邻任意两个u型谐振器的开口方向相反。
14.进一步地，开路短截线的长度为四分之一波长，波长为宽带通滤波器结构的通带中心频率的波长。
15.应用本发明的技术方案，提供一种基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构，其中，本技术在现有小型化的滤波器结构的基础上，通过在基底中设置了第一金属层和第二金属层，使得宽带通滤波器结构中的馈电结构既可以设置在第一金属层上，也可以设置在第二金属层上，且在同时在第一金属层和第二金属层上均具有馈电结构的情况下，还使得上述滤波器具有了双层馈电结构，能够增强上述滤波器的低频抑制，改善上述滤波器的带内平坦度，另外，由于在该宽带通滤波器结构中还包括有两条开路短截线，该开路短截线与谐振器并联连接，从而相比于现有的宽带通滤波器结构，该开路短截线能够新的传输零点，因此抑制了邻近频段信号和带外信号的干扰，有效降低了高频的带外抑制，增加了无线通信系统中频率的选择性。
附图说明
16.构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
17.图1示出了根据本发明的一种基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构的实施例的俯视图；
18.图2示出了本技术和传统的滤波器结构的插入损耗仿真结构对比图；
19.图3示出了本技术的滤波器结构和传统的滤波器结构的回波损耗仿真结果对比图；
20.图4示出了本技术的滤波器结构的参数曲线图。
21.其中，上述附图包括以下附图标记：
22.10、谐振器；20、开路短截线；30、馈电结构。
具体实施方式
23.需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
24.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
25.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
26.正如背景技术中所提到的，为了最大程度地减小噪声对无线通信系统的影响，这也对带通滤波器的插入损耗和带外抑制等性能提出了更高的要求，同时移动终端对滤波器的数量需求急剧增加，需要集成更多的滤波器，这对滤波器的结构简单化和小型化提出了新的要求。但是现有的5g毫米波带通滤波器，难以同时兼顾小型化、低插入损耗和高带外抑制。因此，本技术的发明人提供了一种基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构。
27.在一些可选的实施方式中，如图1所示，提供了一种基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构，其中，该基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构包括基底(图中未示出)、多个谐振器10、两条开路短截线20和馈电结构30，可选地，上述基底包括半导体衬底、第一金属层和第二金属层，其中，上述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，上述第一金属层位于上述第一表面上，上述第二金属层位于上述第一金属层远离上述半导体衬底一侧的表面上，上述第一金属层的覆盖有上述第二金属层的表面中具有第一裸露区域，上述多个谐振器10位于上述第二金属层远离上述第一金属层一侧的部分表面上，且多个上述谐振器10依次耦合连接，上述第二金属层的覆盖有上述谐振器10的表面中具有第二裸露区域；上述两条开路短截线20位于上述基底具有上述谐振器10的一侧，且上述两条开路短截线20分别与不同的上述谐振器10并联；上述馈电结构30位于上述第一金属层远离上述半导体衬底一侧的上述第一裸露区域上和/或上述第二金属层远离上述第一金属层一侧的上述第二裸露区域上。可选地，多个上述谐振器10沿第一方向a依次间隔排列。
28.进一步地，上述馈电结构30在上述半导体衬底上的投影与上述开路短截线20在上述基底上的投影不重叠。具体地，上述馈电结构30包括输入输出端馈电结构，且在上述馈电结构30位于上述第一金属层远离上述半导体衬底一侧的上述第一裸露区域上和上述第二金属层远离上述第一金属层一侧的上述第二裸露区域上的情况下，使得该宽带通滤波器具有双层馈电结构30，该双层馈电结构30等效于输入输出端串联了一个电容，从而增强了滤波器的低频抑制，改善了上述滤波器的带内平坦度，且该双层馈电结构30在不影响高频抑制的同时还有效的改善了滤波器的匹配，减小了滤波器的插入损耗，增强了滤波器低频处的矩形系数，使得滤波器具有更好的频率选择性。
29.上述第一金属层和第二金属层的材料可以为金属铜。第二金属层位于第一金属层远离半导体衬底的部分表面上，第二金属层位于第一金属层远离半导体衬底的部分表面上，上述多个谐振器10位于第一金属层远离半导体衬底的另一部分表面上(第二裸露区
域)，进一步地，上述多个谐振器10可以包括依次间隔排布的第一谐振器10、第二谐振器10、第三谐振器10、第四谐振器10和第五谐振器10，且上述多个谐振器10耦合连接。
30.为了在该滤波器结构中引入新的传输零点，可以在谐振器10上设置开路短截线20。进一步地，可以在上述多个谐振器10中的任意两个谐振器10上设置有开路短截线20。其中，上述多个谐振器10可以是基于pcb工艺、ltcc工艺、cmos工艺、硅基ipd工艺以及mems工艺的毫米波带通滤波器。通过在上述任意两个不同的谐振器10上设置开路短截线20，使得具有该开路短截线20的任意两个谐振器10能够引入新的传输零点，从而抑制了邻近频段信号和带外信号的干扰，增加了系统频率选择性，使得在具有原有谐振器10结构优点的同时，还有效的降低了高频的带外抑制，提高了系统的可用性。可选地，上述开路短截线20还能够实现对寄生通带的抑制。进一步地，本技术中的高频抑制可以达到-30db。
31.上述实施方式中，首先本技术在现有小型化的滤波器结构的基础上，通过在基底中设置了第一金属层和第二金属层，使得宽带通滤波器结构中的馈电结构30既可以设置在第一金属层上，也可以设置在第二金属层上，且在同时在第一金属层和第二金属层上均具有馈电结构30的情况下，还使得上述滤波器具有了双层馈电结构30，能够增强上述滤波器的低频抑制，改善上述滤波器的带内平坦度，另外，由于在该宽带通滤波器结构中还包括有两条开路短截线20，该开路短截线20与谐振器10并联连接，从而相比于现有的宽带通滤波器结构，该开路短截线20能够新的传输零点，因此抑制了邻近频段信号和带外信号的干扰，有效降低了高频的带外抑制，增加了无线通信系统中频率的选择性。
32.在一些可选的实施方式中，上述宽带通滤波器结构还可以包括光波导结构和第三金属层，从而滤波器结构的基底可以包括半导体衬底、第一金属层、第二金属层、第三金属层和光波导结构。其中，上述光波导结构自上述第一表面贯穿至上述第二表面，且与上述第一金属层电气连接；上述第三金属层位于上述第二表面上，且与上述光波导结构电气连接。
33.上述实施方式中，通过在滤波器结构的半导体衬底中增加上述光波导结构，能够使得光场被限制在上述光波导结构中，并以无衍射的方式进行传输，且在半导体衬底为玻璃衬底的情况下，上述光波导结构可以是自半导体衬底的第一表面贯穿至第二表面的玻璃通孔tgv结构，由于玻璃通孔tgv结构对寄生通带的影响很小，因此，本技术中的高频抑制依然在-30db。且进一步地，通过上述玻璃通孔tgv结构还能够改善开路短截线带来的通带附近抑制较差的影响，同时也使得低频处的矩形系数更好。
34.可选地，上述第三金属层位于半导体衬底的第二表面上，且上述第三金属层可以大面积铺地，从而在上述滤波器结构中，由于该第三金属层与光波导结构电气连接，光波导结构与第一金属层电气连接，第一金属层与第二金属层连接，第二金属层与多个谐振器连接，上述馈电结构可以与第一金属层和/或第二金属层连接，从而当信号由半导体衬底上的与第一金属层连接的馈电结构的馈电端进入之后，首先会耦合到第二金属层的开路短截线上，然后再耦合到半导体衬底上的第二金属层上，进而能够通过上述光波导结构连接到半导体衬底的第二表面上的第三金属层，且在该第三金属层大面积铺地的情况下，最后形成电容与电感串联接地的电路结构，增加了电路的传输零点，进一步增强了寄生通带的抑制。可选地，上述第三金属层的材料可以为金属铜。
35.在一些可选的实施方式中，多个上述谐振器沿第一方向在上述第二金属层上依次间隔排列，在上述第一方向上第一个上述谐振器和最后一个上述谐振器分别为第一谐振器
和第二谐振器，一条上述开路短截线与上述第一谐振器并联，另一条上述开路短截线与上述第二谐振器并联。
36.上述实施方式中，由于多个谐振器沿着第一方向依次间隔排列，且多个谐振器耦合连接，从而为了使得开路短截线占用较小的滤波器面积，并能够减小滤波器整体的面积，将上述开路短截线设置在多个谐振器的边缘处，即在将上述间隔排列的多个谐振器在第一方向上的第一个谐振器记为第一谐振器，多个谐振器中在第一方向上的左后一个谐振器记为第二谐振器的情况下，上述第一谐振器与其中一条开路短截线并联连接，上述第二谐振器与另外一条开路短截线并联连接。
37.为了在上述滤波器结构中引入双层馈电结构，在一些可选的实施方式中，上述馈电结构包括第一馈电结构和/或第二馈电结构，其中，上述第一馈电结构位于上述第一裸露区域，从而第一馈电结构与上述第一金属层直接连接，上述第二馈电结构位于上述第二裸露区域，从而上述第二馈电结构与上述第二金属层直接连接。
38.在一些可选的实施方式中，为了增强低频抑制，进一步改善滤波器的带内平坦度，上述馈电结构包括上述第一馈电结构和上述第二馈电结构，上述第一馈电结构中的第一馈电线具有第一长度，上述第二馈电结构中的第二馈电线具有第二长度，上述第一长度长于上述第二长度。
39.在一些可选的实施方式中，上述宽带通滤波器结构还包括导电连接层，其中，该导电连接层位于上述第一裸露区域，且与光波导结构连接。
40.上述实施方式中，为了使得信号从第一金属层的馈电端进入，并耦合带第二金属层的开路短截线之后，能够再次耦合到第一金属层上，并通过光波导结构接到半导体衬底的第三金属层上，上述滤波器结构还包括上述导电连接层，使得该导连接层位于第一金属层的第一裸露区域。
41.进一步地，其中，由于玻璃材料的介电常数只有硅材料的三分之一左右，损耗因子比硅材料低2-3个数量级，从而使得半导体衬底损耗和寄生效应大大减小，保证了传输信号的完整性，因此，本技术的上述滤波器可以是基于玻璃衬底ipd工艺，即在一些可选的实施方式中，上述半导体衬底为玻璃。示例性地，上述玻璃衬底的厚度可以为100μm。
42.在一些可选的实施方式中，为了减小相位噪声，上述谐振器为u型谐振器。且在该实施方式中，由于u型谐振器为全平面型谐振器，从而还便于电路的安装和使用。
43.在一些可选的实施方式中，每个上述u型谐振器具有开口，相邻任意两个上述u型谐振器的开口方向相反，从而可以实现更好的滤波效果。
44.在一些可选的实施方式中，上述开路短截线的长度为四分之一波长，上述波长为上述宽带通滤波器结构的通带中心频率的波长。
45.具体地，具有开路短截线的谐振器的输入阻抗可以为：
46.z
in
(s)＝-jz0cotβls47.其中，z
in
(s)为输入端阻抗，j表示为虚部符号，z0表示为输入端的特征阻抗，通常取50ω，λ1表示为寄生通带中心频率的波长，可以表示为:λ1＝kλ0，k为常数，β＝2π/λ1，ls表示为开路短截线的长度。
48.当输入端阻抗为零时，等效于在该频率下短路接地，会产生传输零点。具体地，当cotβls＝0时，z
in
(s)＝0，即βls的值为：
[0049][0050]
其中，取m＝0，此时则开路短截线的长度ls表达式为：
[0051][0052]
所以，上述开路短截线的长度为四分之一波长。
[0053]
对比例1
[0054]
传统滤波器，包括基底，位于基底上的多个谐振器以及与谐振器连接的馈电结构。
[0055]
实施例1
[0056]
在对比例1的基础上，增加开路短截线至任意两个谐振器分别连接的两条开路短截线。
[0057]
实施例2
[0058]
在实施例1的基础上，增加贯穿基底中的半导体衬底的光波导结构，并使得该光波导结构与上述谐振器连接。
[0059]
实施例3
[0060]
在实施例2的基础上，增加第一金属层、第二金属层和第三金属层至基底的半导体衬底上，使得第一金属层位于半导体衬底的第一表面上，第二金属层位于第一金属层远离半导体衬底的表面上，且上述多个谐振器位于第二金属层上，上述馈电结构位于第一金属层上和/或第二金属层上，第三金属层位于半导体衬底的第二表面上，且上述波导结构连接上述第一金属层和第三金属层。
[0061]
示例性地，如图2至图4所示，得到对上述实施例1至实施例3以及对比例1进行仿真之后得到的仿真结果对比图，其中，图2示出了本技术的滤波器结构(实施例1：传统+开路短截线；实施例2：传统+开路短截线+tgv；实施例3：传统+开路短截线+tgv+电容)和传统滤波器结构(对比例1：传统滤波器)的插入损耗(s11)仿真结果对比图，其中，横坐标表示频率(ghz)，纵坐标表示插入损耗(db)；图3示出了本技术的滤波器结构(实施例1：传统+开路短截线；实施例2：传统+开路短截线+tgv；实施例3：传统+开路短截线+tgv+电容)和传统的滤波器结构(对比例1：传统滤波器)的回波损耗仿真结果对比图，其中，横坐标表示频率(ghz)，纵坐标表示回波损耗(db)；图4示出了本技术的滤波器结构的参数(散射参数)曲线图，虚线s11表示滤波器的回波损耗，实线s21表示滤波器的插入损耗。
[0062]
通过图2和图3的仿真结果可知，传统的滤波器结构在高频处产生寄生通带，抑制较差，反射系数也较大，而在增加了开路短截线之后滤波器实现了对寄生通带的抑制，高频抑制达到了-30db，除此以外，开路短截线对通带附近的抑制产生了影响，使得滤波器的矩形系数变差；当同时加上开路短截线和玻璃通孔tgv结构后，玻璃通孔tgv结构对寄生通带的影响很小，高频抑制依然在-30db。但是通过玻璃通孔tgv结构改善了开路短截线带来的通带附近抑制较差的影响，同时也使得低频处的矩形系数变好；而且，双层馈电结构在不影响高频抑制的同时有效的改善了滤波器的匹配，减小了滤波器的插入损耗，增强了滤波器低频处的矩形系数，使滤波器具有更好的频率选择性。
[0063]
另外，从图4中可以看出，本技术的滤波器中心频率为24.25ghz-27.5ghz，插入损耗、回波损耗、带外抑制和芯片尺寸等指标都满足指标要求。特别地，由于寄生通带受到了
抑制，通带外的抑制性能也达到了很大的提升，低频处的带外抑制由原来的10ghz-20.6ghz频率范围带外抑制小于-40db提高到10ghz-21.4ghz频率范围带外抑制小于-50db，改善了矩形系数。高频处的带外抑制由原来的30ghz-34ghz处的带外抑制小于-40db提升到29.3ghz-45ghz频带内的带外抑制小于-38db，实现了宽阻带的特性。回波损耗也由原来的通带内大于8.5db提升到通带内大于12db。
[0064]
进一步地，如表1所示，示出了本技术的基于5g毫米波宽带通滤波器的设计指标与仿真结果的对比结果。
[0065]
表1
[0066][0067]
从表中可以看出，滤波器的仿真结果基本满足设计指标，且插入损耗、回波损耗、尺寸面积和低频的抑制这些性能参数都超过了指标的要求，满足5g毫米波通信带通滤波器的要求。
[0068]
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
[0069]
本技术在现有小型化的滤波器结构的基础上，通过在基底中设置了第一金属层和第二金属层，使得宽带通滤波器结构中的馈电结构既可以设置在第一金属层上，也可以设置在第二金属层上，且在同时在第一金属层和第二金属层上均具有馈电结构的情况下，还使得上述滤波器具有了双层馈电结构，能够增强上述滤波器的低频抑制，改善上述滤波器的带内平坦度，另外，由于在该宽带通滤波器结构中还包括有两条开路短截线，该开路短截线与谐振器并联连接，从而相比于现有的宽带通滤波器结构，该开路短截线能够新的传输零点，因此抑制了邻近频段信号和带外信号的干扰，有效降低了高频的带外抑制，增加了无线通信系统中频率的选择性。
[0070]
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种基于5g毫米波通信的宽带通滤波器结构，其特征在于，包括：基底，包括半导体衬底、第一金属层和第二金属层，其中，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一金属层位于所述第一表面上，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述半导体衬底一侧的表面上，所述第一金属层的覆盖有所述第二金属层的表面中具有第一裸露区域；多个谐振器，均位于所述第二金属层远离所述第一金属层一侧的部分表面上，且多个所述谐振器依次耦合连接，所述第二金属层的覆盖有所述谐振器的表面中具有第二裸露区域；两条开路短截线，位于所述基底具有所述谐振器的一侧，且所述两条开路短截线分别与不同的所述谐振器并联；馈电结构，位于所述第一裸露区域上和/或所述第二裸露区域上。2.根据权利要求1所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，还包括：光波导结构，自所述第一表面贯穿至所述第二表面，且与所述第一金属层电气连接；第三金属层，位于所述第二表面上，且与所述光波导结构电气连接。3.根据权利要求1所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，多个所述谐振器沿第一方向在所述第二金属层上依次间隔排列，在所述第一方向上第一个所述谐振器和最后一个所述谐振器分别为第一谐振器和第二谐振器，一条所述开路短截线与所述第一谐振器并联，另一条所述开路短截线与所述第二谐振器并联。4.根据权利要求1所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，所述馈电结构包括第一馈电结构和/或第二馈电结构，其中，所述第一馈电结构位于所述第一裸露区域，所述第二馈电结构位于所述第二裸露区域。5.根据权利要求4所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，所述馈电结构包括所述第一馈电结构和所述第二馈电结构，所述第一馈电结构中的第一馈电线具有第一长度，所述第二馈电结构中的第二馈电线具有第二长度，所述第一长度长于所述第二长度。6.根据权利要求2所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，还包括：导电连接层，位于所述第一裸露区域，且与所述光波导结构连接。7.根据权利要求1所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，所述半导体衬底为玻璃。8.根据权利要求1所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，所述谐振器为u型谐振器。9.根据权利要求8所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，每个所述u型谐振器具有开口，相邻任意两个所述u型谐振器的开口方向相反。10.根据权利要求1所述的宽带通滤波器结构，其特征在于，所述开路短截线的长度为四分之一波长，所述波长为所述宽带通滤波器结构的通带中心频率的波长。

技术总结
本发明提供了一种基于5G毫米波通信的宽带通滤波器结构。该滤波器结构包括：基底，包括半导体衬底、第一金属层和第二金属层，其中，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一金属层位于第一表面上，第二金属层位于第一金属层远离半导体衬底一侧的表面上，第一金属层的覆盖有第二金属层的表面中具有第一裸露区域；多个谐振器，均位于第二金属层远离第一金属层一侧的部分表面上，且多个谐振器依次耦合连接，第二金属层的覆盖有谐振器的表面中具有第二裸露区域；两条开路短截线，位于基底具有谐振器的一侧，且两条开路短截线分别与不同的谐振器并联；馈电结构，位于第一裸露区域上和/或第二裸露区域上。通过本申请，降低了高带外抑制。抑制。抑制。


技术研发人员：范广济 王成猛
受保护的技术使用者：中国电信股份有限公司
技术研发日：2023.06.27
技术公布日：2023/9/22